WO2001080322A2 - Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung Download PDF

Info

Publication number
WO2001080322A2
WO2001080322A2 PCT/DE2001/001513 DE0101513W WO0180322A2 WO 2001080322 A2 WO2001080322 A2 WO 2001080322A2 DE 0101513 W DE0101513 W DE 0101513W WO 0180322 A2 WO0180322 A2 WO 0180322A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
emitting
diode chip
layer
radiation
Prior art date
Application number
PCT/DE2001/001513
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2001080322A3 (de
Inventor
Georg Bogner
Siegmar Kugler
Gerald Neumann
Ernst Nirschl
Raimund Oberschmid
Karl-Heinz Schlereth
Olaf Schoenfeld
Norbert Stath
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US10/258,154 priority Critical patent/US7026657B2/en
Priority to JP2001577616A priority patent/JP2004501507A/ja
Priority to EP01942963.8A priority patent/EP1275159B1/de
Publication of WO2001080322A2 publication Critical patent/WO2001080322A2/de
Publication of WO2001080322A3 publication Critical patent/WO2001080322A3/de
Priority to US11/311,809 priority patent/US7306960B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Definitions

  • Semiconductor materials for luminescence diode chips sometimes have a refractive index of well over 3.
  • the medium adjacent to the chip in conventional luminescent diode components, usually this is air or plastic, has a significantly lower refractive index.
  • the associated large jump in the refractive index at the interface between the luminescence diode chip and the adjacent medium leads to a relatively small critical angle of the total reflection, so that a large part of the electromagnetic radiation generated in an active region of the chip is reflected back into the chip from this interface.
  • the highly transparent casting compounds have undesirable chemical and mechanical properties, which also limits the technical application of the compounds.
  • the emission of the light can be particularly easily restricted to a smaller area according to the invention.
  • the light-emitting area consists of a plurality of partial lighting areas arranged at regular intervals from one another
  • the emission light is coupled into the lens body 41 at the light exit surface 8 and the exit light bundle is designed in accordance with the lens shape.
  • Fresnel lens 42 is used here as the optical device for changing the exit light bundle, which, by means of the method according to the invention, using rapidly rotating milling tools or suitable etching techniques over the light-emitting area 32 on the light exit surface of the window layer 2 is trained.

Abstract

Di Erfindung betrifft einen Lumineszenzdiodenchip (1) mit einem strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32), und einer Fensterschicht (2), wobei zur Steigerung der Strahlungsausbeute die Querschnittsfläche des strahlungsemittierenden aktiven Bereich (32) kleiner als die zur Lichtauskopplung zur Verfügung stehende Querschittsfläche der Fensterschicht (2) ist. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur auf der Oberfläche eines lichtemittierenden Bauelements.

