DE3830573A1 - Halbleitereinrichtung - Google Patents
HalbleitereinrichtungInfo
- Publication number
- DE3830573A1 DE3830573A1 DE3830573A DE3830573A DE3830573A1 DE 3830573 A1 DE3830573 A1 DE 3830573A1 DE 3830573 A DE3830573 A DE 3830573A DE 3830573 A DE3830573 A DE 3830573A DE 3830573 A1 DE3830573 A1 DE 3830573A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pins
- semiconductor device
- test arrangement
- pin
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2644—Adaptations of individual semiconductor devices to facilitate the testing thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
- G01R31/275—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements for testing individual semiconductor components within integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/006—Identification
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnungs-
Testeinrichtung und insbesondere auf eine Teststruktur,
die Teil eines integrierten Schaltungschips ist und die
das Testen einer Halbleiteranordnung über deren Anordnungs-
Anschlußstifte ermöglicht.
Es dürfte ohne weiteres erkennbar sein, daß das Testen
einer Halbleiteranordnung über deren Anordnungs-Anschlußstifte
in hohem Maße vorteilhaft ist. Dies würde ein geeignetes
Testen der Anordnung bzw. Einrichtung in ihrer
zusammengebauten Umgebung ermöglichen, so daß eine bedeutungsvolle
Testinformation erzielt werden kann. Es
wäre außerdem von Vorteil, daß dies durch die Anwendung
einer Ein-Chip-Testanordnung erzielt wird, was ferner
gestattet, daß nach Durchführung des Testes verschiedene
Parameter der Schaltung zur Erzielung optimaler Leistung
eingestellt werden können, wobei der Schaltungsteil, der
(erforderlichenfalls) eingestellt worden ist, unter normalen
Bedingungen ohne eine Verschlechterung in Bezug auf
seine optimale Ausführungs-Situation arbeitet.
Bisher sind die vorstehend aufgeführten Ziele nicht erreicht
worden. Obwohl verschiedene Einrichtungen Ein-Chip-
Schaltungselemente enthalten, die mit den Anschlußstiften
der betreffenden Einrichtungen verbunden sind (in Fig. 1
ist eine Eingangs-Durchgangs-Diode gezeigt, Fig. 2 veranschaulicht
eine Großintegrations-TTL-(Transistor-Transistor-
Logik)-Eingangsanordnung, und Fig. 3 zeigt eine
TTL-Eingangsanordnung - sämtliche Figuren sind mit Stand
der Technik bezeichnet), findet sich indessen keine Offenbarung
auf eine Testanordnung, die mit einem Schaltungsteil
als Teil einer Halbleiteranordnung verbunden ist,
um den Test des Schaltungsteiles über die Anschlußstifte
der Anordnung zu ermöglichen.
Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, eine
Einrichtung bereitzustellen, die das Testen einer Halbleiterschaltungsanordnung
über deren Anschlußstifte ermöglicht,
um eine relevante Schaltungsinformation zu
liefern.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe in weitem
Sinne durch eine Halbleitereinrichtung mit einem Schaltungsteil
und einer Vielzahl von Anschlußstiften, umfassend
eine Testanordnung als Teil der betreffenden
Einrichtung, wobei diese Testanordnung mit zumindest
einem der Anschlußstifte der betreffenden Einrichtung
verbunden ist. Die betreffende Testanordnung liefert im
Gebrauch eine elektrische Information bezüglich des
Schaltungsteiles.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend
beispielsweise näher erläutert.
Fig. 1 bis 3 veranschaulichen in schematischen Darstellungen
verschiedene bekannte
Schaltungen;
Fig. 4 zeigt in einem Schaltplan eine erste
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 bis 11 zeigen verschiedene alternative Ausführungsformen
der Erfindung.
Nunmehr werden die bevorzugten Ausführungsbeispiele der
Erfindung näher erläutert. In Fig. 4 ist eine erste Ausführungsform
der Erfindung dargestellt und mit 50 be
zeichnet.
Die Erfindung ist Teil einer Halbleitereinrichtung 48, und
in der Tat handelt es sich um eine Ein-Chip-Testanordnung
50, die Teil einer integrierten Schaltung 52 ist,
welche ferner einen Schaltungsteil 54 umfassen kann, der
mit der Testanordnung 50 und einem Schaltungsteil 56 verbunden
ist, welcher nicht mit der Testanordnung 50 verbunden
ist. Die Testanordnung bzw. Teststruktur 50 ist
mit einem Paar von Einrichtungs-Anschlußstiften 58, 60
verbunden, wie dies auch der Schaltungsteil 54 ist. Die
betreffende Testanordnung kann die Form irgendeines
Schaltungsteiles aus einer Anzahl von Schaltungsteilen
einer integrierten Schaltung aufweisen. Andererseits ist
der Schaltungsteil 56 als ein Schaltungsteil gezeigt, der
nicht in irgendeiner Weise mit der Testanordnung verbunden
ist, jedoch dennoch Teil derselben integrierten Schaltung
52 ist, welche den Schaltungsteil 54 und die Testanordnung
50 enthält.
Der Schaltungsteil 56 enthält Widerstände 60, 62, 64, 66
und Verbindungspunkte bzw. Anschlußpunkte 67 und 69.
Parallel zu dem jeweiligen Widerstand 62, 64, 66 liegt
eine abschaltbare bzw. trennbare Verbindung bzw. ein
abschaltbares/trennbares Verbindungsglied 68, 70, 72
in Form einer durch Laser programmierbaren Sicherung.
Die Testanordnung 50 weist die Form eines mit dem Anschlußstift
58 verbundenen Widerstands 74, einer mit dem
Widerstand 74 verbundenen Diode 76 und einer abschaltbaren
Verbindung 80 in Form einer durch Laser programmierbaren
Sicherung auf, die mit dem Anschlußstift 60 und der
Diode 76 verbunden ist. Der Anschlußstift 58 ist normalerweise
der Spannungszuführungsanschluß, an dem ein
höheres Potential der Schaltung 52 zugeführt wird, während
der Anschlußstift 60 normalerweise der Signalaufnahme-
Anschlußstift ist. Die Diode 76 ist in Richtung von dem
Anschlußstift 58, der beim Normalbetrieb der Einrichtung 48
auf höherem Potential liegt, zu dem Anschlußstift 60 hin,
der auf niedrigerem Potential beim Normalbetrieb der Einrichtung
48 liegt, in Sperrichtung vorgespannt.
Beim Gebrauch der Testanordnung 50 befindet sich die Einrichtung
48 im zusammengebauten Zustand (das Bauteil ist
mit 51 bezeichnet), wobei jedoch der Verschluß des Bauteils
weggelassen ist, während die Anschlußstifte 58, 60
von irgendeiner Spannungsversorgungs- oder Signalquelle
getrennt sind. Zu Testzwecken wird eine Spannung oder ein
Strom dem Anschlußstift 60 zugeführt, während der Stift 58
auf Erde gehalten wird. Ein Strom fließt von dem Anschlußstift
60 zu dem Anschlußstift 58 über die Sicherung
80, die Diode 76 und den Widerstand 74; die Diode 76 ist
nunmehr in Richtung von dem Anschlußstift 60, der während
des Testes auf dem höheren Potential liegt, zu dem Anschlußstift
58 hin, der während des Testes auf dem niedrigeren
Potential liegt, in Durchlaßrichtung vorgespannt.
Falls die dem Anschlußstift 60 zugeführte Spannung bekannt
ist, kann der Strom durch die Testanordnung gemessen
werden; wenn umgekehrt der dem Anschlußstift 60 zugeführte
Strom bekannt ist, kann die Spannung an der Testanordnung
gemessen werden, so daß der Widerstandswert des
Widerstands 74 nach folgender Gleichung ermittelt werden
kann:
wobei Φ gleich dem Spannungsabfall an der Diode 76 ist.
Es sei beispielsweise angenommen, daß bekannt ist, daß
der Widerstand 74 einen Istwert von 4 kOhm hat, wenn er
gebildet ist, und einen Soll-Zielwert von 5 kOhm aufweist.
