DE202011000518U1 - Electrically conductive contact structures on a substrate surface - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 32
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 31
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Abstract
Elektrisch leitfähige Kontaktstrukturen auf einem Substrat, das eine dielektrische Oberflächenschicht und eine darunter liegende elektrisch leitfähige Schicht aufweist, hergestellt nach einem Verfahren zur Erzeugung von elektrisch leitfähigen Strukturen auf einem Substrat, das eine dielektrische Oberflächenschicht und eine darunter liegende elektrisch leitfähige Schicht aufweist, umfassend:
– Aufbringen einer ersten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Ätzmittel und ein Metall oder Metallsalz enthält, auf mindestens zwei voneinander beabstandete Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht;
– Aufbringen einer zweiten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Metall oder Metallsalz enthält, auf einen Teil der Oberfläche der dielektrischen Schicht, wobei die Aufbringung derart erfolgt, dass die zwei voneinander beabstandeten Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht, die mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtet sind, durch die zweite metallhaltige Zusammensetzung verbunden werden; wobei die die zweite metallhaltige Zusammensetzung kein Ätzmittel enthält.
– Erhitzen des Substrates um einen elektrischen Kontakt zwischen den elektrisch leitfälhigen Strukturen und der elektrisch...Electrically conductive contact structures on a substrate comprising a dielectric surface layer and an underlying electrically conductive layer made by a method of forming electrically conductive structures on a substrate having a dielectric surface layer and an underlying electrically conductive layer, comprising:
Depositing a first metal-containing composition containing an etchant and a metal or metal salt on at least two spaced-apart portions of the surface of the dielectric layer;
Depositing a second metal-containing composition containing a metal or metal salt on a portion of the surface of the dielectric layer, the deposition being such that the two spaced apart portions of the surface of the dielectric layer coated with the first metal-containing composition, be joined by the second metal-containing composition; wherein the second metal-containing composition contains no etchant.
- Heating the substrate to an electrical contact between the electrically conductive structures and the electrically ...
Description
Gebiet der ErfindungField of the invention
Die vorliegende Erfindung betrifft elektrisch leitfähige Kontaktstrukturen auf einem Substrat, das eine dielektrische Schicht und eine darunter liegende elektrisch leitfähige Schicht aufweist, insbesondere einer Solarzelle oder einem Solarmodul. Die leitfähigen Strukturen werden mittels einer ersten und einer zweiten metallhaltigen Zusammensetzung, wobei die erste metallhaltige Zusammensetzung ferner ein Ätzmittel umfasst, erzeugt. Ferner betrifft die Erfindung Solarzellen und Solarmodule, die diese Strukturen enthalten.The present invention relates to electrically conductive contact structures on a substrate which has a dielectric layer and an underlying electrically conductive layer, in particular a solar cell or a solar module. The conductive structures are produced by means of a first and a second metal-containing composition, wherein the first metal-containing composition further comprises an etchant. Furthermore, the invention relates to solar cells and solar modules containing these structures.
Hintergrundbackground
Solarzellen müssen in Solarmodulen seriell durch Auflöten von Kupferbändchen verschaltet werden. Dazu werden auf Solarzellen üblicherweise Kontaktstrukturen aus Metallen wie Silber z. B. durch Siebdruckprozesse aufgebracht und in einem Hochtemperaturschritt eingebrannt. Die Metalle werden dabei üblicherweise in Form einer Paste auf die antireflexionsbeschichtete und/oder passivierte Oberfläche der Solarzelle gedruckt und dann durch Erhitzen durch die Oberflächenschicht durchgefeuert, um einen elektrischen Kontakt mit der darunter liegenden Halbleiterschicht herzustellen.Solar cells must be connected in series in solar modules by soldering on copper strips. For this purpose, contact structures made of metals such as silver z. B. applied by screen printing processes and baked in a high temperature step. The metals are usually printed in the form of a paste on the antireflection-coated and / or passivated surface of the solar cell and then fired by heating through the surface layer to make electrical contact with the underlying semiconductor layer.
Da es für den Wirkungsgrad der Solarzelle vorteilhaft ist, wenn der Bereich der Oberfläche, der durch die Kontaktstrukturen abgedeckt wird, möglichst klein ist, werden die Kontakte üblicherweise in Form eines Kontaktbandes (Sammelleitung) mit vielen Kontaktfingern (Verbindungsleitungen) aufgebracht.Since it is advantageous for the efficiency of the solar cell when the area of the surface covered by the contact structures is as small as possible, the contacts are usually applied in the form of a contact band (bus) with many contact fingers (connecting lines).
Die Kontaktbänder und -finger werden gewöhnlich durch eine Silberpaste ausgebildet, die in einem Druckverfahren auf die Oberfläche aufgebracht und dann durch die Passivierungsschicht durchgefeuert wird. Zu diesem Zweck enthält die Silberpaste üblicherweise ein Ätzmittel, das es erlaubt die Passivierungsschicht aufzuschmelzen und den Kontakt der sich ausbildenden Silberkontaktstruktur mit der darunter liegenden Halbleiterschicht herzustellen.The contact bands and fingers are usually formed by a silver paste which is applied to the surface in a printing process and then fired through the passivation layer. For this purpose, the silver paste usually contains an etchant which allows the passivation layer to be melted and the contact of the forming silver contact structure with the underlying semiconductor layer to be made.
Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, die Kontaktstrukturen auf der Oberfläche der Solarzelle in einem zweistufigen Prozess aufzudrucken, beispielsweise in einem ersten Schritt die Kontaktbänder und in einem zweiten Schritt die Kontaktfinger, bzw. umgekehrt (
Nachteilig an den bekannten Verfahren ist, dass beim Durchfeuern der Antireflexions- und Passivierungsschicht zur Herstellung der Kontakte mit der darunter liegenden Halbleiterschicht die Oberflächenpassivierung im Bereich der Kontaktstrukturen zerstört wird, was zu einem erheblichen Anstieg des Sättigungsstromes führt und damit zur Verminderung des Wirkungsgrades.A disadvantage of the known method is that the surface passivation in the region of the contact structures is destroyed during the firing of the antireflection and passivation layer for the production of the contacts with the underlying semiconductor layer, which leads to a considerable increase of the saturation current and thus to a reduction of the efficiency.
Es ist bekannt, dass dieser Nachteil dadurch überwunden werden kann, dass ein Laser verwendet wird, der punktförmige Öffnung in die Passivierungsschicht einbringt, in die dann in einem nachfolgenden Metallisierungsverfahren eine Kontaktstruktur eingebracht wird (
Auf der Unterseite der Solarzelle ist üblicherweise eine durchgehende Metallschicht, üblicherweise eine Aluminiumschicht, als Kontakt vorhanden. Diese wird üblicherweise ganzflächig mittels geeigneter Verfahren auf die passivierte Rückseite aufgebracht und dann über Kontakte mit der darunter liegenden Basisschicht verbunden. Bei den sogenannten LFC (laser fired contacts) Zellen wird der Kontakt der Metallschicht mit der darunter liegenden Basisschicht durch das Durchfeuern durch die Passivierungsschicht mit einem geeigneten Laser erzielt. Dieses Verfahren hat dieselben Nachteile wie das oben für die Vorderseite der Solarzelle beschriebene Verfahren.On the underside of the solar cell is usually a continuous metal layer, usually an aluminum layer, present as a contact. This is usually applied over the entire surface by means of suitable processes on the passivated back and then connected via contacts with the underlying base layer. In so-called LFC (laser fired contacts) cells, the contact of the metal layer with the underlying base layer is achieved by firing through the passivation layer with a suitable laser. This method has the same disadvantages as the method described above for the front of the solar cell.
Wünschenswert sind daher elektrisch leitfähige Strukturen auf Substratoberflächen, insbesondere der Antireflexions- und Passivierungsschicht auf der Oberseite sowie der Passivierungsschicht auf der Unterseite einer Solarzelle, und elektrische Kontakte zu der Halbleiterschicht, die durch alternative Verfahren erzeugt werden, die zum einen die Nachteile die beim Durchfeuern der Antireflexionsschicht mittels geeigneter metallhaltiger Pasten auftreten und zum anderen die hohen Kosten die mit dem Einsatz eines Lasers verbunden sind vermeiden.It is therefore desirable to have electrically conductive structures on substrate surfaces, in particular the anti-reflection and passivation layer on the top side and the passivation layer on the underside of a solar cell, and electrical contacts to the semiconductor layer, which are produced by alternative methods, which on the one hand have the disadvantages of firing through the solar cells Antireflection layer occur by means of suitable metal-containing pastes and on the other to avoid the high costs associated with the use of a laser.
Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention
Die vorliegende Erfindung betrifft elektrisch leitfähige Kontaktstrukturen auf einem Substrat, das eine dielektrische Oberflächenschicht und eine darunter liegende elektrisch leitfähige Schicht aufweist, die durch ein Verfahren erzeugt werden, das umfasst:
Aufbringen einer ersten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Ätzmittel und ein Metall oder Metallsalz enthält, auf mindestens zwei voneinander beabstandete Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht;
Aufbringen einer zweiten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Metall oder Metallsalz enthält, auf einen Teil der Oberfläche der dielektrischen Schicht, wobei die Aufbringung derart erfolgt, dass die mindestens zwei voneinander beabstandeten Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht, die mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtet sind, durch die zweite metallhaltige Zusammensetzung verbunden werden;
Erhitzen des Substrates um elektrisch leitfähige Strukturen auf dem Substrat zu erzeugen und einen elektrischen Kontakt zwischen den elektrisch leitfähigen Strukturen und der elektrisch leitfähigen Schicht herzustellen, wobei das Erhitzen nach dem Aufbringen der ersten metallhaltigen Zusammensetzung, nach dem Aufbringen der ersten und zweiten metallhaltigen Zusammensetzung oder jeweils nach dem Aufbringen der ersten und nach dem Aufbringen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung erfolgt.The present invention relates to electrically conductive contact structures on a substrate having a dielectric surface layer and an underlying electrically conductive layer, which are produced by a method comprising:
Applying a first metal-containing composition comprising an etchant and a metal or Metal salt containing, on at least two spaced apart portions of the surface of the dielectric layer;
Depositing a second metal-containing composition containing a metal or metal salt on a portion of the surface of the dielectric layer, the deposition being such that the at least two spaced apart portions of the surface of the dielectric layer coated with the first metal-containing composition, be joined by the second metal-containing composition;
Heating the substrate to produce electrically conductive structures on the substrate and to make electrical contact between the electrically conductive structures and the electrically conductive layer, wherein the heating after the application of the first metal-containing composition, after the application of the first and second metal-containing composition or each after the application of the first and after the application of the second metal-containing composition.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung werden die elektrisch leitfähigen Kontaktstrukturen auf einem Substrat durch ein Verfahren erzeugt, bei dem die erste metallhaltige Zusammensetzung punktuell auf die dielektrische Schicht aufgebracht wird. In verschiedenen Ausführungsformen beträgt der Durchmesser der derart beschichteten, vorzugsweise kreisförmigen, Bereiche etwa 30–200 μm, vorzugsweise 50–100 μm. Die Zahl der Teilbereiche der Oberfläche auf die die erste metallhaltige Zusammensetzung aufgebracht wird ist mindestens zwei, liegt aber für handelsübliche Solarzellen üblicherweise im Bereich von 1000–200000.In various embodiments of the invention, the electrically conductive contact structures are produced on a substrate by a method in which the first metal-containing composition is applied selectively to the dielectric layer. In various embodiments, the diameter of the thus coated, preferably circular, regions is about 30-200 μm, preferably 50-100 μm. The number of partial areas of the surface to which the first metal-containing composition is applied is at least two, but is usually in the range of 1000-200000 for commercially available solar cells.
In verschiedenen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen elektrisch leitfähigen Kontaktstrukturen auf einem Substrat, umfasst das Verfahren zu deren Erzeugung das streifenförmige Aufbringen einer zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die dielektrische Schicht. Die derart aufgebrachten Streifen können beispielsweise eine Breite von 50–200 μm, vorzugsweise 100–120 μm haben. In speziellen Ausführungsformen verbinden diese Streifen mindestens 10, vorzugsweise mindestens 25, noch bevorzugter mindestens 50 mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtete Teilbereiche.In various embodiments of the inventive electrically conductive contact structures on a substrate, the method for producing them comprises the strip-shaped application of a second metal-containing composition to the dielectric layer. The strips applied in this way may, for example, have a width of 50-200 μm, preferably 100-120 μm. In specific embodiments, these strips combine at least 10, preferably at least 25, more preferably at least 50, portions coated with the first metal-containing composition.
Alternativ kann die zweite metallhaltige Zusammensetzung auch ganzflächig auf die dielektrische Schicht und die erste metallhaltige Zusammensetzung aufgebracht werden. Bei der ganzflächigen Aufbringung können allerdings einzelne Teilbereich der Oberfläche ausgespart werden.Alternatively, the second metal-containing composition can also be applied over the whole area to the dielectric layer and the first metal-containing composition. When applied over the entire surface, however, individual partial areas of the surface can be left out.
Das Aufbringen der ersten metallhaltigen Zusammensetzung und/oder der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung kann mittels Drucken, insbesondere mittels Siebdruck- oder Tintenstrahldruckverfahren, Extrusionsverfahren, Stempeldruckverfahren, Tampondruckverfahren oder berührungsloses Verfahren, erfolgen. In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung kann das Aufbringen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auch mittels Gasphasenabscheidung, zum Beispiel physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) oder chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) inklusive plasma-gestützter Verfahren, und Sputtern erfolgen.The application of the first metal-containing composition and / or the second metal-containing composition can be effected by means of printing, in particular by means of screen-printing or ink-jet printing methods, extrusion methods, stamp printing methods, pad printing methods or contactless methods. In various embodiments of the invention, the second metal-containing composition can also be applied by means of vapor deposition, for example physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD) including plasma-assisted processes, and sputtering.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung, handelt es sich bei dem Substrat um eine Solarzelle. Dabei kann die dielektrische Schicht eine auf der Oberfläche der Solarzelle liegende Passivierungs- und Antireflexionsschicht sein. Diese kann aus Siliziumoxid, Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Titanoxid, Magnesiumfluorid oder Mischungen davon bestehen. Bei der unter der dielektrischen Schicht liegenden elektrisch leitfähigen Schicht, kann es sich um einen Emitter handeln. Der Emitter ist im Fall einer Silizium-Solarzelle vom n-Typ p-dotiert. Die dielektrische Schicht kann auch eine auf der Oberfläche der Unterseite einer Solarzelle liegende Passivierungsschicht sein. Diese kann ebenfalls aus Siliziumoxid, Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, aber auch aus Aluminiumoxid oder anderen Metalloxide und/oder Halbmetall- oder Halbleiteroxiden sowie Mischungen davon bestehen. Bei der unter der dielektrischen Schicht liegenden elektrisch leitfähigen Schicht, kann es sich dann um die Si-Basisschicht handeln.In various embodiments of the invention, the substrate is a solar cell. In this case, the dielectric layer may be a passivation and antireflection layer located on the surface of the solar cell. This may consist of silicon oxide, silicon carbide, silicon nitride, titanium oxide, magnesium fluoride or mixtures thereof. The electrically conductive layer underlying the dielectric layer may be an emitter. The emitter is p-doped in the case of an n-type silicon solar cell. The dielectric layer may also be a passivation layer lying on the surface of the underside of a solar cell. This may also consist of silicon oxide, silicon carbide, silicon nitride, but also of aluminum oxide or other metal oxides and / or semimetal or semiconductor oxides and mixtures thereof. The electrically conductive layer underlying the dielectric layer may then be the Si base layer.
