DE4018665A1 - Einrichtung zum Aufbringen von Keramikschichten - Google Patents

Abstract

Es wird eine Einrichtung für das Aufbringen von Keramikschichten unter Anwendung eines physikalischen Elektronenstrahl-Bedampfungsverfahren beschrieben. Die Einrichtung enthält eine Vorrichtung zum Einleiten der anionischen Komponente des Keramikmaterials in eine Beschichtungskammer und eine Vorrichtung, die die anionische Komponente während des Beschichtungsvorgangs um das Beschichtungsobjekt herum hält.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zum Auf­ bringen von Keramikschichten auf Metallsubstrate. Im ein­ zelnen betrifft die Erfindung eine insbesondere für das Aufbringen von Keramikschichten auf die Oberfläche eines Metallobjekts geeignete Einrichtung zur physikalischen Elektronenstrahl-Bedampfung.

Keramikbeschichtungen sind in den US-PS 4 248 940 von Go­ ward u. a., 4 321 311 von Strangman und 4 676 994 von Dema­ ray beschrieben. Zu Beispielen für Keramikmaterial zählt Zirkondioxid, das mit Magnesiumoxid, Zerdioxid oder Yttri­ umoxid stabilisiert ist. Es sind auch andersartige Keramik­ beschichtungen bekannt, zu denen z. B. Al₂O₃ und MgO, TiN und Si₃N₄ sowie SiC zählt. Keramikbeschichtungen können in Verbindung mit einer Metallbeschichtung gemäß der Erläute­ rung in den vorstehend angeführten Patentschriften verwen­ det werden oder direkt auf die Substratoberfläche aufge­ bracht werden.

Mit der von Goward beschriebenen Einrichtung werden Kera­ mikschichten nach dem Plasmaaufsprühverfahren aufgebracht, während mit den von Strangman und Demaray beschriebenen Einrichtungen die Keramikschichten durch physikalische Elektronenstrahl-Bedampfung aufgebracht werden.

In verschiedenerlei Industriezweigen haben zwar die mit den vorstehend genannten Einrichtungen und Verfahren aufge­ brachten Wärmesperrschichten eine gewisse Nützlichkeit ge­ zeigt, jedoch sind für verschiedenerlei Anwendungszwecke weitere Verbesserungen gefragt. Mit der Erfindung werden diese Anforderungen erfüllt.

Die Erfindung bietet eine verbesserte Einrichtung zum Abla­ gern von Keramikschichten auf einem Substrat durch physika­ lische Elektronenstrahl-Bedampfung. Die Einrichtung enthält eine Beschichtungskammer, ein Keramik-Target in der Kammer und eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Elektronenstrahls und zum Richten des Strahls auf das Target. Ferner enthält die Einrichtung auch Vorrichtungen für das Einleiten der anionischen Komponente des Keramikmaterials in die Be­ schichtungskammer und zum Zusammenhalten dieser anionischen Komponente und des durch das Auftreffen des Elektronen­ strahls auf das Keramik-Target erzeugten Verdampfungspro­ dukts um das Substrat herum während des Beschichtungspro­ zesses.

Der Ausdruck "anionische Komponente" bezeichnet einen gas­ förmigen Stoff, der dem Anion entspricht, das gebildet wird, wenn das Beschichtungs-Target durch den Elektronen­ strahl verdampft wird. Wenn z. B. das Beschichtungs-Target aus Zirkoniumdioxid besteht, wird das Anion O^-2 gebildet, so daß die anionische Komponente Sauerstoffgas oder eine für die Abgabe von Sauerstoffatomen geeignete Stoffzusam­ mensetzung ist. Auf ähnliche Weise entsteht dann, wenn das Beschichtungs-Target aus Titannitrid besteht, das Anion N^-1, so daß die anionische Komponente Stickstoffgas oder eine zur Abgabe von Stickstoffatomen geeignete Stoffzusammenset­ zung ist.

Die erfindungsgemäße Einrichtung ist insbesondere bei dem Ablagern von Keramikbeschichtungen nutzvoll, die einer Re­ aktion zu einem substöchiometrischen Zustand unterliegen, wenn ein Keramik-Target in einer Umgebung verdampft wird, welche durch einen niedrigen Partialdruck der anionischen Komponente charakterisiert ist. Ein Beispiel für ein derar­ tiges Keramikmaterial ist Zirkondioxid, das während einer physikalischen Elektronenstrahl-Bedampfung in einer Nieder­ druckkammer zum Bilden der substöchiometrischen Form ZrO_2-x reagiert.

