Verfahren zur Materialbearbeitunq mit Diodenstrahlung
Technisches Gebiet
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Materi- albearbeitung mit Diodenstrahlung, insbesondere Laserdioden¬ strahlung, bei dem Werkstücke geschweißt, geschnitten, ge¬ bohrt, gelötet und wärmebehandelt werden, jeweils unter Be¬ rücksichtigung der Werkstoffe der Werkstücke.
Stand der Technik
Es ist allgemein bekannt, Materialbearbeitung mit Laser¬ strahlung durchzuführen. Die Laserstrahlung wird von C02-, Eximer-, oder Nd-YAG-Lasern erzeugt, mit denen die erforder- liehen Intensitäten von mehr als 103 Watt/cm ohne weiteres er¬ reicht werden können. Nachteilig ist jedoch der geringe Wir¬ kungsgrad von <10% und die auf durchschnittlich ca. 10000 Stunden begrenzte Lebensdauer der Lasersysteme. Des weiteren ist die hohe thermische und mechanische Empfindlichkeit der Laser und deren damit verbundene arbeits- und kostenintensive Wartung nachteilig. Kühlleistung, Netzteilleistung und Raum für den Aufbau der Lasersysteme sind vergleichsweise groß.
Das Strahlprofil des Laserstrahls ist durch den Resona- tor des Lasers vorbestimmt. Es kann mit Fokussieroptiken, Zy-
linderspiegeln, Parabolspiegeln, Facettenspiegeln und Inte¬ gratoren verändert werden. Die Veränderung ist jedoch zeit- und kostenaufwendig. Eine Veränderung des Strahlprofils wäh¬ rend der Materialbearbeitung und insbesondere unter Berück- sichtigung des jeweiligen Bearbeitungsergebnisses ist derzeit nicht möglich.
Darstellung der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Materialbearbeitung mit Diodenstrahlung, insbesondere La¬ serdiodenstrahlung, so zu verbessern, daß eine Anpassung des Strahlprofils während der Materialbearbeitung problemlos mög¬ lich ist.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die von einer Vielzahl von Dioden emittierte Strahlung mit einem vorbe¬ stimmten Strahlprofil auf den Bearbeitungsbereich des Werk¬ stücks gerichtet wird, und daß eine Veränderung der Intensi- tätsverteilung im Strahlprofil durch Steuerung der Diodenaus¬ gangsleistung erfolgt.
Für die Erfindung ist zunächst von Bedeutung, daß zur Materialbearbeitung Diodenstrahlung eingesetzt wird, die von einer Vielzahl von Dioden herrührt. Die Strahlungsanteile der zur Bearbeitung eingesetzten Gesamtstrahlung können beein¬ flußt werden, indem die Dioden oder mehrere Dioden umfassende Diodeneinheiten angesteuert werden. Die Ansteuerung beein¬ flußt die Diodenausgangsleistung und damit die Intensität der Strahlung und auch deren Verteilung auf dem Werkstück. Die Ansteuerung kann in sehr kurzer Zeit erfolgen, beispielsweise in weniger als einer Millisekunde. Infolgedessen kann die Veränderung der Intensitätsverteilung im Strahlprofil während des Verfahrens bzw. on-line erfolgen. Hierdurch ist im Ver- gleich zu den herkömmlichen Lasern eine wichtige weitere Mög¬ lichkeit eröffnet, nämlich die Anpassung des Strahlprofils bzw. der Intensitätsverteilung auf dem Werkstück entsprechend den Anforderungen des Bearbeitungsprozesses.
Das vorbeschriebene Verfahren ist insbesondere für La¬ serdioden bestimmt, die sich gegenüber anderen lichtemittie¬ renden Dioden durch die Emission von Laserstrahlung auszeich¬ nen. Das Verfahren ist jedoch auch vorteilhaft einsetzbar, wenn die Eigenschaften der Laserstrahlung für die Materialbe¬ arbeitung nicht benötigt werden. Auch derartige Dioden bzw. Diodeneinheiten können unabhängig voneinander in ihrer Aus¬ gangsleistung verändert werden, so daß sich eine entspre¬ chende Änderung des Strahlprofils bzw. der Intensitätsvertei- lung der Strahlung auf dem Werkstück ergibt.
Eine Steuerung der Diodenausgangsleistung während des Verfahrens zur Materialbearbeitung ist vorteilhaft, wenn ein bestimmtes Verfahrensprofil vorgegeben ist, beispielsweise die Wärmebestrahlung eines transportierten Werkstücks mit un¬ terschiedlichen Strahlbreiten. In einem solchen Fall kann das Strahlprofil dem Verfahrensprofil entsprechend schablonenmä¬ ßig gesteuert werden. Eine Rückmeldung des Bearbeitungsergeb¬ nisses ist dann nicht erforderlich. Es wird aber auch eine Vielzahl von Verfahren zur Materialbearbeitung mit Dioden¬ strahlung geben, bei dem die Beeinflussung des Strahlprofils davon abhängt, wie sich die Bearbeitung auf dem Werkstück entwickelt. Ferner kann es notwendig sein, z.B. wegen nicht erfaßter Geometrie des Werkstücks, daß das Strahlprofil bzw. der Strahlfleck auf dem Werkstück überwacht wird. Eine solche Überwachung kann zur Regelung des Verfahrens herangezogen werden. Dieses wird daher vorteilhafterweise so durchgeführt, daß die durch das Strahlprofil bewirkte Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs während der Bestrahlung überwacht wird, und daß die Veränderung der Intensitätsverteilung ent¬ sprechend dem Überwachungsergebnis erfolgt. Das Überwachungs¬ ergebnis ist beispielsweise ein zweidimensionales Wärmebild der Werkstückoberfläche. Dieses kann durch Abscannen der Oberfläche des Werkstücks und Auswertung mit einem schnellen Pyrometer erfolgen, oder beispielsweise durch die Aufnahme des Bearbeitungsbereichs mit einem Detektorarray. Die Rege¬ lung kann real-time erfolgen.
Das Verfahren wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß die Vielzahl von Dioden zu mindestens einer Einheit zu-
sammengebaut ist und die Steuerung der Diodenausgangsleistung diodeneinheitenweise erfolgt . Dieses Verfahren ist insbeson¬ dere dann vorteilhaft, wenn die Vielzahl der Dioden zur Er¬ reichung einer hohen Leistungsdichte verwendet werden. Die einheitenweise Steuerung der Diodenausgangsleistung ermög¬ licht es dann, mit vergleichsweise geringerem Steuerungs¬ bzw. Regelaufwand auszukommen.
Das Verfahren wird so durchgeführt, daß die Diodenein- heiten mit optischen Kopplungsmitteln an Strahlführungsmittel angeschlossen werden, von denen aus die Diodenstrahlung auf die Bearbeitungsstelle fokussiert wird. Die Ausbildung der optischen Kopplungsmittel im Einzelnen richtet sich nach der Ausbildung und Anordnung der Dioden. Diese sind wegen ihrer im Vergleich zu Lasern größeren Abstrahlwinkel mit Kollima¬ torlinsen versehen, die Mikrolinsen für jede einzelne Laser¬ diode sein können, oder die für mehrere Laserdioden bestimmte zylindrische Kollimatorlinsen sein können. Die Ausbildung der Kopplungsmittel hängt auch von der Anordnung der einzelnen Laserdioden in einem Laserdiodenbarren und/oder in einem La- serdiodenwafer ab, sowie von der Ausbildung der Kühleinrich¬ tung für die Dioden. Insoweit und auch bezüglich der Ausbil¬ dung der Strahlführungsmittel wird im Einzelnen auf die deut¬ sche Patentanmeldung P 42 34 342.9 hingewiesen, deren Offen- barungsinhalt im Zusammenhang mit der hier vorliegenden Be¬ schreibung Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Das gilt insbesondere auch bezüglich der dort beschriebenen Fo¬ kussierungsmittel .
Die Diodenstrahlung wird dadurch von den Dioden zum Werkstück übertragen, daß als Strahlführungsmittel Lichtleit¬ fasern verwendet werden, die einzeln oder gruppenweise den Diodeneinheiten zugeordnet werden. Durch die Zuordnung der Lichtleitfasern zu den Dioden bzw. zu den Diodeneinheiten ei- nerseits und durch die Anordnung der Lichtleitfasern vor dem Werkstück kann das Strahlprofil bestimmt werden. Eine Vertei¬ lung der Lichtleitfasern über eine größere Fläche führt zu einer entsprechend großflächigen Bestrahlung des Werkstücks, was insbesondere damit verbunden werden kann, daß die Enden der Lichtleitfasern die Fokussierungsmittel bilden. Die
Lichtleitfasern können aber werkstückseitig auch so in Bezug auf z.B. eine Sammellinse angeordnet sein, daß mit dieser eine Fokussierung der Diodenstrahlen auf einen gemeinsamen Punkt als Bearbeitungsbereich erfolgt. Das erfindungsgemäße Verfahren wird also nicht nur bei flächenmäßiger Verteilung des Strahlprofils im Bearbeitungsbereich vorteilhaft einge¬ setzt, sondern auch bei dessen Konzentration auf einen klei¬ nen Fleck, z.B. beim keyhole-Schweißen.
Für das Verfahren ist es vorteilhaft, wenn das Strahl¬ profil mit einem Detektor ermittelt und das Meßergebnis des Detektors einer zentralen Steuereinheit zur Steuerung der Di¬ odenausgangsleistung zugeleitet wird. Der Detektor kann in seiner räumlichen Ausbildung dem jeweiligen Strahlprofil an- gepaßt sein, so daß sein Einsatzort frei wählbar ist, wobei das Meßergebnis des Detektors von einer an einer anderen Stelle befindlichen zentralen Steuereinheit verwertet wird.
Der Detektor kann aber auch unabhängig von der räumli- chen Ausbildung des Strahlprofils ausgebildet werden, indem ein im Strahlengang der Diodenstrahlung angeordneter teil¬ durchlässiger Spiegel einen Bruchteil der der Bearbeitungs¬ stelle zugeleiteten und/oder der von letzterer reflektierten Diodenstrahlung für den Detektor auskoppelt. In diesem Fall stört der teildurchlässige Spiegel in der Bahn der Dioden¬ strahlung nur wenig, vor allem, weil die von ihm ausgekop¬ pelte Leistung gering ist. Andererseits vermag er die räumli¬ che Verteilung der Strahlungsanteile der gesamten Dioden¬ strahlung geometrisch genau auszukoppeln, so daß er ein ent- sprechendes präzises Abbild des Strahlprofils liefert. Ent¬ sprechend genau ermittelt er von der Bearbeitungsstelle re¬ flektierte Diodenstrahlung.
Eine Überwachung des Bearbeitungsbereichs des Werkstücks kann aber auch dadurch erfolgen, daß ein teildurchlässiger Spiegel vom Bearbeitungsbereich herrührende Wärme- und/oder Plasmastrahlung aus dem Strahlengang der Diodenstrahlung aus¬ koppelt und einer Detektoreinheit für die Steuerung der Di¬ odenausgangsleistung über einen für die Diodenstrahlung un- durchlässigen Filter zuleitet. Der teildurchlässige Spiegel
koppelt Wärme- und/oder Plasmastrahlung aus dem Strahlengang der Diodenstrahlung aus und der Filter verhindert, daß zugleich ausgekoppelte reflektierte Diodenstrahlung das Me¬ ßergebnis verfälscht.
Von Vorteil ist es, wenn die Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs in zeitlich kurzen Abständen vollständig ermittelt und/oder vorbestimmte Bereichsorte vorbestimmten Diodeneinheiten zugeordnet werden. Die in zeitlich kurzen Ab- ständen erfolgende Ermittlung der Temperaturverteilung ermög¬ licht eine entsprechend kurzzeitige Einflußnahme auf die Di¬ odenausgangsleistung und damit auf das Strahlprofil. Die Zu¬ ordnung vorbestimmter Bereichsorte zu vorbestimmten Dioden¬ einheiten ermöglicht ein vereinfachtes Zuordnungsverfahren durch Schwerpunktbildung, was sich ebenfalls im Sinne einer Beschleunigung von Einstellungen, Anpassungen und Regelungen auswirkt. Für diese Ermittlungen kann eine Auswerteeinheit eingesetzt werden, die beispielsweise im Bereich einer zen¬ tralen Steuereinheit angeordnet ist.
Eine solche Auswerteeinheit kann auch dann eingesetzt werden, wenn das Verfahren so durchgeführt wird, daß bei der Ermittlung der Temperaturverteilung des Bearbeitungsbereichs auf der Bearbeitungsstelle erfolgende Überlappungen der von den Diodeneinheiten herrührenden Diodenstrahlungsanteile für eine gerichtete Zuordnung zwischen den Strahlungsanteilen und den Diodeneinheiten herangezogen werden. Die Auswerteeinheit erkennt Überlappungen, erkennt die diese Überlappungen erzeu¬ genden Diodenstrahlungsanteile bzw. die diese Anteile erzeu- genden Dioden oder Diodeneinheiten und ermöglicht dadurch die Steuerung der Ausgangsleistung der verantwortlichen Dioden oder Diodeneinheiten.
Das Verfahren kann des weiteren so durchgeführt werden, daß der das Strahlprofil ermittelnde oder von der Bearbei¬ tungsstelle reflektierte Diodenstrahlung erfassende Detektor unmittelbar in Strahlungsrichtung hinter den Diodeneinheiten und/oder die von der Bearbeitungsstelle emittierte Wärme- und/oder Plasmastrahlung erfassende Detektoreinheit in E is- sionsrichtung unmittelbar hinter einer Fokussiereinheit ange-
ordnet wird. Auf diese Weise werden zweckmäßig gruppierte
Baueinheiten erreicht und Beeinflussungen der Meßergebnisse weitgehend vermieden.
Die Diodenstrahlung kann vorteilhafterweise mit einem Faserbündel von Lichtleitfasern von einer Diodeneinheit zum Bearbeitungsbereich transportiert werden. Vorteilhaft ist, daß ein Lichtleitfaserbündel nur zu einem Teil der Führung der Diodenstrahlung zum Bearbeitungsbereich dient und zum an- deren Teil für die Weiterleitung der von dem Bearbeitungsbe¬ reich emittierten Wärme- und/oder Plasmastrahlung herangezo¬ gen wird. Es ergibt sich eine dementsprechend einfache Mög¬ lichkeit der Detektion des Wärmebildes bzw. der Temperatur¬ verteilung im Bearbeitungsbereich des Werkstücks durch Licht- leitfasern, welche die Diodenlaserstrahlung nicht zum Werk¬ stück übertragen, dafür aber in umgekehrter Richtung die Werkstückoberfläche auf einer entsprechenden Sensoreinheit abbilden, wobei also das Abbild der Werkstückoberfläche durch die Fokussieroptik hindurch ermittelt wird.
Um irgendwelche Beeinflussungen der die Diodenstrahlung zum Bearbeitungsbereich leitenden Lichtleitfasern durch der Abbildung des Bearbeitungsbereichs des Werkstücks dienende Lichtleitfasern zu vermeiden, wird das Verfahren so durchge- führt, daß der andere Teil des Lichtfaserbündels außen an dessen einem Teil angeordnet wird.
Vorteilhaft ist die Verwendung von Diodenstrahlung beim Umwandlungshärten metallener Werkstückbereiche oder beim lo- kalen Schmelzen mit einem vorbestimmten Temperaturprofil, un¬ abhängig von lokalen Besonderheiten. In beiden Bearbeitungs¬ fällen wird mit der Diodenstrahlung ein vorbestimmtes Tempe¬ raturprofil erzeugt, das unabhängig von der Oberflächenbe- schaffenheit des Bearbeitungsbereichs, unabhängig von der lo- kalen Absorption der Strahlung sowie unabhängig von der Werk- stückgeommetrie konstant gehalten bzw. gezielt geändert wer¬ den kann, in dem die Diodenausgangsleistung gesteuert wird.
Diodenstrahlung kann auch beim Umformen und Biegen eines Werkstücks eingesetzt werden, wobei die Temperaturverteilung
des Bearbeitungsbereichs und dessen jeweilige durch die Bear¬ beitung bestimmte Geometrie der Steuerung der Diodenausgangs¬ leistung dienen. Das Umformen und Biegen des Werkstücks er¬ folgt also unter Berücksichtigung des Verformungsvorgangs, wobei entsprechend mehr oder weniger Leistung zum Verformen eingesetzt wird, indem die Diodenausgangsleistung gesteuert wird.
Die Verwendung von Diodenstrahlung beim lokalen Erwärmen zur Änderung der Gefügestruktur, zur Verringerung von Eigen¬ spannungen, oder beim Schneiden von Werkstücken, insbesondere beim abbrandstabilisierten Laserstrahlbrennschneiden, jeweils unter Steuerung des Strahlprofils, wird jeweils durchgeführt, indem das Strahlprofil bzw. die Intensitätsverteilung der Di- odenstrahlung gesteuert wird, wobei auf die Rekristallisie- rungseigenschaften, die Eigenspannungsbildung bzw. die Sauer¬ stoffreaktion Rücksicht genommen werden kann. Insbesondere können beim Konturschneiden von kleinen Radien, Kanten oder Ecken Überreaktionen verursacht durch einen Wärmestau in Spitzen und auf der Innenseite von Rundungen vermieden wer¬ den.
