DE2025511A1 - Halbleitervorrichtung mit einem HeteroÜbergang - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem HeteroÜbergang

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DE2025511A1 DE19702025511 DE2025511A DE2025511A1 DE 2025511 A1 DE2025511 A1 DE 2025511A1 DE 19702025511 DE19702025511 DE 19702025511 DE 2025511 A DE2025511 A DE 2025511A DE 2025511 A1 DE2025511 A1 DE 2025511A1
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Takashi; Tsutsumi Tadashi; Tokio; Hori Hiroo Kawasaki; Nakagawa (Japan). HOIj
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Description

202551V
Dr. F. Zumstöin sen, - Dr. E. AMmann Dr. R. Koenigsberger - Dipl. Phy«. R. Holzbauer
Dr. F. Zumstoin Jun.
Patentanwälte
8 Mönchen 2, MuhatMitraße 4/III
Case 45104-3
TOKYO SHIBAURA, Tokyo, Japan
Halbleitervorrichtung mit
saassssaassaassassssasaaa
einem HeteroÜbergang
ssasaaaassasasasaaaa
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem HeteroÜbergang. Die bekannten Übergänge von Halbleitervorrichtungen umfassen den Homotyp, der aus dem gleicnen Material gebildet wird,und den Heterotyp, der von verschiedenen Materialien gebildet wird. Eine Halbleitervorrichtung mit dem ersteren Übergang hat hervorragende Gleichrichtereigenschaften und eine ausgezeichnete Sperrwirkung in umgekehrter Flußrichtung, weist jedoch den Nachteil auf, daß das Verfahren zu ihrer Herstellung kompliziert ist und darüber hinaus eine genaue Steuerung bzw. Überwachung während dieses Prozesses erfordert, um einen guten Übergang zu erzielen. Auf der anderen Seite kann die Halbleitervorrichtung mit dem letzteren Übergang leicht hergestellt werden, hat jedoch keine so guten Gleichrichtereigenschaften und keine so gute Sperrwirkung in umgekehrter Flußrichtung, wie sie erwünscht ist.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, die vorstehend erwähnten, bei den beiden Arten von Halbleitervorrichtungen ,auftretenden Nachteile zu beseitigen.
Die erfindungßgemäße Halbleitervorrichtung verwendet den HeteroÜbergang, erlaubt eine leichte Herstellung und weist hervorragende Gleichrichtereigenschaften und eine ausgezeichnete Sperrwirkung in umgekehrter Flußrichtung auf,
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Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die Materialien eines Halbleitersubstrats und die auf diesem Substrat abgeschiedenen Schichten, um damit Übergänge festzulegen bzw. scharf abzugrenzen, auf die nachstehenden Stoffe begrenzt. Für das Substrat nimmt man Halbleitermaterialien wie Silicium, Germanium oder Verbindungen der Gruppen III-V. Die den Übergang bildenden Materialien wählt man aus einer Gruppe aus, die aus Mischungen besteht, welche wiederum Oxyde der seltenen Erden und wenigstens Titanoxyd und/oder Zirkonoxyd sowie Chalcogenide von Zink umfassen (unter den hier verwendeten Chalcogenstoffen sollen Schwefel, Selen und Tellur verstanden werden).
Gemäß der vorliegenden Erfindung soll eine Bildabtaströhre geschaffen werden, deren Target aus einer Halbleitervorrichtung des oben beschriebenen Aufbaus besteht·.
Anhand der beiliegenden Zeichnungen werden beispielsweise Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung näher veranschaulicht.
Fig. 1 zeigt im Schnitt eine Halbleitervorrichtung, insbesondere eine Diode, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 zeigt in einem Diagramm die Gleichrichtereigenschaft der Halbleitervorrichtung von Fig, I.
Fig. 3 zeigt in einem Diagramm die Spannungsabhängigkeit des durch die Diode von Fig» 2 fließenden photoelektrischen Stroms.
Fig. k zeigt in einem Diagramm di© Spektral- foawo Farbenemfpindlichkeit der Diode von Fig» I0
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Fig, 5 zeigt im Schnitt eine Halbleitervorrichtung, insbesondere einen Transistor gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 6 zeigt schematisch im Schnitt eine Bildabtaströhre, deren Target aus der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung besteht, ·
Fig. 7 ist ein vergrößerter Ausschnitt des Targets von Fig. 6.
Fig. 8 zeigt im Schnitt ein gegenüber Fig. 7 abgeändertes Target..
Die Erfindung besteht in einer Halbleitervorrichtung, deren * Substrat aus Silicium, Germanium oder Verbindungen bzw. Zusammensetzungen der Gruppen IH-V besteht, wobei auf einer Seite des Substrats eine Schicht abgeschieden ist, die aus einem Gemisch von Zinkchalcogeniden, wie Zinksulfid, oder Oxyden der seltenen Erden, wie Yttriumoxyd (Y O ), Dysprosiumoxyd (Dyo0„) und Europiinoxyd (Eu0O ), und wenig-
stens einem der Stoffe Titanoxyd und Zirkonoxyd besteht, wodurch ein Übergang mit Gleichrichtereigenschaft zwischen dem Substrat und der Schicht gebildet wird.
Anhand der Zeichnungen soll eine erfindungsgemäße Ausführungsform zusammen mit einem beispielsweisen Herstellungsverfahren beschrieben werden.
Das in Fig. 1 gezeigte Siliciumsubstrat bzw. -basis Io vom η-Typ weist eine polierte und gereinigte Oberfläche auf und hat einen Durchmesser von o,k mm sowie einen Widerstand von
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Io .0. cm. Auf einer Seite des Substrats ist durch Vakuumverdampfung Gold abgeschieden und bildet eine Metallschicht 11, womit ein Zuführungsdraht 12 verbunden ist. Das so erhaltene Substrat Io ist an dem besonderen Teil einer Vakuümverdampfungsvorrichtung in einem Kupfertiegel angebracht, in dem sich ein ZinkchaScogenid, beispielsweise Zinksulfid als Verdampfungsquelle befindet, das eine Reinheit von 99,999 % hat. Die Verdampfungsquelle wird auf annähernd looo C erhitzt und die Verdampfervorrichtung auf einem Vakuum von 1 χ Io mm Hg
gehalten, so daß das Zinksulfid etwa looo A dick auf der anderen Seite des Substrats Io abgeschieden wird und eine Schicht 13 bildet. Dies führt dazu, daß ein Übergang bzw. eine Verbindung l4 zwischen dem Substrat Io und der Schicht gebildet wird. Auf der Zinksulfidschicht 13 wird direkt Aluminium als Metallelektrode 15 durch Vakuumverdampfung abgeschieden und die Metallelektrode 15 mit einem Zuführungsdraht l6 verbunden. Auf diese Weise wird die in Fig. 1 gezeigte Halbleitervorrichtung hergestellt. Im allgemeinen haben die vorstehend erwähnten Zinkchalcogenide vorzugsweise eine Reinheit in der Höhe von etwa 99199 %» Diese Stoffe können entweder durch übliche Vakuumabseheidung oder durch Elektronenstrahlerhitzung abgelagert werden.
Diese Abscheidung bzw. Ablagerung kann erfolgen, nachdem die Seite des Halbleitersubstrats in einem gewünschten Muster vorher abgedeckt worden ist, um die Verbindungen selektiv darauf abzuscheiden. Es kann aber auch zuerst eine Schicht der Verbindungen über die ganze eine Seite des Substrats ausgebildet und dann die Schicht durch Photoätzung selektiv entfernt werden, so daß die Seite das gewünschte Muster annehmen kann. Die letzten beiden Verfahren sind sehr zweckmäßig, wenn eine große Anzahl von Halbleitervorrichtungen aus einer einzigen Platte oder wenn eine integrierte Halbleiterschaltung gebildet werden soll»
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Bei der vorstehend genannten Ausführungsform wird der Übergang durch die aus Zinkchalcogeniden erzeugte Schicht gebildet. Ein ähnlicher Effekt kann jedoch, wie später beschrieben wird, durch die Ausbildung einer Schicht aus einem Gemisch von Oxyden der seltenen Erden und Titanoxyd und/oder Zirkonoxyd erreicht werden. Im folgenden wird ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung mit dieser Schicht beschrieben. Oxyde seltener Erden, wie Y0O01 Dy0O0. EunO- und TiO0 und/ oder ZrO werden zuerst gemischt und auf etwa I300 C erhitzt, um eine Quelle für die unter Vakuum abzuscheidenden Materialien zu bilden. Diese Quelle wird wie bei der zuerst beschriebenen Ausführungsform zusammen mit dem Halbleitersubstrat in einer Vakuumabscheidvorrichtung angeordnet. Das Gemisch wird dazu gebracht, sich auf der Oberfläche des Substrats abzusetzen, so daß eine Mischschicht gebildet wird, wodurch ein Übergang zwischen dem Substrat und der Schicht scharf begrenzt ist. Diese Zusammensetzung hat eine Eigenschaft, die elektrisch gesehen der eines Isolators nahekommt.
