DE3010770A1 - Schaltungsanordnung mit duennfilm- komponenten - Google Patents
Schaltungsanordnung mit duennfilm- komponentenInfo
- Publication number
- DE3010770A1 DE3010770A1 DE3010770A DE3010770A DE3010770A1 DE 3010770 A1 DE3010770 A1 DE 3010770A1 DE 3010770 A DE3010770 A DE 3010770A DE 3010770 A DE3010770 A DE 3010770A DE 3010770 A1 DE3010770 A1 DE 3010770A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- film component
- circuit arrangement
- thin
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10287—Metal wires as connectors or conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10393—Clamping a component by an element or a set of elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
- H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Description
Patentanwälte Dipl. leg. Hans-Jürgen MOIIer
Dr. rer. nat. Thomas Berendt
Dr. -1hg. Hans Leyh
luctle-Grohn-Stroee 3^ D ß Mönchen I»
-3-
Unser Zeichen: A 14 Lh/fi
Perranti Limited
Hollinwood, Lancashire, England
Schaltungsanordnung mit Dünnfilm-Komponenten
030041*0643
Ferranti Ltd. - A 14 368 -
Beschreibung
Die Erfindung betrifft Schaltungsanordnungen, von denen jede
wenigstens eine Dünnfilm-Komponente konventioneller Ausbildung
hat/ ggf. in Verbindung mit anderen elektrischen Komponenten, wie z.B. Dickfilm-Komponenten und/oder diskreten Komponenten,
beispielsweise entsprechenden Widerständen und Kondensatoren, sowie Halbleiter-Komponenten. Jede Dünnfilm-Koinponente umfaßt
ein Substrat aus einem elektrisch isolierenden Material.
Aus Gründen der Zweckmäßigkeit wird hier eine Schaltungsanordnung beschrieben, die nur wenigstens eine Dünnfilm-Komponente
aufweist, es wird aber betont, daß die Schaltungsanordnung auch andere Arten von elektrischen Komponenten,
wie Dickfilm-Komponenten und/oder diskret angeordnete Komponenten aufweisen kann.
Jede solche Schaltungsanordnung umfaßt ferner von ihr ausgehende
Leitungen und Anschlüsse für die Schaltung und es ist erforderlich, die Leitungen mit der Dünnfilm-Komponente
zu verbinden, wobei gewöhnlich Drähte, z.B. aus Gold, verwendet werden, die mit den Leitungen und der Dünnfilm-Komponente
verbunden sind.
Es ist bekannt, eine hermetisch dichte Packung für eine Dünnfilm-Komponente
zu verwenden, wobei die Packung als Teil der Schaltungsanordnung angesehen wird, und die Dünnfilm-Komponente auf
einer Hauptfläche eines wenigstens im wesentlichen planaren Substrates angeordnet bzw. aufgebracht wird, wobei dieses
Substrat zusätzlich zu dem Substrat der Dünnfilm-Komponente vorhanden ist, worauf eine Abdeckung hermetisch auf das Substrat,
das die Dünnfilm-Komponente trägt, dicht aufgebracht wird.
030041/0643
Die nach außen führenden Leitungen der Schaltung werden hermetisch dicht mit dem Substrat verbunden, das die Dünnfilm-Komponente trägt und/oder mit dem Deckel, wobei die
zwischen dem Deckel und dem Substrat vorgesehene Dichtung ggf. so angeordnet ist, daß die Leitungen dicht zwischen
dem Deckel und dem Substrat durchlaufen. Der von dem Substrat und dem Deckel umschlossene Raum ist entweder
evakuiert oder mit einem inerten Gas, wie z.B. Stickstoff, gefüllt. Eine solche Packung für eine Dünnfilm-Komponente
ist sehr teuer.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, im Rahmen einer Schaltungsanordnung eine zweckmäßige und einfache
Packung für eine Dünnfilm-Komponente zu schaffen.
Gemäß der Erfindung hat eine Schaltungsanordnung ein wenigstens im wesentlichen planares Substrat, bei dem auf
einer Hauptfläche wenigstens eine Dünnfilm-Komponente vorgesehen ist, und das die Komponente tragende Substrat ist
mit wenigstens einem integralen Bund versehen, der sich normal zu dieser einen Substrat-Hauptfläche erstreckt und
an wenigstens einen Rand des Substrates angrenzt, ferner mit einer Mehrzahl von Leitungen, die sich aus der Schaltung
nach außen erstrecken und jede Leitung ein Ende aufweist, das wenigstens benachbart zu dieser einen Hauptfläche liegt
und die Leitungen den Bund durchqueren und in dichtem Eingriff
mit dem Bund stehen, daß ferner Drähte sowohl mit den Leitungsenden wenigstens benachbart zu dieser einen
Hauptfläche und mit der Dünnfilm-Komponente verbunden sind und die letztere, die Drähte und die Leitungsenden wenigstens
benachbart zu dieser einen Hauptfläche in ein geeignetes Vergußmaterial eingebettet oder eingekapselt sind.
Eine solche Packung innerhalb einer Schaltungsanordnung für
030041/0643
wenigstens eine Dünnfilm-Komponente ist einfacher und billiger als die bekannten hermetisch abgedichteten Packungen
mit einem Deckel.
Es ist bei den bekannten Vergußmassen wesentlich, wenn
Drähte durch Thermo-Kompressions-Bindung mit den Leitungsenden und der Dünnfilm-Komponente verbunden werden sollen,
daß, wie bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Schaltung, diese Verbindung fertiggestellt wird ehe ein Teil der Schaltung
in die gewählte Vergußmasse eingebettet wird, weil die für die Thermo-Kompressions-Bindung erforderliche Temperatur
das Vergußmaterial nachteilig beeinflussen würde.
Die Drähte können jedoch mit den Kabelenden und der Dünnfilm-Komponente
in jeder geeigneten Weise verbunden werden.
Es ist zweckmäßig, insbesondere wenn die Drähte durch Thermo-Kompression
angeschlossen werden, daß sie aus Gold bestehen, und/oder die Kabelenden, mit denen die Drähte verbunden
werden, wenigstens mit Gold überzogen sind, und/oder die Teile innerhalb der Dünnfilm-Komponente, mit denen die
Drähte verbunden werden, aus Gold bestehen, wobei diese Teile gewöhnlich Anschlüsse für die Dünnfilm-Komponente
enthalten.
Das Substrat, das die Dünnfilm-Komponente trägt und einen integralen Bund hat, kann aus einem elektrisch isolierenden
Material bestehen oder auch aus Metall.
Das Vergußmaterial für die Dünnfilm-Komponente, die Drähte
und die Kabelenden wenigstens benachbart zu dieser einen Hauptfläche, kann ein geeigneter Kunststoff sein oder ein
geeignetes Siliconmaterial.
030041/0643
Eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung wird nachfolgend
anhand der einzigen Figur der Zeichnung beschrieben, die perspektivisch eine;» teilweise fertiggestellte Schaltungsanordnung
nach der Erfindung zeigt«
Die dargestellte Schaltungsanordnung umfaßt ein wenigstens
im wesentlichen planares Substrat 10, wobei auf einer Hauptfläche 11 des Substrates 10 eine Dünnfilm-Komponente bekannter
Form anhaftet bzw. angebracht ist,und die Dünnfilm-Komponente
weist ein elektrisch isolierendes Glas-Substrat auf. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind nur einige Anschlüsse
13 aus Gold für die Dünnfilm-Komponente auf dem Substrat 12 dargestellt. Das Substrat 10 besteht aus einem
elektrisch isolierenden Material, beispielsweise einem solchen, das Aluminiumoxid enthält.
Die Goldanschlüsse 13 der Dünnfilm-Komponente sind an eine
Mehrzahl von Leitungen 14 angeschlossen, die sich aus der Schaltung nach außen erstrecken und Anschlüsse aufweisen,
wobei jede Leitung 14 ein Ende 14' angrenzend an die Hauptfläche 11 aufweist. Dünne Golddrähte 16 sind vorgesehen,
um die Anschlüsse 13 mit den Kabelenden 14 * in der erforderlichen
Weise zu verbinden, wobei die Drähte 16 mit den Anschlüssen
13 und mit den Leitungsenden 14' durch Anwendung
bekannter Thermo-Kompressions-Techniken verbunden werden. Die Kabelenden 14* sind mit Gold überzogen, während im übrigen
die Leitungen aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehen .
Bisher wurde die Packung einer Dünnfilm-Komponente, die als
Teil einer Schaltungsanordnung angesehen wurde, fertiggestellt indem ein Deckel hermetisch dicht auf das Substrat, das die
Dünnfilm-Komponente trägt, aufgebracht wurde. Die nach außen führenden Leitungen sind hermetisch dicht mit dem Substrat,
030041/0643
das die Dünnfilm-Komponente trägt, verbunden worden und/oder
mit dem Deckel, wobei die zwischen dem Deckel und dem Substrat vorgesehene Dichtung so ausgebildet war, daß die Leitungen
dicht zwischen dem Deckel und dem Substrat hindurchlaufen. Der von dem Substrat und dem Deckel umschlossene Raum ist
entweder evakuiert oder mit einem inerten Gas, wie z.B. Stickstoff, gefüllt worden. Ein solcher Packungsaufbau für
Dünnfilm-Komponenten ist teuer.
Nach der Erfindung ist das Substrat 10, das die Dünnfilm-Komponente
trägt, mit einem Bund 20 versehen, der normal zu der Hauptfläche 11 und angrenzend an einen Rand des
Substrates verläuft. Die nach außen laufenden Leitungen 14 erstrecken sich durch den Bund 20 in einer gemeinsamen
Ebene parallel zu jedoch im Abstand von der Hauptebene 11. Die Leitungen 14 verlaufen dicht bzw. abgedichtet durch
Bohrungen 22 im Bund 20, unter Verwendung eines geeigneten Dichtmaterials 23, wie z.B. Glas. Das Substrat 10 mit der
an ihm haftenden Dünnfilm-Komponente wird dann auf eine
heiße Platte (nicht gezeigt) gebracht, die auf einer Temperatur von 28O°C gehalten wird, und die erforderlichen
Thermo-Kompressions-Bindungen zwischen den Golddrähten 16 sowie den Leitungsenden 14' und den Anschlüssen 13 der
Dünnfilm-Komponente werden hergestellt. Danach werden das Substrat und die Dünnfilm-Komponente von der heißen Platte
heruntergenommen und die Dünnfilm-Komponente, die Golddrähte und die Leitungsenden wenigstens im Bereich angrenzend
an die Substratoberfläche, die die Komponente trägt, werden in eine geeignete Vergußmasse 25 eingebettet oder eingegossen.
Die Oberfläche der Vergußmasse 25 ist in der Zeichnung durch gestrichelte Linien angedeutet. Wie bekannt, werden geeignete
Vergußmassen durch Temperaturen von etwa 28O°C nachteilig beeinflußt, weshalb es wesentlich ist, daß die Thermo-Kompressions-Bindung
ausgeführt wird ehe irgendein Teil der
030041/0643
10770
Schaltung in die gewählte Vergußmasse eingebettet wird.
Ehe derartige Packungskonstruktion für eine Dünnfilm-Komponente
ist einfacher und billiger als die bekannten hermetisch abgedichteten Packungen mit einem Deckel.
Die Verwendung des Substrates 10 mit dem Bund 20 ist vorteilhaft, insofern als solch eine Schaltung leicht zu handhaben
ist,und die Dünnfilm-Komponente ist durch den Bund,
insbesondere während des Hersteilens der Packung, geschützt. Durch den integralen Bund 20 wird dieser Teil der Schaltung
mit den davon ausgehenden Leitungen fester als dies sonst der Fall wäre, und die Schaltung wird als Ganzes fester und
stabiler als eine Schaltung, bei der die Dünnfilm-Komponente in ein insgesamt planares Substrat eingegossen ist.
Ferner wird durch das Substrat 10 mit dem Bund 20 das Anbringen und die Befestigung der Leitungen 14 am Substrat 10
erleichtert, die von der Schaltung nach außen führen, wenn die Leitungsenden 14' und die Dünnfilm-Komponente in das
Vergußmaterial 25 eingebettet werden.
Ferner wird durch das Substrat 10 mit dem Flansch 20 die Anordnung oder der Aufbau einer Mehrzahl äußerer identischer
solcher Schaltungsanordnungen erleichtert, die entweder vertikal übereinander gestapelt werden können, wobei die
Bunde in einer gemeinsamen vertikalen Ebene liegen, oder die Schaltungen können horizontal angeordnet werden, wobei
beispielsweise zwei benachbarte Paare von Schaltungen mit ihren Flanschen einander gegenüberliegen.
Die Leitungen 14 sind dicht durch den Bund 20 in geeigneter Weise hindurchgeführt und es ist nur wesentlich, daß sie
durch den Bund hindurchverlaufen. So können sie beispiels-
— 7 —
030041/0843
weise entfernt von der die Komponente tragenden Oberfläche des Substrates, z.B. am Rand des Bundes hindurchgeleitet
werden, wobei sie wenigstens teilweise durch Kanäle geführt sein können, die im Bund oder am Rand des Bundes ausgebildet
sein können. Der Bund kann sich ferner längs mehr als eines Randes des Substrates erstrecken.
