DE19962231A1 - Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen

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DE19962231A1
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Abstract

Eine auf einem Grundkörper (1) angeordnete mikromechanische Struktur (17) bedarf des Schutzes vor Umwelteinflüssen mittels eines Abdeckkörpers (2). Weiterhin sind elektrische Kontakte (9) zur Kontaktierung des mikromechanischen Struktur notwendig. Durch geschichte Durchführung einer Ansägung (19) und einer Durchsägung (20) wird es möglich, den elektrischen Kontakt (9) freizulegen.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung mikromechanischer Strukturen, die auf einem Grundkörper gebildet sind und von einem Abdeckkörper vor Zerstörung ge­ schützt sind.
Mikromechanische Strukturen werden z. B. als Beschleunigungs­ sensoren für die Airbag-Auslösung verwendet. Die mikromecha­ nischen Strukturen bestehen dabei aus frei tragenden Teilen, wie Membranen oder Federbalken oder ähnlichem, die sich beim Einwirken einer Beschleunigung verbiegen. Anhand der Verbie­ gung wird ein Wert für die Beschleunigung ermittelt.
Mikromechanische Strukturen werden z. B. an der Oberfläche ei­ nes Grundkörpers angeordnet und von einem Abdeckkörper vor Umwelteinflüssen, wie mechanischer oder auch chemischer Zer­ störung geschützt.
Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen sind z. B. in Sven Michaelis and Hans-Jörg Timme, Acceleration Threshold Switches from an Additive Electroplating MEMS Proc­ ess, Eurosensors XIII, The 13 th European Conference on Solid State Transducers, September 12-15, 1999, The Hague, The Netherlands; in M. Wycisk, T. Tönnesen and J. Binder, S. Mi­ chaelis and H. J. Timme, Low Cost Post-CMOS Integration of Electroplated Microstructures for Inertial Sensing, und in M. Wycisk and J. Binder, S. Michaelis and H. J. Timme, New Sensor on-chip Technology for Micromechanical Acceleration Threshold Switches, angegeben.
Ein Verfahren zur Abdeckung mikromechanischer Strukturen ist z. B. in Sven Michaelis, Hans-Jörg Timme, Michael Wycisk, Jo­ sef Binder, Additive Electroplating Technology as a Post-CMOS Process for the Production of MEMS-Acceleration Threshold Switches for Transportation Applications, beschrieben. Dabei wird ein speziell präparierter Abdeckkörper mit Hohlräumen an seiner Unterseite, in denen die mikromechanischen Strukturen geschützt werden, die auf dem Grundkörper angeordnet sind, verwendet. Weiterhin sind in dem Abdeckkörper durchgehende Löcher angeordnet, in denen die Kontaktpads des Grundkörpers nach dem Zusammenfügen des Grundkörpers und des Abdeckkörpers zugänglich sind. Wären diese Löcher nicht vorhanden, so wäre die Struktur nicht kontaktierbar.
Die Löcher in dem Abdeckkörper führen dazu, daß dieser brü­ chig und anfällig für Risse ist. Dies führt wiederum zu ge­ ringen Ausbeuten und hohen Kosten. Darüberhinaus ist die Her­ stellung der Löcher ein langwieriger Ätzprozeß der über sechs Stunden in Anspruch nimmt und daher kostentreibend ist.
Ein weiteres Verfahren zum Abdecken mikromechanischer Struk­ turen und Freilegen der Kontaktpads besteht in der Verwendung von Sägeverfahren, bei denen große Stücke des Abdeckkörpers heraus gesägt werden und in der Sägespülung abgeschwemmt wer­ den. Das Abschwemmen der großen Stücke birgt ein großes Risi­ ko für die Beschädigung der Strukturen und führt außerdem zu Brüchen des Sägeblatts.
Es ist die Aufgabe der Erfindung ein Verfahren anzugeben, durch das ein Grundkörper und ein Deckkörper an ihren Ober­ flächen zusammen gefügt werden und auf einfache Weise zumin­ dest ein Teil der zusammengefügten Oberfläche des Grundkör­ pers freigelegt wird.
Erfindungsgemäß wird die gestellte Aufgabe durch ein Verfah­ ren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur mit den folgenden Schritten gelöst: Zusammenfügen eines Grundkörpers mit einem Abdeckkörper entlang einer gemeinsamen Grenzfläche zu einem Verbundkörper, wobei im Verbundkörper entlang der Grenzfläche ein Hohlraum ausgebildet wird und der Hohlraum durch Abtragen von Material in den Bereich einer Oberfläche des Verbundkörpers geöffnet wird.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt in der sehr einfachen Abdeckung der mikromechanischen Struktur. Dar­ überhinaus lassen sich nicht nur Siliziumabdeckungen verwen­ den, die bei den Verfahren des Standes der Technik notwendig sind, um entlang der (111)-Orientierung des Siliziumkristalls entlang zu ätzen. Erfindungsgemäß lassen sich auch kostengün­ stigere Materialien wie Glasabdeckungen oder Abdeckungen aus Kunststoff verwenden.
Weiterhin ist die Zeit zur Herstellung einer Abdeckung we­ sentlich verkürzt, da keine durchgehenden Löcher geätzt wer­ den müssen, was üblicherweise sechs Stunden dauern würde. Weiterhin birgt das Ätzen der Löcher den Nachteil, daß Fehler in der Lackmaske bzw. Risse in den Siliziumwafer, aus dem die Abdeckung besteht, durch die lange Ätzzeit potenziert werden. Dies führt zu einer geringen Ausbeute von Abdeckungen die ge­ mäß dem Stand der Technik hergestellt werden.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht in der Möglichkeit, eine unstrukturierte Abdeckung zu verwen­ den und die mikromechanischen Strukturen in Vertiefungen auf dem Grundkörper anzuordnen. Durch dieses Verfahren können die Abdeckungen sehr kostengünstig gebildet werden.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Abdeckungen aus einem Kunststoff gebildet wer­ den können.
Weiterhin ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren, ledig­ lich Vertiefungen in dem Abdeckkörper zu bilden, in denen die mikromechanischen Strukturen beim Zusammenfügen des Grundkör­ pers und des Abdeckkörpers aufgenommen werden.
In einer vorteilhaften Ausprägung des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens wird der Hohlraum geöffnet, in dem das Material in den Bereich einer Oberfläche des Verbundkörpers zumindest teilweise mit einer Kreissäge eingesägt wird. Dadurch ist es möglich, die heutzutage beim Zersägen von Wafern zu Einzel­ chips verwendeten Verfahren für das erfindungsgemäße Verfah­ ren zu verwenden. Dies hat den Vorteil, daß kein apparativer Mehraufwand bei dem erfindungsgemäßen Verfahren notwendig ist.
Weiterhin ist es vorteilhaft, den Verbundkörper zum Sägen des Abdeckkörpers mit einer Oberfläche des Grundkörpers auf einen Träger anzuordnen. Bei dem Träger handelt es sich üblicher­ weise um eine Folie, auf die der Grundkörper auflaminiert wird. Durch dieses Verfahren und diese Anordnung ist es mög­ lich, lediglich den Abdeckkörper einzusägen, während der Grundkörper auf dem Träger fixiert ist.
Ein weiteres vorteilhaftes Verfahren sieht vor, den Verbund­ körper zum Sägen des Grundkörpers mit einer Oberfläche des Abdeckkörpers auf einen Träger anzuordnen. Bei diesem Verfah­ ren kann der Verbundkörper mit Hilfe des Abdeckkörpers auf eine Folie laminiert werden und in dem anschließenden Säge­ prozeß kann zum einen der Grundkörper allein oder aber mit einer tieferen Schnittiefe sowohl der Grundkörper als auch der Abdeckkörper durchsägt werden. Im Stand der Technik ist es üblich, Wafer auf eine Folie aufzulaminieren und mit einer Kreissäge zu zerteilen, wobei lediglich der Wafer zersägt wird und die Folie unversehrt bleibt. Dieses Verfahren kann auch für das erfindungsgemäße Verfahren angewendet werden.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird ein in dem Hohlraum gebildeter elektri­ scher Kontakt zumindest teilweise freigelegt. Durch dieses Vorgehen ist es möglich, elektrische Kontakte in einem an­ schließenden Bondprozeß mit einem Leadframe elektrisch zu verbinden.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird in dem Abdeckkörper eine Vertiefung ge­ bildet, die nach dem Zusammenfügen des Grundkörpers und des Abdeckkörpers den Hohlraum bildet. Durch dieses Verfahren ist eine einfache Bildung des Hohlraums zur Aufnahme der mikrome­ chanischen Struktur möglich.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird in dem Grundkörper eine Vertiefung ge­ bildet, die nach dem Zusammenfügen des Grundkörpers und des Abdeckkörpers den Hohlraum bildet. Durch diese Anordnung ist es möglich, elektrische Kontakte, die in dem Hohlraum gebil­ det sind, durch das erfindungsgemäße Verfahren freizulegen. Besonders vorteilhaft ist dabei, daß der Abdeckkörper nicht strukturiert werden muß. Dadurch können Kosten bei der Her­ stellung des Abdeckkörpers eingespart werden.
Weiterhin ist es vorteilhaft, daß der Abdeckkörper mittels eutektischem Bonden, Silizium-Fusions-Bonden, anodischem Bon­ den, Kleben und/oder Löten mit dem Grundkörper zusammengefügt wird. Diese Techniken sind zum Beispiel in Mikromechnik, A. Heuberger, Springer-Verlag, 1991, beschrieben.
Eine weitere vorteilhafte Variante des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens sieht vor, daß der Abdeckkörper aus Silizium, aus Glas aus Kunststoff, aus einem Polymer oder einem Polyamid besteht.
Im Stand der Technik ist man auf die Verwendung von Silizium als Abdeckkörper beschränkt. Die Verwendung von Siliziumwa­ fern als Abdeckkörper ist dabei relativ teuer, so daß die Ko­ sten bei der Verwendung von Glas oder Kunststoffen reduziert werden können.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird der Grundkörper auf eine Folie lami­ niert und der Abdeckkörper mit Sägeschnitten durchtrennt. Durch dieses Verfahren ist es möglich, die Schnittiefe der Kreissäge so zu wählen, daß lediglich der Abdeckkörper durch­ trennt wird um evtl. Hohlräume aufzusägen und der Grundkörper unverändert zu lassen. Vorteilhafterweise werden die Säge­ schnitte dabei so ausgeführt, daß keine losen Stücke, abgese­ hen von dem Sägemehl, aus dem Deckkörper herausgetrennt wer­ den und es so vermieden wird, daß Strukturen auf dem Grund­ körper bzw. das Sägeblatt zerstört werden.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird der Verbundkörper mit dem Abdeckkörper auf eine Folie laminiert und der Verbundkörper wird mit wei­ teren Sägeschnitten durchgesägt, wobei vereinzelte Chips her­ aus gesägt werden. Durch dieses Verfahren kann der Verbund­ körper, nachdem der Abdeckkörper eingesägt wurde von der Fo­ lie abgelöst werden und nun anschließend mit dem Abdeckkörper auf die Folie laminiert werden. Durch diese Topdownanordnung (der Grundkörper befindet sich mit seiner Oberfläche, auf der die mikromechanischen Strukturen und die elektrischen Kontak­ te angeordnet sind der Folie zugewandt) kann der Verbundkör­ per zersägt werden und die "losen Stücke" verbleiben auf der Folie.
Ein weiterer Verfahrensschritt sieht nun vor, daß die Säge­ tiefe der Kreissäge so gewählt wird, daß der gesamte Verbund­ körper bestehend aus Grundkörper und Abdeckkörper in einem Sägeschnitt durchtrennt wird, so daß vereinzelte Chips, die weiterhin auf der Folie kleben bleiben, heraus gesägt werden.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens wird ein vereinzelter Chip mit einer Vakuum­ pipette von der Folie gelöst und die Teile des Abdeckkörpers, die oberhalb des elektrischen Kontakts angeordnet waren, ver­ bleiben auf der Folie. Durch dieses Verfahren ist es möglich, die vereinzelten Chips von der Folie abzulösen, wobei die Ab­ deckungen, die ursprünglich über den elektrischen Kontakten angeordnet waren, weiterhin auf der Folie kleben bleiben.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens weist ein Chip nach dem Zersägen des Ver­ bundkörpers elektrische Kontakte an mindestens einer Seite auf. Chips weisen üblicherweise eine rechteckige Form auf, wobei in dieser Variante eine Seite des Chips mit elektri­ schen Kontakten versehen ist.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens weist der Chip nach dem Zersägen des Ver­ bundkörpers elektrische Kontakte an einer Seite und an minde­ stens einer benachbarten Seite auf. Durch diese Anordnung ist es möglich, die Anzahl der elektrischen Kontakte zu erhöhen und auf zwei benachbarte Seiten eines Chips zu verteilen.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens weist der Chip nach dem Zersägen des Ver­ bundkörpers elektrische Kontakte an einer Seite und an einer gegenüber liegenden Seite auf. Durch diese Anordnung der elektrischen Kontakte ist es möglich, ihre Anzahl zu erhöhen. Dadurch werden kleinere Chips ermöglicht, die eine größere Anzahl von Kontakten aufweisen. Ebenfalls ist die integration von mehr Funktionalität auf dem Chip ermöglicht, wie z. B. die integration eines Mikrokontrollers, wodurch sich die Produkt­ vielfalt erhöht.
In einer weiteren vorteilhaften Ausprägung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens weist der Chip nach dem Zersägen des Ver­ bundkörpers an mindestens drei benachbarten Seiten elektri­ sche Kontakte auf. Dadurch ist es möglich, die Anzahl der elektrischen Kontakte noch weiter zu erhöhen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen dargestellt und erläutert.
In den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen mi­ kromechanischen Struktur;
Fig. 2 das Ausführungsbeispiel einer mikromechanischen Struktur gemäß Fig. 1 zu einem späteren Prozeß­ zeitpunkt;
Fig. 3 das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1, wobei der Verbundkörper in Einzelchips zersägt ist;
Fig. 4 eine weitere erfindungsgemäße mikromechanische Struktur;
Fig. 5 die erfindungsgemäße mikromechanische Struktur aus Fig. 4 zu einem späteren Prozeßzeitpunkt;
Fig. 6 die erfindungsgemäße mikromechanische Struktur aus Fig. 5, wobei der Verbundkörper in Einzelchips se­ pariert ist;
Fig. 7a ein Querschnitt durch eine erfindungsgemäße mikro­ mechanische Struktur;
Fig. 7b Die Draufsicht auf die erfindungsgemäße mikromecha­ nische Struktur aus Fig. 7a, zur Ausbildung eines Chips mit elektrischen Kontakten an einer Seite des Chips;
Fig. 8a Ein Querschnitt durch eine weitere erfindungsgemäße mikromechanische Struktur;
Fig. 8b die Draufsicht auf die in Fig. 8a dargestellte mi­ kromechanische Struktur, wobei elektrische Kontakte so angeordnet sind, daß bei dem Zertrennen des Ver­ bundkörpers einzelne Chips entstehen, die elektri­ sche Kontakte auf zwei gegenüber liegenden Seiten aufweisen;
Fig. 9a ein Querschnitt durch eine weitere mikromechanische Struktur;
Fig. 9b die Draufsicht auf die in Fig. 9a dargestellte mi­ kromechanische Struktur, wobei die elektrischen Kontakte so angeordnet sind, daß die Chips nach dem Zertrennen elektrische Kontakte an zwei benachbar­ ten Seiten aufweisen;
Fig. 10a eine weitere erfindungsgemäße mikromechanische Struktur im Querschnitt;
Fig. 10b die Draufsicht auf die in Fig. 10a dargestellte mikromechanische Struktur, wobei elektrische Kon­ takte so angeordnet sind, daß jeder Chip nach dem Zertrennen an drei benachbarten Seiten elektrische Kontakte aufweist.
In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße mikromechanische Struk­ tur dargestellt, die aus einem Grundkörper 1 besteht, und mit dem Abdeckkörper 2 an einer gemeinsamen Grenzfläche 3 verbun­ den ist. Auf dem Grundkörper 1 ist dabei eine mikromechani­ sche Struktur 17 und ein elektrischer Kontakt 9 angeordnet. Der Grundkörper 1 ist seinerseits auf einem Träger 8 mon­ tiert, der in diesem Fall aus einer Folie 10 besteht. In die­ sem Fall ist also der Verbundkörper 4, der aus dem Grundkör­ per 1 und dem Abdeckkörper 2 besteht, auf die Folie 10 aufla­ miniert. In dem Verbundkörper 4 ist ein Hohlraum 5 angeord­ net, in dem sich der elektrische Kontakt 9 befindet. Weiter­ hin ist ein Hohlraum 18 in dem Verbundkörper entlang der ge­ meinsamen Grenzfläche 3 angeordnet, in dem sich die mikrome­ chanische Struktur 17 befindet. Nun wird der Abdeckkörper entlang der gestrichelten Linie 19 mit einer Kreissäge ange­ sägt. Dabei bleibt der elektrische Kontakt 9 und der Grund­ körper 1 größtenteils unversehrt.
Anschließend wird der Verbundkörper 4 von dem Träger 8 abge­ löst und mit Bezug auf Fig. 2 mit dem Abdeckkörper auf den Träger 8 montiert, indem der Abdeckkörper 2 auf die Folie 10 auflaminiert wird.
Deutlich ist in Fig. 2 die Öffnung 16 zu erkennen, die durch die Ansägung 19 des Abdeckkörpers 2 entstanden ist. Mit einem weiteren Sägeschritt 20 wird der Verbundkörper durchtrennt. Dabei verläuft die Sägung so, daß der Hohlraum 5 zumindest teilweise durchsägt wird, so daß der in Fig. 3 dargestellte vereinzelte Chip 11 entsteht.
Die erste Sägung 19 wird so durchgeführt, daß keine Bruch­ stücke aus dem Abdeckkörper 2 herausgetrennt werden, die das Sägeblatt zerstören könnten. Die Durchsägung 20 wird so durchgeführt, daß die Schnittiefe ausreicht, den Verbundkör­ per als Gesamtes zu durchtrennen, jedoch der Träger 8 seine Funktion als Trägermaterial beibehält, und nicht durchtrennt wird.
Mit Bezug auf Fig. 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt. Der Unterschied zu Fig. 1 besteht darin, daß der Abdeckkörper 2 größtenteils unstrukturiert ist und der Hohlraum 5 mit dem in ihm befindlichen elektrischen Kontakt 9 als auch der weitere Hohlraum 18 mit der in ihm be­ findlichen mikromechanischen Struktur 17 in dem Grundkörper 1 ausgebildet sind. Der Vorteil der in Fig. 4 dargestellten Variante der Erfindung besteht in der Verwendbarkeit eines unstrukturierten Abdeckkörpers 2. Auch hier wird der Abdeck­ körper 2 an einer nach außen weisenden Oberfläche 7 einge­ sägt, so daß das Material 6 entfernt wird.
Anschließend wird der Verbundkörper 4 von dem Trägermateri­ al 8 gelöst und mit Bezug auf Fig. 5 mit dem Abdeckkörper 2 auf das Trägermaterial, das in diesem Fall aus einer Folie besteht, auflaminiert. Mit Bezug auf Fig. 5 wird der Ver­ bundkörper 4 entlang der gestrichelten Linie 20 durchgesägt, wobei ein vereinzelter Chip 11 entsteht.
In Fig. 6 ist ein vereinzelter Chip bestehend aus einem Grundkörper 1, einem Abdeckkörper 2, die an einer gemeinsamen Grenzfläche 3 verbunden sind, dargestellt. Weiterhin befindet sich in dem Hohlraum 18, der zwischen dem Grundkörper 1 und dem Abdeckkörper 2 angeordnet ist, eine mikromechanische Struktur 17.
Mit Bezug auf Fig. 7a und Fig. 7b wird ein Sägeverfahren beschrieben, mit dem aus einem Verbundkörper 4 vereinzelte Chips 11 heraus gesägt werden können, die elektrische Kontak­ te an einer Seite aufweisen. In Fig. 7b ist die Draufsicht auf einen Verbundkörper 4 dargestellt. Schraffiert unterlegt ist der später entstehende vereinzelte Chip 11. In dem Ver­ bundkörper befindet sich ein Hohlraum 5, der mit einer Ansä­ gung 19 des Abdeckkörpers 2 geöffnet wird. Mit der Durchsä­ gung 20 wird der Verbundkörper in Einzelchips 11 zerlegt. Nach dem Zerlegen in Einzelchips befinden sich elektrische Kontakte 12 an einer Seite des Chips 11.
Mit Bezug auf Fig. 8a und Fig. 5b wird ein Sägeverfahren zur Herstellung von Einzelchips beschrieben, bei denen elek­ trische Kontakte auf einer Seite 13 und auf einer gegenüber liegenden Seite 15 angeordnet sind.
Mit Bezug auf Fig. 8b sind zwei Reihen von elektrischen Kon­ takten 9 in dem Hohlraum 5 angeordnet. Mit einer Ansägung 19 des Abdeckkörpers 2 wird der Hohlraum 5 geöffnet. Anschlie­ ßend wird der Verbundkörper mit dem Abdeckkörper auf eine Fo­ lie 10 laminiert und der Verbundkörper mit der Durchsägung 20 in vereinzelte Chips zerteilt.
Mit Bezug auf Fig. 9a und Fig. 9b ist ein weiteres Ausfüh­ rungsbeispiel für die Sägung eines Verbundkörpers darge­ stellt.
Mit Bezug auf Fig. 9b sind elektrische Kontakte 9 an zwei Seiten des Chips angeordnet. Zunächst wird der Hohlraum 5 mit der Ansägung 19 geöffnet, anschließend wird der Abdeckkör­ per 2 auf die Folie 10 laminiert und der Verbundkörper 4, be­ stehend aus Grundkörper und Abdeckkörper, wird als Ganzes zersägt. Bei der Zersägung entstehen vereinzelte Chips 11, die elektrische Kontakte an zwei benachbarten Seiten aufwei­ sen.
Mit Bezug auf Fig. 10a und Fig. 10b wird ein Herstellungs­ verfahren für vereinzelte Chips beschrieben, die elektrische Kontakte an drei benachbarten Seiten aufweisen.
Auf einem Grundkörper 1 werden zwei Reihen von elektrischen Kontakten 9 angeordnet. Anschließend wird ein Abdeckkörper 2 mit dem Grundkörper 1 verbunden, so daß die elektrischen Kon­ takte 9 in den Hohlraum 5 angeordnet sind. Mit einer Ansä­ gung 19 des Abdeckkörpers 2 wird der Hohlraum 5 geöffnet. An­ schließend wird der Verbundkörper mit dem Abdeckkörper auf eine Folie 10 laminiert. Mit der Durchsägung 20 wird der Ver­ bundkörper 4 in vereinzelte Chips 11 zersägt.
Durch das in dem oben beschriebenen Verfahren verwendete zweiseitige Sägen des Verbundkörpers 4 mit verschiedenen Sä­ getiefen, können die elektrischen Kontakte frei gelegt wer­ den, ohne daß sich Stücke des Abdeckwafers lösen und in der Sägespülung abgeschwemmt werden. Die elektrischen Kontakte sind dabei in Hohlräumen angeordnet, die in einem ersten Sä­ geschritt geöffnet werden, indem der Abdeckkörper 2 eingesägt wird. Bei diesem ersten Sägeprozeß ist der Verbundkörper 4 mit dem Grundkörper 1 auf die Folie 10 laminiert. Die Säge­ tiefe ist dabei so zu wählen, daß nur der Abdeckkörper durch­ trennt wird und die Strukturen auf dem Grundkörper erhalten bleiben. Die Sägelinien sind dabei so angeordnet, daß be­ stimmte Teile des Hohlraums 5 tangiert werden, aber keine "losen Teile" aus dem Abdeckkörper 2 heraus gesägt werden.
Das bedeutet, daß Stützen erhalten bleiben an denen die ange­ sägten Teile des Abdeckkörpers zunächst befestigt bleiben. Nach dem ersten Sägeschritt wird der Verbundkörper von der Folie entfernt und mit dem Abdeckkörper erneut auf die Folie laminiert. In einem zweiten Sägeschritt wird der Verbundkör­ per, der aus dem Grundkörper und dem Abdeckkörper besteht, vollständig durchtrennt. Nach dem zweiten Sägeschritt sind vereinzelte Chips entstanden, die auf der Folie kleben. Diese können nun mit Standardverfahren von der Sägefolie gelöst werden. Die Teile des Abdeckkörpers, die über den elektri­ schen Kontakten lagen, bleiben auf der Sägefolie kleben.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur mit folgenden Verfahrensschritten:
  • - Zusammenfügen eines Grundkörpers (1) mit einem Abdeckkör­ per (2) entlang einer gemeinsamen Grenzfläche (3), zu ei­ nem Verbundkörper (4), wobei im Verbundkörper (4) entlang der Grenzfläche (3) ein Hohlraum (5) ausgebildet wird,
dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlraum (5) durch Abtragen von Material (6) im Bereich einer Oberfläche (7) des Verbundkörpers (4) geöffnet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlraum (5) geöffnet wird, indem das Material (6) in dem Bereich einer Oberfläche (7) des Verbundkörpers (4) zumindest teilweise mit einer Kreissäge eingesägt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß der Verbundkörper (4) zum Sägen des Abdeckkörpers (2) mit ei­ ner Oberfläche des Grundkörpers (1) auf einem Träger (8) an­ geordnet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, daß der Verbundkörper (4) zum Sägen des Grundkörpers (1) mit ei­ ner Oberfläche des Abdeckkörpers (2) auf einem Träger (8) an­ geordnet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, daß ein in dem Hohlraum (5) gebildeter elektrischer Kontakt (9) zumindest teilweise freigelegt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, daß in dem Deckkörper (3) eine Vertiefung gebildet wird, die nach dem Zusammenfügen des Grundkörpers (1) und des Abdeckkörpers (2) den Hohlraum (5) bildet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, daß in dem Grundkörper (1) eine Vertiefung gebildet wird, die nach dem Zusammenfügen des Grundkörpers (1) und des Abdeck­ körpers (2) den Hohlraum (5) bildet.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Grundkörper (1) um Silizium, Galliumarsenid, Keramik oder Glas handelt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, daß der Abdeckkörper (2) mittels eutektischem Bonden, Silizium- Fusions-Bonden, anodischem Bonden, Kleben und/oder Löten mit dem Grundkörper (1) zusammengefügt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9 dadurch gekennzeichnet, daß der Abdeckkörper (2) aus Silizium, Glas oder Kunststoff be­ steht.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10 dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) auf eine Folie (10) laminiert wird und der Abdeckkörper (2) mit Sägeschnitten durchtrennt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 dadurch gekennzeichnet, daß der Verbundkörper (4) mit dem Abdeckkörper (2) auf eine Folie laminiert wird und weitere Sägeschnitte den Verbundkörper (4) durchsägen, wobei ein vereinzelter Chip (11) herausgesägt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12 dadurch gekennzeichnet, daß der vereinzelte Chip (11) mit einer Vakuumpipette von der Fo­ lie gelöst wird und die Teile des Abdeckkörpers (2), die oberhalb des elektrischen Kontakts (9) angeordnet waren, auf der Folie verbleiben.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13 dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zersägen des Verbundkörpers (4) ein Chip (11) elek­ trische Kontakte (12) an mindestens einer Seite (13) auf­ weist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14 dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zersägen des Verbundkörpers (4) der Chip (11) elek­ trische Kontakte (12) an der Seite (13) und mindestens einer benachbarten Seite (14) aufweist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15 dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zersägen des Verbundkörpers (4) der Chip (11) elek­ trische Kontakte (12) an der Seite (13) und einer gegenüber­ liegenden Seite (15) aufweist.
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