DE19744267B4 - Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Flüssigkristallzelle - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden Schritten:
Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht für eine vorbestimmte Zeitdauer; und
Belichten der Ausrichtungsschicht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der Ausrichtungsschicht zu steuern.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallzelle und insbesondere ein Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Flüssigkristallzelle.
  • Bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD, liquid crystal display), die eine gleichmäßige Helligkeit und ein hohes Kontrastverhältnis aufweisen, ist es erforderlich, die Flüssigkristallmoleküle in der Zelle in einer vorbestimmten Richtung auszurichten. Das dafür am weitesten verbreitete Verfahren ist das Reibverfahren. Bei diesem Reibverfahren wird die Ausrichtungsschicht, wie eine mit einem Polyamid oder mit einem Polyamid beschichtete Schicht, mechanisch mit einem Tuch o.ä. gerieben, so daß in der Oberfläche der Ausrichtungsschicht Mikrorillen gebildet werden.
  • Aufgrund der periodischen Struktur der in den LCD-Substraten erzeugten Mikrorillen wird die elastische Deformationsenergie des Flüssigkristallmaterials minimiert, indem der Flüssigkristalldirektor gezwungen wird, sich derart auszurichten, daß seine Projektion auf die Substratebene zu den Mikrorillen parallel oder antiparallel ist. Bei dem Reibverfahren entstandene fehlerhafte Mikrorillen führen jedoch zu statistischen Phasenverschiebungen und zu Lichtstreuung, wodurch die Bildqualität schlecht ist. Ferner werden bei dem Reibverfahren durch das Reiben mit einem Reibtuch Staub und elektrostatische Aufladungen auf der Ausrichtungsschicht erzeugt, die das Substrat zerstören können, was zu einer verringerten Produktausbeute führt.
  • Um das Problem der Zerstörungen des Substrates und der somit verringerten Produktausbeute zu lösen, ist ein Fotoausrichtungsverfahren entwickelt worden, bei dem ultraviolettes Licht (UV-Licht) verwendet wird (T. Hashimoto et al. Digest SID 95 p. 877-880). Bei dem Hashimoto-Verfahren wird die Ausrichtungsschicht, die ein auf Polyvinylcinnamat (PVCN) basierendes Polymer aufweist, mit UV-Licht einmal in vertikaler Richtung und einmal in schräger Richtung relativ zur Oberfläche der Ausrichtungsschicht belichtet, um in dieser eine Orientierungsrichtung (d.h. Projektion des Direktors der von der Ausrichtungsschicht ausgerichteten Flüssigkristallmoleküle auf die Substratebene) auszubilden. Das heißt, daß, wie aus 1A ersichtlich, nur die in Richtung der y-Achse zeigenden Seitenketten des Polymers dimerisiert werden und die anderen, in der x-z-Ebene liegenden Seitenketten undimerisiert bleiben, wenn die Ausrichtungsschicht vertikal mit UV-Licht belichtet wird, dessen Polarisationsrichtung parallel zur y-Achse ist.
  • In den 1A und 1B bezeichnen die gestrichelten Pfeile die Dimerisierungsrichtungen des Polymers, und die durchgezogenen Pfeile bezeichnen die Richtungen der undimerisierten, in der x-z-Ebene liegenden Seitenketten. Durch das vertikale Einstrahlen von UV-Licht werden die optischen Konstanten in der y-z-Ebene parallel zur z-Achse ausgerichtet, während die optischen Konstanten in der x-z-Ebene weiterhin anisotrop sind. Wenn die Ausrichtungsschicht schräg mit UV-Licht belichtet wird, dessen Polarisationsrichtung parallel zur x-z-Ebene ist, wie aus 1C ersichtlich, werden die parallel zur Polarisationsrichtung des Lichtes stehenden Seitenketten dimerisiert, so daß nur die parallel zur Einstrahlrichtung stehenden Seitenketten undimerisiert bleiben.
  • Die undimerisierten Seitenketten treten mit den Flüssigkristallmolekülen derart in Wechselwirkung, daß diese ausgerichtet werden. Dabei hängt der Kippwinkel (Winkel zwischen der Ebene der Ausrichtungsschicht und dem Direktor der Flüssigkristallmoleküle) von dem Einstrahlwinkel des UV-Lichtes relativ zur Ebene der Ausrichtungsschicht ab. Wenn der Einstrahlwinkel z.B. 30°, 45° bzw. 60° beträgt, beträgt der Kippwinkel ca. 0,15°, 0,26° bzw. 0,30°.
  • Das Hashimoto-Verfahren ist jedoch aufwendig, da die Ausrichtungsschicht zweimal mit UV-Licht belichtet werden muß. Ferner sind die erzielbaren Kippwinkel sehr klein, so daß gewünschte große Kippwinkel nicht erzielbar sind. Erfindungsgemäß werden für die Ausrichtungsschicht bevorzugt auf Polysiloxan basierende Materialien und/oder Polyvinylfluorcinnamat (PVCN-F) verwendet. Die Strukturformeln zweier Polysiloxancinnamate und von PVCN-F sind im folgenden angegeben. Dabei sind Polysiloxancinnamat I und Polysiloxancinnamat II Beispiele für auf Polysiloxan basierende Materialien. PVCN-F:
    Figure 00030001
    n = 300-6000 Polysiloxancinnamat I:
    Figure 00030002
    Polysiloxancinnamat II:
    Figure 00030003
    • Z = OH, CH3, oder eine Mischung davon
    • m = 10-100
    • l = 1-11
    • L = 0 oder 1
    • K = 0 oder 1
    • X, X1, X2, Y = H, F, Cl, CN, CF3, CnH2n+1 oder OCnH2n+1 (n=1-10)
  • Wie aus 2 ersichtlich, hängt der Kippwinkel in der Polysiloxan oder PVCN-F aufweisenden Ausrichtungsschicht vom Betrag der in derselben absorbierten UV-Lichtenergie ab, d.h. von der Belichtungsdauer und der Intensität des UV-Lichtes. Je größer die absorbierte Energie ist, umso geringer ist der Kippwinkel. Somit wird die Orientierungsrichtung von der Polarisationsrichtung des UV-Lichtes festgelegt, und die Größe des Kippwinkels hängt von der absorbierten UV-Lichtenergie ab.
  • Die Größe des Kippwinkels ist sehr wichtig für die Qualität der Flüssigkristallanzeigevorrichtung. Im Falle eines großen Kippwinkels weisen die entsprechend der Orientierungsrichtung der Ausrichtungsschicht ausgerichteten Moleküle eine hohe Ansprechgeschwindigkeit auf, so daß ein sich schnell veränderndes Bild erreichbar ist. Im Falle eines geringen Kippwinkels, kann sich das Bild nur langsam verändern, und somit ist die Bildqualität schlecht. Da im Falle eines großen Kippwinkels die Flüssigkristallmoleküle außerdem empfindlich auf eine geringe Ansteuerspannung reagieren, verringert sich der Stromverbrauch.
  • Wie aus 2 ersichtlich, ist der Kippwinkel in einer Ausrichtungsschicht aus Polysiloxan oder PVCN-F im Bereich zwischen 0° und 90° steuerbar. Da die Steigung der für die absorbierten Energie charakteristischen Kurve, d.h. der Kurve, die die Abhängigkeit des Kippwinkels von der Belichtungsdauer und der eingestrahlen Lichtintensität angibt, im Bereich Δx sehr steil ist, verändert sich die Größe des Kippwinkels in Abhängigkeit von der Belichtungsdauer in dem Bereich Δx sehr stark. Dementsprechend ist es sehr schwierig, den Kippwinkel in diesem Bereich zu steuern. Praktisch ist der Kippwinkel im Bereich 3°-5° gut steuerbar, im Bereich Δx ist er jedoch nur schlecht steuerbar.
  • Da, wie oben beschrieben, der Kippwinkel in den auf Polysiloxan basierenden Materialien oder in PVCN-F derart beschränkt ist, daß er lediglich 3°-5° größer als der mit dem Hashimoto-Verfahren erzielbare Kippwinkel ist, ist es nicht möglich, einen Kippwinkel mit gewünschter Größe zu erzielen. Da sich der Kippwinkel ferner stark in Abhängigkeit von der in der Ausrichtungsschicht absorbierten Energie ändert, kann der Kippwinkel nicht präzise gesteuert werden.
  • Aus DE 40 15 869 A1 ist es bekannt, beim Aufbringen einer Orientierungsschicht aus einem hochfluorierten, vorzugsweise perfluorierten aliphatischen Polymer auf eine Substratplatte zur Einstellung des Kippwinkels in der Orientierungsschicht eine Wärmebehandlung der Substratplatte durchzuführen.
  • Aus EP 0 525 478 A2 ist es bekannt, in einer Flüssigkristallanzeigezelle Orientierungsschichten aus Photopolymeren zu verwenden, welche durch Einstrahlen von linear polarisiertem Licht polymerisiert werden und Flüssigkristalle, die mit ihnen in Kontakt kommen, in eine Vorzugsrichtung zu orientieren. Ferner ist aus DE 44 20 585 A1 ein Verfahren zur Herstellung multidirektionaler Orientierungsschichten bekannt, bei dem ein photohärtbarer Precursor, welcher eine oder mehrere im wesentlichen lineare Photopolymere und/oder Oligomere enthält, auf ein Substrat aufgebracht und nachfolgend mit linear polarisiertem Licht unter zwei oder mehr verschiedenen Azimutwinkeln beaufschlagt wird.
    •
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum präzisen Steuern des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. 2 gelöst.
  • Ein Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle weist gemäß einem Gesichtspunkt der Erfindung folgende Schritte auf:
    Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht für eine vorbestimmte Zeitdauer, und Belichten der Ausrichtungsschicht, um den Kippwinkel und die Orientierungsrichtung in der Ausrichtungsschicht zu steuern.
  • Erfindungsgemäß wird die in der Ausrichtungsschicht absorbierte thermische Energie gesteuert.
  • Der Kippwinkel in einer Ausrichtungsschicht aus z.B. auf Polysiloxan basierenden Materialien oder PVCN-F hängt von der in der Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie ab. Bei konstanter UV-Lichtabsorptionsenergie und konstanter Ausheiztemperatur ist der Kippwinkel umso kleiner, je größer die Ausheizdauer ist. Bei konstanter UV-Lichtabsorptionsenergie und konstanter Ausheizdauer ist der Kippwinkel umso geringer, je größer die Ausheiztemperatur ist. Bei der Kurve, die die Abhängigkeit des Kippwinkels von der absorbierten UV-Lichtenergie beschreibt, hängt die Steigung der Kurve von der absorbierten thermischen Energie ab.
  • Bei konstanter UV-Lichtabsorptionsenergie und konstanter Ausheizdauer ist der Kippwinkel umso größer, je größer die Dicke der Ausrichtungsschicht ist.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Ausrichtungsschicht mit polarisiertem UV-Licht bestrahlt, um auf diese Weise zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen auszubilden, die jeweils senkrecht zur Polarisationsrichtung des eingestrahlten Lichtes sind, und dann wird die Ausrichtungsschicht ein zweites Mal mit polarisiertem UV-Licht oder mit unpolarisiertem UV-Licht bestrahlt, um eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen auszuwählen. Ferner kann die Orientierungsrichtung durch ein einmaliges Belichten der Ausrichtungsschicht mit UV-Licht und anschließendes Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen zwei jeweils eine derartig einmal belichtete Ausrichtungsschicht aufweisende LCD-Substrate in einer vorbestimmter Richtung festgelegt werden, wobei eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen gleichermaßen in den beiden Ausrichtungsschichten durch den auf die jeweilige Oberfläche der Ausrichtungsschicht wirkenden Fließeffekt ausgewählt wird.
  • Die Ausrichtung in der Ausrichtungsschicht kann auch durch einfaches schräges Bestrahlen der Ausrichtungsschicht mit polarisiertem UV-Licht erzielt werden.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung weist ein Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle folgende Schritte auf: Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht für eine vorbestimmte Zeitdauer, Belichten der Ausrichtungsschicht, um zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen auszubilden, und Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen zwei zusammengebaute Substrate, wobei mittels des Fließeffektes des Flüssigkristallmaterials eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen ausgewählt wird.
    •
  • Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1A, 1B und 1C schematisch ein herkömmliches Fotoausrichtungsverfahren;
  • 2 einen Graph, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten Energie gemäß dem herkömmlichen Verfahren ersichtlich ist;
  • 3 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten Energie gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist;
  • 4 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der Ausheizdauer gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist;
  • 5 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels von der Ausheizdauer bei verschiedenen Ausheiztemperaturen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist;
  • 6 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten Energie für zwei unterschiedlich dicke Ausrichtungsschichten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist.
  • Um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der Ausrichtungsschicht festzulegen, muß die auf das Substrat aufgebrachte Ausrichtungsschicht aus auf Polysiloxan basierenden Materialien oder aus PVCN-F für eine vorbestimmte Dauer ausgeheizt werden, bevor die Ausrichtungsschicht mit UV-Licht belichtet wird. Der Zusammenhang zwischen der in der Ausrichtungsschicht absorbierten UV-Lichtenergie Euv und dem Kippwinkel θp für verschiedene Ausheizdauern ist aus 3 ersichtlich. In dieser Figur geben die mit a, b und c bezeichneten Kurven die Abhängigkeit des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten UV-Lichtenergie bei Ausheizdauern von 5, 4 bzw. 3 Stunden bei einer Ausheiztemperatur im Bereich von 180°-220°C an. Ferner geben die Bereiche Δax, Δbx und Δcx Bereiche der absorbierten UV-Lichtenergie an, innerhalb derer der Kippwinkel mit größer werdender, in der Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Lichtenergie von einem für alle Kurven gleichen Anfangswert auf einen für alle Kurven gleichen Endwert fällt.
  • Wie aus 3 ersichtlich, ist dieser Bereich der UV- Lichtenergie umso größer, je kürzer die Ausheizdauer der Ausrichtungsschicht ist, d.h. Δax<Δbx<Δcx. Das heißt, daß die Kurven umso steiler werden, je länger die Ausheizdauer ist. Durch Steuern der absorbierten UV-Lichtenergie, d.h. z.B. der Belichtungsdauer, kann (in den oben genannten Bereichen) ein Kippwinkel θp erzielt werden, der wesentlich größer ist als gemäß dem herkömmlichen Verfahren, und somit ist eine korrekte Steuerung des Kippwinkels θp möglich.
  • Aus 4 ist die Abhängigkeit des Kippwinkels von der Ausheizdauer H bei verschiedenen Ausheiztemperaturen und konstanter in der Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Lichtenergie ersichtlich. Dargestellt sind Kurven für Ausheiztemperaturen von ca. 150°C, 200°C bzw. 250°C. Diese Kurven basieren auf Messungen, die nach dem Ausheizen und dem Belichten der Ausrichtungsschicht durchgeführt wurden. Bei konstanter UV-Lichtenergie Euv und konstanter Ausheiztemperatur ist der Kippwinkel θp umso geringer, je länger die Ausheizdauer H ist, wie aus 4 ersichtlich. Bei konstanter in der Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Lichtenergie Euv und konstanter Ausheizdauer H ist der Kippwinkel θp umso geringer, je höher die Ausheiztemperatur ist. Somit ist der Kippwinkel θp umso geringer, je größer die in der Ausrichtungsschicht absorbierte thermische Energie ist.
  • Wie aus 5 ersichtlich, hängt der Kippwinkel θp auch von der Dicke der Ausrichtungsschicht aus auf Polysiloxan basierenden Materialien oder PVCN-F ab. Das heißt, daß der Kippwinkel θp umso größer ist, je dicker die Ausrichtungsschicht ist. In dieser Figur ist entlang der horizontalen Achse die in der Ausrichtungsschicht absorbierte UV-Lichtenergie Euv und entlang der vertikalen Achse der Kippwinkel θp aufgetragen. Die Kurven a und b sind die charakteristischen Kurven für eine Ausrichtungsschicht mit einer Dicke von 40 Å (Kurve a) bzw. 800 Å (Kurve b) bei konstanter Ausheizdauer. Wie aus der Figur ersichtlich, ist die Größe des Kippwinkels θp bei einer dickeren Ausrichtungsschicht besser steuerbar, da die Größe des Kippwinkels θp wie auch der Bereich der UV-Lichtenergie, in dem sich der Kippwinkel θp von o.g. Anfangswert auf o.g. Endwert fällt, groß sind. Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird vertikal mit polarisiertem UV-Licht belichtet, um zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen und den Kippwinkel relativ zur Normalrichtung der Fläche der Ausrichtungsschicht festzulegen. Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird dann schräg mit nichtpolarisiertem UV-Licht belichtet, um eine der einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen auszuwählen. Die ausgewählte Orientierungsrichtung schließt mit der Richtung des eingestrahlten zweiten UV-Lichtes einen spitzen Winkel ein.
  • Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht kann schräg mit nichtpolarisiertem Licht belichtet werden gefolgt von einer vertikalen Belichtung mit polarisiertem UV-Licht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel festzulegen. Ferner kann die Orientierungsrichtung durch erstes Belichten der ausgeheizten Ausrichtungsschicht mit nichtpolarisiertem UV-Licht und zweites schräges Belichten mit polarisiertem UV-Licht festgelegt werden. Es ist auch möglich, die Ausrichtungsschicht schräg mit nichtpolarisiertem UV-Licht zu belichten gefolgt von einem schrägen Belichten mit polarisiertem UV-Licht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel festzulegen.
  • Ein anderes Verfahren zum Auswählen der Orientierungsrichtung nutzt den Fließeffekt des Flüssigkristallmaterials aus. Wenn die ausgeheizte Ausrichtungsschicht vertikal mit polarisiertem UV-Licht belichtet wird, werden zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen in der Ausrichtungsschicht ausgebildet. Danach wird eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen, die der Fließrichtung des zwischen die zusammengebauten Substrate eingespritzten Flüssigkristallmaterials entspricht, ausgewählt. Dabei hängt die Größe des Kippwinkels θp ebenfalls von der in der Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie und der in der Ausrichtungsschicht absorbierten UV-Energie ab.
  • Außerdem kann die Orientierungsrichtung durch ein einmaliges Belichten mit polarisiertem UV-Licht festgelegt werden. Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird schräg mit polarisiertem UV-Licht belichtet, wie aus 6 ersichtlich. Beim Belichten der Ausrichtungsschicht mit UV-Licht werden die parallel zur Polarisationsrichtung des UV-Lichtes liegenden Seitenketten dimerisiert (in 6 mit
    Figure 00110001
    bezeichnet), so daß nur die Seitenketten (in 6 mit
    Figure 00110002
    bezeichnet), die im wesentlichen parallel zur Einstrahlrichtung des UV-Lichtes liegen, undimerisiert bleiben. Die Flüssigkristallmoleküle wechselwirken mit den Seitenketten des Polymers, wodurch die Flüssigkristallmoleküle in der Richtung parallel zur Einstrahlrichtung ausgerichtet werden. Dabei ist der aus 6 ersichtliche Winkel θ der Winkel der Seitenketten des Polymers relativ zur Oberfläche der Ausrichtungsschicht. Dieser Winkel wird der Kippwinkel d.h. der Winkel zwischen den Flüssigkristallmolekülen und der Ebene der Ausrichtungsschicht, nachdem die Flüssigkristallmoleküle zwischen einander gegenüberliegende Ausrichtungsschichten eingespritzt wurden.
  • Bei der oben beschriebenen Erfindung kann, da die Größe des Kippwinkels von der in der Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie abhängt, der Kippwinkel mit gewünschter Größe bei dem Fotoausrichtungsverfahren korrekt gesteuert werden. Somit ist die Qualität des Bildes verbessert. Zusätzlich ist, da durch Steuern der absorbierten thermischen Energie und der Dicke der Ausrichtungsschicht ein großer Kippwinkel erzielbar ist, die Ansprechgeschwindigkeit der Flüssigkristallmoleküle erhöht, was zu einer Verringerung des Stromverbrauchs führt.

Claims (15)

  1. Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden Schritten: Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht für eine vorbestimmte Zeitdauer; und Belichten der Ausrichtungsschicht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der Ausrichtungsschicht zu steuern.
  2. Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden Schritten: Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht für eine vorbestimmte Zeitdauer; Belichten der Ausrichtungsschicht, um zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen auszubilden; und Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen zwei zusammengebaute Substrate, wobei mittels des Fließeffektes des Flüssigkristallmaterials eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen ausgewählt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Licht ultraviolettes Licht aufweist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Ausrichtungsschicht lichtempfindliche Materialien aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die lichtempfindlichen Materialien Polyvinylfluorcinnamat und/oder auf Polysiloxan basierende Materialien aufweisen.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Größe des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der auf diese übertragenen thermischen Energie abhängt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Größe des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der Größe der beim Belichten in der Ausrichtungsschicht absorbierten Lichtenergie abhängt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Größe des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht von der Dicke derselben abhängt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Übertragen von thermischer Energie einen Schritt aufweist, in dem die Ausrichtungsschicht während der vorbestimmten Zeitdauer bei einer vorbestimmten Temperatur ausgeheizt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Belichtung der Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist: Belichten der Ausrichtungsschicht mit auf die Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisiertem Licht; und schräges Belichten der Ausrichtungsschicht mit nichtpolarisiertem Licht.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist: Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisiertem Licht; und Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisiertem Licht.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist: Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisiertem Licht; und Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisiertertem Licht.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist: Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem nichtpolarisiertem Licht; und Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisiertertem Licht.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der Ausrichtungsschicht einen Schritt aufweist, in dem die Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisiertertem Licht bestrahlt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Belichten der Ausrichtungsschicht einen Schritt aufweist, in dem die Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisiertem Licht belichtet wird.
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