Bei einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Ein­ richtung wird die anionische Komponente durch Rohre, die in Strömungsverbindung mit einer außerhalb der Beschichtungs­ kammer angeordneten Quelle für die anionische Komponente stehen, in die Beschichtungskammer und zu dem zu be­ schichtenden Bauteil bzw. Beschichtungsobjekt hin geleitet. In der Beschichtungskammer ist eine Einfassung angeordnet, die das Beschichtungsobjekt eng umschließt, wobei die Ein­ fassung und das darin enthaltene Objekt oberhalb des Be­ schichtungs-Target angeordnet sind. Die Rohre leiten die anionische Komponente direkt in die Einfassung, die auch mindestens eine Öffnung hat, durch die das Verdampfungspro­ dukt bzw. der Dampf eingelassen wird, der durch das Auf­ treffen des Elektronenstrahls auf das Keramik-Target ent­ steht. Der Dampf kondensiert auf der Objektoberfläche und die Einfassung hält die anionische Komponente in der Nähe des Beschichtungsobjekts, was das Bilden von Beschichtungen hoher Qualität ergibt.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläu­ tert.

Fig. 1 ist eine vereinfachte schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels der Beschichtungseinrichtung für die physikalische Elektronenstrahl-Bedampfung.

Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die zum Teil aufgeschnitten eine Reaktionskammer der Beschich­ tungseinrichtung zeigt.

Allgemein betrifft die Erfindung eine insbesondere für das Aufbringen von Keramikschichten auf die Oberfläche eines Objekts geeignete Beschichtungseinrichtung zur physikali­ schen Elektronenstrahl-Bedampfung (EB-PVD-Verfahren).

Ein grundlegendes Merkmal der erfindungsgemäßen Beschich­ tungseinrichtung besteht darin, daß eine Einfassung verwen­ det wird, die die anionische Komponente des Keramikmateri­ als auf dem Raum zusammenhält, der unmittelbar die Oberflä­ che des Beschichtungsobjekt umgibt. Gemäß den vorangehenden Ausführungen bedeutet der Ausdruck "anionische Komponente" den gasförmigen Stoff, der dem Anion entspricht, welches bei dem Verdampfen des Beschichtungs-Target durch den Elek­ tronenstrahl gebildet wird. Die anionische Komponente wird derart in die Beschichtungskammer eingeleitet, daß eine Störung und Schwächung des Elektronenstrahls auf ein Min­ destmaß herabgesetzt ist, sowie auch derart, daß die Kon­ densation des Verdampfungsprodukts auf dem Beschichtungsob­ jekt minimal behindert ist.

Diese Aufgaben werden mit einer Einrichtung gelöst, die auf die in der Zeichnung dargestellte Weise gestaltet ist. Im einzelnen zeigt die Fig. 1 eine Beschichtungseinrichtung 5 zur Beschichtung nach dem EB-PVD-Verfahren, die eine durch Wände 11 abgegrenzte abgedichtete Beschichtungskammer 10 und eine Vorrichtung 12 für das Evakuieren der Beschich­ tungskammer 10 enthält. Die Beschichtungseinrichtung 5 ent­ hält ferner eine Elektronenstrahlquelle 14, ein Keramik- Target 16 und Vorrichtungen zum Halten von mindestens einem Beschichtungsobjekt 20 in der Beschichtungskammer 10. Diese Vorrichtungen haben alle die in der Industrie übliche Aus­ führung. Die Fig. 1 zeigt vereinfacht nur eine Elektronen­ strahlquelle 14, ein Keramik-Target 16 und eine Evakuier­ vorrichtung 12. Es ist jedoch offensichtlich, daß jeweils mehr als eines dieser Bauteile eingesetzt werden kann.

Die anionische Komponente des Keramikmaterials wird in die Beschichtungskammer 10 über mindestens eine Leitung bzw. mindestens ein Rohr 22 eingelassen, das sich von einer vor­ zugsweise außerhalb der Beschichtungskammer 10 angeordneten Quelle 26 für diese Komponente weg erstreckt. Ein jeweili­ ges Rohr 22 endet an einem Auslaß 28. Jedes Rohr 22 ist derart gestaltet und angeordnet, daß die anionische Kompo­ nente über den Auslaß 28 zu dem Beschichtungsobjekt 20 hin ausströmt. Gemäß der Darstellung in der Figur liegt jeder Auslaß 28 zwischen dem Beschichtungsobjekt 20 und dem Be­ schichtungs-Target 16. Die anionische Komponente strömt über den jeweiligen Auslaß 28 zu dem Beschichtungsobjekt 20 in einer Richtung, die mit der Richtung zusammenläuft, in der die Dämpfe von dem Beschichtungs-Target 16 zu dem Be­ schichtungsobjekt 20 gelangen, d. h., sie strömt nicht ent­ gegen dieser Richtung.

Gemäß der Darstellung auch in Fig. 2 leiten die Rohre 22 die anionische Komponente direkt in eine nachstehend als Reaktionskammer bezeichnete Einfassung 30, die innerhalb der Beschichtungskammer 10 über dem Target 16 aufgehängt ist. Ein jeweiliges Beschichtungsobjekt 20 ist in der Reak­ tionskammer 30 auf die nachstehend ausführlich beschriebene Weise aufgehängt. Die Reaktionskammer 30 hat mindestens eine obere bzw. Deckenwandung 40, die in engem Abstand zu einer Rückfläche 21 des Beschichtungsobjekts 20 im wesent­ lichen dem jeweiligen Rohrauslaß 28 gegenübergesetzt ist. Die Rückfläche 21 des Beschichtungsobjekts 20 ist die von dem Beschichtungs-Target 16 wegweisende Fläche. Aus der Zeichnung ist ersichtlich, daß die Deckenwandung 40 zwi­ schen der Wand 11 der Beschichtungskammer 10 und der Rück­ fläche 21 des Beschichtungsobjekts 20 liegt. Die durch das Auftreffen des Elektronenstrahls auf das Keramik-Target 16 erzeugten Dämpfe dringen in die Reaktionskammer 30 durch eine Öffnung 46 in einer Bodenwandung 42 hindurch ein, die im Abstand von dem Keramik-Target 16 angeordnet ist.

Die Reaktionskammer 30 hat ferner Seitenwände 32, die in Verbindung mit der Deckenwandung 40 und der Bodenwandung 42 eine Einfassung bilden, welche das jeweilige Beschichtungs­ objekt 20 umgibt. Die Abmessungen der Reaktionskammer 30 sind kleiner als die Abmessungen der Beschichtungskammer 10. Infolgedessen begrenzt die Reaktionskammer 30 einen In­ nenraum, der kleiner als der Innenraum der Beschichtungs­ kammer 10 ist. In der Deckenwandung 40 ist eine Öffnung 52 ausgebildet, die während des Beschichtungsvorgangs einen Teil der in die Reaktionskammer 30 eingeleiteten anioni­ schen Komponente aus der Reaktionskammer 30 ausläßt. Die Bodenöffnung 46 und die Deckenöffnung 52 sind oberhalb des Beschichtungs-Target 16 im wesentlichen vertikal ausge­ fluchtet.

Der Zweck der Reaktionskammer 30 besteht gemäß der vorste­ henden Beschreibung darin, die anionische Komponente in dem das Beschichtungsobjekt 20 unmittelbar umgebenden Raum zu halten. Die Reaktionskammer 30 ruft um das Beschichtungsob­ jekt 20 herum einen hohen Partialdruck der anionischen Kom­ ponente hervor. Wenn die Verdampfungsprodukte bzw. Dämpfe in die Reaktionskammer 30 gelangen und gegen die Objek­ toberfläche stoßen, kondensieren sie an der Oberfläche und bilden die Beschichtung. Wenn dann die anionische Kompo­ nente mit dem Kondensat zusammentrifft, verbindet sie sich mit dem Kondensat in einer chemischen Reaktion, durch die irgendwelche anionischen Fehlstellen der Schicht gefüllt werden, wodurch eine stöchiometrische (oder nahezu stöchio­ metrische) Beschichtung gebildet wird.

Durch die Reaktionskammer 30 wird die Wahrscheinlichkeit erhöht, daß die anionische Komponente mit dem Kondensat zu­ sammentrifft. Allgemein gesehen prallt die anionische Kom­ ponente innerhalb der Kammer von einer Wandung der Reakti­ onskammer 30 zur anderen hin, bis sie entweder mit dem Kon­ densat zusammenprallt und reagiert oder über die Öffnungen der Reaktionskammer 30 austritt. Daher wird durch die Reak­ tionskammer 30 die Verweilzeit der anionischen Komponente um das Beschichtungsobjekt 20 herum verlängert.

Die hauptsächliche Funktion der Öffnung 52 der Reaktions­ kammer 30 besteht darin, die anionische Komponente aus der Reaktionskammer 30 auszulassen und dadurch die gegensei­ tige Störung dieser Komponente mit dem Kondensat der Dämpfe an der Objektoberfläche auf ein Mindestmaß zu verringern. Die Öffnung 52 leitet die überschüssige anionische Kompo­ nente aus der Reaktionskammer 30 in einer Richtung heraus, bei der der Elektronenstrahl nicht unterbrochen oder ge­ stört wird, der auf das Beschichtungs-Target 16 fällt. Eine vorteilhafte Gestaltung der Öffnung 52 ist in der Fig. 2 dargestellt. Angrenzend an die Öffnung 52 sind Wände 54 an­ geordnet, die sich in der von dem Beschichtungs-Target 16 wegweisenden Richtung erstrecken und die einen kaminartigen Aufbau bzw. Kamin 56 bilden.

Haltevorrichtungen 48 für das Festlegen des Beschichtungs­ objekts in der Reaktionskammer 30 werden vorzugsweise der­ art gestaltet, daß sie eine Drehung und/oder Umsetzung des Objekts um eine Längsachse oder irgendeine andere Achse zu­ lassen. Durch das Bewegen des Objekts 20 in der Reaktions­ kammer 30 während des Beschichtungsvorgangs, wie z. B. durch das Drehen, Versetzen oder Neigen wird das Bilden einer Be­ schichtung unterstützt, die über die ganze Objektfläche gleichförmige Dicke hat.

Die Rohre 22 für das Einlassen der anionischen Komponente in die Reaktionskammer 30 während des Beschichtungszyklus treten durch die Seitenwand 32 der Reaktionskammer 30 hin­ durch und sind derart angeordnet, daß während des Beschich­ tungszyklus ein Strom der anionischen Komponente zu dem je­ weiligen Objekt 20 hin gerichtet wird. Vorzugsweise werden die Rohre 22 derart angeordnet, daß die anionische Kompo­ nente direkt gegen die Objektfläche strömt. Am besten er­ hält jedes Rohr 22 eine Vielzahl von in engem Abstand ange­ ordneten Auslaßöffnungen 58 kleinen Durchmessers, die die anionische Komponente unter einem Winkel von ungefähr 45° gegen die Horizontale zu der Objektoberfläche hin leiten.

Die Rohre 22 werden in einem derartigen Winkel ausgerich­ tet, daß die Auslaßöffnungen zumindest teilweise gegen die Dämpfe abgeschirmt sind, welche in die Reaktionskammer 30 eindringen. Durch diese Gestaltung wird verhindert, daß die Dämpfe in den Auslaßöffnungen 52 kondensieren und diese be­ trächtlich verschließen.

Falls in der Reaktionskammer 30 mehr als ein Objekt zu be­ schichten ist, wird die Kammer vorzugsweise in Einzelkam­ mern 60 und 62 unterteilt, innerhalb denen ein jeweiliges Beschichtungsobjekt festgelegt wird. Die Einzelkammern 60 und 62 werden durch eine Trennwand 64 begrenzt, die sich ungefähr parallel zu den Wänden 57 des Kamins 56 über die Länge der Reaktionskammer 30 erstreckt. Die Trennwand 64 vergrößert die Fläche, gegen die die anionische Komponente in der Reaktionskammer 30 prallen kann.

Die Reaktionskammer 30 soll derart gestaltet werden, daß die Innenabmessungen der Kammer nur geringfügig größer als die Abmessungen des Beschichtungsobjekts (oder der Objekte) sind. Durch eine derartige Gestaltung wird die anionische Komponente auf dem Bereich unmittelbar um die Objekte herum zusammengehalten.

Es wurde eine Reaktionskammer der vorstehend beschriebenen Art aufgebaut, die sich als nutzvoll für das Aufbringen ei­ ner Beschichtung aus säulenförmig körnigem, mit Yttriumoxid stabilisiertem Zirkondioxid auf die Oberfläche eines Ob­ jekts aus einer Legierung auf Nickelbasis erwiesen hat. Die Kammer und die Rohre wurden aus einer austenitischen rost­ freien Stahllegierung hergestellt. Die Rohre hatten inner­ halb der Kammer auf einer Länge von ungefähr 10 cm Auslaß­ öffnungen in Abständen von ungefähr 6,5 mm mit dem Durch­ messer von 0,75 mm. Die Auslaßöffnungen waren in einem Win­ kel von ungefähr 45° gegen die Horizontale zu der Mittelli­ nie eines jeweiligen Beschichtungsobjekts hin gerichtet, wie es in Fig. 2 dargestellt ist. Die Kammer hatte eine Länge von ungefähr 25 cm, eine Breite von ungefähr 25 cm und eine Höhe von ungefähr 12 cm. Der Kamin 56 ragte unge­ fähr 7,5 cm über die obere Fläche der Kammer heraus und war gemäß der Darstellung im wesentlichen mittig auf die obere Fläche aufgesetzt. Die Deckenöffnung und die Bodenöffnung waren über dem Beschichtungs-Target vertikal ausgefluch­ tet. Das Objekt war ungefähr in der Mitte zwischen der Dec­ kenwandung und der Bodenwandung angeordnet und die Rohre waren in die Kammer auf ungefähr der gleichen Höhe wie die Bodenwandung eingeführt.

Die Beschichtungseinrichtung wurde zwar vorstehend anhand eines Ausführungsbeispiels ausführlich dargestellt und be­ schrieben, jedoch kann der Fachmann ohne Abweichung von dem Erfindungsgedanken verschiedenerlei Änderungen hinsichtlich der Form und der Einzelheiten vornehmen. Z. B. kann es zweckdienlich sein, mehr als zwei Rohre für das Einführen von anionischen Komponenten in die Reaktionskammer vorzuse­ hen oder Rohre an anderen Stellen als den in den Figuren gezeigten anzuordnen. Es können auch andere Änderungen vor­ gesehen werden, die nicht von einer Vorrichtung wegführen, mit der die anionische Komponente in einem begrenzten Raum um das Beschichtungsobjekt herum gehalten wird.

Es wird eine Einrichtung für das Aufbringen von. Keramik­ schichten unter Anwendung eines physikalischen Elektronen­ strahl-Bedampfungsverfahrens beschrieben. Die Einrichtung enthält eine Vorrichtung zum Einleiten der anionischen Kom­ ponente des Keramikmaterials in eine Beschichtungskammer und eine Vorrichtung, die die anionische Komponente während des Beschichtungsvorgangs um das Beschichtungsobjekt herum hält.

Claims (14)

1. Beschichtungseinrichtung zum Aufbringen einer Schicht auf die Oberfläche eines Objekts durch physikalische Elek­ tronenstrahl-Bedampfung, mit einer ersten Kammer, die einen ersten Raum abgrenzt, einem Keramik-Target in der er­ sten Kammer und einer Vorrichtung zum Verdampfen des Target durch Auftreffen eines Elektronenstrahls auf das Target in der ersten Kammer, gekennzeichnet durch eine in der ersten Kammer (10) gebildete zweite Kammer (30), die einen zweiten Raum begrenzt, der kleiner als der erste Raum ist, und die eine Haltevorrichtung (48) zum Festlegen des Beschichtungs­ objekts (20) sowie Vorrichtungen (28; 58 bzw. 46) zum Ein­ lassen einer anionischen Komponente des Keramikmaterials und von durch das Auftreffen des Elektronenstrahls auf das Be­ schichtungs-Target (16) erzeugten Verdampfungsprodukten enthält.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (28; 58) für das Einlassen der anioni­ schen Komponente in Strömungsverbindung mit einer außerhalb der ersten Kammer (10) angeordneten Quelle (26) für die Komponente steht.

3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, durch gekenn­ zeichnet, daß die Haltevorrichtung (48) eine Vorrichtung zum Drehen des Objekts um dessen Achse aufweist.

4. Beschichtungseinrichtung zum Aufbringen einer Schicht auf die Oberfläche eines Objekts durch physikalische Elek­ tronenstrahl-Bedampfung, mit einer ersten Kammer, die einen ersten Raum abgrenzt, einem Keramik-Target in der er­ sten Kammer und einer Vorrichtung zum Verdampfen des Target durch Auftreffen eines Elektronenstrahls auf das Target in der ersten Kammer, gekennzeichnet durch eine in der ersten Kammer (10) angeordnete zweite Kammer (30), die einen zwei­ ten Raum begrenzt, der kleiner als der erste Raum ist, und die eine Vorrichtung (48) zum Festlegen des Beschich­ tungsobjekts (20) in der Kammer und zum Drehen des Objekts um eine Achse enthält sowie ferner eine Öffnung zum Einlas­ sen des durch das Auftreffen des Elektronenstrahls auf das Beschichtungs-Target (16) erzeugten Verdampfungsprodukts und eine Vorrichtung (28; 58) zum Einleiten der anionischen Komponente des Keramikmaterials aus einer außerhalb der er­ sten Kammer angeordneten Quelle (26) für diese Komponente aufweist.

5. Einrichtung zum Ablagern einer Keramikbeschichtung auf der Oberfläche eines Objekts, mit einer durch Kammer­ wände (11) begrenzten Beschichtungskammer (10), einem Kera­ mik-Target (16) in der Beschichtungskammer, einer Vorrich­ tung (14) für das Aufstrahlen eines Elektronenstrahls auf das Beschichtungs-Target, einer Vorrichtung (22, 28) zum Einleiten der anionischen Komponente des Keramikmaterials in die Beschichtungskammer über eine Rohrvorrichtung (22) mit einem Auslaß (28; 58), der zwischen dem Beschichtungs- Target und dem Objekt (20) angeordnet ist, und mit minde­ stens einer Wandung (40,42, 32) in der Beschichtungskammer in Abstand von den Beschichtungskammerwänden, wobei die Wandung im wesentlichen dem Auslaß gegenübergesetzt ist und die Einrichtung ferner eine Haltevorrichtung (48) zum Festlegen des Objekts innerhalb der Beschichtungskammer im wesentlichen oberhalb des Beschichtungs-Target und zwischen der Wandung und dem Rohrauslaß aufweist.

6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Haltevorrichtung (48) eine Vorrichtung zum Drehen des Objekts (20) um eine Achse aufweist.

7. Einrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Rohrvorrichtung (22) eine Vielzahl von Auslässen (58) aufweist, die jeweils zwischen dem Beschich­ tungs-Target (16) und dem Objekt (20) angeordnet sind.

8. Einrichtung zum Ablagern einer Keramikschicht auf der Oberfläche eines Objekts, mit einer Beschichtungskammer (10) mit Kammerwänden (11), die einen ersten Raum begren­ zen, einem Keramik-Target (16) in der Beschichtungskammer, einer Vorrichtung (14) zum Aufstrahlen eines Elektronen­ strahls auf das Beschichtungs-Target, und einer in der Be­ schichtungskammer angeordneten Einfassung, die das Objekt umgibt, einen zweiten Raum begrenzt, der kleiner als der erste Raum ist, eine Haltevorrichtung für das Festlegen des Beschichtungsobjekts in der Einfassung enthält und eine Deckenwandung (40) und eine Bodenwandung (42) aufweist, wo­ bei die Bodenwandung von dem Beschichtungs-Target beabstan­ det ist und diese beiden Wandungen jeweils eine Öffnung ha­ ben, welche im wesentlichen vertikal mit dem Beschichtungs- Target ausgefluchtet sind, und wobei die Einrichtung ferner eine Vorrichtung (22, 28; 22, 58) zum Einleiten der anioni­ schen Komponente des Keramikmaterials in die Einfassung über eine Rohrvorrichtung (22) in Strömungsverbindung mit einer außerhalb der Beschichtungskammer angeordneten Anio­ nenkomponenten-Quelle (26) aufweist, die Rohrvorrichtung einen zwischen dem Beschichtungs-Target und dem Objekt an­ geordneten Auslaß hat, die Deckenwandung im wesentlichen dem Auslaß gegenübergesetzt ist und das Objekt zwischen der Deckenwandung und dem Auslaß angeordnet ist.

9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Einfassung (30) Seitenwände (32) aufweist, die mit der Deckenwandung (40) und der Bodenwandung (42) einstückig sind.

10. Einrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Haltevorrichtung (48) zum Festlegen des Objekts (20) in der Einfassung (30) eine Vorrichtung zum Drehen des Objekts um eine Achse aufweist.

11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Haltevorrichtung (48) für das Festlegen des Objekts eine Vorrichtung zum Versetzen des Objekts um eine Achse aufweist.

12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, da­ durch gekennzeichnet, daß die Rohrvorrichtung (22) eine Vielzahl von Auslässen (58) hat.

13. Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Auslässe (58) eng beabstandete Auslaßöffnungen in der Rohrvorrichtung (22) sind.

14. Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Auslaßöffnungen für das Einleiten der anionischen Komponente in die Einfassung (30) in einer Richtung ange­ ordnet sind, die im wesentlichen mit der Strömung des Ver­ dampfungsprodukts in die Einfassung zusammenläuft.