DE821092C

DE821092C - Lichtempfindliches Element

Info

Publication number: DE821092C
Application number: DER1676A
Authority: DE
Inventors: Paul Kessler Weimer
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1949-02-28
Filing date: 1950-05-07
Publication date: 1951-11-15
Also published as: US2654853A; FR1014390A; GB672052A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Material mit lichtelektrischer Leitfähigkeit und auf mit diesem Material ausgerüstete Geräte.

Insbesondere beruht die Erfindung auf der Entdeckung, daß diejenige Abart von Selen, welche durch Verdampfung und durch Niederschlag im Vakuum auf einer kalten Fläche erhalten wird, ausgezeichnete lichtelektrische Eigenschaften zusammen mit einem hohen Dunkelwiderstand aufweist. Als eine Folge dieser Erkenntnis wurden Geräte geschaffen, die diese rotgefärbte Form des Selens als lichtempfindlichen Teil eines lichtelektrischen Elements benutzen. Die Ergebnisse von erschöpfenden Nachprüfungen scheinen mit einer vorher veröffentlichten Arbeit darin übereinzustimmen, daß das so niedergeschlagene Selen im wesentlichen ganz amorph anstatt kristallin ist und daß, wenn etwas kristallinisches Selen vorhanden ist, es sich um die rote, monoklinische Abart handelt und es nur in sehr kleinen Mengen anwesend ist.

Mit dem in vorliegender Beschreibung benutzten Ausdruck amorphes Selen wird das nach der obigen Beschreibung hergestellte Selen bezeichnet, wobei die Anwesenheit von sehr geringen Mengen der kristallinen Form, die fast niemals ganz ferngehalten werden können, nicht ausgeschlossen sein soll.

Es war bisher bekannt, daß verschiedene Stoffe die Eigenschaft besitzen, daß sie dem Durchgang des elektrischen Stroms einen geringeren Widerstand darbieten, wenn sie dem Licht ausgesetzt sind, als wenn sie sich im Dunkeln befinden. Bei einigen dieser Stoffe ist indessen der Dunkelwiderstand nicht hoch genug, um praktischen Wert zu haben, und bei anderen Stoffen ist die Empfindlichkeit für Änderungen der Belichtungsstärke nicht sehr groß.

Das Element Selen kommt bekanntlich in mehreren verschiedenen allotropischen Formen vor, von denen zwei kristallinisch und eine weitere amorph sind. Eine der kristallinischen Formen hat ein graues metallisches Aussehen, während die andere eine rotgefärbte, monoklinische Abart ist. Die amorphe, nicht kristallinische Form ist ebenfalls von roter Farbe. Von beiden kristallinen Formen war bisher bekannt, daß sie photoelektrisch leitend sind, und

ίο die graue Form wurde insbesondere allgemein in Photozellen und anderen Geräten mit lichtempfindlichen Elektroden verwendet. Es war indessen nicht bekannt, daß die amorphe Abart ebenfalls photoelektrisch leitend ist und daß sie viele vorteilhafte Eigenschaften besitzt. Durch Verwendung der roten amorphen Abart des Selens für den licht" empfindlichen Schirm lassen sich bedeutend verbesserte Geräte, wie Fernsehaufnahmeröhren, bauen. Die Erfindung bezweckt, eine verbesserte lichtempfindliche Zelle zu schaffen. Weiterhin bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Schirmelektrode für Fernsehaufnahmeröhren zu schaffen. Nach einem weiteren Zweck der Erfindung soll eine verbesserte Fernsehaufnahmeröhre geschaffe'n werden. Nach einem weiteren Zweck der Erfindung soll eine Fernsehaufnahmeröhre mit verbesserter Empfindlichkeit geschaffen werden. Außerdem bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Fernsehaufnahmeröhre mit vereinfachter Bauart zu schaffen. Schließlich bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Fernsehaufnahmeröhre mit vereinfachter Arbeitsweise zu schaffen.

