DE1764735A1 - Speicherroehre - Google Patents

Description

Mpl.-Phys. Leo Thul

Patentanwalt 1 7 6 A 7 3 5

Stuttgart-Feuerbach

Kurze Str. 8

ISE/Reg. 3936
B.C.Einstein - 2

INTEHNATIONAI STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK

Speicherröhre

Die Priorität der Anmeldung in den Vereinigten Staaten von Amerika vom 2.August 1967 Nr. 657 886, Group 251 ist in Anspruch genommen.

Die Erfindung betrifft Speicherröhren, insbesondere eine Speicher elektrode hoher Auflösung für ein BiId-Orthikon, Vidikon oder eine andere Fernseh-Kamera-Type oder Speicherröhre.

Bisher war es üblich, Speicherröhren mit einer Speicherelektrode zu verwenden, die eine durch Elektronenbeschuss induzierte Leitfähigkeits-Charakteristik aufweist. Eine solche Speicherelektrode ist auch bekannt als Bildspeicherelektrode mit Sekundäremissionsleitung. Bei einer derartigen älteren Anordnung besteht die Speicherelektrode aus einem aufgerauchten Film, Kalziumchlorid oder einer anderen isolierenden Schicht auf einer festen, dünnen leitenden Platte.

Frühere Speicherelektroden der obenerwähnten Art litten unter mehreren schwerwiegenden Nachteilen. Einer davon ist die geringe Auflösung. Wenn beispielsweise Primärelektronen von der Photokathode auf der Speicherelektrode mit einer Geschwindigkeit von mehreren tausend Volt auftreffen, können Sekundärelektronen aus der Speicherschicht zum Beschleunigungsgitter gelangen, welches üblicherweise in der Bahn des Abtaststrahles liegt. Wenn eine grössere Anzahl von Sekundärelektronen für eine längere Zeitdauer vom Beschleunigungsgitter aufgefangen wird, wird das Potential der Schichtoberfläche auf Beschleunigungsgitterpotential

25.7.68 _

Ku/U _A - 2 -

109842/0461

ISE/Seg. 3936 - 2 - _Λ^

aufgeladen. Der Abtaststrahl kann dann nicht mehr die Schichtoberfläche auf Kathodenpotential entladen. Diese Erscheinung ist als "run away" beschrieben und hat einen teilweisen oder vollständigen Verlust an Auflösung zur Folge. Er macht auch die Speicherung von Szenen mit relativ hellen Lichtern oder grosser Helligkeit unmöglich.

Bei einer Speicherröhre mit einer Speicherelektrode aus einer leitenden Schicht, die an nur einer Seite mit einem nicht perforierten Belag mit einer durch Elektronenbeschuss induzierten Leitfähigkeits-Charakteristik versehen ist, bei der Primärelektronen auf die leitende Schicht und ein Abtaststrahl auf den P Belag gerichtet werden, besteht erfindungsgemäss die leitende Schicht aus einem Metallnetz, welches einen Teil der Aussenflache des Belags von Primärelektronen abschirmt, wodurch dieser Teil auf dem Kathodenpotential des Abtaststrahlerzeugungssysteme gehalten werden kann. Dieser Teil wirkt als virtuelles Bremsgitter, welches den Austritt und Übergang einer übermässigen Anzahl von Sekundärelektronen zum Beschleunigungsgitter verhindert.

Die erfindungsgemässe Speicherelektrode besitzt den Vorteil hoher Auflösung, obwohl ihre Konstruktion einfach, stabil und billig ist. Sie besitzt auch einen grossen Dynamikbereich.

Die obenerwähnten und weitere Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand der Zeichnung verdeutlicht. Hierin ist

Fig. 1 eine teilweise im Schnitt gehaltene Seitenansicht einer Speicherröhre gemäss der Erfindung;

Fig. 2 ein Schnitt durch die Speicherelektrode der in Fig. 1 dargestellten Röhre.

In der Fig. 1 der Zeichhung ist eine Speicherröhre 10 mit einer evakuierten Hülle 11 gezeigt. Eine Elektronenkanone 12 enthält

- 3 109842/0461

ISE/Reg. 3936 - 3 - ,

eine Kathode 13 zur Erzeugung eines Abtastelektronenstrahls 14. Der Strahl 14 ist durch ein Beschleunigungsgitter oder -netz 16 auf eine Speicherelektrode 15 gerichtet. Von einem auf der linken Seite der Hülle 11 angebrachten photoempfindlichen Belag 17 werden Primärelektronen auf die Speicherelektrode 15 gerichtet. Der Belag 17 wird durch eine Spannungsquelle 19 auf einem negativen Potential von mehreren tausend Volt gegenüber der Kathode 13 gehalten.

Das Beschleunigungsnetz 16 wird durch eine Spannungsquelle 18 auf einem positiven Potential von etwa 300 V gegenüber der Kathode gehalten.

Wie Fig. 2 zeigt, besteht die Speicherelektrode 15 aus einem gewebten Drahtnetz 20, auf dem ein eine durch Elektronenbeschuss induzierte Leitfähigkeit aufweisender Belag 21 aufgebracht ist. Das Netz 20 wird auf einer gegenüber der Kathode 13 positiven Spannung von 1 bis 40 Volt gehalten, vorzugsweise auf 30 bis 40 Volt.

Der Belag 21 kann eine aufgerauchte, in konventioneller Weise niedergeschlagene Filmschicht sein, kann aber beispielsweise auch aus Kalziumchlorid bestehen.

Jeder Belag 21 kann auf dem Netz 20 auf irgeneine konventionelle Weise niedergeschlagen werden. Er kann aufgedampft werden, und zwar mit oder ohne Hilfe des üblichen Lackfilms.

Die Röhre 10 kann sowohl als Bild-Orthikon als auch als Vidikon betrieben werden. Bei der Verwendung als Bild-Orthikon wird das Bildsignal beim Beschleunigungsgitter 16 abgenommen, bei der als Vidikon jedoch am Targetnetz 20.

Während des Betriebes der Speicherelektrode 15 schirmt das Netz den oberen Teil der Belagoberfläche ab. Dadurch wird die Oberfläche des Belags 21 direkt über dem Netz 20 in Fig. 2 nicht auf das Potential des Beschleunigungsgitters 16 gebracht, weil keine Primärelektronen vom Belag 17 die beschattete Oberfläche erreichen

109842/CH61 " ⁴ ~

ISE/Reg. 3936 - 4 -

können. Auf diese Weise wird die Auflösung verbessert.

Das Netz 20 besteht aus einem zweckmässigen Metall, beispielsweise Nickel, mit ca. 400 Drähten pro cm (1000 pro inch) und besitzt eine Durchlässigkeit von ca.50$.

Charakteristischerweise ist der Belag 21 nicht perforiert und besitzt bei T in Fig. 2 eine Dicke von 0,01 mm.

Das Netz 20 kann ein gewebtes Drahtnetz oder auch ein auf elektrischem Wege hergestelltes Metallnetz sein.

Der Belag 21 ist in Richtung des Netzes 20 zum Beschleunigungsfe gitter 16 verstärkt, um ein Optimum an Elektronenabsorption und Leitfähigkeit zu erreichen.

1 Anspruch
1 Bl.Zeichng.

Claims (1)

1. Anspruch

   Speicherröhre mit einer Speicherelektrode, bestehend aus einer leitenden Schicht, die an nur einer Seite mit einem nicht perforierten Belag mit einer durch Elektronenbeschuss induzierten leitfähigkeits-Gharakteristik versehen ist, bei der Primärelektronen auf die leitende Schicht und ein Abtaststrahl auf den Belag gerichtet werden, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Schicht aus einem Metallnetz besteht, welches einen Teil der Aussenflache des Belags von Primärelektronen abschirmt, wodurch dieser Teil auf dem Kathodenpotential des Abtaststrahlerzeugungssystems gehalten werden kann.

   25.7.68
   Ku/U

   1098Α2/0ΛΒ1

   Leerseite