DE3810312C2 - - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 17
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000001391 atomic fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N2021/6417—Spectrofluorimetric devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur indirekten Erfassung der Agglomeratbildung beim Agglomerat aufdampfverfahren gemäß Oberbegriff des Patent anspruchs 1 sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The invention relates to a method for indirect detection of agglomerate formation in agglomerate vapor deposition process according to the preamble of the patent claims 1 and an apparatus for performing the method.
Das sogenannte Ionisations-Agglomerataufdampfverfahren (io nized-cluster beam deposition) ist für das Herstellen eines dichten Filmes mit hoher Qualität geeignet, der eine gute Haftung zeigt und die Bildung einer Grenzschicht mit körniger Struktur minimiert. Das eingangs genannte Agglomerataufdampfverfahren ist in der japanischen Patentveröffentlichung 54-9 592 B2 be schrieben. Bei dem Agglomerataufdampfverfahren wird das abzu scheidende Material in einen geschlossenen Schmelztiegel ein gebracht, der in einem Vakuumbehälter angeordnet und erhitzt wird, um in dem Tiegel einen Dampf des betreffenden Materials mit einem Dampfdruck in der Größenordnung von 10-2 bis eini gen Torr zu bilden. Daraufhin strömt der Dampf von einer In jektionsdüse des Tiegels in einen Vakuumbereich mit ungefähr 10-7 bis 10-4 Torr, so daß der Dampf durch adiabatische Ex pansion stark abgekühlt wird, um Agglomerate mit 1000 bis 2000 schwach miteinander verbundenen Atomen des abzulagernden Materiales zu bilden. Anschließend werden die Agglomerate mit Elektronenstrahlen bestrahlt, um wenigstens einige der die Agglomerate bildenden Atome zum Erzeugen von ionisierten Ag glomeraten zu ionisieren, wobei den ionisierten Agglomeraten durch eine Vorspannung eine zusätzliche kinetische Energie vermittelt wird, um die ionisierten Agglomerate auf einem Substrat zusammen mit neutralen Agglomeraten sowie Atomen des Materials, die keine Agglomerate gebildet haben, abzulagern.The so-called ionized-cluster beam deposition process is suitable for producing a dense, high-quality film that shows good adhesion and minimizes the formation of an interface with a granular structure. The above-mentioned agglomerate vapor deposition process is described in Japanese Patent Publication 54-9,592 B2. In the agglomerate vapor deposition process, the material to be separated is placed in a closed crucible, which is placed in a vacuum container and heated to form a vapor of the material in question in the crucible with a vapor pressure of the order of 10 -2 to a few torr. Thereupon, the steam flows from an injection nozzle of the crucible into a vacuum region with approximately 10 -7 to 10 -4 torr, so that the steam is strongly cooled by adiabatic expansion in order to add agglomerates with 1000 to 2000 weakly interconnected atoms of the material to be deposited form. The agglomerates are then irradiated with electron beams to ionize at least some of the atoms forming the agglomerates to produce ionized agglomerates, the ionized agglomerates being imparted an additional kinetic energy by biasing the ionized agglomerates on a substrate together with neutral agglomerates as well as atoms of the material that have not formed agglomerates.
Das Agglomerataufdampfverfahren kann auch mit mehreren Tie geln ausgeführt werden, welche jeweils mit verschiedenen Ma terialien beladen sind, um einen Verbindungs-Film herzustel len, wie dies in der japanischen Patentveröffentlichung 56- 41 165 B2 offenbart ist. Das Agglomerataufdampfverfahren kann auch zum Bilden eines Oxidfilmes oder eines Nitridfilmes unter Verwenden eines reaktiven Gases, das in ein Vakuumgefäß eingebracht ist, verwendet werden, wie dies in der japani schen Patentveröffentlichung 56-6 333 B2 offenbart ist.The agglomerate vapor deposition process can also be carried out with several tie gels are carried out, each with different Ma materials are loaded to make a connection film len, as described in Japanese Patent Publication 56- 41 165 B2 is disclosed. The agglomerate evaporation process can also be used to form an oxide film or a nitride film using a reactive gas that is in a vacuum vessel is used to be used, as in the japani patent publication 56-6 333 B2.
Für die Agglomeratbildung müssen mehrere Forderungen er füllt sein wie beispielsweise ein Verhältnis des Dampf druckes P0 in einem Tiegel und des Druckes P in einem Vakuumbereich (P0/P) von 102 oder mehr, und eine wiederholte Kollision zwischen Teilchen während des Durchganges durch eine Injektionsdüse zum Austausch von Energie zwischen den Teilchen derart, daß eine adiabatische Expansion zur Erzeugung des stark gekühlten Zustandes bewerkstelligt wird. Bei dem Agglomerataufdampfverfahren werden dazu die Temperatur des Tiegels, der Dampfdruck des Materiales in dem Tiegel und die Auswahl der Konfiguration der Injektionsdüse so gewählt, daß die obigen Erfordernisse erfüllt werden.For agglomerate formation, several requirements must be met, such as a ratio of the vapor pressure P 0 in a crucible and the pressure P in a vacuum range (P 0 / P) of 10 2 or more, and a repeated collision between particles during the passage an injection nozzle for exchanging energy between the particles in such a way that an adiabatic expansion is brought about to produce the strongly cooled state. In the agglomerate evaporation process, the temperature of the crucible, the vapor pressure of the material in the crucible and the selection of the configuration of the injection nozzle are selected so that the above requirements are met.
Bei dem Agglomerataufdampfverfahren ist es wünschenswert, daß sämtliche Atome des Materials, die aus der Injektionsdüse des Tiegels ausströmen, Agglomerate bilden. Tatsächlich werden jedoch nicht notwendigerweise sämtliche Atome zu Agglomera ten, und die Ausbildung von Agglomeraten hängt ab von Be triebsbedingungen, der Struktur des zu verdampfenden Mate riales und ähnlichen Parametern. Das Bilden von Agglomeraten beeinflußt in einem erheblichen Maße die Qualität des auf dem Substrat abgeschiedenen Filmes. Demzufolge ist eine Bestäti gung, Überwachung und Bestimmung des Bildens von Agglomeraten wichtig für die praktische Durchführung des Agglomeratauf dampfverfahrens.In the agglomerate vapor deposition process, it is desirable that all atoms of the material that come out of the injection nozzle of the Flush out the crucible, form agglomerates. In fact will but not necessarily all of the atoms to agglomerates ten, and the formation of agglomerates depends on Be drive conditions, the structure of the mate to be vaporized riales and similar parameters. The formation of agglomerates influences the quality of the on the Deposited film. As a result, it is a confirmation generation, monitoring and determination of the formation of agglomerates important for the practical implementation of the agglomerate steam process.
Es ist bekannt, daß Agglomerate durch lose miteinander gekop pelte Atome gebildet werden, wie dies in dem Artikel "The Formation and Kinetics of Ionized Cluster Beams" von I. Ya mada et al beschrieben ist, der veröffentlicht ist in Z. Phys. D.-Atoms, Molecules and Clusters, Bd. 3, S. 134- 142 (1986). Daher sind die Spektren von Agglomeraten ähnlich denjenigen von Molekülen. Es ist theoretisch schwer zu ver stehen, daß aus der Düse ausströmende Teilchen lediglich als Moleküle gebunden werden, jedoch nicht zu einem Aggregat zu sammenwachsen, wie dies im Artikel "Structure of Vapourized-Metal Clusters" von I. Yamada et al, in Proceedings of the Sixth Symposium on Ion Sources and Ion As sisted Technology, S. 47-52 (1982) diskutiert wird. Durch eine Untersuchung der Agglomerate mittels eines Elektronenbeugungsmikroskopes hat man herausgefunden, daß ein typisches Beugungsmuster ei nes amorphen Materiales beobachtet wird, das lediglich eine Kurz-Entfernungs-Ordnung und keine Lang-Entfernungs-Ordnung zeigt. Dies ist als Hinweis dafür zu werten, daß große Agglo merate in erster Linie aufgrund von molekularer Aggregation gebildet werden.It is known that agglomerates are loosely coupled together atoms are formed as described in the article "The Formation and Kinetics of Ionized Cluster Beams "by I. Ya mada et al, which is published in Z. Phys. D. Atoms, Molecules and Clusters, Vol. 3, p. 134- 142 (1986). Therefore, the spectra of agglomerates are similar those of molecules. It is theoretically difficult to ver stand that particles flowing out of the nozzle only as Molecules are bound but not to an aggregate grow together like this in the article "Structure of Vaporized-Metal Clusters" by I. Yamada et al, in Proceedings of the Sixth Symposium on Ion Sources and Ion As sisted Technology, pp. 47-52 (1982). Through an investigation the agglomerates using an electron diffraction microscope it has been found that a typical diffraction pattern ei nes amorphous material is observed, which is only one Short-distance order and no long-distance order shows. This is an indication that large agglo merate primarily due to molecular aggregation be formed.
