DE2813919A1

DE2813919A1 - Eingangs-bildschirm fuer roentgen- fluoreszenzvervielfacher

Info

Publication number: DE2813919A1
Application number: DE19782813919
Authority: DE
Inventors: Saburo Ataka; Kiyohisa Inao; Isamu Kimura; Yoshinori Okamura; Kanetoshi Tada
Original assignee: Hitachi Denshi KK; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Denshi KK; Hitachi Ltd
Priority date: 1977-04-01
Filing date: 1978-03-31
Publication date: 1978-10-05
Also published as: US4195230A; JPS53122356A; NL172193C; FR2386130B1; FR2386130A1; NL7803475A; DE2813919C2

Description

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Die Erfindung betrifft einen Eingangs-Bildschirm für einen Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher.

In Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen ist schematisch der Aufbau eines Röntgen-Fluoreszenzvervielfachers gezeigt, wie er beispielsweise aus der Veröffentlichung von J. Boleslav u.a. in TESLA electronics, Bd. 1 (1973) Nr. 3, Seiten 3 bis 12 bekannt ist. Bei dieser bekannten Vervielfacherröhre durchsetzt ein auf einen Eingangs-Bildschirm 12 gelangender Röntgenstrahl 10 ein Substrat 16 und trifft auf eine Fluoreszenzschicht 17, die an den von dem Röntgenstrahl beleuchteten Teilen fluoresziert. In einer auf der Fluoreszenzschicht 17 aufgetragenen photoelektrischen Schicht 18 (Photokathode) werden in denjenigen Bereichen, die auf den beleuchteten und fluoreszierenden Teilen der Fluoreszenzschicht 17 liegen, Photoelektronen erzeugt, die mit Hilfe einer Fokussierelektrode 15 und einer Anode 13 fokussiert werden und auf einem Ausgangs-Bildschirm 14 ein Bild erzeugen. Da der Ausgangs-Bildschirm 14 eine Schicht aus einer fluoreszierenden Substanz wie etwa ZnS umfaßt, wird er von den Photoelektronen angeregt und fluoresziert. Auf diese Weise wird auf dem Ausgangs-Bildschirm 14 das gleiche Bild hervorgerufen, wie es auf dem Eingangs-Bildschirm 12 durch den auftreffenden Röntgenstrahl 10 erzeugt wird, jedoch mit einer etwa 5000-mal größeren Helligkeit.

Wie in Fig. 1 gezeigt, weist der Eingangs-Bildschirm 12 eines derartigen Röntgen-Fluoreszenzvervielfachers einen Aufbau auf, bei dem die Fluoreszenzschicht 17 und die photoelektrische Schicht 18 übereinander auf einem Substrat 16 angeordnet sind, das aus einer Glas- oder Aluminiumplatte besteht.

Die Fluoreszenzschicht 17 enthält eine fluoreszierende Substanz, deren Muttersubstanz Cäsiumjodid (CsJ) ist und die mit einem Störstoff, etwa Na, Li und/oder Tl aktiviert

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wird. Die Schichtdicke beträgt gewöhnlich etwa 100 bis 500μπι.

Die photoelektrische Schicht 18 besteht aus einer herkömmlichen photoelektrischen Substanz, wie etwa Cs-Sb 5 oder Cs-Na-K-Sb, und hat eine Dicke von etwa 50 bis 1000 &..

Um Reaktionen zu verhindern, die zwischen der Fluoreszenzschicht 17 und der photoelektrischen Schicht 18 auftreten könnten, kann zwischen den beiden Schichten ein Isolierfilm aus SiO₂, SiO, Al₂O₃, In₂O,, SnO₂, B₂O^ und/oder sonstigen Oxiden vorgesehen werden. Auf diese "Weise sind die beiden Schichten 17 und 18 durch den Isolierfilm vollständig isoliert, so daß zwischen den beiden Schichten keine Reaktion zu befürchten ist.

Cäsiumjodid hat ein hohes Absorptionsvermögen für Röntgenstrahlung. Daher kann erwartet werden, daß bei Verwendung dieser Substanz für die Fluoreszenzschicht eines Röntgen-Fluoreszenzvervielfachers eine sehr hohe Empfindlichkeit erzielt wird. Außerdem läßt sich Cäsiumjodid leicht aufdampfen, so daß eine Fluoreszenzschicht mit sehr glatter Oberfläche und hoher Packungsdichte erzielt werden kann. Angesichts dieser günstigen Eigenschaften wird Casiumjodid in sehr großem Umfang für Fluoreszenzschichten von Röntgen-Fluoreszenzvervielf achern verwendet.

Andererseits ist Cäsiumjodid stark hygroskopisch und verschlechtert sich daher an der Luft beträchtlich. Ein weiteres Problem besteht darin, daß die Substanz einen hohen linearen Ausdehungskoeffizient aufweist und daher die Fluoreszenzschicht zur Rißbildung neigt, die sich aus dem unterschiedlichen linearen Ausdehnungskoeffizient des Substrats ergibt.

Gegen Verschlechterung an der Luft läßt sich die CsJ-Schicht ohne weiteres durch Wärmebehandlung in Vakuum oder in einem Inertgas schützen. Bei Durchführung einer solchen Wärmebehandlung wird jedoch die Rißbildung weiter gefördert, wobei sich in extremen Fällen die Fluoreszenzschicht sogar von dem Substrat abschälen kann.

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Der Erfindung liegt die generelle Aufgabe zugrunde, Nachteile, wie sie bei vergleichbaren Röntgen-Fluoreszenzvervielfachern nach dem Stand der Technik auftreten, wenigstens teilweise zu vermeiden. In Anbetracht des 5 oben geschilderten Standes der Technik kann eine speziellere Aufgabe der Erfindung darin gesehen werden, einen Eigangs-Bildschirm für Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher zu schaffen, der bei hohem Auflösungsvermögen und hoher Empfindlichkeit eine sehr glatte Oberfläche hat und bei dem die Gefahr einer Rißbildung nicht besteht. Zur Lösung dieser speziellen Aufgabe der Erfindung ist zwischen dem Substrat und der Fluoreszenzschicht ein aufgedampfter Aluminiumfilm vorgesehen. Ein solcher Eingangs-Bildschirm leidet nicht unter der Aufladung, wie sie der Abschälung oder Rißbildung der Casiumöodid-Schicht zuzuschreiben ist, und vermittelt daher ein Bild außerordentlich hoher Qualität.

In der oben erwähnten Veröffentlichung von J. Boleslav u.a. wird zwar für die Fluoreszenzschicht Cäsiumjodid mit Na als Aktivator verwendet; das Material des Substrats ist jedoch nicht angegeben, und von der Verwendung eines aufgedampften Aluminiumfilms ist keine Rede·

Das gleiche gilt im wesentlichen auch für die Veröffentlichung von H. Minami u.a. in "Toshiba Review", Bd. 102 (1976) Nr. 102, Seiten 24 bis 28.

In den Veröffentlichungen von A.L.N. Stevels u.a. in "Philips Res. Repts." Bd. 29 (1974) Seiten 340 bis 352 und Seiten 353 bis 362 ist ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Cäsiumjodid-Schicht beschrieben, die Natrium als Aktivator verwendet, wobei angegeben ist, daß für das Substrat Siliciumoxid, Siliciumdioxid oder Aluminium verwendet wird. Ferner wird dort die Lichtstreuung durch eine derartige Cäsiumjodid-Schicht mit Natrium als Aktivator beschrieben und eine logische Begründung dafür gegeben. Keine der beiden Veröffentlichungen enthält jedoch einen Hinweis auf die Verwendung eines aufgedampften Aluminiumfilms.

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Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird in der nachstehenden Beschreibung anhand der weiteren Zeichnungen näher erläutert, wobei

Fig. 2 einen Querschnitt durch den Aufbau eines Eingangs-Bildschirms zeigt, und

Fig. 3 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Substrattemperatur beim Aufdampfen eines Cäsiumjodidfilms und der Ausschußrate darstellt. Wie oben beschrieben bildet Cäsiumjodid ein Material, das sehr hygroskopisch ist, einen hohen linearen Ausdehnungskoeffizient aufweist und sich daher in der Luft außerordentlich stark verschlechtert. Es ist zwar möglich, die Verschlechterung durch eine Wärmebehandlung in Vakuum oder einem Inertgas aufzuheben, doch treten bei einer solchen Aktivierungsbehandlung erhebliche Risse in der Oberfläche der CsJ-Schicht auf, wobei sich aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Cäsiumjodid und dem jeweiligen Substrat in extremen Fällen sogar die Cäsiumjodidschicht abschälen kann.

Um in einem Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher das in der Fluoreszenzschicht 17 nach Fig. 1 erzeugte sichtbare Licht in Photoelektronen umzuwandeln, wird auf dieser Fluoreszenzschicht eine als Photokathode dienende photoelektrische Schicht 18 aufgetragen. Um den photoelektrischen Wirkungsgrad zu steigern, wird die Dicke der photoelektrischen Schicht 18 sehr gering, höchstens etwa 500 $., gemacht. Daher haben Risse oder Oberflächen-Unebenheiten der Fluoreszenzschicht starken Einfluß auf die photoelektrische Schicht, indem die photoelektrischen Eigenschaften enorm beeinträchtigt und damit die Bildqualität verschlechtert werden.

Weist die Fluoreszenzschicht Risse auf, so ist die auf ihr aufgetragene photoelektrische Schicht nicht über ihre gesamte Fläche gleichförmig sondern im Bereich der Risse zerstückelt. Infolge dieser Unterteilung- der photoelektrischen Schicht sammeln sich an ihrer Oberfläche positive Locher, die

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eine Aufladung bewirken. Dadurch wird die Gleichmäßigkeit des Bildes beträchtlich verringert.

Auch Oberflächen-Unebenheiten der Fluoreszenzschicht bewirken das Auftreten von Rissen in der photoelektrischen Schicht. Wie bei den oben erwähnten Rissen führt daher eine unebene Oberfläche zu einem ungleichmäßigen Bild.

Es ist vorgeschlagen worden, die Substratoberfläche aufzurauhen, um die Bindung zwischen dem Substrat und der Fluoreszenzschicht zu erhöhen. Beim Aufdampfen von Cäsiumjodid auf eine derartige rauhe Oberfläche wird jedoch auch die Oberfläche der aufgedampften Cäsiumöodidschicht uneben. Wiederum wird die photoelektrische Schicht wie in dem obigen Fall zerstückelt, so daß das Bild ungleichmäßig wird.

Die Erfindung löst sämtliche obigen Probleme, dadurch, daß zwischen das Substrat und die (aus Casiumoodid bestehende) Fluoreszenzschicht des Eingangs-Bildschirms ein aufgedampfter Aluminiumfilm eingefügt wird. Bei einem derart aufgebauten Eingangs-Bildschirm besteht keine Gefahr einer Rißbildung, Schichtablösung oder Aufladung, wie sie der Unebenheit des Substrats und den unterschiedlichen linearen Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und Fluoreszenzschicht zuzuschreiben ist. Daher tritt in einem mit einem derartigen Eingangs-Bildschirm arbeitenden Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher keinerlei Verschlechterung in der Gleichmäßigkeit des Bildes auf, und Auflösungsvermögen und Empfindlichkeit sind außerordentlich hoch.

Gemäß Fig. 2 ist ein erfindungsgemäßer Eingangs-Bildschirm derart aufgebaut, daß auf einem Substrat 16 ein aufgedampfter Aluminiumfilm 19, eine Fluoreszenzschicht 17 und eine photοelektrische Schicht 18 der Reihe nach übereinander angeordnet sind.

Das Substrat 16 besteht aus einer dünnen Tafel oder Platte aus etwa Aluminium, einer Aluminiumlegierung oder Glas, Die Substratdicke richtet sich nach der gewünschten mechanischen Festigkeit, nach den Gegebenheiten der Fertigung, dem Transmissionvermögen für Röntgenstrahlen und ähnlichen Faktoren. Vorzugsweise liegt die Dicke bei etwa 150 bis

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300 um für Aluminium oder Aluminiumlegierung und bei etwa 300 μπι bis 3 mm für Glas.

Der aufgedampfte Aluminiumfilm 19 läßt sich nach den verschiedensten Aufdampfverfahren herstellen, etwa durch Vakuumaufdampfung, Elektronenstrahlauf dampfung und Zerstäubung. Die untere Grenze für die Dicke eines erfindungsgemäß noch brauchbaren aufgedampften Aluminiumfilms hängt zwar bis zu einem gewissen Grad von der Oberflächenbeschaffenheit des Substrats ab; selbst ein aufgedampfter Aluminiumfilm mit einer Dicke von nur etwa 5 ■& läßt sich jedoch noch verwenden, wenn die Substratoberfläche glatt ist, wie dies beispielsweise bei einer spiegelpolierten Aluminiumoberfläche der Fall ist.