Obwohl die Anteile der Komponenten in der vorstehenden Mischung keiner besonderen Begrenzung unterworfen sind, bevorzugt man jedoch im allgemeinen Anteile von TiO und/oder ZrOn, die im Bereich von 50 bis 90 mol%, bezogen auf die Oxyde der seltenen Erden, liegen* Wenn die Menge der Oxyde der seltenen Erden größer ist als die sich aufgrund des genannten Bereichs ergebende, dann hat eine aus diesem Gemisch gebildete Schicht eine erhöhte Isolationswirkung, so daß der durch eine Halbleitervorrichtung mit dieser Schicht fließende Strom weniger günstige Leiteingeschaften aufweist. Wenn umgekehrt der Gehalt an Oxyden von seltenen Erden geringer ist als der genannte Bereich, dann ist es wahrscheinlich, daß die Isolierwirkung der Schicht wegfällt mit dem Ergebnis, daß die Sperrwirkungseigenschaft der Halbleitervorrichtung verringert wird.
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Bei dieser Ausführungsform sind wie bei der vorhergehenden zur Vervollständigung einer Halbleitervorrichtung getrennte Elektrodenzuführdrähte angebracht.
Eine Halbleitervorrichtung oder Diode der oben beschriebenen Ausführung kann einfacher hergestellt werden als die herkömmliehe Diode mit p-n-Ubergang. Bei der bekannten Diode ergeben sich unabhängig davon, ob sie nach dem Legier- oder Diffusionsverfahren hergestellt ist, beträchtliche Schwierigkeiten in der Einstellung der für einen solchen Prozeß erforderlichen Temperatur und Zeit, was zu einer niedrigen Ausbeute führt. Demgegenüber wird die erfindungsgemäße Diode auf einfache Weise hergestellt, indem bestimmte Stoffe auf der Oberfläche eines Substrats nach einem üblichen Dampfabscheidprozeß zum Anhaften■gebracht werden, wobei die erforderliche Temperatur und Zeit sehr leicht reguliert bzw. überwacht werden können, so daß die Diode mit einer guten Produktionsquote erzeugt werden kann.
Die erfindungsgemäße Diode weist weitaus bessere Gleichrichtungseigenschaften und eine stark verbesserte Sperrwirkung in umgekehrter Flußrichtung auf als die herkömmliche Diode mit HeteroÜbergang.
Anhand von Fig. 2 werden diese Eigenschaften näher beschrieben. Die in dieser Figur dargestellte Kurve zeigt die Spannung-Strom-Charakteristik der erfindungsgemäßen Dioden, die durch Abscheiden einer Schicht, die aus einem Gemisch von 2o mol% Y0O0 und 8o % TiO besteht, auf einem Siliciumsubstrat mit η-Leitfähigkeit, das einen spezifischen Widerstand von IoAcm hat, hergestellt werden. Wie aus Fig. 2 zu ersehen ist, hat die Diode eine gute Gleichrichtereigenschaft und weist ein großes Verhältnis von Sperrspannung in Umkehrrichtung zu Leitspannung auf, wobei die Sperrspannung einen sehr großen Wert hat.
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Eine Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung hat, wie in Fig. 3 gezeigt ist, eine bemerkenswerte Empfindlichkeit gegen Licht, die sich vom sichtbaren Bereich bis in den Infrarotbereich erstreckt. In dieser Figur ist auf der Ordinate die relative Spektralempfindlichkeit und auf der Abszisse die Wellenlänge des auftreffenden bzw« des direkten Lichtes aufgetragen. Man hat die photoelektrischer Strom-Spannungs-Charakteristik dieser Halbleiter dadurch bestimmt, daß man sie einem weißen Licht unterschiedlicher Intensitäten ausgesetzt hat. Die Ergebnisse sind in Fig. k dargestellt. Bei der Kurve a wird weißes Licht von 2ooo Lux, bei den Kurben b, c bzw. d weißes Lj.cht von 15oo, looo bzw. 5°° Lux projiziert. Bei der Kurve e nimmt die Halbleitervorrichtung kein weißes Licht auf, d. h. sie ist im Dunkeln angeordnet. Aus Fig. 4 ist zu ersehen, daß die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung in sehr hohem Ausmaße lichtempfindlich ist. Daraus ist ersichtlich, daß diese Halbleitervorrichtung als Photodiode verwendet werden kann. In Fig. k ist der photoelektrische Strom auf der Ordinate in Ampere (A) und auf der Abszisse die Spannung in Volt (V) angegeben. Die letztere der vorstehend angeführten Ausführungsformen weist im wesentlichen die gleiche Lichtempfindlichkeitscliarakteristik auf.
Bisher sind erfindungsgemäße Halbleitervorrichtungen beschrieben, deren Substrat aus Silicium, Germanium und III-V-Halbleiterverbindung besteht. Es ist jedoch selbstverständlich, daß an, deren Stelle ein lichtdurchlässiges isolierendes Substrat verwendet werden kann, das beispielsweise durch Dampfabscheidung der vorstehend genannten Halbleitermaterialien auf einer Saphirbasis hergestellt wird.
Die erfindungsgemäßen Halbleitermaterialien sind nicht nur bei der geschilderten Diode anwendbar, sondern auch bei
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anderen Halbleitervorrichtungen, beispielsweise einem Transistor, bei welchem Übergänge ausgebildet sind. Unter Bezugnahme auf Fig. 5 wird eine solche Halbleitervorrichtung näher beschrieben.
Mit 2o ist ein Siliciumsubstrat vom η-Typ bezeichnet, das einen spezifischen Widerstand von etwa lo-Q-cm hat. Auf dem Substrat 2o ist eine Isolierschicht 21 aus Siliciumdioxyd abgeschieden. In dieser Isolierschicht werden zwei parallele enge Öffnungen ausgebildet, die zueinander einen Abstand haben.
Durch diese Öffnungen werden beispielsweise durch Vakuumverdampfen auf dem Substrat 2o zwei Schichten 22 und 23 abgeschieden, von denen jede aus einem Gemisch von TiO0 und YnO besteht, so daß Übergänge mit dem Substrat abgegrenzt werden, die als Quell- bzw. Sourceschicht 22 und als Abfließ- bzw. Drainschicht 23 bezeichnet werden. Auf dieser Sourceschicht und Drainschicht 22 und 23 ist eine Sourceelektrode 2>k bzw. eine Drainelektrode 25 ausgebildet. An einem Teil einer zwischen den Schichten 22 und 23 angeordneten Siliciumdioxydschicht ist eine Tor- bzw. Gate-Elektrode 26 angebracht, so daß ein FE--Transist or vom MOS-Typ gebildet ist. Auch bei .diesem FET ist es nicht erforderlich, die Source- und Drainbereiche durch Diffusion zu erzeugen, wie es beim Stand der Technik erforderlich ,ist, so daß die Herstellung bedeutend vereinfacht ist.
Die erfindungsgeniäße Halbleitervorrichtung gestattet es, daß das Halbleitersubstrat und die Verdampfungsmateriälien in großer Vielfalt ausgewählt werden können. Dies soll anhand der nachstehenden- Beispiele näher erläutert werden.
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Wo das Halbleitersubstrat aus Materialien der Gruppen IH-V, wie Silicium, Germanium oder Galliumarsenid besteht, kann ein VerdampfunKsmaterial aus einem Gemisch von TiO0 und/oder ZrO0 und wenigstens einem der Stoffe Yo0„, Eu0O0, Dy0O0,
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Sc0O und Sm0O0 hergestellt werden. Bei dem vorstehend genannten Halbleitersubstrat kann das Verdampfungsmaterial auch aus ZnTe oder ZnSc bestehen. Eine aus dem genannten Substrat und der letzteren Gruppe von Verdampfungsmaterialien hergestellte Halbleitervorrichtung kann genau die gleiche Wirkung aufweisen wie die vorhergehend geschilderte Ausführungsform.
Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung ist infolge ihrer hohen Lichtempfindlichkeit für die Verwendung als Target einer Bildabtastrb'hre geeignet. Dies soll anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die Figuren 6 und 7 näher beschrieben werden. Zuerst wird ein Silicumsubstrat vom n-Typ mit einer Stärke von 15o u, mit einem Durchmesser von 2o mm und mit einem spezifischen Widerstand von 15iZ.cm hergestellt. Die eine Seite des Substrats 3° wir hochglanzpoliert und die andere Seite durch eine Lösung eines Fluor-Salpetersäuresystems geätzt, um die Stärke auf 2o u zu reduzieren. Auf der hochglanzpolierten Oberfläche des Substrats 3° wird durch Elektronenstrahlerhitzung eine zusammengesetzte Schicht 31
in einer Stärke von 2ooo A abgeschieden, die aus 2o mol% Yttriumoxyd und 80 mol% Titanoxyd besteht. Auf diese Weise erhält man ein photoelektrisches Umwandlungstarget 32, das aus einem Siliciumsubstrat vom η-Typ und der zusammengesetzten Schicht mit einem spezifischen Widerstand von Io .0-ctn besteht, die aus Yttriumoxyd und Titanoxyd hergestellt ist. Um das Target sehr lichtempfindlich zu machen, ■insbesondere gegenüber kurzwelligem Licht, ist es lediglich erforderlich, beispielsweise in das Substrat von der geätzten Seite Phosphor zu diffundieren, so daß vorher eine Schicht mit η -Leitfähigkeit auf dieser Seite gebildet wird.
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- Io -
Im folgenden wird der Zusammenbau einer Bildabtaströhre mit Verwendung dieses photoelektrischen Umwandlungstargets 32 beschrieben. Ausgehend von einer Seite einer evakuierten Umhüllung 4l werden koaxial eine Heizung 42, eine Kathode und nacheinander eine erste, zweite und dritte zylindrische Gitterelektrode 44, 45 bzw. 46 angeordnet. Das andere Ende der evakuierten Hülle 4l wird mit einer durchsichtigen Glasplatte 47 versiegelt, die als Stirnfläche verwendet wird. An der Innenseite der transparenten Glasplatte 47 ist die photoelektrische Umwandlungsvorrichtung 32 auf folgende Art angebracht. Auf der Innenoberfläche der transparenten Glasplatte 47 ist aus einem Stück eine durchsichtige leitende Schicht 48 angeformt, auf welcher durch einen leitenden Aufstrich die Siliciumhalbleiterschxcht vom n-Typ 49 der photoelektrischen Umwandlungseinrichtung 32 angeklebt ist. In Fig. 6 bezeichnet 50 einen Metallring, der elektrisch leitend mit der durchsichtigen Leiterschicht 48 verbunden ist. Eine Maschen- bzw. Netzelektrode ist mit 51 bezeichnet. Die Oberfläche einer Yttriumoxyd-Titanoxyd-Mischschicht wird durch Elektronenstrahlen 52 abgetastet, die von der Kathode 43 emittiert werden. Dieses Abtasten führt zu elektrischen Signalen, die aus dem Metallring 5o durch die transparente leitende Schicht 48 abgezogen werden.
Wenn die Kathode 43 einer so hergestellten Bildabtaströhre auf ein Null-Potential und die transparente leitende Schicht 48 auf ein positives Potential eingestellt werden, hat das Target eine Umkehrvorspanming (reverse bias) und sein "Dtinkelstrom" ist verringert, so daß es empfindlicher wird. In diesem Fall wird ein gegebener Punkt auf der Yttriumoxyd-Titanoxyd-Mischschicht der photoolektrischen Umwandlungseinrichtung auf ein Null-Potential zurückgeführt,, wenn er von Elektronenstrahlen abgetastet wird» Die durch das zu dem Siliciunisubstrat vom η-Typ gebrachte Licht hervorgerufenen
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Löcher erreichen jedoch die Oberfläche der Mischschicht, auf welcher ein Potentialanstieg eintritt, der mehrere Volt erreichen kann, entsprechend der Lichtintensität, die bis zu dem Zeitpunkt aufgenommen wird, bei welchem die Oberfläche das nächste Mal von Elektronenstrahlen l/3o s lang abgetastet wird. Diese Abtastung ruft Signale ausgehend von dem genannten gegebenen Punkt auf der Mischschicht hervor.
