EP1151479A2 - Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu - Google Patents

Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu

Info

Publication number
EP1151479A2
EP1151479A2 EP99967910A EP99967910A EP1151479A2 EP 1151479 A2 EP1151479 A2 EP 1151479A2 EP 99967910 A EP99967910 A EP 99967910A EP 99967910 A EP99967910 A EP 99967910A EP 1151479 A2 EP1151479 A2 EP 1151479A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
filter layer
filter
optical detector
contacts
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP99967910A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michel Marso
Rüdiger ARENS-FISCHER
Dirk Hunkel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Juelich GmbH filed Critical Forschungszentrum Juelich GmbH
Publication of EP1151479A2 publication Critical patent/EP1151479A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the Schottky type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the Schottky type
    • H01L31/1085—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the Schottky type the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/96—Porous semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Ein optischer Detektor auf Siliziumbasis mit einer porösen Filterschicht mit lateral veränderlicher Filterwirkung umfaßt eine Mehrzahl von Photoempfänger-Kontakten, die integriert ausgebildet sind und ein Verfahren zur Herstellung eines optisches Detektors durch Aufbringen einer Isolationsschicht auf die poröse Filterschicht unter Freihaltung aktiver Filterflächen.

Description

Optischer Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium und Herstellungsverfahren dazu
Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium mit lateral veränderlicher Filterwirkung gemäß Oberbegriff von Anspruch 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optischen Detektors gemäß Oberbegriff von Anspruch 9.
Zur spektralen Auflösung von Licht sind bereits viele Verfahren bekannt. Als Beispiele Können die Brechung in einem Prisma, die Beugung an einem Liniengitter oder die wellenlängenabhängige Reflektion oder Transmission an dielektrischen Fil- terschichten (z. B. Bragg-Reflektor, Fabry-Perot-Filter) genannt werden. Eine einfache und preisgünstige Methode zur Herstellung von dielektrischen Filtern ist die Erzeugung von Übergittern aus porösem Silizium. Das Ausgangsmaterial Silizium bietet gleichzeitig die Möglichkeit zur Erzeugung von Photoempfängern (z. B. Photowiderstände, Photodioden).
Soweit Photodetektoren auf Halbleiterbasis, der Einsatz von Übergittern aus porösem Silizium und die Herstellung von lateralen Verlaufsfiltern aus porösem Silizium bekannt ist, ha- ben bisher alle bekannten Detektoren den Nachteil, daß sie kaum variierbar sind. Es sind mit den bekannten Verfahren nur Detektoren herstellbar, die in einem dieser Verfahren festgelegten Wellenlängenbereich einsetzbar sind. Ferner wird nicht die gesamte Filterschicht zur Detektion genutzt oder können einzelne Wellenlängenbereiche nicht gänzlich voneinander entkoppelt werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, einen optischen Detektor zu schaffen, der sehr einfach und kostengün- stig hergestellt werden kann und variabel ist. Ferner soll ein Herstellungsverfahren für einen solchen optischen Detektor geschaffen werden, mit welchem die Filtereigenschaften, daß heißt, die Variabilität des Detektors, auf einfache Weise eingestellt werden können. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen optischen Detektor mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Herstellungsverfahren mit den kennzeichnenden Merk- malen des Anspruchs 9 gelöst.
Durch die integrierte Ausbildung können unter Verwendung nur einer einzigen Lithographie Kontaktflächen und aktive Filtergebiete vorbestimmt werden.
Gemäß Anspruch 2 ist es von Vorteil, daß die Kontakte quer zur Filterschicht angeordnet sind, da dadurch einzelne nebeneinanderliegenden Detektoren fast gänzlich voneinander entkoppelt sind. Dadurch verringert sich allerdings die Filter- fläche.
Gemäß Anspruch 3 ist es zum Erhalt einer großen Filterfläche daher von Vorteil, daß die Kontakte an den Seiten der Filterschicht angebracht sind. Dadurch kann die gesamte Filter- schicht für die Detektion genutzt werden, wobei dann allerdings die einzelnen Wellenlängenbereiche nicht gänzlich voneinander entkoppelt werden können.
Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche 4 bis 8 sowie 11 bis 16.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf einen optischen Detektor mit einer ersten Kontaktgeometrie zur optimalen Entkopplung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf einen Detektor mit einer zweiten Kontaktgeometrie für eine optimale Flächenausnutzung;
Fig. 3 eine schematische Draufsicht auf ein Spektroskop mit einem optischen Detektor gemäß vorliegender Erfindung; Fig. 4a, b, c, d eine schematische Darstellung eines Herstellungsschrittes im Schnitt und in Aufsicht eines Herstellungsverfahrens .
In Fig. 1 ist die Draufsicht eines optischen Detektors 1 mit einem Substrat 1.1 und quer zu einer Filterschicht 3 aus porösem Silizium angeordneten Kontakten 5. Durch das Anbringen der Kontakte 5 quer zur Filterschicht 3 werden einzelne, ne- beneinanderliegende Detektoren 1 fast gänzlich voneinander entkoppelt. Allerdings erfolgt dies auf Kosten eines Teils der Filterfläche der Filterschicht 3.
In Fig. 2 ist schematisch eine Draufsicht des optischen De- tektors 1 bei optimaler Flächenausnutzung dargestellt. Die Kontakte 5 sind in dieser Ausführungsform seitlich der Filterschicht 3 angeordnet. Dadurch wird die gesamte Filterschicht 3 für die Detektion genutzt. Allerdings können die einzelnen Wellenlängenbereiche nicht gänzlich voneinander entkoppelt werden.
Grundsätzlich gilt, daß die Verwendung von einigen wenigen Kontakten 5 zu einem Detektor 1 bzw. einer Gruppe von Detektoren 1 mit breitem Wellenlängenbereich (z. B. für einen Dreifarbensensor) führt. Dagegen führen viele Kontakte 5 zu einem Detektor 1 bzw. einer Gruppe von Detektoren 1 mit scharfer spektraler Auflösung.
Die Kontakte 5 können als oh sche Kontakte ausgebildet sein und ergeben dann Photodetektoren in Form von Photowiderständen, mit der den Photowiderständen eigenen inneren Verstärkung aber auch mit relativ großen Dunkelströmen. Die Kontakte 5 können daher auch als Schottkykontakte ausgebildet sein, wodurch die Dunkelströme sehr stark erniedrigt werden. Aller- dings ergibt sich dann keine innere Verstärkung, so daß die Dotierung des Siliziums sehr niedrig sein muß, damit sich eine Raumladungszone der Schottkykontakte wesentlich unter die Filterschicht 3 ausdehnt. Durch eine Kontradotierung des Siliziums vor einer Metallisierung der Kontakte 5 lassen sich auch pn-Übergänge realisieren, z. B. zur weiteren Erniedrigung des Dunke1Stroms.
Der Dunkelstrom des erfindungsgemäßen optischen Detektors 1 mit Photowiderständen kann auch dadurch erniedrigt werden, daß die Dicke der Photowiderstandsschicht (Substrat 1.1) möglichst klein gewählt wird. Dies kann z. B. bei der Herstellung mit amorphen Silizium oder Polysilizium durch Wahl eines möglichst hochohmigen Trägermaterials (Substrats) und hochohmigen, dünnen Siliziumschichten (Filterschichten) erreicht werden. Bei einkristallinem Silizium sollte ebenfalls möglichst hochohmiges Material genutzt werden. Eine dünne Photowiderstandsschicht kann die durch die Benutzung von sehr dünnen Wafern oder durch die Benutzung einer Isolations- schicht Schicht im Inneren des Wafers erreicht werden. Als eine Isolationsschicht kommt z. B. Si02 ("SIMOX" oder "BESOI" ) oder ein pn-Übergang in Frage.
In Fig. 3 ist schematisch eine Draufsicht eines fertigge- stellten Spektroskops mit einer Kontaktgeometrie gemäß Fig. 1 und der Isolationsschicht 7 dargestellt.
Der optische Detektor 1 bzw. ein solches dielektrisches Filter, wird durch anodisches Ätzen aus porösem Silizium herge- stellt. Die ortsabhängige spektrale Empfindlichkeit wird erzeugt durch das Anlegen eines Querstromes während des Ätzvorganges .
Anschließend wird das poröse Silizium an vorbestimmten Stel- len weggeätzt. An diesen Stellen werden die ohmschen Kontakte 5 oder Schottky-Kontakte 5 aufgebracht. Durch geeignete Anordnung der Kontakte 5 entstehen Photowiderstände bzw. Metall-Halbleiter-Metall (MSM) -Dioden, bei welchen als photoempfindliche Schicht das nicht-porosidierte Silizium unter- halb der porösen Filterschicht 3 dient. Wegen der ortsabhängigen spektralen Transmission des Filters ergibt sich auch eine ortsabhängige spektrale Empfindlichkeit der Photodetektoren. Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird zunächst eine Filterstruktur durch anodisches Ätzen einer Scheibe aus einkristallinem Silizium 1.1 erzeugt, bzw. eine Schicht aus amorphem oder polykristallinem Silizium (Fig. 4a). Durch Ein- prägen eines zusätzlichen Stromes längs der Oberfläche entsteht eine ortsabhängige Filterwirkung.
Anschließend wird die Isolationsschicht 7 (z. B. Si02, Si3N4, Polyi id, Kunststoffolie, u.s.w.) auf die Probe aufgetragen. Dabei bleibt ein Streifen in der Mitte der Probe frei, welche nachher als Filterschicht 3 dient (Fig. 4b) . Das Auftragen der Isolierschicht 7 kann z. B. in einer Aufdampf- oder Sput- teranlage erfolgen, wobei die Strukturierung mittels einer Schattenmaske (nicht dargestellt) erfolgen kann.
Daraufhin wird Photolack 9 auf die Probe aufgetragen. Zur Vermeidung des Eindringens von Photolack 9 in die Poren des porösen Siliziums der Filterschicht 3 kann vorher eine Schutzschicht (nicht dargestellt), z. B. aus Titan aufge- bracht werden.
Der Photolack 9 wird mit den Strukturen der zukünftigen Kontakte 5 belichtet. Der Lack wird entwickelt (Fig. 4c).
Anschließend wird das poröse Silizium der Filterschicht 3 mit dem Photolack 9 als Maske geätzt, z. B. durch REAKTIVES IONEN-ÄTZEN. Die Schutzschicht (nicht dargestellt) wird mitgeätzt, und die bereits aufgebrachte Isolationsschicht 7 wird nicht oder nur zum Teil angegriffen (Fig. 4d) .
Dann wird das Kontaktmaterial aufgetragen. Der Photolack 9 und das darauf liegende Kontaktmaterial wird entfernt (Lift- Off-Verfahren) . Die Schutzschicht (nicht dargestellt) wird weggeätzt. Als Ergebnis liegt dann der optische Detektor 1 als fertiggestelltes Spektroskop aus Fig. 3 vor.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren hat den Vorteil, daß nur eine Lithographie benötigt wird. Außerdem wird das Kontaktmaterial selbstjustierend nur auf die geätzten Gebiete aufgetragen. Als aktive Filtergebiete können Bereiche aus der Mitte der hergestellten Schicht aus porösem Silizium verwendet werden, das heißt, im Gegensatz zu anderen Verfahren können Randzonen mit unerwünschten Randeffekten vermieden wer- den.
Im folgenden werden noch einmal die wesentlichen Merkmale des Erfindungsgegenstandes zusammengefaßt dargestellt:
1. Optischer Detektor 1 auf der Basis von Silizium, welcher aus mehreren Photodetektoren unterhalb einer Filterschicht 3 aus porösem Silizium besteht, welcher eine ortsabhängige Filterwirkung hat.
2. Optischer Detektor 1, bei welchem das Silizium einkristallin oder polykristallin oder amorph ist.
3. Optischer Detektor 1, bei welchem die ortsabhängige Filterwirkung während der Herstellung des porösen Siliziums der Filterschicht 3 durch einen zusätzlichen Strom durch das Silizium quer zum Ätzstrom oder allgemein durch einen ungleichförmigen Ätzstrom erzeugt wird.
4. Optischer Detektor 1, bei welchem die ortsabhängige Fil- terwirkung durch eine geeignete Form der Ätzzelle oder einer
Ätzmaske auf dem Silizium erzeugt wird.
5. Optischer Detektor 1, bei welchem die Photodetektoren als Photowiderstände oder als Metall-Halbleiter-Metall-Dioden oder aus p-n-p (bzw. n-p-n)-Dioden oder aus Kombinationen davon ausgelegt sind und bei denen die Photodetektion im wesentlichen im Material unter der Filterschicht 3 stattfindet.
6. Optischer Detektor 1 , bei welchem Größe und Form der ein- zelnen Kontakte 5 und Filterflächen so ausgelegt sind, daß ein gewünschtes Verhalten von spektraler Empfindlichkeit der Einzeldetektoren erreicht wird. 7. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem eine Probe aus amorphem oder polykristallinem oder einkristallinem Silizium mit oder ohne isolierender Zwischenschicht 7 und eine Filterschicht 3 aus porösem Silizium mit ortsabhängiger Filterwirkung hergestellt wird. Diese ortsabhängige spektrale Filterwirkung kann durch eine ungleichförmige Ätzstromdichte, z. B. durch Einprägen eines Querstromes oder durch eine geeignete geformte Ätzfläche oder ungleichförmiges Belichten während oder nach dem Ätzen erreicht wer- den.
8. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1 , bei welchem nach der Herstellung der porösen Filterschicht 3 diese Schicht mit einer Isolationsschicht 7 bedeckt wird. Die spätere aktive Filterschicht 3 wird wieder von der Isolationsschicht 7 befreit oder erst gar nicht davon bedeckt (z. B. durch Verwendung einer Scheibenmaske) .
9. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem die Oberfläche nach dem Aufbringen der Isolationsschicht 7 mit einer Schicht aus Photolack 9 und eventuell einer darunterliegenden Schutzschicht, z. B. aus Titan, bedeckt wird. Anschließend werden die Kontakteflächen durch Photolithographie definiert, und der Photolack 9 wird an diesen Stellen weggeätzt. Der übrigbleibende Photolack 9 dient als Maske für die nachfolgende Ätzung. Als Alternative kann jedes andere Verfahren zum Aufbringen einer Ätzmaske verwendet werden (z. B. Aufkleben einer Folie, Siebdruck u.s.w.).
10. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem das poröse Silizium der Filterschicht 3 durch die Ätzmaske aus Photolack 9 (oder einem anderen Material) naßchemisch oder trockenchemisch (z. B. reaktives Ionenätzen) oder durch Sputtern weggeätzt wird. Die Isolationsschicht 7 wird dabei, soweit sie nicht von der Ätzmaske geschützt wird, nur teilweise oder gar nicht geätzt.
11. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem im Anschluß an das Ätzen die Probe metallisiert wird. Im Anschluß an die Metallisierung wird die Ätzmaske entfernt, so daß das aufgebrachte Metall durch Lift-Off strukturiert wird. Durch dieses Verfahren wird nur eine Lithographie benötigt, und die Kontakte werden selbstjustierend nur auf die weggeätzten porösen Silizium-Stellen angebracht. Die Metallflächen auf der Isolationsschicht 7 können als Bond- und Kontaktflächen genutzt werden. Die Isolationsschicht 7 dient zum einen als Schutz vor dem Ätzen der darunterliegenden porösen Siliziumschichten der Filterschicht 3 und als mechanischer Schutz beim Kontaktieren, zum anderen werden größere Leckströme beim Kontaktieren auf nicht-porosidierten Material vermieden. Durch die Isolationsschicht 7 kann die aktive Detektorfläche in Bereiche mit definiertem Filter gelegt werden, Randbereiche beim Herstellen des porösen Siliziums kön- nen vermieden werden. Durch Ionenimplantation vor der Metallisierung mit Ausnutzen der Ätzmaske als Implantationsmaske kann der Kontakt 5 modifiziert werden. Durch Erhöhung der Dotierung können die Kontaktwiderstände verringert werden, durch Kontradotierungen werden pn-Übergänge erzeugt.
12. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem die Kontakte 5 an die Ränder des porösen Filters gelegt werden. Dadurch bleibt die ganze Filterfläche erhalten, allerdings auf Kosten eines gewissen Übersprechens von be- nachbarten Detektoren 1.
13. Herstellungsverfahren für einen optischen Detektor 1, bei welchem die Kontakte 5 von einer Isolationsschicht 7 quer durch die Filterschicht 3 bis zur anderen Isolationsschicht 7 verlaufen. Dadurch wird die Beeinflussung benachbarter Einzeldetektoren 1 größtenteils vermieden, allerdings auf Kosten eines Teils der Filterfläche.

Claims

Patentansprüche
1. Optischer Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium mit lateral veränderlicher Filterwirkung, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Photoempfänger-Kontakten (5) integriert ausgebildet sind.
2. Optischer Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoempfänger-Kontakte (5) quer zur Filterschicht (3) ausgebildet sind.
3. Optischer Detektor nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Photoempfänger-Kontakte (5) an den Seiten der Filterschicht (3) ausgebildet sind.
4. Optischer Detektor nach Anspruch 2 oder 3 , dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Photoempfänger-Kontakte (5) abhängig ist von einem aufzulösenden Wellenlängenbereich.
5. Optischer Detektor nach Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Photoempfänger-Kontakte (5) zum Auflösen eines breiten Wellenlängenbereichs größer ist als die Anzahl der Photoempfänger-Kontakte (5) zur scharfen spektralen Auflösung.
6. Optischer Detektor nach Anspruch 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Filterfläche der Filterschicht (3) bei seitlicher Anordnung der Photoempfänger-Kontakte (5) größer ist als die Filterfläche der Filterschicht (3) bei Queranordnung der Photoempfänger-Kontakte ( 5) .
7. Optischer Detektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoempfänger-Kontakte (5) ohmsche Kontakte sind.
8. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoempfänger-Kontakte (5) Schottkykontakte sind.
9. Verfahren zur Herstellung eines optischen Detektors mit einer Filterschicht aus porösem Silizium mit lateral veränderlicher Filterwirkung, gekennzeichnet durch die Schritte:
- Ausbilden der porösen Filterschicht auf einem Substrat;
- Ausbilden einer ortsabhängigen spektralen Filterwirkung durch Erzeugung einer ungleichförmigen Ätzstromdichte;
- Ausbilden von Kontaktflächen unterhalb der Filterschicht durch Metallisierung geätzter Bereiche des Substrats.
10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch
- Aufbringen einer Isolationsschicht auf die poröse Filter- schicht unter Freihaltung aktiver Filterflächen.
11. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch
- Aufbringen einer Isolationsschicht auf die poröse Filter- schicht unter anschließender Freilegung aktiver Filterflächen.
12. Verfahren nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch - Aufbringen einer Photolack-Schicht auf der Isolationsschicht vor der Freilegung aktiver Filterflächen;
- anschließendes Definieren der Kontaktflächen durch Photolithographie; und
- Wegätzen des Photolackes an den definierten Kontaktflächen.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Filterschicht aus porösem Silizium naßchemisch, trok- kenchemisch oder durch Sputtern weggeätzt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Metallflächen, die auf der Isolationsschicht ausgebildet werden, als Bond- und Kontaktfläche genutzt werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen an die Ränder der Filterschicht gelegt werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte quer zur Filterschicht ausgerichtet werden.
EP99967910A 1999-01-12 1999-12-24 Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu Withdrawn EP1151479A2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19900879 1999-01-12
DE19900879A DE19900879A1 (de) 1999-01-12 1999-01-12 Optischer Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium und Herstellungsverfahren dazu
PCT/DE1999/004096 WO2000041456A2 (de) 1999-01-12 1999-12-24 Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1151479A2 true EP1151479A2 (de) 2001-11-07

Family

ID=7894042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP99967910A Withdrawn EP1151479A2 (de) 1999-01-12 1999-12-24 Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6689633B1 (de)
EP (1) EP1151479A2 (de)
JP (1) JP2003505856A (de)
CA (1) CA2355217A1 (de)
DE (1) DE19900879A1 (de)
WO (1) WO2000041456A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10333669A1 (de) * 2003-07-24 2005-03-03 Forschungszentrum Jülich GmbH Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101374932B1 (ko) 2007-09-28 2014-03-17 재단법인서울대학교산학협력재단 확산 제한 식각과정에 의한 수평 변환 다공성 실리콘 광학필터의 제조방법 및 그에 의한 필터구조
DE102010004890A1 (de) * 2010-01-18 2011-07-21 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5043571A (en) * 1988-08-01 1991-08-27 Minolta Camera Kabushiki Kaisha CCD photosensor and its application to a spectrophotometer
GB9213824D0 (en) * 1992-06-30 1992-08-12 Isis Innovation Light emitting devices
DE4319413C2 (de) * 1993-06-14 1999-06-10 Forschungszentrum Juelich Gmbh Interferenzfilter oder dielektrischer Spiegel
EP0645621A3 (de) * 1993-09-28 1995-11-08 Siemens Ag Sensoranordnung.
DE4342527A1 (de) * 1993-12-15 1995-06-22 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zum elektrischen Kontaktieren von porösem Silizium
DE4444620C1 (de) * 1994-12-14 1996-01-25 Siemens Ag Sensor zum Nachweis elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19608428C2 (de) * 1996-03-05 2000-10-19 Forschungszentrum Juelich Gmbh Chemischer Sensor
DE19609073A1 (de) * 1996-03-08 1997-09-11 Forschungszentrum Juelich Gmbh Farbselektives Si-Detektorarray
DE19653097A1 (de) * 1996-12-20 1998-07-02 Forschungszentrum Juelich Gmbh Schicht mit porösem Schichtbereich, eine solche Schicht enthaltendes Interferenzfilter sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
US5939732A (en) * 1997-05-22 1999-08-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof
DE19746089A1 (de) * 1997-10-20 1999-04-29 Forschungszentrum Juelich Gmbh Eine Filterstruktur aufweisendes Bauelement
US6350623B1 (en) * 1999-10-29 2002-02-26 California Institute Of Technology Method of forming intermediate structures in porous substrates in which electrical and optical microdevices are fabricated and intermediate structures formed by the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0041456A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000041456A3 (de) 2000-10-19
WO2000041456A2 (de) 2000-07-20
US6689633B1 (en) 2004-02-10
WO2000041456A9 (de) 2001-09-27
DE19900879A1 (de) 2000-08-17
CA2355217A1 (en) 2000-07-20
JP2003505856A (ja) 2003-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2035326B1 (de) Sensor mit diodenpixeln und verfahren zu seiner herstellung
DE4315012B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor
EP1296122B1 (de) Sensor zum berührungslosen Messen einer Temperatur
DE19752208A1 (de) Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0684462A2 (de) Thermischer Sensor/Aktuator in Hableitermaterial
DE4309206C1 (de) Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor
EP0732594A1 (de) Mikromechanisches Halbleiterbauelement
EP0005185B1 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen
EP0182088B1 (de) Schottky-Kontakt auf einer Halbleiteroberfläche und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3402629A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung
DE102020008064A1 (de) Tiefe grabenisolationsstruktur und verfahren zu deren herstellung
WO2013167208A1 (de) Mikrooptisches filter und dessen verwendung in einem spektrometer
EP1151479A2 (de) Optischer detektor mit einer filterschicht aus porösem silizium und herstellungsverfahren dazu
EP1425241B1 (de) Verfahren zur herstellung einer membran
EP2269221B1 (de) Optoelektronischer strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von detektorelementen
EP0626100B1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterstruktur
DE3227263C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer planaren Avalanche-Fotodiode mit langwelliger Empfindlichkeitsgrenze über 1,3 μ
WO1998047181A1 (de) Elektromagnetischer strahlungssensor mit hohem lokalkontrast
DE2122065A1 (de) Photoelektrischer Detektor
DE4444620C1 (de) Sensor zum Nachweis elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19723330A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren und Dünnschichttransistor
DE19746089A1 (de) Eine Filterstruktur aufweisendes Bauelement
EP1931592B1 (de) Verfahren zur herstellung einer eine monolithisch integrierte schaltung umfassende sensoranordnung
DE2627307C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
EP3582267B1 (de) Uv-strahlungssensor auf basis von diamant

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20010511

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN WITHDRAWN

18W Application withdrawn

Effective date: 20050126