DE1200970B - Electron image intensifier screen - Google Patents
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Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. α.:Int. α .:
HOIjHOIj
Deutsche Kl.: 21g-29/40 German classes : 21g -29/40
Nummer: 1200 970Number: 1200 970
Aktenzeichen: M 39739 VIII c/21 gFile number: M 39739 VIII c / 21 g
Anmeldetag: 26. November 1958 Filing date: November 26, 1958
Auslegetag: 16. September 1965Opening day: September 16, 1965
Die Erfindung betrifft einen Elektronenbildverstärkerschirm, auf dessen einer Seite ein Elektronenstrahl hoher Energie und auf dessen anderer Seite ein Elektronenstrahl geringer Energie auftrifft, von denen dei eine Strahl das Bild führt und der andere einer punktförmigen Abtastung dient, und der mit einer Platte aus einem photoleitenden Material, deren elektrische Leitfähigkeit an einzelnen Stellen durch Elektronenstrahlung veränderbar ist, und mit einer auf der einen Seite dieser Platte befindlichen, leitenden Schicht ausgestattet ist. Verstärkerschirme dieser Art finden z. B. in Elektronenmikroskopen Anwendung, wenn ein von Elektronen auf einem Leuchtschirm hergestelltes, sichtbares Bild lichtschwach ist, so daß man auf eine elektrische Verstärkung des Elektronenbildes angewiesen ist.The invention relates to an electron image intensifier screen on one side of which an electron beam high energy and on the other side of which a low energy electron beam hits, of which dei one beam guides the image and the other is used for punctiform scanning, and the one with a plate made of a photoconductive material, whose electrical conductivity at individual points by electron beams is changeable, and equipped with a conductive layer located on one side of this plate is. Intensifying screens of this type can be found e.g. B. Application in electron microscopes, if a visible image produced by electrons on a fluorescent screen is faint, so that one is dependent on an electrical amplification of the electron image.
Bei derartigen Elektronenbildverstärkerschirmen wird zur punktweisen elektrischen Signalgabe eine Kondensatorwirkung ausgenutzt, die dadurch zustande kommt, daß die photoleitende Platte von dem einen Elektronenstrahl unterschiedlich leitend gemacht wird, während der andere Strahl die zur örtlichen Leitung notwendige elektrische Ladung liefert. Dabei ist es gleichgültig, welcher der beiden Elektronenstrahlen das Bild führt oder der punktweisen Abtastung dient.In such electron image intensifier screens, a point-by-point electrical signaling is used Capacitor effect exploited, which comes about that the photoconductive plate of the one electron beam is made differently conductive, while the other beam is the local Line supplies the necessary electrical charge. It does not matter which of the two electron beams the image guides or is used for point-by-point scanning.
Bei einem derartigen Elektronenbildverstärkerschirm treten Schwierigkeiten hinsichtlich der Halterung auf, weil die Platte aus dem photoleitenden Material und die diese bedeckende, leitende Schicht sehr dünn ausgebildet sein müssen. Durch die leitende Schicht muß zumindest der Elektronenstrahl hoher Energie ohne Hindernisse hindurchgehen können, während die geringe Dicke der photoleitenden Platte für die Erzielung der gewünschten Kondensatorwirkung von Bedeutung ist.Such an electron image intensifier screen has difficulty in holding because the plate is made of the photoconductive material and the conductive layer covering it must be made very thin. At least the electron beam must pass through the conductive layer high energy can pass through without obstacles, while the small thickness of the photoconductive Plate is important for achieving the desired capacitor effect.