Frühere Forscher haben gefunden, daß amorphes Selen aus irgendeiner der anderen allotropischen Formen hergestellt werden kann, indem man eine Menge des Elements in einem Vakuum verdampft und den Dampf auf einer kalten Fläche kondensiert. Die Fläche muß auf einer Temperatur wesentlich unter 65⁰ C und vorzugsweise unter 50⁰ C gehalten werden, da das amorphe Selen in die kristalline Abart bei Temperaturen von 65 bis 90⁰ C übergeht. Das so niedergeschlagene Selen kann in verschiedenen Arten von Geräten verwendet werden, die ein lichtempfindliches Element der lichtelektrisch leitenden Art verwenden. Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der Zeichnung. Darin zeigt

Fig. ι eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht einer Photozelle nach einer Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 2 eine ähnliche Ansicht einer weiteren Type einer Photozelle, die eine zweite Ausführungsform der Erfindung darstellt,

Fig· 3 ^ε·^ηε teilweise geschnittene und teilweise schaubildliche Aufsicht einer Fernsehaufnahmeröhre mit der Elektronenoptik der Orthikontype und veranschaulicht eine dritte Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 4 ein Schaubild einer Fernsehaufnahmeröhre mit einer Elektronenoptik der Ikonoskoptype, die eine vierte Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht, und

Fig. 5 ein Schaubild einer Aufnahmeröhre mit Lichtstrahlabtastung zur Veranschaulichung einer fünften Ausführungsform der Erfindung.

Wie Fig. ι zeigt, kann eine Photozelle 2 hergestellt werden, indem man eine Schicht 4 von amorphem Selen auf einer Metallstützplatte 6 niederschlägt und dann eine dünne, lichtdurchlässige Metallschicht 8 auf die Selenschicht aufbringt. Zuführungsdrähte 10 und 12 werden mit der Metallplatte 6 bzw. dem oberen Metallüberzug 8 verbunden. Wie obenerwähnt, wird die Selenschicht hergestellt, indem man eine Menge des Elements im Vakuum verdampft und sie auf die Metallplatte niederschlägt, die vorzugsweise auf Raumtemperatur oder darunter gehalten wird, obwohl es zulässig ist, ihre Temperatur etwas zu erhöhen. Die Metallplatte 6 und der metallische Überzug 8 dienen als Elektroden, mit welchen ein Kreis durch die photoelektrische Schicht 4 hergestellt wird. Eine Batterie oder andere Gleichstromquelle kann Energie an den Kreis liefern, der andere Teile, wie einen Strommesser 14, enthalten kann.

Die Metallplatte und der Metallüberzug der vorstehend beschriebenen Ausführungsform können aus Aluminium bestehen, obwohl verschiedene andere Metalle auch verwendbar sind.

Eine weitere typische Ausführung einer Photozelle 16 mit dem neuen photoelektrischen Material gemäß der Erfindung ist in Fig. 2 veranschaulicht. Diese Ausführung besitzt eine Stützplatte 18 aus Isoliermaterial, wie Glas oder Glimmer. Auf der Stützplatte ist eine dünne, lichtdurchlässige Schicht 20 eines leitenden Stoffes niedergeschlagen, der aus einem Metall, wie Aluminium, bestehen kann. Eine Schicht von amorphem Selen 22 ist durch das "oben beschriebene Verfahren auf dem Metallüberzug 20 niedergeschlagen und eine zweite Metallschicht 24 dann über dem Selen aufgebracht. Zuführungen 26 und 28 sind mit den Metallschichten 20 bzw. 24 verbunden. Diese Zelle kann in einem Kreis in gleicher Weise wie die Photozelle 2 in Fig. 1 geschaltet werden.

Bei allen oben beschriebenen Ausführungsformen •wird Licht auf die Oberfläche des Selens gerichtet und bei einer Änderung der Lichtstärke ändert sich die Leitfähigkeit des Selens in direktem Verhältnis zu der Lichtstärke. So hat mehr Licht eine höhere no Stromablesung an dem Strommesser 14 und weniger Licht eine niedrigere Ablesung zur Folge. In beiden Fällen sollte wegen der besseren Empfindlichkeit die belichtete Seite der Zelle vorzugsweise die positive Elektrode sein.

Einer der hauptsächlichen Vorteile, die bei der Verwendung von amorphem Selen in einer lichtempfindlichen Zelle nach der obigen Beschreibung festgestellt wurden, ist der, daß diese Form des Selens einen höheren Dunkelwiderstand aufweist als andere Formen. Dies führt zu einem viel niedrigeren Dunkelstrom und einem höheren Verhältnis zwischen der Stromablesung bei Licht und Dunkelheit.

Ein weiterer wichtiger Vorteil bei der Verwendung von amorphem Selen in einer Photozelle ist der, daß es eine geringere Verzögerung beim An-

sprechen auf Änderungen der Lichtstärke aufweist, als bei anderen Formen des Selens festgestellt wurde.