Daher gibt die spektrale Analyse der Fluoreszenz, die durch Bestrahlen von Aufdampfstrahlen mittels eines Anregungs lichtes erhalten wird, einen Hinweis auf die Fluoreszenz ei nes Materiales in seinem molekularen Zustand, wodurch die Ag glomeratbildung des Materials bestätigt werden kann.Therefore, the spectral analysis of the fluorescence gives through Irradiation of vapor deposition jets by means of an excitation light is obtained, an indication of the fluorescence nes material in its molecular state, whereby the Ag glomerate formation of the material can be confirmed.
Aus der DE 25 20 911 A1 ist ein Verfahren zur Bestimmung des Teilchenflusses in einer Vakuumbeschichtungsanlage bekannt, bei der Titan verdampft wird, welches als Verunreinigung Titanoxid enthalten kann. Das Ergebnis der Messung ist die Größe der Verunreinigung bzw. das Verhältnis von Titan zu Titanoxid. Eine Beeinflussung des Verhältnisses von Titan zu Titanoxid durch die Versuchsbedingungen ist weder beabsich tigt noch möglich.DE 25 20 911 A1 describes a method for determining the Known particle flow in a vacuum coating system, in which titanium is evaporated, which is an impurity May contain titanium oxide. The result of the measurement is the Size of the contamination or the ratio of titanium to Titanium oxide. Influencing the titanium to ratio Titanium oxide due to the test conditions is neither intended still possible.
Aus Spectrochimica Acta, Vol. 28 B, 1973, S. 197-210 ist die Anwendung von Kathodensputterung zur Her stellung von atomaren Dämpfen in der Atom-Fluoreszenz- Spektroskopie bekannt. Dabei werden die Fluoreszenzsignale verschiedener Elemente gemessen, die durch das Sputtern abgetragen werden. Das Ziel ist hier die Bestimmung der Zusammensetzung des abgesputterten Materials.From Spectrochimica Acta, Vol. 28 B, 1973, p. 197-210 is the application of cathode sputtering position of atomic vapors in atomic fluorescence Spectroscopy known. The fluorescence signals of various elements measured by sputtering be removed. The goal here is to determine the Composition of the sputtered material.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur indirekten Erfassung der Agglomeratbil dung anzugeben, das bzw. die dazu geeignet ist, qualitativ Agglomeratbildung zu erfassen, so daß das Agglomerataufdampf verfahren in vorteilhafter und wirkungsvoller Weise durch geführt werden kann, so daß insbesondere ein dünner Film mit hoher Qualität gebildet werden kann.The invention has for its object a method and a device for indirect detection of agglomerate bil stating which is suitable, qualitatively Detect agglomerate formation, so that the agglomerate evaporation proceed in an advantageous and effective manner can be performed, so that in particular a thin film with high quality can be formed.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt beim Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch die in seinem kennzeichnenden Teil angegebenen Merkmale sowie bei der Vorrichtung durch die Merkmale des Patentanspruchs 2.This problem is solved in the method according to the generic term of claim 1 by the in its characterizing Part specified features and in the device by the Features of claim 2.
Bei der Erfindung ist es in vorteilhafter Weise möglich, die Bildung von Agglomeraten in dem Aufdampfstrahl quantitativ zu bestimmen, so daß die Aufdampfparameter, insbesondere die Partikeltemperatur so eingestellt werden können, daß beim Aufdampfvorgang eine optimale Agglomeratbildung auftritt. Da durch läßt sich die Qualität der aufgedampften Filme wesent lich verbessern.In the invention, it is advantageously possible to Formation of agglomerates in the vapor deposition quantitatively determine so that the evaporation parameters, in particular the Particle temperature can be set so that the Evaporation optimal agglomerate formation occurs. There by the quality of the evaporated films can be essential Lich improve.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt An embodiment of the invention is described below Reference to the drawings explained in more detail. It shows
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Erfassung der Agglomeratbildung; Figure 1 is a schematic representation of an apparatus for detecting agglomerate formation.
Fig. 2A, 2B und 2C jeweils Spektraldiagramme der Verteilung des Fluoreszenz-Spektrums eines zu verdampfenden Materiales; und Fig. 2A, 2B and 2C are spectrum diagrams of the distribution of the fluorescence spectrum of a material to be evaporated; and
Fig. 3A und 3B Spektraldiagramme eines Beispieles der Vertei lung eines Fluoreszenzspektrums eines anderen, zu verdampfenden Elementes. Fig. 3A and 3B an example of the Spectral distri development of a fluorescence spectrum of another element to be evaporated.
Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung eine Ausführungs form einer Vorrichtung zum Erfassen von Agglomeratbildung. In der Fig. 1 ist ein Vakuumbehälter 21 gezeigt, der für die praktische Durchführung des Agglomerataufdampfverfahrens ver wendet wird, wobei ein Dampfstrom eines Materiales, der aus einer Injektionsdüse eines geschlossenen Tiegels (nicht dar gestellt) strömt, einen Aufdampfstrahl 22 bildet. Der Vakuum behälter 21 hat ein erstes Fenster 25 für das von einer Lichtquelle 23 durch ein optisches System 24 in den Vakuumbe hälter 21 eingestrahlte Anregungslicht 26. Der Vakuumbehälter 21 hat ein zweites Fenster 28, durch das Fluoreszenzlicht 27 von dem Aufdampfstrahl 22 erfaßt wird. Das Anregungslicht 26 wird so eingestellt, daß es auf die Mitte des Aufdampfstrah les 22 mittels des optischen Systemes fokussiert ist. Fig. 1 shows a schematic representation of an embodiment of a device for detecting agglomerate formation. In Fig. 1, a vacuum container 21 is shown, which is used for the practical implementation of the agglomerate vapor deposition process, a vapor stream of a material flowing out of an injection nozzle of a closed crucible (not shown) forming an evaporation jet 22 . The vacuum container 21 has a first window 25 for the radiated from a light source 23 through an optical system 24 in the container 21 Vakuumbe excitation light 26th The vacuum container 21 has a second window 28 , through which fluorescent light 27 is detected by the vapor deposition beam 22 . The excitation light 26 is set so that it is focused on the center of the Aufdampfstrahl les 22 by means of the optical system.
Das Fluoreszenzlicht 27, das durch das Fenster 28 des Vakuum behälters 21 hindurchtritt, wird durch ein optisches System 29 einem Spektroskop 30 zugeführt und einer Spektralanalyse unterworfen, deren Ergebnisse auf einem Recorder 31 aufge zeichnet werden.The fluorescent light 27 , which passes through the window 28 of the vacuum container 21 , is fed through an optical system 29 to a spectroscope 30 and subjected to a spectral analysis, the results of which are recorded on a recorder 31 .
Das Anregungslicht 26 wird in den Vakuumbehälter 21 in einer Richtung senkrecht zu der Richtung der Erfassung der Fluoreszenz eingeführt, wodurch es möglich ist, die Interferenz zwischen dem Anregungslicht 26 und dem Spektroskop 30 zu minimieren. Die in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung kann auch derart aufgebaut sein, daß ein Ausgangssignal des Spektroskopes 30 mittels ei nes Photomultipliers verstärkt wird, um dadurch einen Si gnalanteil des Ausgangssignales zusammen mit einem Signal mittels eines Verstärkers zu verstärken, wobei das Signal von einem Licht-Chopper erhalten wird, der vor der Lichtquelle 23 angeordnet ist.The excitation light 26 is introduced into the vacuum container 21 in a direction perpendicular to the direction of detection of fluorescence, whereby it is possible to minimize the interference between the excitation light 26 and the spectroscope 30 . The device shown in Fig. 1 can also be constructed such that an output signal of the spectroscope 30 is amplified by means of a photomultiplier, thereby amplifying a signal portion of the output signal together with a signal by means of an amplifier, the signal being emitted by a light Chopper is obtained, which is arranged in front of the light source 23 .
Ferner können die Fenster 25 und 28 mit einer Schikane verse hen sein, um Streulicht vom Tiegel zu blockieren und/oder um zu verhindern, daß das Licht mit einem Dampf des von der In jektionsdüse ausströmenden Materiales verschmutzt wird. Eine Hochdruck-Quecksilberlampe kann als Lichtquelle 23 verwendet werden. Auch eine Laserstrahlquelle kann als Lichtquelle die nen.Furthermore, the windows 25 and 28 can be provided with a chicane to block stray light from the crucible and / or to prevent the light from being contaminated with a vapor of the material flowing out of the injection nozzle. A high pressure mercury lamp can be used as the light source 23 . A laser beam source can also serve as a light source.
Ein Beispiel der Erfassung der Agglomeratbildung mit einer Vorrichtung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, wird nachfolgend beschrieben.An example of the detection of agglomerate formation with a device as shown in Fig. 1 is described below.
Silber (Ag) wird als zu verdampfendes Material ausgewählt und in den Tiegel geladen, um das Agglomerataufdampfverfahren in die Praxis umzusetzen. Der Tiegel hat einen Durchmesser von 1 mm. Die spektrale Verteilung der Fluoreszenz, die von dem Aufdampfstrahl ausgeht, verhält sich in Abhängigkeit der Heiztemperatur des Tiegels und somit des Dampfdruckes von Ag in dem Tiegel, wie dies in den Fig. 2A bis 2C gezeigt ist.Silver (Ag) is selected as the material to be evaporated and loaded into the crucible to put the agglomerate evaporation process into practice. The crucible has a diameter of 1 mm. The spectral distribution of the fluorescence emanating from the vapor deposition behavior depends on the heating temperature of the crucible and thus the vapor pressure of Ag in the crucible, as shown in FIGS. 2A to 2C.
Fig. 2A zeigt die Ergebnisse, die bei einer Tiegeltemperatur von 1305°C erhalten werden, wobei spektrale Spitzen bei 328 nm und 338 nm erzielt werden. Für Fachleute ist offensicht lich, daß diese Wellenlängen den Fluoreszenzspektren von mono-atomarem Silber entsprechen. Daraus ergibt sich, daß ,der von der Düse ausströmende Strahl aus Atomen gebildet wird. Figure 2A shows the results obtained at a crucible temperature of 1305 ° C with spectral peaks at 328 nm and 338 nm. It is obvious to those skilled in the art that these wavelengths correspond to the fluorescence spectra of mono-atomic silver. It follows from this that the jet flowing out of the nozzle is formed from atoms.
Fig. 2B zeigt Ergebnisse, die bei einer Tiegeltemperatur von 1510°C erhalten werden. Die Ergebnisse gemäß Fig. 2B zeigen, daß die Fluoreszenz von mono-atomarem Silber mit Spektren nahe 328 nm und 338 nm bei dieser Temperatur vermindert wer den und daß Fluoreszenz von Silber mit Spektrallinien, die zwischen 430 nm und 450 nm verteilt sind, beobachtet wird. Fig. 2B shows results which are obtained at a crucible temperature of 1510 ° C. The results according to FIG. 2B show that the fluorescence of mono-atomic silver with spectra close to 328 nm and 338 nm is reduced at this temperature and that fluorescence of silver with spectral lines distributed between 430 nm and 450 nm is observed .
Ag2 hat einen Spitzenwert des Fluoreszenzspektrums nahe 447 nm und spektrale Spitzenwerte in einem benachbarten Wellen längenbereich. Demgemäß zeigen diese Ergebnisse, daß bei ei ner Temperatur des Tiegels von 1510°C ein höherer Anteil an molekularen Silber-Teilchen bzw. Agglomeraten in dem Strahl erzeugt werden.Ag 2 has a peak value in the fluorescence spectrum close to 447 nm and spectral peak values in an adjacent wavelength range. Accordingly, these results show that a higher proportion of molecular silver particles or agglomerates are generated in the beam at a crucible temperature of 1510 ° C.
Ein Vergleich der Fig. 2A und 2B zeigt, daß bei einem Tempe raturanstieg des Schmelztiegels die Intensität der Fluoreszenz des molekula ren Silbers ansteigt, wodurch die Agglomeratbildung be stätigt wird. In diesem Fall beträgt die Druckdifferenz zwi schen dem Inneren des Tiegels und dessen Äußerem 10⁴ oder mehr (P0/P=104). Dies ist offenbar ausreichend für eine Ag glomeratbildung.A comparison of FIGS. 2A and 2B shows that when the crucible rises in temperature, the intensity of the fluorescence of the molecular silver increases, as a result of which the agglomerate formation is confirmed. In this case, the pressure difference between the inside of the crucible and the outside thereof is 10⁴ or more (P 0 / P = 10 4 ). This is apparently sufficient for agglomerate formation.
Fig. 2C zeigt die spektrale Verteilung von Silber bei einer Heiztemperatur des Schmelztiegels von 1770°C. Die in Fig. 2C gezeigten Ergebnisse zeigen, daß die Intensität der Fluoreszenz des mole kularen Silbers oberhalb derjenigen des mono-atomaren Silbers liegt. Fig. 2C shows the spectral distribution of silver at a heating temperature of the crucible to 1770 ° C. The results shown in Fig. 2C show that the intensity of the fluorescence of the molecular silver is above that of the mono-atomic silver.
Fig. 3 zeigt die Ergebnisse, die bei Gold (Au) und Kupfer (Cu) als Abscheidungsmaterial erhalten werden, wo bei Fig. 3A das Fluoreszenz-Spektrum von mono-atomarem Gold und molekularem Gold und Fig. 3B dasjenige von mono-atomarem Kupfer und molekularem Kupfer zeigt. Wie in Fig. 3A darge stellt ist, hat Gold in seinem mono-atomaren Zustand Fluores zenz-Spektren nahe 242 nm und 267 nm, während Gold in einem molekularen Zustand Fluoreszenz-Spektren zwischen 500 nm und 535 nm zeigt. Entsprechend hat Kupfer in einem mono-atomaren Zustand Fluoreszenz-Spektren nahe 325 nm und 327 nm, während Kupfer in einem molekularen Zustand Fluoreszenz-Spektren zwi schen 485 nm und 522 nm aufweist. Fig. 3 shows the results obtained with gold (Au) and copper (Cu) as the deposition material, where in Fig. 3A the fluorescence spectrum of mono-atomic gold and molecular gold and Fig. 3B that of mono-atomic copper and molecular copper shows. As shown in FIG. 3A, gold in its mono-atomic state has fluorescence spectra close to 242 nm and 267 nm, while gold in a molecular state shows fluorescence spectra between 500 nm and 535 nm. Accordingly, copper in a mono-atomic state has fluorescence spectra close to 325 nm and 327 nm, while copper in a molecular state has fluorescence spectra between 485 nm and 522 nm.
Bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel wird ein Spektroskop zum Analysieren der Fluoreszenz des Aufdampf strahles verwendet. In Abweichung hiervor kann ein Sensor das Spektroskop ersetzen, der für die Erfassung sowohl der Fluo reszenz eines Materials im atomaren Zustand und der Fluores zenz des Materials im molekularen Zustand geeignet ist. Der Sensor kann beispielsweise ein Sensor sein, der die Kombina tion eines Filters, das Licht mit einer bestimmten Wellen länge durchläßt, mit einem photoelektrischen Übertrager um faßt. Ferner kann der Aufdampfstrahl mit einer Vielzahl von Anregungslicht mit unterschiedlicher Wellenlänge bestrahlt werden, damit die Wellenlänge der Fluoreszenz über die Zeit verändert wird, um auf diese Weise die Agglomeratbildung auf grund eines zeitlich differenzierten Signales (d/dt-Signales) zu erfassen.In the embodiment shown in Fig. 1, a spectroscope is used to analyze the fluorescence of the evaporation beam. In deviation from this, a sensor can replace the spectroscope, which is suitable for detecting both the fluorescence of a material in the atomic state and the fluorescence of the material in the molecular state. The sensor can, for example, be a sensor that combines the combination of a filter that lets light with a certain wavelength pass through with a photoelectric transmitter. Furthermore, the vapor deposition beam can be irradiated with a large number of excitation light with different wavelengths, so that the wavelength of the fluorescence is changed over time, in order to detect the formation of agglomerates on the basis of a time-differentiated signal (d / dt signal).
Claims (6)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62075732A JPH0816265B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Cluster detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3810312A1 DE3810312A1 (en) | 1988-10-06 |
DE3810312C2 true DE3810312C2 (en) | 1993-07-01 |
Family
ID=13584736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3810312A Granted DE3810312A1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-26 | Ionised cluster beam deposition monitoring - by scanning the beam with luminescence exciting light for intensity measurement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0816265B2 (en) |
DE (1) | DE3810312A1 (en) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE3810312A1 (en) | 1988-10-06 |
JPH0816265B2 (en) | 1996-02-21 |
JPS63241163A (en) | 1988-10-06 |
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