Dieses Wissen bezüglich des Verhältnisses kann auf die
Widerstände der Widerstandskette 60, 62, 64, 66 in Reihe
derart angewandt werden, daß der Gesamtwiderstandswert der
betreffenden Widerstandskette geeignet gewählt werden
kann. Dies bedeutet bei dem gegebenen Beispiel folgendes:
Da der Widerstandswert des Widerstands 74 um 20% niedriger
ist als der Soll- oder Zielwert, kann der Schluß gezogen
werden, daß der Widerstandswert des Widerstands 60
und jeder Widerstandswert der Widerstände 62, 64, 66 um
20% niedriger ist als der jeweilige individuelle Soll-
bzw. Zielwert. Um den Widerstandswert, wie er zwischen
den Anschlußpunkten 67 und 69 vorhanden ist, auf den
Zielwert von 5 kOhm zu erhöhen, können die Sicherungen 68,
70 und/oder 72 nach Auswahl durchgebrannt werden, um die
Widerstände 62, 64, 66 (nach Auswahl) in Reihe zu dem
Widerstand 60 zu bringen. Da der Wert jedes dieser Widerstände
62, 64, 66 als eine Charakteristik des Halbleiterfabrikationsprozesses
bekannt ist, kann der Gesamt-
Zielwiderstandswert zwischen den Anschlußpunkten 67, 69
erzielt werden. In Abhängigkeit davon, ob der Widerstand
74 höher oder niedriger als der Zielwert gemessen
ist, wird, worauf hier hinzuweisen ist, in Unterstützung
des erreichten Zieles der Wert des Widerstands 60 so gewählt,
daß zumindest eine der Sicherungen 68, 70, 72
durchgebrannt werden muß, um den Widerstandswert zu dem
Zielwert hin zu verschieben.
Im Anschluß an das zuvor beschriebene Testen und das
Durchbrennen einer oder mehrerer der Sicherungen 68, 70,
72 mittels eines Lasers wird die abschaltbare Verbindung
in Form der Sicherung 80 mittels eines Lasers durchgebrannt,
so daß der mit den Anschlußstiften 58, 60 verbundene
Schaltungsteil 54 nunmehr als Teil einer Gesamtschaltung
52 ohne eine Verschlechterung der Arbeitsweise
des Schaltungsteiles 54 oder der Gesamtschaltung 52 arbeiten
kann. Dies ist in entsprechender Weise der Fall mit
dem Schaltungsteil 56, der selbstverständlich nicht in
irgendeiner Weise mit der Testanordnung 50 verbunden ist.
Es dürfte ferner einzusehen sein, daß das obige Merkmal,
nämlich keine Verschlechterung in der Arbeitsweise der
Schaltung 52 sogar in dem Fall erzielt würde, daß der
Schaltungsteil 56 mit einem oder mehreren der Anschlußstifte
58, 60 verbunden war (siehe die gestrichelte
Linie, welche den Anschlußstift 60 und den Anschlußpunkt
68 verbindet), da das Durchbrennen der Sicherung 80
die Testanordnung 50 von dem Schaltungsteil 56 abtrennen
würde, und zwar zusätzlich zur Abtrennung der Testanordnung
50 von dem Schaltungsteil 54, wie dies zuvor beschrieben
worden ist, so daß die Testanordnung 50 keine
Rolle beim Normalbetrieb der Einrichtung 48 spielt.
Es dürfte somit ohne weiteres einzusehen sein, daß die
Testanordnung 50 imstande ist, eine Testinformation in
Relation zu den Schaltungsteilen zu liefern, die nicht
damit verbunden sind, wie bezüglich des Schaltungsteiles
56, und in Relation zu den damit verbundenen Schaltungsteilen,
wie beispielsweise bezüglich des Schaltungsteiles
54. In jedem Falle arbeiten unabhängig davon, ob
der Schaltungsteil ursprünglich nicht mit der Testanordnung
verbunden war oder ob anschließend der Schaltungsteil
von der Testanordnung durch Durchbrennen der
Sicherung 80 getrennt worden ist, die Schaltungsteile
ohne eine Verschlechterung hinsichtlich der Arbeitsweise
der Einrichtung 48 im Vergleich zu einer Einrichtung 48,
die keine Testanordnung 50 enthält.