Aluminium läßt Röntgenstrahlen gut durch. Allein im Hinblick auf das Transmissionsvermögen für Röntgenstrahlen ist es daher möglich, mit einem aufgedampften Aluminiumfilm zu arbeiten, der eine Dicke von beispielsweise 1 mm hat. Ein derart dicker Film ist jedoch in der Praxis insofern nachteilig, als die Aufdampfung außerordentlich lange dauert. Die maximale Filmdicke, die sich in der Praxis durch Aufdampfen herstellen läßt, beträgt etwa 100 μπι, und der Dickenbereich, in dem der Film günstige Ergebnisse zeitigt, liegt etwa zwischen 1000 und 6000 $..

Die Dicke der Fluoreszenzschicht 17 muß etwa 100 bis 500 um betragen. Ist die Fluoreszenzschicht dünner als 100 um, so reicht die Menge an fluoreszierende Substanz pro Flächeneinheit nicht aus, und die Leuchtintensität is ungenügend. Ist die Schicht dicker als 500 um, so steigt das Maß, zu dem erzeugtes sichtbares Licht durch die fluoreszierende Substanz absorbiert wird, und die an dem photoelektrischen Film 18 ankommende Lichtmenge nimmt entsprechend ab.

Um die Empfindlichkeit zu steigern, soll die photoelektrische Schicht 18 möglichst dünn sein. Bei der Erfindung kann mit einer photoelektrischen Schicht gearbeitet werden,

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deren Dicke etwa 50 bis 1000 S beträgt. Als Material für die photoelektrische Schicht wird dabei eine aufgedampfte photoelektrische Substanz wie etwa Cs-Sb oder Cs-Na-K-Sb verwendet .

Die Cäsiumjodidschicht kann ausschließlich aus Cäsiumjodid bestehen oder alternativ auch mit einem oder mehreren Elementen aus der Gruppe der Alkalimetalle wie etwa Na und Li und der Erdalkalimetalle wie etwa Ca, Ba und Mg; Tl usw. als Aktivator dotiert sein.

Um Reaktionen zwischen der Cäsiumjodidschicht und der photoelektrischen Schicht zu verhindern, ist es zweckmäßig, dazwischen einen Schutzfilm aus SiOo, SiO, Al₉O^, In₉O^, SnO2» "Qr^)-T _t NbpO3» CeÜ2 und/oder sonstigen Oxiden oder aus MgF£ einzufügen.

An der Oberfläche der Aluminiumplatte sind durch das Walzen verursachte Risse, durch die Oxidation beim Walzvorgang hervorgerufene Oxidfilme und dergleichen Störstellen vorhanden. Aus diesem Grund ist dann, wenn als Substrat eine derartige Aluminiumplatte verwendet und die Cäsiumjodidschicht direkt aufgetragen wird, die Bindung zwischen der Schicht und dem Substrat außerordentlich schlecht. Aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten treten ferner leicht Risse in der Cäsiumjodidschicht auf.

Erfindungsgemäß wird jedoch die Cäsiumjodidschicht nicht direkt auf das Substrat aufgetragen; vielmehr wird zwischen das Substrat und die Cäsiumjodidschicht ein aufgedampfter Aluminiumfilm eingefügt. Wird nun die Cäsiumjodidschicht unmittelbar nach dem Aufdampfen des Aluminiumfilms aufgetragen, so werden schädliche Einflüsse von Rissen oder Oxiden auf dorn Substrat vollständig ausgeschaltet. Infolgedessen wird die Bindung zwischen der Cäsiumjodidschicht und dem Substrat sehr intensiv, und es treten keinerlei Risse auf.

Der aufgedampfte Aluminiumfilm ist aus folgenden Gründen als Zwischenschicht zwischen dem Substrat und der Cäsiumjodidschicht gewählt worden:

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(1) Der aufgedampfte Aluminiumfilm weist ein sehr gutes Bindungsvermögen bezüglich verschiedener Substrate auf, nämlich nicht nur gegenüber Aluminium sondern auch gegenüber Glas, Keramik, Beryllium usw.