Beim Schweißen von Werkstücken zum lokalen Vor- und Nachwärmen in der Nähe der Schweißstelle, insbesondere unter Steuerung des Strahlprofils kann vorteilhafterweise Dioden¬ strahlung verwendet werden. Das Vorwärmen findet in der Regel nur wenige Millimeter vor der Schweißstelle statt und ermög¬ licht eine Verringerung der einzukoppelnden Energie. Die Steuerung der Diodenausgangsleistung kann aber auch dazu be- nutzt werden, daß die Diodenstahlung den gesamten zu regeln¬ den Energieanteil beim Schweißen übernimmt, so daß der Haupt¬ schweißstrahl ungesteuert bleiben kann, zumindest aber mit erheblich verringertem Steuerungsaufwand auskommt. Beim Nach¬ wärmen kann die entstandene noch heiße Oberflächenraupe durch erneutes Anschmelzen bzw. langsameres Erstarren geglättet werden, wodurch Einbrandkerben oder Nahtüberhöhungen aus¬ zugleichen sind. Bei noch schmelzflüssiger Fügezone kann die Bildung von Schmelzbadinstabilitäten vermieden werden.
Diodenstrahlung kann vorteilhafterweise auch eingesetzt werden, um Verunreinigungen oder Beschichtungen von Werkstüc¬ ken lokal zu verdampfen, beispielsweise Zink, Lack, Wachs, Kunststoffe usw.
Diodenstrahlung kann auch verwendet werden, um ein Schmelzbad beim Schweißen lokal zu erwärmen, insbesondere im Bereich der Rückseite einer Dampfkapillaren. Oberflächenspan¬ nungen, welche aufgrund von Temperaturgradienten im Schmelz- bad hervorgerufen werden, werden abgebaut, so daß die Schmel¬ zebewegungen gleichmäßiger erfolgen und die Ausbildung von Humpingtropfen vermieden wird. Die Verwendung von Dioden¬ strahlen zusätzlich zur Laserstrahlung beim Schweißen ermög¬ licht durch die einfache Steuerung der Diodenausgangsleistung eine vorteilhafte Einflußnahme im Sinne einer Verbesserung des Schweißergebnisses.
Vorteilhaft ist weiterhin die Verwendung von Dioden¬ strahlung beim lokalen Erwärmen eines Werkstücks zur Unter- Stützung der spanabhebenden Werkstückbearbeitung. Die Erwär¬ mung dient insbesondere zum Unterstützen beim Drehen oder Fräsen, um höhere Standzeiten des Schneidwerkzeugs zu ermög¬ lichen und das Bearbeitungsergebnis zu verbessern.
Die Steuerung der Intensitätsverteilung von Diodenstrah¬ lung kann auch beim Löten von Werkstücken mit Steuerung der Diodenausgangsleistung zum Anschmelzen des Lotes und einer überhitzungsfreien Erwärmung der Werkstücke verwendet werden, wodurch die Benetzung der zu verbindenenden Teile ohne lokale Überhitzung und ohne Spritzerbildung durch Flußmittel er¬ reicht wird.
Kurze Beschreibunσ der Zeichnung
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung darge¬ stellten Ausführungsbeispielen erläutert. Es zeigt:
Fig.l eine blockschaltbildartige schematische Darstel lung einer Vorrichtung zur Materialberarbeitung mit Diodenstrahlung, und
Fig.2 eine der Fig.l ähnliche Darstellung mit abgeänder¬ ten Komponenten.
Weσe zum Verfahren gemäß der Erfindung
In Fig.l ist eine Diodeneinheit 12 dargestellt, die in physikalischer Ausführung aus einer Vielzahl einzelner Dioden oder aus einer Mehrzahl von Diodeneinheiten als Baugruppen besteht, die ihrerseits eine Vielzahl von Dioden aufweisen. Das ergibt sich insbesondere aus dem dargestellten Block 22 von Netzgeräten l,2...u, die für jeweils eine Diodeneinheit bestimmt und dementsprechend mit 12 verschaltet sind.
Von der Diodeneinheit 12 gelangt emittierte Strahlung dem Strahlengang 18 entsprechend mit Strahlführungsmitteln 13 zu einem Werkstück 11, wobei eine Fokussiereinheit 23 zwi¬ schengeschaltet ist, welche die Diodenstrahlung auf eine Be¬ arbeitungsstelle 14 des Bearbeitungsbereichs 10 des Werk- Stücks 11 fokussiert. Die Strahlführungsmittel 13 sind bei¬ spielsweise Lichtleitfasern 15 in Gestalt eines Faserbündels 20. Von diesen Lichtleitfasern 15 nimmt die Fokussiereinheit 23 die Diodenstrahlung auf, beispielsweise mit einer Sammel¬ linse.
Zwischen der Diodeneinheit 12 und den Strahlführungsmit- teln 13 ist ein Detektor 16 vorhanden, der das Strahlprofil der Diodenstrahlung ermittelt. Hierzu besitzt der Detektor 16 einen teildurchlässigen Spiegel 16', der einen geringen Bruchteil 24 der Diodenstrahlung auskoppelt. Dabei ist aus der schematischen Darstellung ersichtlich, daß die von den Diodeneinheiten herrührenden Diodenstrahlungsanteile 25 orts¬ getreu ausgekuppelt werden und so eine Bestimmung der flä¬ chenmäßigen Verteilung der Diodenstrahlungsanteile 25 bzw. eine Bestimmung des Strahlprofils gestatten. Des weiteren wird mit dem teildurchlässigen Spiegel 16' Diodenstrahlung ausgekoppelt, die vom Werkstück 11 reflektiert wird. Dieser Anteil der reflektierten Diodenstrahlung gelangt vom Werk¬ stück 11 über die Strahlführungsmittel 13 zu dem teildurch- lässigen Spiegel 16' des Detektors 16. Die von der Bearbei-
tungsstelle bzw. aus dem Bearbeitungsbereich 10 reflektierte
Diodenstrahlung 25 wird entsprechend ihrer örtlichen Vertei¬ lung ermittelt, so daß ein entsprechendes zweidimensionales Reflektionsbild des Bearbeitungsstelle bzw. des Berabeitungs- bereichs 10 entsteht. Der Detektor 16 ist seinen beiden De- tektionsergebnissen entsprechend jeweils mit einer zentralen Steuereinheit 17 verbunden, in der das Meßergebnis ausgewer¬ tet wird. Entsprechend der Auswertung steuert die Steuerein¬ heit 17 die Netzgeräte des Blocks 22 und damit die Ausgangs- leistung der Dioden bzw. der Diodeneinheiten 12. Da die De- tektion der Diodenstrahlung in zeitlich kurzen Abständen durchgeführt werden kann, ist eine entsprechend kurzzeitige bzw. on-line erfolgende Steuerung der Diodenausgangsleistung möglich.
In Fig.2 ist der Aufbau der Vorrichtung dahingehend mo¬ difiziert, daß anstelle eines Detektors eine Detektoreinheit 19 eingesetzt wird, die aus dem Bearbeitungsbereich 10 emit¬ tierte Wärme- und/oder Plasmastrahlung erfaßt. Die Einheit 19 ist mit der Fokussiereinheit 23 über einen Teil 21 des Faser¬ bündels 15 gekoppelt, wobei dieser Teil 21 außen an dem ande¬ ren Teil des Lichtleitfaserbündels 20 angeordnet ist, der ausschließlich zur Führung des Diodenstrahlung zum Bearbei¬ tungsbereich 10 dient.
Mit der Detektoreinheit 19, die in Emissionsrichtung un¬ mittelbar hinter der Fokussiereinheit 23 angeordnet sein kann, wird ein Wärmebild der Bearbeitungsstelle 14 bzw. des Bearbeitungsbereichs 10 ermittelt, welches beispielsweise durch die Anzahl und Zuordnung der Lichtleitfasern des Bün¬ delteils 21 zu jeweils unterschiedlichen Stellen des Bearbei¬ tungsbereichs 10 eine ortsaufgelöste Überwachung ermöglicht. Durch Kopplung der Detektoreinheit 19 an die zentrale Steuereinheit 17 wird das ermittelte Wärmebild ausgewertet und zur Ansteuerung der einzelnen Diodeneinheiten benutzt, so daß die Strahlungsverteilung so beeinflußt wird, daß das Werkstück in geeigneter Weise bearbeitet werden kann.