Sofern erwünscht, ist bei der in Blockdiagrammform in
Fig. 5 dargestellten Testanordnung 100 A (in der der
Block 74 A beispielsweise einen Widerstand und/oder einen
Lasteinrichtungs-Transistor enthalten kann) keine
Diode vorgesehen, wie sie zuvor beschrieben worden ist,
und ferner ist die abschaltbare Verbindung weggelassen.
Dieses Ausführungsbeispiel zeigt, daß der Anschlußstift 58 A
nicht als ein Anschlußstift ausgelegt ist für die Aufnahme
einer Versorgungsspannung während des Normalbetriebs der
Schaltung 48. In dieser Situation ist die Testanordnung 100 A
von der Gesamtschaltungseinrichtung 48 nicht abschaltbar;
sie ermöglicht dennoch eine geeignete Informationssammlung,
und zwar in ähnlicher Art und Weise, wie dies oben
beschrieben worden ist.
In Fig. 6 ist eine Abwandlung der in Fig. 5 dargestellten
Anordnung gezeigt; danach ist der Anschlußstift 58 B tatsächlich
der Spannungsversorgungsanschluß der Einrichtung
48 bei deren Normalbetrieb. Fig. 7 veranschaulicht
eine Abwandlung der in Fig. 6 dargestellten Anordnung
mit einer Diode 76 C, wie sie zuvor bei dem Hauptausführungsbeispiel
beschrieben worden ist. Fig. 8 veranschaulicht
die Testanordnung 100 D der Hauptausführungsform
mit einer durch Laser programmierbaren Sicherung 80 D
und einer Diode 76 D, wie dies bei der betreffenden Ausführungsform
beschrieben worden ist.
In Fig. 9 ist eine Testeinrichtung 100 E ähnlich der zuvor
in Fig. 5 gezeigten dargestellt; die vorliegende Ausführungsform
weist jedoch ferner eine Diode 76 E auf, wie sie
zuvor bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
erläutert worden ist. Darüber hinaus ist eine zweite Testanordnung
114 enthalten. Diese Testanordnung 114 liegt
zwischen einem Paar von Anschlußstiften 110, 112, deren
einer ein gemeinsamer Anschlußstift mit einem der Anschlußstifte
58 E, 60 E, sein kann, wobei zumindest ein
Anschlußstift des Paares der Anschlußstifte 58 E, 60 E verschieden
ist von einem der Anschlußstifte 110, 112. Der
Einfluß einer Testanordnung 114, die lediglich die Diode
116 aufweist (die beiden Dioden 76 E, 116 sind in Richtung
von dem höheren Potential zu dem niedrigeren Potential
während des Testens in Durchlaßrichtung vorgespannt) ermöglicht
es, beide Testanordnungen unabhängig voneinander
zu benutzen, um den Wert der Dioden 76 E, 116 zu realisieren
und zu kompensieren (die betreffenden Dioden sind
durch geeignete Verfahrensschritte weitgehend identisch
hergestellt).
Das Prinzip ist dasselbe bei der Anordnung gemäß Fig. 10,
die eine Testanordnung 100 F ähnlich der in Fig. 7 gezeigten
Testanordnung zwischen zwei Anschlußstiften 58 F, 60 F
aufweist. Eine Testanordnung 118 ist dabei vorgesehen, die
lediglich eine Diode 120 zwischen zwei Anschlußstiften
122, 124 enthält.
In ähnlicher Weise zeigt Fig. 11 eine Testanordnung 100 G
ähnlich der in Fig. 8 gezeigten Testanordnung; die vorliegende
Testanordnung ist an zwei Anschlußstiften 58 G,
60 G angeschlossen. Eine weitere Testanordnung 130 ist an
zwei Anschlußstiften 125, 126 angeschlossen. Die Testanordnung
130 weist eine Diode 128 und eine abschaltbare
Verbindung 132 in Form einer durch Laser programmierbaren
Sicherung 132 auf, welche die Diode 128 und den Anschlußstift
126 verbindet. Im Falle der Fig. 11 und 12 sind die
Anschlußstifte 58 F, 122, 58 G, 125 als Spannungsversorgungs-
Anschlußstifte für die betreffende Einrichtung im
Normalbetrieb dargestellt, während in Fig. 9 der Anschlußstift
110 als Signalanschlußstift dargestellt ist.