(2) Da der aufgedampfte Aluminiumfilm eine sehr hohe Festigkeit bezüglich der Wärmebehandlung aufweist, d.h. rasch aufheizt und rasch abkühlt, besteht bei ihm keine Gefahr einer Rißbildung.
(3) Da die Aluminiumkörner in dem aufgedampften Aluminiumfilm sehr fein sind, erreicht er eine außerordentlich glatte Oberfläche.

(4) Da schließlich der Absorptionskoeffizient von Aluminium für Röntgenstrahlung klein ist, ändert sich durch das Aufdampfen des Aluminiumfilms auf das Substrat die Empfindlichkeit für Röntgenstrahlen kaum. Beispiel

Unter die Glasglocke einer Vakuumeinrichtung wurde ein Schiffchen (aus Tantal mit Abmessungen von 35 mm χ 35 mm χ 18 mm) zum Verdampfen von Cäsiumjodid gestellt, das etwa 50 g Cäsiumjodid und etwa 50 mg Natriumiodid enthielt. Ferner wurde in ein Schiffchen (aus Tantal oder Wolfram) Aluminium zum Verdampfen gegeben, und dieses Schiffchen wurde in ähnlicher Weise unter die Glasglocke gestellt. An einer vorgegebenen Stelle unter der Glasglocke wurde ein vorher gut gewaschenes Aluminiumsubstrat angeordnet, und die Glas-

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glocke wurde auf 1,3 x 10 Pa evakuiert. Das Aluminiumsubstrat wurde auf 400°C erhitzt und etwa 10 min lang auf dieser Temperatur gehalten. Mach 10 min wurde die Erhitzung beendet und die Temperatur" des Aluminiumsubstrats im Vakuum auf 0 bis 100°C abgesenkt.

Anschließend wurde das Schiffchen für den Aluminiumniederschlag erhitzt, um einen Aluminiumfilm mit einer Dicke von etwa 1000 £ auf das Substrat aufzudampfen. Das Aufdampfen des Aluminiumfilms auf das Aluminiumsubstrat kann auch vorher durch Verwendung einer sonstigen Verdampfungsvorrichtung erfolgen. Die Verwendung der gleichen Verdampfungseinrichtung für den Auftrag der Cäsiumjodidschicht, wie dies in dem vor-

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liegenden Beispiel geschah, ist jedoch insofern sehr günstig, als die Cäsiumjodidschicht unmittelbar nach,dem Aufdampfen des Aluminiumfilms aufgetragen werden kann, ohne mit der freien Luft in Berührung zu kommen. Nachdem die Substrattemperatur wieder angehoben wurde, wurde durch das Cäsiumjodid-Verdampfungsschiffchen ein Strom mit einer Stärke von 130 bis 170 A geleitet. Dadurch wurde die gesamte Menge des in dem Schiffchen enthaltenen Cäsiumjodids und Natriumjodids verdampft und auf den aufgedampften Aluminiumfilm niedergeschlagen, so daß sich eine natriumhaltige Cäsiumjodidschicht mit einer Dicke von μΐη ergab.

Der Strom zum Erhitzen des Schiffchens wurde abgeschaltet und das Substrat mit dem aufgetragenen Aluminiumfilm und der Cäsiumoodidschicht wurde nach Abkühlen auf Zimmertemperatur aus der Glasglocke herausgenommen.

Nachdem das so gewonnene Substrat 2h lang einer Wärmebehandlung bei 400 C in Vakuum unterworfen worden war, wurde nach herkömmlichem Verfahren ein photoelektrischer Film aus beispielsweise Cäsium-Antimon aufgetragen. Ein daraus hergestellter Eingangs-Bildschirm wurde an einer vorgegebenen Stelle innerhalb des in Fig. 1 gezeigten Glaskolbens 11 zusammen mit einer Fokussierelektrode 15, einer Anode 13 und einem fluoreszierenden Ausgangs-BiIdschirm 14, der als fluoreszierende Substanz ZnS verwendete, angeordnet, woraufhin der Glaskolben evakuiert wurde. Auf diese Weise wurde ein Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher hergestellt.

Zur Vermeidung von Reaktionen zwischen der Cäsiumjodidschicht und der photoelektrischen Schicht kann ein Schutzfilm aus einer der oben erwähnten Substanzen, etwa ^A12°3» ^{mit einer} Dicke -von 1000 $ bis 1 μπι durch Zerstäubung, Elektronenstrahlverdampfung oder dergleichen vorgesehen werden, nachdem die oben beschriebene Wärmebehandlung zur Aktivierung durchgeführt worden ist.