Description

Beschreibung
Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung
Die Erfindung bezieht sich auf einen Lumineszenzdiodenchip nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Herstellungsverfahren hierfür.
Halbleitermaterialien für Lumineszenzdiodenchips weisen zum Teil einen Brechungsindex von deutlich über 3 auf. Das bei herkömmlichen Lumineszenzdiodenbauelementen an den Chip angrenzende Medium, für gewöhnlich ist dies Luft oder Kunststoff, weist einen deutlich niedrigeren Brechungsindex auf. Der damit verbundene große Brechungsindexsprung an der Grenz- fläche zwischen Lumineszenzdiodenchip und angrenzendem Medium führt zu einem verhältnismäßig kleinen Grenzwinkel der Totalreflexion, so dass ein Großteil der in einem aktiven Bereich des Chips erzeugten elektromagnetischen Strahlung von dieser Grenzfläche in den Chip zurückreflektiert wird.
Aus diesem Grund wird nur ein sehr geringer Anteil der in der aktiven Zone erzeugten Strahlung direkt aus dem Chip ausgekoppelt. Bei herkömmlichen Lumineszenzdiodenchips errechnet sich je ebene Auskoppelflache ein Auskoppelanteil von nur wenigen Prozent.
In der US 5,233,204 ist zur Verbesserung der Lichtauskopplung aus Leuchtdiodenchips eine dicke transparente Schicht vorgeschlagen, die zusätzlich zu den lichterzeugenden Schichten epitaktisch aufgebracht wird und die den Lichtauskoppelanteil durch die Vorderseite des Chips erhöhen soll.
Weiterhin bekannt ist die Verwendung von hochbrechenden transparenten Vergussmassen, die jedoch unter anderem aus Kostengründen zu keiner verbreiteten Anwendung gefunden hat.
Darüber hinaus weisen die besten bisher zur Verfügung stehenden Vergussmassen einen Brechungsindex von höchstens n=l,6 auf, was noch einen zu hohen Sprung an der Auskoppelfläche des lichtemittierenden Halbleiterbauelements und damit hohe Reflexionsverluste zur Folge hat . Weiterhin haben die hochtransparenten Vergussmassen unerwünschte chemische und mecha- nische Eigenschaften, was die technische Massenanwendung ebenfalls einschränkt.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Lumineszenzdiodenchip zur Verfügung zu stellen, bei dem das Verhältnis von erzeugter zu ausgekoppelter Strahlung gegenüber herkömmlichen Chips verbessert ist und der in herkömmliche LED-Gehäusebauformen montierbar ist. Gleichzeitig soll ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben werden, das gegenüber herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von Lumineszenzdiodenchips nur einen geringen technischen Mehraufwand erfordert.
Diese Aufgabe wird durch einen Lumineszenzdiodenchip mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 22 gelöst .
Vorteilhafte Weiterbildungen des Lumineszenzdiodenchips und des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 21 bzw. 23 bis 25.
Mit der Erfindung wird die Strahlungsausbeute bei einem
Lumineszenzdiodenchip durch Einengung des lichtemittierenden Bereichs auf eine Fläche, die kleiner ist als die Querschnittsflache des Lumineszenzdiodenchips, erhöht. Gegenüber der üblichen Ausbildung der lichtemittierenden Fläche über den gesamten Querschnitt des Lumineszenzdiodenchips ist sogar
Erhöhung der Auskopplung um mehr als 30% möglich.
Erfindungsgemäß ist ein Lumineszenzdiodenchip mit einem Strahlungsemittierenden aktiven Bereich mit einer lateralen Querschnittsflache FL und einer dem Strahlungsemittierenden aktiven Bereich in Abstrahlungsrichtung nachgeordneten strahlungsdurchlässigen Fensterschicht mit einem Brechungsindex ns, die zur Lichtauskopplung eine laterale Querschnitts- fläche Fc aufweist und die eine Auskoppelfläche besitzt, an die ein Medium mit dem Brechungsindex nM angrenzt, vorgesehen, wobei die Querschnittsflache FL des strahlungsemittie- renden aktiven Bereichs kleiner als die Querschnittfläche Fc der Auskoppelfläche ist, so dass die Relation
Figure imgf000005_0001
erfüllt ist. Die Querschnittsflache Fc bezieht sich dabei auf die zur Lichtauskopplung zur Verfügung stehenden oder zur Lichtauskopplung vorgesehenen Bereiche der Fensterschicht . Unter einer Fensterschicht ist hierbei sowohl eine einzelne Schicht als auch eine mehrschichtige Struktur zu verstehen, die insgesamt die Funktion einer Fensterschicht erfüllt.
Nach einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Lichtemissionsbegrenzungseinrichtung dergestalt ausgebildet ist, dass der Stromfluss innerhalb des Leuchtdiodenchips, insbesondere in und/oder durch die aktive Schicht, auf den lichtemittierenden Bereich begrenzt ist.
Hierdurch kann besonders einfach die Emission des Lichts erfindungsgemäß auf einen kleineren Bereich beschränkt werden.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die für Dicke H der Fensterschicht gilt:
Figure imgf000005_0002
wobei C die laterale Querschnittslänge der Fensterschicht bzw. der Lichtaustrittsfläche, ns den Brechungsindex des Materials der aktiven Schicht oder der Fensterschicht und nM den Brechungsindex des an die Fensterschicht angrenzenden Materials ist. Der hierbei erzielte Vorteil liegt in einer weiteren Steigerung der ausgekoppelten Lichtmenge. Unter einer lateralen Querschnittslänge ist hier und im folgenden die charakteristische Ausdehnung der entsprechenden Querschnittfläche zu verstehen. Bei einer quadratischen Fläche beispielsweise ist dies die Seitenlänge, bei einer kreisförmigen Fläche der Durchmesser. Bei einer anderen Flächenform kann als laterale Querschnittslänge ein Wert herangezogen werden, der zwischen dem maximalen und dem minimalen durch den Flächenschwerpunkt verlaufenden Durchmesser liegt.
Vorzugsweise gilt für die Dicke H der an die aktive Schicht angrenzenden Fensterschicht :
Figure imgf000006_0001
wobei C die laterale Querschnittslänge der Fensterschicht, D die laterale Querschnittslänge des lichtemittierenden Bereiches der aktiven Schicht, ns der Brechungsindex der zu durchstrahlenden Fensterschicht und nM der Brechungsindex des an die Fensterschicht angrenzenden Materials ist. Bis zu dieser Höhe wird eine Totalreflexion an den Seitenflächen der Fen- sterschicht weitgehend vermieden, so dass eine Auskopplung der erzeugten Strahlung durch die Seitenflächen möglich ist.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht der lichtemittierende Bereich aus mehreren, in regel- mäßigem Abstand zueinander angeordneten Teilleuchtbereichen
(33 bis 35) der aktiven Schicht (3) , wobei für die Gesamtfläche FL der Teilleuchtbereiche gilt:
Figure imgf000006_0002
wobei Fc die Querschnittsflache bzw. die Grundfläche der Fen- sterschicht und somit die Lichtaustrittsfläche, FLi die Flächen der einzelnen Teilleuchtbereiche, ns der Brechungsindex der aktiven Schicht oder der Fensterschicht und nM der Bre- chungsindex des an die Fensterschicht angrenzenden Materials ist. Hierdurch wird in ebenso vorteilhafter Weise wie bei einem zentralen lichtemittierenden Bereich der aktiven Schicht die Lichtauskopplung aus dem Leuchtdiodenchip optimiert. Dem folgend gilt vorteilhafterweise für die Dicke H der Fensterschicht :