In verschiedenen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen elektrisch leitfähigen Kontaktstrukturen auf einem Substrat, enthält die zweite metallhaltige Zusammensetzung, die im Verfahren zu deren Erzeugung verwendet wird, kein Ätzmittel, d. h. keinen Bestandteil, der beim Erhitzen die Passivierungsschicht zerstört.In various embodiments of the inventive electrically conductive contact structures on a substrate, the second metal-containing composition used in the method of producing the same does not contain an etchant, i. H. no ingredient that destroys the passivation layer on heating.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung wird das Ätzmittel der ersten metallhaltigen Zusammensetzung ausgewählt wird aus Glasfritte, NH4F, NH4HF2, H3PO4, H3PO3, PCl3, PCl5, POCl3, KOH, HF/HNO3, HCl, Chlorverbindungen, Schwefelsäure und Mischungen davon. Falls das Ätzmittel Glasfritte umfasst, kann die Glasfritte Bleioxid enthalten.In various embodiments of the invention, the etchant of the first metal-containing composition is selected from glass frit, NH 4 F, NH 4 HF 2 , H 3 PO 4 , H 3 PO 3 , PCl 3 , PCl 5 , POCl 3 , KOH, HF / HNO 3 , HCl, chlorine compounds, sulfuric acid and mixtures thereof. If the etchant comprises glass frit, the glass frit may contain lead oxide.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung enthalten die erste metallhaltige Zusammensetzung und/oder die zweite metallhaltige Zusammensetzung ein Metall ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Kupfer, Aluminium, Gold, Wolfram, Nickel, Vanadium, Chrom, Cobalt, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Zinn und deren Legierungen oder ein Salz davon. Die erste metallhaltige Zusammensetzung kann ferner zur besseren Ausbildung der elektrischen Kontakte mit einem weiteren Element, wie beispielsweise Bor oder Phosphor, dotiert sein.In various embodiments of the invention, the first metal-containing composition and / or the second metal-containing composition comprise a metal selected from the group consisting of silver, copper, aluminum, gold, tungsten, nickel, vanadium, chromium, cobalt, ruthenium, rhodium, palladium, tin and their alloys or a salt thereof. The first metal-containing composition can also be used to better form the electrical contacts with another Element, such as boron or phosphorus, be doped.
Die erste metallhaltige Zusammensetzung und/oder die zweite metallhaltige Zusammensetzung können ferner Bindemittel und/oder Lösungsmittel enthalten. Diese dienen beispielsweise dazu die Verarbeitbarkeit der Zusammensetzung sicherzustellen. Vorzugsweise liegen die Zusammensetzungen in Form von Pasten, Gelen, Lösungen oder Kolloiden, beispielsweise Suspensionen oder Emulsionen, vor. Bindemittel und/oder Lösungsmittel werden in Abhängigkeit von der gewünschten Form gewählt.The first metal-containing composition and / or the second metal-containing composition may further contain binders and / or solvents. These serve, for example, to ensure the processability of the composition. Preferably, the compositions are in the form of pastes, gels, solutions or colloids, for example suspensions or emulsions. Binders and / or solvents are chosen depending on the desired shape.
In verschiedenen Ausführungsformen erfolgt das Erhitzen des Substrats bei einer Temperatur von 500 bis 900°C erfolgt. Das Erhitzen kann in einem Ofen erfolgen. Erhitzen kann für einen Zeitraum von 1 bis 30 s erfolgen.In various embodiments, the heating of the substrate is carried out at a temperature of 500 to 900 ° C. The heating can be done in an oven. Heating can be done for a period of 1 to 30 seconds.
Die vorliegende Erfindung betrifft ferner Solarzellen oder Solarmodule, die die derart hergestellten Kontaktstrukturen umfassen.The present invention further relates to solar cells or solar modules comprising the contact structures thus produced.
Beschreibung der FigurenDescription of the figures
Detaillierte Beschreibung der ErfindungDetailed description of the invention
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass bei der Erstellung elektrisch leitender Strukturen auf der Oberfläche von Solarzellen das Durchfeuern der elektrischen Kontakte bei erhöhter Temperatur die Passivierungs- und Antireflexionsschicht zerstört, da die aufgedruckten metallhaltigen Pasten nicht nur punktuell sondern im gesamten Auftragungsbereich die Passivierungs- und Antireflexionsschicht aufschmelzen. Die Erfinder haben nun herausgefunden, dass dieses Problem dadurch umgangen werden kann, dass für das Erstellen der elektrisch leitfähigen Strukturen zwei verschiedene metallhaltige Zusammensetzungen verwendet werden, wobei die eine zum Durchfeuern durch die Passivierungsschicht geeignet ist und daher nur punktuell an den späteren Kontaktstellen aufgetragen wird, wohingegen die zweite nicht durch die Passivierungsschicht durchfeuert, sondern auf dieser elektrische Leitungen bildet, die die Kontakte miteinander verbinden.The invention is based on the finding that in the creation of electrically conductive structures on the surface of solar cells, the firing of the electrical contacts at elevated temperature destroys the passivation and antireflection, since the printed metal-containing pastes not only selectively but in the entire application area the passivation and Melt the antireflection coating. The inventors have now found that this problem can be circumvented by using two different metal-containing compositions for the construction of the electrically conductive structures, one suitable for firing through the passivation layer and therefore only applied selectively at the later contact points, whereas the second does not fire through the passivation layer but forms electrical leads on it which connect the contacts together.