Auf Grund der verbesserten Eigenschaften des

amorphen Selens hinsichtlich des geringeren Dunkel-Stroms wurde festgestellt, daß bedeutend verbesserte Fernsehaufnahmeröhren der Orthikontype gebaut werden können, von welchen eine Ausführungsform in Fig. 3 veranschaulicht ist. Der Dunkelwiderstarid des amorphen Selens ist so hoch, daß ereineLadungsspeicherung während der Bilddauer gestattet und dadurch hohe Empfindlichkeit gewährleistet. Wie dargestellt, besitzt die Röhre 30 einen evakuierten Glaszylinder mit einer Seitenwand 32, dessen Endwand 34 als Grundplatte dient, durch welche verschiedene Zuführungen in die Röhre eintreten, während durch eine weitere Endwand 36 die Lichtstrahlen von der aufgenommenen Szene einfallen. Die Innenfläche der Seitenwand 32 ist mit einem leitenden Mittel 38 versehen, das entweder ein leitender Belag oder ein Metallzylinder sein kann.

Die Innenseite des Aufnahmeendes 36 ist mit einer durchscheinenden Signalplatte 40 versehen, auf welcher ein Überzug 42 aus amorphem Selen niedergeschlagen ist. Die durchscheinende Signalplatte kann aus einem lichtdurchlässigen Metallüberzug oder vorzugsweise aus einem durchscheinenden Überzug aus leitendem Material, wie Zinnoxyd, bestehen, der durch an sich bekannte Verfahren niedergeschlagen wird. Das Selen wird vorzugsweise niedergeschlagen, indem man eine kleine Menge des Elements in einem kleinen Seitenarm 43 einbringt, der an die Seitenwand 32 dicht angesetzt ist und einen offenen Durchgang hat, der in das Innere des größeren Röhrenzylinders führt. Dann werden, während die Röhre unter Vakuum steht, der kleine Seitenarm und alle Teile der zylindrischen Röhre, mit Ausnahme der Signalplatte, auf eine Temperatur erhitzt, die hoch genug ist, um das Selen zu verdampfen. Das Selen wird aus dem Seitenarm ausdestilliert und der größte Teil nur auf der relativ kalten Signalplatte 40 als dünner, gleichförmiger Belag niedergeschlagen. Es wird so viel Selen verwendet, daß ein Belag von vorzugsweise etwa 0,0025 ^mrn Dicke erzeugt wird, jedoch ist dies nicht kritisch. Wie bei den oben beschriebenen Ausführungen der Erfindung sollte die Fläche, auf welcher das Selen niedergeschlagen wird, vorzugsweise auf einer Temperatur unter 50⁰ C gehalten werden.

Die Röhre 30 wird auch mit den erforderlichen, an sich bekannten Ausrüstungen versehen, um einen Elektronenstrahl zu erzeugen und diesen Strahl so zu steuern, daß er den mit Selen überzogenen Schirm abtasten kann. In der Röhre sind neben der Grundplatte eine Glühkathode 44 als Elektronenquelle, ein die Kathode umgebendes Gitter 45 und eine positiv geladene Beschleunigungselektrode 46 in Form eines das Gitter umgebenden und sich über dieses hinaus erstreckenden Metallzylinders angeordnet. Das Vorderende der Beschleunigungselektrode ist mit einer Begrenzungsöffnung 48 versehen. Das Gitter 45 ist über eine Leitung 47 an eine nicht dargestellte negative Potentialquelle angeschlossen. Die Beschleunigungselektrode 46 ist durch eine Leitung 50 an eine nicht dargestellte positive Potentialquelle angeschlossen. Der Wandbelag 38 dient als Bündelungselektrode und ist ebenfalls über eine Leitung 52 an eine nicht dargestellte positive Potentialquelle angeschlossen. Die Röhre ist ferner mit einer Ringelektrode 54 neben der mit Selen überzogenen Signalplatte versehen. Diese Ringelektrode ist eine Verzögerungselektrode und unterstützt die Bündelung an den Rändern der Signalplatte.

Außerhalb der Röhre 30 sind Einrichtungen zur Steuerung der Abtastung und der Bündelung des Elektronenstrahles vorgesehen. Diese können aus den üblichen Ablenkspulen 56, die längs der Außenseite der Seitenwand 32 etwa halbwegs zwischen der Kathode 44 und dem Selenschirm 42 angeordnet sind und Bündelungsspulen 58 bestehen, die außerhalb dieser Spulen angeordnet sind. Ferner können neben den Röhrenwänden kleinere Ausrichtspulen 60 angeordnet sein, die eine Kompensation der mechanischen Fehlausrichtung des Elektronen- ' erzeugers oder des Schirms bezwecken.

Die Verwendung des Elektronenstrahlschirmes gemäß der Erfindung ermöglicht eine bedeutend verbesserte Arbeitsweise der Röhre, die sich durch äußerste Einfachheit des Betriebes und der Überwachung kennzeichnet. Es kann entweder eine Abtastung mit hoher oder niedriger Elektronengeschwindigkeit angewendet werden. Im Betrieb kann die Kathode auf Erdpotential und das Gitter bei — 25 V arbeiten. Die den Elektronenerzeuger umgebende Beschleunigungselektrode 46 kann mit einer Quelle eines positiven Potentials von 300 V verbunden werden, während die Bündelungselektrode 38, die sich konzentrisch zu der Bahn des Elektronenstrahles erstreckt, mit einer Quelle eines positiven Potentials von 200 V verbunden werden kann. Bei Verwendung einer Abtastung mit geringer Elektronengeschwindigkeit wird eine kleine positive Spannung von z. B. 5 bis 10 V der Signalplatte 40 ■ aus einer Potentialquelle zugeführt, die eine Batterie 62 und einen Widerstand 64 umfaßt. Die gewählte Spannung kann durch Bewegen eines Schiebers verändert und ein Belastungswiderstand 66 kann in den Kreis eingeschaltet werden. Die Signalplatte kann auch direkt an einen nicht dargestellten Verstärker über einen Blockkondensator 68 angeschlossen wer- u₀ den.

Bei Zuführung der positiven Spannung an die Signalplatte ist die Arbeitsweise die folgende. Der Elektronenstrahl wird auf die mit Selen überzogene Signalplatte gebündelt und zu ihrer wiederholten Abtastung veranlaßt, wenn ein Bild auf der Aufnahmewand 36 mittels eines bei 70 angegebenen optischen Systems abgebildet wird. Bevoi; Licht auf die Platte gerichtet wird, ist der Selenschirm im Dunkeln ein Isolator und der Elektronenstrahl ladet die Abtastseite auf Kathodenpotential. Wenn Licht auf den Schirm auftreffen kann, wird die Leitfähigkeit des Selens erhöht, wodurch die abgetastete Fläche des Schirmes während der Bilddauer allmählich positiv aufgeladen wird. Der Abtaststrahl setzt Elektronen proportional zu der Lichtstärke ab, die

die abgetastete Fläche auf das Potential Null zurückführen.

Bei Betrieb der Röhre unter Anwendung einer Abtastung mit hoher Elektronengeschwindigkeit kann die Signalplatte gegenüber dem Wandpotential entweder positiv oder negativ gehalten werden, wodurch ein Bildsignal von der einen oder anderen Polarität erzeugt wird.

Anstatt den Bildsignalverstärker, wie oben beschrieben, direkt an die Signalplatte anzuschließen, kann auch ein Bildorthikon mit Elektronenvervielfacher verwendet werden.

Die Verwendung des photoelektrischen, amorphen, roten Selens verbessert, wie festgestellt wurde, bedeutend den Betrieb der Fernsehaufnahmeröhre des Orthikontyps, teilweise wegen seines ungewöhnlich hohen Dunkelwiderstandes, der über io¹³ Ohm/cm liegt. Ein hoher Dunkelwiderstand des lichtempfindlichen Materials der Schirmelektrode ergibt ein

ao klareres, gleichförmigerers Bild, da die von dem den Schirm abtastenden Strahl im Dunkeln erzeugten Störsignale geringer sind.

Es wurde ferner festgestellt, daß bei Verwendung von amorphem Selen als lichtempfindliches Material, auf welchem die aufgenommene Szene abgebildet wird, auch verbesserte Fernsehaufnahmeröhren anderer Typen gebaut werden können.

Ein Beispiel dieser anderen Typen von Röhren ist in Fig. 4 gezeigt, die eine Röhre des Ikonoskoptyps veranschaulicht. Diese Röhre kann einen Glaskolben 72 aufweisen mit einer leitenden Signalplatte f4, die einen Belag 76 aus amorphem Selen trägt, der, wie oben in Verbindung mit der Orthikontype beschrieben, niedergeschlagen wurde. Die Signalplatte ist über einen Belastungswiderstand 80 mit einer Quelle eines negativen Potentials 78 verbunden. Das Bildsignal wird ebenfalls von der Signalplatte mittels eines Leiters 82 abgenommen. Die Leitung für das Bildsignal kann über einen Kopplungs-. kondensator 84 an einen nicht dargestellten Verstärker angeschlossen werden.

Eine Sammelelektrode 86, die in Form eines Metallringes ausgebildet sein kann, ist zwischen dqr überzogenen Signalplatte 74 und dem Aufnahmefenster 88 der Röhre vorgesehen, durch welches die Lichtstrahlen auf die Selenfläche auftreffen. Es sind auch geeignete Elemente vorgesehen, um den Selenschirm mit einem gebündelten Elektronenstrahl abzutasten. Diese Elemente können eine Elektronenquelle in Form einer Kathode 90 umfassen, die mit einem Heizdraht 92 versehen ist. Ein Gitter 94 umgibt die Kathode. Das Gitter ist mit einer Öffnung 96 versehen, durch welche Elektronen von der Kathode 90 auf die Signalplatte geworfen werden.

Konzentrisch zu der Röhrenachse ist eine Beschleunigungselektrode 98 angeordnet, die eine Eintrittsöffnung 100 und eine Ausgangsöffnung 102 aufweist. In der Nähe der Ausgangsöffnung ist eine Bündelungselektrode 104 angeordnet.

Im Betrieb kann die erhitzte Kathode auf einem Potential von etwa — 1000 V und das Gitter 94 auf etwa — 1025 V gehalten werden. Die Beschleunigungselektrode 98 ist geerdet, während die Bündelungselektrode 104 auf etwa — 800 V gehalten wird. Die Signalplatte 74 kann auf einem Potential von etwa —15 V betrieben werden. Der von der Kathode erzeugte Elektronenstrom wird neben der Gitteröffnung 96 gebündelt und die jenseits des Brennpunktes divergierenden Elektronenstrahlen werden wieder auf einen Fleck auf der Fläche der Schirmelektrode gebündelt. Dieser Fleck wird durch Betrieb der Ablenkspulen 106, die außen auf dem Röhrenkolben angeordnet sind, zur Abtastung über die Schirmfläche geführt.

Die von der ferngesehenen Szene reflektierten Lichtstrahlen werden auf der mit Selen überzogenen Fläche 76 mittels eines optischen Systems 108 abgebildet. Differenzen in der Stärke des auf den Selenbelag auftreffenden Lichtes verursachen entsprechende Änderungen in der Leitfähigkeit des Selens, und wenn der Selenbelag von dem Elektronenstrahl abgetastet wird, wird das Bildsignal erzeugt und an der Signalplatte über die Leitung 82 abgenommen.

Eine weitere Ausführungsform einer Fernsehaufnahmeröhre gemäß der Erfindung ist diejenige, welche die Lichtstrahlabtastung nach Fig. 5 verwendet. Wie in dieser Figur gezeigt, kann eine Anordnung zur Lichtstrahlabtastung eine Aufnahmeröhre 110 aufweisen, die einen doppelseitigen, lichtempfindlichen Schirm 112, ein optisches System 114 für die Abbildung einer Szene auf einer Seite des Schirmes 112 und eine Lichtstrahlabtastung besitzt, die in Form einer Kathodenstrahlröhre 116 zusammen mit einem geeigneten optischen System 118 zur Abbildung des Lichtes von dem bewegten Fleck auf der anderen Seite des Schirmes 112 ausgebildet sein kann.

Die Aufnahmeröhre 110 dieses Systems kann einen evakuierten Kolben 120 besitzen, in welchem der lichtempfindliche Schirm 112 und eine Sammelelektrode 122 angeordnet sind. Der Röhrenkolben kann aus einer zylindrischen Seitenwand 124, einem durchsichtigen, der ferngesehenen Szene zugewendeten Aufnahmefenster 126 und einem durchsichtigen Abtastfenster 128 bestehen, das der Lichtstrahlabtastung zugewendet wird. Der Schirm 112 kann eine sehr dünne Platte 130 aus einem Halbleiterstoff mit einem spezifischen Widerstand von etwa io¹¹ Ohm/cm aufweisen. Diese Platte hat vorzugsweise eine Stärke von weniger als 1 Mikron. Die dem Aufnahmefenster zugewendete Seite dieser Platte ist mit einem Belag von amorphem Selen 132 versehen, der auch eine Stärke von etwa 1 Mikron haben kann. Der Selenbelag wird dann mit einem lichtdurchlässigen Metallfilm 134 bedeckt, der mit einer Quelle eines geringen negativen Potentials, vorzugsweise in der Größenordnung von 15 V verbunden werden kann.