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Es wurden nun Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher mit erfindungsgemäßen Eingangs-Bildschirmen sowie mit solchen nach' dem Stand der Technik ausgerüstet und die Ausschußquoten der beiden Arten von Vervielfacherröhren verglichen. In dem Diagramm nach Fig. 3 ist an der Abszisse die Substrattemperatur beim Auftragen der Cäsiumjodidschicht und an der Ordinate das Verhältnis von brauchbaren Vervielfacherröhren zur Gesamtzahl der hergestellten Vervielfacherröhren aufgetragen. Dabei ist mit dem Ausdruck "brauchbar" ein Erzeugnis gemeint, bei dem keine Aufladung infolge von Abschälung oder Rißbildung der Cäsiumjodidschicht in dem Eingangsbildschirm bemerkt wurde.

Wie aus Fig. 3 hervorgeht, nimmt bei dem Eingangs-Bildschirm nach der Erfindung gemäß Kurve 21 das Verhältnis der brauchbaren Erzeugnisse zu deren Gesamtzahl mit steigender Substrattemperatur beim Aufdampfen der Cäsiumjodidschicht zu, wobei kein Ausschuß erzeugt wird, wenn der Auftrag der Cäsiumjodidschicht bei einer Substrattemperatur von etwa 200°C durchgeführt wird.

Andererseits steigt auch bei einem Eingangs-Bildschirm nach dem Stand der Technik gemäß Kurve 22 die Quote von brauchbaren Erzeugnissen mit der Substrattemperatur beim Auftrag der Cäsiumjodidschicht. Selbst wenn jedoch die Cäsiumjodidschicht bei einer Substrattemperatur von beispielsweise 400° aufgedampft wird, beträgt die Quote der brauchbaren Erzeugnisse nur etwa 50%, was wesentlich schlechter ist als bei den erfindungsgemäßen Vervielfacher röhr en.

Ist die Substrattemperatur beim Aufdampfen der Cäsiumjodidschicht höher als 500⁰C, so ist der Dampfdruck des Cäsiumjodids beträchtlich hoch, und die Bildung der aufgedampften Cäsiumjodidschicht wird schwierig. Es ist daher ratsam, die Cäsiumjodidschicht aufzudampfen, während das Substrat auf einer Temperatur zwischen 200 und 50O⁰C gehalten wird.

PUS/CW

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Claims

PATENTANWALTS

SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK

MARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 9O POSTADRESSE! POSTFACH 95 O1 6O, D-8000 MÖNCHEN 95

Hitachi, Ltd. und 31. März 1978

Hitachi Denshi K. K.
DA-56 03

EINGANGS-BILDSCHIRM FÜR RÖNTGEN-FLUORESZENZVERVIELFACHER Patentansprüche

■Ί .'Eingangs-Bildschirm für Röntgen-Fluoreszenzvervielfacher mit einem Substrat, einer auf einer Hauptoberfläche des Substrats aufgetragenen Cäsiumjodidschicht und einer auf der Cäsiumjodidschicht aufgetragenen photoelektrischen Schicht, gekennzeichnet durch einen zwischen der Hauptoberfläche des Substrats (16) und der Cäsiumjodidschicht (17) angeordneten aufgedampften Aluminiumfilm (19).
2. Bildschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der aufgedampfte Aluminiumfilm (19) eine Dicke von etwa 5 S bis 100 um hat.
3. Bildschirm nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoelektrische Schicht (18) aus Cs-Sb und/oder Cs-Na-K-Sb besteht.
4. Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e -

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kennzeichnet , daß die photoelektrische Schicht (18) eine Dicke von etwa 50 bis 1000 Ä hat.
5. Bilschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat aus einer Platte aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung mit einer Dicke von etwa 150 bis 300 μπι oder aus einer Glasplatte mit einer Dicke von etwa 300 um bis 3 mm besteht.
6. Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Casiumjodidschicht (17) eine Dicke von etwa 100 bis 500 um hat.
7. Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Cäsiumjodid einen Aktivator enthält.
8. Bildschirm nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der Aktivator aus Na, Li, Ca, Ba, Mg und/oder Tl besteht.

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