Demgemäß kann in den Fällen der Fig. 9, 10 und 11 die
Auswirkung auf das Testen durch Einschluß einer Diode
in jede der Testanordnungen 100 E, 100 F, 100 G kompensiert
werden.
Claims (15)
1. Halbleitereinrichtung mit einem Schaltungsteil
(54) und einer Vielzahl von Anschlußstiften
(58, 60), dadurch gekennzeichnet,
daß eine Testanordnung (50) als Teil der Halbleitereinrichtung vorgesehen und mit zumindest einem Anschlußstift (58, 60) der betreffenden Einrichtung verbunden ist
und daß die Testanordnung (50) im Gebrauch eine elektrische Information bezüglich des Schaltungsteiles (54) liefert.
daß eine Testanordnung (50) als Teil der Halbleitereinrichtung vorgesehen und mit zumindest einem Anschlußstift (58, 60) der betreffenden Einrichtung verbunden ist
und daß die Testanordnung (50) im Gebrauch eine elektrische Information bezüglich des Schaltungsteiles (54) liefert.
2. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
die Testanordnung (50) an einem Paar von Anschlußstiften
(58, 60) angeschlossen ist.
3. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
sie ferner eine Verpackung bzw. ein Bauteil umfaßt.
4. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
ferner Einrichtungen (80) vorgesehen sind, die
dafür sorgen, daß der Schaltungsteil (54) ohne eine Verschlechterung
der Arbeitsweise der Einrichtung im Vergleich
zu einer Einrichtung arbeitet, die ohne eine Testanordnung
ist.
5. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die genannten Einrichtungen
eine abschaltbare Verbindung (80) als Teil der
Testanordnung (50) umfassen.
6. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Testanordnung (50)
im Gebrauch mit dem Schaltungsteil (54) verbunden ist.
7. Halbleitereinrichrichtung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Testanordnung
im Gebrauch nicht mit dem Schaltungsteil (54) verbunden
ist.
8. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einrichtungen,
die dafür sorgen, daß der Schaltungsteil (54) ohne eine
Verschlechterung der Arbeitsweise der Einrichtung arbeitet,
eine abschaltbare bzw. auftrennbare Verbindung als Teil
der Testanordnung aufweisen.
9. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Testanordnung (50)
ferner eine Diode (76) aufweist, die in Richtung von dem
auf höherem Potential während des Testes liegenden Anschlußstift
zu dem während des Testes auf niedrigerem
Potential liegenden Anschlußstift in Durchlaßrichtung
vorgespannt ist.
10. Halbleitereinrichrichtung nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die abschaltbare bzw.
auftrennbare Verbindung (80) eine durch einen Laser programmierbare
Sicherung enthält, die zwischen den beiden
Anschlußstiften (58, 60) vorgesehen ist.
11. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß einer der Anschlußstifte
der Spannungsversorgungs-Anschlußstift beim Betrieb
der Einrichtung ist.
12. Halbleitereinrichtung mit einem Schaltungsteil und
einer Vielzahl von Anschlußstiften, insbesondere nach
einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß eine erste Testanordnung (z. B. 100 E) vorgesehen ist, die an einem Paar von Anschlußstiften (58 E, 60 E) angeschlossen ist,
daß eine zweite Testanordnung (114) vorgesehen ist, die an einem Paar von Anschlußstiften (110, 112) angeschlossen ist,
daß jede Testanordnung im Gebrauch eine elektrische Information bezüglich des Schaltungsteiles liefert, daß zumindest ein Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften verschieden ist von einem Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften,
daß die erste Testanordnung (100 E) eine Lasteinrichtung (74 E) zwischen dem ersten Paar von Anschlußstiften und eine Diode (76 E) aufweist, die in Richtung von dem während des Testens höheres Potential führenden Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften zu dem während des Testens das niedrigere Potential führenden Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften in Durchlaßrichtung vorgespannt ist,
und daß die zweite Testanordnung (114) eine Diode (116) aufweist, die in Richtung von dem das höhere Potential während des Testens führenden Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften zu dem während des Testens das niedrigere Potential führenden Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften in Durchlaßrichtung vorgespannt ist.
daß eine erste Testanordnung (z. B. 100 E) vorgesehen ist, die an einem Paar von Anschlußstiften (58 E, 60 E) angeschlossen ist,
daß eine zweite Testanordnung (114) vorgesehen ist, die an einem Paar von Anschlußstiften (110, 112) angeschlossen ist,
daß jede Testanordnung im Gebrauch eine elektrische Information bezüglich des Schaltungsteiles liefert, daß zumindest ein Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften verschieden ist von einem Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften,
daß die erste Testanordnung (100 E) eine Lasteinrichtung (74 E) zwischen dem ersten Paar von Anschlußstiften und eine Diode (76 E) aufweist, die in Richtung von dem während des Testens höheres Potential führenden Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften zu dem während des Testens das niedrigere Potential führenden Anschlußstift des ersten Paares von Anschlußstiften in Durchlaßrichtung vorgespannt ist,
und daß die zweite Testanordnung (114) eine Diode (116) aufweist, die in Richtung von dem das höhere Potential während des Testens führenden Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften zu dem während des Testens das niedrigere Potential führenden Anschlußstift des zweiten Paares von Anschlußstiften in Durchlaßrichtung vorgespannt ist.
13. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß zumindest ein während
des Testens auf niedrigem Potential liegender Anschlußstift
der Anschlußstifte ein Spannungsversorgungs-Anschlußstift
für die Halbleitereinrichtung ist.
14. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet,
daß die erste Testanordnung (100 E) einen Teil einer abschaltbaren bzw. auftrennbaren Verbindung aufweist, welche das erste Paar von Anschlußstiften verbindet,
und daß die zweite Testanordnung als einen Teil eine abschaltbare bzw. auftrennbare Verbindung enthält, welche das zweite Paar von Anschlußstiften verbindet.
daß die erste Testanordnung (100 E) einen Teil einer abschaltbaren bzw. auftrennbaren Verbindung aufweist, welche das erste Paar von Anschlußstiften verbindet,
und daß die zweite Testanordnung als einen Teil eine abschaltbare bzw. auftrennbare Verbindung enthält, welche das zweite Paar von Anschlußstiften verbindet.
15. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die abschaltbaren bzw.
auftrennbaren Verbindungen durch Laser programmierbare
Sicherungen sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/095,284 US4853628A (en) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | Apparatus for measuring circuit parameters of a packaged semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3830573A1 true DE3830573A1 (de) | 1989-04-13 |
Family
ID=22251151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3830573A Withdrawn DE3830573A1 (de) | 1987-09-10 | 1988-09-08 | Halbleitereinrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4853628A (de) |
JP (1) | JPH01163685A (de) |
DE (1) | DE3830573A1 (de) |
GB (1) | GB2209871A (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4026326A1 (de) * | 1990-05-23 | 1991-11-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Integriertes halbleiterschaltungsplaettchen |
DE4027062A1 (de) * | 1990-08-27 | 1992-04-23 | Integrated Circuit Testing | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
DE4137084A1 (de) * | 1991-11-12 | 1993-05-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiteranordnung |
DE4334918A1 (de) * | 1992-10-15 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Spannungsversorgungsschaltung und Halbleitervorrichtung mit einer solchen Schaltung |
DE19528733C1 (de) * | 1995-08-04 | 1997-01-02 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung |
DE19808664A1 (de) * | 1998-03-02 | 1999-10-14 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Prüfung |
US6011428A (en) * | 1992-10-15 | 2000-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage supply circuit and semiconductor device including such circuit |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0404995B1 (de) * | 1989-06-30 | 1994-08-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte Schaltungsanordnung |
US5034687A (en) * | 1989-10-16 | 1991-07-23 | Vlsi Technology, Inc. | Signature indicating circuit |
JPH03227547A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2844857B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1999-01-13 | ソニー株式会社 | 混成集積回路の製造装置 |
US5043657A (en) * | 1990-07-13 | 1991-08-27 | Analog Devices, Incorporated | Marking techniques for identifying integrated circuit parts at the time of testing |
US5219765A (en) * | 1990-09-12 | 1993-06-15 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process |
JP2925287B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1999-07-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US5218307A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-08 | Alcan Aluminum Corporation | Fault detection circuit and method for testing a multiple conductor cable having a shield |
US5371457A (en) * | 1991-02-12 | 1994-12-06 | Lipp; Robert J. | Method and apparatus to test for current in an integrated circuit |
DE4110551C1 (de) * | 1991-03-30 | 1992-07-23 | Ita Ingenieurbuero Fuer Testaufgaben Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
DE4334856A1 (de) * | 1993-10-13 | 1995-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zum Prüfen eines Gateoxids |
US5982188A (en) * | 1994-07-29 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Test mode control circuit of an integrated circuit device |
GB9417264D0 (en) * | 1994-08-26 | 1994-10-19 | Inmos Ltd | Memory device |
JP3301874B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその検査方法 |
EP0745859B1 (de) * | 1995-05-31 | 2004-10-27 | STMicroelectronics, Inc. | Konfigurierbare Kontaktleiste zur bequemen parallellen Prüfung von integrierten Schaltungen |
US5721496A (en) * | 1996-01-23 | 1998-02-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for leak checking unpackaged semiconductor dice |
US5742169A (en) * | 1996-02-20 | 1998-04-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for testing interconnects for semiconductor dice |
US5786700A (en) * | 1996-05-20 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | Method for determining interconnection resistance of wire leads in electronic packages |
US5818251A (en) * | 1996-06-11 | 1998-10-06 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for testing the connections between an integrated circuit and a printed circuit board |
US6346846B1 (en) | 1999-12-17 | 2002-02-12 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for blowing and sensing antifuses |
US6492706B1 (en) | 2000-12-13 | 2002-12-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Programmable pin flag |
US6998865B2 (en) * | 2001-12-10 | 2006-02-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device test arrangement with reassignable probe pads |
JP2008066536A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
US8116748B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-02-14 | At&T Intellectual Property I, Lp | Management of locations of group members via mobile communications devices |
US8566602B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-10-22 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Device, system and method for recording personal encounter history |
US8160548B2 (en) * | 2006-12-15 | 2012-04-17 | At&T Intellectual Property I, Lp | Distributed access control and authentication |
US7646297B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-01-12 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Context-detected auto-mode switching |
US20080146250A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Jeffrey Aaron | Method and System for Creating and Using a Location Safety Indicator |
US8787884B2 (en) * | 2007-01-25 | 2014-07-22 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Advertisements for mobile communications devices via pre-positioned advertisement components |
US8649798B2 (en) * | 2007-01-25 | 2014-02-11 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Methods and devices for attracting groups based upon mobile communications device location |
US8199003B2 (en) | 2007-01-30 | 2012-06-12 | At&T Intellectual Property I, Lp | Devices and methods for detecting environmental circumstances and responding with designated communication actions |
US8335504B2 (en) * | 2007-08-23 | 2012-12-18 | At&T Intellectual Property I, Lp | Methods, devices and computer readable media for providing quality of service indicators |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3961252A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-01 | International Business Machines Corporation | Testing embedded arrays |
US3961254A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-01 | International Business Machines Corporation | Testing embedded arrays |
US3961251A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-01 | International Business Machines Corporation | Testing embedded arrays |
US3969670A (en) * | 1975-06-30 | 1976-07-13 | International Business Machines Corporation | Electron beam testing of integrated circuits |
US4404519A (en) * | 1980-12-10 | 1983-09-13 | International Business Machine Company | Testing embedded arrays in large scale integrated circuits |
JPS58115372A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置試験回路 |
US4495628A (en) * | 1982-06-17 | 1985-01-22 | Storage Technology Partners | CMOS LSI and VLSI chips having internal delay testing capability |
JPH0658925B2 (ja) * | 1983-10-31 | 1994-08-03 | 株式会社東芝 | 集積回路試験装置 |
US4612499A (en) * | 1983-11-07 | 1986-09-16 | Texas Instruments Incorporated | Test input demultiplexing circuit |
-
1987
- 1987-09-10 US US07/095,284 patent/US4853628A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-08 DE DE3830573A patent/DE3830573A1/de not_active Withdrawn
- 1988-09-09 GB GB8821206A patent/GB2209871A/en not_active Withdrawn
- 1988-09-10 JP JP63225562A patent/JPH01163685A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4026326A1 (de) * | 1990-05-23 | 1991-11-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Integriertes halbleiterschaltungsplaettchen |
DE4027062A1 (de) * | 1990-08-27 | 1992-04-23 | Integrated Circuit Testing | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
DE4137084A1 (de) * | 1991-11-12 | 1993-05-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiteranordnung |
US6011428A (en) * | 1992-10-15 | 2000-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage supply circuit and semiconductor device including such circuit |
DE4334918A1 (de) * | 1992-10-15 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Spannungsversorgungsschaltung und Halbleitervorrichtung mit einer solchen Schaltung |
DE4334918C2 (de) * | 1992-10-15 | 2000-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Absenkkonverter zum Absenken einer externen Versorgungsspannung mit Kompensation herstellungsbedingter Abweichungen, seine Verwendung sowie zugehöriges Betriebsverfahren |
US6097180A (en) * | 1992-10-15 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage supply circuit and semiconductor device including such circuit |
DE19528733C1 (de) * | 1995-08-04 | 1997-01-02 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung |
EP0757254A2 (de) * | 1995-08-04 | 1997-02-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte Schaltung |
EP0757254A3 (de) * | 1995-08-04 | 1998-01-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte Schaltung |
US5789932A (en) * | 1995-08-04 | 1998-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated circuit |
DE19808664A1 (de) * | 1998-03-02 | 1999-10-14 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Prüfung |
DE19808664C2 (de) * | 1998-03-02 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Prüfung |
US6401224B1 (en) | 1998-03-02 | 2002-06-04 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit and method for testing it |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8821206D0 (en) | 1988-10-12 |
JPH01163685A (ja) | 1989-06-27 |
US4853628A (en) | 1989-08-01 |
GB2209871A (en) | 1989-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3830573A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE3520003C2 (de) | ||
DE3130714C2 (de) | ||
DE10297097B4 (de) | Schmelzprogrammierbare E/A-Organisation | |
DE19738569B4 (de) | Testschaltkreis für integrierte Schaltkreise und Verfahren zum Testen | |
DE3835647A1 (de) | Schaltungsanordnung mit eingangsleitungen und einer ausgangsleitung | |
DE2413805A1 (de) | Verfahren zum pruefen von logischen schaltkreisen sowie dafuer geeignete logische schaltung | |
DE19581814B4 (de) | Halbleiter-Testchip mit waferintegrierter Schaltmatrix | |
EP0010173A1 (de) | Halbleiterplättchen mit verbesserter Prüfbarkeit der monolithisch hochintegrierten Schaltungen | |
DE1762172C3 (de) | Verknüpfungsschaltung mit Stromübernahmeschaltern | |
DE3215671C2 (de) | Programmierbare Logikanordnung | |
DE3346158A1 (de) | Analoger festkoerperschalter | |
DE19641857B4 (de) | Schaltung zur Erzeugung bestimmter Betriebskennwerte einer Halbleitereinrichtung | |
EP0203535B1 (de) | Verfahren zur Simulation eines Fehlers in einer logischen Schaltung und Schaltungsanordnung zur Durchführung desselben | |
DE19512131A1 (de) | Halbleiter-Testgerät | |
DE10149234B4 (de) | Sicherungsgeschützter Nebenschlußregler und Verfahren zum Schützen eines Nebenschußreglers | |
DE19934297C1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit erhöhter Betriebsspannung für programmierbare Elemente (z.B. zur Konfigurierung) | |
DE3009014C2 (de) | ||
DE4321211C2 (de) | Halbleiterwafer und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Halbleitervorrichtung und Prüfeinrichtung hierfür mit Voralterungsmöglichkeit ("burn-in") | |
DE10341836B4 (de) | Testvorrichtung zum Testen von elektrischen Schaltungen sowie Verfahren zum parallelen Testen von elektrischen Schaltungen | |
EP0984290A1 (de) | Verfahren zum Betrieb einer integrierten Schaltung | |
DE60223043T2 (de) | Elektronischer schaltkreis und testverfahren | |
EP0729034A2 (de) | Prüfschaltung und Prüfverfahren zur Funktionsprüfung von elektronischen Schaltungen | |
DE3937187A1 (de) | Verfahren zum herstellen von integrierten schaltungen sowie integrierte schaltung | |
EP0757254A2 (de) | Integrierte Schaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |