DE19741832A1 - Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle umfassend ein Halbleitersubstrat, in welchem durch einfallende Strahlungsenergie Ladungsträger erzeugt werden, sowie elektrisch leitende Kontakte zum Ableiten von Ladungsträgern, wobei zur Herstellung der Solarzelle
  • - auf zumindest einer Halbleitersubstratfläche zumindest eine Kante ausgebildet wird, an die sich ein flankenartiger Bereich anschließt und
  • - elektrisch leitfähiges Material mittelbar oder unmittelbar zumindest teilweise auf zumindest einen Teil der flankenartigen Bereiche aufgebracht wird.
Auch bezieht sich die Erfindung auf eine Solarzelle umfassend ein Halbleitersubstrat, in welchem durch einfallende Strahlungsenergie Ladungsträger erzeugbar sind, die durch ein elektrisches Feld trennbar und so dann über elektrisch leitende Kontakte ableitbar sind, wobei
  • - auf zumindest einer Halbleitersubstratfläche zumindest eine Kante ausgebildet ist, an die sich ein flankenartiger Bereich anschließt und
  • - elektrisch leitfähiges Material mittelbar oder unmittelbar auf zumindest einen Teil der flankenartigen Bereiche aufgebracht ist.
Zur industriellen Herstellung der Metallkontakte konventioneller kristalliner Siliziumsolarzellen ist das Verfahren der Metallisierung mittels Siebdruck am weitesten verbreitet. Hierbei wird eine metallhaltige Paste durch ein schablonenartig ausgebildetes Sieb gepreßt und so auf die Solarzellenoberflächen an den gewünschten Stellen aufgebracht. Anschließend werden die Pasten bei erhöhter Temperatur (ca. 700°C-800°C) gesintert, um die in den Pasten vorhanden Lösungsmittel auszutreiben sowie einen möglichst elektrisch gut leitfähigen und mechanisch stabilen Kontakt zur Siliziumoberfläche herzustellen. Der hauptsächliche Vorteil dieses Verfahrens liegt in dessen Einfachheit und den sich daraus ergebenden niedrigen Produktionskosten. Jedoch weist dieses Verfahren auch zahlreiche Nachteile auf. Siebgedruckte Kontaktlinien weisen fertigungsbedingt typischerweise eine Breite von mehr als 100 µm auf. Daraus resultiert eine relativ großflächige Abschattung der lichtempfindlichen Solarzellenoberfläche, die bei ca. 12% liegt. Ferner erfordert der hohe Anteil abgeschatteter Oberfläche einen Fingerabstand von mindestens 3 mm. Dies erfordert wiederum eine starke Emitterdiffusion, um die Widerstandsverluste in der diffundierten Schicht in einem verträglichen Rahmen zu halten. Ein weiteres problematisches Gebiet der Solarzellen mit Siebdruckkontakten ist der hohe Kontaktwiderstand des Metall-Halbleiter- Kontaktes. So ist es nötig, zur Erzielung genügend kleiner Übergangswiderstände vom Halbleiter in das Metallgitter eine hohe Oberflächenkonzentration von Dotieratomen zu gewährleisten. Diese Anforderungen der starken Emitterdiffusion und der hohen Oberflächenkonzentration führen jedoch zu einer schlechten Empfindlichkeit im Bereich der kurzwelligen Strahlung des Sonnenlichts. Dies kann dadurch erklärt werden, daß die kurzwellige Strahlung sehr nahe unter der Solarzellenoberfläche absorbiert wird und dort Elektronen-Loch-Paare erzeugt, die aufgrund der hohen Dotierung mit Fremdatomen in diesem Bereich sehr schnell rekombinieren, ohne zum lichterzeugten Strom der Solarzelle beizutragen.
Ein Ansatz, die oben genannten Probleme der Siebdruck-Solarzellen zu verringern, stellt die sogenannte "Buried Contact"-Solarzelle (BCSC) dar (US-PAT 4726850). Bei diesem Zelltyp werden auf der Oberfläche schmale und tiefe Gräben (Breite : Tiefe 1 : 2-1 : 7) erzeugt, die den Ort und die Form der Metallisierung vorgeben. Diese wird nach Erzeugung der Gräben mit Hilfe des Verfahrens der stromlosen Galvanik aufgebracht. Dabei füllt das abgeschiedene Metall die Gräben vollständig oder nahezu vollständig aus. Durch die Erzeugung sehr schmaler Gräben (20-50 µm) konnten die Abschattungsverluste gegenüber Siebdruckzellen zwar reduziert werden, doch weist auch dieses Verfahren der Solarzellenherstellung zahlreiche Nachteile auf. Um das scheinbar einfache Verfahren der stromlosen Galvanik zur Metallisierung dieser Solarzellen anwenden zu können, sind eine Reihe zusätzlicher und energieaufwendiger Prozeßschritte notwendig. Neben dem erforderlichen Hochtemperaturschritt zur Emitterdiffusion (bei ca. 850°C) werden zur Herstellung der konventionellen BCSC noch mindestens zwei weitere zeit- und energieaufwendige Hochtemperaturschritte (jeweils mehrere Stunden bei ca. 1000°C ) benötigt (C. B. Honsberg et al., Conf. Rec. 24th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Hawaii, 1994, S. 1473-1476). Der erste dieser beiden zusätzlichen Hochtemperaturschritte dient der Herstellung einer Diffusionsbarriere, bestehend aus einem dicken thermischen Oxid für die anschließende Tiefdiffusion in den Gräben. Der zweite ist die Tiefdiffusion in den Gräben selbst. Sie dient im wesentlichen der Verringerung korrosionsbedingter Kurzschlüsse im Bereich der galvanisch abgeschiedenen Metallfinger, die üblicherweise aus Nickel, Kupfer und Silber bestehen. Auch ist dieser Metallisierungsschritt verbunden mit großen Mengen an Galvanikbädern und -abfällen, die als ökologisch bedenklich gelten. Ferner führt diese Art der Metallisierung, bei der die Form und Ausdehnung der Kontakte ausschließlich durch die der Gräben bestimmt werden, zu einer relativ großen Metall-Halbleiter Kontaktfläche, was eine Reduktion der Leerlaufspannung und damit des Wirkungsgrades zur Folge hat.
Es ist allgemein bekannt, daß vakuumaufgedampfte Kontakte die besten Kontakteigenschaften aufweisen im Vergleich zu den vorgenannten siebgedruckten bzw. galvanisch abgeschiedenen Kontakten. Als vielversprechende Möglichkeit zur Herstellung von Metallkontakten auf Solarzellen ist das Verfahren der Vakuumaufdampfung unter einem kleinen Winkel zur Solarzellenoberfläche bekannt (Borden et al. Proc. 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, San Diego, 1982, S. 574 ff, und Hezel Proc. 13th European Photovoltaik Solar Energy Conference, Nice, 1995, S. 115-118). Hierbei wird die Solarzellenoberfläche mit eng aneinanderliegenden parallel verlaufenden Gräben versehen, die üblicherweise halbkreis- oder V-förmig ausgebildet sind. Die so geschaffenen sehr schmalen Erhöhungen dienen somit als Schattenwurfkanten bei der nachfolgenden Aufdampfung des metallischen Kontaktmaterials unter einem flachen Winkel zur Substratoberfläche. Durch dieses Verfahren des Schrägaufdampfens werden die üblichen Nachteile des konventionellen senkrecht Aufdampfens durch eine Schattenmaske vermieden, da durch die Ausgestaltung der selbstabschattenden Erhöhungen zum einen auf die Verwendung einer Schattenmaske zur Definition des Kontaktgitters verzichtet werden kann und zum anderen der Anlagendurchsatz gegenüber einer senkrecht erfolgenden Aufdampfung erheblich erhöht werden kann, da die Solarzellen in einem sehr flachen Winkel zur Aufdampfrichtung sehr dicht angeordnet werden (Hezel Proc. 13th European Photovoltaik Solar Energy Conference, Nice, 1995, S. 