Die andere, der Lichtstrahlabtastung zugewendete SeLte der Halbleiterplatte 130 ist mit einem Mosaik 136 einer Photoelektronen emittierenden Substanz versehen. Diese kann Silberoxyd und Zäsium sein.

Die Sammelelektrode 122 ist vorzugsweise in Form eines Belages von leitendem Stoff auf der

Innenseite des der Lichtstrahlabtastung zugewendeten Fensters 128 ausgebildet. Der leitende Belag kann Zinnoxyd oder ein Metall sein. Diese Sammelelektrode ist mit Erde über einen Belastungswiderstand 138 verbunden und mit einer Leitung 140 versehen, über die das Bildsignal über einen Kopplungskondensator 142 einem nicht dargestellten Verstärker zugeführt wird. Wenn kein Licht von einer Szene einfällt, ist der Dunkehviderstand des Selens so hoch, daß ein Stromfluß durch die lichtelektrisch leitende Elektrode verhindert wird. Folglich wird kein Stromfluß in der Sammelelektrode 122 auftreten.

Wenn Licht auf den Selenbelag trifft, leitet das Selen und wird von der mit dem Metallfilm 134 verbundenen Quelle eines negativen Potentials negativ geladen. IJer durch den Halbleiter 130 geleitete Strom ladet die photoemittierende Fläche 136 negativ. Der auf die negativ geladene, photoemittierende Fläche fallende Abtastfleck veranlaßt eine Emission von Elektronen, die zu der Sammelelektrode 122 übergehen. Die Elektronenemission aus der photoemittierenden Fläche würde diese bald mit einer, eine weitere Emission verhindernden Aufladung zurücklassen, jedoch bewirkt mehr Licht, das auf den Selenbelag fällt, einen entsprechenden negativen Stronifluü und führt die photoemittierende Fläche auf. ein negatives Potential zurück.

Die Änderungen des auf der Sammelelektrode 122 auftretenden Stromes ergeben die Erzeugung eines Bildsignals.

Bei allen vorstehend beschriebenen Ausführungsformen, bei denen eine leitende Elektrode als Signalplatte in Berührung mit einem Selenbelag erforderlieh ist, kann jedes Metall oder jede leitende Substanz verwendet werden, die mit dem Selen nicht in ungünstiger Weise reagiert. Unter den Metallen, mit denen besonders gute Ergebnisse festgestellt wurden, befinden sich Gold, Platin, Aluminium, Beryllium, zerstäubtes Palladium und Silber. Die Verwendung eines dieser Metalle bietet im Vergleich zu einem leitenden Material, wie Zinnoxyd, den Vorteil, daß die spektralempfindlichen Eigenschaften der Zelle verändert werden. Die Kombination von Selen und Zinnoxyd ergibt eine Zelle mit beträcht-Hch besserer Empfindlichkeit in dem blauen Ende des Spektrums als in dem roten Ende. Wenn jedoch gewisse dieser Metalle als Elektroden für die Signalplatte verwendet werden, wird die Empfindlichkeit auf Licht in den roten Wellenlängen verbessert, ohne daß die Empfindlichkeit in den blauen Wellenlängen vermindert wird. Die Empfindlichkeit ändert sich mit den verwendeten Metallen.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

1. Lichtempfindliches Element mit einer Schicht eines Stoffes, dessen elektrischer Widerstand mit dem Lichteinfall veränderlich ist, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Stoff rotes, amorphes Selen ist.

2. Element nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch zwei Elektroden, die in Berührung mit der lichtempfindlichen Schicht stehen und von denen wenigstens eine lichtdurchlässig ist, wobei diese Elektroden weitflächigen Kontakt mit der einen bzw. mit der anderen Fläche der Selenschicht machen.

3. Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Elektrode aus Aluminium besteht.

4. Element nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht durch Niederschlagen von verdampftem Selen in Vakuum auf einer kalten Fläche hergestellt ist.

5. Element nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Selenschicht in inniger Flächenberührung eine Schirmelektrode vorgesehen ist, die eine leitende Signalplatte aufweist.

6. Element nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine leitende Platte in Berührung mit dem Selen aus Gold, Platin, Aluminium, Beryllium, Palladium oder Silber besteht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen