WO1993002342A1 - Sensor for force, acceleration and magnetism using piezoelectric devices - Google Patents

Sensor for force, acceleration and magnetism using piezoelectric devices Download PDF

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WO1993002342A1
WO1993002342A1 PCT/JP1992/000882 JP9200882W WO9302342A1 WO 1993002342 A1 WO1993002342 A1 WO 1993002342A1 JP 9200882 W JP9200882 W JP 9200882W WO 9302342 A1 WO9302342 A1 WO 9302342A1
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axis
potential
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PCT/JP1992/000882
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Kazuhiro Okada
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Kazuhiro Okada
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    • G01L5/16Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force
    • G01L5/167Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using piezoelectric means
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    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

Definitions

  • the present invention relates to a force / acceleration / magnetism sensor using a piezoelectric element, and more particularly to a sensor capable of detecting force, acceleration, and magnetism for each multidimensional component.
  • a sensor utilizing a change in capacitance between two electrodes or a piezoelectric element is sandwiched between two electrode plates.
  • An unstructured sensor is disclosed.
  • the gap between the two electrode plates is changed by the action of force, acceleration, magnetism, etc., and the change in the gap is caused by a change in the capacitance or a change in the amount of electric charge generated in the piezoelectric element. Is detected.
  • the gauge resistance and the piezoresistance coefficient have temperature dependence, in the sensor using the above-described semiconductor substrate, if the temperature of the environment in which the sensor is used fluctuates, the detection value includes an error. Therefore, it is necessary to perform temperature compensation in order to perform accurate measurements. In particular, when used in the field of automobiles and the like, temperature compensation is required over a rather wide operating temperature range of 140 ° C to 120 ° C.
  • Sensors utilizing the above-described change in capacitance have the advantage of low manufacturing cost, but have the drawback that signal processing is difficult because the formed capacitance is small, and they have been proposed in the past.
  • a sensor using a piezoelectric element has a problem in that manufacturing is difficult because the piezoelectric element needs to be interposed between electrodes.
  • the present invention enables high-precision detection without temperature compensation
  • Another object of the present invention is to provide a force, acceleration, and magnetic sensor that can be easily manufactured. Disclosure of the invention
  • the first invention of the present application is a force sensor using a piezoelectric element
  • the origin is defined at one point in the flexible substrate, the X axis is defined in a direction passing through the origin and parallel to the substrate surface, and two of the four detectors prepared are X On the positive side of the axis, the other two sets are arranged on the negative side, each along the X axis, and one electrode of each detector is fixed to the substrate,
  • the action body occurs force is obtained so as to detect on the basis of charges produced in respective electrodes of four sets of detectors c
  • the second invention of the present application is the force sensor according to the first invention, wherein the relationship between the inside (origin side) and the outside (peripheral side) of the substrate is reversed, and To the surrounding area on the outside of the board, and the vicinity of the origin is It is fixed to the body.
  • the third aspect of the present application relates to a force sensor using a piezoelectric element
  • Four sets of detectors comprising a plate-shaped piezoelectric element, an upper electrode formed on the upper surface of the piezoelectric element, and a lower electrode formed on the lower surface of the piezoelectric element are prepared.
  • the origin is defined at one point in the flexible board, the X axis passes through this origin and is parallel to the board surface, and the Z axis passes through the origin and is perpendicular to the board surface.
  • the first detector is outside the substrate in the negative region of the X-axis
  • the second detector is inside the substrate in the negative region of the X-axis
  • the third detector is Detectors are arranged inside the substrate in the X-axis positive region
  • the fourth detector is arranged outside the substrate in the X-axis positive region along the X-axis.
  • One electrode of each detector is placed on the substrate Fixed
  • the potential of the other electrode with respect to the electrode fixed to the substrate is determined, and
  • the fourth invention of the present application is the force sensor according to the third invention, wherein the relationship between the inside (origin side) and the outside (peripheral side) of the substrate is reversed, and Is transmitted to the surrounding area outside the substrate, and the vicinity of the origin is fixed to the sensor housing.
  • the fifth invention of the present application is a force sensor using a piezoelectric element
  • Eight sets of detectors comprising a plate-shaped piezoelectric element, an upper electrode formed on the upper surface of the piezoelectric element, and a lower electrode formed on the lower surface of the piezoelectric element;
  • the origin is defined at one point in the flexible board, the X axis passes through this origin and is parallel to the board surface, and the X axis is orthogonal to the X axis at the origin and parallel to the board surface Y
  • the axis and the Z axis in a direction passing through the origin and perpendicular to the board surface, respectively.
  • the first detector is outside the substrate in the negative region of the X axis
  • the second detector is inside the substrate in the negative region of the X axis
  • the third detector is X
  • a fourth detector is arranged along the X axis inside the substrate in the positive region of the axis and outside the substrate in the positive region of X $, and one electrode of each of these detectors — —
  • the fifth detector is outside the substrate in the negative region of the Y-axis
  • the sixth detector is inside the substrate in the negative region of the Y-axis
  • the seventh detector is Y Eighth detectors are arranged along the Y-axis inside the substrate in the positive region of the axis and outside the substrate in the positive region of the Y-axis, and one electrode of each of these detectors is fixed to the substrate.
  • the potential of the other electrode with respect to the electrode fixed to the substrate is determined, and
  • the potential at the fourth detector Based on the difference between the sum of the potential at the first detector and the potential at the fourth detector, and the sum of the potential at the second detector and the potential at the third detector, or The potential at the fifth detector and the potential at the eighth detector Or the potential at the first detector, the potential at the fourth detector based on the difference between the sum of the potentials at the sixth detector and the potential at the seventh detector.
  • the sum of the potential at the fifth detector, the potential at the eighth detector, the potential at the second detector, the potential at the third detector, the potential at the sixth detector, and the seventh is obtained to detect the Z-axis direction of a force generated in the working body on the basis of the difference, the sum of the potential of the detector (
  • the sixth invention of the present application is the force sensor according to the fifth invention, wherein the relationship between the inside (origin side) and the outside (peripheral side) of the substrate is reversed, and Is transmitted to the surrounding area outside the substrate, and the vicinity of the origin is fixed to the sensor housing ⁇ :.
  • the origin at one point in the flexible substrate pass through this origin and parallel to the substrate surface, X-axis in a direction parallel to the substrate, and direction perpendicular to the X-axis at the origin and parallel to the substrate surface
  • the Y axis, the Z axis in the direction passing through the origin and perpendicular to the board surface, and the W axis in the direction that intersects the X, Y, and Z axes at the origin and parallel to the board surface
  • the first detector is outside the substrate in the negative region of the X-axis
  • the second detector is inside the substrate in the negative region of the X-axis
  • the third detector is X
  • a fourth detector is arranged inside the substrate in the positive region of the axis and outside the substrate in the positive region of the X axis along the X axis, and one electrode of each of these detectors is fixed to the substrate.
  • the fifth detector is outside the substrate in the negative region of the Y-axis
  • the sixth detector is inside the substrate in the negative region of the Y-axis
  • the seventh detector is ⁇ .
  • the 8th detector is arranged inside the substrate in the positive region of $ ⁇ &, along the ⁇ axis, outside the substrate in the ⁇ axis positive region, and one electrode of each of these detectors is fixed to the substrate.
  • the ninth detector was placed outside the substrate in the negative region of the W axis, the 1st detector was placed inside the substrate in the negative region of the W axis, and the first detector was placed
  • the first and second detectors are arranged inside the substrate in the positive region of the W-axis and outside the substrate in the positive region of the W-axis, respectively, along the W-axis.
  • One electrode of each of these detectors To the board,
  • the potential of the other electrode with respect to the electrode fixed to the substrate is determined, and
  • the eighth invention of the present application is the force sensor according to the seventh invention, wherein the relationship between the inside (origin side) and the outside (peripheral side) of the substrate is reversed, and the force generated by the acting body is obtained. Is transmitted to the surrounding area outside the substrate, and the vicinity of the origin is fixed to the sensor housing.
  • the ninth to fourteenth inventions of the present application are directed to the force sensor according to the third to eighth inventions described above, wherein predetermined electrodes of each detector are connected to each other to form a plurality of detection terminals. The force is detected by the voltage between the detection terminals.
  • a piezoelectric element including a single substrate is commonly used by a plurality of detectors.
  • acceleration can be detected by generating a force on an operating body based on an externally applied acceleration.
  • the seventeenth invention of the present application is the above-mentioned force sensor, wherein the operating body is made of a magnetic material, and a magnetic force can be detected by generating a force in the operating body based on externally applied magnetism. It was made.
  • the force sensor In the force sensor according to the present invention, four sets of detectors are arranged along the X axis defined on the flexible substrate. These detectors have one electrode fixed to a substrate.
  • the outer side (peripheral side) of the board is fixed to the sensor housing, and a force is applied to the inner side (origin side), or conversely, the inner side (origin side) of the board is fixed to the sensor housing, and the outer side (peripheral side).
  • the substrate By exerting a force on the (partial side), the substrate is bent, and this radius is transmitted to the piezoelectric element of each detector. For this reason, a charge corresponding to the position where the detector is arranged is generated between both electrodes of each detector.
  • the X-axis and the ⁇ -axis parallel to the board surface, and arranging four detectors on each of these axes, for a total of eight detectors, It becomes possible to detect the force component of 3, X, Y, ⁇ . If the detection of the ⁇ axis is to be performed independently, four more detectors may be added, and a total of 12 detectors may be arranged.
  • FIG. 1 is a top view of an acceleration sensor according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side sectional view of the acceleration sensor shown in FIG. 1 cut along the X axis.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing a state where a force F X in the X-axis direction is applied to the center of gravity G of the operating body 5 in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 4 is a side cross-sectional view showing a state when a ⁇ axial force F ⁇ is applied to the center of gravity G of the acting body 50 in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIGS. 5A and 5B are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting the force F X in the X-axis direction in the acceleration sensor shown in FIG.
  • Figure 6 illustrates the operation of the circuits shown in Figures 5a and 5b It is 33 ⁇ 4.
  • FIG. 7A and 7B are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting a force Fy in the Y-axis direction in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 8 is a table illustrating the operation of the circuits shown in FIGS. 7A and 7B.
  • FIGS. 9A and 9B are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting a force Fz in the Z ⁇ ⁇ direction in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 10 is a table describing the operation of the circuits shown in FIGS. 9a and 9b.
  • Fig. 11a and Fig. 11 b show the detection circuit that enables the acceleration sensor shown in Fig. 1 to share the detection of the force FX in the X ⁇ direction and the detection of the force Fz in the Z-axis direction. It is a figure. '
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing another detection circuit for detecting the force Fz in the Z-axis direction in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing still another detection circuit for detecting the force Fz in the Z-axis direction in the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 14 is a side sectional view of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention, and shows only a sectional portion.
  • FIG. 15 is a top view of the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 16 is a top view showing an embodiment of an acceleration sensor configured using only one disk-shaped piezoelectric element.
  • FIG. 17 is a side sectional view of an acceleration sensor according to still another embodiment of the present invention, and shows only a section.
  • FIG. 18 is a top view of an acceleration sensor according to one embodiment of the present invention using 16 detectors.
  • FIG. 19 is a side sectional view of the acceleration sensor according to one embodiment of the present invention in which the inside of the substrate is fixed.
  • FIG. 20 is a circuit diagram showing another detection circuit used for the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 21 is a circuit diagram showing a detection circuit for the Z-axis direction used in the acceleration sensor shown in FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the present invention will be described based on an embodiment illustrated in the drawings.
  • the present invention can be applied to any of a force sensor, an acceleration sensor, and a magnetic sensor.
  • an example applied to an acceleration sensor will be described.
  • FIG. 1 is a top view of an acceleration sensor according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a side sectional view thereof.
  • This sensor has a flexible disk-shaped substrate 10.
  • the XYZ three-dimensional coordinate system is defined by taking the X, Y, and Z axes in the direction of the arrows in the figure.
  • the XY plane is a plane parallel to the substrate surface of the substrate 10, and the Z axis is an axis perpendicular to the plane.
  • FIG. 2 corresponds to a cross section of the sensor shown in FIG. 1 cut along the X-axis.
  • fan-shaped piezoelectric elements 21, 22, 23, 24 are arranged on the upper surface of the substrate 10 so as to surround the origin 0.
  • the upper electrode is formed two each. That is, the upper electrodes 31 and 32 are on the upper surface of the piezoelectric element 21, the upper electrodes 33 and 34 are on the upper surface of the piezoelectric element 23, and the upper electrodes 35 and 34 are on the upper surface of the piezoelectric element 22. 36, and upper electrodes 37, 38 are formed on the upper surface of the piezoelectric element 24, respectively.
  • lower electrodes 41 to 48 having the same shape as the upper electrodes 31 to 38 are formed on the lower surface of each piezoelectric element. I have.
  • the upper electrodes 31 to 38 and the lower electrodes 41 to 48 face each other with the piezoelectric element interposed therebetween. This is clearly shown in the side sectional view of FIG.
  • An operating body 50 is joined to the lower surface of the base 10.
  • the acting body 50 is a column-shaped weight body, and has a function of generating a force based on the applied acceleration and transmitting the force to the vicinity of the origin 0 of the substrate 10.
  • the peripheral portion of the substrate 10 is fixedly supported by the sensor housing 60.
  • the part is called the outside, and the neighborhood near the origin O c is called the inside.
  • the outside of the disc-shaped substrate 10 is fixed by the sensor housing 60, and the inside is free.
  • the substrate 10 may be made of any material as long as it is a flexible substrate. It may be made of an insulator such as glass, ceramics, or resin, or may be made of a conductor such as metal. However, when a conductor is used, an insulating layer must be formed on the upper surface of the substrate 1 to make the lower electrodes 41 to 48 electrically independent from each other.
  • an insulator such as glass, ceramics, or resin
  • an insulating layer must be formed on the upper surface of the substrate 1 to make the lower electrodes 41 to 48 electrically independent from each other.
  • piezoelectric ceramics are used as the piezoelectric elements 21 to 24.
  • the electrodes 31 to 38 and 41 to 48 may be made of any material as long as it is a conductor.
  • any substance can be used as the substance 5 ⁇ as long as it functions as a weight body, but a sufficient mass is necessary to increase the detection sensitivity.
  • this embodiment to use a dense material and also forms the substrate 1 0 and the working body 5 0 as a separate body which is a Yichun flights for explaining a function of each Yes, in practice, the substrate 10 and the working body 5 ° may be formed integrally using the same material.
  • the manufacturing process for this sensor is very simple.
  • the electrodes 31 to 38 and 41 to 48 are formed on both sides of the four fan-shaped piezoelectric elements 21 to 24 (for example, by depositing metal. It suffices to arrange this sandwiched element at a predetermined position on the substrate 10 and fix the lower surfaces of the lower electrodes 41 to 48 to the upper surface of the substrate 10 with an adhesive or the like.
  • the lower electrodes 41 to 48 may be formed on the substrate 10, the piezoelectric ceramic may be formed thereon by sintering, and the upper electrodes 31 to 38 may be formed thereon.
  • this structure can be understood as follows.
  • An element composed of a plate-shaped piezoelectric element, an upper electrode formed on the upper surface of the piezoelectric element, and a lower electrode formed on the lower surface of the piezoelectric element is referred to as a “one set of detectors”. I will call it. Then, it can be said that the sensor of this embodiment has eight sets of detectors arranged on the substrate 10.
  • the first detector D 1 composed of the piezoelectric element 21 and the electrodes 31 and 41, the piezoelectric element 21 and the electrode 32,
  • the second detector D2 composed of 42, the piezoelectric element 23, the electrodes 33 and 43, the third detector D3 composed of the piezoelectric element 23 and the electrodes 34 and 44
  • the fourth detector D 4 is arranged in this order.
  • the fifth detector D5 composed of the piezoelectric element 22, the electrodes 35, 45, and the piezoelectric element 22, and the electrodes 36, 46
  • the eighth detector D 8 which is constituted by 48, is arranged in this order.
  • a force Fz in the Z-axis direction acts on the center of gravity G of the acting body 50. Due to this force Fz, as shown in FIG. 4, the origin 0 is pulled downward in the figure, and the substrate 10 is bent as shown in the figure.
  • the deformation of the piezoelectric element due to the bending generates a charge having a polarity as shown in FIG. 4 at each electrode. That is, positive charges are generated at the electrodes 31, 42, 43, and 34, and negative charges are generated at the electrodes 41, 32, 33, and 44.
  • FIGS. 5A and 5B are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting the force F X in the X-axis direction.
  • D1 to D4 indicate the respective detectors arranged on the X axis
  • the circuit diagram shows the wiring for the upper electrode and the lower electrode of each detector.
  • the X-axis force F x ie, the X-axis acceleration
  • V x the voltage between terminals A x and B x.
  • Fig. 6 is a table showing the polarities of the charges generated at each electrode when the forces FX, Fy, Fz act on the actuator 50 in the respective axial directions. It is.
  • the polarity code in the column of F x in this table corresponds to the code shown in each electrode shown in Fig. 3, and the code of the electrode described in the electrode column E is arranged in the order of the circuit diagram in Fig. 5a. .
  • ⁇ of FX in this table in the circuit diagrams of Figs. 5a and 5b, a negative charge is generated on the electrode on the terminal AX side of each detector, and a negative charge is generated on the electrode on the terminal BX side. It can be seen that a positive charge is generated.
  • FIGS. 7A and 7B are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting the force F y in the Y-axis direction.
  • D5 to D8 indicate the respective detectors arranged on the Y axis
  • the circuit diagram shows the wiring for the upper electrode and the lower electrode of each detector.
  • the Y-axis force F y ie, the Y-axis acceleration
  • FIG. 8 is a table showing the polarities of the electric charges generated in the respective electrodes when the forces Fx, Fy, Fz in the respective axial directions act on the acting body 5Q.
  • the reference numerals of the electrodes described in the electrode column are arranged in the order of the circuit diagram of FIG.
  • FIGS. 9a and 9b are circuit diagrams showing a detection circuit for detecting the force Fz in the Z-axis direction.
  • D1 to D4 indicate the respective detectors arranged on the X-axis, and in the circuit diagram, wiring for the upper electrode and the lower electrode of each of the detectors is shown.
  • the Z-axis force F z ie, the Z-axis acceleration
  • Figure 10 shows that the forces F X, F y,
  • FIG. 6 is a table showing polarities of electric charges generated in each electrode when Fz acts.
  • the reference numerals of the electrodes described in the electrode column are arranged in the order of the circuit diagram of FIG. 9A. From this table, it can be seen that the voltage V z is a fit determined only by the magnitude and direction of the force F z in the Z-axis direction. As a result, when a three-dimensional force F acts on the acting body 50, only the Z-axis component Fz is detected as the voltage VZ, and the detected value is the X-axis component. --
  • the force F x in the X-axis direction and the force F z in the Z-axis direction can be detected by the four detectors D 1 to D 4 arranged along the X-axis direction, and along the Y-axis direction.
  • the force F y in the Y-axis direction can be detected by the four detectors D 5 to D 8 arranged.
  • the detectors D1 to D4 are used for both the detection in the X-axis direction and the detection in the Z-axis direction. Circuits that enable such sharing are shown in Figures 11a and 11b. The circuit in Fig.
  • 11a constitutes a switching circuit using four switches S1 to S4, and the component in the ⁇ $ ⁇ direction is between the common terminal AXz and the X-axis terminal Bx.
  • the voltage is detected by the voltage Vx
  • the component in the Z-axis direction is detected by the voltage Vz between the common terminal AXz and the Z-axis terminal Bz.
  • Switches S 1 and S 2 are interlocked, so that if one becomes 0 N, the other becomes 0 FF.
  • switches S3 and S4 are interlocked, and if one becomes 0N, the other becomes 0FF.
  • switch S1 is ON
  • switch S2 is OFF
  • switch 53 is 0, and switch S4 is ON, this circuit will be as shown in Figure 5a.
  • the detection of the force Fz in the Z-axis direction can be performed by using detectors D5 to D8 instead of the detectors D1 to D4.
  • the detectors D5 to D8 are shared for detection in the Y-axis direction and detection in the Z-axis direction.
  • the force Fz in the Z-axis direction may be detected using all of 1 to D8.
  • a detection circuit as shown in FIG. 12 or FIG. 13 may be assembled.
  • Piezoelectric elements have the property of generating electric charges between electrodes in response to rapid temperature changes, and are elements that exhibit the so-called Pi-mouth effect (see the above-cited reference FIG. 16).
  • the detection values in the X, Y, and Z axis directions are calculated based on the voltage differences obtained by the respective detectors, so that the effects of temperature are offset. Become. Therefore, it is not necessary to add a circuit for temperature compensation.
  • FIG. 15 is a top view thereof.
  • a cross section of the sensor shown in FIG. 15 cut along the X axis corresponds to FIG. Note that, in the side sectional view of FIG. 14, only the cross section is shown to avoid complication of the figure.
  • the difference from the sensors shown in FIGS. 1 and 2 is that an independent piezoelectric element is provided for each detector. That is, in the sensors shown in FIGS. 1 and 2, the common piezoelectric element 21 is used for the detectors D 1 and D 2, and the common piezoelectric element 23 is used for the detectors D 3 and D 4.
  • the common piezoelectric element 22 is used for the detectors D 5 and D 6, and the detector! )
  • a common piezoelectric element 24 was used for 7 and D8.
  • eight piezoelectric elements 21a, 21b, 22a, 22b, 23a, 23b, 24a, 24b Is provided so that each of the detectors D1 to D8 is constituted by physically completely independent parts.
  • the piezoelectric element may theoretically be common between the detectors.
  • the voltage inside the piezoelectric element is --
  • FIG. 17 is a side sectional view showing still another structure of the acceleration sensor according to the present invention. Also in this side sectional view, only the cross section is shown to avoid complication of the figure.
  • the detector is arranged on the upper surface of the substrate 10. In this embodiment, the detector is arranged on the lower surface of the substrate 10.
  • the sensor according to the present invention in short, if four detectors D1 to D4 can be arranged along the X axis and four detectors D5 to D8 can be arranged along the Y axis, Either force can be placed on the upper surface or 10 on the lower surface.
  • Some detectors may be arranged on the upper surface, and some detectors may be arranged on the lower surface so as to be vertically disturbed, or may be arranged on both upper and lower surfaces. However, in order to perform correct detection, it is necessary to consider the polarity of the charge generated at each electrode and to make the wiring between the electrodes appropriate.
  • the three-dimensional axial components are detected using eight sets of detectors, but the same detection may be performed using a larger number of detectors.
  • the embodiment shown in the top view in FIG. 18 is an example using 16 sets of detectors D1 to D16.
  • detectors D1 to D8 are the detectors shown in FIG.
  • the detector D1 to D4 is strong along the X axis
  • D 8 are arranged respectively.
  • a W1 axis having an angle of 45 ° with respect to the X axis and a W2 axis having an angle of 135 ° are defined, and the W1 axis is defined as the W1 axis.
  • the detectors D9 to D12 are arranged along the line, and the detectors D13 to D16 are arranged along the line W2 $.
  • the detectors D1 to D4 detect the force in the X-axis direction
  • the detectors D5 to D8 detect the force in the Y-axis direction
  • the detectors D9 to D12 the force in the Z-axis direction
  • the force in the Z-axis direction can be detected by the detectors D13 to D16 or the detectors D9 to D16. Therefore, detection of forces in the X, Y, and Z directions can be performed by completely independent and separate detectors.
  • detection can be performed using a detector arranged along any axis parallel to the substrate surface.
  • the piezoelectric element used here may be constituted by a single substrate 25 as shown in FIG. In each of the embodiments described so far, the outer peripheral portion of the substrate 10 is fixed to the sensor housing, and the operating body 50 is formed near the inner origin 0. It is also possible to completely reverse the relationship with the outside. That is, as in the embodiment shown in the side sectional view of FIG.
  • the operating body 50 near the origin 0 inside the substrate 10 (here, the function as the operating body is lost, and May be fixed to the sensor housing 61, and a new acting body 51 may be formed on the outer peripheral portion of the substrate 10.
  • the acting body 51 is a ring-shaped weight body attached along the outer periphery of the disk-shaped substrate 10. In such a configuration, the inner side of the substrate 1 ⁇ is fixed, and the force that acts on the outer side ⁇ , and the substrate 10 is still bent based on the applied force, as described above. In any of the embodiments, a structure in which the inside and outside of the substrate are reversed can be applied.
  • the charge generated based on the force is converted into a potential in consideration of the sign. That is, the potential of the other electrode with respect to the electrode fixed to the substrate (the lower electrodes 41 to 48 in the example of FIG. 1) is defined as the potential of the detector. In other words, when the electrode fixed to the substrate is grounded, the other electrode Is the potential at the detector.
  • the electrodes 41 and 43 fixed to the substrate are connected to the terminal AX side, and the detectors D 1 and D 3 are connected to the terminals AX.
  • the electrodes 42 and 44 fixed to the substrate are connected to the terminal BX. That is, detectors Dl and D3 and detectors D2 and D4 are connected in opposite directions.
  • the difference between the sum of the potential at detector D1 and the potential at detector D3 and the sum of the potential at detector D2 and the potential at detector D4 is the voltage appearing between terminals AX and BX. It turns out that it is VX. That is, if the potentials obtained by the detectors D l, D 2, D 3, and D 4 are VI, V 2, V 3, and V 4, respectively,
  • V X (V 1 + V 3) one (V 2 + V 4). Therefore, as shown in FIG. 20, these voltages V I, V 2,
  • the voltage VX can be obtained as the output of the differential amplifier API.
  • the electrodes 45 and 47 fixed to the substrate are connected to the terminal Ay side, and the detection is performed.
  • the electrodes 46 and 48 fixed to the substrate are connected to the terminal By side. That is, detectors D 5 and D 7 are connected in the opposite direction to detectors D 6 and D 8 It will be.
  • the difference between the sum of the potential at the detector D5 and the potential at the detector D7 and the sum of the potential at the detector D6 and the potential at the detector D8 is the terminal Ay, B It can be seen that the voltage Vy appears between y.
  • the electrodes 41 and 44 fixed to the substrate are connected to the terminal Az side, and As for D2 and D3, it can be seen that the electrodes 42 and 43 fixed to the substrate are connected to the terminal Bz side. That is, the detectors D l and D 4 and the detectors D 2 and D 3 are connected in opposite directions.
  • the difference between the sum of the potential at the detector D1 and the potential at the detector D4 and the sum of the potential at the detector D2 and the potential at the detector D3 is the terminals Az, B It can be seen that the voltage Vz appears between z.
  • V z (VI + V 4) one (V 2 + V 3 ). Therefore, As shown in FIG. 20, the voltage Vz can be obtained as the output of the differential amplifier AP2 by using the voltage detectors 81, 82, 83, and 84.
  • the voltage V z can be detected by the circuit shown in FIG. That is, the potentials V9 to V16 at the detectors D9 to D16 are detected by the voltage detectors 91 to 98, and the voltage Vz can be obtained as the output of the differential amplifier AP4. .
  • the differential amplifier AP2 shown in FIG. 20 is not required, and the X-, Y-, and Z-axis components can be detected by completely independent circuits.
  • only four of the potentials V 9 to V 12 using all of the potentials V 9 to V 16 or the potentials of the potentials V 13 to V 16 are used. You may use only four. However, in order to perform accurate measurement, it is preferable to use all of the potentials V9 to V16.
  • the present invention has been described based on some embodiments. ⁇ The present invention is not limited to only these embodiments, and can be implemented in various other modes. For example, in the above embodiment, eight or sixteen sets of detectors are used to detect three-dimensional acceleration in each axial direction component, but two-dimensional each is detected using only four sets of detectors. It is also possible to detect the acceleration of the axial component. for example One by one
  • the detectors D1 to D4 it is possible to detect the X-axis direction component and the Z-axis direction component.
  • the present invention is applied to an acceleration sensor.
  • the present invention is also applicable to a force sensor and a magnetic sensor.
  • a contact may be extended from the working body 50, and an external force may be transmitted to the substrate 10 by the contact.
  • the actuator 50 is made of a magnetic material such as iron, cobalt, or nickel if it is used as a magnetic sensor, magnetism is detected indirectly by detecting the force generated by the action of magnetism. It is possible.
  • a plurality of detectors each composed of a plate-shaped piezoelectric element and a pair of electrodes formed on both sides of the piezoelectric element are prepared, and a predetermined This detector is placed at the position, and the applied force, acceleration, and magnetism are detected based on the voltage value generated between each electrode.
  • This enables high-precision detection without temperature compensation, and also enables manufacturing. The process is also easier.
  • Industrial applicability A sensor using a piezoelectric element according to the present invention can be used as a force, acceleration, or magnetic sensor, and can detect these physical quantities for each three-dimensional component. it can. Therefore, it can be widely used in automobiles and industrial robots to detect pressure, acceleration, and magnetism in each part. In particular, if it is used as an acceleration sensor mounted on a car tower, it can accurately detect the impact of a frontal collision or a side collision for each axial component, and can be used in an airbag system.

Description

明 細
圧電素子を用いた力 ·加速度♦磁気のセンサ
本発明は、 圧電素子を用いた力 ·加速度♦ 磁気のセン サ、 特に、 多次元の各成分ごとに力、 加速度、 磁気を検 出することのできるセンサに関分する。
野 背 景 技 術
自動車産業や機械産業などでは、 力、 加速度、 磁気と いつた物理量を正確に検出できるセンサの需要が高まつ ている。 特に、 二次元あるいは三次元の各成分ごとにこ れらの物理量を検出しうる小型のセンサが望まれている このような需要に応えるため、 シリ コ ンなどの半導体 基板にゲ一ジ抵抗を形成し、 外部から加わる力に基づい て基板に生じる機械的な歪みを、 ピエゾ抵抗効果を利用 して電気信号に変換する力センサが提案されている。 こ の力センサの検出部に、 重錘体を取り付ければ、 重錘体 に加わる加速度を力と して検出する加速度センサが実現 でき、 磁性体を取り付ければ、 磁性体に作用する磁気を 力と して検出する磁気センサが実現できる。 たとえば、 特許協力条約に基づく 国際公開第 W O 8 8 / 0 8 5 2 1 号公報や同第 W O 8 9 / 0 2 5 8 7号公報には、 上述の 原理に基づく センサが開示されている。
また、 特願平 2— 2 7 4 2 9 9号明細書には、 2枚の 電極扳間の静電容量の変化を利用したセ'ンサや、 2枚の 電極板間に圧電素子を挟んだ構造のセンサが開示されて いる。 これらのセンサでは、 力、 加速度、 磁気などの作 用により、 2枚の電極板の間隔に変化を生じさせ、 この 間隔の変化を静電容量の変化、 あるいは圧電素子に発生 する電荷量の変化として検出するものである。
一般に、 ゲージ抵抗やピエゾ抵抗係数には温度依存性 があるため、 上述した半導体基板を用いたセンサでは、 使用する環境の温度に変動が生じると検出値が誤差を含 むようになる。 したがって、 正確な測定を行うためには、 温度捕償を行う必要がある。 特に、 自動車などの分野で 用いる場合、 一 4 0 °C〜十 1 2 0 °Cというかなり広い動 作温度範囲について温度捕償が必要になる。
また、 上述した静電容量の変化を利用したセンサは、 製造コス トが安価であるという利点はあるが、 形成され る静電容量が小さいため、 信号処理がむずかしいという 欠点があり、 従来提案されている圧電素子を利用したセ ンサは、 圧電素子を電極間に挟む必要があるため、 製造 上困難を伴うという問題がある。
そこで本発明は、 温度捕償なしに高精度な検出が可能 であり、 しかも製造プロセスが容易な力、 加速度、 磁気 のセンサを提供することを目的とする。 発 明 .の 開 示
(1 ) 本願第 1の発明は、 圧電素子を用いた力センサ において、
板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形成された 上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 と、 によって構成される検出子を 4組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を定義し、 用意 した 4組の検出子のうちの 2組を X軸の正の側に、 他の 2組を負の側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極を基板に固定し、
基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 原 点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
この作用体に発生した力を、 4組の検出子の各電極に 発生する電荷に基づいて検出するようにしたものである c
(2) 本願第 2の発明は、 上述の第 1の発明に係る力 センサにおいて、 基板の内側 (原点側) と外側 (周囲部 分側) との関係を逆にし、 作用体で発生した力を基板外 側の周囲部分に伝達するようにし、 原点近傍をセンサ筐 体に固定したものである。
(3) 本願第 3の 明は、 圧電素子を用いた力センサ において、
板状の圧電素子と、 この.圧電素子の上面に形成された 上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 と、 によって構成される検出子を 4組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を、 原点を通り かつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それぞれ定義し、 用 意した 4組の検出子のうち、 第 1の検出子を X軸の負領 域の基板外側に、 第 2の検出子を X軸の負領域の基板内 側に、 第 3の検出子を X軸の正領域の基板内側に、 第 4 の検出子を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に 沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極を基板に固 定し、
基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 原 点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
各検出子において、 基板に固定された電極に対するも う一方の電極の電位を求め、
第 1の検出子における電位と第 3の検出子における電 位との和と、 第 2の検出子における電位と第 4の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した X軸方向の力を検出し、 第 1の検出子における電位と第 4の検出子における電 位との和と、 第 2の検出子における電位と第 3の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した Z軸方向の力を検出するようにしたものである。
(4) 本願第 4の発明は、 上述の第 3の発明に係る力 センサにおいて、 基板の内側 (原点側) と外側 (周囲部 分側) との関係を逆にし、 作用休で発生した力を基板外 側の周囲部分に伝達するようにし、 原点近傍をセンサ筐 体に固定したものである。
(5) 本願第 5の発明は、 圧電素子を用いた力センサ において、
板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形成された 上部電極と、 この圧電素子の下面に形成され;/;こ下部電極 と、 によって構成される検出子を 8組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を、 原点におい て X軸と直交しかつ基板面に平行な方向 Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それぞれ定義 し、
用意した 8組の検出子のうち、 第 1の検出子を X軸の 負領域の基板外側に、 第 2の検出子を X軸の負領域の基 板内側に、 第 3の検出子を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子を X $もの正領域の基板外側に、 それぞれ X 軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 — —
を基板に固定し、
用意した 8組の検出子のうち、 第 5の検出子を Y軸の 負領域の基板外側に、 第 6の検出子を Y軸の負領域の基 板内側に、 第 7の検出子を Y軸の正領域の基板内側に、 第 8の検出子を Y軸の正領域の基板外側に、 それぞれ Y 軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 を基板に固定し、
基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 原 点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
各検出子において、 基板に固定された電極に対するも う一方の電極の電位を求め、
第 1の検出子における電位と第 3の検出子における電 位との和と、 第 2の検出子における電位と第 4の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した X軸方向の力を検出し、
第 5の検出子における電位と第 7の検出子における電 位との和と、 第 6の検出子における電位と第 8の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した Y軸方向の力を検出し、
第 1の検出子における電位と第 4の検出子における電 位との和と、 第 2の検出子における電位と第 3の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 あるいは、 第 5の検出子における電位と第 8の検出子における電位と の和と、 第 6の検出子における電位と第 7の検出子にお ける電位との和と、 の差に基づいて、 または、 第 1の検 出子における電位、 第 4の検出子における電位、 第 5の 検出子における電位、 および第 8の検出子における電位 の総和と、 第 2の検出子における電位、 第 3の検出子に おける電位、 第 6の検出子における電位、 および第 7の 検出子における電位の総和と、 の差に基づいて作用体に 発生した Z軸方向の力を検出するようにしたものである (
(6 ) 本願第 6の発明は、 上述の第 5の発明に る力 センサにおいて、 基板の内側 (原点側) と外側 (周囲部 分側) との関係を逆にし、 作用体で発生した力を基板外 側の周囲部分に伝達するようにし、 原点近傍をセンサ筐 ^:に固定したものである。
(7) 本願第 7の発明 、 圧電素子を用いた力センサ において、
板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形成された 上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 と、 によって構成される検出子を 1 2組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に.平行な方向に X軸を、 原点におい て X軸と直交しかつ基板面に平行な方向に Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 原点において X , Y , Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向に W 軸を、 それぞれ定義し、 - —
用意した 1 2組の検出子のうち、 第 1の検出子を X軸 の負領域の基板外側に、 第 2の検出子を X軸の負領域の 基板内側に、 第 3の検出子を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X 軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 を基板に固定し、
用意した 1 2組の検出子のうち、 第 5の検出子を Y軸 の負領域の基板外側に、 第 6の検出子を Y軸の負領域の 基板内側に、 第 7の検出子を Υ $ι &の正領域の基板内側に、 第 8の検出子を Υ軸の正領域の基板外側に、 それぞれ Υ 軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 を基板に固定し、
用意した 1 2組の検出子のうち、 第 9の検出子を W軸 の負領域の基板外側 、 第 1 Όの検出子を W軸の負領域 の基板内側に、 第 1 1の検出子を W軸の正領域の基板内 側に、 第 1 2の検出子を W軸の正領域の基板外側に、 そ れぞれ W軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一 方の電極を基板に固定し、
基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 原 点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
各検出子において、 基板に固定された電極に対するも う一方の電極の電位を求め、
第 1の検出子における電位と第 3の検出子における電 位との和と、 第 2の検出子における電位と第 4の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した X軸方向の力を検出し、
第 5の検出子における電位と第 7の検出子における電 位との和と、 第 6の検出子における電位と第 8の検出子 における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体に発生 した Y軸方向の力を検出し、
第 9の検出子における電位と第 1 2の検出子における 電位との和と、 第 1 0の検出子における電位と第 1 1の 検出子における電位との和と、 の差に基づいて、 作用体 に発生した Z軸方向の力を検出するようにしたものであ る
(8) 本願第 8の発明は、 上述の第 7の発明に係る力 センサにおいて、 基板の内側 (原点側) と外側 (周囲部 分側) との関係を逆にし、 作用体で発生した力を基板外 側の周囲部分に伝達するようにし、 原点近傍をセンサ筐 体に固定したものである。
(9) 本願第 9〜第 1 4の発明は、 上述の第 3〜第 8 の発明に係る力センサにおいて、 各検出子の所定の電極 同士を接続して複数の検出端子を形成し、 この検出端子 間電圧により力の検出を行うようにしたものである。
(10) 本願第 1 5の発明は、 上述の力センサにおいて、 単一の基板からなる圧電素子を、 複数の検出子で共通し て用いるようにしたものである。 (11) 本願第 1 6の発明は、 上述のカセンサにおいて、 外部から与えられる加速度に基づいて作用体に力を発生 させることにより、 加速度を検出しうるようにしたもの である。
(12) 本願第 1 7の発明は、 上述の力センサにおいて、 作用体を磁性材料で構成し、 外部から与えられる磁気に 基づいて作用体に力を発生させることにより、 磁気を検 出しうるようにしたものである。
本発明に係る力センサでは、 可撓性をもった基板上に 定義された X軸に沿って、 4組の検出子が配置される。 これらの検出子は、 一方の電極が基板に固定されている。 基板の外側 (周囲部分側) をセンサ筐体に固定し、 内側 (原点側) に力を作用させるか、 逆に、 基板の内側 (原 点側) をセンサ筐体に固定し、 外側 (周囲部分側) に力 を作用させることにより、 基板に撓みが生じ、 この橈み は各検出子の圧電素子に伝達される。 このため、 各検出 子の両電極間には、 検出子が配置された位置に応じた電 荷が発生する。 したがって、 この 4組の検出子に基づく 電圧により、 X軸方向に関する力成分の検出を行う こと ができる。 また、 同じ 4組の検出子を用いて、 基板面に 対して垂直な τ軸方向に関する力成分の検出も行う こと ができる。
基板面に平行に X軸および Υ軸を定義し、 これら各軸 にそれぞれ 4組ずつ、 合計 8組の検出子を配置すれば、 X , Y , Ζの 3 $由に関する力の成分検出が可能になる。 また、 Ζ軸についての検出を独立して行うようにするの であれば、 更に 4組の検出子を追加し、 合計 1 2組の検 出子を配置すればよい。
力を作用させる作用体と して、 ある程度の質量をもつ た重錘体を用いれば、 加速度の検出が可能になり、 磁性 体を用いれば、 磁気の検出が可能になる。 図 面 の 簡 単 な 説 明 図 1は、 本発明の一実施例に係る加速度センサの上面 図である。
図 2は、 図 1に示す加速度センサを X軸に沿って切断 した側断面図である。
図 3は、 図 1に示す加速度センサにおける作用体 5 〇 の重心 Gに X軸方向の力 F Xが与えられたときの状態を 示す側断面図である。
図 4は、 図 1 に示す加速度センサにおける作用体 5 0 の重心 Gに Ζ軸方向の力 F ζが与えられたときの状態を 示す側断面図である。
図 5 aおよび図 5 bは、 図 1に示す加速度センサにお いて、 X軸方向の力 F Xを検出するための検出回路を示 す回路図である。
図 6は、 図 5 aおよび図 5 bに示す回路の動作を説明 する 3¾である。
図 7 aおよび図 7 bは、 図 1に示す加速度センサにお いて、 Y軸方向の力 F yを検出するための検出回路を示 す回路図である。
図 8は、 図 7 aおよび図 7 bに示す回路の動作を説明 する表である。
図 9 aおよび図 9 bは、 図 1に示す加速度センサにお いて、 Z ώ方向の力 F zを検出するための検出回路を示 す回路図である。
図 1 0は、 図 9 aおよび図 9 bに示す回路の動作を説 明する表である。
図 1 1 aおよび図 1 1 bは、 図 1 に示す加速度センサ において、 X轴方向の力 F Xの検出と、 Z軸方向の力 F zの検出との共用を可能にする検出回路を示す回路図で ある。 '
図 1 2は、 図 1 に示す加速度センサにおいて、 Z軸方 向の力 F zを検出するための別な検出回路を示す回路図 である。
図 1 3は、 図 1 に示す加速度センサにおいて、 Z軸方 向の力 F zを検出するための更に別な検出回路を示す回 路図である。
図 1 4は、 本発明の別な一実施例に係る加速度センサ の側断面図であり、 断面部分のみを示す。
図 1 5は、 図 1 4に示す加速度センサの上面図である。 図 1 6は、 円盤状の圧電素子を 1枚だけ用いて構成し た加速度センサの実施例を示す上面図である。
図 1 7は、 本発明の更に別な一実施例に係る加速度セ ンサの側断面図であり、 断面部分のみを示す。
図 1 8は、 1 6組の検出子を用いた本発明の一実施例 に係る加速度センサの上面図である。
図 1 9は、 基板の内側を固定した本発明の一実施例に 係る加速度センサの側断面図である。
図 2 0は、 図 1 に示す加速度センサに用いる別な検出 回路を示す回路図である。
図 2 1は、 図 1 5に示す加速度センサに用いる Z軸方 向についての検出回路を示す回路図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明を図示する実施例に基づいて説明する。 本発明は力センサ、 加速度センサ、 磁気センサのいずれ にも適用可能であるが、 こ こでは、 加速度センサに適用 した例を述べることにする。
センサの基本的な構造
図 1は、 本発明の一実施例に係る加速度センサの上面 図、 図 2は、 その側断面図である。 このセンサは、 可撓 性をもつた円盤状の基板 1 0を有する。 本明細書では、 説明の便宜を考慮して、 この基板 1 ◦の中心部に原点 0 一
を定め、 図の矢印方向に、 それぞれ X軸、 Y軸、 Z軸を とり、 X Y Z三次元座標系を定義している。 X Y平面は 基板 1 0の基板面に平行な平面となり、 Z軸はこれに垂 直な軸となる。 図 2は、 図 1に示すセンサを X軸に沿つ て切断した断面に相当する。
図 1に示すように、 基板 1 0の上面には、 扇型の圧電 素子 2 1 , 2 2 , 2 3, 2 4が原点 0を取り囲むように 配置されており、 各圧電素子の上面には、 それぞれ 2枚 ずつ上部電極が形成されている。 すなわち、 圧電素子 2 1の上面には上部電極 3 1 , 3 2が、 圧電素子 2 3の上 面には上部電極 3 3 , 3 4が、 圧電素子 2 2の上面には 上部電極 3 5 , 3 6が、 圧電素子 2 4の上面には上部電 極 3 7 , 3 8が、. それぞれ形成されている。 また、 図 1 には示されていないが、 各圧電素子の下面には、 各上部 電極 3 1〜 3 8に対応して、 これらと同一形状の下部電 極 4 1〜4 8が形成されている。 上部電極 3 1〜 3 8と、 下部電極 4 1〜4 8とは、 それぞれ圧電素子を挟んで対 向している。 この様子は、 図 2の側断面図に明瞭に示さ れている。 基扳 1 0の下面には、 作用体 5 0が接合され ている。 この作用体 5 0は、 円柱状の重錘体であり、 作 用した加速度に基づいて力を発生し、 この力を基板 1 0 の原点 0近傍に伝達する機能を有する。 また、 図 2に示 すように、 基板 1 0の周囲部分は、 センサ筐体 6 0に固 着支持されている。 本明細書では、 この基板 1 0の周囲 部分を外側、 原点 O c 近傍を内側、 と呼ぶことにする。 結局、 円盤状の基板 1 0の外側はセンサ筐体 6 0によつ て固定されており、 内側は自由な状態となっている。 基板 1 0は可撓性をもった基板であれば、 どのような 材質のものを用いてもかまわない。 ガラス、 セラ ミ ッ ク ス、 榭脂のような絶縁体で構成してもよいし、 金属のよ うな導体で構成してもよいし。 ただし、 導体で構成した 場合には、 下部電極 4 1〜4 8を互いに電気的に独立さ せるために、 基板 1 ◦上面には絶縁層を形成しておく必 要がある。 ここでは、 絶縁体で構成した場合を例にとつ て説明する。 また、 圧電素子 2 1 〜 2 4 としては、 この 実施例では、 圧電セラ ミ ックを用いている。 各電極 3 1 〜 3 8, 4 1〜4 8は、 導体であればどのような材質で 構成してもかまわない。 また、 作用体 5 ◦は、 重錘体と して機能すればよいので、 どのような材質を用いる こと も可能であるが、 検出感度を高めるためには、 十分な質 量が必要であり、 密度の高い材質を用いるのが好ま しい c この実施例では、 基板 1 0と作用体 5 0とを別体と して 構成しているが、 これは各部の機能を説明するための便 宜であり、 実際には、 基板 1 0と作用体 5 ◦とは同じ材 質を用いて一体のものと して形成してもかまわない。
このセンサの製造プロセスは、 非常に簡単である。 4 つの扇型の圧電素子 2 1〜 2 4の両面に、 各電極 3 1 〜 3 8, 4 1 〜4 8を形成し (たとえば、 金属を蒸着すれ ばよい) 、 このサン ドイ ッチ状になつた素子を基板 1 0 の所定位置に配置し、 下部電極 4 1〜48の下面を基板 1 0の上面に接着剤などで固着すればよい。 あるいは、 基板 1 0上に下部電極 4 1〜48を形成し、 その上に圧 電セラ ミ ツクを焼結形成し、 その上に上部電極 3 1〜 3 8を形成してもよい。
さて、 このセンサの動作を考える上では、 この構造は 次のように理解できる。 いま、 板状の圧電素子と、 この 圧電素子の上面に形成された上部電極と、 この圧電素子 の下面に形成された下部電極と、 によって構成される素 子を、 「 1組の検出子」 と呼ぶことにする。 すると、 こ の実施例のセンサは、 8組の検出子を基板 1 0上に配置 したものという ことができる。 すなわち、 図の X軸方向 に沿って左から右へ、 圧電素子 2 1 , 電極 3 1 , 4 1に よつて構成される第 1の検出子 D 1、 圧電素子 2 1, 電 極 3 2, 4 2によって構成される第 2の検出子 D 2、 圧 電素子 2 3, 電極 3 3 , 43によって構成'される第 3の 検出子 D 3、 圧電素子 2 3, 電極 34, 44によって構 成される第 4の検出子 D 4、 の順に配置されている。 ― 方、 図の Υ ώ方向に沿って上から下へ、 圧電素子 22, 電極 3 5, 4 5によって構成される第 5の検出子 D 5、 圧電素子 22 , 電極 36, 4 6によって構成される第 6 の検出子 D 6、 圧電素子 24 , 電極 37, 4 7によって 構成される第 7の検出子 D 7、 圧電素子 24 , 電極 38, —
48によって構成される第 8の検出子 D 8、 の順に配置 されている。
加速度が作用したときに生じる現象
さて、 上述の加速度センサに、 加速度が作用した場合 に、 どのような現象が起こるかを検討してみる。 いま、 作用体 5 0に X紬方向の加速度が作用したとすると、 図 3に示すよ う に、 作用体 5 0の重心 Gに X軸方向の力 F x (作用体 5 0の質量に比例した大きさをもつ) が発 生する ことになる。 この力 F Xにより、 原点 0には図 3 における反時計回.りのモーメ ン ト力が生じ、 基板 1 0の 外側 (周囲部分) が固定されているため、 基板 1 ◦は図 のように撓む。 この撓みは、 そのまま圧電素子および各 電極へと伝達され、 ある部分は伸び、 ある部分は縮む変 形が生じる (図では、 理解を容易にするため、 断面部分 のみを示し、 この伸び縮みを誇張して示してある) 。 こ のような撓みにより、 各電極には、 図 3に示すような極 性の電荷が発生することが知られている。 すなわち、 電 極 3 1 , 4 2 , 3 3, 44には正電荷が発生し、 電極 4 1 , 3 2 , 4 3, 34には負電荷が発生する。 なお、 圧 電素子のこのような性質は、 たとえば、 「Development of Acceleration Sensor and Acceleration Evalation System for Super Low Range Frequency (pp87-49 - No.910273, Sensors Actuators 1991)」 に言命じられて いる。 このように、 X軸方向の力 F Xが作用すると、 X 寧由に沿って配置され 検出子 D 1〜D 4における上下両 電極間に電荷が発生する。 これに対し、 Y軸に沿って配 置された検出子 D 5〜D 8における上下両電極間には電 荷は発生しない。 これは、 図 1に示すように、 検出子 D 5〜D 8は、 X軸の正の領域と負の領域とに跨がって配 置されているため、 一方の片側部分で発生した電荷が他 方の片側部分で発生した電荷によつて相殺されてしまい、 全体としては電荷は発生しないのである。
—方、 作用体 5 0に Y軸方向の加速度が作用したとす ると、 作用体 5 0の重心 Gに Y軸方向の力 F yが発生す る。 この場合にも、 全く 同様の現象が起こることが理解 できよう。 ただし、 今度は、 Y軸に沿って配置された検 出子 D 5〜D 8における上下両電極間に電荷が発生し、 検出子 D 1〜D 4における上下両電極間には電荷は発生 しない。
次に、 作用体 5 0に Z軸方向の加速度が作用したとす ると、 作用体 5 0の重心 Gに Z軸方向の力 F zが作用す る。 この力 F zにより、 図 4に示すように、 原点 0は図 の下方へ向かつて引っ張られ、 基板 1 0が図のように撓 む。 この撓みによる圧電素子の変形は、 各電極に、 図 4 に示すような極性の電荷を発生させる。 すなわち、 電極 3 1 , 4 2 , 4 3 , 3 4には正電荷が発生し、 電極 4 1 , 3 2 , 3 3 , 4 4には負電荷が発生する。
このように、 作用体 5◦に X , Υ , Z軸方向の加速度 - 一
が作用すると、 それぞれの場合によって各検出子に特有 の態様で電荷が発生することになる。 しかも、 発生する 電荷量は作用した加速度の大きさに関連した量となり、 発生する電荷の極性は作用した加速度の向きに応じて決 まる ものとなる。 たとえば、 図 3において、 重心 Gに X 軸負方向の力— F Xが作用すると、 各電極に発生する電 荷の符号は逆転する。 同様に、 図 4において、 重心 Gに Z軸負方向の力 - F zが作用すると、 各電極に発生する 電荷の符号は逆転する。 結局、 各検出子に発生する電荷 を検出することにより、 X, Y , Z各軸方向の加速度を 独立して検出することができることになる。 これが、 本 発明の基本原理である。
加速度の検出回路
続いて、 前述した加速度センサを用いて、 実際に加速 度の検出を行うための検出回路について述べる。 図 5 a および図 5 bは X軸方向の力 F Xを検出するための検出 回路を示す回路図である。 こ こで、 D 1〜D 4は、 X軸 上に配された各検出子を示し、 回路図中には、 この各検 出子の上部電極および下部電極についての配線を示す。 X軸方向の力 F x (すなわち、 X軸方向の加速度) は、 端子 A xおよび B xの間の電圧 V xを測定することによ り検出できる。
図 6は、 作用体 5 0に各軸方向の力 F X , F y , F z が作用したときに各電極に発生する電荷の極性を示す表 である。 たとえば、 .この表の F xの欄の極性符号は、 図 3に示す各電極に示した符号に対応し、 電極欄 Eに記載 の電極の符号は、 図 5 aの回路図の順に並べてある。 こ の表の F Xの攔を参照すると、 図 5 aおよび図 5 bの回 路図において、 各検出子の端子 A X側の電極には負の電 荷が発生し、 端子 B X側の電極には正の電荷が発生する ことがわかる。 例えば、 図 5 bの回路では、 各電極'で発 生する電荷量をそれぞれ ± 1 として数えれば、 端子 A x には一 4の電荷が、 端子 B Xには + 4の電荷が、 それぞ れ集まることになる。 逆に、 一 F xの力が作用した場合 には、 極性が反転し、 端子 A Xには + 4の電荷が、 端子 B xには一 4の電荷が、 それぞれ集まることになる。 同 様に、 図 5 aの回路では、 + F Xの力が作用した場合に は、 端子 A Xには— 1の電荷が、 端子 B xには + 1の電 荷が、 それぞれ集まることになる。 逆に、 一 F Xの力が 作用した場合には、 極性が反転し、 端子 A Xには + 1の 電荷が、 端子 B Xには一 1の電荷が、 それぞれ集まるこ とになる。 結局、 端子 A Xおよび B Xの間の電圧 V Xは、 X軸方向の力 F Xに対応した値となる。
こ こで、 Y軸方向の力 F yが作用した場合に、 電圧 V xとしてどのような値が出力されるかを考えてみる。 図 6の表の F yの欄に示すように、 力 F yが作用した場 合には、 各電極に電荷は発生しない。 これは前述したよ うに、 検出子 D 1〜D 4は X軸に沿って配置されている ため、 Y軸方向の力 F, yが作用すると、 部分的に発生し た正および負の電荷が互いに相殺されるためである。 し たがって、 電圧 V Xは Y軸方向の力 F yには何ら影響さ れない。 '
次に、 Z軸方向の力 F zが作用した場合に、 電圧 V X としてどのような値が出力されるかを考えてみる。 図 6 の表の F zの欄の極性符号は、 図 4に示す各電極に示し た符号に対応する。 このような電荷を発生する各電極が、 図 5 aおよび図 5 bに示すように配線されていることを 考えると、 やはり正および負の電荷が互いに相殺され、 力 F zだけが作用した場合の電圧値 V Xは 0になる。 し たがって、 電圧 V Xは Z軸方向の力 F zには何ら影響さ れない。
以上のことから、 作用体 5 0に三次元の力 Fが作用し た場合、 その X軸方向成分 F Xだけが電圧 V x と して検 出されることになり、 この検出値は Y軸方向成分 F yお よび Z軸方向成分 F zの影響を受けることがない。
図 7 aおよび図 7 bは Y軸方向の力 F yを検出するた めの検出回路を示す回路図である。 こ こで、 D 5〜D 8 は、 Y軸上に配された各検出子を示し、 回路図中には、 この各検出子の上部電極および下部電極についての配線 を示す。 Y軸方向の力 F y (すなわち、 Y軸方向の加速 度) は、 端子 A yおよび B yの間の電圧 V yを測定する ことにより検出できる。 図 8は、 作用体 5 Qに各軸方向の力 F x , F y , F z が作用したときに各電極に発生する電荷の極性を示す表 である。 電極欄に記載の電極の符号は、 図 7 aの回路図 の順に並べてある。 この表から、 電圧 V yは Y軸方向の 力 F yの大きさおよび方向によってのみ決まる値である ことがわかる。 結局、 作用体 5 0に三次元の力 Fが作用 した場合、 その Y軸方向成分 F yだけが電圧 V yとして 検出されることになり、 この検出値は X軸方向成分 F X および Z軸方向成分 F zの影響を受けることがない。 図 9 aおよび図 9 bは Z軸方向の力 F zを検出するた めの検出回路を示す回路図である。 ここで、 D 1〜D 4 は、 X軸上に配された各検出子を示し、 回路図中には、 この各検出子の上部電極および下部電極についての配線 を示す。 Z軸方向の力 F z (すなわち、 Z軸方向の加速 度) は、 端子 A zおよび B zの間の電圧 V zを測定する ことにより検出できる。
図 1 0 は、 作用体 5 ◦に各軸方向の力 F X , F y ,
F zが作用したときに各電極に発生する電荷の極性を示 す表である。 電極欄に記載の電極の符号は、 図 9 aの回 路図の順に並べてある。 この表から、 電圧 V zは Z軸方 向の力 F zの大きさおよび方向によつてのみ決まる fitで あることがわかる。 結局、 作用体 5 0に三次元の力 Fが 作用した場合、 その Z軸方向成分 F zだけが電圧 V Z と して検出されることになり、 この検出値は X軸方向成分 - -
F xおよび Y軸方向成分 F yの影響を受けることがない。 以上のように、 X軸方向に沿って配置した 4つの検出 子 D 1〜D 4によって、 X軸方向の力 F xと Z軸方向の 力 F z とが検出でき、 Y軸方向に沿って配置した 4つの 検出子 D 5〜D 8によって、 Y軸方向の力 F yが検出で きる。 結局、 検出子 D 1〜D 4は、 X軸方向の検出と Z 軸方向の検出とに共用される。 このような共用を可能に するための回路を図 1 1 aおよび図 1 1 b に示す。 図 1 1 aの回路は、 4つのスィ ツチ S 1〜 S 4を用いた切 換回路を構成しており、 Χ$Λ方向成分は共通端子 A X z と X軸用端子 B xとの間の電圧 V xによって検出され、 Z軸方向成分は共通端子 A X z と Z軸用端子 B z との間 の電圧 V zによって検出される。 スィ ッチ S 1 と S 2と は連動しており、 一方が 0 Nになると他方が 0 F F とな る。 同様に、 スィ ッチ S 3と S 4とは連動しており、 一 方が 0 Nになると他方が 0 F F となる。 図に示すように、 スィ ッチ S 1を O N、 スィ ッチ S 2を O F F、 スィ ッチ 5 3を0 、 スィ ッチ S 4を O Nの状態にすると、 こ の回路は図 5 aに示す X軸方向成分の検出回路と等価に なる。 また、 各スィ ッチを切り換え、 スィ ッチ S 1を 0 F F、 スィ ッチ S 2を O N、 スィ ッチ S 3を O N、 スィ ツチ S 4を 0 F Fの状態にすると、 この回路は図 7 aに 示す Z軸方向成分の検出回路と等価になる。 図 1 1 bの 回路も同様に、 4つのスィ ッチ S 1〜 S 4の操作により、 X軸方向成分の検出 ^: z軸方向成分の検出とを切り換え ることができる。 図に示すように、 スィ ッチ S 1を O F F、 スィ ッチ S 2を O N、 スィ ッチ S 3を O N、 スイ ツ チ S 4を 0 F Fの状態にすると、 この回路は図 5 bに示 す X軸方向成分の検出回路と等価になる。 また、 各スィ ツチを切り換え、 スィ ッチ S 1を O N、 スイ ッチ S 2を O F F. スィ ッチ S 3を O F F、 スィ ッチ S 4を O Nの 状態にすると、 この回路は図 7 bに示す Z轴方向成分の 検出回路と等価になる。
なお、 Z軸方向の力 F zの検出は、 検出子 D 1〜D 4 の代わりに検出子 D 5〜D 8を用いても行う ことができ る。 この場合は、 検出子 D 5〜D 8が、 Y軸方向の検出 と Z軸方向の検出とに共用されることになる。 また、 8 個の検出子!) 1 〜D 8のすベてを用いて Z軸方向の力 F zを検出してもよい。 この場合は、 図 1 2または図 1 3のような検出回路を組めばよい。
ここで、 このセンサの温度特性について述べておく。 圧電素子は急激な温度変化に対して電極間に電荷を生じ る性質をもち、 いわゆるパイ口効果を示す素子である (前掲文献 F i g. 1 6参照) 。 本発明によるセンサで は、 X, Y, Zの各軸方向の検出値は、 各く検出子によ つて得られる電圧の差に基づいて算出されるため、 温度 の影響は相殺されることになる。 したがって温度捕償の ための回路などを付加する必要はない。 センサの別な実施例
続いて、 本発明による加速度センサの別な構造を示す c 図 14は、 この別な構造をもったセンサの側断面図、 図 1 5はその上面図である。 図 1 5に示すセンサを X軸に 沿って切断した断面が図 14に対応する。 なお、 図 14 の側断面図では、 図が繁雑になるのを避けるため、 断面 部分だけを示してある。 図 1および図 2に示すセンサと の違いは、 各検出子ごとに独立した圧電素子を設けた点 である。 すなわち、 図 1および図 2に示すセンサでは、 検出子 D 1および D 2には共通の圧電素子 2 1が用いら れ、 検出子 D 3および D 4には共通の圧電素子 2 3が用 いられ、 検出子 D 5および D 6には共通の圧電素子 2 2 が用いられ、 検出子!) 7および D 8には共通の圧電素子 24が用いられていた。 これに対して、 図 14および図 1 5に示すセンサでは、 8個の圧電素子 2 1 a , 2 1 b , 2 2 a , 2 2 b , 2 3 a , 2 3 b , 24 a , 24 bを設 け、 各検出子 D 1〜D 8が物理的に完全に独立した部品 によつて構成されるようにしている。
本発明では、 各検出子の電極が他の検出子の電極に対 して独立していれば、 理論的には、 圧電素子は各検出子 間で共通のものにしても差支えない。 極端な例では、 図 1 6に示すように大きな円盤状の圧電素子を 1枚だけ用 意し、 8組の検出子をこの 1枚の圧電素子を共用して構 成することもできる。 ただ、 実際には、 圧電素子内で電 - -
荷の再結合が生じるため、 低周波数の振動を精密に測定 するためには、 図 1 4および図 1 5に示す実施例のよう に、 各検出子ごとに独立した圧電素子を用いるようにす るのが好ま しい。 ただ、 製造プロセスはそれだけ複雑に なる。
図 1 7は、 本発明による加速度センサの更に別な構造 を示す側断面図である。 この側断面図においても、 図が 繁雑になるのを避けるため、 断面部分だけを示してある。 前述した各実施例では、 基板 1 0の上面に検出子を配置 していたが、 この実施例では、 基板 1 0の下面に検出子 を配置している。 本発明によるセンサでは、 要するに、 X軸に沿って 4つの検出子 D 1〜D 4を配置し、 Y軸に 沿って 4つの検出子 D 5〜D 8を配置することができれ ば、 基板 1 0の上面に配置しょう力 、 下面に配置しょう が、 どちらでもかまわない。 また、 ある検出子は上面に、 ある検出子は下面に、 と上下入り乱れて配置してもかま わないし、 上下両面に配置してもかまわない。 ただし、 正しい検出を行うためには、 各電極に発生する電荷の極 性を考え、 電極間の配線を適切なものにする必要がある。 上述の実施例では、 8組の検出子を用いて、 三次元の 各軸方向成分を検出しているが、 より多数の検出子を用 いて同様の検出を行ってもかまわない。 図 1 8に上面図 を示す実施例は、 1 6組の検出子 D 1〜D 1 6を用いた 例である。 こ こで、 検出子 D 1〜D 8は、 図 1に示す検 出子 D 1〜D 8と同等 (面積が若千小さ く なつている) のものであり、 X軸に沿って検出子 D 1〜 D 4力く、 Y軸 に沿って検出子 D 5〜D 8が、 それぞれ配置されている。 この実施例では、 更に、 XY平面上において、 X軸に対 して 4 5 ° の角度をもった W 1軸と 1 3 5 ° の角度をも つた W2軸とを定義し、 W 1軸に沿って検出子 D 9〜D 1 2を、 W2$由に沿って検出子 D 1 3〜D 1 6を、 それ ぞれ配置している。
このような配置を行えば、 検出子 D 1〜 D 4によって X軸方向の力を検出し、 検出子 D 5〜D 8によって Y軸 方向の力を検出し、 検出子 D 9〜D 1 2または検出子 D 1 3〜 1 6、 あるいは検出子 D 9〜D 1 6によって Z軸 方向の力を検出することができる。 したがって、 X, Y, Z軸方向の力の検出を、 完全に独立別個の検出子によつ て行う ことができる。 もっとも、 基板 1 0の基板面に垂 直な Z軸方向に関しては、 基板面に平行ないずれの軸に 沿って配置した検出子を用いても検出が可能である。 す なわち、 X軸に沿って配置した検出子 D 1〜D 4、 Y軸 に沿って配置した検出子 D 5〜D 8、 W 1軸に沿って配 置した検出子 D 9〜D 1 2、 W 2軸に沿って配置した検 出子 D 1 3〜D 1 6、 のいずれを用いても、 Z軸方向の 力検出が可能である。 また、 ここで用いる圧電素子は、 図 1 6に示すように単一の基板 2 5で構成されたもので あってもよい。 いままで述べてきた実施例では、 いずれも、 基板 1 0 の外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 内側の原点 0 近傍に作用体 5 0を形成していたが、 この基板の内側と 外側との関係を全く逆にすることも可能である。 すなわ ち、 図 1 9に側断面図を示す実施例のように、 基板 1 0 の内側の原点 0近傍の作用体 5 0 (ここでは、 作用体と しての機能は失われ、 単なる台座として用いられている) をセンサ筐体 6 1に固定し、 基板 1 0の外側の周囲部分 に新たな作用体 5 1を形成してもよい。 この実施例では、 作用体 5 1は、 円盤状の基板 1 0の外周に沿って取り付 けられたリ ング状の重錘体となつている。 このような構 成では、 基板 1 ◦の内側が固定され、 外側に力が作用す るようになる力 <、 作用した力に基づいて基板 1 0に撓み が生じることに変わりはなく、 前述の各実施例のいずれ についても、 このように基板の内外を逆にした構造を適 用することができる。
検出回路の別な実施例
図 5 aおよび図 5 bに示す回路のもつ意味をもう少し 検討してみる。 いま、 各検出子において、 力に基づいて 発生する電荷を符号を考慮した電位に変換して考える。 すなわち、 基板に固着された方の電極 (図 1の例では、 下部電極 4 1〜4 8 ) に対するもう一方の電極の電位を その検岀子における電位と定義する。 別言すれば、 基板 に固着された方の電極を接地したとき、 もう一方の電極 に現れる電圧値がその検出子における電位となる。 ここ で、 図 5 aおよび図 5 bに示す回路を参照すると、 検出 子 D 1 と D 3 については、 基板に固着された方の電極 4 1 , 4 3が端子 A X側に接続され、 検出子 D 2と D 4 については、 基板に固着された方の電極 4 2 , 44が端 子 B X側に接続されていることがわかる。 すなわち、 検 出子 D l , D 3と検出子 D 2, D 4とは逆方向に接続さ れていることになる。 結局、 検出子 D 1における電位と 検出子 D 3における電位との和と、 検出子 D 2における 電位と検出子 D 4における電位との和と、 の差が、 端子 A X , B X間に現れる電圧 V Xであることがわかる。 す なわち、 検出子 D l , D 2 , D 3 , D 4によって得られ る電位を、 それぞれ V I , V 2 , V 3 , V 4とすれば、
V X = ( V 1 + V 3 ) 一 (V 2 + V 4 ) である。 したが つて、 図 2 0に示すように、 これらの電圧 V I , V 2 ,
V 3 , V 4を検出するための電圧検出器 8 1, 8 2,
83, 84を設ければ、 差動増幅器 A P Iの出力として、 電圧 V Xを得ることができる。
また、 図 7 aおよび図 7 bに示す回路を参照すると、 検出子 D 5と D 7については、 基板に固着された方の電 極 4 5 , 4 7が端子 A y側に接続され、 検出子 D 6と D 8については、 基板に固着された方の電極 4 6, 48が 端子 B y側に接続されていることがわかる。 すなわち、 検出子 D 5 , D 7と検出子 D 6, D 8とは逆方向に接続 されていることになる。 結局、 検出子 D 5における電位 と検出子 D 7における電位との和と、 検出子 D 6におけ る電位と検出子 D 8における電位との和と、 の差が、 端 子 A y , B y間に現れる電圧 V yであることがわかる。 すなわち、 検出子 D 5, D 6 , D 7, D 8における電位 を、 それぞれ V 5, V 6 , V 7 , V 8とすれば、 V y - ( V 5 + V 7 ) 一 ( V 6 + V 8) である。 したがって、 図 2 0に示すように、 これらの電圧 V 5, V 6 , V 7, V 8を検出するための電圧検出器 85 , 86, 87, 8 8を設ければ、 差動増幅器 A P 3の出力として、 電圧 V yを得ることができる。
更に、 図 9 aおよび図 9 bに示す回路を参照すると、 検出子 D 1 と D 4については、 基板に固着された方の電 極 4 1 , 44が端子 A z側に接続され、 検出子 D 2と D 3については、 基板に固着された方の電極 4 2, 43 が端子 B z側に接続されていることがわかる。 すなわち、 検出子 D l , D 4と検出子 D 2, D 3とは逆方向に接続 されていることになる。 結局、 検出子 D 1における電位 と検出子 D 4における電位との和と、 検出子 D 2におけ る電位と検出子 D 3における電位との和と、 の差が、 端 子 A z , B z間に現れる電圧 V zであることがわかる。 すなわち、 検出子 D l , D 2, D 3 , D 4における電位 を、 それぞれ V I , V 2 , V 3 , V 4とすれば、 V z = (V I + V 4 ) 一 ( V 2 + V 3 ) である。 したがって、 図 2 0 に示すよ うに、 電圧検出器 8 1 , 8 2 , 8 3 , 84を用いて、 差動増幅器 A P 2の出力と して、 電圧 V zを得ることができる。
また、 図 1 8に示す 1 6.組の検出子を用いたセンサで は、 電圧 V z については、 図 2 1 に示す回路によって検 出ができる。 すなわち、 検出子 D 9〜 D 1 6における電 位 V 9〜V 1 6を、 電圧検出器 9 1〜 98によって検出 し、 差動増幅器 A P 4の出力と して電圧 V zを得ること ができる。 この場合、 図 2 0に示す差動増幅器 A P 2は 不要となり、 X, Y, Zの各軸方向成分が完全に別個独 立した回路で検出できることになる。 なお、 図 2 1 に示 す回路では、 電位 V 9〜V 1 6のすベてを用いている力 電位 V 9〜 V 1 2の 4つだけ、 あるいは、 電位 V 1 3〜 V 1 6の 4つだけを用いるようにしてもかまわない。 た だ、 精度良い測定を行うためには、 電位 V 9〜V 1 6の すべてを用いるのが好ま しい。
更に別な実施例
以上、 本発明をいくつかの実施例に基づいて説明した 力《、 本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは なく 、 この他にも種々の態様で実施可能である。 たとえ ば、 上述の実施例では、 8組あるいは 1 6組の検出子を 用いて三次元の各軸方向成分の加速度検出を行っている が、 4組の検出子だけを用いて二次元の各軸方向成分の 加速度検出を行うようにすることも可能である。 たとえ 一 つ 一
ば、 検出子 D 1〜D 4だけを用いれば、 X軸方向成分と Z軸方向成分との検出が可能である。
また、 上述の実施例は、 いずれも加速度センサに本発 明を適用したものであるが、 本発明は力センサや磁気セ ンサにも適用可能である。 たとえば、 力センサとして用 いるのであれば、 作用体 5 0から接触子を伸ばし、 この 接触子によつて外力を基板 1 0に伝達するようにすれば よい。 また、 磁気センサとして用いるのであれば、 作用 体 5 0を、 鉄、 コバルト、 ニッケルといった磁性体で構 成すれば、 磁気の作用により発生した力を検出すること により、 間接的に磁気を検出することが可能である。 以上のとおり本発明によるセンサによれば、 板状の圧 電素子とこの圧電素子の両面に形成された一対の電極と によって構成される検出子を複数用意し、 可撓性の基板 上の所定位置にこの検出子を配置し、 各電極間に生じる 電圧値に基づいて、 作用した力、 加速度、 磁気を検出す るようにしたため、 温度補償なしに高精度な検出が可能 であり、 しかも製造プロセスも容易になる。 産 業 上 の 利 用 可 能 性 本発明による圧電素子を用いたセンサは、 力、 加速度、 磁気のセンサとして利用することができ、 しかも三次元 の各成分ごとにこれらの物理量を検出することができる。 したがって、 自動車や産業用ロボッ 卜に搭載して、 各部 の圧力検出、 加速度検出、 磁気検出を行うのに広く利用 できる。 特に自動車塔載用の加速度センサとして用いれ ば、 正面衝突や側面衝突時の衝撃を各軸方向成分ごとに 正確に検出することができ、 エアバッグシステムに利用 することが可能になる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 板状の圧電素子 (2 1 , 2 3) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 (3 1 , 3 2 , 3 3 , 3 4) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 4 2, 4 3, 44 ) と、 によって構成される検出子 (D l , D 2, D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもつた基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X拳由 を定義し、 前記 4組の検出子のうちの 2組 (D 3 , D 4 ) を X軸の正の側に、 他の 2組 ( D 1 , D 2 ) を負の側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 各検出子の一方の 電極 (4 1 , 42, 43, 44) を前記基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体 ( 6 0 ) に固定 し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体 ( 5 0 ) を形成し、 前記作用体に発生した力を、 前記 4組の検出子の各電 極に発生する電荷に基づいて検出するようにしたことを 特徵とする圧電素子を用いた力センサ。
2. 板状の圧電素子 (2 1 , 2 3) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 ( 3 1, 32, 3 3, 3 4 ) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 4 2, 4 3, 44 ) と、 によって構成される検出子 (D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもった基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 ( 0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を定義し、 前記 4組の検出子のうちの 2組 (D 3 , D 4 ) を X軸の正の側に、 他の 2組 ( D 1, D 2 ) を負の側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 各検出子の一方の 電極 (4 1 , 4 2, 4 3 , 44 ) を前記基板に固定し、 前記基板の原点近傍をセンサ筐体 ( 6 1 ) に固定し、 外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体 ( 5 1 ) を形成し、
前記作用体に発生した力を、 前記 4組の検出子の各電 極に発生する電荷に基づいて検出するようにしたことを 特徴とする圧電素子を用いたカセンサ。
3. 板状の圧電素子 ( 2 1 , 2 3 ) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 ( 3 1, 3 2 , 3 3, 3 4 ) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 4 2 , 4 3 , 44 ) と、 によって構成される検出子 (D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもった基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それ ぞれ定義し、 前記 4組の検出子のうち、 第 1 の検出子 ( D 1 ) を X軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 ( D 2 ) を X軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 ( D 3 ) を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に 沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極 (4 1 , 4 2 , 4 3 , 44 ) を前記基板に固定し、
前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体 (6 0 ) に固定 し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体 ( 5 0 ) を形成し、 各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 , 4 2 , 4 3, 44 ) に対するもう一方の電極 ( 3 1, 3 2 , 3 3 , 34 ) の電位.を求め、 - 前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X軸方向の力を検出し、 . 前記第 1の検出子における電位と前記第 4の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 3の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出する ことを特徵とする圧電素子を用いたカセンサ。 7 一
4. 板状の圧電素子 ( 2 1 , 2 3 ) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 ( 3 1 , 3 2, 3 3, 3 4 ) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 4 2 , 4 3 , 44 ) と、 によって構成される検出子 (D 1, D 2 , D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもった基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に苹行な方向に X軸 を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に z軸を、 それ ぞれ定義し、 前記 4組の検出子のうち、 第 1 の検出子 ( D 1 ) を X $由の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 ( D 2 ) を X軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 ( D 3 ) を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に 沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極 (4 1 , 4 2 , 4 3 , 44 ) を前記基板に固定し、
前記原点近傍をセンサ筐体 ( 6 1 ) に固定し、 外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体 ( 5 1 ) を形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極に対す るもう一方の電極の電位を求め、
前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X拿由方向の力を検出し、 前記第 1の検出子における電位と前記第 4の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 3の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Z$由方向の力を検出する ことを特徵とする圧電素子を用いた力センサ。
5. 板状の圧電素子 ( 2 1 — 24) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 (3 1— 38) と、 この 圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1一 48) と、 によって構成される検出子 (D 1 — D 8) を 8組用意し、 可撓性をもつた基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点において X軸と直交しかつ基板面に平行な方向 に Y軸を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それぞれ定義し、
前記 8組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X 軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2) を X軸 の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3) を X軸の 正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 (4 1 —44 ) を前記基板 に固定し、
前記 8組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5) を Y 車由の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y軸 の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y軸の 正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 (4 5— 48) を前記基板 に固定し、
前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体 (60) に固定 し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体 ( 5 0 ) を形成し、 各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 — 48) に対するもう一方の電極 ( 3 1 — 38) の電位 を求め、
前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 5の検出子における電位と前記第 7の検出子に おける電位との和と、 前記第 6の検出子における電位と 前記第 8の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Y軸方向の力を検出し、 前記第 1の検出子における電位と前記第 4の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 3の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 あるいは、 前記 5の検出子における電位と前記第 8の検出子における電位との和と、 前記第 6の検出子に おける電位と前記第 7の検出子における電位との和と、 の差に基づいて、 または、 前記第 1の検出子における電 位、 前記第 4の検出子における電位、 前記第 5の検出子 における電位、 および前記第 8の検出子における電位の 総和と、 前記第 2の検出子における電位、 前記第 3の検 出子における電位、 前記第 6の検出子における電位、 お よび前記第 7の検出子における電位の総和と、 の差に基 づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出 することを特徵とする圧電素子を用いた力センサ。
6. 板状の圧電素子 (2 1 — 24) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 (3 1— 38) と、 この 圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 — 48) と、 によって構成される検出子 (D 1— D 8) を 8組用意し、 可撓性をもつた基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点において X軸と直交しかつ基板面に平行な方向 に Y軸を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それぞれ定義し、
前記 8組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X 寧由の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X軸 の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3) を X軸の 正領域の基板内側に 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、
前記 8組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y 軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y軸 の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y軸の 正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ Y$由に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、
前記原点近傍をセンサ筐体 ( 6 1 ) に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体 ( 5 1 ) を形成し、
各検出子において、 前記 '基板に固定された電極に対す るもう一方の電極の電位を求め、
前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 5の検出子における電位と前記第 7の検出子に おける電位との和と、 前記第 6の検出子における電位と 前記第 8の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Υ軸方向の力を検出し、 前記第 1の検出子における電位と前記第 4の検出子に おける電位との和と \前記第 2の検出子における電位と 前記第 3の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 あるいは、 前記第 5の検出子における電位と前記第 8の検出子における電位との和と、 前記第 6の検出子に おける電位と前記第 7の検出子における電位との和と、 の差に基づいて、 または、 前記第 1の検出子における電 位、 前記第 4の検出子における電位、 前記第 5の検出子 における電位、 および前記第 8の検出子における電位の 総和と、 前記第 2の検出子における電位、 前記第 3の検 出子における電位、 前記第 6の検出子における電位、 お よび前記第 7の検出子における電位の総和と、 の差に基 づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出 することを特徵とする圧電素子を用いた力センサ。 7 . 扳状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形成 された上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された下 部電極と、 によって構成される検出子 (D 1— D 1 2 ) を 1 2組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を、 原点におい て X軸と直交しかつ基板面に平行な方向に Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 原点において X , Y , Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向に W 軸を、 それぞれ定義し、 前記 1 2組の検出干のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X拳由の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X 軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸 の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y 軸の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y拳由 の正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 9の検岀子 (D 9 ) を W軸の負領域の基板外側に、 第 1 0の検出子 (D 1 0 ) を W軸の負領域の基板内側に、 第 1 1の検出子 (D 1 1 ) を W軸の正領域の基板内側に、 第 1 2の検出子 (D 1 2) を W軸の正領域の基板外側に、 それぞれ に沿って並 ベて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に 固定し、
前記基板外側の周囲部分をセ ンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極に対す るもう一方の電極の電位を求め、 前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 5の検出子における電位と前記第 7の検出子に おける電位との和と、 前記第 6の検出子における電位と 前記第 8の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Y拿由方向の力を検出し、 前記第 9の検出子における電位と前記第 1 2の検出子 における電位との和と、 前記第 1 ◦の検出子における電 位と前記第 1 1の検出子における電位との和と、 の差に 基づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向のカを検 出することを特徵とする圧電素子を用いたカセンサ。 S . 板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形成 された上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された下 部電極と、 によって構成される検出子 (D 1 — D 1 2 ) を 1 2組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を、 原点におい て X軸と直交しかつ基板面に平行な方向に Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に垂直な方向に Z $ώを、 原点において X , Υ, Ζの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向に W 軸を、 それぞれ定義し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X 軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸 の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y 軸の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7) を Y軸 の正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 9の検出子 (D 9 ) を W軸の負領域の基板外側に、 第 1 0の検出子 (D l 〇) を" W軸の負領域の基板内側に、 第 1 1の検出子 (D 1 1 ) を W軸の正領域の基板内側に、 第 1 2の検出子 (D 1 2) を W軸の正領域の基板外側に、 それぞれ W軸に沿つて並 ベて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に 固定し、
前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を 形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極に対す るもう一方の電極の霉位を求め、
前記第 1の検出子における電位と前記第 3の検出子に おける電位との和と、 前記第 2の検出子における電位と 前記第 4の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 5の検出子における電位と前記第 7の検出子に おける電位との和と、 前記第 6の検出子における電位と 前記第 8の検出子における電位との和と、 の差に基づい て、 前記作用体に発生した前記 Y軸方向の力を検出し、 前記第 9の検出子における電位と前記第 1 2の検出子 における電位との和と、 前記第 1 0の検出子における電 位と前記第 1 1の検出子における電位との和と、 の差に 基づいて、 前記作用体に発生した前記 Z$由方向のカを検 出することを特徵とする圧電素子を用いた力センサ。
9. 板状の圧電素子 ( 2 1 , 2 3 ) と、 この圧電素 子の上面に形成された上部電極 ( 3 1 , 3 2, 33, 3 4) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 42, 4 3, 44) と、 によって構成される検出子 (D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもった基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それ ぞれ定義し、 前記 4組の検出子のうち、 第 1の検出子 ( D 1 ) を X軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 ( D 2 ) を X軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に 沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極 (4 1, 4 2, 43, 44) を前記基板に固定し、
前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体 (60) に固定 し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体 (50) を形成し、 各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 , 42, 43, 44) を第 1の電極、 もう一方の電極 (3 1 , 32, 33 , 34) を第 2の電極、 とそれぞれ定義 し、
前記第 1の検出子の第 1の電極 (41 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 (32) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (43) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 (34) と、 に接続しうる第 1の検出端子 (A x) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 (31) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (42) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 (33) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44) と、 に接続しうる第 2の検出端子 (B x) と、 前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 (32) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 (3 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44) と、 に接続しうる第 3の検出端子 (A z ) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 (3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (42) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 (34) と、 に接続しうる第 4の検出端子 (B z ) と、 を設け、 前記第 1の検出端子と前記第 2の検出端子と の間の電位差 (V x) に基づいて、 前記作用体に発生し た前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前 記第 4の検出端子との間の電位差 (V z ) に基づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出すること を特徴とする圧電素子を用いたカセンサ。
1 0. 板状の圧電素子 (2 1 , 23) と、 この圧電 素子の上面に形成された上部電極 (3 1 , 3 2, 33, 34) と、 この圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1 , 4 2, 4 3, 44) と、 によって構成される検 出子 (D l , D 2 , D 3 , D 4 ) を 4組用意し、
可撓性をもつた基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それ ぞれ定義し、 前記 4組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2) を X軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に 沿って並べて配置し、 各検出子の一方の電極 (4 1 , 4 2 , 4 3 , 44 ) を前記碁板に固定し、
前記原点近傍をセンサ筐体 ( 6 1 ) に固定し、 外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体 ( 5 1 ) を形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 , 4 2, 4 3 , 44 ) を第 1の電極、 もう一方の電極 ( 3 1 , 3 2, 3 3, 34 ) を第 2の電極、 とそれぞれ定義 し、
前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 ( 3 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 ( 34 ) と、 に接铳しうる第 1の検出端子 (A x ) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 ( 3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (4 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 ( 3 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44 ) と、 に接続しうる第 2の検出端子 ( B x ) と、 前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 ( 3 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 ( 33 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44 ) と、 に接続しうる第 3の検出端子 (A z ) と、 前記第 1の検出子の.第 2の電極 (3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (4 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 (34) と、 に接続しうる'第 4の検出端子 (B z ) と、 を設け、 前記第 1の検出端子と前記第 2の検出端子と の間の電位差 (V x) に基づいて、 前記作用体に発生し た前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前 記第 4の検出端子との間の電位差 (V z ) に基づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出すること を特徴とする圧電素子を用いたカセンサ。
1 1. 板状の圧電素子 (2 1— 24 ) と、 この圧電 素子の上面に形成された上部電極 (3 1— 38) と、 こ の圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1一 48) と、 によって構成される検出子 (D l— D 8) を 8組用 意し、
可撓性をもった基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点において X軸と直交しかつ基板面に平行な方向 に Y軸を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 それぞれ定義し、
前記 8組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X 軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2) を X軸 の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3) を X軸の 正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X il]の正 領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し これら各検出子の一方の電極 (4 1 一 44 ) を前記基板 に固定し、
前記 8組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y 軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y軸 の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y軸の 正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 (4 5— 48) を前記基板 に固定し、
前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体 ( 6 0 ) に固定 し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体 ( 5 0 ) を形成し、 各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 - 48) を第 1の電極、 もう一方の電極 ( 3 1 — 38) を第 2の電極、 とそれぞれ定義し、
前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 ( 3 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 ( 34 ) と、 に接続しうる第 1の検出端子 (A x ) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 ( 3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (4 2) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 (3 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44 ) と、 に接銃しうる第 2の検出端子 (B x) と、 前記第 5の検出子の第 1の電極 (45) と、 前記第 6 の検出子の第 2の電極 (3 6) と、 前記第 7の検出子の 第 1の電極 (4 7 ) と、 前記第 8の検出子の第 2の電極 ( 38) と、 に接続しうる第 3の検出端子 (A y ) と、 前記第 5の検出子の第 2の電極 ( 3 5) と、 前記第 6 の検出子の第 1の電極 (46 ) と、 前記第 7の検出子の 第 2の電極 ( 3 7 ) と、 前記第 8の検出子の第 1の電極 (48) と、 に接続しうる第 4の検出端子 (B y ) と、 前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 (32 ) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 ( 33) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44) と、 に接続しうる第 5の検出端子 (A Z ) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 ( 3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (42) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 (34) と、 に接続しうる第 6の検出端子 (B z ) と、 を設け、 前記第 1の検出端子と前記第 2の検出端子と の間の電位差 (V x ) に基づいて、 前記作用体に発生し た前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前 記第 4の検出端子との間の電位差 (V y ) に基づいて、 前記作用体に発生した前記 Y軸方向の力を検出し、 前記 第 5の検出端子と前記第 6の検出端子との間の電位差 ( V z ) に基づいて, 前記作用体に発生した前記 Z軸方 向の力を検出することを特徵とする圧電素子を用いた力 センサ。 1 2. 板状の圧電素子 ( 2 1 — 24 ) と、 この圧電 素子の上面に形成された上部電極 ( 3 1 — 38) と、 こ の圧電素子の下面に形成された下部電極 (4 1一 48) と、 によって構成される検出子 (D 1 — D 8) を 8組用 意し、
可撓性をもつた基板 ( 1 0 ) 内の 1点に原点 (0) を 定義し、 この原点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸 を、 原点において X軸と直交しかつ基板面に平行な方向 に Y軸を、 原点を通りかつ基板面に垂直な方向に Ζ$ώを、 それぞれ定義し、
前記 8組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X 軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X軸 の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸の 正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 (4 1 — 44 ) を前記基板 に固定し、
前記 8組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Υ 軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Υ軸 の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Υ軸の 正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の正 領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極 (4 5— 48) を前記基板 に固定し、
前記原点近傍をセンサ筐体 (61) に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体 ( 5 1 ) を形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極 (4 1 一 48) を第 1の電極、 もう一方の電極 (3 1 — 38) を第 2の電極、 とそれぞれ定義し、
前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 ( 3 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (43) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 ( 34) と、 に接铳しうる第 1の検出端子 (A x) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 ( 3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (4 2) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 (33 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44 ) と、 に接铳しうる第 2の検出端子 ( B x) と、 前記第 5の検出子の第 1の電極 (45) と、 前記第 6 の検出子の第 2の電極 ( 36 ) と、 前記第 7の検出子の 第 1の電極 (4 7) と、 前記第 8の検出子の第 2の電極 ( 38) と、 に接続しうる第 3の検出端子 (A y ) と、 前記第 5の検出子の第 2の電極 ( 3 5) と、 前記第 6 の検出子の第 1の電悸 (4 6 ) と、 前記第 7の検出子の 第 2の電極 ( 3 7 ) と、 前記第 8の検出子の第 1の電極 (48) と、 に接続しうる第 4の検出端子 ( B y ) と、 前記第 1の検出子の第 1の電極 (4 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 2の電極 ( 3 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 2の電極 ( 3 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 1の電極 (44 ) と、 に接続しう る第 5の検出端子 ·( A z ) と、 前記第 1の検出子の第 2の電極 ( 3 1 ) と、 前記第 2 の検出子の第 1の電極 (4 2 ) と、 前記第 3の検出子の 第 1の電極 (4 3 ) と、 前記第 4の検出子の第 2の電極 ( 34 ) と、 に接続しうる第 6の検出端子 ( B z ) と、 を設け、 前記第 1の検出端子と前記第 2の検出端子と の間の電位差 (V x ) に基づいて、 前記作用体に発生し た前記 X軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前 記第 4の検出端子との間の電位差 (V y ) に基づいて、 前記作用体に発生した前記 Y軸方向の力を検出し、 前記 第 5の検出端子と前記第 6の検出端子との間の電位差 ( V z ) に基づいて、 前記作用体に発生した前記 Z軸方 向の力を検出することを特徴とする圧電素子を用いた力 センサ。
1 3. 板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形 成された上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された 下部電極と、 によって構成される検出子 (D 1 — D 1 2 ) 6
を 1 2組用意し、 .
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に^行な方向に X軸を、 原点におい て X軸と直交しかつ基板面に平行な方向に Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に垂直な方向に Z軸を、 原点において X, Y, Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向に W 輸を、 それぞれ定義し、
前記 1 2組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X軸の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X $由の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸 の正領域の基板内側に、 第 4の検出子 (D 4) を X軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6) を Y 軸の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y軸 の正領域の基板内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の 正領域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置 し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 9の検出子 (D 9 ) を W事由の負領域の基板外側に、 第 1 0の検出子 (D 1 0 ) を W軸の負領域の基板内側に、 第 1 の検出子 (D 1 1 ) を W$由の正領域の基板内側に、 第 1 2の検出子 (D 1 2 ) を W軸の正領域の基板外側に、 それぞれ W軸に沿って並 ベて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に 固定し、
前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記原点に伝達する機能を有する作用体を形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極を第 1 の電極、 もう一方の電極を第 2の電極、 とそれぞれ定義 し、
前記第 1の検出子の第 1の電極と、 前記第 2の検出子 の第 2の電極と、 前記第 3の検出子の第 1の電極と、 前 記第 4の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 1の検 出端子と、
前記第 1の検出子の第 2の電極と、 前記第 2の検出子 の第 1の電極と、 前記第 3の検出子の第 2の電極と、 前 記第 4の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 2の検 出端子と、
前記第 5の検出子の第 1の電極と、 前記第 6の検出子 の第 2の電極と、 前記第 7の検出子の第 1の電極と、 前 記第 8の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 3の検 出端子と、
前記第 5の検出子の第 2の電極と、 前記第 6の検出子 の第 1の電極と、 前記第 7の検出子の第 2の電極と、 前 記第 8の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 4の検 出端子と、 前記第 9の検出子 第 1の電極と、 前記第 1 0の検出 子の第 2の電極と、 前記第 1 1の検出子の第 2の電極と 前記第 1 2の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 5 の検出端子と、
前記第 9の検出子の第 2の電極と、 前記第 1 0の検出 子の第 1の電極と、 前記第 1 1の検出子の第 1の電極と、 前記第 1 2の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 6 の検出端子と、
を設け、 前記第 1の検出端子と前記第 2の検出端子と の間の電位差に基づいて、 前記作用体に発生した前記 X 軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前記第 4の 検出端子との間の電位差に基づいて、 前記作用体に発生 した前記 Y軸方向の力を検出し、 前記第 5の検出端子と 前記第 6の検出端子との間の電位差に基づいて、 前記作 用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出することを特徴 とする圧電素子を用いたカセンサ。
1 4 . 板状の圧電素子と、 この圧電素子の上面に形 成された上部電極と、 この圧電素子の下面に形成された 下部電極と、 によって構成される検出子 (D 1 — D 1 2 ) を 1 2組用意し、
可撓性をもった基板内の 1点に原点を定義し、 この原 点を通りかつ基板面に平行な方向に X軸を、 原点におい て X拿由と直交しかつ基板面に平行な方向に Y軸を、 原点 を通りかつ基板面に 直な方向に Z軸を、 原点において
X, Y, Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向に w 軸を、 それぞれ定義し、
前記 1 2組の検出子のうち、 第 1の検出子 (D 1 ) を X$由の負領域の基板外側に、 第 2の検出子 (D 2 ) を X 軸の負領域の基板内側に、 第 3の検出子 (D 3 ) を X軸 の正領域の内側に、 第 4の検出子 (D 4 ) を X軸の正領 域の基板外側に、 それぞれ X軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記 1 2組の検出子のうち、 第 5の検出子 (D 5 ) を Y軸の負領域の基板外側に、 第 6の検出子 (D 6 ) を Y 軸の負領域の基板内側に、 第 7の検出子 (D 7 ) を Y軸 の正領域の内側に、 第 8の検出子 (D 8) を Y軸の正領 域の基板外側に、 それぞれ Y軸に沿って並べて配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固定し、
前記 1 2組の検出子のうち、 第 9の検出子 (D 9 ) を W軸の負領域の基板外側に、 第 1 0の検出子 (D 1 0 ) を W軸の負領域の基板内側に、 第 1 1の検出子 (D 1 1 ) を W軸の正領域の内側に、 第 1 2の検出子 (D 1 2) を W軸の正領域の基板外側に、 それぞれ W軸に沿って並べ て配置し、 これら各検出子の一方の電極を前記基板に固 定し、
前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、
外部から作用する物理量に基づいて発生した力を、 前 記基板外側の周囲部 に伝達する機能を有する作用体を 形成し、
各検出子において、 前記基板に固定された電極にを第 1の電極、 もう一方の電極'を第 2の電極、 とそれぞれ定 義し、
前記第 1の検出子の第 1の電極と、 前記第 2の検出子 の第 2の電極と、 前記第 3の検出子の第 1の電極と、 前 記第 4の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 1の検 出端子と、
前記第 1の検出子の第 2の電極と、 前記第 2の検出子 の第 1の電極と、 前記第 3の検出子の第 2の電極と、 前 記第 4の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 2の検 出端子と、
前記第 5の検出子の第 1の電極と、 前記第 6の検出子 の第 2の電極と、 前記第 7の検出子の第 1の電極と、 前 記第 8の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 3の検 出端子と、
前記第 5の検出子の第 2の電極と、 前記第 6の検出子 の第 1の電極と、 前記第 7の検出子の第 2の電極と、 前 記第 8の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 4の検 出端子と、
前記第 9の検出子の第 1の電極と、 前記第 1 0の検出 子の第 2の電極と、 前記第 1 1の検出子の第 2の電極と、 前記第 1 2の検出子の第 1の電極と、 に接続しうる第 5 の検出端子と、
前記第 9の検出子の第 2の電極と、 前記第 1 0の検出 子の第 1の電極と、 前記第 1 1の検出子の第 1の電極と 前記第 1 2の検出子の第 2の電極と、 に接続しうる第 6 の検出端子と、
を設け、 前記第 1の検出端午と前記第 2の検出端子と の間の電位差に基づいて、 前記作用体に発生した前記 X 軸方向の力を検出し、 前記第 3の検出端子と前記第 4の 検出端子との間の電位差に基づいて、 前記作用体に発生 した前記 Y拿由方向の力を検出し、 前記第 5の検出端子と 前記第 6の検出端子との間の電位差に基づいて、 前記作 用体に発生した前記 Z軸方向の力を検出することを特徵 とする圧電素子を用いたカセンサ。 1 5 . 請求項 1 〜 1 4のいずれかに記載のセンサに おいて、 単一の基板からなる圧電素子 ( 2 5 ) を、 複数 の検出子 (D l— D 8 ) で共通して用いる.ようにしたこ とを特徴とする圧電素子を用いたカセンサ。 1 6 . 請求項 1 〜 1 4のいずれかに記載のセンサに おいて、 外部から与えられる加速度に基づいて作用体に 力を発生させることにより、 加速度を検出しうるように したことを特徵とする圧電素子を用いた加速度センサ。
1 7 . 請求項 1〜 1 4のいずれかに記載のセンサに おいて、 作用体を磁性材料で構成し、 外部から与えられ る磁気に基づいて作用体に力を発生させることにより、 磁気を検出しうるようにしたことを特徵とする圧電素子 を用いた磁気センサ。
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WO (1) WO1993002342A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2363653A2 (en) 2010-02-27 2011-09-07 Mitsubishi Electric Corporation Air conditioner
US20160247999A1 (en) * 2015-02-23 2016-08-25 Commissariat à I'énergie atomique et aux énergies alternatives Piezoelectric device

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01136313U (ja) * 1988-02-26 1989-09-19
DE69019343T2 (de) 1989-12-28 1996-02-15 Wako Kk Beschleunigungssensoren.
US6864677B1 (en) * 1993-12-15 2005-03-08 Kazuhiro Okada Method of testing a sensor
US5421213A (en) * 1990-10-12 1995-06-06 Okada; Kazuhiro Multi-dimensional force detector
US6314823B1 (en) 1991-09-20 2001-11-13 Kazuhiro Okada Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
JP3027457B2 (ja) * 1991-10-25 2000-04-04 和廣 岡田 多次元方向に関する力・加速度・磁気の検出装置
JPH0581717U (ja) * 1992-04-14 1993-11-05 富士電気化学株式会社 加速度センサ
US6282956B1 (en) * 1994-12-29 2001-09-04 Kazuhiro Okada Multi-axial angular velocity sensor
US5646346A (en) * 1994-11-10 1997-07-08 Okada; Kazuhiro Multi-axial angular velocity sensor
JP3256346B2 (ja) * 1993-07-29 2002-02-12 和廣 岡田 圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ
US5636807A (en) * 1994-08-01 1997-06-10 H. Koch & Sons Co., Inc. Acceleration sensor having inertia weight responsive to accelerations in every direction
JP3549590B2 (ja) * 1994-09-28 2004-08-04 和廣 岡田 加速度・角速度センサ
US6003371A (en) 1995-02-21 1999-12-21 Wacoh Corporation Angular velocity sensor
JP3585980B2 (ja) * 1995-02-21 2004-11-10 株式会社ワコー 角速度センサ
JPH0949856A (ja) * 1995-05-31 1997-02-18 Wako:Kk 加速度センサ
JP3079961B2 (ja) * 1995-07-11 2000-08-21 株式会社村田製作所 衝撃センサ
JPH0972929A (ja) * 1995-09-07 1997-03-18 Whitaker Corp:The 多軸加速度センサビーム
JPH09119943A (ja) * 1995-10-24 1997-05-06 Wako:Kk 加速度センサ
JPH09215808A (ja) * 1995-12-07 1997-08-19 Hokuriku Electric Ind Co Ltd スイング型運動用具の練習装置及びスイング型運動用具
DE69634571D1 (de) * 1996-07-10 2005-05-12 Wako Kk Drehgeschwindigkeitssensor
US6367326B1 (en) 1996-07-10 2002-04-09 Wacoh Corporation Angular velocity sensor
EP0828140A1 (de) * 1996-09-04 1998-03-11 AB Elektronik GmbH Füllstandsensor
US5777239A (en) * 1996-10-29 1998-07-07 Fuglewicz; Daniel P. Piezoelectric pressure/force transducer
US6247371B1 (en) 1997-04-04 2001-06-19 Ngk Insulators, Ltd. Three-axis sensor
JP3200026B2 (ja) * 1997-04-04 2001-08-20 日本碍子株式会社 周設センサ
JP3311633B2 (ja) * 1997-04-04 2002-08-05 日本碍子株式会社 センサユニット
US6647810B1 (en) * 1997-04-21 2003-11-18 Michael Van Bergen Force sensor
JP4176849B2 (ja) * 1997-05-08 2008-11-05 株式会社ワコー センサの製造方法
TW425478B (en) * 1997-09-26 2001-03-11 Hokuriku Elect Ind Acceleration sensor and 3-axis acceleration sensor
JP3328574B2 (ja) 1998-03-25 2002-09-24 日本碍子株式会社 加速度センサ素子、加速度センサ及びこれらの製造方法
JP3328575B2 (ja) 1998-03-25 2002-09-24 日本碍子株式会社 加速度センサ素子、加速度センサ及びこれらの製造方法
TW418318B (en) 1998-07-27 2001-01-11 Hokuriku Electric Co Ltd Acceleration detecting apparatus
JP2000193544A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Ngk Insulators Ltd 力センサ
US6360612B1 (en) * 1999-01-29 2002-03-26 Constantin M. Trantzas Pressure sensor apparatus
JP2000338129A (ja) 1999-03-19 2000-12-08 Ngk Insulators Ltd 加速度センサ素子の感度較正方法
JP2000346865A (ja) 1999-03-26 2000-12-15 Ngk Insulators Ltd 加速度センサ素子の感度調整方法
JP2000275127A (ja) 1999-03-26 2000-10-06 Ngk Insulators Ltd 力センサ回路
US7789742B1 (en) * 1999-05-12 2010-09-07 Wilbert Q. Murdock Smart golf club multiplayer system for the internet
JP3261653B2 (ja) 1999-07-07 2002-03-04 独立行政法人産業技術総合研究所 指装着型6軸力覚センサ
US6378384B1 (en) * 1999-08-04 2002-04-30 C-Cubed Limited Force sensing transducer and apparatus
JP4295883B2 (ja) 1999-12-13 2009-07-15 株式会社ワコー 力検出装置
KR20020095314A (ko) * 2001-06-14 2002-12-26 (주)한국아이엔디 발판형 3차원센서
EP1275949B1 (fr) 2001-07-10 2008-09-24 Société de Technologie Michelin Pneumatique comportant un dispositif de mesure
US6809529B2 (en) * 2001-08-10 2004-10-26 Wacoh Corporation Force detector
DE10143489C2 (de) * 2001-09-05 2003-07-17 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Anordnung zum Erfassen von Relativbewegungen zweier Objekte
US6853315B2 (en) * 2002-01-23 2005-02-08 Triad Sensors, Inc. Piezoelectric rate sensor system and method
JP4216525B2 (ja) * 2002-05-13 2009-01-28 株式会社ワコー 加速度センサおよびその製造方法
AUPS264302A0 (en) * 2002-05-29 2002-06-20 Neopraxis Pty Ltd Implantable bladder sensor
JP4125931B2 (ja) * 2002-08-26 2008-07-30 株式会社ワコー 回転操作量の入力装置およびこれを利用した操作装置
US20040046484A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-11 Schiller Peter J. Interface electronics for piezoelectric devices
US7152482B2 (en) 2002-10-01 2006-12-26 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Piezoelectric sensor and input device including same
US20040159166A1 (en) * 2003-02-13 2004-08-19 Schiller Peter J. Solid-state piezoelectric motion transducer
JP4907050B2 (ja) * 2003-03-31 2012-03-28 株式会社ワコー 力検出装置
JP4271475B2 (ja) * 2003-03-31 2009-06-03 株式会社ワコー 力検出装置
JP4387691B2 (ja) * 2003-04-28 2009-12-16 株式会社ワコー 力検出装置
WO2005116580A1 (en) * 2003-05-08 2005-12-08 Triad Sensors, Inc. Force balanced piezoelectric rate sensor
US7470288B2 (en) * 2003-07-11 2008-12-30 Depuy Products, Inc. Telemetric tibial tray
EP1736739A3 (en) * 2005-04-15 2007-12-05 Avinash Shrikrishna Vaidya Sensor devices
FR2885409B1 (fr) * 2005-05-04 2007-08-31 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure de force a tige rigide
US20070041273A1 (en) * 2005-06-21 2007-02-22 Shertukde Hemchandra M Acoustic sensor
AT504851B1 (de) 2006-11-07 2009-03-15 Arc Seibersdorf Res Gmbh Schlagpolster
JP2008190931A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Wacoh Corp 加速度と角速度との双方を検出するセンサ
JP4946763B2 (ja) * 2007-10-01 2012-06-06 ブラザー工業株式会社 屈曲検出装置
JP2010071793A (ja) 2008-09-18 2010-04-02 Toshiba Corp 多軸加速度センサ及び角速度センサ
FR2942316B1 (fr) 2009-02-13 2011-07-22 Commissariat Energie Atomique Capteur de force de contact
US8334159B1 (en) * 2009-03-30 2012-12-18 Advanced Numicro Systems, Inc. MEMS pressure sensor using capacitive technique
JP5439068B2 (ja) * 2009-07-08 2014-03-12 株式会社ワコー 力検出装置
KR101119283B1 (ko) * 2009-12-22 2012-06-05 삼성전기주식회사 관성 센서 및 그 제조 방법
DE102010002274A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 Robert Bosch GmbH, 70469 Vorrichtung zur Messung von Torsionen, Biegungen und dergleichen sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
US11117033B2 (en) 2010-04-26 2021-09-14 Wilbert Quinc Murdock Smart system for display of dynamic movement parameters in sports and training
EP2422935B1 (en) 2010-08-31 2015-02-25 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Robot, robot system, robot control device, and state determining method
JP2012051042A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Yaskawa Electric Corp ロボットシステム及びロボット制御装置
CN102175892B (zh) * 2011-01-26 2013-05-01 边义祥 含芯压电棒多维加速度传感器及加速度测量方法
WO2013027736A1 (ja) * 2011-08-24 2013-02-28 日本電気株式会社 圧電振動センサ
CN103454596B (zh) * 2012-06-04 2017-04-12 国民技术股份有限公司 一种交变磁场感应装置
ITTO20120890A1 (it) * 2012-10-11 2014-04-12 Fond Istituto Italiano Di Tecnologia Unita' elettronica di misura per un dispositivo polimorfico per la misura di forze, e dispositivo polimorfico includente la medesima
JP6106011B2 (ja) * 2013-04-05 2017-03-29 日本写真印刷株式会社 圧力検出装置
CN103335754B (zh) * 2013-06-19 2015-04-22 合肥工业大学 全柔性三维力触觉传感器
JP5529328B1 (ja) 2013-09-04 2014-06-25 株式会社トライフォース・マネジメント 発電素子
WO2016121129A1 (ja) 2015-01-26 2016-08-04 株式会社ワコーテック 力覚センサ
EP3104151B1 (en) 2015-04-07 2020-01-15 Tri-Force Management Corporation Force sensor and structure used therein
JP5996078B1 (ja) 2015-10-19 2016-09-21 株式会社トライフォース・マネジメント 発電素子
WO2017093100A1 (de) * 2015-12-04 2017-06-08 Kistler Holding Ag Beschleunigungs-messgeraet und verfahren zur herstellung eines solchen beschleunigungs-messgeraetes
CN106289619A (zh) * 2016-09-13 2017-01-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种高精度高刚度六维力测量平台
JP6843726B2 (ja) 2017-10-17 2021-03-17 キヤノン株式会社 力覚センサ及びロボット
US11693021B2 (en) * 2020-06-09 2023-07-04 Infineon Technologies Ag Combined corrugated piezoelectric microphone and corrugated piezoelectric vibration sensor
US11611835B2 (en) 2020-06-09 2023-03-21 Infineon Technologies Ag Combined corrugated piezoelectric microphone and corrugated piezoelectric vibration sensor
US11691871B2 (en) 2021-06-18 2023-07-04 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical system (MEMS) vibration sensor having a segmented backplate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584967B2 (ja) * 1977-05-30 1983-01-28 横河電機株式会社 流速流量測定装置
JPS63127134A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Nec Corp 積層型圧電素子

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3124770A (en) * 1964-03-10 Ciavatta
US2386279A (en) * 1942-07-21 1945-10-09 Raymond W Tibbetts Piezoelectric device
US2848892A (en) * 1954-10-21 1958-08-26 Hoffman Donald Bernard Elevator load transducer
US3149488A (en) * 1962-08-13 1964-09-22 Gulton Ind Inc Strain gauge measuring apparatus
US3252016A (en) * 1962-09-11 1966-05-17 Gulton Ind Inc Electro-mechanical transducer
US3247711A (en) * 1963-06-10 1966-04-26 Gulton Ind Inc Digital force measuring apparatus
US3456226A (en) * 1967-10-27 1969-07-15 Conrac Corp Strain gage configuration
CH476990A (de) * 1968-07-30 1969-08-15 Kistler Instrumente Ag Kraftaufnehmer mit mindestens einem zwischen zwei Kraftübertragungslagern angeordneten Piezoelement
US4173900A (en) * 1977-03-07 1979-11-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure transducer
US4530244A (en) * 1982-01-04 1985-07-23 Honeywell Inc. Semiconductor pressure transducer
DE3379175D1 (en) * 1982-07-28 1989-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vibration sensor
JPS6034295A (ja) * 1983-08-03 1985-02-21 株式会社日立製作所 皮膚感覚センサ
ATE65319T1 (de) * 1986-11-07 1991-08-15 Kristal Instr Ag Mehrkomponenten-dynamometer.
WO1988008521A1 (en) * 1987-04-24 1988-11-03 Kabushiki Kaisha Nexy Kenkyusho Force and moment detector using resistor
EP0625701A1 (en) * 1987-04-24 1994-11-23 Enplas Laboratories, Inc. Force detector using piezoresistive elements
EP0333872B1 (en) * 1987-09-18 1995-08-23 Wacoh Corporation Gripper for a robot
JP2662564B2 (ja) * 1988-03-28 1997-10-15 アイシン精機株式会社 加速度検出装置
US4896543A (en) * 1988-11-15 1990-01-30 Sri International, Inc. Three-axis force measurement stylus
US5035148A (en) * 1989-02-01 1991-07-30 Wacoh Corporation Force detector using resistance elements
JP2681215B2 (ja) * 1989-05-29 1997-11-26 株式会社ワコー 積層基板を用いたセンサの製造方法
JP3091766B2 (ja) * 1990-02-14 2000-09-25 エンデブコ・コーポレーション 表面取付け型圧電セラミツク式加速度計及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584967B2 (ja) * 1977-05-30 1983-01-28 横河電機株式会社 流速流量測定装置
JPS63127134A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Nec Corp 積層型圧電素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0549807A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2363653A2 (en) 2010-02-27 2011-09-07 Mitsubishi Electric Corporation Air conditioner
US20160247999A1 (en) * 2015-02-23 2016-08-25 Commissariat à I'énergie atomique et aux énergies alternatives Piezoelectric device
US10090455B2 (en) * 2015-02-23 2018-10-02 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Piezoelectric device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3141954B2 (ja) 2001-03-07
DE69222745D1 (de) 1997-11-20
EP0549807B1 (en) 1997-10-15
DE69222745T2 (de) 1998-02-12
JPH0526744A (ja) 1993-02-02
EP0549807A1 (en) 1993-07-07
US5365799A (en) 1994-11-22
EP0549807A4 (en) 1994-06-15

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