In einem ersten Aspekt betrifft die Erfindung daher elektrisch leitfähige Kontaktstrukturen auf einem Substrat, das eine dielektrische Oberflächenschicht und eine darunter liegende elektrisch leitfähige Schicht aufweist, die durch ein Verfahren hergestellt werden umfassend:
Aufbringen einer ersten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Ätzmittel und ein Metall oder Metallsalz enthält, auf mindestens zwei voneinander beabstandete Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht;
Aufbringen einer zweiten metallhaltigen Zusammensetzung, die ein Metall oder Metallsalz enthält, auf einen Teil der Oberfläche der dielektrischen Schicht, wobei die Aufbringung derart erfolgt, dass die mindestens zwei voneinander beabstandeten Teilbereiche der Oberfläche der dielektrischen Schicht, die mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtet sind, durch die zweite metallhaltige Zusammensetzung verbunden werden;
Erhitzen des Substrates um elektrisch leitfähige Strukturen auf dem Substrat zu erzeugen und einen elektrischen Kontakt zwischen den elektrisch leitfähigen Strukturen und der elektrisch leitfähigen Schicht herzustellen, wobei das Erhitzen nach dem Aufbringen der ersten metallhaltigen Zusammensetzung, nach dem Aufbringen der ersten und zweiten metallhaltigen Zusammensetzung oder nach dem Aufbringen der ersten und nach dem Aufbringen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung erfolgt.In a first aspect, therefore, the invention relates to electrically conductive contact structures on a substrate having a dielectric surface layer and an underlying electrically conductive layer, which are produced by a method comprising:
Depositing a first metal-containing composition containing an etchant and a metal or metal salt on at least two spaced-apart portions of the surface of the dielectric layer;
Depositing a second metal-containing composition containing a metal or metal salt on a portion of the surface of the dielectric layer, the deposition being such that the at least two spaced apart portions of the surface of the dielectric layer coated with the first metal-containing composition, be joined by the second metal-containing composition;
Heating the substrate to produce electrically conductive structures on the substrate and to make electrical contact between the electrically conductive structures and the electrically conductive layer, wherein the heating after applying the first metal-containing composition, after applying the first and second metal-containing composition or after the application of the first and after the application of the second metal-containing composition takes place.
Der Begriff „elektrisch leitfähigen Strukturen”, wie er in diesem Zusammenhang verwendet wird, erfasst sowohl elektrischen Leitungen auf der Substratoberfläche als auch die elektrischen Kontakte zwischen Leiter- oder Halbleiterschicht und auf der Oberfläche liegender Leitung.The term "electrically conductive structures", as used in this context, detects both electrical lines on the substrate surface and the electrical contacts between the conductor or semiconductor layer and surface-lying line.
„Elektrisch leitfähige Schicht” bezieht sich auf eine Schicht aus einem Material, das den elektrischen Strom leitet, wie z. B. ein Metall, aber umfasst auch eine Schicht aus einem Halbleitermaterial, das unter bestimmten Bedingungen den elektrischen Strom leitet, wie beispielsweise Silizium."Electrically conductive layer" refers to a layer of a material that conducts the electrical current, such as. A metal, but also includes a layer of a semiconductor material that under certain conditions conducts the electrical current, such as silicon.
„Dielektrisch”, wie hierin verwendet, bezieht sich auf eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz. Beispielse für solche nichtleitenden Materialien sind Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid und andere Metall- oder Halbmetalloxide sowie Mischungen der vorgenannten. Die Erfindung ist aber nicht auf diese Materialien beschränkt."Dielectric" as used herein refers to an electrically weak or non-conductive one Substance. Examples of such non-conductive materials are silicon nitride, silicon carbide, silica, alumina, and other metal or semimetal oxides, as well as mixtures of the foregoing. The invention is not limited to these materials.
„Ätzmittel”, wie hierin verwendet, bezieht sich auf jede Verbindung oder Zusammensetzung, die unter den Brennbedingungen geeignet ist durch die dielektrische Schicht durchzufeuern und Kontakt mit der darunter liegenden Leiter- oder Halbleiterschicht herzustellen. Dabei kann das Ätzmittel die dielektrische Schicht chemisch verändern, beispielsweise auflösen. In anderen Ausführungsformen ist das Ätzmittel dazu geeignet, unter Brennbedingungen die dielektrische Schicht aufzuschmelzen. Beispiele für Ätzmittel sind Glasfritte, NH4F, NH4HF2, H3PO4, H3PO3, PCl3, PCl5, POCl3, KOH, HF/HNO3, HCl, Chlorverbindungen, Schwefelsäure und Mischungen davon. Glasfritte können Bleioxid enthalten. Der Begriff „Glasfritte” bezieht sich auf den Werkstoff, der bei dem oberflächlichen Schmelzen von Glaspulver, wobei die Glaspartikel zusammenbacken, entsteht. Dieser kann beispielsweise zu einem Pulver vermahlen sein."Etching agent" as used herein refers to any compound or composition that is capable of firing through the dielectric layer under firing conditions and making contact with the underlying conductor or semiconductor layer. In this case, the etchant can chemically change the dielectric layer, for example, dissolve it. In other embodiments, the etchant is suitable for reflowing the dielectric layer under firing conditions. Examples of etchants are glass frit, NH 4 F, NH 4 HF 2 , H 3 PO 4 , H 3 PO 3 , PCl 3 , PCl 5 , POCl 3 , KOH, HF / HNO 3 , HCl, chlorine compounds, sulfuric acid and mixtures thereof. Glass frit can contain lead oxide. The term "glass frit" refers to the material that results from the superficial melting of glass powder, whereby the glass particles cake together. This can be ground, for example, to a powder.
„Erhitzen” bezieht sich auf das Aussetzen des Substrats mit der ersten und optional auch der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung einer erhöhten Temperatur, üblicherweise 450–1200°C, vorzugsweise 500–900°C, beispielsweise in einem Ofen. Der Brennprozess dauert üblicherweise nur wenige Sekunden, beispielsweise 1–30 Sekunden, kann aber auch mehrere Minuten, z. B. 1–5 Minuten dauern. Das Erhitzen kann nach der Aufbringung der ersten metallhaltigen Zusammensetzung und ein zweites Mal nach Aufbringung der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung erfolgen. Bevorzugt ist aber das Erhitzen nach Aufbringung der ersten und zweiten metallhaltigen Zusammensetzung. In verschiedenen Ausführungsformen können allerdings vor dem Erhitzen noch weitere Prozessschritte durchgeführt werden, wie beispielsweise die Aufbringung einer dritten, vierten, etc. Zusammensetzung auf die Oberfläche, oder die Beschichtung der Rückseite des Substrats. In einer Ausführungsform kann das Erhitzen nach Auftragung der ersten metallhaltigen Zusammensetzung und vor Auftragung der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung erfolgen. In diesem Fall erfolgt die Auftragung der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung üblicherweise nicht mittels Aufdrucken, sondern mittels Gasphasenabscheidung, insbesondere PVD."Heating" refers to exposing the substrate to the first and optionally also the second metal-containing composition of elevated temperature, usually 450-1200 ° C, preferably 500-900 ° C, for example in an oven. The burning process usually takes only a few seconds, for example 1-30 seconds, but can also be several minutes, z. Take 1-5 minutes. The heating may be carried out after the application of the first metal-containing composition and a second time after the application of the second metal-containing composition. However, heating after application of the first and second metal-containing composition is preferred. In various embodiments, however, further process steps may be performed prior to heating, such as the application of a third, fourth, etc. composition to the surface, or the coating of the backside of the substrate. In one embodiment, the heating may occur after application of the first metal-containing composition and prior to application of the second metal-containing composition. In this case, the application of the second metal-containing composition is usually carried out not by means of printing, but by means of vapor deposition, in particular PVD.
