WO1997034188A1

WO1997034188A1 - Dispositif a cristaux liquides et equipment electronique

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Publication number: WO1997034188A1
Application number: PCT/JP1997/000808
Authority: WO
Inventors: Tsuyoshi Maeda
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1997-03-13
Publication date: 1997-09-18
Also published as: US6473067B2; US20010024184A1; USRE40770E1; US6346932B1; US20010028424A1; JP3484702B2; KR100474194B1; KR19990014751A; US6657608B2

Description

明細書液晶装置及びそれを用いた電了-機器技術分野

本発明は各画素（絵素ともいう）にスイッチングするアクティブ素子を配置し、このアクティブ素子により画素の液晶に対する電圧印加を制御するアクティブマトリックス型液晶装置に関し、特に、各画素において液晶層に対して横電界（層方向）をかけるタイプの液晶装置に関する, また、本発明は上記液晶装置を用いた電子機器に関する。背景技術

現在、ノートパソコンや液晶テレビなどに用いられている液晶装置は. ほとんどが TN (Twisted Nematic) モードである。しかし、この ΤΝΐ — ドは親察方向によって異なる見え方がする。この視角特性を改善する方法として、特開昭 5 6— 0 9 1 2 7 7号公報ゃ特開平 0 6— 1 6 0 8 7 8号公報で横電界を用いた I P S (In Plane Switching) モードが提案されている。

以下に、 I P Sモードの動作原理について図面を用いて簡単に説明する。第 4図（ a ) ( b ) は I P Sモードを用いた液晶パネル内での液晶の動作を示す断面図であり、第 4図（ a) は電圧無印加時のセル断面図, 第 4図（b) は液晶のしきい値を越えた電圧印加時のセル断面図である, また、第 4図（ c) は第 4図（ a) の平面図、第 4図（d) は第 4図 ( b ) の平面図である。第 4図において、 4 0 1、 40 9は一対の偏光板、 40 2、 4 0 8は液晶を挾持する一対の基板、 4 0 3はカラ一フィル夕、 4 04、 4 0 6は配向膜、 4 0 5は模式的に示した液晶分子を示す。また、 4 1 0は両素電極、 4 1 1は画素における画素電極の対向電極となる共通電極、 4 1 2は画像信号線（ソース線）、 4 0 7は圃^電極 4 1 0 と共通電極 4 1 1の層を隔てる絶縁層である。 I P Sモードの液晶装置においては、このように一方の基板上に液晶に電界を印加する画素電極及び共通電極を並置する構造をなす。また、 4 1 3は下側偏光板の吸収軸、 4 1 4は上側偏光板の吸収軸である。

第 4図は T F T (Thin Film Transistor) などのアクティブ素子を省略した模式図である。この模式図は、第 5図中の X— X ' 部分の断面図及び点線で囲まれた部分の拡大図である。第 5図は 1画素の構成図であり、この構成図では 1画素内に共通電極 5 0 2が 2本と画素電極 5 0 1 が 1本長手方向に存在する。これはあくまで模式的な図面であり、 1画素内に数本の共通電極 5 0 2 と数本の画素電極 5 0 1が存在しても構わない。また、同図において、 5 0 3は走査信号線（ゲート線）、 5 0 4 は画像信号線（ソース線）、 5 0 5は薄膜トランジスタ（ T F T ) を示す。

電圧無印加時の第 4図（ a ) ( c ) において、一対の基板 4 0 2 · 4 0 8のうち、上側基板 4 0 2上にはカラ一フィル夕 4 0 3が形成され、下側基板 4 0 8の内側に線状の共通電極 4 1 1 と画素電極 4 1 0が形成され、さらに液晶分子 4 0 5を並べるための配向膜 4 0 4 · 4 0 6が形成されている。一対の基板 4 0 2 · 4 0 8間には液晶が挟持されており、液晶分子 4 0 5は電圧無印加時に線状電極（共通電極 4 1 1、画素電極 4 1 0 ) の長手方向と所定の角度（ 0度から 4 5度）を有して、均一に配向している。第 4図ではこの角度を 3 0度とした。また、この液晶セルの両側に偏光板 4 0 1 · 4 0 9を配置している。上側偏光板 4 0 1は吸収軸 4 1 4を液晶の配向方向と平行に、下側偏光板 4 0 9は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態である。液晶材料には誘電異方性が正の材料を用いた。

次に、電界 4 1 5 を印加すると、第 4図（ b ) ( d ) に示すように液晶分子 4 0 5は電界 4 1 5方向にその長軸を揃えようとするので、液晶分子 4 0 5は印加電界の強度に対応して偏光板の吸収軸に対してある角度を持つようになる。この印加電界の強度に応じ、液晶セルの配向する角度を制御することにより液晶の複屈折が制御できる。それにより、一対の偏光板を透過する光透過率を制御でき、それにより階調表示を行うことができる。

しかしながら、液晶に電界を印加するための画素電極 4 1 0及び共通電極 4 1 1がー方の基板上のみに形成されていて、他方の基板上には電極が全く形成されていないので、静電気で帯電しやすいという問題が生じる。静電気で帯電してしまうと、液晶の配向が乱れ、高画質の表示を行うことができない。また、一度静電気によって帯電してしまうと、他方の基板に電極が存在しないため、この静電気を容易に除去することはできない。

そこで、本発明は静電気の影響を受けにくくさらに静電気に帯電しにくい高画質な液晶装置を実現することを目的とする。発明の開示

本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光膜を形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加してなることを特徴とする < 上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。前記他方の基板に一定電位である金属遮光膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしまい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数万 V以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に一定電位の金属遮光膜を設けることは重要である。前記金属遮光膜には、クロム（ C r ) やニッケル（ N i ) 銅（ C u ) の合金などが適している。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位を印加してなることを特徴とする。

上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。前記他方の基板に一定電位である透明導電膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしまい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数万 V以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に一定電位の透明導電膜を設けることは重要である。前記透明導電膜には、 I T〇や酸化スズ（ S n 0 2) などが適している。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記 -方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなることを特徴とする。

上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしまい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数万 V以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に一定電位の導電膜を設けることは重要である。前記導電膜は、表示部以外に形成されるので、透明である必要がなく多種多様な金属材料を用いることができる。

なお、画素エリアとは、第 3図に示すような液晶セルにおける点線で示した領域 3 0 3のことで、実際に文字や絵などの表示を行うことができる部分のことである。画素エリアの周辺領域とは、その周辺で表示を行うことができない領域 3 0 4のことである。

また、本発明は、前記一定電位が、接地電位、共通電極の電位、画像信号振幅の中心電位、走査信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする。

上記構成によれば、新たな電位をつくる必要がなく液晶装置内に既に存在する電位を用いることができる。このによって、コストアップなしに静電気に強い高画質な液晶装置が実現できる。なお、共通電極電位、画像信号振幅の中心電位、走査信号の非選択電位とは、 T F T素子を用いた液晶パネルの駆動波形図の第 6図における 6 0 6、 6 0 5、 6 0 7の電位のことである。第 6図の駆動波形を第 7 図の T F T素子の等価回路を用いて簡単に説明する。 6 0 2及び 6 0 3 は走査信号線 7 0 3及び画像信号線 7 0 4の信号であり、それそれ T F T素子 7 0 5のゲート、ソースに印加される。 N T S C方式の画像信号はイン夕レースされた 2 つのフィールドからなり、第 1 フィールド 6 1 0 と第 2 フィールド 6 1 1 を合わせて 1 フレーム 6 1 2 とし 1枚の絵を構成する。選択期間 6 0 8において、走査信号線 7 0 3に選択パルスが印加され T F T素子 7 0 5がオンすると、画素電極 7 0 1 の電位 6 0 4 は画像信号線 7 0 4 の電位 6 0 3 とほぼ等しくなる。非選択期間 6 0 9 では、 T F T素子 7 0 5がオフし液晶容量 7 0 6 に書き込まれた信号は保持される。このようにして、すべての走査信号線 7 0 3が 1 本ずつ順次選択され、すべての画素のデータは 1 フィールドにっき 1 回ずつ書き換えられることになる。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を印加してなることを特徴とす o

上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしまい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数万 V以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に一定電位を有する導電性偏光板を設けることは重要である。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜の電位をフ口一ティング状態とすることを特徴とする。

上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、透明導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前記透明導電膜の電位がフ口一ティング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよい。通常、前記透明導電膜を基板内面つまり液晶セル内部に形成すると、画素電極や共通電極との間に電位差が発生して画質を低下させてしまうが、導電膜の電位がフォローティング状態にあるので、画質低下を極力抑えることができる。前記透明導電膜には、 I T 0や酸化スズ（ S n 0

2 ) などが適している。なお、フローティング状態とは、ある導電体材料の電位がその周辺に存在するどの電位とも電気的に接続されておらず、浮遊している状態のことである。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とすることを特徴とする。

上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前記導電膜の電位がフローテイング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよい。前記導電膜は、表示部以外に形成されるので、透明である必要がなく多種多様な金属材料を用いることができる。

また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフローティング状態とすることを特徴とする。上記構成によれば、前記他方の基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せず, 導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前記導電膜の電位がフ口一ティング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよい。

なお、本発明においては、液晶の配向を良好にするために、他方の基板の内面又は外面に導電膜を配置する構成であり、どちらも外部からの静電気を吸収することができるが、内面側に導電膜を形成して静電気対策を施す方が液晶層の近い箇所で静電気を吸収できる。

また、以上の本発明の構成は、種々の電子機器の表示装置として用いることができる。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の液晶装置の構成図である。

第 2図は、本発明の液晶装置の断面構成図である。

第 3図は、本発明の液晶セルの平面図である。

第 4図は、 I P Sモードの説明図である。

第 5図は、本発明の液晶装置における 1画素の構成図である。

第 6図は、 T F T型液晶装置の駆動波形を示す図である。

第 7図は、本発明の液晶装置における 1画素の等価回路図である。

第 8図は、本発明における銀べ一ストによつて上下基板の内面の電極を短絡,させた液晶セルの平面図と拡大断面図である。

第 9図は、本発明における銀ペーストによつて上下基板の内面の電極を短絡させた液晶セルの断面図である。

第 1 0図は、本発明の液晶装置の駆動回路図である。

第 1 1図は、本発明の液晶装置を用いたパーソナルコンビュ一夕の例を示す図である。

第 1 2図は、本発明の液晶装置を用いたページャの構成例を示す図である。

第 1 3図は、本発明の液晶装置の実装構造例を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

(実施例 1 )

第 1図は本発明に係る液晶装置の構成の要部を示す図である。（ a) がカラーフィル夕形成基板 1 04の平面図であり、（b) が液晶装置の断面図である。まず、構成を説明する。 1. 1 mm厚の透明ガラス基板 1 04 · 1 0 9を 2枚重ね合わせた構造をとつており、その間に液晶層 1 0 6が挟持される。上側ガラス基板 1 04は内側にクロム（ C r ) 遮光膜 1 0 1、赤緑青（R GB) カラ一フィル夕 1 0 2及び配向膜 1 0 5 が順次形成されており、外側には偏光板 1 0 3が配置されている。下側ガラス基板 1 0 9は、内側に共通電極 1 1 1、絶縁層 1 0 8、画素電極 1 1 2及び配向膜 1 0 7が形成されており、外側には偏光板 1 1 0が配置されている。

各画素は下側ガラス基板の平面図となる先に説明した第 5図に示されるように、走査信号線（ゲート線） 5 0 3、画像信号線（ソース線） 5 04がマトリクス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が走査信号線 5 0 3、ソース電極が画像信号線 5 04、ドレイン電極が画素電極 5 0 1 ( 1 1 2 ) に接続された薄膜トランジスタ（ T F T素子） 5 0 5が形成されている。

第 1図の C r遮光膜 1 0 1は、下側基板に形成された T F T素子及び画像信号線 · 走査信号線の領域を遮光するように形成されるものである , 第 1図において、 1画素内で共通電極 1 1 1 ( 5 0 2 ) と画素電極 1 1 2 ( 5 0 1 ) は絶縁層 1 08を介して異なる層に配置されている。第 1図中の 1 1 3は電界の方向を示している。基板間のギヤップを 4. 5 〃mとし、液晶材料 1 0 6には屈折率異方性 Δ n = 0. 0 7 0で誘電異方性が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極 1 1 1 と画素電極 1 1 2の間の距離を 1 0〃mとし、両電極の線幅を 5 mとした。液晶分子の分子長軸方向が線状電極（共通電極 1 1 1、画素電極 1 1 2 ) の長手方向と 3 0度の角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガラス基板 1 04の偏光板 1 0 3は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板 1 0 9の偏光板 1 1 0は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向する角度が変化し、それにより液晶の複屈折率が変化するので階調表示が可能となっている。なお、下基板 1 0 9側には、パックラィト光源が配置される。この液晶分子の配向の仕方及び偏光板の吸収軸の設定は、先に説明した第 4図と同様である。

また、第 1図の C r遮光膜 1 0 1は、下側基板に形成された T F T素子及び画像信号線 · 走査信号線の領域を遮光するように形成されるものである。

次に、第 6図及び第 7図を用いて、以上に説明したアクティブマトリックス型液晶装置の駆動方法について説明する。第 7図は液晶装置の 1 画素の等価回路図であり、第 6図は駆動波形を示す。第 7図において、 7 0 3は第 5図の 5 0 3に相当する走査信号線であり、 704は第 5図の 5 04に相当する画像信号線でり、 7 0 5は第 5図の 5 0 5に相当する T F T素子である。 T F T素子 7 0 5のゲート電極は走査信号線 5 0 3に接続され、ソース電極は画像信号線 7 04に接続され、ドレイン電極は第 5図の 5 0 1 (第 1図の 1 1 2 ) に相当する画素電極 7 0 1に接続される。 7 0 6は液晶容量であり、 7 0 2は第 5図の 5 0 2 (第 1 図の 1 1 1 ) に相当する共通電極 5 0 2である。第 6図は 1 画素における駆動を時系列的に示したものであり、 6 0 7は走査信号線に印加される走査信号、 6 0 8は T F T素子を導通させる選択期間、 6 0 9 は丁？丁素子を非導通させて液晶に印加した電圧を保持する非選択期間である。選択期間 6 0 8においては、画像信号線に供給される画像信号 6 0 3が T F T素子を介して画素電極に供給される。 6 1 2は 1 フレーム期間を示し、 6 1 0は第 1 フィールド、 6 1 1 は第 2 フィールドを示す。画像信号 6 0 3は第 1 フィールドと第 2 フィールドとで、画像信号の振幅中心電位 6 0 5 を基準として電圧極性が反転されている。 6 0 4は画素電極の電位であり、共通電極の電位 6 0 6 との間の電位差が液晶に印加される電圧となる。選択期間 6 0 8において T F T素子を介して画像信号

6 0 6が画素電極に印加され、画素電極の電位は画像信号 6 0 6の電位になる。しかし、選択期間 6 0 8 において、 T F T素子のドレイン電極とゲート電極の間に寄生する容量に蓄積された電荷が、非選択期間 6 0 9 に画素電極側に流れ込み画素電極の電位は降下する。このため、共通電極電位 6 0 6 を画像信号の振幅中心電位 6 0 5から予めだけ下げておく。これにより、画素電極の電位は共通電極電位を基準としてフィールド毎に実質的に対称に極性反転する。なお、液晶容量 7 0 6だけでなく、これと並列に蓄積容量を画素内に設けることができる。この場合、この蓄積容量は、第 5図における画素の周辺部にて、画素電極 5 0 1 と共通電極 5 0 2の絶縁膜を介してオーバ一ラップさせることで形成される。

さて、このような構成の液晶装置において、本実施例では、第 8図に示すように上側ガラス基板 8 0 1 (第 1図の 1 0 4 ) の C r遮光膜 8 0

7 (第 1 図の 1 0 1 ) を、下側ガラス基板 8 0 2 (第 1 図の 1 0 9 ) に形成された共通電極 8 0 8 (第 1図の 1 1 1 ) と同電位になるように、液品セルの画素エリア 8 0 3の周辺部 8 0 4で銀ペースト 8 0 5を介して短絡している。第 8図の（ a ) は液晶パネルの平面図であり、（ b ) は上下基板を銀ペーストによって短絡させた拡大断面図である。第 8図において C r遮光膜は画素エリア 8 0 3内では T F T素子と画素問を遮光するが、画素エリアの周辺部 8 0 4では画素エリア 8 0 3 とシール部 8 0 6の間では画素エリアを取り囲むように形成することにより画素ェリアの見切りとすることができる。

周辺部 8 0 4のシール部の外側に引き出された C r遮光膜 8 0 7 ( 1 0 1 ) は、銀ペースト 8 0 5によって液晶パネルのシール部（一対の基板を接着するシールであり画素エリア 8 0 3を取り囲むように配置される） 8 0 6の外側 4点で、画素エリアから引き出された共通電極 8 0 8 ( 1 1 1 ) と電気的に短絡されている。複数の箇所で遮光膜と共通電極とを接続しているのは、画素エリア全体において遮光膜の電圧分布を均一化するためにものである。

第 8図（ b ) において、共通電極 8 0 8から引き出された端子部は、異方性導電膜（A C F ： Aisotoropic Conducting Film ) 8 0 9を介して、液晶ドライバを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続するフレキシブル基板 8 1 0上に形成されて共通電極電位を供給する電極配線 8 1 1に電気的に接続される。

このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも親察されなかった。

以上の実施例 1のような液晶装置の構成にすると、金属遮光膜である C rが一定電位（共通電極電位）であるので、カラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。カラ一フィル夕形成基板に一定電位である金属遮光膜が存在しなければ、静電気によって上側基板とド側基板上の画素電極や共通電極との間に大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極を持たないカラーフィル夕形成基板に一定電位の金属遮光膜を設けることが重要となってくる。また、本実施例で金属遮光膜の電位として用いた共通電極電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。よって、液晶装置の静電対策を低コストで実現できる。

(実施例 2 )

第 9図に示すように、実施例 1 と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板の C r遮光膜 9 0 3 (第 1図の 1 0 1 ) を接地した。このときの構成を第 9図を用いて説明する。第 9図（ a) は液晶パネルの平面図であり、（ b ) は上下基板を銀ベーストによつて短絡させた拡大断面図である。上側基板 9 0 1 (第 1図の 1 04 ) 内側の C r遮光膜 9 0 3はシール部 9 0 6の外側で銀ペース卜 9 0 5を介して下側基板 9 0 2 (第 1図の 1 0 9 ) 内側のダミー電極 9 04に接続される。そして、このダミー電極 9 04は、第 9図（b) に示すように、異方性導電膜（A C F) 9 0 7を介して、液晶ドライバを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続するフレキシブル基板 9 0 9上に形成されて接地電位を供給する電極配線 9 0 8に電気的に接続される。液晶駆動用回路基板における接地電位配線に接続した。このような液晶装置に、約 l kVの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 2のような液晶装置の構成にすると、金属遮光膜である C rが一定電位（接地電位）であるので、カラーフィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。 C r遮光膜の電位を接地電位とすると、 C r遮光膜と画素電極、共通電極との間で若干の電位差を生じる。しかし、 C r遮光膜上にはカラ一フィル夕層、配向膜などが存在するので、この部分で電圧降下がおき実際に液晶に印加される電位差はさらに小さくなり無視できる程度となる。また、一定電位である C r遮光膜が存在しなければ、静電気によって力ラーフィル夕形成基板が帯電すると数万 Vの電位差が液晶に印加されることになつてしまい、表示装置として機能しなくなってしまう。このため、高画質な表示を得るには液晶を駆動するための電極を持たないカラ —フィル夕形成基板に一定電位（接地電位）の金属遮光膜を設けることが重要となってくる。接地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がなく低コス卜で静電気に強い高画質な液晶装置が実現できる。

(実施例 3 )

実施例 1 と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板の C r遮光膜を画像信号の振幅における中心電位（第 6図の 6 0 5 ) に接続した。このときの接続方法は第 9図のようにし、ダミー電極 9 0 4を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板 9 0 9 に配線される画像信号振幅の中心電位の電位配線に接続することで実現した。このような液晶装置に、約 l k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 3のような液晶装置の構成にすると、金属遮光膜である C rが一定電位（画像信号の振幅の中心電位）であるので、実施例 1、実施例 2 と同様な理由によりカラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。また、画像信号の中心電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。 (実施例 4 )

実施例 1 と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板の C r遮光膜を走査信号線（第 5図の 5 0 3 ) に印加される非選択電位（第 6 図の走査信号 6 0 7の非選択期間 6 0 9の電位）に接続した。このときの接続方法は第 9図のようにし、ダミー電極 9 0 4 を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板 9 0 9 における走査信号線の非選択電位の電位配線に接続することで実現した。このような液晶装置に、約 l k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 4のような液晶装置の構成にすると、金属遮光膜である C rが一定電位（走査信号の非選択電位）であるので、実施例 1、実施例 2 と同様な理由により、カラーフィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。また、走査信号の非選択電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。

(実施例 5 )

実施例 1 と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板の C r遮光膜を液晶駆動回路のロジック電位に接続した。このときの接続方法は第 9図のようにし、ダミー電極を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板 9 0 9におけるロジック電位配線に接続することで実現した。このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 5のような液晶装置の構成にすると、金属遮光膜である C rが一定電位（ロジック電位）であるので、実施例 1、実施例 2 と同様な理由により、カラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能になる。また、ロジック電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。

なお、以上の実施例では C r金属膜を遮光膜としたが、 C r以外の T a、 A l、 A uなどの金属膜でも同様の効果があることを確認した。 (実施例 6 )

第 2図（ a ) は本発明に係る液晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明する。 1. 1 mm厚の透明ガラス基板 2 0 3 - 2 1 0 を 2枚重ね合わせた構造をとつており、その間に液晶層 2 0 7が挟持される。上側ガラス基板 2 0 3には内側に赤緑青（R G B ) カラーフィル夕 2 0 4、樹脂遮光膜 2 0 5及び配向膜 2 0 6が順次形成されており、外側には I T 0透明導電膜 2 0 2及び偏光板 2 0 1が配置されている。下側ガラス基板 2 1 0は、内側に共通電極 2 1 3、絶縁層 2 0 9、画素電極 2 1 2及び配向膜 2 0 8が形成されており、外側には偏光板 2 1 1 が配置されている。

各画素は下側ガラス基板の平面図となる先に説明した第 5図に示されるように、走査信号線（ゲート線） 5 0 3、画像信号線（ソース線） 5 0 4がマトリクス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が走査信号線 5 0 3、ソース電極が画像信号線 5 0 4、ドレイン電極が画素電極 5 0 1 ( 2 1 2 ) に接続された薄膜トランジスタ（ T F T素子） 5 0 5が形成されている。なお、駆動方法は実施例 1 と同様である。第 2図において、 1画素内で共通電極 2 1 3 と画素電極 2 1 2は絶縁層 2 0 9を介して異なる層に配置されている。第 2図（ a ) 中の 2 1 4 は、電界の方向を示している。この実施例では実施例 1 とギャップ、電極間距離、ラビング方向を若干変更している。すなわち、基板間のギヤッブを 4. 0 zmとし、液晶材料 2 0 7には屈折率異方性△ n = 0. 0 7 0で誘電異方性が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極 2 1 3 と画素電極 2 1 2の間の距離を 1 5 〃mとし、両電極の線幅を 5 μ. mとした。液晶分子が電圧無印加時に線状電極（共通電極 2 1 3、画素電極 2 1 2 ) の長手方向と 4 5度の角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガラス基板 2 0 3の偏光板 2 0 1 は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板 2 1 0の偏光板 2 1 1 は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向角度が変化することにより階調表示が可能となつている。また、下基板 2 1 0側にバックライ卜光源を配置している。なお、第 2図（ a ) において、遮光膜 2 0 5は、下側基板に形成された T F T素子及び画像信号線 · 走査信号線の領域を遮光するように配置される。

本実施例においては、上側ガラス基板 2 0 3の I T 0透明導電膜 2 0 2の電位は画素ェリァ以外の領域から電気配線により液晶駆動回路基板上の接地電位に接続されている。

第 3図は液晶パネルの平面図を示す図であり、図中 3 0 2は下側基板 (第 2図（ a ) の 2 1 0 ) 、 3 0 1 は上側基板（第 2図（ a ) の 2 0 3 ) 、 3 0 3は画素エリア、 3 0 4はその周辺部である。本実施例では、上側基板の外側における画素エリア 3 0 3 と周辺部 3 0 4に透明導電膜 2 0 2が形成される。

透明導電膜への接地電位の接続方法としては、この透明導電膜を周辺部の端部にて露出させ、一定電位（接地電位）が印加されている金属製の外枠（図示せず）等に接触させる又は接続部材を介して接続することにより、透明導電膜に一定電位（接地電位）を与えることが考えられる。外枠に一定電位（接地電位）が印加されていれば、この外枠ケース自体も液晶装置のシールド機能を有することになるので、静電気保護がより一層確実になる。但し、接地電位への透明導電膜の接続方法は、上記の例に限定されるものではなく-、種々の方法が採用されて良い。

このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。

以上の実施例 6のような液晶装置の構成にすると、カラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電せず、高画質な表示が可能になる。また、接地電位は液晶装置内に従来から存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。

本実施例では、 I T 0透明導電膜の電位を接地電位としたが、実施例 2〜 5のように、共通電極電位、画像信号振幅の中心電位、走査信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のような一定電位としても構わない。また、透明導電膜には I T〇を用いたが、 S n 0 ₂ などの透明導電膜でも構わない。透明導電膜は全面に形成する必要はなく、部分的な形成でも構わない。

(実施例 7 )

実施例 6 に示すような液晶装置において、上側基板における I T 0透明導電膜の代わりに画素ェリア 3 0 3を除く周辺部 3 0 4に C r金属膜を形成した。上側ガラス基板の C r金属膜の電位は接地電位とした。この周辺部 3 0 4の C r金属膜は画素エリア 3 0 3の周辺を遮光する見切り板として機能させることもできる。電位の接続方法は、実施例 6 と同様に種々考えられる。このような液晶装置に、約 l k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 7のような液晶装置の構成にすると、カラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、接地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要がない。本実施例では、 C r金属膜の電位を接地電位としたが、共通電極電位、画像信号の中心電位、走査信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のような一定電位としても静電気の影響を受けず良好な表示を行うことができた。

また、本実施例では、 C r金属膜を液晶パネル基板の外側面上の画素エリア以外の領域に形成したが、実施例 1 と同様に、 C r金属膜を液晶パネル基板の内側面上の周辺部の領域に形成しても同様の効果を確認した（但し、本実施例の場合は、画素エリア内での T F T素子及び画素間の遮光は樹脂遮光膜による）。

また、 C r以外の T a、 A l、 A uなどの金属膜でも同様の効果があることを確認した。

(実施例 8 )

本実施例は、実施例 6で説明した第 2図（ a ) の構成を変更した構成である。本実施例においては、基板間のギャップを 4 . 0 / mとし、液晶材料 2 0 7には屈折率異方性 Δ η = 0 . 0 7 0で誘電異方性が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極 2 1 3 と画素電極 2 1 2の間の距離をとし、両電極の線幅を 1 0 z mとした。液晶分子が電圧無印加時に線状電極（共通電極 2 1 3、画素電極 2 1 2 ) の長手方向と 4 5度の角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガラス基板 2 0 3の偏光板 2 0 1 は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板 2 1 0の偏光板 2 1 1 は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向角度が変化することにより階調表示が可能となっている。また、下基板 2 1 0側にはバックライ卜光源が配置される。

本実施例においては、上側ガラス基板 2 0 3の I T 0透明導電膜 2 0 2の電位はフローティング状態とし、電気的な接続は全く施していない。このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。

以上の実施例 8のような液晶装置の構成にすると、カラ一フィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策が可能となる。 (実施例 9 )

第 2図（ b ) は本発明に係る液晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明する。 1 . 1 m m厚の透明ガラス基板 2 1 6 * 2 2 4 を 2枚重ね合わせた構造をとつており、その間に液晶層 2 2 1 が挟持されている。上側ガラス基板 2 1 6 には内側に赤緑青（R G B ) カラーフィル夕 2 1 8、樹脂遮光膜 2 1 7、 I T 0透明導電膜 2 1 9及び配向膜 2 2 0が順次形成されており、外側には偏光板 2 1 5が配置されている _{ 下側ガラス基板 2 2 4は、内側に共通電極 2 2 7、絶縁層 2 2 3、画素電極 2 2 8及び配向膜 2 2 2が形成されており、外側には偏光板 2 2 5 が配置されている。

各画素は下側ガラス基板の平面図となる先に説明した第 5図に示されるように、走査信号線（ゲート線） 5 0 3、画像信号線（ソース線） 5 0 4がマトリクス状に配置されており、その交点近傍に、ゲ一卜電極が走査信号線 5 0 3、ソース電極が画像信号線 5 0 4、ドレイン電極が画素電極 5 0 1 ( 2 2 8 ) に接続された薄膜トランジスタ（ T F T素子） 5 0 5 形成されている。なお、駆動方法は実施例 1 と同様である。

1画素内で共通電極 2 2 7 と画素電極 2 2 8は絶縁層 2 2 3 を介して異なる層に配置されている。第 2図（ b ) 中の 2 2 6は、電界の方向を示している。この実施例では実施例 1 と基板間のギャップ、屈折率異方性、電極間距離、ラビング方向を若干変更している。すなわち、基板間のギャップを 4 . 0 / mとし-、液晶材料 2 2 1 には屈折率異方性 Δ n = 0 . 0 8 5で誘電異方性が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極 2 2 7 と画素電極 2 2 8の間の距離を 1 2 mとし、両電極の線幅を 5 mとした。液晶分子が電圧無印加時に線状電極（共通電極 2 2 7、画素電極 2 2 8 ) の長手方向と 4 0度の角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガラス基板 2 1 6の偏光板 2 1 5は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板 2 2 4の偏光板 2 2 5は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向角度が変化することにより階調表示が可能となっている。また、下基板 2 2 4側にはバックライ卜光源が配置される。

なお、第 2図（ a ) において、遮光膜 2 0 5は、下側基板に形成された T F T素子及び画像信号線 · 走査信号線の領域を遮光するように配置される。

本実施例においては、上側ガラス基板 2 1 6の I T 0透明導電膜 2 1 9の電位はフ口一ティング状態とし、電気的な接続は全く施していない。このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 9のような液晶装置の構成にすると、カラーフィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策が可能となる。通常透明導電膜を液晶層と接する面つまり液晶セル内部に形成すると、画素電極や共通電極との間に電界が発生して画質を低下させてしまうが、導電膜の電位がフォローティング状態にあるので、画質低下を極力抑えることができる。 - 本実施例では、 I T 0透明導電膜を上側基板のカラーフィル夕層と配向膜の間に設けたが、基板とカラーフィル夕層の間に設けても構わない,

(実施例 1 0 )

本実施例では、実施例 8及び実施例 9 における第 2図の樹脂遮光膜 2 0 5 · 2 1 7 を C rなどの金属遮光膜に変更する。また、このとき金属遮光膜を T F T素子及び画素間の遮光膜として機能させるだけでなく、画素エリァの周辺部にて実施例 1 から実施例 5の第 8図に示されるように一定電位に接続しする。

さらに実施例 8及び実施例 9で示したようなフローティング状態の I T◦透明導電膜を、第 2図に示すように上側基板の外側面または内側面に形成するようにして、 C r遮光膜とフオローティング状態の I T O透明導電膜とを組み合わせる。

このようにすると、静電気を吸収するフォローティング状態の I T◦ 透明導電膜と静電気から液晶をシールドする金属遮光膜とが存在するので、静電気に対してさらに耐久性があがる。

但し、上側基板の内側面に金属遮光膜と透明導電膜を積層して形成する場合は、両者をカラ一フィル夕または絶縁膜等によつて絶縁する必要がある。

本実施例では、 I T 0透明導電膜を上側基板のカラーフィル夕層と配向膜の間に設けたが、基板とカラ一フィル夕層の間に設けても構わない < (実施例 1 1 )

実施例 8及び実施例 9に示すような液晶装置において、 I T 0透明導電膜の代わりに、第 3図に示す画素エリア 3 0 3の周辺部 3 0 4の上側ガラス基板の外側面または内側面上に C r金属膜を形成した。上側ガラス基板の C r金属膜の電位はフローティング状態とした。このような液晶装置に、約- 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例 1 1 のような液晶装置の構成にすると、カラーフィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、 C r金属膜の電位がフローティング状態であるので、電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策が可能となる。また、この遮光膜には画素ェリァの見切り機能を持たせることもできる。

以上述べたように、本発明によれば、静電気の影響を受けにくい高画質な液晶装置を実現することができる。

(実施例 1 2 )

本実施例は、第 1 図（ b ) 、又は第 2図（ a ) 若しくは（ b ) の構成において、上側偏光板 1 0 3、 2 0 1、 2 1 5 に導電性を持たせたものである。このような偏光板は、偏光板のフィルム材料に導電性粒子を混入させる、或いは偏光フィルムに透明導電層を貼り付けて一体化させる等により、容易に製造することができる。

この導電性偏光板は、フォローティング状態にするか、或いは導電性偏光板又は偏光板の導電層を露出させて、これに対して、実施例 6 と同様の方法により、一定電位（共通電極電位、接地電位、走査信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれか）を印加するかすれば良い。一定電位を印加する場合は、実施例 6 と同様な接続方法を採用することできる。

このような液晶装置に、約 1 k Vの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。

以上の実施例のような液晶装置の構成にすると、カラーフィル夕形成基板が外部からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。なお、下側偏光板も併せて、導電性を有する偏光板とし、液晶パネルを上下から導電性偏光板で挟めば、より一層静電気に対して良好な表示を行うことができる。

さらに、本実施例は、他の実施例 1〜 1 1のいずれの実施例とも組み合わせて、液晶パネルに採用しても良い。そうすることにより、より一層の静電気対策ができる。

(実施例 1 3 )

上述の実施例 1〜 1 2の液晶装置を用いて構成される電子機器の実施例について以下に説明する。

液晶装置を用いた電子機器は、第 1 0図に示す表示情報出力源 1 0 0 0、表示情報処理回路 1 00 2、表示駆動回路 1 0 04、液晶パネルなどの表示パネル 1 0 0 6、クロック発生回路 1 0 0 8及び電源回路 1 0 1 0を含んで構成される。表示情報出力源 1 0 00は、 ROM、 RAM などのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路 1 00 8からのクロックに基づいて、ビデオ信号などの表示情報を出力する。表示情報処理回路 1 0 0 2は、クロック発生回路 1 0 08からのクロックに基づいて表示情報を処理して出力する。この表示情報処理回路 1 0 0 2は、例えば増幅 · 極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができる。表示駆動回路 1 0 04は、走査側駆動回路及びデータ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル 1 0 0 6を表示駆動する。電源回路 1 0 1 0は、上述の各回路に電力を供給する。

このような構成の電子機器として、第 1 1図に示すマルチメディア対応のパーソナルコンビユー夕（P C) 及びエンジニアリング . ワークステ一シヨン（EWS ) の他、第 1 2図に示すページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビュ一ファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲ一シヨン装置、 P O S端末、夕ツチパネルを備えた装置などを挙げることができる。

第 1 1図に示すパーソナルコンビユー夕 1 2 0 0は、キーボード 1 2 0 2を備えた本体部 1 2 0 4 と、液晶表示画面 1 2 0 6 とを有する。

第 1 2図に示すページャ 1 3 0 0は、金属製フレーム 1 3 0 2内に、ガラス基板 1 3 0 4、ノ、'ックライ卜 1 3 0 6 aを備えたライトガイド 1

3 0 6、回路基板 1 3 0 8、第 1 , 第 2のシールド板 1 3 1 0 , 1 3 1 2、 2つの弾性導電体 1 3 1 4 , 1 3 1 6、及びフィルムキャリアテーブ（フレキシブル基板） 1 3 1 8を有する。 2つの弾性導電体 1 3 1 4 , 1 3 1 6及びフィルムキャリアテープ 1 3 1 8は、ガラス基板 1 3 0 4 と回路基板 1 3 0 8 とを接続するものである。

ここで、基板 1 3 0 4は、 2枚の透明ガラス基板 1 3 0 4 a, 1 3 0

4 bの間に液晶を封入したもので、これにより少なくとも液晶パネル装置が構成される。一方の透明基板に、第 1 0図に示す駆動回路 1 0 0 4、あるいはこれに加えて表示情報処理回路 1 0 0 2を形成することができる。基板 1 3 0 4に搭載されない回路は、基板の外付け回路とされ、第 1 2図の場合には回路基板 1 3 0 8に搭載できる。

第 1 2図はページャの構成を示すものであるから、ガラス基板 1 3 0 4以外に回路基板 1 3 0 8が必要となるが、電子機器用の一部品として液晶表示装置が使用される場合であって、透明基板に表示駆動回路などが搭載される場合には、その液晶表示装置の最小単位は基板 1 3 0 4である。あるいは、基板 1 3 0 4を筐体としての金属フレーム 1 3 0 2に固定したものを、電子機器用の一部品である液晶装置として使用することもできる。さらに、バックライト式の場合には、金属製フレーム 1 3 0 2内に、基板 1 3 0 4と、ノックライト 1 3 0 6 aを備えたライ卜ガイド 1 3 0 6とを組み込んで、液晶表示装置を構成することができる。これらに代えて、第 1 3図に示すように、基板 1 304を構成する 2枚の透明基板 1 3 04 a , 1 3 04 bの一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミドテープ（フレキシブル基板） 1 3 2 2に I Cチップ 1 3 2 4を実装した T C P (T a p e C a r r i e r P a c k a e ) 1 3 2 0を接続して、電子機器用の一部品である液晶装置として使用することもできる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

実施例 1〜 1 2との関連では、液晶装置には第 1 0図の電源回路 1 0 1 0から種々の一定電位が供給されるものであり、実施例にて遮光膜や透明導電膜に印加される一定電位は、上記電源回路から、または駆動回路 1 004から供給されることになる。また、実施例にて説明されたように、遮光膜は共通電極やダミー電極に接続されるものであるが、共通電極ゃダミ一電極は、第 1 2図のテープ 1 3 1 8や第 1 3図のテープ 1 3 2 2により、一定電位の配線に接続される。

また、上側ガラス基板の外側面に形成した透明導電膜や金属膜に一定電位を印加する場合は、先に説明したように、金属製外枠となる第 1 2 図のフレーム 1 3 0 2に第 1 0図の電源回路 1 0 1 0から一定電位を与え、これを介して上側基板 1 304 aの透明導電膜や金属膜に一定電位を供給するようにすれば良い。

なお、以上の実施例では、 C r金属膜を用いたが、 C r以外の T a、 A l、 Auの他、 C rと N iや Cuとの合金の金属膜でも同様の効果があることを確認した。また、以上の実施例では透明導電膜には I T 0を用いたが、 S n0₂ などの透明導電膜でも構わない。さらに透明導電膜は全面に形成する必要はなく-、部分的な形成でも構わない。産業上の利用の可能性

以上のように、本発明にかかる液晶装置は、広視野角を有するァクテイブマトリックス型液晶装置であるので、パーソナルコンビユー夕、ヮークステーション等の表示装置として、さらにマルティメディア端末機器やテレビ等のモニターとして用いることができる。特に、静電気の発生しやすい環境、例えば電子機器の多いオフィス等の環境において、液晶装置を静電気から保護するのに適している。

Claims

請 —求の範囲

1 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光膜を形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加してなることを特徴とする液晶装置。

2 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位を印加してなることを特徴とする液晶装置。

3 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなることを特徴とする液品装置。

4 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信 -線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と ^行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を印加してなることを特徴とする液晶装置。

5 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 1記載の液晶装置。

6 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 2記載の液晶装置。

7 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記両像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段の口ジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 3記載の液晶装置。

8 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 4記載の液晶装置。

9 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板 hに、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該両像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜の電位をフローティング状態とすることを特徴とする液晶装置。

1 0 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜の電位をフローテイング状態とすることを特徴とする液晶装置。

1 1 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフローティング状態とすることを特徴とする液晶装置。

1 2 . 対の基板間に液品が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信 ^線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いた電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光膜を形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加する配線と、該配線を介して前記一定電位を供給する電源回路とを有してなることを特徴とする電子機器。

1 3 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位を印加してなるフレームと、該フレームを介して前記一定電位を供給する電源回路とを有してなることを特徴とする電子機器。

1 4 . 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜に定電位を印加してなる配線又はフレームと、該配線又はフレームを介して前記一定電位を供給する電源回路とを有してなることを特徴とする電子

1 5 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を印加してなる配線又はフレームと、該配線又はフレームを介して前記一定電位を供給する電源回路とを有してなることを特徴とする電子機器。

1 6 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 1 2記載の電子機器。

1 7 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 1 3記載の電子機器。

1 8 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段の口ジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 1 4記載の電子機器。

1 9 . 前記一定電位が、接地電位、前記共通電極と同電位、前記幽-像信号線に供給される画像信号の中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段の口ジック電位のいずれかであることを特徴とする請求項 1 5記載の電子機器。

2 0 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いた電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜の電位をフローティング状態とすることを特徴とする電子機器。

2 1 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたアクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いた電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成されてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とすることを特徴とする電子機器。

2 2 . —対の基板間に液晶が挟持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続されたァクティブ素子、該ァクティブ素子に接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成される液晶装置を用いた電子機器において、

前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面ヒに導電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフローティング状態とすることを特徴とする電子機器。