H = p • A
wobei A der regelmäßige Abstand der einzelnen Teilleuchtbereiche und p ein zwischen 0,5 und 5 wählbarer Faktor ist.
Mit Vorteil ist eine das aus dem Leuchtdiodenchip austretende Licht bündelnde optische Einrichtung vorgesehen, die auf der Oberfläche der Fensterschicht ausgebildet ist. Hierdurch kann die Form des austretenden Lichtbündels bestimmt und die Aus- kopplung durch geeignete Material- und Formwahl weiter gesteigert werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die optische Einrichtung durch eine oder mehrere, vorzugs- weise sphärische, Linse (n) ausgebildet ist, deren Mittelpunkt über dem Schwerpunkt des lichtemittierenden Bereichs oder über jeweils dem Schwerpunkt der einzelnen Teilleuchtbereiche liegt .
Eine ebenso bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die optische Einrichtung durch eine oder mehrere Fresnel'sche Linse (n) ausgebildet ist, deren Mittelpunkt über dem Schwerpunkt des lichtemittierenden Bereichs oder über jeweils dem Schwerpunkt der einzelnen Teilleuchtbereiche liegt.
Vorzugsweise ist die optische Einrichtung auf der Oberfläche der Fensterschicht aufgesetzt oder aufgeformt oder aus der Fensterschicht selbst ausgebildet oder ausgeformt.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist die Lichtemissi- onsbegrenzungseinrichtung durch eine Begrenzung der aktiven Schicht gebildet, wobei die Leuchtfähigkeit der aktiven Schicht auf den lichtemittierenden Bereich beschränkt ist.
Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist, dass die Lichtemissionsbegrenzungseinrichtung durch eine auf oder an der aktiven Schicht ausgebildete Isolierungsschicht aus einem für das Emissionslicht der aktiven Schicht wenigstens teilweise undurchsichtigem und/oder begrenzt durchscheinendem Material gebildet ist. Hierdurch kann die aktive Schicht, wie bisher üblich, als eine durchgehende Schicht im noch viele einzelne lichtemittierende Halbleiterbauelemente enthaltenden Wafer verlaufen.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Lichtemissionsbegrenzungseinrichtung durch eine auf oder an der aktiven Schicht und zwischen der aktiven Schicht und einer Stromzuführung ausgebildeten Isolierungsschicht gebildet ist, die die Stromzuführung bzw. den Strom- fluss zur bzw. durch die aktive Schicht in Bereichen außer- halb des lichtemittierenden Bereichs minimiert. Auch hierbei kann die aktive Schicht als eine durchgehende Schicht im noch viele einzelne lichtemittierende Halbleiterbauelemente enthaltenden Wafer verlaufen.
Zweckmäßig besteht die Isolierungsschicht aus einer nichtleitenden Oxidschicht, die an der der Lichtaustrittsfläche gegenüberliegen Seite der Fensterschicht aufgebracht ist. Hierdurch kann die Maskierung der Stromzuführung in besonders einfacher und billiger Weise realisiert werden. Mit Vorteil wird die Oxidschicht durch eine Oxidierung des bereits vorhandenen Materials hergestellt.
Ebenso zweckmäßig ist die Lichtemissionsbegrenzungseinrich- tung durch die Formgestaltung der Stromzuführung dergestalt gebildet, dass die Stromzuführung nur in Kontakt -Bereichen in elektrisch leitenden Kontakt mit der aktiven Schicht steht. Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine zweite Stromzuführung durch einen auf der Lichtaustrittsfläche oder auf der optischen diese nicht vollständig bedeckenden elektrischen Kontakt ausgebildet. Auf dieser kann in üb- licher Weise ein Bonddraht zur Kontaktierung befestigt sein.
Ebenso vorteilhaft ist eine zweite Stromzuführung durch einen mit der Fensterschicht zwischen der aktiven Schicht und der Lichtaustrittsfläche verbundenen elektrischen Kontakt ausge- bildet.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist eine zweite Stromzuführung durch einen der aktiven Schicht verbundenen elektrischen Kontakt ausgebildet.
Vorteilhaft sind die Stromzuführungen und/oder die Isolierungsschicht für das emittiere Licht reflektierend. Hierdurch ist die Lichtausbeute weiter durch Vermeidung von Verlusten erhöht .
Mit Vorteil ist eine Reflektionseinrichtung für das emittierte Licht auf der der Lichtaustrittsfläche abgewandten Seite der aktiven Schicht in oder auf der Fensterschicht oder der aktiven Schicht ausgebildet. Hierdurch ist wiederum die Lichtausbeute weiter durch Vermeidung von Verlusten erhöht. Dem folgend ist die Reflektionseinrichtung ein Bragg-Gitter .
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist die Fensterschicht und/oder die optische Einrichtung wenigstens teil- weise mit einer für das Emissionslicht durchlässigen Umhüllung versehen. Hierdurch wird das lichtemittierende Halbleiterbauelement vor Umwelteinflüssen geschützt. Eine vielen Anwendungen entsprechende äußere Formgebung ist somit ermöglicht.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur auf der Oberfläche eines Leuchtiodenchips sieht vor, dass auf einer für den Lichtaus- bzw. -durchtritt vorgesehen Außenfläche des lichtemittierenden Bauelements die Linsenstruktur vermittels eines Fräswerkzeuges oder eines Ätzverfahrens aus dem lichtemittierenden Bauelement und in die Außenfläche hinein geformt wird.
Ein weiterer bevorzugter Verfahrensschritt sieht vor, dass als Linsenstruktur eine sphärische Linse oder eine Fres- nel'sche Linse hergestellt wird.
Ein besonders vorteilhafter Verfahrensschritt sieht vor, vermittels einer geeignet geformten Vorrichtung zur Vereinzelung der noch im Waferverband befindlichen lichtemittierenden Bauelemente bei der Trennung derselben die Linsenstruktur gleichzeitig mit der Vereinzelung herzustellen.
Weitere Vorteile, .Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung weiter erläutert. Im Einzelnen zeigen die schematischen Darstellungen in:
Figur 1 eine schematische Querschnitts-Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterdiode mit einem lichtemittierenden Bereich der aktiven Schicht;
Figur la eine schematische Querschnitts-Darstellung des Aus- führungsbeispieles aus Figur 1 in Blickrichtung X;
Figur 2 eine schematische Querschnitts-Darstellung eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiter- diode mit einer Fresnel -Linsenstruktur; Figur 3 eine schematische Querschnitts-Darstellung eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterdiode mit einer Fresnel -Linsenstruktur;
Figur 4 eine schematische Querschnitts-Darstellung eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterdiode mit mehreren emittierenden Teilleuchtberei- chen und einer Mehrfachlinsenstruktur ; und
Figur 5 eine schematische Querschnitts-Darstellung durch einen Wafer mit schon vereinzelten und noch zu vereinzelnden lichtemittierenden Halbleiterbauelemen- ten und ein hierzu verwendetes Sägeblatt.
In den folgenden Figuren 1 bis 5 bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche oder gleich wirkende Elemente.
In Figur 1 ist ein erfindungsgemäßer Leuchtdiodenchip 1 im
Querschnitt dargestellt. Das Halbleiterbauelement setzt sich hierbei aus einer für das Emissionslicht strahlungsdurchlässigen Fensterschicht 2, einer das Licht emittierenden aktiven Schicht 3, einer optischen Einrichtung zur Formung des Aus- trittslichtbundels in Form einer Linse 41, einer Isolierungsschicht 5 als Lichtemissionsbegrenzungseinrichtung und einer ersten Stromzuführung 71 und einer zweiten Stromzuführung 6 zusammen. Die Fensterschicht 2 dient dabei zugleich als Substrat des Leuchdiodenchips 1.
Der lichtemittierende Bereich 32 der aktiven Schicht 3 ist durch die Maskierung der Isolierungsschicht 5 in seiner Form und Größe beschränkt und bestimmt . Durch die Form der elektrischen Isolierung wird der Kontakt der flächig an der der Lichtaustrittsfläche 8 gegenüberliegenden Unterseite des lichtemittierenden Halbleiterbauelements 1 ausgebildeten Stromzuführung 6 an den Stellen mit dem Chip bzw. mit der ak- tiven Schicht ermöglicht, oberhalb derer der lichtemittierende Bereich 32 liegt. Im Beispiel kommt als Material der Isolierungsschicht eine Oxidschicht zum Einsatz. Die Stromzuführung 6 kann hierbei durch flächig über der Isolierungs- schicht 5 aufgebrachtes Metall ausgebildet sein. Durch die nicht zur Emission vorgesehenen Bereiche 31 der aktiven Schicht 3 fließt somit kein Strom, wodurch keine Lichtemission in diesen Bereichen stattfindet. Die zweite Stromeinspeisung erfolgt durch die auf der elektrisch leitenden Linse 41 in Form eines elektrischen Kontakts („Pad") ausgebildete erste Stromzuführung 71, auf der ein Bond-Draht in üblicher Weise befestigt werden kann.
Das Emissionslicht aus dem lichtemittierenden Bereich 32 der aktiven Schicht 3, dessen Gesamtfläche FL die bereits genannte Bedingung
F < i nΥ I ■ F
erfüllt, durchstrahlt die Fensterschicht 2 mit dem Brechungsindex ns und der Dicke H, wobei gilt:
Figure imgf000012_0001
Nachfolgend wird das Emissionlicht an der Lichtaustrittsfläche 8 in den Linsenkörper 41 eingekoppelt und das Austritts- lichtbündel entsprechend der Linsenformung gestaltet.
Für die Dicke der Fensterschicht ergibt sich beispielsweise für ein Chip mit der Seitenlänge C=300μm mit ns/nM=3,5 im Optimalfall D=100μm und H=30μm. Beziehungsweise nach Bedingung
Figure imgf000012_0002
H=500μm, was den maximal erlaubten Wert darstellt Hierbei ist vorteilhafterweise der Brechungsindex der Fensterschicht 2 und des Materials des Linsenkörpers 41 möglichst ähnlich, um die erwähnten Reflektionsverluste zu vermeiden. Am besten wird die optische Einrichtung aus der Fen- sterschicht 2 selbst hergestellt.
In Figur la ist das lichtemittierende Halbleiterbauelement 1 aus Figur 1 in Blickrichtung X dargestellt. Die aktive Schicht 3 nimmt hierbei die gesamte Querschnittsflache Fc (im Rechenbeispiel von oben 90.000 μm2) des Halbleiterbauelements ein. Der lichtemittierende Bereich 32 weist die Gesamtfläche F (im Rechenbeispiel von oben 10.000 μm2) auf.
In Figur 2 ist der Querschnitt eines auf einer Platine 10 verlöteten erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterbauelements 1 dargestellt, wobei hier die Stromzuführungen 6 und 72 beide auf der Unterseite des Halbleiterbauelements 1 angebracht sind. Hierdurch ist eine einfachere Verlötung des lichtemittierenden Bauelements 1 mit auf einer Platine 10 ausgebildeten Lötflächen 101 und 102 vermittels eines Lots 9 möglich. Hierdurch sind Lichtquellen in sog. SMD-Bauweise ermöglicht, wobei das lichtemittierende Halbleiterbauelement 1 kaum größer als das Chip selbst ist. Wiederum ist die aktive Schicht 3 flächig ausgebildet und der lichtemittierende Bereich 32 durch eine Isolierungsschicht 5 als Lichtemissi- onsbegrenzungseinrichtung bestimmt. Anstelle wie in Figur 1 einer Linse 41 findet hier als optische Einrichtung zur Veränderung des Austrittslichtbündels eine sogenannte Fresnel- Linse 42 Anwendung, die vermittels des erfindungsgemäßen Ver- fahrens durch schnell rotierende Fräswerkzeuge oder geeignete Ätztechniken über dem lichtemittierenden Bereich 32 auf der Lichtsaustrittsoberfläche der Fensterschicht 2 ausgebildet wird.
In Figur 3 ist ein weiterer im Querschnitt dargestellter - verlöteter Leuchtdiodenchip 1 dargestellt, wobei vermittels einer Stromzuführung 73 die Stromeinspeisung innerhalb der aktiven Schicht 3 erfolgt. Als optische Einrichtung kommt hier eine nachträglich aufgeprägte Fresnel -Linse 43 zum Einsatz .
Figur 4 zeigt eine weitere Querschnittsdarstellung durch einen Leuchtdiodenchip 1, wobei mehrere lichtemittierende Bereiche 33 bis 35 vorgesehen sind, deren Gesamtfläche der einzelnen Flächen FLi die Gesamtfläche F des lichtemittierenden Bereichs darstellten, die wiederum die o.g. Bedingung zum Verhältnis der FL zur Grundfläche Fc des Chips, und damit der Fläche der Lichtaustrittsfläche, erfüllt.
Die Höhe H der zu durchstrahlenden Fensterschicht 2 ist hierbei als das 0,5- bis 5-fache des Abstandes A der einzelnen Teilleuchtbereiche 33 bis 35 zu wählen. Im dargestellten Beispiel sind als optische Einrichtung zur Veränderung der Lichtbündelcharakteristik mehrere sphärische Linsen 44 vorgesehen, deren Mittelpunkt jeweils über dem Schwerpunkt eines Teilleuchtbereichs 33 bis 35 befindlich ist. Hier sind an- stelle der Linsen 44 ebenso mehrere Fresnel 'sehe Linsen möglich.
Die Fensterschicht 2 kann vorteilhafterweise auch eine gewachsene Epitaxieschicht aus einem für das emittierte Licht durchsichtigem Material sein. Einzelne Epitaxieschichten oder auch das Epitaxie-Ausgangsmaterial, oft auch als das „Substrat" im engeren Sinne der Epitaxie-Verfahrenstechnik bezeichnet, können ganz oder teilweise in bekannten Verfahren entfernt, z.B. abgeätzt werden. Ebenso ist es verfahrenstech- nisch möglich verschiedene Materialschichten mechanisch und vor allem optisch „lückenlos" miteinander zu verbinden, beispielsweise durch anodisches Bonden oder durch Aufeinanderpressen sehr ebener Oberflächen.
Die hier vorgestellten Strukturen können also auf sehr verschiedene Weise hergestellt sein. In Figur 5 ist schließlich eine schematische Querschnittsdarstellung durch einen Wafer 501 mit schon vereinzelten 502 bis 504 und noch zu vereinzelnden 505 bis 507 - Leuchtdiodenchips gezeigt. Die optischen Linsen 41 werden durch das entsprechend geformte um die Achse 511 rotierende Sägeblatt 510 gleichzeitig mit der Vereinzelung in die Oberfläche 508 des Wafers 501 hinein hergestellt.
Das Sägeblatt 510 weist in seinem Querschnitt einen dünneren, spitz zulaufenden Teil 512 und einen der herzustellenden Form der Linse (negativ) entsprechenden, sich verbreiternden Teil 513 auf. Das Sägeblatt kann auch so ausgestaltet sein, dass der spitz zulaufende Teil 512 kürzer ist, so dass in die Oberfläche eines Leuchtdiodenchips eine Mehrfachlinsen- Struktur eingebracht werden kann.

Claims

Patentansprüche
1. Lumineszenzdiodenchip (1) mit einem Strahlungsemittierenden aktiven Bereich (32) mit einer lateralen Querschnittsflä- ehe F und einer dem strahlungsemittierenden aktiven Bereich (32) in Abstrahlungsrichtung nachgeordneten strahlungsdurchlässigen Fensterschicht (2) mit einem Brechungsindex ns, die zur Lichtauskopplung eine laterale Querschnittsflache Fc aufweist und die eine Auskoppelflache besitzt, an die ein Medium mit dem Brechungsindex nM angrenzt, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Querschnittsflache FL des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32) kleiner als die Querschnittfläche Fc der Auskoppelflache ist, wobei gilt:
n„
FL ≤ nc
2. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der strahlungsemittierdende aktive Bereich (32) , mittels Begrenzung des Stromflusses auf die Fläche FL des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32) definiert ist.
3. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 und 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass für die Dicke H der Fensterschicht (2) gilt:
Figure imgf000016_0001
wobei C die laterale Querschnittslänge der Fensterschicht (2) und somit der Lichtaustrittsfläche ist.
4. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass für die Dicke H der Fensterschicht (2) gilt:
Figure imgf000017_0001
wobei D die laterale Querschnittslänge des strahlungsemittierenden aktiven Bereiches (32) ist.
5. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Strahlungsemittierende aktive Bereich aus mehreren, in regelmäßigem Abstand zueinander angeordneten aktiven Teilbereichen (33 bis 35) besteht, wobei für die Gesamtfläche FL der Teilbereiche gilt:
Figure imgf000017_0002
wobei F ι die Flächen der einzelnen Teilbereiche bezeichnet.
6. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass für die Dicke H der Fensterschicht (2) gilt:
H = p • A
wobei A der regelmäßige Abstand der einzelnen Teilbereiche und p ein zwischen 0,5 und 5 wählbarer Faktor ist.
7. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass auf der Fensterschicht (2) eine optische Einrichtung (41, 42, 43, 44) zur Bündelung der elektromagnetischen Strah- lung vorgesehen ist.
8. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die optische Einrichtung durch eine Linse (41) , deren Mittelpunkt über dem Schwerpunkt des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32) liegt, oder durch mehrere Linsen (44), deren Mittelpunkte über dem Schwerpunkt eines jeweils zugeordneten aktiven Teilleuchtbereichs (33 bis 35) liegen, ausgebildet ist.
9. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Linsen (41,44) zumindest teilweise als Fresnel'sche
Linsen (42, 43) oder als sphärische Linsen ausgebildet sind.
10. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fläche F bzw. Flächen FLι des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32, 33 bis 35) durch Beschränkung der Leuchtfähigkeit einer aktiven Schicht (3) auf die Fläche FL bzw. Flächen FLι des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32, 33 bis 35) definiert ist.
11. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fläche FL bzw. Flächen FLi des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32, 33 bis 35) durch eine auf oder an einer aktiven Schicht (3) ausgebildete Isolierungsschicht definiert ist, die aus einem für das Emissionslicht der akti- ven Schicht wenigstens teilweise undurchsichtigem und/oder begrenzt durchscheinendem Material gebildet ist.
12. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fläche F bzw. Flächen FLi des strahlungsemittierenden aktiven Bereichs (32, 33 bis 35) durch eine auf oder an einer aktiven Schicht (3) und zwischen der aktiven Schicht (3) und einer Stromzuführung (6) ausgebildeten Isolierungsschicht (5) definiert ist, die die Stromzuführung bzw. den Stromfluss zur bzw. durch die aktive Schicht (3) in Bereichen (31) außerhalb des lichtemittierenden Bereichs (32, 33 bis 35) minimiert.
13. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Isolierungsschicht (5) aus einer nichtleitenden Oxidschicht besteht, die an der der Lichtaustrittsfläche (8) des Chips gegenüberliegen Seite aufgebracht ist.
14. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass eine zweite Stromzuführung (71) durch einen auf der
Lichtaustrittsfläche (8) oder auf der optischen Einrichtung (41, 42, 43, 44) diese nicht vollständig bedeckenden elektrischen Kontakt ausgebildet ist.
15. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass eine zweite Stromzuführung (72) durch einen mit der Fensterschicht (2) verbundenen und auf der der Lichtaustritts- fläche (8) abgewandten Seite der Fensterschicht (2) angeordneten elektrischen Kontakt ausgebildet ist.
16. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass eine zweite Stromzuführung (73) durch einen der aktiven Schicht verbundenen elektrischen Kontakt ausgebildet ist.
17. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden An- sprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Stromzuführungen (6, 71, 72, 73, 74) und/oder die
Isolierungsschicht (5) für das emittiere Licht reflektierend sind.
18. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass eine Reflektionseinrichtung für das emittierte Licht auf der der Lichtaustrittsfläche (8) abgewandten Seite der aktiven Schicht (3) in oder auf der Fensterschicht (2) oder der aktiven Schicht (3) ausgebildet ist.
19. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Reflektionseinrichtung ein Bragg-Gitter ist.
20. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fensterschicht (2) und/oder die optische Einrichtung (41, 42, 43, 44) wenigstens teilweise mit einer für das Emissionslicht durchlässigen Umhüllung versehen ist.
21. Lumineszenzdiodenchip nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass es eine lichtemittierende Diode (LED) ist.
22. Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur auf der Oberfläche eines lichtemittierenden Bauelements insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 24, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass auf einer für den Lichtaus- bzw. -durchtritt vorgesehen Außenfläche (8) des lichtemittierenden Bauelements (1) die Linsenstruktur (42, 43) vermittels eines Fräs- oder Sägewerk- zeuges oder eines Ätzverfahrens aus dem lichtemittierenden Bauelement (1) und in die Außenfläche (8) hinein geformt wird.
23. Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur nach An- spruch 22, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass als Linsenstruktur eine sphärische Linse (41) oder eine Fresnel'sche Linse (42, 43) hergestellt wird.
24. Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur nach An- spruch 22 oder 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Linsenstruktur vermittels einem durch ein Säge- (510) oder Fräswerkzeug zur und bei der Vereinzelung der noch im Waferverband befindlichen einzelnen lichtemittierenden Bauelemente hergestellt wird.
25. Verfahren zur Herstellung einer Linsenstruktur nach Anspruch 24, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das Säge- (510) oder Fräswerkzeug ein schmales Teil
(512) zur Trennung der einzelnen Halbleiterbauelemente (502 bis 507) vom Waferverband (501) und ein der herzustellenden Form der Linse (41) entsprechend geformtes Teil (513) zur Herstellung der Linse (41) aufweist.
PCT/DE2001/001513 2000-04-19 2001-04-19 Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung WO2001080322A2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/258,154 US7026657B2 (en) 2000-04-19 2001-04-19 High radiance led chip and a method for producing same
JP2001577616A JP2004501507A (ja) 2000-04-19 2001-04-19 発光ダイオードチップおよびその製造方法
EP01942963.8A EP1275159B1 (de) 2000-04-19 2001-04-19 Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung
US11/311,809 US7306960B2 (en) 2000-04-19 2005-12-19 High radiance LED chip and a method for producing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10019665A DE10019665A1 (de) 2000-04-19 2000-04-19 Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10019665.9 2000-04-19

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10258154 A-371-Of-International 2001-04-19
US11/311,809 Division US7306960B2 (en) 2000-04-19 2005-12-19 High radiance LED chip and a method for producing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2001080322A2 true WO2001080322A2 (de) 2001-10-25
WO2001080322A3 WO2001080322A3 (de) 2002-03-28

Family

ID=7639497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2001/001513 WO2001080322A2 (de) 2000-04-19 2001-04-19 Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7026657B2 (de)
EP (1) EP1275159B1 (de)
JP (2) JP2004501507A (de)
CN (1) CN1286190C (de)
DE (1) DE10019665A1 (de)
TW (1) TW490865B (de)
WO (1) WO2001080322A2 (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1191608A2 (de) * 2000-09-12 2002-03-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Lichtemittierende Dioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
WO2002089217A2 (de) * 2001-04-27 2002-11-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die optoelektronik
EP1263058A2 (de) * 2001-05-29 2002-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
EP1267420A2 (de) * 2001-06-12 2002-12-18 LumiLeds Lighting U.S., LLC Leuchtdioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
WO2003083943A2 (de) * 2002-04-02 2003-10-09 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Homogen paralleles licht emittierende leuchtdiode
EP1387413A2 (de) * 2002-07-29 2004-02-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Leuchtdiode mit verbesserter Lichtauskoppelung
WO2004015784A2 (en) * 2002-07-31 2004-02-19 Firecomms Limited A light emitting diode
WO2004032248A2 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7279345B2 (en) 2000-09-12 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of forming light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7902566B2 (en) 2004-11-12 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color control by alteration of wavelength converting element
US8614109B2 (en) 2008-11-13 2013-12-24 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same
EP1807879B1 (de) * 2004-09-27 2020-01-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronischer Dünnfilmchip

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050179041A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
US8860051B2 (en) * 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7404756B2 (en) * 2004-10-29 2008-07-29 3M Innovative Properties Company Process for manufacturing optical and semiconductor elements
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US20060094322A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J Process for manufacturing a light emitting array
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
WO2006105638A1 (en) * 2005-04-05 2006-10-12 Tir Systems Ltd. Electronic device package with an integrated evaporator
WO2007081719A2 (en) * 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
WO2008011377A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
JP2010506402A (ja) * 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
RU2453948C2 (ru) * 2006-10-31 2012-06-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Модуль осветительного устройства (варианты)
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
CN101939849A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 伊鲁米特克有限公司 用于发射器层成形的系统和方法
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP5349260B2 (ja) 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
KR101134802B1 (ko) * 2010-02-01 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US20130001510A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Optoelectronic device having current blocking insulation layer for uniform temperature distribution and method of fabrication
WO2013078463A1 (en) 2011-11-23 2013-05-30 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
EP2667585B1 (de) * 2012-05-23 2018-04-04 BlackBerry Limited Kombinierte Kamera- und Blitzlinse
US8749700B2 (en) 2012-05-23 2014-06-10 Blackberry Limited Combined camera and flash lens
WO2014138591A1 (en) 2013-03-07 2014-09-12 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
US9915410B2 (en) 2012-09-13 2018-03-13 Quarkstar Llc Light-emitting devices with reflective elements
EP2896079B1 (de) 2012-09-13 2018-02-28 Quarkstar LLC Lichtemittierende vorrichtung mit einem fernstreuungselement und einem extraktorelement mt totalreflexion
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
WO2014144706A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
TWI540753B (zh) * 2013-07-30 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
US20180323354A1 (en) * 2017-05-07 2018-11-08 Yang Wang Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2633942A1 (de) * 1976-07-28 1978-02-02 Centre Electron Horloger Verfahren zur oberflaechenbearbeitung von halbleitern
US4339689A (en) * 1979-01-29 1982-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting diode and method of making the same
EP0101368A2 (de) * 1982-08-10 1984-02-22 Thomson-Csf Monolitische Vereinigung einer Lumineszenzdiode mit Linsen
EP0405757A2 (de) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company Hocheffiziente Leuchtdioden
EP0562880A1 (de) * 1992-03-26 1993-09-29 Nec Corporation Infrarotes Licht emittierende Halbleitervorrichtung mit in bezug auf die Spaltungsflächen schrägen Seitenflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5264715A (en) * 1992-07-06 1993-11-23 Honeywell Inc. Emitting with structures located at positions which prevent certain disadvantageous modes and enhance generation of light in advantageous modes
WO1996037000A1 (de) * 1995-05-18 1996-11-21 Siemens Aktiengesellschaft Lichtemittierendes halbleiterbauelement
US5705834A (en) * 1996-04-23 1998-01-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Increased efficiency LED
GB2326023A (en) * 1997-06-03 1998-12-09 Hewlett Packard Co Semiconductor light-emitting device
WO1999000851A1 (de) * 1997-06-26 1999-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co.Ohg Strahlungsemittierendes optoelektronisches bauelement
EP0977280A2 (de) * 1998-07-28 2000-02-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Hocheffiziente strahlungemittierende Vorrichtungen und Herstellungsverfahren

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593055A (en) * 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
DE2421590A1 (de) * 1974-05-03 1975-11-13 Siemens Ag Optische halbleiterstrahlungsquelle, bei welcher mindestens einer der beiden halbleiterbereiche eine huegelige aeussere oberflaeche aufweist
CA1007736A (en) * 1974-09-10 1977-03-29 Northern Electric Company Integral lens light emitting diode
JPS59121985A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Nec Corp 反射電極型半導体発光素子
US4700210A (en) * 1984-11-21 1987-10-13 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Asymmetric chip design for LEDS
JPS61125092A (ja) * 1984-11-21 1986-06-12 Nec Corp 半導体発光ダイオ−ド
JPS6327087A (ja) 1986-07-21 1988-02-04 Hitachi Ltd コリメ−ト光源素子
JPS6386580A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Shimadzu Corp 発光ダイオ−ド
JPH02113524A (ja) * 1988-10-24 1990-04-25 Hitachi Ltd 発光素子の製造方法
JPH02119275A (ja) 1988-10-28 1990-05-07 Nec Corp 発光ダイオード
US5087949A (en) * 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US5233204A (en) 1992-01-10 1993-08-03 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with a thick transparent layer
JP3131716B2 (ja) * 1993-05-13 2001-02-05 長野日本無線株式会社 音声検出装置
JPH06350141A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Victor Co Of Japan Ltd 発光装置
JPH08255933A (ja) 1995-03-15 1996-10-01 Omron Corp レンズ一体型半導体発光素子及びその製造方法
DE19911717A1 (de) * 1999-03-16 2000-09-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Monolithisches elektrolumineszierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1277241B1 (de) * 2000-04-26 2017-12-13 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan
DE10039433B4 (de) * 2000-08-11 2017-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
ATE551731T1 (de) * 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2633942A1 (de) * 1976-07-28 1978-02-02 Centre Electron Horloger Verfahren zur oberflaechenbearbeitung von halbleitern
US4339689A (en) * 1979-01-29 1982-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting diode and method of making the same
EP0101368A2 (de) * 1982-08-10 1984-02-22 Thomson-Csf Monolitische Vereinigung einer Lumineszenzdiode mit Linsen
EP0405757A2 (de) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company Hocheffiziente Leuchtdioden
EP0562880A1 (de) * 1992-03-26 1993-09-29 Nec Corporation Infrarotes Licht emittierende Halbleitervorrichtung mit in bezug auf die Spaltungsflächen schrägen Seitenflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5264715A (en) * 1992-07-06 1993-11-23 Honeywell Inc. Emitting with structures located at positions which prevent certain disadvantageous modes and enhance generation of light in advantageous modes
WO1996037000A1 (de) * 1995-05-18 1996-11-21 Siemens Aktiengesellschaft Lichtemittierendes halbleiterbauelement
US5705834A (en) * 1996-04-23 1998-01-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Increased efficiency LED
GB2326023A (en) * 1997-06-03 1998-12-09 Hewlett Packard Co Semiconductor light-emitting device
WO1999000851A1 (de) * 1997-06-26 1999-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co.Ohg Strahlungsemittierendes optoelektronisches bauelement
EP0977280A2 (de) * 1998-07-28 2000-02-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Hocheffiziente strahlungemittierende Vorrichtungen und Herstellungsverfahren

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 243 (E-277), 8. November 1984 (1984-11-08) & JP 59 121985 A (NIPPON DENKI KK), 14. Juli 1984 (1984-07-14) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 313 (E-448), 24. Oktober 1986 (1986-10-24) & JP 61 125092 A (NEC CORP), 12. Juni 1986 (1986-06-12) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 014, no. 336 (E-0953), 19. Juli 1990 (1990-07-19) & JP 02 113524 A (HITACHI LTD;OTHERS: 01), 25. April 1990 (1990-04-25) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 02, 28. Februar 1997 (1997-02-28) -& JP 08 255933 A (OMRON CORP), 1. Oktober 1996 (1996-10-01) *

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US8049234B2 (en) 2000-09-12 2011-11-01 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP1191608A2 (de) * 2000-09-12 2002-03-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Lichtemittierende Dioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
EP1191608A3 (de) * 2000-09-12 2009-04-22 LumiLeds Lighting U.S., LLC Lichtemittierende Dioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US8415694B2 (en) 2000-09-12 2013-04-09 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US8628985B2 (en) 2000-09-12 2014-01-14 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US10312422B2 (en) 2000-09-12 2019-06-04 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
US9583683B2 (en) 2000-09-12 2017-02-28 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
US7279345B2 (en) 2000-09-12 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of forming light emitting devices with improved light extraction efficiency
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
WO2002089217A2 (de) * 2001-04-27 2002-11-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die optoelektronik
WO2002089217A3 (de) * 2001-04-27 2003-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die optoelektronik
US7145181B2 (en) 2001-04-27 2006-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
EP1596443A1 (de) * 2001-05-29 2005-11-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
US6946788B2 (en) 2001-05-29 2005-09-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
EP1263058A2 (de) * 2001-05-29 2002-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
EP1263058A3 (de) * 2001-05-29 2004-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
EP1267420A3 (de) * 2001-06-12 2009-04-22 LumiLeds Lighting U.S., LLC Leuchtdioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
EP1267420A2 (de) * 2001-06-12 2002-12-18 LumiLeds Lighting U.S., LLC Leuchtdioden mit verbesserter Lichtauskoppelung
WO2003083943A3 (de) * 2002-04-02 2004-07-01 G L I Global Light Ind Gmbh Homogen paralleles licht emittierende leuchtdiode
WO2003083943A2 (de) * 2002-04-02 2003-10-09 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Homogen paralleles licht emittierende leuchtdiode
EP1387413A2 (de) * 2002-07-29 2004-02-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Leuchtdiode mit verbesserter Lichtauskoppelung
EP1387413A3 (de) * 2002-07-29 2007-06-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Leuchtdiode mit verbesserter Lichtauskoppelung
US7151282B2 (en) 2002-07-31 2006-12-19 Firecomms Limited Light emitting diode
WO2004015784A2 (en) * 2002-07-31 2004-02-19 Firecomms Limited A light emitting diode
WO2004015784A3 (en) * 2002-07-31 2004-07-22 Firecomms Ltd A light emitting diode
WO2004032248A3 (de) * 2002-09-30 2005-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
US7592636B2 (en) 2002-09-30 2009-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component and method for the production thereof
WO2004032248A2 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7276737B2 (en) 2003-07-31 2007-10-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP1807879B1 (de) * 2004-09-27 2020-01-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronischer Dünnfilmchip
DE102004046792B4 (de) 2004-09-27 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Dünnfilmchip mit integrierter Linse und Verfahren zu seiner Herstellung
US8202742B2 (en) 2004-11-12 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color control by alteration of wavelength converting element
US8067254B2 (en) 2004-11-12 2011-11-29 Philips Lumileds Lighting Company Llc Common optical element for an array of phosphor converted light emitting devices
US8486725B2 (en) 2004-11-12 2013-07-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelenght converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7902566B2 (en) 2004-11-12 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color control by alteration of wavelength converting element
US8614109B2 (en) 2008-11-13 2013-12-24 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same
US8735934B2 (en) 2008-11-13 2014-05-27 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001080322A3 (de) 2002-03-28
EP1275159A2 (de) 2003-01-15
JP2012049571A (ja) 2012-03-08
US7026657B2 (en) 2006-04-11
CN1286190C (zh) 2006-11-22
US7306960B2 (en) 2007-12-11
TW490865B (en) 2002-06-11
CN1437770A (zh) 2003-08-20
US20060138439A1 (en) 2006-06-29
DE10019665A1 (de) 2001-10-31
EP1275159B1 (de) 2017-10-11
JP2004501507A (ja) 2004-01-15
US20040036080A1 (en) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1275159B1 (de) Lumineszenzdiodenchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102004052902B4 (de) Aufbau zur Unterbringung eines lichtemittierenden Elements, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
EP1982360B1 (de) Lumineszenzdioden-bauelement mit gehäuse
DE102012002605B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE10006738A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2012160107A2 (de) Optisches element, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung dieser
DE102010009456A1 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005028748A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
DE112017001510B4 (de) Filament mit lichtemittierenden halbleiterchips, leuchtmittel und verfahren zur herstellung eines filaments
EP2340568A1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper
DE112015005127B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102004046792B4 (de) Optoelektronischer Dünnfilmchip mit integrierter Linse und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102008028886A1 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
WO2018146084A1 (de) Led-einheit
EP2537163B1 (de) Elektrisches widerstandselement geignet für leuchtdioden, laserdioden oder fotodetektoren
WO2004032248A2 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2018215268A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
WO2023001469A1 (de) Optoelektronisches halbleiterelement und optoelektronisches bauelement
DE102017130764A1 (de) Vorrichtung mit Halbleiterchips auf einem Primärträger
DE102021133724A1 (de) Lichtemittierendes modul und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden moduls
DE102009058345A1 (de) Halbleiterlaser
DE102019125411A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102019113315A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2012013435A1 (de) Licht emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements
DE102018107956A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): CA CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): CA CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2001942963

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001942963

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2001 577616

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 018114474

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001942963

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10258154

Country of ref document: US