Bei der beschriebenen Bildabtaströhre ist das Target sehr leicht herzustellen und hat eine gute Auflösung und Etnpfind-.lichkeit, wobei die Lxchtempfindlichkeitscharakteristik in Fig. 3 gezeigt ist. Damit man einen erhöhten Auflösungsgrad bei dem.Target erhält, ist es zweckmäßig, das nachstehende Herstellungsverfahren zu verwenden. Wie in Fig. 8 gezeigt ist, wird eine Seite eines Siiiciumsubstrates vom η-Typ mit einer Siliciumdioxydschicht 6l beschichtet, die eine große Anzahl von durchgehenden Löchern in einem Mosaikmuster aufweist, das durch selektive Photoätzung erzielt wird. An den Teilen der Substratoberfläche, die durch die Löcher offenliegen, werden viele Mischschichten 62 abgeschieden, die aus "jfttriumoxyd und Titanoxyd bestehen. Auf der Unterseite des Substrats 6o wird eine Schicht 63 vom η -Typ gebildet.
Die vorstehend beschriebene photoelektrische Umwandlungseinrichtung ist nicht nur bei einer Bildabtaströhre, sondern auch bei einer hochempCindlichen Dunkelfeldröhre verwendbar. Der Grund besteht darin, daß, wenn die Oberfläche der HaIbleiterschicht einer photoelektrischen Umwandlungseinrichtung gemäß der Erfindung anstelle von Licht mit auf eine Spannung von mehr als Io kV beschleunigten Photonen beschossen wird, die Photonen in die Halbleiterschicht bis zu einer Tiefe von mehreren u von der Oberfläche aus eindringen und im Bereich' dieser Tiefe eine große Anzahl, von Elektronen und Löchern
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erzeugen, so daß auch dort, wo eine geringe Lichtmenge von einem Vordergrundgegenstand zu der Oberfläche gebracht wird, aus der Photonen emittiert werden, in starkem Maße verstärkte Bildsignale erzielt werden können.
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PATENTANSPRUCHE
/lL Halbleitervorrichtung mit wenigstens einem HeteroÜbergang, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Übergang durch ein Halbleitersubstrat aus einem Halbleitermaterial wie Silicium,-Germanium und Verbindungen^ der Elemente der Gruppen III-V, und eine Schicht IjiM&iiüujlL1 wird, die aus wenigstens einem Stoff der Gruppe hergestellt wird, die aus einem Gemisch eines Elements der "seltenen ßrden und wenigstens Titanoxyd und/oder Zirkonoxyd sowie aus Zinkchalcogeniden besteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht über eine ganze Oberfläche des Substrats ausgebildet ist und an der Schicht und an der anderen Seite des Substrats jeweils Elektroden befestigt sind.
3· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche des Substrats ein Film aus Siliciumdioxyd abgeschieden ist, in welchem zwei Offnungen in einem vorher festgelegten Abstand ausgebildet sind, so daß ein Teil dieser Oberfläche freiliegt, daß die Schichten auf den freiliegenden Teilen ausgebildet sind und Elektroden an den Schichten und dem dazwischenliegenden Film angebracht sind.
k* Vorrichtung nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläch© des Substrats ein Siliciumdloxydfilm angebracht ist, der in mosaikförmiger Anordnung mit einer großen Anzahl von durchgehenden Löchern versehen ist, um die entsprechenden Teile der Oberfläche freizulegen, und daß auf den freiliegenden Teilen die Schichten abgeschieden werdsn.
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Claims (1)

  1. - l4 -
    Bildabtaströhre, bestehend aus einer evakuierten Hülle, an einem Ende der Hülle angebrachten Einrichtungen zum Emittieren von Elektronenstrahlen, Einrichtungen zum Beschleunigen und Konvergieren der Strahlen so%vie aus einer Halbleit er einrichtung, die am gegenüberliegenden Ende der Umhüllung angebracht ist und von den Strahlen abgetastet werden soll, gekennzeichnet durch ein Substrat aus einem Halbleitermaterial, wie Silicium, Germanium und Verbindungen der Elemente der Gruppen IH-V, und durch wenigstens eine Schicht, die wenigstens einen Übergang dazwischen &·&§ϊρ&ιζ»& , wobei diese Schicht aus wenigstens einem Material der Gruppe ausgewählt wird,"die aus einem Gemisch eines Elements der seltenen Erden und wenigstens einem der Stoffe Titanoxyd und Zirkonoxyd, sowie aus Zinkchalcogeniden besteht.
    Lee rse ι te
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