DE69133254T2 - Arbeitsverfahren für Vakuumbehandlungsvorrichtung - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Vakuum-Bearbeitungsverfahren. Genauer gesagt, betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Bearbeitung im Vakuum mittels einer Vorrichtung mit Vakuum-Bearbeitungskammern, deren Inneres gereinigt werden muss.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einer Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung wie einer Trockenätzvorrichtung, einer CVD-Vorrichtung oder einer Sputtervorrichtung wird eine vorbestimmte Anzahl zu behandelnder Substrate als eine Einheit (die im Allgemeinen als ein "Los" bezeichnet wird) in einer Substratkassette untergebracht und in die Vorrichtung geladen. Die Substrate werden nach der Behandlung in gleicher Weise mit derselben Einheit in der Substratkassette gelagert und entnommen. Dies ist ein normales Verfahren zum Betreiben dieser Vorrichtungen, um die Produktivität zu verbessern.
  • Bei derartigen Vakuum-Bearbeitungsvorrichtungen, wie sie oben beschrieben sind, insbesondere bei einer Vorrichtung, die eine Reaktion mittels eines aktiven Gases nutzt, wie typischerweise eine Trockenätzvorrichtung und eine CVD-Vorrichtung, haften bei fortschreitender Behandlung Reaktionsprodukte an einer Vakuum-Bearbeitungskammer an und scheiden sich an ihr ab. Aus diesem Grund treten Probleme wie eine Beeinträchtigung des Vakuum-Funktionsvermögens, der Zunahme von Stäuben, des Abfalls der Pegel optischer Überwachungssignale auf. Um diese Probleme zu lösen, wird herkömmlicherweise das Innere der Vakuum-Bearbeitungskammern periodisch gereinigt. Zu Reinigungsvorgängen gehören das sogenannte "Nassreinigen", bei dem die anhaftenden Stoffe unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels usw. abge- wischt werden, und das sogenannte Trockenreinigen, bei dem ein aktives Gas oder Plasma verwendet wird, um anhaftende Stoffe zu zersetzen. Trockenreinigen ist aus dem Gesichtspunkt des Arbeitsfaktors und der Effizienz hervor ragend. Diese Merkmale der Trockenreinigung wurden einhergehend mit den Fortschritten bei der Automatisierung von Herstelllinien wesentlich.
  • Ein Beispiel für Vakuum-Bearbeitungsvorrichtungen mit derartiger Trockenreinigungsfunktion ist in der japanischen Gebrauchsmuster-Offenlegung Nr. 127125/1988 offenbart. Diese Vorrichtung verfügt über eine Vakuum-Vorkammer zum Einführen zu behandelnder Wafer von der Atmosphärenseite in eine Bearbeitungskammer auf der Vakuumseite, die über ein Schleusenventil angrenzend an die Bearbeitungskammer angebracht ist. In die Vakuum-Vorkammer wird ein Hilfswafer geladen und durch eine spezielle Fördereinrichtung in die Bearbeitungskammer transportiert, bevor diese einer Trockenreinigung unterzogen wird, und der Hilfswafer wird durch die Fördereinrichtung zur Vakuum-Vorkammer zurückgeführt, nachdem die Trockenreinigung abgeschlossen ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Bei der oben beschriebenen bekannten Technik ist dem Aufbau der Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung nicht viel Aufmerksamkeit geschenkt. Die Vakuum-Vorkammer zum Aufbewahren der Hilfswafer muss über ein großes Fassungsvermögen verfügen und die spezielle Fördereinrichtung zum Transportieren der Hilfswafer ist erforderlich, und demgemäß verfügt die Vorrichtung über eine komplizierte Konstruktion.
  • Zur Plasmareinigung verwendete Hilfswafer werden erneut in die Vakuum-Vorkammer zurückgeführt und warten dort. In diesem Fall haften während der Plasmareinigung erzeugte Reaktionsprodukte und zur Plasmareinigung verwendetes Reaktionsgas an den verwendeten Hilfswafern an. Danach wird die normale Bearbeitung für Wafer wieder aufgenommen. Daher existieren die verwendeten Hilfswafer und unbearbeitete Wafer gemischt innerhalb der VakuumVorkammer, und dieser Zustand ist aus dem Gesichtspunkt einer Verunreinigung unbearbeiteter Wafer nicht erwünscht.
  • Durch die Erfindung ist ein Verfahren zur Vakuumbearbeitung geschaffen, das die oben beschriebenen Probleme löst, einfach ist, die Verunreinigung unbearbeiteter Substrate verhindert und zu hoher Herstellausbeute führt.
  • Ein Verfahren zur Vakuumbearbeitung eines Substrats unter Verwendung mehrerer Vakuum-Bearbeitungskammern mit den Schritten des Oberbegriffs des Anspruchs 1 ist aus EP 0367423A bekannt.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht einer Trockenätzvorrichtung als einer Ausführungsform einer Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung; und
  • 2 ist ein Vertikalschnitt entlang der Linie 1-1 in der 1.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Wenn zu bearbeitender Substrate in einer Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung bearbeitet werden, haften an Vakuum-Bearbeitungskammern Reaktionsprodukte an und werden in ihnen abgeschieden. Die an den Vakuum-Bearbeitungskammern anhaftenden und in ihnen abgeschiedenen Reaktionsprodukte werden dadurch entfernt, dass Hilfswafer innerhalb der Vakuum-Bearbeitungskammern angebracht werden und eine Trockenreinigung ausgeführt wird. Um eine Trockenreinigung auszuführen, werden die Zeitpunkte für die Trockenreinigung der Vakuum-Bearbeitungskammern bestimmt, und während oder nach der Bearbeitung einer vorbestimmten Anzahl zu bearbeitender Substrate werden Hilfssubstrate durch eine Substratfördereinrichtung von einer in der Luftatmosphäre angeordneten Hilfssubstrat-Speichereinrichtung gemeinsam mit einer Speichereinrichtung für bearbeitete Substrate transportiert und dann innerhalb den Vakuum-Bearbeitungskammern angeordnet. Nachdem die Hilfssubstrat auf diese Weise angeordnet sind, wird innerhalb jeder Vakuum-Bearbeitungskammer ein Plasma erzeugt, um eine Trockenreinigung innerhalb der Vakuum-Bearbeitungskammer auszuführen. Nachdem die Trockenreinigung innerhalb der Vakuum-Bearbeitungskammern abgeschlossen ist, werden die Vakuum-Bearbeitungskammern von ihnen durch die Substratfördereinrichtung in die Hilfssubstrat-Speichereinrichtung zurückgebracht. Auf diese Weise werden sowohl eine Vakuum-Vorkammer als auch ein spezieller Transportmechanismus, wie sie bei bekannten Techniken beide erforderlich waren, überflüssig, und die Vorrichtungskonstruktion wird vereinfacht. Die für die Trockenreinigung verwendeten Hilfssubstrate und die zu bearbeitenden Substrate liegen nicht gemeinsam innerhalb derselben Kammer vor, so dass eine Verunreinigung zu bearbeitender Substrate durch Staub und Restgas verhindert ist und eine hohe Herstellausbeute erzielt werden kann.
  • Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren unter Bezugnahme auf die 1 und 2 erläutert.
  • Die 1 und 2 zeigen eine Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung, die in diesem Fall eine Trockenätzvorrichtung zum Ätzen von Wafern, d. h. von durch Plasma zu bearbeitenden Substraten, ist.
  • Kassettentische 2a bis 2c sind in diesem Fall in L-Form an solchen Positionen angeordnet, dass sie in die Vorrichtung geladen und aus ihr entladen werden können, ohne dass ihre Positionen und Stellungen geändert werden. Anders gesagt, sind die Kassetten 1a bis 1c immer an vorbestimmten Positionen auf einer im Wesentlichen horizontalen Ebene fixiert, während die Kassettentische 2a und 2b benachbart zueinander und parallel zueinander an einer der Seiten der L-Form angeordnet sind. Der Kassettentisch 2c ist auf der anderen Seite der L-Form angeordnet. Die Kassettentische 1a und 1b dienen zum Aufbewahren unbearbeiteter Wafer und zum Entnehmen der bearbeiteten Wafer. Sie können eine Anzahl (im Allgemeine 25) Wafer 20 als zu behandelnde Substrate aufnehmen. Die Kassette 1c dient in diesem Fall zum Speichern der Hilfswafer zum Ausführen einer Trockenreinigung unter Verwendung von Plasma (nachfolgend als "Plasmareinigung" bezeichnet) und zum Entnehmen der Hilfswafer nach der Plasmareinigung. Sie kann mehrere (im Allgemeinen 25) Hilfswafer 30 aufnehmen.
  • Eine Ladeschleusenkammer 5 und eine Entladeschleusenkammer 6 sind so angeordnet, dass sie den Kassettentischen 2a und 2b zugewandt sind, und ein Förderer 13 ist zwischen den Kassettentischen 2a, 2b und der Ladeschleusenkammer 5 und der Entladeschleusenkammer 6 angeordnet. Die Ladeschleusenkammer 5 ist mit einer Abpumpvorrichtung 3 und einer Gaseinleitvorrichtung 4 versehen, und sie kann unbearbeitete Wafer durch ein Schleusenventil 12a in die Vakuumvorrichtung laden. Die Entladeschleusenkammer 6 ist auf ähnliche Weise mit der Abpumpvorrichtung 6 und der Gaseinleitvorrichtung 4 versehen, und sie kann bearbeitete Wafer über ein Schleusenventil 12d an die Atmosphäre entnehmen. Der Förderer 13 ist mit einem Roboter mit Achsen X, Y, Z und ⊙ versehen, und er arbeitet so, dass er die Wafer 20 zwischen den Kassetten 1a, 1b und der Ladeschleusenkammer 5 und der Entladeschleusenkammer 6 sowie die Hilfswafer 30 zwischen der Kassette 1c und der Ladeschleusenkammer 5 und der Entladeschleusenkammer 6 zuführt und empfängt.
  • Die Ladeschleusenkammer 5 und die Entladeschleusenkammer 6 sind über die Schleusenventile 12b und 12c mit einer Übertragungskammer 16 verbunden. Die Übertragungskammer 16 ist in diesem Fall rechteckig, und Ätzkammern 11a, 11b und 11c sind an den drei Seitenwänden derselben über jeweilige Schleusenventile 15a, 15b bzw. 15c angeordnet. Ein Förderer 14, der die Wafer 20 oder die Hilfswafer 30 von der Ladeschleusenkammer 5 zu den Ätzkammern 11a, 11b, 11c und sie von diesen zur Entladeschleusenkammer 6 transportieren kann, ist innerhalb der Übertragungskammer 16 angeordnet. Die Übertragungs kammer 16 ist mit einer Abpumpvorrichtung 17 versehen, die ein unabhängiges Evakuieren ausführen kann.
  • Die Ätzkammern 11a, 11b, 11c haben dieselbe Konstruktion, und sie können dieselbe Bearbeitung ausführen. Beispielhaft erfolgt eine Erläuterung zur Ätzkammer 11b. Die Ätzkammer 11b verfügt über einen Probentisch 8b, um die Wafer 20 darauf zu platzieren, und eine Auslasskammer ist so vorhanden, dass sie über dem Probentisch 8b einen Auslassabschnitt 7b bildet. Die Ätzkammer 11b verfügt über eine Gaseinlassvorrichtung 10b zum Einlassen eines Bearbeitungsgases in den Auslassabschnitt 7b sowie eine Abpumpvorrichtung 9b zum Absenken des Innendrucks der Ätzkammer 11b auf einen vorbestimmte Druck. Die Ätzkammer 11b verfügt ferner über eine Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen von Mikrowellen und eines Magnetfelds zum Umwandeln des Bearbeitungsgases im Auslassabschnitt 7b im Plasma.
  • Im oberen Teil der Ätzkammer ist ein Sensor 18 zum Messen der Intensität von Plasmalicht angeordnet. Der Messwert des Sensors 18 wird in eine Steuerung 19 eingegeben. Die Steuerung 19 vergleicht den Messwert vom Sensor 18 mit einem vorbestimmten, und sie bestimmt den Zeitpunkt der Reinigung im Inneren der Ätzkammer. Die Steuerung 19 steuert die Förderer 13 und 14 zum Steuern des Transports der Hilfswafer 30 zwischen der Kassette 1c und den Ätzkammern 11a bis 11c.
  • In einer Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung mit dem oben beschriebenen Aufbau werden als Erstes die unbearbeitete Wafer aufnehmenden Kassetten 1a, 1b durch einen Linientransportroboter, der auf Grundlage der von einer Hoststeuervorrichtung, oder durch eine Bedienperson, gelieferten Daten arbeitet, auf den Kassettentischen 2a, 2b platziert. Andererseits wird die die Hilfswafer speichernde Kassette 1c auf dem Kassettentisch 2c platziert. Die Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung führt die Waferbearbeitung oder die Plasmareinigung auf Grundlage dessen aus, dass sie selbst die auf den Kassetten 1a bis 1c vorhandenen Herstelldaten, die von der Hoststeuervorrichtung gelieferten Daten oder den von einer Bedienperson eingegebenen Befehl er- kennt.
  • Z. B. werden die Wafer 20 nacheinander in der Reihenfolge von oben her durch die Förderer 13 und 14 in die Ätzkammern 11a, 11b, 11c geladen und geätzt. Die geätzten Wafer werden durch die Förderer 14 und 13 in ihren ursprünglichen Positionen innerhalb der Kassette 1a gespeichert. In diesem Fall werden, vom Anfang bis zum Ende des Vorgangs, ohne dass die Position und die Haltung der Kassetten geändert würden, die unbearbeiteten Wafer den Kassetten entnommen, und sie werden in ihre ursprünglichen Positionen zurückgebracht, in denen sie gespeichert waren, und sie werden dort gespeichert. Auf diese Weise kann die Vorrichtung einfach eine Automatisierung der Heratelllinie meistern, die Verunreinigung der Wafer durch Staub kann verrin- gert werden, und so können hohe Herstelleffizienz und hohe Herstellausbeute erzielt werden.
  • Wenn der Ätzvorgang wiederholt wird, haften Reaktionsprodukte an der Innenwand der Ätzkammern 11a bis 11c an und werden dort abgeschieden. Daher muss der ursprüngliche Zustand dadurch wiederhergestellt werden, dass die anhaftenden Stoffe durch Plasmaätzen entfernt werden. Die Steuerung 19 beurteilt den Zeitpunkt für diese Plasmareinigung. In diesem Fall ist in jeder der Ätzkammern 11a bis 11c ein Abschnitt vorhanden, durch den das Plasmalicht läuft. Der Sensor 18 misst die Intensität des durch diesen Abschnitt laufenden Plasmalichts, und wenn der Messwert einen vorbestimmten Wert erreicht, wird der Startzeitpunkt für die Plasmareinigung festgelegt. Alternativ kann der Zeitpunkt für die Plasmareinigung dadurch festgelegt werden, dass die Anzahl der in jeder Ätzkammer bearbeiteten Wafer durch die Steuerung 19 gezählt wird und der Zeitpunkt dann festgelegt wird, wenn dieser Wert einen vorbestimmten Wert erreicht. Beide Verfahren für den Zeitpunkt der Plasmareinigung sind aus JP-U-2-26229 bekannt. Der tatsächliche Zeitpunkt für die Plasmareinigung, wie sie ausgeführt wird, kann während der Verarbeitung einer vorbestimmten Anzahl von Wafern in den Kassetten 1a oder 1b, nach Abschluss der Bearbeitung aller Wafer 20 in einer Kassette und vor der Bearbeitung von Wafern in der nächsten Kassette liegen.
  • Die Plasmareinigung wird mit der folgenden Abfolge ausgeführt. In diesem Fall erfolgt die Erläuterung für den Fall, dass die Ätzkammern 11a bis 11c einer Plasmareinigung unter Verwendung dreier Hilfswafer 30 unter den in der Kassette 1c untergebrachten Hilfswafer 30 (in diesem Fall sind 25 Hilfswafer gespeichert) einer Plasmareinigung unterzogen werden.
  • Durch den Förderer 13 werden Hilfswafer 30, die in der Kassette 1c gespeichert sind und noch nicht genutzt wurden oder genutzt werden können, da die Anzahl der Verwendungen zur Plasmareinigung unter einer vorbestimmten Anzahl liegt, herausgezogen. Dabei können an jeder beliebigen Position in der Kassette 1c gespeicherte Hilfswafer 30 verwendet werden, jedoch sind in diesem Fall die Positionsnummern der Hilfswafer in der Kassette und ihre Verwendungsanzahlen in der Steuerung 19 gespeichert, und demgemäß werden vorzugsweise Hilfswafer herausgezogen, die kleinere Verwendungsanzahlen zeigen. Dann wird ein Hilfswafer 30 durch den Förderer 13 durch das Schleusenventil 12a auf dieselbe Weise wie bei der Übertragung beim Ätzen von Wafern 20 in die Ladeschleusenkammer 5 geladen, die auf der Seite entgegengesetzt zur Kassette 1a liegt. Nachdem das Schleusenventil 12a geschlossen wurde, wird die Ladeschleusenkammer 5 durch die Abpumpvorrichtung 3 bis auf einen vorbestimmten Druck evakuiert, und dann werden die Schleusenventile 12b und 15a geöffnet. Der Hilfswafer 30 wird durch den Förderer 14 von der Ladeschleusenkammer 5 durch die Übertragungskammer 16 zur Ätzkammer 11a transportiert, und er wird auf dem Probentisch 8a platziert. Nachdem das Schleusenventil 15a geschlossen wurde, wird in der Ätzkammer 11a, in der der Hilfswafer 30 angeordnet ist, eine Plasmareinigung unter vorbestimmten Bedingungen ausgeführt.
  • Inzwischen werden die Schleusenventile 12a, 12b geschlossen und der Druck in der Ladeschleusenkammer 5 wird durch die Gaseinlassvorrichtung 5 auf den. Atmosphärendruck zurückgebracht. Als Nächstes wird das Schleusenventil 12a geöffnet und der zweite Hilfswafer 30 wird durch den Förderer 13 auf dieselbe Weise wie der erste Hilfswafer 30 in die Ladeschleusenkammer 5 geladen, und durch die Abpumpvorrichtung 3 wird erneut ein Abpumpen bis auf einen vorbestimmten Druck nach dem Schließen des Schleusenventils 12a ausgeführt. Danach werden die Schleusenventile 12b und 15b geöffnet, und der zweite Hilfswafer 30 wird von der Ladeschleusenkammer 5 mittels des Förderers 13 durch die Übertragungskammer 16 zur Ätzkammer 11b transportiert. Eine Plasmareinigung startet, nachdem das Schleusenventil 15b geschlossen wurde.
  • Inzwischen der dritte Hilfswafer 30 auf dieselbe Weise wie der zweite Hilfswafer 30, in die Ätzkammer 11c transportiert und es wird eine Plasmareinigung ausgeführt.
  • Nachdem die Plasmareinigung in der Ätzkammer 11a, in der der erste Hilfswafer 30 platziert ist, abgeschlossen ist, werden die Schleusenventile 15a und 12c geöffnet. Der benutzte Hilfswafer 30 wird von der Ätzkammer 11a mittels des Förderers 14 zur Entladeschleusenkammer 6 transportiert. Dann wird das Schleusenventil 12c geschlossen. Nachdem der Druck in der Entladeschleusenkammer 6 durch die Gaseinlassvorrichtung 4 auf den Atmosphärendruck zurückgebracht wurde, wird das Schleusenventil 12d geöffnet. Der benutzte Hilfswafer 30, der in die Entladeschleusenkammer 6 transportiert wurde, wird mittels des Förderers 13 durch das Schleusenventil 12d an die Luft entnommen, und er wird an seine Ursprungsposition in der Kassette 1c zurückgebracht, an der er zu Beginn gespeichert war.
  • Wenn die Plasmareinigung der Ätzkammern 11b und 11c abgeschlossen ist, werden der zweite und der dritte Hilfswafer 30 an ihre Ursprungspositionen in der Kassette 1c zurückgebracht.
  • Auf diese Weise werden die benutzten Hilfswafer 30 an ihre Ursprungspositionen in der Kassette 1c zurückgebracht, und die Hilfswafer 30 sind immer in der Kassette 1c gelagert. Wenn alle Hilfswafer 30 in der Kassette 1c zur Plasmareinigung verwendet wurden oder wenn die Gebrauchsanzahl der Wafer 30 nach wiederholtem Gebrauch vorbestimmte Werte erreichen, werden die Hilfswafer 30 insgesamt mit der Kassette 1c ersetzt. Der Zeitpunkt für dieses Ersetzen der Kassette wird durch die Steuerung 19 verwaltet, und das Ersetzen wird der Hoststeuervorrichtung zum Steuern des Linientransportroboters oder an die Bedienperson mitgeteilt.
  • Obwohl die obige Erläuterung den Fall betrifft, dass die Ätzkammern 11a bis 11c unter Verwendung dreier Hilfswafer 30 unter den Hilfswafern 30 in der Kassette 1c kontinuierlich eine Plasmareinigung erfahren, können auch andere Bearbeitungsverfahren verwendet werden.
  • Z. B. werden die Ätzkammern 11a bis 11c sequenziell unter Verwendung eines Hilfswafers 30 einer Plasmareinigung unterzogen. Im Fall einer derartigen Plasmareinigung können unbearbeitete Wafer 20 in anderen Ätzkammer als derjenigen geätzt werden, die einer Plasmareinigung unterzogen wird, und so kann die Plasmareinigung ausgeführt werden, ohne dass das Ätzen unterbrochen wird.
  • Wenn die Bearbeitungskammern verschieden sind, wenn sie z. B. eine Ätzkammer, eine Nachbearbeitungskammer und eine Filmbildungskammer sind, und wenn Wafer sequenziell bearbeitet werden, während sie durch jede dieser Bearbeitungskammern laufen, kann jede der Bearbeitungskammern dadurch geeignet einer Plasmareinigung unterzogen werden, dass Hilfswafer 30 während der Bearbeitung der in der Kassette 1a oder 2a untergebrachten Wafer 20, die sequenziell herausgezogen und zugeführt werden, zugeführt werden, was dadurch erfolgt, dass lediglich die Hilfswafer 30 durch die Bearbeitungskammern geführt werden, für die keine Plasmareinigung erforderlich ist, wobei eine Plasmareinigung nur dann ausgeführt wird, wenn die Hilfswafer 30 diejenigen Bearbeitungskammern erreichen, die eine Plasmareinigung benötigen.
  • Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren sind die die Hilfswafer speichernde Kassette und die die zu bearbeitenden Wafer speichernden Kassetten gemeinsam an Luft angeordnet, die Hilfswafer werden durch denselben Förderer wie den zum Transportieren der Wafer von der Kassette in die Vorrichtung geladen, wenn eine Reinigung ausgeführt wird, und die verwendeten Hilfswafer werden an ihre Ursprungspositionen in der Kassette zurückgebracht. Auf diese Weise muss kein Mechanismus zum Ausführen ausschließlich der Plasmareinigung vorhanden sein, und die Konstruktion der Vorrichtung kann vereinfacht sein. Es ist nicht erforderlich, die Plasmareinigung als spezielle Bearbeitungssequenz zu handhaben, sondern die Plasmareinigung kann in eine normale Ätzbearbeitung eingebaut werden und effizient in einer Reihe von Vorgängen ausgeführt werden.
  • Die zur Plasmareinigung verwendeten Hilfswafer werden an ihre Ursprungspositionen in der in der Luft platzierten Kassette zurückgebracht. Demgemäß existieren die gebrauchten Hilfswafer und die Wafer vor und nach der Bearbeitung nicht gemischt in der Vakuumkammer, so dass, abweichend von herkömmlichen Vorrichtungen, keine Verunreinigung von Wafern durch Staub und Restgas erfolgt.
  • Die gebrauchten Hilfswafer werden an ihre Ursprungspositionen in der Kassette zurückgebracht, und es wird die Anzahl ihres Gebrauchs verwaltet. Demgemäß ist es möglich, eine Verwechslung benutzter Hilfswafer mit unbenutzten Hilfswafern sowie eine Verwechslung von Hilfswafern mit kleinen Nutzungszahlen mit solchen mit großen Nutzungszahlen zu vermeiden. Aus diesen Gründen können die Hilfswafer effektiv ohne jedes Problem genutzt werden, wenn eine Plasmareinigung ausgeführt wird.
  • Ferner kann die Vorrichtung über mehrere Bearbeitungskammern verfügen, und sie kann Wafer und Hilfswafer durch denselben Förderer transportieren. Da eine Plasmareinigung durch Verwalten des Reinigungszeitpunkts jeder Bearbeitungskammer durch die Steuerung ausgeführt werden kann, kann der Reinigungszyklus wahlfrei eingestellt werden, ein Trockenreinigen kann ohne Unterbrechen des Bearbeitungsablaufs ausgeführt werden, die Bearbeitung kann effizient erfolgen und die Produktivität kann verbessert werden.
  • Wie oben beschrieben, existieren Effekte dahingehend, dass der Aufbau der Vorrichtung einfach ist, die zu bearbeitenden Substrate frei von Verunrei nigung sind und die Herstellausbeute hoch ist.

Claims (4)

  1. Verfahren zur Vakuum-Bearbeitung mehrerer zu bearbeitender Substrate (20) in einer Vakuum-Bearbeitungsvorrichtung, mit folgenden Schritten: (i) Bereitstellen einer ersten und einer zweiten Kassette (1a, 1b), die jeweils mehrere der genannten Substrate enthalten, in einem Luftbereich der Vorrichtung, (ii) Übertragen der zu bearbeitenden Substrate zwischen den Kassetten (1a, 1b) und einer ersten und einer zweiten Ladeschleusenkammer (5, 6) der Vorrichtung mittels einer luftseitigen Fördereinrichtung (13) der Vorrichtung, die eingerichtet ist, alle Kassetten und beide Ladeschleusenkammern zu erreichen, (iii) Übertragen der zu bearbeitenden Substrate mittels einer vakuumseitigen Fördereinrichtung (14) der Vorrichtung (a) zwischen den Ladeschleusenkammern (5, 6) und Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c) der Vorrichtung und (b) zwischen den Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c), wobei die vakuumseitige Fördereinrichtung (14) in einer Vakuumübertragungskammer (16) angeordnet ist, die direkt mit den Ladeschleusenkammern und den Vakuumbearbeitungskammern verbunden ist, wobei die Ladeschleusenkammern (5, 6) direkt zwischen die Vakuumübertragungskammer (16) und den Luftbereich geschaltet sind und die Kassetten (1a, 1b) vor den Ladeschleusenkammern angeordnet werden, (iv) Bearbeiten der zu bearbeitenden Substrate im Vakuum in den Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c), gekennzeichnet durch (v) Reinigen der Vakuumbearbeitungskammern, um anhaftendes Material, das von der Bearbeitung der Substrate stammt, zu entfernen, wobei das Reinigen folgendes umfaßt: (v) (a) vor und nach dem Reinigen der Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c) Übertragen von Hilfssubstraten (30) zwischen einem Hilfssubstratspeicher (2c) in dem Luftbereich und den Vakuumbearbeitungskammern mittels der luftseitigen Fördereinrichtung (13), der Ladeschleusenkammern (5, 6) und der vakuumseitigen Fördereinrichtung (14), und (v) (b) trockenes Reinigen der Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c) mit den darin befindlichen Hilfssubstraten, wobei alle zu bearbeitenden Substrate vom Luftbereich zur Vakuumübertragungskammer (16) durch eine erste der Ladeschleusenkammern und von der Vakuumübertragungskammer zum Luftbereich durch eine zweite der Ladeschleusenkammern übertragen werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zu bearbeitenden Substrate von der luftseitigen Fördereinrichtung (13) und der vakuumseitigen Fördereinrichtung (14) einzeln übertragen werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 mit einem Schritt zum Bestimmen des Zeitpunkts für die Reinigung der Vakuumbearbeitungskammern (11a, 11b, 11c) aufgrund (a) der Intensität von die Vakuumbearbeitungskammern durchtretendem Plasmalicht oder (b) der Anzahl in den Vakuumbearbeitungskammern bearbeiteter Substrate.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei in einer der Vakummbearbeitungskammern eine trockene Reinigung durchgeführt wird, während in mindestens einer anderen der Vakuumbearbeitungskammern eine Bearbeitung des zu bearbeitenden Substrats ausgeführt wird.
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