Die Aufbringung der ersten Zusammensetzung kann punktuell erfolgen. Dabei werden vergleichsweise kleine Teilbereiche der Oberfläche mit der ersten Zusammensetzung beschichtet. Diese Teilbereiche können abhängig von der Art der Auftragung eine beliebige Form haben, d. h. beispielsweise kreisförmig, rechteckig, vieleckig oder quadratisch sein. Der Durchmesser bzw. die Kantenlänger der derart beschichteten Bereiche kann im Bereich von etwa 30–1000 μm, vorzugsweise 50–200 μm liegen. Die Zahl der Teilbereiche der Oberfläche auf die die erste metallhaltige Zusammensetzung aufgebracht wird ist mindestens zwei, kann aber auch wesentlich höher liegen. So ist es beispielsweise möglich, dass abhängig von der Substratgröße bis zu mehreren Zehntausend Teilbereichen entsprechend beschichtet werden. Auf handelsüblichen Solarzellen beträgt die Zahl der derart beschichteten Teilbereiche für die Emitterseite der Solarzelle etwa 1000–5000 und für die Rückseite der Solarzelle etwa 10000–200000. Der Abstand zwischen den Teilbereichen kann beliebig groß gewählt werden, ist aber üblicherweise größer als der größte Durchmesser bzw. die Kantenlänge des beschichteten Bereiches. Beispielsweise kann der Abstand 50 μm bis 5 mm betragen. Die Bereiche können in Form eines Punktgitters beschichtet werden.The application of the first composition can be made point by point. In this case, comparatively small subregions of the surface are coated with the first composition. These sections may have any shape, depending on the type of application, d. H. for example, circular, rectangular, polygonal or square. The diameter or the edge length of the areas coated in this way can be in the range of approximately 30-1000 μm, preferably 50-200 μm. The number of subregions of the surface to which the first metal-containing composition is applied is at least two, but may also be substantially higher. Thus, it is possible, for example, that depending on the substrate size up to several ten thousand subregions are coated accordingly. On commercial solar cells, the number of subregions thus coated for the emitter side of the solar cell is about 1000-5000 and for the back of the solar cell about 10000-200000. The distance between the subregions can be chosen arbitrarily large, but is usually greater than the largest diameter or the edge length of the coated region. For example, the distance can be 50 μm to 5 mm. The areas can be coated in the form of a dot grid.
Die zweite metallhaltige Zusammensetzung kann streifenförmig und/oder ganzflächig auf die Passivierungsschicht aufgebracht werden. Die Breite der Streifen kann dabei 50–200 μm, vorzugsweise 100–120 μm betragen. Die Breite wird üblicherweise so gewählt, dass der elektrische Widerstand möglichst gering, aber auch die durch den Streifen abgedeckte Fläche möglichst klein ist. Die aufgebrachten Streifen verbinden erfindungsgemäß mindestens zwei der beabstandeten Teilbereiche, die mit der ersten Zusammensetzung beschichtet sind. In verschiedenen Ausführungsformen verbinden diese Streifen mindestens 10, vorzugsweise mindestens 25, noch bevorzugter mindestens 50 mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtete Teilbereiche. Die zweite metallhaltige Zusammensetzung kann zusätzlich auch derart aufgebracht werden, dass die Streifen, die die Teilbereiche, die mit der ersten metallhaltigen Zusammensetzung beschichtet sind, durch weitere Streifen miteinander verbunden werden. Diese Streifen können wiederum durch weitere Streifen verbunden sein. Das Aufbringen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung erfüllt den Zweck den elektrischen Strom von der Oberfläche abzuleiten.The second metal-containing composition can be applied to the passivation layer in strip form and / or over the entire surface. The width of the strips can be 50-200 μm, preferably 100-120 μm. The width is usually chosen so that the electrical resistance is as low as possible, but also the area covered by the strip is as small as possible. The applied strips connect according to the invention at least two of the spaced portions which are coated with the first composition. In various embodiments, these strips combine at least 10, preferably at least 25, more preferably at least 50, portions coated with the first metal-containing composition. In addition, the second metal-containing composition may also be applied in such a way that the strips which connect the partial regions which are coated with the first metal-containing composition by further strips. These strips can in turn be connected by further strips. The purpose of applying the second metal-containing composition is to dissipate electrical current from the surface.
Das streifenförmige Aufbringen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung ist insbesondere für die Vorderseite einer Solarzelle bevorzugt, da so möglichst wenig der Fläche der Solarzelle abgedeckt wird.The strip-like application of the second metal-containing composition is particularly preferred for the front of a solar cell, since as little as possible of the surface of the solar cell is covered.
Alternativ kann die zweite metallhaltige Zusammensetzung aber auch flächig, insbesondere ganzflächig, auf die gesamte Oberfläche des Substrats aufgebracht werden. Dabei ist es möglich, Aussparungen, beispielsweise für Lötpads, zu lassen. Die zweite metallhaltige Zusammensetzung kann dabei über die erste metallhaltige Zusammensetzung hinweg aufgebracht werden. Eine solche ganzflächige Aufbringung ist insbesondere für die Rückseite von Solarzellen möglich.Alternatively, however, the second metal-containing composition can also be applied to the entire surface of the substrate over a wide area, in particular over the whole area. It is possible to leave recesses, for example for soldering pads. The second metal-containing composition may be applied over the first metal-containing composition. Such full-surface application is possible in particular for the back of solar cells.
Die erste metallhaltige Zusammensetzung und/oder die zweite metallhaltige Zusammensetzung können auf die Oberfläche der dielektrischen Schicht aufgedruckt werden. Geeignete Verfahren sind im Stand der Technik bekannt und schließen beispielsweise Siebdruck- oder Tintenstrahldruckverfahren, Extrusionsverfahren, Stempeldruckverfahren, Tampondruckverfahren oder berührungsloses Verfahren ein. Vorzugsweise erfolgt die Aufbringung mittels Siebdruck.The first metal-containing composition and / or the second metal-containing composition may be printed on the surface of the dielectric layer. Suitable methods are known in the art and include, for example, screen printing or ink jet printing methods, extrusion methods, stamp printing methods, pad printing methods, or non-contact methods. Preferably, the application is carried out by screen printing.
Alternativ kann die Aufbringung der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung aber auch durch Gasphasenabscheidung, beispielsweise PVD oder CVD erfolgen. Die chemische Gasphasenabscheidung kann plasmaunterstützt sein. PVD umfasst ist aber nicht beschränkt auf thermisches Verdampfen, Elektronenstrahl-Verdampfen, Laser-Verdampfen, Lichtbogen-Verdampfen, Molekularstrahlepitaxie, Sputtern, Ionenplattieren, und ICB Technik (ICBD).Alternatively, however, the application of the second metal-containing composition can also be effected by vapor deposition, for example PVD or CVD. The chemical vapor deposition may be plasma assisted. PVD includes but is not limited to thermal evaporation, electron beam evaporation, laser evaporation, arc evaporation, molecular beam epitaxy, sputtering, ion plating, and ICBD (ICBD).
Die Zusammensetzungen können in einer für die gewählte Art der Aufbringung geeigneten Form vorliegen. So liegen diese für Siebdruckverfahren üblicherweise als Paste vor. Andere Formen sind Gele, Lösungen oder Kolloide, beispielsweise Suspensionen oder Emulsionen.The compositions may be in a form suitable for the type of application selected. So they are usually available for screen printing as paste. Other forms are gels, solutions or colloids, for example suspensions or emulsions.
Um die metallhaltigen Zusammensetzungen in die gewünschte Form zu bringen, können diese geeignete Bindemittel und/oder Lösungsmittels enthalten. Solche sind im Stand der Technik bekannt und umfassen verschiedene organische Polymere und organische Lösungsmittel.In order to bring the metal-containing compositions into the desired shape, they may contain suitable binders and / or solvents. Such are known in the art and include various organic polymers and organic solvents.
Für die Gasphasenabscheidung liegen die Zusammensetzungen üblicherweise in Form der elementaren Metalle vor und enthalten keine weiteren Hilfsstoffe.For the vapor deposition, the compositions are usually in the form of the elemental metals and contain no other auxiliaries.
Die Metalle in den zwei metallhaltigen Zusammensetzungen können gleich oder unterschiedlich sein und können ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus Silber, Kupfer, Aluminium, Gold, Wolfram, Vanadium, Nickel, Cobalt, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Zinn und deren Legierungen oder Salzen davon. Das Metall ist vorzugsweise Silber oder ein Silbersalz. Die metallhaltigen Zusammensetzungen können ferner mit einem weiteren Element, vorzugsweise einem Metall, dotiert sein. Das Dotierungsmittel kann beispielsweise Bor oder Phosphor sein.The metals in the two metal-containing compositions may be the same or different and may be selected from the group consisting of silver, copper, aluminum, gold, tungsten, vanadium, nickel, cobalt, ruthenium, rhodium, palladium, tin and their alloys or salts thereof , The metal is preferably silver or a silver salt. The metal-containing compositions may also be doped with another element, preferably a metal. The dopant may be, for example, boron or phosphorus.
Die erste metallhaltige Zusammensetzung enthält vorzugsweise Silber oder Aluminium oder ein Silbersalz oder Aluminiumsalz. Die zweite metallhaltige Zusammensetzung kann, abhängig davon ob sie auf der Vorder- oder der Rückseite einer Solarzelle eingesetzt wird, vorzugsweise Silber oder ein Silbersalz bzw. Aluminium oder ein Aluminiumsalz enthalten.The first metal-containing composition preferably contains silver or aluminum or a silver salt or aluminum salt. The second metal-containing composition may preferably contain silver or a silver salt or aluminum or an aluminum salt, depending on whether it is used on the front or the back of a solar cell.
Die erste metallhaltige Zusammensetzung enthält zusätzlich ein Ätzmittel, wie oben definiert. Die zweite metallhaltige Zusammensetzung enthält vorzugsweise kein Ätzmittel, d. h. keinen Bestandteil, der beim Erhitzen die dielektrische Schicht zerstört.The first metal-containing composition additionally contains an etchant as defined above. The second metal-containing composition preferably contains no etchant, i. H. no ingredient that destroys the dielectric layer on heating.
Als erste metallhaltige Zusammensetzung können im Stand der Technik bekannte Metallpasten, wie beispielsweise die in der
Als zweite metallhaltige Zusammensetzung eignen sich die bekannten Pasten ohne das üblicherweise enthaltene Ätzmittel.As a second metal-containing composition, the known pastes are suitable without the usually contained etchant.
Falls die zweite metallhaltige Zusammensetzung mittels Gasphasenabscheidung auf die Oberfläche aufgebracht wird, kann die zweite metallhaltige Zusammensetzung ein elementares Metall, ein Metallsalz oder eine Mischung von Metallen, Metallsalzen oder beiden sein.If the second metal-containing composition is applied to the surface by vapor deposition, the second metal-containing composition may be an elemental metal, a metal salt, or a mixture of metals, metal salts, or both.
Bei dem Substrat mit der dielektrischen Oberflächenschicht kann es sich um eine Solarzelle handeln. Die dielektrische Schicht ist dann üblicherweise die Passivierungs- und Antireflexionsschicht der Vorderseite der Solarzelle, die aus Siliziumoxid, Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Titanoxid, Magnesiumfluorid oder Mischungen davon besteht, oder die Passivierungsschicht der Rückseite der Solarzelle, die aus Siliziumoxid, Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid oder anderen Metalloxiden oder Halbmetalloxiden sowie Mischungen davon besteht. Bei der unter der dielektrischen Schicht der Vorderseite liegenden Leiter- oder Halbleiterschicht handelt es sich üblicherweise um einen Emitter. Im Fall einer Silizium-Solarzelle vom n-Typ ist der Emitter p-dotiertes Silizium im Fall ein Solarzelle vom p-Typ n-dotiertes Silizium. Bei der unter der dielektrischen Schicht der Rückseite liegenden Leiter- oder Halbleiterschicht handelt es sich um eine Silizium-Basisschicht.The substrate having the dielectric surface layer may be a solar cell. The dielectric layer is then usually the passivation and antireflection layer of the front side of the solar cell, which consists of silicon oxide, silicon carbide, silicon nitride, titanium oxide, magnesium fluoride or mixtures thereof, or the passivation layer of the back of the solar cell, which consists of silicon oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum oxide or other metal oxides or Halbmetalloxiden and mixtures thereof. The conductive or semiconductor layer underlying the dielectric layer of the front side is usually an emitter. In the case of an n-type silicon solar cell, the emitter is p-type doped silicon in the case of a p-type n-type solar cell. The conductor or semiconductor layer underlying the dielectric layer of the backside is a silicon base layer.
Zwischen den Schritten des Aufbringens der ersten und der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung kann ferner noch ein Trocknungsschritt der ersten metallhaltigen Zusammensetzung erfolgen. Unabhängig davon kann nach dem Aufbringen der zweiten metallhaltigen Verbindung und vor dem Erhitzen noch ein weiterer Trocknungsschritt oder weitere Schritte des Aufbringens von anderen Zusammensetzungen erfolgen. Bei den weiteren Zusammensetzungen, die aufgebracht werden kann es sich beispielsweise um Lötpasten handeln.In addition, between the steps of applying the first and the second metal-containing composition, a drying step of the first metal-containing composition. Independently of this, after the application of the second metal-containing compound and before the heating, a further drying step or further steps of applying other compositions may take place. The other compositions which may be applied are, for example, solder pastes.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung kann die Auftragung der ersten und/oder der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung jeweils mehrfach erfolgen, beispielsweise zwei-, drei, vier- oder fünfmal, wobei zwischen den einzelnen Auftragungsschritten Trocknungsschritte liegen können. Das bedeutet, dass beispielsweise die erste metallhaltige Zusammensetzung zwei-, drei, vier- oder fünfmal hintereinander auf dieselben Bereiche der Oberfläche aufgebracht wird, wobei zwischen den einzelnen Auftragungsschritten eine Trocknung erfolgen kann. Analog kann eine solche mehrfache Auftragung für die zweite metallhaltige Zusammensetzung erfolgen.In various embodiments of the invention, the application of the first and / or the second metal-containing composition may in each case take place several times, for example two, three, four or five times, wherein drying steps may be present between the individual application steps. This means that, for example, the first metal-containing composition is applied to the same areas of the surface two, three, four or five times in succession, wherein drying can take place between the individual application steps. Analogously, such a multiple application can be made for the second metal-containing composition.
Das Trocknen kann bei erhöhter Temperatur in einem Ofen oder durch Lufttrocknung erfolgen. Um ein vorzeitiges Durchfeuern der metallhaltigen Zusammensetzungen zu vermeiden beträgt die Temperatur bei dem Trocknungsschritt vorzugsweise weniger als 450°C.Drying can be done at elevated temperature in an oven or by air drying. In order to avoid premature firing of the metal-containing compositions, the temperature in the drying step is preferably less than 450 ° C.
Die Verfahren zur Erzeugung der erfindungsgemäßen Kontaktstrukturen können in ein bestehendes Verfahren zur Herstellung von Solarzellen integriert werden. In diesen Verfahren wird die Solarzelle mittels bekannter Verfahren hergestellt bis zur Ausbildung einer Siliziumnitrid-Passivierungsschicht auf der Vorderseite und einer dielektrisch passivierenden Schicht auf der Rückseite.The methods for producing the contact structures according to the invention can be integrated into an existing method for producing solar cells. In these methods, the solar cell is manufactured by known methods until a silicon nitride passivation layer is formed on the front side and a dielectric passivation layer on the back side.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung werden die Aufbringung der Leiterstrukturen auf die Vorder- und Rückseite der Solarzelle kombiniert. Dazu kann für die Vorderseite, für die Rückseite oder beide ein hierin beschriebenes Verfahren verwendet werden. In solchen Ausführungsformen kann die erste metallhaltige Zusammensetzung für die Vorderseite und für die Rückseite gleich oder unterschiedlich sein. Analog kann auch die zweite metallhaltige Zusammensetzung für die Vorderseite und für die Rückseite gleich oder unterschiedlich sein. Es ist ebenfalls möglich, dass sowohl erste als auch zweite metallhaltige Zusammensetzung für Vorder- und Rückseite gleich oder unterschiedlich sind. In solchen Verfahren kann das Erhitzen nach Aufbringung einer metallhaltigen Zusammensetzung auf eine Seite erfolgen und ggf. nach jedem Auftragungsschritt weiterer metallhaltiger Zusammensetzungen auf eine der Oberflächen wiederholt werden oder das Erhitzen kann nach Auftragung aller metallhaltigen Zusammensetzungen, d. h. mindestens zwei auf die Vorderseite und mindestens zwei auf die Rückseite, erfolgen. Zwischen den einzelnen Auftragungsschritten können hierbei Trocknungsschritte liegen. Beispielsweise kann das Erhitzen nach Auftragung beider metallhaltiger Zusammensetzungen auf die Vorderseite und dann erneut nach Auftragung einer oder beider metallhaltiger Zusammensetzungen auf die Rückseite oder in umgekehrter Reihenfolge erfolgen. Das Erhitzen kann in verschiedenen Ausführungsformen vor der Auftragung der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Rückseite erfolgen, wobei die zweite metallhaltige Zusammensetzung dann in einem separaten Schritt mittels PVD Verfahren aufgebracht werden kann.In various embodiments of the invention, the application of the conductor structures to the front and back of the solar cell are combined. For this, a method described herein can be used for the front, back or both. In such embodiments, the first metal-containing composition for the front and the back may be the same or different. Similarly, the second metal-containing composition for the front and the back may be the same or different. It is also possible that both the first and second metal-containing compositions for the front and back are the same or different. In such processes, heating may be performed after application of a metal-containing composition to one side, and optionally after each application step of further metal-containing compositions to one of the surfaces, or heating may be performed after application of all metal-containing compositions, i. H. at least two on the front and at least two on the back, done. There may be drying steps between the individual application steps. For example, heating may be performed after application of both metal-containing compositions to the front and then again after application of one or both metal-containing compositions to the back or in reverse order. The heating may in various embodiments occur prior to the application of the second metal-containing composition to the backside, wherein the second metal-containing composition may then be applied in a separate step by PVD techniques.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung ist das Aufdampfen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Rückseite nach dem Erhitzen der ersten metallhaltigen Zusammensetzung auf der Rückseite und optional der metallhaltigen Zusammensetzungen auf der Vorderseite bevorzugt. Die aufgedampfte Metallschicht auf der Rückseite zeichnet sich gegenüber einer eingebrannten Paste durch eine bessere NIR-IR Reflektion aus. Das Aufdampfen erfolgt vorzugsweise ganzflächig.In various embodiments of the invention, vapor deposition of the second metal-containing composition onto the back surface is preferred after heating the first back metal-containing composition and optionally the front metal-containing compositions. The vapor-deposited metal layer on the back is distinguished from a baked paste by a better NIR-IR reflection. The vapor deposition is preferably over the entire surface.
In verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung können alternativ nacheinander folgende Prozessschritte durchgeführt werden:
- Alternative 1: (i) Aufdruck von lötfähigen Pads (silberhaltig) auf die Rückseite, (ii) Trocknen, (iii) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung (Al-haltig) auf die Rückseite; (iv) Trocknen, (v) Aufdrucken der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung mit Aussparungen für die lötfähigen Pads auf die Rückseite, (vi) Trocknen, (vii) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, (viii) optional Trocknen, (ix) Aufdrucken der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, und (x) Erhitzen.
- Alternative 2: (i) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung (Al-haltig) auf die Rückseite; (ii) Trocknen, (iii) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, (iv) optional Trocknen, (v) Aufdrucken der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, (vi) Erhitzen, (vii), ganzflächiges Aufdampfen oder Aufdampfen mit Aussparungen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Rückseite und (viii) optional Aufbringen lötfähiger Strukturen auf Vorder- und/oder Rückseite.
- Alternative 3: (i) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung (Al-haltig) auf die Rückseite; (ii) Trocknen, (iii) ganzflächiges Aufdrucken oder aufdrucken mit Aussparungen der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Rückseite, (iv) Trocknen; (v) Aufdrucken der ersten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, (vi) optional Trocknen, (vii) Aufdrucken der zweiten metallhaltigen Zusammensetzung auf die Vorderseite, (viii) Erhitzen, (ix) optional Aufbringen lötfähiger Strukturen auf Vorder- und/oder Rückseite.
- Alternative 1: (i) Imprint of solderable pads (silver-containing) on the reverse side, (ii) drying, (iii) printing of the first metal-containing composition (Al-containing) on the backside; (iv) printing, (v) printing the second metal-containing composition with recesses for the solderable pads on the backside, (vi) drying, (vii) printing the first metal-containing composition on the front side, (viii) optionally drying, (ix) imprinting of the second metal-containing composition on the front, and (x) heating.
- Alternative 2: (i) printing the first metal-containing composition (Al-containing) on the backside; (ii) drying, (iii) printing the first metal-containing composition on the front side, (iv) optionally drying, (v) printing the second metal-containing composition on the front side, (vi) heating, (vii), whole-area vapor deposition or vapor deposition with recesses the second metal-containing composition on the back and (viii) optionally applying solderable structures on the front and / or back.
- Alternative 3: (i) printing the first metal-containing composition (Al-containing) on the back side; (ii) drying, (iii) full-surface printing or printing with recesses of the second metal-containing composition on the back, (iv) drying; (v) printing the first metal-containing composition on the face, (vi) optionally drying, (vii) printing the second metal-containing composition on the face, (viii) heating, (ix) optionally applying solderable structures to the front and / or back.
Optional kann nach dem Erhitzen und optional Aufdampfen und vor dem Aufbringen lötfähiger Strukturen ein Formiergas-Alneal Schritt, beispielsweise mit 95% Stickstoff und 5% Wasserstoff, erfolgen. Dieser Alneal Schritt kann auch zusammen mit dem Erhitzen erfolgen, wobei in einem solchen Fall die Temperaturprofile angepasst werden können.Optionally, after the heating and optional vapor deposition and before the application of solderable structures, a forming gas Alneal step, for example with 95% nitrogen and 5% hydrogen, take place. This Alneal step can also be done together with the heating, in which case the temperature profiles can be adjusted.
Die elektrisch leitfähigen Kontaktstrukturen der Erfindung umfassen die nach dem Erhitzen ausgebildeten elektrischen Leitungen und Kontakte sowie das Substrat. Üblicherweise bilden diese einen Bestandteil einer Solarzelle. Die Solarzelle kann wiederum Bestandteil eines Solarmoduls sein, in welchem die einzelnen Solarzellen elektrisch miteinander verschaltet sind.The electrically conductive contact structures of the invention comprise the electrical leads and contacts formed after heating and the substrate. Usually, these form part of a solar cell. The solar cell can in turn be part of a solar module in which the individual solar cells are electrically interconnected.
Ein mittels der hierin beschriebenen Verfahren behandeltes Substrat ist schematisch in
Ein weiteres, mit den hierin beschriebenen Verfahren behandeltes Substrat, bei dem es sich um eine Solarzelle, deren Rückseite beschichtet wird, handelt, ist schematisch in
Weitere Ausführungsformen sind in den Ansprüchen und den Beispielen enthalten. Die folgenden Beispiele dienen der Veranschaulichung der Erfindung, wobei die Erfindung nicht auf diese speziellen Ausführungsformen beschränkt ist.Further embodiments are included in the claims and the examples. The following examples serve to illustrate the invention, but the invention is not limited to these specific embodiments.
BeispieleExamples
Beispiel 1:Example 1:
- 1.) Voraussetzung ist ein p-Typ Silizium (2 Ohmcm Material) Wafer mit einem n-typ Phosphor Emitter (55 Ohm/sq), texturierter und antireflexbeschichteter (z. B. ~100 nm SiN, Brechungsindex 2,1) Emitteroberfläche und passivierter Rückseite.1.) Prerequisite is a p-type silicon (2 ohmcm material) wafer with an n-type phosphor emitter (55 ohms / sq), textured and antireflective coated (eg ~ 100 nm SiN, refractive index 2.1) emitter surface and passivated back.
- 2.) Aluminium Siebdruck der punktuellen Strukturen mit frittenhaltiger Paste auf die passivierte Rückseite (benutztes Sieb z. B. Meshbreite 300 μm)2.) Aluminum screen printing of the punctiform structures with frit-containing paste on the passivated reverse side (used sieve eg mesh width 300 μm)
- 3.) Trocknerschritt im Durchlaufofen z. B. 3 Zonen (320°C, 370°C, 400°C, Kettengeschwindigkeit 3 m/min)3.) drying step in a continuous furnace z. B. 3 zones (320 ° C, 370 ° C, 400 ° C, chain speed 3 m / min)
- 4.) Ag Rückseitenpad Siebdruck (Paste mit geringem Aluminium Anteil)4.) Ag backside screen printing (paste with low aluminum content)
- 5.) Trocknerschritt im Durchlaufofen z. B. 3 Zonen (320°C, 370°C, 400°C, Kettengeschwindigkeit 3 m/min)5.) drying step in a continuous furnace z. B. 3 zones (320 ° C, 370 ° C, 400 ° C, chain speed 3 m / min)
- 6.) Aluminium Siebdruck ganzflächig (mit Aussparungen für die Ag pads) mit frittenreduzierter Paste6.) Aluminum silkscreen over the whole surface (with recesses for the Ag pads) with fritreduced paste
- 7.) Trocknerschritt im Durchlaufofen z. B. 3 Zonen (320°C, 370°C, 400°C, Kettengeschwindigkeit 3 m/min)7.) drying step in a continuous furnace z. B. 3 zones (320 ° C, 370 ° C, 400 ° C, chain speed 3 m / min)
- 8.) Flipstation um die Solarzelle zu drehen8.) Flipstation to rotate the solar cell
- 9.) Ag Siebdruck der punktuellen Strukturen mit frittenhaltiger Paste auf der Vorderseite entlang einer Fingerstruktur sowie entlang der späteren BusBar Bereiche9.) Ag screen printing of the punctate structures with frit-containing paste on the front along a finger structure as well as along the later BusBar areas
- 10.) Trocknerschritt im Durchlaufofen z. B. 3 Zonen (320°C, 370°C, 400°C, Kettengeschwindigkeit 3 m/min)10.) drying step in a continuous furnace z. B. 3 zones (320 ° C, 370 ° C, 400 ° C, chain speed 3 m / min)
- 11.) Ag Siebdruck streifenförmig über die punktuellen Strukturen mit frittenreduzierter Paste 11.) Ag Screen printing strip-shaped over the punctiform structures with fritreduced paste
- 12.) Trocknerschritt im Durchlaufofen z. B. 3 Zonen (320°C, 370°C, 400°C, Kettengeschwindigkeit 3 m/min)12.) drying step in a continuous furnace z. B. 3 zones (320 ° C, 370 ° C, 400 ° C, chain speed 3 m / min)
- 13.) CoFeuern (5 Zonen Durchlaufofen mit z. B. 250°C, 300°C, 600°C, 850°C, 860°C und Kettengeschwindigkeit 6 m/min)13.) Co-firing (5 zone continuous furnace with eg 250 ° C, 300 ° C, 600 ° C, 850 ° C, 860 ° C and chain speed 6 m / min)
- 14.) Evtl. Formiergas Alnealing (95% N2 5% H2 für 5 min bei 400°C)14.) Poss. Forming gas alnealing (95% N2 5% H2 for 5 min at 400 ° C)
Die Erfindung wird hierin durch Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen beschrieben, ist aber nicht auf diese beschränkt. Insbesondere ist für den Fachmann ohne Weiteres ersichtlich, dass verschiedene Änderungen an der beschriebenen Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Sinn und Umfang der Erfindung, wie er durch die angefügten Patentansprüche bestimmt wird, abzuweichen. Der Umfang der Erfindung wird somit durch die Patentansprüche bestimmt und es ist beabsichtigt, dass die Erfindung alle Modifikationen und Änderungen, die in den Deutungs- und Äquivalenzbereich der Ansprüche fallen, umfasst.The invention is described herein by reference to certain embodiments, but is not limited thereto. In particular, it will be readily apparent to those skilled in the art that various changes may be made in the invention described without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. The scope of the invention is thus by the It is intended that the invention cover all modifications and alterations that fall within the scope of the claims and equivalents of the claims.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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- DE 202009017372 U1 [0005] DE 202009017372 U1 [0005]
- DE 102008024053 A1 [0007] DE 102008024053 A1 [0007]
- EP 1687831 B1 [0042] EP 1687831 B1 [0042]
Claims (14)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE202011000518U DE202011000518U1 (en) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Electrically conductive contact structures on a substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE202011000518U DE202011000518U1 (en) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Electrically conductive contact structures on a substrate surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE202011000518U1 true DE202011000518U1 (en) | 2012-01-18 |
Family
ID=45595735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE202011000518U Expired - Lifetime DE202011000518U1 (en) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | Electrically conductive contact structures on a substrate surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE202011000518U1 (en) |
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2011
- 2011-03-09 DE DE202011000518U patent/DE202011000518U1/en not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R207 | Utility model specification |
Effective date: 20120308 |
|
| R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20140410 |
|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES SACHSEN GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: DEUTSCHE CELL GMBH, 09599 FREIBERG, DE Effective date: 20141017 |
|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE Effective date: 20141017 |
|
| R082 | Change of representative | ||
| R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years | ||
| R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years | ||
| R071 | Expiry of right |