Zusätzlich oder alternativ kann mehr als ein Bund vorgesehen werden, der normal zu der die Komponente tragenden Oberfläche
des Substrates gerichtet ist, wobei die Leitungen in dichtem Eingriff mit diesen Bunden stehen und diese durchqueren.
Die Leitungsenden, mit denen die dünnen Golddrähte verbunden
sind, können an die Substratfläche, die die Komponente trägt angrenzen anstatt einen Abstand davon zu haben. Die Dünnfilmkomponente
kann jede geeignete Form aufweisen, sie enthält jedoch ein Substrat aus einem elektrisch isolierenden Material.
Es können mehr als eine Dünnfilm-Komponente jeweils mit einem Substrat aus elektrisch isolierendem Material auf der Hauptfläche
des Substrates angeordnet werden. Andere Arten von elektrischen Komponenten, wie z.B. Dickfilm-Komponenten
und/oder diskret abgepackte Komponenten, beispielsweise Widerstände und Kondensatoren sowie Halbleiter-Komponenten,
können ebenfalls auf der die Dünnfilm-Komponente tragenden Hauptfläche des Substrates angeordnet werden. Die Leitungen
können mit diesen anderen Komponenten durch entsprechende Drähte 16 verbunden werden.
Das die Komponente tragende Substrat, das wenigstens einen Bund aufweist, kann auch aus Metall anstatt aus einem elektrisch
isolierenden Material bestehen. Die Drähte können mit den Kabelenden und mit den Dünnfilm-Komponenten auch in anderer
geeigneter Weise verbunden sdn, anstatt eine Thermo-Kompressions-Verbindung
zu verwenden, und die Verwendung der heißen Platte
030041/0643
bei der Herstellung der Schaltung kann vermieden werden.
Während es zweckmäßig ist, Thermo-Kompressions-Verbindungen zwischen den Goldteilen der Schaltungsanordnung zu verwenden,
können alternativ diese Teile aus Silber, Kupfer oder Aluminium bestehen, und die Thermo-Kompressions-Verbindungen
können zwischen Kombinationen von Teilen aus solchen Metallen und Gold hergestellt werden.
Das Vergußmaterial für die Dünnfilm-Komponenten, die Drähte
und die Leitungsenden, wenigstens im Bereich der die Komponenten tragenden Substratfläche, kann ein geeigneter Kunststoff
oder ein Siliconmaterial sein.
030041/0643
Claims (7)
10770
Ferranti Ltd. - Ä 14 368 -
Patentansprüche
Schaltungsanordnung mit wenigstens einer Dünnfilm-Komponente, gekennzeichnet durch ein wenigstens
im wesentlichen planares Substrat, auf dessen einer Hauptfläche die Dünnfilm-Komponente angebracht ist, daß das
die Komponente tragende Substrat mit wenigstens einem integralen Bund versehen ist, der sich normal zu dieser
einen Hauptfläche des Substrates erstreckt und an wenigstens einen Rand des Substrates angrenzt, daß eine
Mehrzahl von Leitungen von der Schaltung nach außen führen und jede Leitung wenigstens ein Ende benachbart zu dieser
einen Hauptfläche aufweist, daß die Leitungen dicht durch den Bund geführt sind, daß Drähte sowohl mit den Leitungsenden
im Bereich dieser einen Hauptfläche und mit der Dünnfilm-Komponente verbunden sind, und daß die letztere,
die Drähte und die Leitungsenden wenigstens im Bereich dieser einen Hauptfläche in ein geeignetes Vergußmaterial
eingebettet bzw. eingegossen sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Drähte mit der Dünnfilm-Komponente
und den Leitungsenden mittels Thermo-Kompressions-Bindung verbunden sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Drähte aus Gold bestehen.
4. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das die Dünnfilm-Komponente
tragende Substrat mit dem integralen Flansch aus einem elektrisch isolierenden Material besteht.
030041/Ό643
-ι-
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet , daß das die Dünnfilm-Komponente tragende Substrat mit dem integralen
Flansch aus Metall besteht.
6. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das Vergußmaterial
ein Kunststoffmaterial ist.
7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Vergußmaterial
ein Siliconmaterial ist.
030041/0643
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB7911308A GB2046024B (en) | 1979-03-30 | 1979-03-30 | Circuit assembly |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3010770A1 true DE3010770A1 (de) | 1980-10-09 |
Family
ID=10504247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3010770A Withdrawn DE3010770A1 (de) | 1979-03-30 | 1980-03-20 | Schaltungsanordnung mit duennfilm- komponenten |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3010770A1 (de) |
FR (1) | FR2452787B1 (de) |
GB (1) | GB2046024B (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5875863A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-05-07 | フエアチヤイルド・カメラ・アンド・インストルメント・コ−ポレ−シヨン | ハイブリツド回路モジユ−ル及びその製造方法 |
FR2524707B1 (fr) * | 1982-04-01 | 1985-05-31 | Cit Alcatel | Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus |
JPS59208800A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | 株式会社日立製作所 | 自動車用電子装置 |
DE3407784A1 (de) * | 1984-03-02 | 1985-09-12 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Duennschichthybridschaltung |
FR2605463A1 (fr) * | 1986-10-17 | 1988-04-22 | Renault Vehicules Ind | Dispositif de raccordement electrique |
GB2220107B (en) * | 1988-04-30 | 1992-06-24 | Pressac Ltd | Circuit board assembly |
US4979787A (en) * | 1990-01-12 | 1990-12-25 | Pco, Inc. | Optical-electronic interface module |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3178506A (en) * | 1962-08-09 | 1965-04-13 | Westinghouse Electric Corp | Sealed functional molecular electronic device |
US3404213A (en) * | 1962-07-26 | 1968-10-01 | Owens Illinois Inc | Hermetic packages for electronic components |
GB1288058A (de) * | 1968-12-09 | 1972-09-06 | ||
DE2419157C3 (de) * | 1974-04-20 | 1979-06-28 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Metallischer Träger für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3714709A (en) * | 1970-07-06 | 1973-02-06 | Rca Corp | Method of manufacturing thick-film hybrid integrated circuits |
JPS51138179A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semi-conductor device |
-
1979
- 1979-03-30 GB GB7911308A patent/GB2046024B/en not_active Expired
-
1980
- 1980-03-20 DE DE3010770A patent/DE3010770A1/de not_active Withdrawn
- 1980-03-26 FR FR8006659A patent/FR2452787B1/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3404213A (en) * | 1962-07-26 | 1968-10-01 | Owens Illinois Inc | Hermetic packages for electronic components |
US3178506A (en) * | 1962-08-09 | 1965-04-13 | Westinghouse Electric Corp | Sealed functional molecular electronic device |
GB1288058A (de) * | 1968-12-09 | 1972-09-06 | ||
DE2419157C3 (de) * | 1974-04-20 | 1979-06-28 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Metallischer Träger für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2452787B1 (fr) | 1985-12-06 |
GB2046024B (en) | 1983-01-26 |
GB2046024A (en) | 1980-11-05 |
FR2452787A1 (fr) | 1980-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19518753B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2128114A1 (de) | Halbleiterhalterung fur hohe Fre quenzen | |
DE19921109B4 (de) | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement | |
DE2931449C2 (de) | ||
DE4013812C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines luftdicht abgeschlossenen Elektronikbauelement-Pakets | |
DE4133183B4 (de) | Gehäusekonstruktion für Chip-TAB-Bauelemente, Verwendung derselben und Verfahren zu deren Montage | |
DE3913221A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE3022840A1 (de) | Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE102009055691A1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE2061179A1 (de) | Gehaeuse fuer Halbleiterschaltungen | |
DE3428881A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung | |
DE112019003540T5 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE4230030A1 (de) | Halbleitergehaeuse und verfahren zu dessen zusammenbau | |
DE3212442A1 (de) | Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen | |
DE2937051C2 (de) | ||
DE3144026A1 (de) | "transformator" | |
DE2408165A1 (de) | Elektrisches bauteil | |
DE19743537A1 (de) | Halbleitergehäuse für Oberflächenmontage sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19651549B4 (de) | Anschlußrahmen und Chipgehäuse | |
DE3010770A1 (de) | Schaltungsanordnung mit duennfilm- komponenten | |
DE3243689C2 (de) | ||
DE102013103351B4 (de) | Elektronikmodul | |
DE4321592A1 (de) | Halbleitervorrichtungen sowie Trägerteile und Leiterrahmen hierfür | |
DE3930858C2 (de) | Modulaufbau | |
DE3619636A1 (de) | Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BERENDT, T., DIPL.-CHEM. DR. LEYH, H., DIPL.-ING. |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 23/12 |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |