DE4134617A1 - Verbindungsvorrichtung mit in gleicher ebene liegenden kontakthoeckern und das verfahren zur herstellung einer derartigen vorrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Verbindungs-oder Schaltungsvorrichtung mit in gleicher Ebene liegenden Kontakthöckern und das Verfahren zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung.

Es ist bekannt erhöhte Kontaktelemente (manchmal als "Höcker" bezeichnet) zu gebrauchen, um Kontakte für elektrische Verbindungen herzustellen. Solche Höcker­ kontakte findet man oft in Verbindungsvorrichtungen oder in Schaltungen welche einen Schaltkreis mit einem elektronischen Bauteil oder einem anderen Schaltkreis verbinden.

Es ist zum Beispiel bekannt Höckerkontakte zu gebrauchen um ein Schaltkreisglied mit einem anderen zu verbinden, oft durch den Gebrauch eines Druckverbindungs­ systems wie z. B. in den US-Patenten 44 68 074; 46 10 495 und 47 68 971 aufgeführt. Zum Beispiel ist es bekannt Höckerkontakte bei flexiblen Schaltungen anzuwenden, um sie an Leiterplatten mittels einer Druckverbindung anzuschließen. Die Gleichheit der Höckerhöhe ist in vielen solcher Anwendungen nicht ausschlaggebend, weil die Biegsamkeit der Schaltungen und die Distanz zwischen Höckerstellen der Vorrichtung einen gewissen Überein­ stimmungsspielraum gewährt, um die Kontakte herzustellen. Dies ist jedoch nicht der Fall wenn die Dichte der Höcker­ kontakte zunimmt und die Höcker näher aneinander liegen. In solchen Fällen kann die Biegsamkeit des Verbindungs­ materials nicht den nötigen Ausgleich gewähren um die Höhenunterschiede der Höcker zu überwinden. Bedingt durch das Versagen den Kontakt dort wo erforderlich herzustellen, werden Funktionsstörungen auftreten.

Falls Kontakthöcker in Ausführungen mit hoher Kontakt­ dichte gebraucht werden, wie z. B. Anschlußverbindungen vom Multichip-Modul (MCM) an die Leiterplatte (z. B. Abstand, gemessen zwischen den Mittelpunkten von angrenzenden Kontaktstellen, kleiner als 1,27 mm), ist es sehr wichtig, daß gewahrt bleibt, daß die Höckerkontaktflächen sich genau in einer Ebene befinden.

Das heißt daß die Höhe der Höcker sorgfältig kontrolliert werden muß so daß die Ober-oder Kontakt­ flächen von allen Höckern sich in derselben Ebene befinden um die Verbindung mit den Kontaktpunkten auf dem MCM oder einer anderen, anzuschließenden Vorrichtung herzustellen. Falls die Höckerhöhe von Höcker zu Höcker ändert, kann eventuell die Verbindung an nicht allen Kontaktstellen hergestellt werden. Falls z. B. ein niedriger Höcker sich zwischen zwei höheren Höckern befindet, kann eventuell der niedrigere Höcker mit seiner, auf dem MCM oder einer anderen Vorrichtung, vorgesehenen Kontaktstelle keine Verbindung herstellen, wodurch eine Funktionsstörung entsteht.

Das Bedürfnis, daß die Höcker sich genau in einer Ebene befinden und dies insbesondere in Ausführungen mit hoher Verbindungsdichte, wird von den Fachleuten zwar erkannt, aber bis jetzt ist es schwierig gewesen dieses Objektiv zu erreichen. Die vorliegende Erfindung betrifft einen wirksamen und verläßlichen Weg, Höckerkontakte zu erzielen welche sich genau in einer Ebene befinden.

Die vorliegende Erfindung löst die oben aufgeworfene Probleme in einer neuen und verbesserten Verbindungs­ vorrichtung mit in gleicher Ebene liegenden Kontaktflächen welche entsprechend dem Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.

Wenn auch die vorliegende Erfindung besonders interessant für Verbindungsvorrichtungen mit einer großen Anzahl von Leitungen ist (wie z. B. für MC-Module), und in diesem Zusammenhang auch beschrieben wird, sollte beachtet werden, daß die Merkmale und Vorteile des Verfahrens als auch des Endprodukts der vorliegenden Erfindung, generell auch in anderen Verbindungsvorrichtungen von Nutzen sind, welche sich nicht unbedingt durch eine große Kontaktdichte auszeichnen.

In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung, werden die Kontakthöcker durch ein additives Verfahren geformt, wobei die Höcker gegen eine ebene Bezugsfläche gebildet werden. Die Höcker werden zuerst als isolierte Körper gebildet, welche in einer dimensional stabilen, provisorischen Formschicht auf der Bezugsfläche eingebettet sind, d. h. die Höcker werden getrennt von den Schaltungs­ leitungen und -bahnen gebildet. Danach erst werden die Höcker in die Schaltungsleitungen und-bahnen, welche vorzugsweise durch ein Additiv-Verfahren hergestellt werden, integriert. Nach Bildung der Schaltungen wird die ebene Bezugsfläche und die provisorische Stabilitäts­ formschicht entfernt und es bleibt eine Verbindungs­ vorrichtung mit Höckern gleicher Höhe und mit ebenen Plankontaktflächen, welche sich in genau einer Ebene befinden.

Zusätzlich dazu, daß die Höcker der vorliegenden Erfindung gleicher Höhe sind und ebene Plankontaktflächen haben, welche sich in genau einer Ebene befinden, kann die Härte der Höcker bestimmt und kontrolliert werden, und zwar durch die Auswahl der Materialien welche im additiven Herstellungsverfahren gebraucht werden.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.

Es zeigen:

Fig. 1, eine Draufsicht einer biegsamen Schaltungs­ verbindungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung (betrachtet von der Unterseite im Herstellungsverfahren);

Fig. 2 bis 11, Teilschnitte einer Seitenansicht entsprechend der Schnittlinie A-A in Fig. 1, welche jeweils den Zustand der Erfindung in verschiedenen Herstellungsstadien zeigen;

Fig. 12, eine perspektivische Ansicht der ein­ schichtigen Verbindungsvorrichtung von Fig. 1 mit Höckern welche genau in einer Ebene liegen;

Fig. 13, einen vergrößerten Detailausschnitt der Fig. 11 entlang der Linie 13-13;

Fig. 14, eine Draufsicht wie in Fig. 1 wobei eine zweite Ausführung der vorliegenden Erfindung, in einer mehrschichtigen (d. h. mehrere leitende Schichten), biegsamen Verbindungsvorrichtung gezeigt wird;

Fig. 15 bis 24 sind Teilschnitte einer Seiten­ ansicht entlang der Schnittlinie B-B in Fig. 14, welche jeweils den Zustand der mehrschichtigen Vorrichtung in verschiedenen Herstellungsstadien zeigen;

Fig. 25 ist ein Blockschema des Herstellungs­ verfahrens der vorliegenden Erfindung.

Die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung und das Verfahren sie herzustellen, werden anhand der Figuren erläutert. Um ein Verstehen der Erfindung zu erleichtern, werden sowohl die Vorrichtung als auch das Verfahren die Vorrichtung herzustellen, anhand der Fig. 1 bis 13 und des Verfahrensschemas in Fig. 25 gleichzeitig beschrieben.

Fig. 2 und 3 zeigen eine Träger-oder Grundplatte 10 aus Edelstahl, welche die Tragstruktur bildet, und auf welcher eine Mehrzahl von in einer Ebene liegenden Höcker­ schaltungen oder Hökerverbindungsvorrichtungen in dem Herstellungsverfahren gebildet werden. Grundplatte 10 kann aus anderen Materialien bestehen. Es wurden dabei folgende Anforderungen an das Material gestellt: es muß eben sein, dimensional stabil und eine hochpolierte, leitende Oberfläche aufweisen. Obschon eine Vielzahl von, in einer Ebene liegenden, Höckerschaltungen oder Verbindungsvor­ richtungen auf der Trägerplatte 10 gebildet werden, wird nur eine solche Vorrichtung gezeigt und hier beschrieben (wie durch die unregelmäßige Linie angedeutet welche die Vorrichtung in Fig. 1 umschließt). Es ist jedoch verständlich daß eine Vielzahl solcher Schaltungen oder Verbindungsvorrichtungen alle gleichzeitig auf der Oberfläche der Platte 10 gebildet werden. Es ist ebenfalls verständlich, daß, obschon nur zwei Höckerstellen in den Fig. 2 bis 11 gezeigt werden, so viele Höckerstellen wie gewünscht (z. B. mehrere hundert oder sogar mehrere tausend, für eine Verbindungsvorrichtung mit hoher Leitungsdichte) simultan durch das Verfahren gebildet werden können.

Eine Abformungs-/Formschicht 12 wird durch galvanische Beschichtung der Grundschicht 10 gebildet. Die Abformungs-/ Formschicht 12 besteht aus einer dünnen Schicht 12(A), von galvanisch, auf Platte 10 aufgetragenem Nickel und einer dickeren Schicht 12(B) von galvanisch oben auf den Nickel aufgetragenem Kupfer. Da weder das Nickel, noch das Kupfer, stark haftend auf der Edelstahlplatte sind (und so eine Abformungsschicht relativ zur Edelstahlplatte bilden), sind die Nickel-und Kupferschicht so ausgebildet, daß sie die gesamte Fläche der Platte 10 bedecken (nur ein Teil davon wird in der Zeichnung gezeigt), daß sie die Seitenkanten der Platte 10 umlappen und sich eine kurze Distanz entlang der Rückseite (d. h. der Unterseite) erstrecken.

Diese Ausführung dient dazu die Schichten 12(A) und 12(B) auf der Edelstahlplatte zu fixieren, damit die dimensionale Stabilität Aufbaus der Edelstahlplatte- Abformungs-/Formschicht für das Herstellungsverfahren gewährleistet ist und zugleich jedoch eine einfache Frei­ gabe der Edelstahlplatte 10 von der Abformungs-/ Formschicht 12 erreicht wird, wenn dies gegen Ende des Herstellungsverfahrens erwünscht ist. Die Nickelent­ bindungsschicht 12(A) ist vorzugsweise ungefähr 0,0127 mm stark. Die Dicke der Kupferformschicht 12(B) entspricht der gewünschten Dicke der in einer Ebene zu bildenden Höcker. Typische Dicken für die Kupferschicht 12(B) reichen von 0,025 mm bis 0,25 mm. Die Bildung der Schichten 12(A) und 12(B) auf der Edelstahlplatte 10 wird in Teilschritt A der Fig. 25 angedeutet. Das Konzept der Nickel/Kupfer- Abformungsschicht wird in den US-Patenten 41 59 222 und 43 06 925 offenbart. Vor dem galvanischen Auftragen des Nickels auf die Edelstahlplatte, wird die Platte hoch­ poliert, ihre Ebenheit überprüft und die Oberfläche chemisch gereinigt und aktiviert mit einer alkalischen Elektroreinigungsbehandlung um jeden Oxydaufbau zu entfernen.

Diese Behandlung der Platte 10 ergibt, in Kombination mit der Umlappung der Seitenkanten, die gewünschte Abformungsschicht, welche während des Verfahrens haftend und am Ende des Verfahrens abformbar sein wird.

Für den nächsten Teilschnitt im Herstellungsverfahren wird ein normales Fotoresist-Verfahren angewandt um jene Stellen auf der Oberseite der Kupferschicht 12(B) zu definieren, wo die Höcker gebildet werden sollen. Das heißt daß Resistwerkstoff 13 auf die Oberfläche der Kupferschicht 12(B) aufgetragen wird, dann durch ent­ sprechende Masken beleuchtet wird um ein Muster von Höcker­ stellen 102 zu definieren, daß der unbelichtete Resist­ werkstoff weggewaschen wird und die restliche Oberfläche der Kupferschicht 12(B) mit Fotoresistwerkstoff bedeckt bleibt. Als Abschlußschritt dieser Fotoresist- Strukturierung wird ein Säuberungsschritt mit Plasma-Ätze ausgeführt, um jene Freiräume zu säubern wo der Fotoresist­ werkstoff ausgewaschen wurde und so eine scharfe, saubere und feine Auflösung der Höckerstellen zu erreichen. Der Fotoresistwerkstoff wird in Fig. 2 gezeigt; jene Teile die die Höckerstellen 102 definieren sind schon entfernt. Dieser Schritt zur Strukturierung der Höckerstellen nach der Fotoresisttechnik ist in Teilschritt B der Fig. 25 angedeutet.

Das Kupfer an Stelle 102 wird dann abgeätzt um eine Vielzahl von Löchern 104 in der Kupferschicht 12(B) zu bilden (siehe Fig. 3). Ein alkalisches Ätzmittel, welches Kupfer aber kein Nickel abätzt, wird dazu gebraucht. Das Kupfer in Schicht 12(B) an den Höckerstellen 102 wird soweit abgeätzt bis eine ebene Teilfläche 106 auf der Ober­ fläche der Nickelschicht 12(A) freigelegt wird. Die Löcher 104, mit den ebenen Teilflächen 106 auf dem Grund, bilden jene Formen in welchen die in einer Ebene liegenden Höcker­ kontakte dieser Erfindung gebildet werden. Die Löcher 104 werden mit konischen Seitenwänden 108 gebildet, welche sich in Richtung der auf der Nickelschicht 12(A) freigelegten, ebenen Teilflächen 106 erstrecken und diese seitlich abgrenzen; Eine vergrößerte Ansicht eines Lochs 104 wird in Fig. 4 gezeigt. Die Form des Lochs 104 und der freigelegten ebenen Teilfläche 106 der Nickelschicht (und des darin, in einem späteren Teilschritt, gebildeten Höckerkontaktes) können kreisförmig oder andersförmig, z. B. oval usw. Diese Form wird durch die Strukturierung des Resistwerkstoffs 13 bestimmt. Typische Abmessungen für ein kreisförmiges Loch d. h. die Abmessungen der Teile des Höckerkontakte für ein Verbindungsprodukt können, abhängig von der Breite der Schaltungen oder Bahnen und deren Abstand, folgende Werte aufweisen: A=0,050 mm-0,250 mm; B=0,025mm-0,200 mm; CO=0625 mm-0,500 mm; D=0,025 mm-0,250 mm. Es ist verständlich daß jene Abmessungen nur als Beispiel angegeben sind und, daß sie in Übereinstimmung mit der gewünschten Höhe des zu bildenden Höckers (welche dem Lochmaß D entspricht) und der gewünschten Abmessung der ebenen Oberfläche des zubildenden Höckers (welche dem Lochmaß B entspricht) abgeändert werden können. Das Ätzen der Höckerformlöcher 104 ist in Teilschritt C der Fig. 25 angedeutet.

Der nächste Teilschritt beginnt mit der Bildung der Kontakthöcker, indem eine dünne Kontaktschicht aus Metall 110, vorzugsweise Gold, galvanisch auf die Wände 108 der Löcher 104 und auf die freigelegten Teilflächen 106 der Nickelschicht 12(A) aufgetragen wird. Anschließend wird dann eine dünne Trennschicht 112, vorzugsweise Nickel, auf die Goldkontaktschicht galvanisch aufgetragen. Die Gold­ schicht 110 ist vorzugsweise 3,1 bis 4,4 Mikrometer stark, und die Nickelschicht 112 ist vorzugsweise ungefähr 0,6 bis 1,8 Mikrometer stark. Die Ausführung der Schichten 110 und 112 ist weder auf Gold oder Nickel beschränkt, noch ist sie auf die aufgeführten Dickenbereiche begrenzt. Die Schichten können vielmehr aus jeglichen, dazu geeigneten, von einander verschiedenartigen Metallen, mit Ausnahme von Kupfer bestehen; die Dicke kann wunschgemäß abgeändert werden. Dies ist ein wichtiges Merkmal, weil die Härte der Höcker für bestimmte Anwendungen durch die Auswahl und die relative Dicke samtlicher Materialien, welche für die Bildung der Höcker gebraucht werden, bestimmt werden kann. Wenn z. B. Gold gebraucht wird um einen Großteil des Volumens des Höckers zu bilden, wird der Höcker relativ weich; wenn der Großteil des verwendeten Werkstoffs Nickel ist, wird der Höcker härter; wenn der Großteil des verwendeten Werkstoffs Kupfer ist, wird die Härte sich zwischen der von Gold oder Nickel befinden. Die Teil­ schnitte zum galvanische Auftragen der Schichten 110 und 112 und das Auffüllen der Löcher mit Kupfer werden in den Teilschritten D, E und F in Fig. 25 und in den Fig. 5 und 5a angedeutet.

Um zu gewährleisten, daß die Höcker sauber gebildet werden und sich genau in einer Ebene im Endprodukt befinden, ist es wichtig daß Kupfer 114 aufgetragen wird um den restlichen Freiraum von jedem Loch 104 zu überfüllen, d. h. daß es über die Oberfläche der Kupfer­ formschicht 12(B) herausragt, wie in Fig. 5 und in der vergrößerten Ansicht von Fig. 5A gezeigt ist, um so zu gewährleisten daß die zentrale Einsenkung oder Depression welche sich in dem Auftragverfahren bildet sich nicht unter der Oberfläche der Schicht 12(B) befindet.

Der Fotoresistwerkstoff 13 wird anschließend entfernt, und das überschüssige Kupfer welches über die Oberfläche von Schicht 12(B) herausragt wird z. B. durch mechanischen Abrieb entfernt, um die Höckerstruktur, relativ zur freiliegenden Fläche der Formschicht 12B zu glätten. Das Entfernen des Fotoresistwerkstoffs und das Glätten der Oberfläche werden in den Teilschritten G und H der Fig. 25 und in Fig. 6 angedeutet.

Die Struktur der Höcker 116 ist jetzt in jedem der Löcher 104 gebildet, und das Verfahren geht nun zur Bildung der Leiterbahnen über (siehe Fig. 7 bis 11). Zu diesem Zweck wird zuerst eine Schicht Fotoresistwerkstoff 17 auf die Oberfläche der Kupferschicht 12(B) aufgetragen (inkl. über die Höckerelemente welche darin gebildet wurden). Der Fotoresistwerkstoff 17 wird dann durch entsprechende Masken beleuchtet um ein Muster von Leiterbahnen oder Bahnspuren 14 auf die Kupferschicht 12(B) zu definieren, wobei der unbeleuchtete Resistwerkstoff weggewaschen wird, und der Rest der Oberfläche der Kupferschicht 12(B) mit Fotoresist­ werkstoff bedeckt bleibt. Die Bahnspuren 14 erstrecken sich über die Höckerelemente, welche nun in der Schicht 12(B) ausgebildet sind, so daß jeder Höcker in einer zu bildenden Leiterbahn oder in einer Anschlußfläche enthalten ist. Eine typische Leiterbahn 14 wird rund um den Höcker eine Anschlußfläche begreifen, welche, relativ zur Höckerbasis, eine leicht vergrößerte Fläche aufweist. Als Abschlußschritt dieser Strukturierung auf Basis der Foto­ resisttechnik, kann eine Säuberung mit Plasma-Ätze ausgeführt werden, um jene Freiräume zu säubern, wo der Fotoresistwerkstoff 17 ausgewaschen wurde und so scharfe, saubere, feine Leitungen über der Höckerstelle zu erreichen. Der Fotoresistwerkstoff ist in Fig. 7 gezeigt; jene Teile welche die Leitbahnen oder Anschlußflächen über den Höckerstellen definieren, sind schon entfernt. Im Verfahren erfolgen diese Schritte in Teilschritt l in Fig. 25. Nicht alle Höcker müssen notwendigerweise in Schalt­ kreisen enthalten sein. Einige Höcker können auch als mechanische Ausgleich-oder Abstandmittel verwendet werden.

Auf den Flächen 14 werden dann, durch galvanisches Auftragen, Leitungen 16 gebildet. Ein galvanisches Auftrag­ verfahren in drei Teilschritten (siehe Fig. 8) wird angewandt, wobei jede Leitung 16 dadurch gebildet wird, daß zuerst eine dünne Schicht 16A aus Gold auf die Fläche 14 aufgetragen wird (inkl. über die Höcker 116), daß dann eine Hauptschicht aus Kupfer 16(B), und dann eine weitere dünne Schicht 16(C) aus Gold aufgetragen wird. Andere galvanisch auftragbare Metalle, wie z. B. Zinn oder Nickel, können an Stelle oder zusätzlich zu den Goldschichten 16A, 16C aufgetragen werden. Das Gold der Schicht 16A verbindet sich mit den Höckern 116, so daß die Höcker ein Bestand­ teil der gebildeten Leitungen werden. Wenn die Abstands­ verhältnisse es erlauben, kann an den Höckerstellen auch eine vergrößerte Anschlußfläche in den Masken, in dem Fotoresistmuster und in den Leitungen gebildet werden (siehe Anschlußfläche 160 in den Fig. 1 und 12).

Falls erwünscht, kann die Gesamtdicke "T" von jeder Leitung 16 ungefähr eine Feinheit von 0,025 mm haben, die Breite "W" von jeder Leitung 16 (die Zone der Anschlußfläche 160 ausgeschlossen) sowie der Abstand zwischen den Leitungen 16 kann eine Feinheit zwischen 0,025 mm und 0,050 mm haben. Es ist verständlich, daß Fig. 8 eine Teil­ ansicht ist, und daß nur zwei der Leitungen 16 und Höcker 116 in Fig. 8 zur Illustration gezeigt werden. Der Schritt betreffend das galvanische Auftragen der Leitungen 16 wird in Teilschritt J in Fig. 25 angedeutet. Der übrigbleibende Resistwerkstoff auf der Oberfläche der Kupferschicht 12(B) wird dann entfernt um die Leitungen 16 auf der Oberseite der Kupferschicht 12(B) freizulegen. Der Schritt betreffend das Entfernen des Resistwerkstoffs ist in Teilschritt J enthalten. Fig. 8 zeigt die galvanisch aufgetragenen Leitungen 16, mit dem noch vorhandenen Resistwerkstoff 17; Fig. 9 dagegen zeigt jenes Herstellungsstadium, wo der Resistwerkstoff 17 bereits entfernt ist. Die Leitungen 16 und Anschlußflächen 160 sind mit den Höckern 116 verbunden. Die Leitungen 16 sind typische Signalleitungen, welche Signale zu oder von elektrischen Bauteilen, wie z. B. Chips auf einem MC-Modul, transportieren. Die Schicht in welcher die Leitungen 16 liegen wird manchmal als Signal­ ebene bezeichnet.

Falls erwünscht, wird während der als Fotoresist- Strukturierung in Teilschritt B und während des Metall­ auftrags in Teilschritten D, E oder F, auch eine Vielzahl von Justierungsmerkmalen 15 (siehe Fig. 1) auf der Abformungsschicht 12 gebildet, um als Markierung für eine genaue Lokalisierung der Leitungen 16 in Bezug zu den Höckern 116 zu dienen. Dieselben Markierungen können auch zur genauen Lokalisierung von Durchgangslöchern, in einem späteren Stadium des Herstellungsverfahrens dienen, wenn z. B. eine Multilayer-Vorrichtung hergestellt werden soll. Eine gewisse Anzahl solcher Justierungsmerkmale 15 wird auf der Abformungsschicht 12 über die gesamte Platte 10 gebildet, um als Justierungsmarkierungen für sämtliche, zum gleichen Zeitpunkt in dem Herstellungsverfahren gebildeten, Verbindungsvorrichtungen zu dienen. Es werden jedoch nur zwei solcher Markierungen in Fig. 1 gezeigt.

Nachdem der Resistwerkstoff 17 entfernt ist, wird ein freier Klebefilm 18 auf die Oberfläche der Leitungen 16 gelegt. Der Klebefilm wird durch Hitze und Druck aktiviert. Es kann sich bei dem Klebefilm z. B. um phenolischen Butarylepoxyd handeln. Ursprünglich liegt dieser freie Film oben auf der Oberfläche der Leitungen 16 auf und umgibt diese Leitungen 16 nicht. Dieser Schritt ist in Fig. 10 gezeigt und wird in Teilschritt K in Fig. 25 angedeutet.

Zu diesem Zeitpunkt hängen die restlichen Teilschritte im Verfahren davon ab, ob eine einschichtige oder eine mehrschichtige Verbindungsvorrichtung hergestellt werden soll. Wenn eine einschichtige Vorrichtung hergestellt werden soll, wird ein dünnes, blattformiges Dielektrikum 118, aus z. B. Polyimid, Polyamid, Polyäthylen usw., auf den Klebefilm 18 gelegt. Hitze und Druck werden dann appliziert, damit die Klebeschicht 18 um die Leitungen 16 fließt und so das Dielektrikum 118 mit den Leitungen 16 und der Kupferschicht 12(B) verbindet, wie dies in Fig. 11 und in Teilschritt L der Fig. 25 angedeutet wird. Anstelle von separaten Schichten für den freien Klebefilm 18 und das Dielektrikum 118, könnte ein vorgefertigter Abdeckfilm, bestehend aus Klebemittel und nichtleitendem Material, angewandt werden.

Nach Teilschritt L wird die Trägerplatte 10 entfernt indem: (a) die Umlappung der Abformungs-/Formschicht 12 aufgebrochen wird und (b) die Trägerplatte 10 von der Abformungs-/Formschicht 12 getrennt wird. Dies kann manuell ausgeführt werden, da wie schon erwähnt, die Abformungs- /Formschicht 12 nicht fest auf der Platte 10 haftet. Nach Entfernen der Platte 10 bleibt die Abformungs-/Formschicht 12 mit den Leitungen 16 und dem Klebeband 18 verbunden, so daß es noch notwendig ist die Abformungs-/Formschicht 12 zu entfernen. Dies geschieht indem: (a) die gesamte Nickel­ schicht 12(A) abgeätzt wird und dann (b) die gesamte Kupferschicht 12(B) abgeätzt wird, oder durch den Gebrauch eines einzigen Ätzmittels, wie z. B. Chloreisenoxyd, das Nickel und Kupfer aber kein Gold ätzt. So werden die mit Gold plattierten Oberflächen 110, die Höcker 116 und die Oberflächen 16(A) der Schaltbahnen und Anschlußflächen freigelegt. Die Schritte betreffend das Entfernen der Trägerplatte 10 und das Ätzen zum Freilegen der Höcker und Schaltbahnen, werden in den Teilschritten M und N der Fig. 25 angedeutet. Für das einschichtige Produkt (d. h. eine einzige Leitschicht) müssen die Leitungen 16 nicht aus Gold/ Kupfer/ Gold, wie beschrieben bestehen. Die Leitungen 16 könnten vielmehr aus jedem anderen Metall sein, das: (a) galvanisch aufgetragen werden kann und (b) nicht durch ein kupferspezifisches Ätzmittel (welches zum Entfernen der Kupferschicht 12(B) gebraucht wird) abgeätzt wird.

Nach Entfernen der Trägerschicht 10 und der Abformungs- /Formschicht 12, besteht die resultierende Struktur aus einer Vielzahl von einzelnen Verbindungsvorrichtungen. Diese werden in einer blattförmigen Struktur, durch das Dielektrikum 118 und das Klebemittel 18 zwischen den einzelnen Teilen zusammengehalten. Die verschiedenen Einzelteile werden dann vereinzelt, d. h. herausgetrennt aus der blattförmigen Struktur. Dies kann durch jegliche geeigneten Mittel wie z. B. Stanzen, Laser-Schneider usw. erfolgen. Der Vereinzelungsschritt wird in Teilschritt O der Fig. 25 angedeutet.

Das resultierende Produkt ist eine flexible Schaltung oder Verbindung wie in den Fig. 1, 12 und 13 gezeigt, welche Leitungen 16 und in einer Ebene liegende Höcker 116 aufweist. Es ist selbstverständlich daß die in den Fig. 1, 12 und 13 gezeigte Schalt-oder Verbindungsvorrichtung nur zur Veranschaulichung der Erfindung dient. Die tatsächliche Anzahl und Anordnung der Leitungen 16 wird, von dem für die Schaltung vorgesehenen Gebrauch abhängen. Von Wichtigkeit ist dabei, wie in Fig. 13 gezeigt, daß jeder der Höcker 116 eine diskrete ebene Oberfläche oder Planfläche 120 hat. Am wichtigsten ist, daß die Plan­ flächen 120 präzis in einer Ebene liegen und dies innerhalb der Genauigkeitsgrenzen der Ebenheit der Trägerfläche 10 und der Oberfläche der Nickelschicht 12(A), gegen die die Höcker gebildet werden. Das heißt, da die Planflächen 120 gegen die Nickelschicht 12(A), welche nur eine sehr dünne Schicht auf der Trägerplatte 10 ist, gebildet werden, ist es mit dieser Erfindung möglich genau in einer Ebene liegende Höckerkontakte herzustellen indem die Ebenheit der Oberfläche des Trägers 10 kontrolliert und gewährleistet wird. Ist dies geschehen, so ist garantiert daß die Höcker in dem Endprodukt in genau einer Ebene liegen.

Ein anderer wichtiger Punkt ist, daß die Härte der Höcker 116 beeinflußt werden kann, indem sowohl die respektiven Anteile der Werkstoffe welche die Höcker 116 bilden, als auch die Werkstoffarten selbst, besonders ausgewählt werden.

Obschon eine Vorrichtung mit einer einzigen Metall­ schicht oben beschrieben wurde, wird die vorgezogene Aus­ führung wenigstens eine zweischichtige Vorrichtung sein, wobei die zweite Schicht eine Spannungsschicht (normalerweise eine Erdungsschicht) ist. Die fertige zweischichtige Vorrichtung wird in Fig. 14 gezeigt (diese Fig. 14 entspricht Fig. 1). Die Herstellung ist in den Fig. 15 bis 24 dargestellt. Die zweischichtige Vorrichtung hat Höcker 116 und in der Signalebene liegende Leitungen 16 wie oben beschrieben; und sie hat auch einige Höcker 116′ an den Enden der Vorrichtung, welche durch Durchgänge (welche später beschrieben werden) an eine Erdungsebene angeschlossen sind. Die Höcker 116′ werden während dem oben beschriebenen Verfahren, mit vergrößerten Anschlußflächen 16′ gebildet. Letztere werden zur selben Zeit und durch denselben Prozeß wie die Leitungen 16 gebildet (siehe Fig. 15). Die vergrößerten Anschlußflächen 16′ können als Leitungsstutzen, entsprechend den Leitungen 16 angesehen werden.

Um ein Multilayer-Verbindungsprodukt herzustellen zweigt das Verfahren nach Teilschritt J, nach Teilschritt P ab anstatt mit Teilschritt K weiterzufahren. Hier wird eine mehrschichtige Folie 20, bestehend aus Kupfer welcher mit einer isolierenden Substratfläche verbunden ist, welche den Klebefilm 18 enthält, mittels Hitze und Druck, mit den Anschlußflächen 16′, den Leitungen 16 und der Abformungs­ schicht 12 verbunden, wie dies in Fig. 15 gezeigt wird. Folie 20 kann z. B. aus einer Lage Kupfer 20(A) (ca. 2,2 g/cm² oder 1/2 Unze) verbunden durch eine Lage Klebemittel 20(B), mit einer Lage Polyimid 20(C) (wobei das Klebemittel 18 sich auf der anderen Seite des Polyimids befindet). Andere, mit dem Laser gravierbare, Isolierlagen, wie z. B. fluorierte Polymere, Fluoro-Imide, Polyamid-Imide, usw. und andere Klebemittel können anstelle des beschriebenen Isoliersystems gebraucht werden. Es ist wichtig die Folie 20 so aufzulegen, daß die Kupferschicht 20(A) von den Höckern 116′ und den Anschlußflächen 16′ abgewandt ist. Unter Anwendung von Hitze und Druck fließt die Klebe­ schicht 18 rundum die Anschlußflächen 16′, wie dies in Fig. 15 dargestellt ist, und ebenfalls rundum die Leitungen 16 wie in Fig. 11 gezeigt wird. So wird die Folie 20 mit den Leitungen 16, den Anschlußflächen 16′ und der Formschicht 12(B) abgebunden. Der Teilschritt betreffend die Auflage und Abbindung der Folie 20 ist in Teilschritt D in Fig. 25 angedeutet. Folie 20 (inkl. Klebemittel 18) ist vorgelocht um mit Hilfe der Justierungsmerkmale 15 ausgerichtet zu werden. So bleiben die Justierungsmerkmale auch von oben sichtbar, für eine genaue Lokalisierung der Durchgänge in einem nächsten Schritt in dem Herstellungsverfahren.

Nachdem die Folie 20 mit dem bestehenden Aufbau abgebunden wurde, wird eine Serie von Durchgangslöchern 22 (siehe Fig. 18) in dem Aufbau gebildet, um den elektrischen Kontakt mit den Anschlußflächen 16′ zu ermöglichen. In den Fig. 16-19 wird die Bildung von nur einem Durchgangsloch gezeigt, aber es ist verständlich daß pro Anschlußfläche 16′ ein Durchgangsloch gebildet wird. Um die Durchgänge zu bilden wird eine Fotoresistschicht 118 auf die Kupferschicht 20(A) aufgetragen, und der Fotoresistwerkstoff wird beleuchtet und entwickelt, um den unbeleuchteten Fotoresistwerkstoff nur jenen Stellen 120 zu entfernen, wo die Durchgangslöcher gebildet werden (siehe Fig. 16). Die Lage der Flächen, wo der Fotoresistwerkstoff entfernt werden soll, ist genau bestimmt in Bezug auf die vorhin gebildeten Justierungsmerkmale 15. Nachdem der Fotoresistwerkstoff an den Durchgangsstellen 120 entfernt wurde, wird das Kupfer in Schicht 20(A) an den Durchgangs­ stellen durch Ätzen entfernt, um die Klebeschicht 20(B) freizulegen (siehe Fig. 17). Der verbleibende Fotoresist­ werkstoff wird dann abgestreift, um die verbleibende Kupferoberfläche 20(A) freizulegen. In dem Durchgang werden dann die Klebeschicht 20(B), die Isolierschicht 20(C) und die Klebeschicht 18, alle durch einen geeigneten Laser­ strahl (wie z. B. ein CO₂- oder ein UV-Laser), welcher als Bohrer benutzt wird, entfernt. Die freigelegte Kupfer­ schicht 20(A) bildet eine Maske für den Laserbohrer. Der Laser tastet die Oberfläche 20(A) ab und zeigt dabei keine Auswirkung auf die Kupferflächen. An jenen Stellen, wo das Kupfer in Schicht 20(A) weggeätzt wurde um die Klebeschicht 20(B) freizulegen, bohrt der Laserstrahl (eigentlich handelt es sich um ein Abschmelzen) durch die isolierenden Werkstoffe der Schichten 20(B), 20(C) und 18 um die platinierte Oberfläche 16(C), auf Anschlußfläche 16′ freizulegen, und so die Durchgangslöcher 22 zu bilden. Die Durchgangslöcher 22 werden dann mittels einer, normalen Technik gereinigt (z. B. Plasmasäuberung, Dampfhohnen, usw.) um scharfe und saubere Wände in den Durchgangslöchern, und eine saubere freigelegte Oberfläche auf Schicht 16(C) der Anschlußfläche 16′ zu erreichen. Der Teilschritt betreffend die Bildung der Durchgangslöcher ist in Teil­ schritt Q in Fig. 25 angedeutet; die Durchgangslöcher selbst werden in Fig. 18 dargestellt.

Fig. 19 wird Kupfer 24 auf die freigelegte Oberfläche der Anschlußfläche 16′, auf die Wände der Durchgangslöcher 22 und auf die freigelegte Oberfläche der Kupferschicht 20(A) aufgetragen, um die Durchgänge abzuschließen, und eine elektrische Verbindung von Anschlußfläche 16′ zur Kupferschicht 20(A) zu bilden. Die Kupferschichten 24/20(A) dienen als Spannungsebene (Stromversorgung oder Erde) in dem Endprodukt. Die Kupferschicht 24 wird in einem Verfahren in 2 Teilschritten gebildet, wobei zuerst eine sehr dünne Schicht Kupfer durch eine fremdstromfreie Abscheidung gebildet wird. Die restliche Schicht 24 wird dann anschließend durch Galvanisation gebildet. Die Gesamtdicke der Schicht 24 ist ungefähr 0,0125 mm. Die Bildung der Schicht 24 um die Anschlußfläche 16′ an die Strom-oder Erdungsebene anzuschließen, wird in Teilschritt R in Fig. 25 angedeutet.

In den Fig. 20 und 21 wird dann eine andere Schicht Fotoresistwerkstoff 120 auf die Kupferschicht 24 aufgebracht. Der Fotoresistwerkstoff 120 wird dann beleuchtet und entwickelt, um die äußeren Dimensionen und Form der Erdungsebene, welche in der Vorrichtung gebildet werden soll, zu definieren. Der Fotoresistwerkstoff 120 wird dann entfernt um die Kupferschicht 24 in jenen Bereichen freizulegen, welche sich außerhalb der Abgrenzung B, von jeder zu bildenden Verbindungsvorrichtung zu befinden haben. Das freigelegte Kupfer in Schicht 24 und Schicht 20(A) wird dann geätzt um das Kupfer außerhalb der Abgrenzung B in den Ebenen 24 und 20(A) zu entfernen. In Fig. 20 und 21 wird der beleuchtete Resistwerkstoff vor dem Ätzen der freigelegten Kupferschichten 24 und 20(A) gezeigt. Nachdem der Kupfer geätzt wurde wird der Fotoresistwerkstoff abgestreift (siehe Fig. 22 und 23 welche den Fig. 20 und 21 entsprechen). Die Bildung der Abgrenzung B, einschließlich des Ätzens der Schichten 24/20(A), wird in Teilschritt S der Fig. 25 angedeutet. Wahlweise kann eine Schutzschicht 122 aus Gold oder Gold auf Nickel, Zinn, oder anderen Werkstoffen auf die Kupfer­ schicht 24 aufgebracht werden (siehe Fig. 24). Die Schutzschicht 122 schützt die Erdungsebene gegen Oxydation, sowie gegen ein Angreifen durch Chemikalien während dem folgenden Ätzschritt welcher erforderlich ist um die Vorrichtung von der Abformungs-/Formschicht 12 abzutrennen. Das fakultative Aufbringen der Schutzschicht 122 wird in Teilschritt T der Fig. 25 angedeutet.

Als Alternative kann der Fotoresistwerkstoff 120 auf der Vorrichtung belassen werden, um einen solchen Schutz zu gewähren. Er kann dann entfernt werden, nachdem die Vorrichtung aus der Abformung-/Formschicht herausgetrennt wurde. Nach Teilschritt T wird die Trägerplatte 10 entfernt, wie in den Teilschritten M und N (die vorher schon beschrieben wurden) erklärt ist. Das heißt daß die Trägerplatte entfernt wird, indem: (a) die Umlappung der Abformungsschicht-/Formschicht 12 aufgebrochen wird und (b) die Trägerplatte 10 von der Abformungs-/Formschicht 12 getrennt wird. Dies kann manuell ausgeführt werden, da wie schon erwähnt die Abformungs-/Formschicht 12 nicht fest auf der Platte 10 haftet.

Beim Entfernen der Platte 10, bleibt die Abformungs- /Formschicht 12 mit den Höckern 116 und 116′ den Leitungen 16 und dem Klebefilm 18 verbunden, so daß es noch notwendig ist die Abformungs-/Formschicht 12 zu entfernen. Dies geschieht indem: (a) die gesamte Nickelschicht 12(A) abgeätzt wird und dann (b) die gesamte Kupferschicht 12(B) abgeätzt wird; oder auch durch den Gebrauch eines einzigen Ätzmittels, wie z. B. Chloreisenoxyd, das Nickel und Kupfer aber kein Gold ätzt. So wird die untere Fläche (die goldplatinierte Oberfläche 16(A)) der Leitungen 16, und er sich in einer Ebene befindenden Höcker 116 und 116′ freigelegt. Wird der Ätzvorgang in zwei Schritten durchgeführt, so können zwei normale Standardätzmittel gebraucht werden, das erste Ätzmittel sollte dabei spezifisch für Nickel und das zweite spezifisch für Kupfer geeignet sein. Das Entfernen der Trägerplatte 10 und das Ätzen der Abformungs-/Formschicht 12 wird in den Teil­ schritten M und N in Fig. 20 angedeutet. Es ist einleuchtend daß die Höcker 116′ sich sowohl untereinander, als auch mit den Höckern 116 in einer Ebene befinden.

Durch das Entfernen der Trägerplatte 10 und der Abformungs-/Formschicht 12 besteht die resultierende Struktur aus einer Vielzahl von einzelnen Verbindungsvor­ richtungen, zusammengehalten in einer blattformigen Struktur durch das Klebemittel 20(B), das Dielektrikum 20(C) und das Klebemittel 18 zwischen den einzelnen Teilen. Die verschiedenen Einzelteile werden dann vereinzelt, das heißt ausgetrennt aus der blattförmigen Struktur. Dabei können jegliche geeigneten Mittel, wie z. B. Stanzen, Laser­ schneiden, usw. gebraucht werden. Dieser Vereinzelungs­ schritt wird in Teilschritt O der Fig. 25 angedeutet. Die definitiven Teile werden dann wie in den Fig. 14 und 23 gezeigt aussehen, jedoch ohne die Trägerplatte C und die Abformungsschicht 12.

Indem man weiß, daß die Kupferschicht 12(B) durch galvanisches Auftragen zustande kommt und, daß die Kupfer­ schicht 12(B) eine Dicke haben muß die der Höhe der Kontakthöcker in dem Endprodukt entspricht, ist es normal, daß es zeitaufwendig ist, die Höcker 12(B) galvanisch aufzubauen wenn hohe Höcker erwünscht sind (z. B. eine Höckerhöhe zwischen 0,125 mm bis 0,250 mm). Die Herstellung dieser hohen Höcker kann jedoch galvanisch erfolgen, dies ist jedoch, wie besagt, sehr zeitaufwendig. Als Alternative kann die Edelstahlplatte 10 und der galvanische Aufbau der Kupferschicht 12(B) durch den Gebrauch einer relativ dicken (z. B. 0,125 mm bis 0,250 mm) Kupferfolie, die auf einer Seite mit einer dünnen Nickelschicht beschichtet wurde (z. B. durch Galvanisieren) ersetzt werden. Diese mit Nickel beschichtete Kupferfolie entspricht der Schicht 12(B), respektiv 12(A). Das Verfahren verzweigt sich dann von Teilschritt C an, um entweder eine einschichtige oder eine vielschichtige Verbindungsvorrichtung zu bilden. Bei dem alternativen Gebrauch einer dicken Kupferfolie welche auf einer Seite mit Nickel beschichtet ist, werden genau in einer Ebene liegenden Höckerplanflächen 120, durch den Parallelismus der sich gegenüberliegenden Seiten der dicken Kupferfolie gewährleistet.

Als weitere Abänderung, könnte die Kupferschicht 12(B) durch einen harten, biegsamen polymerischen Werkstoff (wie z. B. Polyimid) ersetzt werden, welcher in Teilschritt N durch ein Lösungsmittel aufgelöst oder durch einen Laser weggeätzt werden könnte. Falls ein Polyimid gebraucht würde, würde er mit einem Resistwerkstoff beschichtet welcher beleuchtet und entwickelt würde, um die Höcker­ stellen zu definieren. Diese Höckerstellen würden dann durch ein geeignetes Lösungsmittel herausgelöst. Die Ober­ fläche des Polyimidwerkstoffes und die Höckerlöcher würden anschließend (nach Entfernen des Resistwerkstoffes) mit einer dünnen Schicht Metall beschichtet (wie z. B. durch fremdstromlose Abscheidung, Zerstäubung, usw.), so daß sie als Grundlage für weitere galvanische Verfahrungsschritte dienen könnten. Das Herstellungsverfahren würde dann von Teilschritt D an normal weitergehen.

Vorzugsweise werden ein oder mehrere Öhren 130 mit einem durchgehenden Verbindungsloch 132, an jeder Verbindungsvorrichtung gebildet (siege Fig. 1 und 14). Diese Öhren 130 dienen als Justierungsmerkmale zum Alignieren der Höcker 116 und 116′ wenn diese mit irgendeiner Vorrichtung (z. B. ein MC-Modul) oder einer Schaltung verbunden werden, welche dann auch mit entsprechenden Justierungsmerkmalen versehen ist.

Verbindungsvorrichtungen, welche mit Höckern entsprechend der vorliegenden Erfindung gebildet werden, werden besonders in Druckverbindungen für MC-Modul­ verbindungen, in gedruckten Schallkartenverbindungen, in Testschaltungen für integrierte Schaltungen oder in Chip­ an-Chip-Verbindungen und in TAB-Testschaltungen eingesetzt. Die Erfindung könnte auch in anderen Verbindungen als Druckkontakte eingesetzt werden. So z. B. um ein TAB anzuschließen, wobei die Höcker sich auf den inneren Leitungsteilen des TAB für eine direkte Verbindung an den IC befinden würden.

Claims (13)

1. Ein Verfahren zum Erstellen von elektrischen Verbindungsvorrichtungen mit Kontakthöckern, dadurch gekennzeichnet, daß

• - eine Form (12) erstellt wird, in welcher eine Viel­ zahl von Kontakthöckern (116) gebildet wird, daß die besagte Form aus einer relativ dünnen und flachen Schicht aus einem ersten Material (12A) und einer relativ dicken Schicht aus einem zweiten Material (12B) besteht, daß die besagte zweite Schicht (12B) selektiv entfernbar ist;
• - jene Stellen (102), an welchen die Kontakthöcker (116) gebildet werden sollen, in dem besagten zweiten Material (12B) definiert werden;
• - das besagte zweite Material (12B) an den besagten Stellen (102) selektiv entfernt wird, um eine flache Flächenzone (106) des besagten ersten Materials (12A) an jeder Stelle (102) freizulegen, um ein Loch (104) von vorbestimmter Größe und Form in dem besagten zweiten Material (12B) zu bilden, welches auf dem besagten ersten Material (12A) die besagten flachen Flächenzone (106) abgrenzt;
• - ein elektrisch leitendes Kontaktelement (116) in jedem der besagten Löcher (104) entsprechend der Form des besagten Lochs (104) gebildet wird, wobei jedes dieser elektrisch leitender Kontaktelemente (116) eine flache Fläche aufweist, welche in einer Ebene mit den flachen Flächen jedes anderen besagten Kontaktelements (116) liegt;
• - eine Vielzahl von elektrischen Leitungen (16) auf dem besagten Material (12B) gebildet werden, wobei jede der besagten Leitungen (16) mindestens eines der besagten Kontaktelemente (116A) enthält;
• - die besagten Leitungen (16) mit einem elektrischen Isoliermaterial (118) zusammengehalten werden;
• - und daß die besagten Kontaktelemente (116) aus der besagten Form entfernt werden und eine Verbindungs­ vorrichtung darstellen, welche eine Vielzahl von Leitungen (16) mit mindestens einem Kontakthöcker (116) in jeder Leitung (16) hat, wobei die Kontakthöcker (116) alle in einer Ebene liegen.

2. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bildung einer Vielzahl von elektrischen Leitungen (16, 16′) auf dem besagten Material (12B),

• - die besagten Leitungen (16, 16′) durch eine mehr­ schichtige Folie (20) zusammengehalten werden, daß diese mehrschichtige Folie (20) aus einer Schicht aus nicht­ leitendem Material (20C) und einer Schicht aus leitendem Material (20A) besteht, daß das besagte nichtleitende Material (20C) mit den Leitungen (16) abgebunden ist und so die besagten Leitungen (16) von dem besagten leitenden Material (20A) isoliert;
• - mindestens ein Durchgangsloch (22) zu mindestens einer der besagten Leitungen (16′) durch die besagte mehr­ schichtige Folie (20) gebildet wird;
• - eine Durchgangsverbindung (24) der besagten Schicht aus leitendem Material (20A) zu mindestens einer Leitung (16′) durch das besagte Durchgangsloch (22) gebildet wird;
• - und die besagten Kontaktelemente (116, 116′) von der besagten Form entfernt werden und eine Verbindungs­ vorrichtung darstellen, welche eine Vielzahl von Leitungen (16, 16′) mit wenigstens einem Kontakthöcker (116, 116′) in jeder Leitung (16, 16′) hat, wobei die Kontakthöcker (116, 116′) alle in einer Ebene liegen, und eine leitende Schicht (24, 20A) mindestens durch einen besagten Durchgang (22) mit mindestens einer besagten Leitung (16′) verbunden ist, wobei die besagte leitende Schicht (24, 20A) eine Spannungsebene darstellt.

3. Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Form (12) auf einer flachen Trägerplatte (10) erstellt wird.

4. Das Verfahren nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das besagte zweite Material (12B) der besagten Form Kupfer ist; daß das besagte erste Material (12A) der besagten Form ein anderes Material als Kupfer ist; und daß jeder der besagten Kontakthöcker (116, 116′) durch mindestens ein drittes Material gebildet wird, welches weder Kupfer noch das besagte erste Material (12A) ist, wobei das besagte dritte Material (110) in die besagten Formen in Kontakt mit dem besagten ersten Material und besagten zweiten Material eingebracht wird, und wobei Kupfer in Kontakt mit dem dritten Material in die Formen eingebracht wird.

5. Das Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß jede Leitung (16, 16′) additiv auf dem besagtem zweitem Material (12B) der besagten Form gebildet wird, in dem eine erste Schicht (16A), aus einem anderen Metall als Kupfer, und eine zweite Schicht (16B) aus Kupfer aufgetragen werden, um jede Leitung (16, 16′) zu definieren.

6. Das Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Härte der besagten Kontakthöcker (116, 116′) durch die Werkstoffart und die Menge des besagten dritten Materials (110) und des Kupfers (12B), welche bei der Bildung der Kontakthöcker gebraucht werden, bestimmt ist.

7. Eine elektrische Verbindungsvorrichtung, zur elektrischen Verbindung von elektronischen Bauteilen oder Schaltungen durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 hergestellt, gekennzeichnet durch eine Folie aus isolierendem Material (118);

• - eine Vielzahl Leitungen (16), welche durch die besagte Folie (118) zusammengehalten werden, wobei jede der besagten Leitungen (16) eine erste Fläche (160) aufweist, welche einen Kontakthöcker trägt;
• - wenigstens einen Kontakthöcker (116), welcher durch die besagte erste Fläche (160) getragen wird, wobei jeder der besagten Kontakthöcker (116) eine ebene Planfläche (120) aufweist, welche von der entsprechenden Leitung (16) abgehoben ist, und wobei in einem Feld Kontakthöcker jede dieser Planflächen (120) in einer Ebene mit allen anderen Planflächen (120) liegt.

8. Die Verbindungsvorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch mindestens eine Spannungsebene (24), wobei die besagte Spannungsebene aus einer metallischen Schicht (24, 20A) besteht, welche von den besagten Leitungen (16) abgehoben ist; und durch eine Vielzahl von Durchgängen (22), welche die besagte Spannungsebene (24) an ausgewählte Leitungen (16′) anschließen.

9. Die Verbindungsvorrichtung, nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Höcker (116) in einer Form aus vorbestimmtem Form-Werkstoff gebildet werden, wobei jeder der besagten Höcker (116) eine Außenschicht aus einem ersten metallischen Material (110), welches nicht identisch mit dem Form-Werkstoff ist, und eine Innenschicht aus einem zweiten metallischen Material (114) hat.

10. Die Verbindungsvorrichtung, nach in Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Härte der besagten Höcker (116) durch die Werkstoffart und die Menge der besagten ersten und zweiten Materialien (110) und (114) in jedem Höcker (116) bestimmt wird.

11. Die Verbindungsvorrichtung, nach Anspruch 9′ dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen dem ersten (110) und dem zweiten (114) metallischen Material der besagten Höcker eine Zwischenschicht (112) aus einem dritten metallischen Material befindet.

12. Die Verbindungsvorrichtung, nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Härte der besagten Höcker durch dir Werkstoffart und die Menge des besagten ersten (110), zweiten (114) und dritten (112) metallischen Materials in jedem Höcker bestimmt wird.

13. Die Verbindungsvorrichtung, nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Kontakthöcker (116) in einer Form durch ein additives Verfahren gebildet werden; und daß die besagten Leitungen (16) in einem additiven Verfahren über eine Ober­ fläche von jedem der besagten Höcker (116) gebildet werden, so daß sie von den besagten Planflächen (120) abgehoben sind.