DE19744267A1 - Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer Flüssigkristallzelle - Google Patents
Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer FlüssigkristallzelleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine
Flüssigkristallzelle und insbesondere ein Verfahren zum Steuern
des Kippwinkels in einer Flüssigkristallzelle.
Bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
(LCD, liquid crystal display), die eine gleichmäßige Helligkeit
und ein hohes Kontrastverhältnis aufweisen, ist es
erforderlich, die Flüssigkristallmoleküle in der Zelle in einer
vorbestimmten Richtung auszurichten. Das dafür am weitesten
verbreitete Verfahren ist das Reibverfahren. Bei diesem
Reibverfahren wird die Ausrichtungsschicht, wie eine mit einem
Polyimid oder mit einem Polyamid beschichtete Schicht,
mechanisch mit einem Tuch o. ä. gerieben, so daß in der
Oberfläche der Ausrichtungsschicht Mikrorillen gebildet werden.
Aufgrund der periodischen Struktur der in den LCD-Substraten
erzeugten Mikrorillen wird die elastische Deformationsenergie
des Flüssigkristallmaterials minimiert, indem der
Flüssigkristalldirektor gezwungen wird, sich derart
auszurichten, daß seine Projektion auf die Substratebene zu den
Mikrorillen parallel oder antiparallel ist. Bei dem
Reibverfahren entstandene fehlerhafte Mikrorillen führen jedoch
zu statistischen Phasenverschiebungen und zu Lichtstreuung,
wodurch die Bildqualität schlecht ist. Ferner werden bei dem
Reibverfahren durch das Reiben mit einem Reibtuch Staub und
elektrostatische Aufladungen auf der Ausrichtungsschicht
erzeugt, die das Substrat zerstören können, was zu einer
verringerten Produktausbeute führt.
Um das Problem der Zerstörungen des Substrates und der somit
verringerten Produktausbeute zu lösen, ist ein
Fotoausrichtungsverfahren entwickelt worden, bei dem
ultraviolettes Licht (UV-Licht) verwendet wird (T. Hashimoto et
al. Digest SID 95 p. 877-880). Bei dem Hashimoto-Verfahren wird
die Ausrichtungsschicht, die ein auf Polyvinylcinnamat (PVCN)
basierendes Polymer aufweist, mit UV-Licht einmal in vertikaler
Richtung und einmal in schräger Richtung relativ zur Oberfläche
der Ausrichtungsschicht belichtet, um in dieser eine
Orientierungsrichtung (d. h. Projektion des Direktors der von
der Ausrichtungsschicht ausgerichteten Flüssigkristallmoleküle
auf die Substratebene) auszubilden. Das heißt, daß, wie aus
Fig. 1A ersichtlich, nur die in Richtung der y-Achse zeigenden
Seitenketten des Polymers dimerisiert werden und die anderen,
in der x-z-Ebene liegenden Seitenketten undimerisiert bleiben,
wenn die Ausrichtungsschicht vertikal mit UV-Licht belichtet
wird, dessen Polarisationsrichtung parallel zur y-Achse ist.
In den Fig. 1A und 1B bezeichnen die gestrichelten Pfeile
die Dimerisierungsrichtungen des Polymers, und die
durchgezogenen Pfeile bezeichnen die Richtungen der
undimerisierten, in der x-z-Ebene liegenden Seitenketten. Durch
das vertikale Einstrahlen von UV-Licht werden die optischen
Konstanten in der y-z-Ebene parallel zur z-Achse ausgerichtet,
während die optischen Konstanten in der x-z-Ebene weiterhin
anisotrop sind. Wenn die Ausrichtungsschicht schräg mit UV-Licht
belichtet wird, dessen Polarisationsrichtung parallel zur
x-z-Ebene ist, wie aus Fig. 1C ersichtlich, werden die
parallel zur Polarisationsrichtung des Lichtes stehenden
Seitenketten dimerisiert, so daß nur die parallel zur
Einstrahlrichtung stehenden Seitenketten undimerisiert bleiben.
Die undimerisierten Seitenketten treten mit den
Flüssigkristallmolekülen derart in Wechselwirkung, daß-diese
ausgerichtet werden. Dabei hängt der Kippwinkel (Winkel
zwischen der Ebene der Ausrichtungsschicht und dem Direktor der
Flüssigkristallmoleküle) von dem Einstrahlwinkel des UV-Lichtes
relativ zur Ebene der Ausrichtungsschicht ab. Wenn der
Einstrahlwinkel z. B. 30°, 45° bzw. 60° beträgt, beträgt der
Kippwinkel ca. 0,15°, 0,26° bzw. 0,30°.
Das Hashimoto-Verfahren ist jedoch aufwendig, da die
Ausrichtungsschicht zweimal mit UV-Licht belichtet werden muß.
Ferner sind die erzielbaren Kippwinkel sehr klein, so daß
gewünschte große Kippwinkel nicht erzielbar sind.
Erfindungsgemäß werden für die Ausrichtungsschicht bevorzugt
auf Polysiloxan basierende Materialien und/oder
Polyvinylfluorcinnamat (PVCN-F) verwendet. Die Strukturformeln
zweier Polysiloxancinnamate und von PVCN-F sind im folgenden
angegeben. Dabei sind Polysiloxancinnamat I und
Polysiloxancinnamat II Beispiele für auf Polysiloxan basierende
Materialien.
PVCN-F:
n = 300-6000
Polysiloxancinnamat I:
Polysiloxancinnamat I:
Polysiloxancinnamat II:
Z = OH, CH3, oder eine Mischung davon
m = 10-100
l = 1-11
L = 0 oder 1
K = 0 oder 1
x, x1, x2, y = H, F, Cl, CN, CF3, CnH2n+1 oder OCnH2n+1 (n = 1-10).
l = 1-11
L = 0 oder 1
K = 0 oder 1
x, x1, x2, y = H, F, Cl, CN, CF3, CnH2n+1 oder OCnH2n+1 (n = 1-10).
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, hängt der Kippwinkel in der
Polysiloxan oder PVCN-F aufweisenden Ausrichtungsschicht vom
Betrag der in derselben absorbierten UV-Lichtenergie ab, d. h.
von der Belichtungsdauer und der Intensität des UV-Lichtes. Je
größer die absorbierte Energie ist, umso geringer ist der
Kippwinkel. Somit wird die Orientierungsrichtung von der
Polarisationsrichtung des UV-Lichtes festgelegt, und die Größe
des Kippwinkels hängt von der absorbierten UV-Lichtenergie ab.
Die Größe des Kippwinkels ist sehr wichtig für die Qualität der
Flüssigkristallanzeigevorrichtung. Im Falle eines großen
Kippwinkels weisen die entsprechend der Orientierungsrichtung
der Ausrichtungsschicht ausgerichteten Moleküle eine hohe
Ansprechgeschwindigkeit auf, so daß ein sich schnell
veränderndes Bild erreichbar ist. Im Falle eines geringen
Kippwinkels, kann sich das Bild nur langsam verändern, und
somit ist die Bildqualität schlecht. Da im Falle eines großen
Kippwinkels die Flüssigkristallmoleküle außerdem empfindlich
auf eine geringe Ansteuerspannung reagieren, verringert sich
der Stromverbrauch.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, ist der Kippwinkel in einer
Ausrichtungsschicht aus Polysiloxan oder PVCN-F im Bereich
zwischen 0° und 90° steuerbar. Da die Steigung der für die
absorbierten Energie charakteristischen Kurve, d. h. der Kurve,
die die Abhängigkeit des Kippwinkels von der Belichtungsdauer
und der eingestrahlen Lichtintensität angibt, im Bereich Δx
sehr steil ist, verändert sich die Größe des Kippwinkels in
Abhängigkeit von der Belichtungsdauer in dem Bereich Δx sehr
stark. Dementsprechend ist es sehr schwierig, den Kippwinkel in
diesem Bereich zu steuern. Praktisch ist der Kippwinkel im
Bereich 3°-5° gut steuerbar, im Bereich Δx ist er jedoch nur
schlecht steuerbar.
Da, wie oben beschrieben, der Kippwinkel in den auf Polysiloxan
basierenden Materialien oder in PVCN-F derart beschränkt ist,
daß er lediglich 3°-5° größer als der mit dem Hashimoto-Ver
fahren erzielbare Kippwinkel ist, ist es nicht möglich,
einen Kippwinkel mit gewünschter Größe zu erzielen. Da sich der
Kippwinkel ferner stark in Abhängigkeit von der in der
Ausrichtungsschicht absorbierten Energie ändert, kann der
Kippwinkel nicht präzise gesteuert werden.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum präzisen
Steuern des Kippwinkels in der Ausrichtungsschicht
bereit zustellen.
Dies wird erfindungsgemäß durch Steuern der in der
Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie erzielt.
Das erfindungsgemäße Verfahren weist gemäß eines
Gesichtspunktes der Erfindung folgende Schritte auf: Übertragen
von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit ultraviolettem Licht, um
den Kippwinkel und die Orientierungsrichtung in der
Ausrichtungsschicht festzulegen.
Der Kippwinkel in einer Ausrichtungsschicht aus z. B. auf
Polysiloxan basierenden Materialien oder PVCN-F hängt von der
in der Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie ab.
Bei konstanter UV-Lichtabsorbtionsenergie und konstanter
Ausheiztemperatur ist der Kippwinkel umso kleiner, je größer
die Ausheizdauer ist. Bei konstanter UV-Lichtabsorbtionsenergie
und konstanter Ausheizdauer ist der Kippwinkel umso geringer,
je größer die Ausheiztemperatur ist. Bei der Kurve, die die
Abhängigkeit des Kippwinkels von der absorbierten UV-Licht
energie beschreibt, hängt die Steigung der Kurve von der
absorbierten thermischen Energie ab.
Bei konstanter UV-Lichtabsorbtionsenergie und konstanter
Ausheizdauer ist der Kippwinkel umso größer, je größer die
Dicke der Ausrichtungsschicht ist.
Gemäß eines Gesichtspunktes der Erfindung wird die
Ausrichtungsschicht mit polarisiertem UV-Licht bestrahlt, um
auf diese Weise zwei einander entgegengesetzte
Orientierungsrichtungen auszubilden, die jeweils senkrecht zur
Polarisationsrichtung des eingestrahlten Lichtes sind, und dann
wird die Ausrichtungsschicht ein zweites Mal mit polarisiertem
UV-Licht oder mit unpolarisiertem UV-Licht bestrahlt, um eine
der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen
auszuwählen. Ferner kann die Orientierungsrichtung durch ein
einmaliges Belichten der Ausrichtungsschicht mit UV-Licht und
anschließendes Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen
zwei jeweils eine derartig einmal belichtete
Ausrichtungsschicht aufweisende LCD-Substrate in einer
vorbestimmter Richtung festgelegt werden, wobei eine der beiden
einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen
gleichermaßen in den beiden Ausrichtungsschichten durch den auf
die jeweilige Oberfläche der Ausrichtungsschicht wirkenden
Fließeffekt ausgewählt wird.
Die Ausrichtung in der Ausrichtungsschicht kann auch durch
einfaches schräges Bestrahlen der Ausrichtungsschicht mit
polarisiertem UV-Licht erzielt werden.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1A, 1B und 1C schematisch das herkömmliche
Fotoausrichtungsverfahren;
Fig. 2 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten
Energie gemäß dem herkömmlichen Verfahren ersichtlich ist;
Fig. 3 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten
Energie gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich
ist;
Fig. 4 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der Ausheizdauer gemäß einer
Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist;
Fig. 5 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels
von der Ausheizdauer bei verschiedenen Ausheiztemperaturen
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist;
Fig. 6 einen Graphen, aus dem die Abhängigkeit des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten
Energie für zwei unterschiedlich dicke Ausrichtungsschichten
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist.
Um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der
Ausrichtungsschicht festzulegen, muß die auf das Substrat
aufgebrachte Ausrichtungsschicht aus auf Polysiloxan
basierenden Materialien oder aus PVCN-F für eine vorbestimmte
Dauer ausgeheizt werden, bevor die Ausrichtungsschicht mit UV-Licht
belichtet wird. Der Zusammenhang zwischen der in der
Ausrichtungsschicht absorbierten UV-Lichtenergie Euv und dem
Kippwinkel Θp für verschiedene Ausheizdauern ist aus Fig. 3
ersichtlich. In dieser Figur geben die mit a, b und c
bezeichneten Kurven die Abhängigkeit des Kippwinkels in der
Ausrichtungsschicht von der in dieser absorbierten UV-Licht
energie bei Ausheizdauern von 5, 4 bzw. 3 Stunden bei
einer Ausheiztemperatur im Bereich von 180°-220°C an. Ferner
geben die Bereiche Δax, Δbx und Δcx Bereiche der absorbierten
UV-Lichtenergie an, innerhalb derer der Kippwinkel mit größer
werdender, in der Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Licht
energie von einem für alle Kurven gleichen Anfangswert auf
einen für alle Kurven gleichen Endwert fällt.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, ist dieser Bereich der UV-Licht
energie umso größer, je kürzer die Ausheizdauer der
Ausrichtungsschicht ist, d. h. Δax < Δbx < Δcx. Das heißt, daß die
Kurven umso steiler werden, je länger die Ausheizdauer ist.
Durch Steuern der absorbierten UV-Lichtenergie, d. h. z. B. der
Belichtungsdauer, kann (in den oben genannten Bereichen) ein
Kippwinkel Θp erzielt werden, der wesentlich größer ist als
gemäß dem herkömmlichen Verfahren, und somit ist eine korrekte
Steuerung des Kippwinkels Θp möglich.
Aus Fig. 4 ist die Abhängigkeit des Kippwinkels von der
Ausheizdauer H bei verschiedenen Ausheiztemperaturen und
konstanter in der Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Licht
energie ersichtlich. Dargestellt sind Kurven für
Ausheiztemperaturen von ca. 150°C, 200°C bzw. 250°C. Diese
Kurven basieren auf Messungen, die nach dem Ausheizen und dem
Belichten der Ausrichtungsschicht durchgeführt wurden. Bei
konstanter UV-Lichtenergie Euv und konstanter Ausheiztemperatur
ist der Kippwinkel Θp umso geringer, je länger die Ausheizdauer
H ist, wie aus Fig. 4 ersichtlich. Bei konstanter in der
Ausrichtungsschicht absorbierter UV-Lichtenergie Euv und
konstanter Ausheizdauer H ist der Kippwinkel Θp umso geringer,
je höher die Ausheiztemperatur ist. Somit ist der Kippwinkel Θp
umso geringer, je größer die in der Ausrichtungsschicht
absorbierte thermische Energie ist.
Wie aus Fig. 5 ersichtlich, hängt der Kippwinkel Θp auch von
der Dicke der Ausrichtungsschicht aus auf Polysiloxan
basierenden Materialien oder PVCN-F ab. Das heißt, daß der
Kippwinkel Θp umso größer ist, je dicker die
Ausrichtungsschicht ist. In dieser Figur ist entlang der
horizontalen Achse die in der Ausrichtungsschicht absorbierte
UV-Lichtenergie Euv und entlang der vertikalen Achse der
Kippwinkel Θp aufgetragen. Die Kurven a und b sind die
charakteristischen Kurven für eine Ausrichtungsschicht mit
einer Dicke von 40 Å (Kurve a) bzw. 800 Å (Kurve b) bei
konstanter Ausheizdauer. Wie aus der Figur ersichtlich, ist die
Größe des Kippwinkels Θp bei einer dickeren Ausrichtungsschicht
besser steuerbar, da die Größe des Kippwinkels Θp wie auch der
Bereich der UV-Lichtenergie, in dem sich der Kippwinkel Θp von
o.g. Anfangswert auf o.g. Endwert fällt, groß sind. Die
ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird vertikal mit polarisiertem
UV-Licht belichtet, um zwei einander entgegengesetzte
Orientierungsrichtungen und den Kippwinkel relativ zur
Normalrichtung der Fläche der Ausrichtungsschicht festzulegen.
Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird dann schräg mit
nichtpolarisiertem UV-Licht belichtet, um eine der einander
entgegengesetzten Orientierungsrichtungen auszuwählen. Die
ausgewählte Orientierungsrichtung schließt mit der Richtung des
eingestrahlten zweiten UV-Lichtes einen spitzen Winkel ein.
Die ausgeheizte Ausrichtungsschicht kann schräg mit
nichtpolarisiertem Licht belichtet werden gefolgt von einer
vertikalen Belichtung mit polarisiertem UV-Licht, um die
Orientierungsrichtung und den Kippwinkel festzulegen. Ferner
kann die Orientierungsrichtung durch erstes Belichten der
ausgeheizten Ausrichtungsschicht mit nichtpolarisiertem UV-Licht
und zweites schräges Belichten mit polarisiertem UV-Licht
festgelegt werden. Es ist auch möglich, die Ausrichtungsschicht
schräg mit nichtpolarisiertem UV-Licht zu belichten gefolgt von
einem schrägen Belichten mit polarisiertem UV-Licht, um die
Orientierungsrichtung und den Kippwinkel festzulegen.
Ein anderes Verfahren zum Auswählen der Orientierungsrichtung
nutzt den Fließeffekt des Flüssigkristallmaterials aus. Wenn
die ausgeheizte Ausrichtungsschicht vertikal mit polarisiertem
UV-Licht belichtet wird, werden zwei einander entgegengesetzte
Orientierungsrichtungen in der Ausrichtungsschicht ausgebildet.
Danach wird eine der beiden einander entgegengesetzten
Orientierungsrichtungen, die der Fließrichtung des zwischen die
zusammengebauten Substrate eingespritzten
Flüssigkristallmaterials entspricht, ausgewählt. Dabei hängt
die Größe des Kippwinkels Θp ebenfalls von der in der
Ausrichtungsschicht absorbierten thermischen Energie und der in
der Ausrichtungsschicht absorbierten UV-Energie ab.
Außerdem kann die Orientierungsrichtung durch ein einmaliges
Belichten mit polarisiertem UV-Licht festgelegt werden. Die
ausgeheizte Ausrichtungsschicht wird schräg mit polarisiertem
UV-Licht belichtet, wie aus Fig. 6 ersichtlich. Beim Belichten
der Ausrichtungsschicht mit UV-Licht werden die parallel zur
Polarisationsrichtung des UV-Lichtes liegenden Seitenketten
dimerisiert (in Fig. 6 mit
bezeichnet), so daß nur die
Seitenketten (in Fig. 6 mit
bezeichnet), die im
wesentlichen parallel zur Einstrahlrichtung des UV-Lichtes
liegen, undimerisiert bleiben. Die Flüssigkristallmoleküle
wechselwirken mit den Seitenketten des Polymers, wodurch die
Flüssigkristallmoleküle in der Richtung parallel zur
Einstrahlrichtung ausgerichtet werden. Dabei ist der aus Fig.
6 ersichtliche Winkel Θ der Winkel der Seitenketten des
Polymers relativ zur Oberfläche der Ausrichtungsschicht. Dieser
Winkel wird der Kippwinkel d. h. der Winkel zwischen den
Flüssigkristallmolekülen und der Ebene der Ausrichtungsschicht,
nachdem die Flüssigkristallmoleküle zwischen einander
gegenüberliegende Ausrichtungsschichten eingespritzt wurden.
Bei der oben beschriebenen Erfindung kann, da die Größe des
Kippwinkels von der in der Ausrichtungsschicht absorbierten
thermischen Energie abhängt, der Kippwinkel mit gewünschter
Größe bei dem Fotoausrichtungsverfahren korrekt gesteuert
werden. Somit ist die Qualität des Bildes verbessert.
Zusätzlich ist, da durch Steuern der absorbierten thermischen
Energie und der Dicke der Ausrichtungsschicht ein großer
Kippwinkel erzielbar ist, die Ansprechgeschwindigkeit der
Flüssigkristallmoleküle erhöht, was zu einer Verringerung des
Stromverbrauchs führt.
Claims (26)
1. Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer
Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden
Schritten:
Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der Ausrichtungsschicht zu steuern.
Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht, um die Orientierungsrichtung und den Kippwinkel in der Ausrichtungsschicht zu steuern.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Licht ultraviolettes
Licht aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ausrichtungsschicht
lichtempfindliche Materialien aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Größe des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der auf diese übertragenen
thermischen Energie abhängt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Größe des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der Größe der beim Bestrahlen in
der Ausrichtungsschicht absorbierten Lichtenergie abhängt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Größe des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der Dicke derselben abhängt.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Übertragen von
thermischer Energie einen Schritt aufweist, in dem die
Ausrichtungsschicht während einer vorbestimmten Dauer bei einer
vorbestimmten Temperatur ausgeheizt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Belichtung der
Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist:
Belichten der Ausrichtungsschicht mit auf die Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisierten Licht; und
schräges Belichten der Ausrichtungsschicht mit nichtpolarisiertem Licht.
Belichten der Ausrichtungsschicht mit auf die Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisierten Licht; und
schräges Belichten der Ausrichtungsschicht mit nichtpolarisiertem Licht.
9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der
Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist:
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisierten Licht.
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisierten Licht.
10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der
Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist:
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisierten Licht.
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem polarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem nichtpolarisierten Licht.
11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der
Ausrichtungsschicht folgende Schritte aufweist:
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem nichtpolarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisierten Licht.
Belichten der Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht eingestrahltem nichtpolarisierten Licht; und
Belichten der Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht vertikal eingestrahltem polarisierten Licht.
12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Belichten der
Ausrichtungsschicht einen Schritt aufweist, in dem die
Ausrichtungsschicht mit schräg relativ zur Ausrichtungsschicht
eingestrahltem polarisierten Licht bestrahlt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die lichtempfindlichen
Materialien Polyvinylfluorcinnamat und/oder auf Polysiloxan
basierende Materialien aufweisen.
14. Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer
Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden
Schritten:
Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht;
Belichten der Ausrichtungsschicht, um zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen auszubilden; und
Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen zwei zusammengebaute Substrate, wobei mittels des Fließeffektes des Flüssigkristallmaterials eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen ausgewählt wird.
Übertragen von thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht;
Belichten der Ausrichtungsschicht, um zwei einander entgegengesetzte Orientierungsrichtungen auszubilden; und
Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen zwei zusammengebaute Substrate, wobei mittels des Fließeffektes des Flüssigkristallmaterials eine der beiden einander entgegengesetzten Orientierungsrichtungen ausgewählt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Licht ultraviolettes
Licht aufweist.
16. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Ausrichtungsschicht
lichtempfindliche Materialien aufweist.
17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Größe des Kippwinkels
der Ausrichtungsschicht von der auf die Ausrichtungsschicht
übertragenen thermischen Energie abhängt.
18. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Größe des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der Größe der beim Belichten in
der Ausrichtungsschicht absorbierten Lichtenergie abhängt.
19. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Größe des Kippwinkels
in der Ausrichtungsschicht von der Dicke derselben abhängt.
20. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Übertragen von
thermischer Energie einen Schritt aufweist, in dem die
Ausrichtungsschicht während einer vorbestimmten Dauer bei einer
vorbestimmten Temperatur ausgeheizt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Belichten der
Ausrichtungsschicht einen Schritt aufweist, in dem die
Ausrichtungsschicht mit relativ zur Ausrichtungsschicht
vertikal eingestrahltem polarisierten Licht belichtet wird.
22. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die lichtempfindlichen
Materialien Polyvinylfluorcinnamat und/oder auf Polysiloxan
basierende Materialien aufweisen.
23. Verfahren zum Steuern des Kippwinkels in einer
Ausrichtungsschicht einer Flüssigkristallzelle mit folgenden
Schritten:
Ausbilden einer Ausrichtungsschicht auf einem Substrat; und
Übertragen thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht, um die Größe des Kippwinkels festzulegen.
Ausbilden einer Ausrichtungsschicht auf einem Substrat; und
Übertragen thermischer Energie auf die Ausrichtungsschicht, um die Größe des Kippwinkels festzulegen.
24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei die Ausrichtungsschicht
lichtempfindliche Materialien aufweist.
25. Verfahren nach Anspruch 23, wobei das Übertragen von
thermischer Energie einen Schritt aufweist, in dem die
Ausrichtungsschicht während einer vorbestimmten Dauer bei einer
vorbestimmten Temperatur ausgeheizt wird.
26. Verfahren nach Anspruch 24, wobei die lichtempfindlichen
Materialien Polyvinylfluorcinnamat und/oder auf Polysiloxan
basierende Materialien aufweisen.
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