Bei einem Elektronenbildverstärkerschirm der zuvor bezeichneten Art ist die Platte aus photoleitendem Material gemäß der Erfindung auf einer dünnen, fest eingespannten, elektrisch isolierenden Membran gehaltert.In an electron image intensifier screen of the type referred to above, the plate is made of photoconductive material Material according to the invention on a thin, firmly clamped, electrically insulating membrane held.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Halterung besteht darin, daß sie sehr stark und etwas federnd nachgiebig ist und irgendwelchen Stößen und Kräften, die von der Evakuierung der Röhrenhülle herrühren können, einen ausreichenden Widerstand entgegensetzt, während sie dem hindurchgehenden Elektronenstrahl keinen wesentlichen Widerstand bietet. Da die Oberfläche der Membran durch ihre feste Einspannung sehr eben ausgebildet ist, werden Unregelmäßigkeiten der photoleitenden Platte und mit diesen verknüpfte Verzerrungen des aus den ab-Elektronenbildverstärkerschirm The advantage of the holder according to the invention is that it is very strong and somewhat resilient resilient and any shocks and forces resulting from evacuation of the tube envelope can offer sufficient resistance while they are passing the electron beam offers no substantial resistance. Because the surface of the membrane by its solid Clamping is very flat, irregularities in the photoconductive plate and associated with these distortions of the image intensifying screen from the ab image
Anmelder:Applicant:
Associated Electrical Industries Limited, LondonAssociated Electrical Industries Limited, London
Vertreter:Representative:
Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,Dr.-Ing. W. Reichel, patent attorney,
Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13Frankfurt / M. 1, Parkstrasse 13th
Als Erfinder benannt:Named as inventor:
Michael Edward Haine, Sulhamstead, Berkshire; Peter Alex Einstein,Michael Edward Haine, Sulhamstead, Berkshire; Peter Alex Einstein,
Tilehurst, Reading BerkshireTilehurst, Reading Berkshire
(Großbritannien)(Great Britain)
Beanspruchte Priorität:Claimed priority:
Großbritannien vom 27. November 1957 (37 012)Great Britain November 27, 1957 (37 012)
gegebenen elektrischen Signalen erzeugten Bildes vermieden. given electrical signals avoided image generated.
Die unbedeckte, vorzugsweise vom Elektronenstrahl geringer Energie beaufschlagte Seite der photoleitenden Platte kann mit einer anisotrop leitenden Schicht bedeckt sein, die z. B. eine geringe Leitfähigkeit in der parallel zur Platte verlaufenden Richtung und eine hohe Leitfähigkeit in der zur Platte senkrechten Richtung aufweisen kann. An der unbedeckten oder mit der anisotrop leitenden Schicht versehenen Seite der photoleitenden Platte können auch mehrere konzentrische Ringe angeordnet sein, die an entsprechenden Potentialquellen angeschlossen sind.The uncovered side of the photoconductive side, preferably exposed to the electron beam of low energy Plate can be covered with an anisotropically conductive layer, e.g. B. low conductivity in the direction parallel to the plate and high conductivity in the direction perpendicular to the plate May have direction. On the uncovered or provided with the anisotropically conductive layer Side of the photoconductive plate can also be arranged several concentric rings that on appropriate potential sources are connected.
Der Ausdruck »lichtelektrisch leitendes Material« wird hier zur Bezeichnung eines Stoffes benutzt, dessen elektrische Leitfähigkeit durch Bestrahlung mit Elektronen erhöht wird.The term "photoelectrically conductive material" is used here to denote a substance, its electrical conductivity is increased by irradiation with electrons.
In den Zeichnungen ist ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes dargestellt.An exemplary embodiment of the subject matter of the invention is shown in the drawings.
F i g. 1 zeigt schematisch die relative Lage der einzelnen Bestandteile des Gerätes, und F i g. 1 shows schematically the relative position of the individual components of the device, and
F i g. 2 ist ein Querschnitt durch den Schirm des Gerätes in größerem Maßstab.F i g. Figure 2 is a larger-scale cross-section through the screen of the device.
Das Gerät enthält einen zusammengesetzten Schirm, der in folgender Weise aufgebaut ist. Eine dünne Trägermembran 2, z. B. aus Kunststoff, ist straff über einen ringförmigen Rahmen 3 gespannt.The device contains a composite screen which is constructed in the following manner. A thin one Support membrane 2, e.g. B. made of plastic, is stretched tightly over an annular frame 3.
Die beiden Oberflächen der Membran 2 sind mit einer sehr dünnen Metallschicht, ζ. Β. aus Aluminium, mit einer Dicke in der Größenordnung von 1000 AThe two surfaces of the membrane 2 are covered with a very thin metal layer, ζ. Β. made of aluminium, with a thickness of the order of 1000 Å
509 687/350509 687/350
3 43 4
bedeckt, die die Oberfläche leitend macht, so daß die erhöhte Leitfähigkeit in den einzelnen Teilen der Membran als leitende Grundelektrode dient. Die Schicht infolge des Äuftreffens der schnellen Elek-Metallschichten 4 und 5 sind in F i g. 1 getrennt ge- tronen des Bildstrahls 12 bedingt ist. Wenn daher der zeichnet. Abtaststrahl auf einen vorher überstrichenen Flächen-covered, which makes the surface conductive, so that the increased conductivity in the individual parts of the Membrane serves as a conductive base electrode. The layer due to the impact of the fast elec-metal layers 4 and 5 are in FIG. 1 separately troned of the image beam 12 is conditional. So if the draws. Scanning beam on a previously swept area
Auf der einen Metallschicht 5 ist eine Schicht aus 5 teil wieder zurückkehrt, liefert er an diesen eine Lalichtelektrisch leitendem Material 1 niedergeschlagen. dung, die ausreicht, um das Oberflächenpotential Sie kann aus amorphem Selen bestehen und in an sich wieder auf das Kathodenpotential zu bringen; dabei bekannter Weise aufgedampft sein. Auf der freien wird auf kapazitivem Wege eine ähnliche Ladung in Oberfläche der Selenschicht 1 kann eine Material- der leitenden Schicht 5 induziert. Diese Ladung fließt schicht aufgebracht sein, die anisotrop leitet. Diese i0 durch den Ausgangswiderstand 10 und erzeugt einen Schicht kann durch Ablagerung eines Kohlenstoff- Spannungsimpuls, der über einen Kondensator 15 als rauches oder metallischen Dampfes, z. B. aus Gold, Ausgangssignal einem Verstärker zugeführt und von gebildet werden. Die Schicht aus diesem Stoff soll dort an einen Kathodenstrahloszillographen abgegeeine niedrige Leitfähigkeit parallel zur Oberfläche ben wird, der synchron zum Raster des Strahls 9 abder Selenschicht und eine hohe Leitfähigkeit in der i5 gelenkt wird. Das Signal wird der Steuerelektrode Richtung senkrecht zur Oberfläche haben. dieser Kathodenröhre zugeführt, so daß ein Bild er-On the one metal layer 5 a layer of 5 is partially returned, it supplies this with a light-electrically conductive material 1 deposited. manure that is sufficient to raise the surface potential. It can consist of amorphous selenium and bring it back to the cathode potential; be vapor-deposited in a known manner. A similar charge is capacitively induced in the surface of the selenium layer 1 on the free surface of the conductive layer 5. This charge flows to be applied to a layer that conducts anisotropically. This i0 through the output resistor 10 and creates a layer can be generated by the deposition of a carbon voltage pulse, which via a capacitor 15 as smoke or metallic vapor, for. B. made of gold, output signal fed to an amplifier and formed by. The layer made of this material is supposed to be given a low conductivity parallel to the surface to a cathode ray oscilloscope, which is directed synchronously to the grid of the beam 9 from the selenium layer and a high conductivity in the i 5 . The signal will have the control electrode direction perpendicular to the surface. fed to this cathode tube so that an image
Die Metallschichten 4 und 5 und die Membran 2 zeUgt wird, welches in seiner Intensitätsverteilung der sind beide so dünn, daß sie für Elektronen hoher Ge- Intensitätsverteilung des Bildes im Elektronenmikroschwindigkeit durchlässig aber für sichtbares Licht skop entspricht, jedoch mit einer wesentlichen erundurchlässig sind. 20 höhten Intensität.The metal layers 4 and 5 and the membrane 2 show which in its intensity distribution are both so thin that they are permeable to electrons of high intensity distribution of the image at electron microspeed but to visible light s k op , but with a substantial impermeability are. 20 higher intensity.
Ein Strahlerzeugungssystem 7 erzeugt einen Elek- Bejm Betrieb des Gerätes hat es sich als günstigA beam generating system 7 generates an electron B e j m operation of the device it has to be favorable
tronenstrahl 8, der auf eine Geschwindigkeit von erwiesen, elektrostatische Abschirmungsringe 13 und einigen 100 V beschleunigt und gegen die Seite der 14 auf der Seite der Selenschicht anzubringen, die Schicht 1 gerichtet wird, die der Membran 2 abgewen- von dem Abtaststrahl mit langsamen Elektronen abdet ist. Der Elektronenstrahl wird über die Schicht in a5 getastet wird. Diese Abschirmungsringe liegen neben Art eines Linienrasters wie beim Fernsehen durch der Selenschicht, sind aber von ihr isoliert. Das Spulen 9 geführt. Potential dieser Ringe hat eine Größenordnung vonElectron beam 8, which has been proven to accelerate electrostatic shielding rings 13 and a few 100 V and to be applied against the side of 14 on the side of the selenium layer, the layer 1 that shields the membrane 2 away from the scanning beam with slow electrons is. The electron beam is scanned across the layer in a5. These shielding rings are next to a grid of lines as in television through the selenium layer, but are isolated from it. The coils 9 out. The potential of these rings is of the order of magnitude
Der Metallfilm 5 ist über einen Widerstand 10 mit +3 bzw +50 y. Der Zweck dieser Ringe besteht
einer elektrischen Spannungsquelle 11 verbunden, die dann^ unerwünschte Einwirkungen, die durch Abeinige
Volt gegenüber der Kathode des Strahlerzeu- 30 fließen von Ladungen der Signalplatte 5 zur Vordergungssystems
7 positiv gehalten ist. Die Metall- seite der Selenschicht entstehen könnten oder die
schicht 4 ist über einen hohen Widerstand 17 geerdet, auch durch streuelektronen verursacht werden
so daß die obere Seite der Membran 2 kein uner- können, während der Abtaststrahl sich in der Nähe
wünscht hohes Potential durch Aufladung von Streu- der größten Ablenkung befindet, zu verhindern,
elektronen des primären Elektronenstrahles annehmen 35 Es WunJ6 experimentell nachgewiesen, daß die
kann. Wirkung einer Bestrahlung der Selenschicht mitThe metal film 5 is via a resistor 10 with +3 or +50 y. The purpose of these rings is connected to an electrical voltage source 11, which then ^ undesirable effects caused by Abeinige volts relative to the cathode of the ß Strahlerzeu- 30 fli e s of charges of the signal plate 5 is kept positive to the front restriction system. 7 The metal side of the selenium layer could arise or the layer 4 is grounded via a high resistance 17, also caused by scattered electrons, so that the upper side of the membrane 2 cannot fail while the scanning beam desires high potential due to charging nearby from scatter is the greatest distraction, to prevent
accept electrons of the primary electron beam 35 Es Wu n J 6 experimentally proven that the can. Effect of irradiation of the selenium layer with
Die Wirkungsweise des Gerätes ist folgende. Die emem Elektronenstrahl hoher Spannung, wie sie in
Selenschicht 1 wird mit den Elektronen niedriger Ge- Elektronenmikroskopen verwendet wird, eine Leitschwindigkeit
des Abtaststrahls 8 laufend bestrahlt, fähigkeit ergibt, bei der für jedes eintretende Elek-
und da die leitende Schicht 5 ein höheres Potential 40 tron honer Geschwindigkeit etwa 1000 bis 5000 Elekals
die Kathode des Strahlerzeugungssystems 7 hat, tronen die Schicht durchsetzen,
wird die freie Oberfläche der Schicht 1 auf ein Poten- Unter diesen Umständen läßt sich ausrechnen, daßThe mode of operation of the device is as follows. The electron EMEM high voltage as it is in the selenium layer 1 is used with the electron lower overall electron microscopes, continuously irradiates a Leitschwindigkeit of the scanning beam 8, ability results in the entering for each electrical and since the conductive layer 5 has a higher potential 40 tron honer speed has about 1000 to 5000 Elekals the cathode of the jet generation system 7, trons penetrate the layer,
the free surface of the layer 1 to a po- Unt will he lets these circumstances calculate that
tial aufgeladen, das gleich dem der Kathode des jeweils hundert Elektronen, die auf einen kleinen Systems 7 oder etwas negativer ist; danach werden Flächenbereich mit etwa 20 Mikron Durchmesser die weiteren auftreffenden Elektronen zum Strahl- 45 auftreffen, eine Leitfähigkeit in der Schicht erzeugen, erzeugungssystem zurückgelenkt. Da aber der die das Potential um etwa 1 bis 10 V vermindert. Widerstand der Selenschicht normalerweise sehr hoch Dies genügt, um ein ausreichendes Signal an der Siist, wird dieser Strom durch die Selenschicht vernach- gnalelektrode zu erzeugen, wenn dieses Flächenstück lässigbar klein sein. von dem Ladestrahl abgetastet wird. Es sollte dahertially charged, which is equal to that of the cathode of each hundred electrons, which on a small system is 7 or something more negative; thereafter area are incident at about 20 microns in diameter, the other incident electrons to the beam 45, produce a conductivity in the layer, redirected generation system. But since the d i e reduces the potential by about 1 to 10 volts. Resistance of the selenium layer is normally very high. This is sufficient to generate a sufficient signal at the Siist, this current through the selenium layer will be negligible if this area is negligibly small. is scanned by the charging beam. It should therefore
Der Strahl 12 der Bildelektronen hoher Geschwin- 50 möglich sein, einen ausreichenden Kontakt für jeden
digkeit des Elektronenmikroskops fällt auf die freie Bildpunkt zu erzeugen, vorausgesetzt, daß er zwi-Oberfläche
der Schicht 4 und wird durch die Mem- schen einer Abtastung und der nächsten von minbran
2 und die Schicht 5 durchgelassen, so daß er die destens hundert Elektronen getroffen wird. Da ande-Selenschicht
1 ohne nennenswerte Schwächung trifft. rerseits jedenfalls mindestens hundert Elektronen pro
Die Elektronen des Bildstrahls durchdringen die 55 Bildpunkt erforderlich sind, um Rauschschwankungen
Selenschicht und machen sie dabei besser leitend. Zu unterdrücken, ergibt das Verstärkungssystem der
Diese Zunahme der Leitfähigkeit an einzelnen Stellen Erfindung auch theoretisch ein brauchbares Bild,
der Schicht hängt von der Intensität des Teiles des Die lichtelektrisch leitende Schicht braucht nichtThe beam 12 of the image electrons of high speed-be 50 possible to obtain a sufficient contact for each speed of the electron is incident on the free pixel to be generated, provided that it LAT surface of the layer 4 and by the membrane sc hen a scan and the next of minbran 2 and the layer 5 let through so that he hit the least hundred electrons. Since ande selenium layer hits 1 without any significant weakening. On the other hand, at least one hundred electrons per The electrons of the image beam penetrate the 55 image points are required to reduce noise fluctuations selenium layer and make them more conductive. Z suppress u, the amplification system of this invention will increase the conductivity at individual points theoretically a useful image,
the layer depends on the intensity of the part of the The photoelectrically conductive layer does not need
Elektronenstrahls ab, der diesen Teil der Schicht aus Selen zu bestehen, sondern es können auch trifft, sowie von der Potentialdifferenz an der Schicht, 6o andere lichtelektrisch leitende Stoffe benutzt werden, so daß diejenigen Teile der Selenschicht den größten Das Gerät ermöglicht es, die Intensität eines Elek-Electron beam from that part of the layer to consist of selenium, but it can also meets, as well as from the potential difference at the layer, 6o other photoelectrically conductive substances are used, so that those parts of the selenium layer have the greatest The device enables the intensity of an elec-
Leitfähigkeitswert haben, die in einem Bild, das auf tronenmikroskopbildes zu verstärken und die Eineinem Leuchtschirm an Stelle der Selenschicht er- zelheiten desselben für den Betrachter besser sichtbar zeugt würde, am hellsten erscheinen würden. zu machen.Conductivity value, which in an image that is to be amplified on electron microscope image and the one Instead of the selenium layer, the luminescent screen makes details more visible to the observer would appear brightest. close.
Die auf den einzelnen Teilen der freien Oberfläche g5 Bei einer anderen Betriebsweise des Gerätes wird der Selenschicht durch den Abtaststrahl 8 aufgebrach- die Schicht 5 auf einem Potential gehalten, das einige ten Ladungen fließen zwischen den einzelnen Ab- 100 V positiv gegenüber der Kathode des Strahltastungen des Rasters so weit ab, wie es durch die erzeugungssystems 7 ist. Die freie Oberfläche derThe free surface of the individual parts g 5 In another operation of the apparatus of the selenium layer is formed by the scanning beam 8, the layer aufgebrach- maintained at a potential 5, some ten charges flow between the exhaust 100 V positive with respect to the cathode of the Beam scans of the grid as far as it is through the generation system 7. The free surface of the
lichtelektrisch leitenden Schicht 1 stabilisiert sich bei dem zweiten Schnittpunkt der Sekundäremissionskurve, d. h. bei einem Potential, bei dem die Oberfläche beim Auftreffen eines Elektrons genau wieder ein Elektron abgibt.photoelectrically conductive layer 1 stabilizes at the second intersection of the secondary emission curve, d. H. at a potential at which the surface is exactly again when an electron hits it gives off an electron.
Die leitende Schicht 4 ist nach F i g. 1 über einen hohen Widerstand 17 geerdet. Sie könnte auch direkt mit der Schicht 5 verbunden sein.The conductive layer 4 is shown in FIG. 1 grounded through a high resistor 17. You could also be direct be connected to layer 5.
An Stelle der isolierenden Kunststoffmembran 2 kann auch eine dünne Metallschicht benutzt werden. In diesem Fall sind die leitenden Schichten 4 und 5 überflüssig, und die Metallschicht 2 kann unmittelbar an die Spannungsquelle 11 über den Widerstand 10 angeschlossen sein und wirkt als Elektrode.Instead of the insulating plastic membrane 2, a thin metal layer can also be used. In this case, the conductive layers 4 and 5 are superfluous and the metal layer 2 can be used directly be connected to the voltage source 11 via the resistor 10 and acts as an electrode.
Claims (2)
Deutsche Patentschriften Nr. 1 013 801, 1030 939; USA.-Patentschriften Nr. 2 544 754, 2 544 755;
Simon und Suhrmann, »Der lichtelektrische Effekt«, 2. Auflage, 1958, S. 677 und 678.Considered publications:
German Patent Nos. 1 013 801, 1030 939; U.S. Patent Nos. 2,544,754, 2,544,755;
Simon and Suhrmann, "The photoelectric effect", 2nd edition, 1958, pp. 677 and 678.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB37012/57A GB887517A (en) | 1957-11-27 | 1957-11-27 | Improvements relating to electron microscopes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1200970B true DE1200970B (en) | 1965-09-16 |
| DE1200970C2 DE1200970C2 (en) | 1966-04-28 |
Family
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US3051860A (en) |
| DE (1) | DE1200970B (en) |
| GB (1) | GB887517A (en) |
| NL (1) | NL233650A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3117893A1 (en) * | 1981-05-06 | 1982-12-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Combined image intensifier/television camera tube |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1327117A (en) * | 1962-03-30 | 1963-05-17 | Csf | New field emission cold cathode triode |
| US3345514A (en) * | 1963-10-19 | 1967-10-03 | Hitachi Ltd | Television camera combined with an electron microscope and having a plurality of cathodoconductive targets |
| US3370168A (en) * | 1964-01-14 | 1968-02-20 | Hitachi Ltd | Anode aperture plate for a television camera tube in an electron microscope comprising a stainless steel foil |
| US3455683A (en) * | 1964-08-05 | 1969-07-15 | Bausch & Lomb | Method of making reticle using a three-layer photoelectric element |
| US3360671A (en) * | 1965-04-26 | 1967-12-26 | Gen Electrodynamics Corp | Vidicon with connected conductive coatings on both sides of faceplate |
| US3373353A (en) * | 1965-09-30 | 1968-03-12 | Navy Usa | Electron beam scanning system for quality control of materials |
| FR1491300A (en) * | 1966-05-05 | 1967-08-11 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements to secondary emission conduction targets and electron tubes incorporating them |
| FR1494817A (en) * | 1966-06-24 | 1967-09-15 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements to targets with internal conduction by secondary emission and to electron tubes equipped with such targets |
| DE1564658B2 (en) * | 1966-07-13 | 1971-04-29 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | METHOD OF FOCUSING THE OBJECTIVE LENS OF A BODY OF CULAR BEAM MICROSCOPE, IN PARTICULAR AN ELECTRON MICROSCOPE |
| US3448377A (en) * | 1967-10-12 | 1969-06-03 | Atomic Energy Commission | Method utilizing an electron beam for nondestructively measuring the dielectric properties of a sample |
| GB1286454A (en) * | 1968-08-24 | 1972-08-23 | Cambridge Scientific Instr Ltd | Surface potential analysis by electron beams |
| JPH0945271A (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-14 | Hitachi Ltd | Electron microscope equipped with image pick-up device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2544755A (en) * | 1948-01-29 | 1951-03-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electron camera tube |
| US2544754A (en) * | 1947-12-04 | 1951-03-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electron camera tube |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB677983A (en) * | 1947-04-22 | 1952-08-27 | Electrical & Musical Ind Ltd | Improvements relating to cathode ray tube apparatus |
| GB665877A (en) * | 1948-02-03 | 1952-01-30 | Emi Ltd | Improvements in or relating to circuit arrangements embodying cathode ray tubes |
| US2804561A (en) * | 1948-03-09 | 1957-08-27 | Sheldon Edward Emanuel | X-ray camera |
| US2654853A (en) * | 1949-02-28 | 1953-10-06 | Rca Corp | Photoelectric apparatus |
| US2878416A (en) * | 1953-08-10 | 1959-03-17 | Pye Ltd | Television camera tubes |
-
0
- NL NL233650D patent/NL233650A/xx unknown
-
1957
- 1957-11-27 GB GB37012/57A patent/GB887517A/en not_active Expired
-
1958
- 1958-11-24 US US776012A patent/US3051860A/en not_active Expired - Lifetime
- 1958-11-26 DE DEM39739A patent/DE1200970B/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2544754A (en) * | 1947-12-04 | 1951-03-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electron camera tube |
| US2544755A (en) * | 1948-01-29 | 1951-03-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electron camera tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3117893A1 (en) * | 1981-05-06 | 1982-12-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Combined image intensifier/television camera tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1200970C2 (en) | 1966-04-28 |
| US3051860A (en) | 1962-08-28 |
| GB887517A (en) | 1962-01-17 |
| NL233650A (en) |
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