115). Auch wird hierbei das Aufdampfmaterial viel besser ausgenutzt als bei der senkrechten Aufdampfung, bei der sich der größte Teil des Metalls auf den Masken niederschlägt und von diesen erst wieder arbeitsintensiv abgeätzt werden muß. Das hier vorgestellte Verfahren erlaubt eine Variation der Fingerbreite im wesentlichen durch eine Variation des Aufdampfwinkels, da die Grabenbreite meist durch das verwendete Werkzeug (z. B. diamantbesetztes Sägeblatt, Draht mit Läppmittel) vorgegeben ist. Auch ist der Abstand der einzelnen Kontaktfinger bei diesen Strukturen unmittelbar durch die Werkzeugbreite vorgegeben. Zellen dieses Typs erreichen gegenwärtig Wirkungsgrade von 18.6% (Verbeek et al., Proc. 25th IEEE Photovoltaik Specialists Conference, Washington D.C., 1996, S. 521). Durch die vom Druck in der Aufdampfkammer, der Ausdehnung der Aufdampfquelle und der Streuung des Materials an den Schattenwurfkanten abhängige Divergenz des Aufdampfstrahls ist ein scharfer Schattenwurf der Erhöhungen lediglich bis zu einem Abstand von ca. 500 µm erzielbar. Der maximale Fingerabstand dieses Zelltyps ist damit auf weniger als 500 µm beschränkt. Auch tritt bei V-förmigen Gräben eine relativ hohe Verschattung durch die Metallfinger auf, da diese auf Ebenen verlaufen, die üblicherweise einen Winkel von ca. 35° zur Substratnormalen aufwiesen. Ferner ist bei den oben genannten Strukturen der erforderliche Siliziumabtrag recht hoch, da die Rinnen dicht beieinander verlaufen. Dies führt zu einer erhöhten Abnutzung der zur Strukturierung verwendeten Werkzeuge sowie zu erhöhten Bearbeitungskosten.
Der Erfindung liegt u. a. das Problem zugrunde, mittels einfacher Technologie und gegebenen­ falls unter Anwendung großflächiger und insbesondere sehr einfacher und kostengünstiger Bearbeitungsmethoden sehr effiziente Solarzellen herzustellen. Dabei soll eine Anwendbarkeit für alle Arten von Halbleitern, Element- und Verbindungshalbleitern, sowohl in einkristalliner Form beliebiger Oberflächenorientierung, in polykristalliner Form jeglicher Korngröße und Orientierung als auch im amorphen Zustand, in selbsttragender (dicker) Ausführung als auch mit Dünnfilmhalbleitern auf Fremdsubstrat möglich sein.
Das Problem wird dabei verfahrensmäßig im wesentlichen dadurch gelöst,
  • - daß das elektrisch leitende Material maskierungsfrei und selektiv von allen nicht flankenartigen Bereichen durch Abätzen abgetragen wird derart, daß ausschließlich auf den parallel zur Substratnormalen verlaufenden flankenartigen Bereichen elektrisch leitende Kontakte erhalten bleiben.
Dabei wird vorzugsweise das die elektrisch leitenden Kontakte bildende Material ohne Verwendung einer gesonderten Maske auf die flankenartigen Bereiche mit dem Verfahren des Vakuumaufdampfens unter einem flachen Winkel zur Substratebene aufgebracht.
Ferner wird das eingangs gestellte Problem auch durch eine Solarzelle gelöst, die sich dadurch auszeichnet, daß die elektrisch leitenden Kontakte ausschließlich auf den flankenartigen Bereichen, die zumindest abschnittsweise parallel oder nahezu parallel zur Substratnormale angeordnet sind, verlaufen.
Jeweilige Ausgestaltungen ergeben sich sowohl aus den Unteransprüchen als auch aus der gesamten Erläuterung der Erfindung.
Durch die erfindungsgemäße Lehre können ohne aufwendige Maskentechniken und vorwiegend durch Selbstjustierung zusammenhängende Kontaktfingersysteme mit sehr kleiner Verschattung der lichtempfindlichen Solarzellenoberfläche und dennoch großem Leiterbahnquerschnitt erzeugt werden. Dies ist möglich, da die elektrisch leitenden Kontakte nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ausschließlich auf parallel zur Substratnormalen angeordneten flankenartigen Bereichen verlaufen.
Ein weiteres wesentliches Merkmal des Erfindungsgedankens ist es, die zum Schrägaufdampfen erforderliche Oberflächenstruktur so auszubilden, daß zum einen die Abschattung durch die Metallfinger bei genügend großem Leiterbahnquerschnitt so gering wie möglich ausfällt, zum anderen der zur Strukturerzeugung notwendige Materialabtrag minimiert wird. Dies führt u. a. zu den in den Zeichnungen und Ausführungsbeispielen beschriebenen vorzugsweisen Strukturen.
Ein Grundgedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, das besondere Stengelwachstum schrägaufgedampfter Metallschichten erfindungsgemäß vorteilhaft auszunutzen. Dabei wird durch das zunehmende Stengelwachstum bei flacherem Aufdampfwinkel die abgeschiedene Schicht immer poröser. Aus der zunehmenden Porösität der Schichten resultiert, wie in Fig. 5 gezeigt, eine drastische Zunahme der Ätzrate unter ansonsten gleichen äußeren Bedingungen. Die Ausnutzung dieses Effektes ermöglicht es, die oben genannten erfindungsgemäß ausgebildeten Oberflächenstrukturen besonders vorteilhaft zu nutzen, da die auf die nicht flankenartigen Bereiche abgeschiedene Metallschicht sehr leicht abzuätzen ist. Daher muß die Dicke des eigentlichen Metallkontaktes nicht größer ausgelegt werden, um den durch das anschließende Abätzen entstehenden Dickenverlust auszugleichen.
Durch Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre ist es ferner - abweichend von dem eingangs diskutierten Stand der Technik - möglich, die Fingerbreiten nicht ausschließlich durch den Aufdampfwinkel α oder die Werkzeugbreite a festzulegen, sondern vollkommen unabhängig von diesen Größen durch die Sägetiefe bzw. Flankenbreite b, vorausgesetzt, daß der Tangens des Aufdampfwinkels α stets größer ist als das Verhältnis von Flankenbreite b zu Abstand Schattenkante/Flanke a (siehe Fig. 4a-c). Diese Tatsache ermöglicht bei der Herstellung die genaue Einstellung des Aufdampfwinkels erheblich unkritischer handzuhaben. Es stellt sich stets die gleiche Kontaktbreite k ein gegeben durch die Flankenbreite b.
Ein sehr wichtiges Merkmal des Erfindungsgedankens ist es, möglichst allgemein anwendbare Oberflächenstrukturen zu schaffen, die es - abweichend von dem eingangs diskutierten Stand der Technik - ermöglichen auch beliebig große Fingerabstände zu realisieren, was für gewisse Solarzellentypen von entscheidendem Vorteil ist, da durch eine verringerte Fingeranzahl zum einen die Abschattung verringert und damit der Kurzschlußstrom der Zelle erhöht wird. Zum anderen aber auch die Metall-Halbleiterkontaktfläche verringert werden kann, was wiederum den positiven Effekt einer Zunahme der Leerlaufspannung aufgrund verringerter Rekombination an den Metallkontakten zur Folge hat.
Auch ist es gegenüber der BCSC von Vorteil, daß die Anforderungen an die Werkzeugbreite und Verschleiß weitaus geringer sind, da nicht wie bei der BCSC möglichst schmale und tiefe Gräben (mit vorzugsweisen Verhältnis, Breite : Tiefe 1 : 2-1 : 7) erforderlich sind, sondern relativ breite und flache (mit vorzugsweisem Verhältnis Breite: Tiefe 1 : 1-10 : 1). Durch die Ausgestaltung flacher Gräben ist es im Gegensatz zum Stand der Technik auch möglich, sehr dünne Substrate mit einer erfindungsgemäß vorteilhaften Oberflächenstruktur zu versehen.
Auch wird erfindungsgemäß die Abschattung durch die Metallkontakte nicht durch die technisch realisierbare Grabenbreite nach unten beschränkt, sondern ist durch die Aufdampfdicke frei wählbar. Dies ist besonders vorteilhaft für Solarzellen mit geringem Fingerabstand wie z. B. dem Typ der MIS-Solarzelle.
Erfindungsgemäß ist auch vorgesehen - abweichend vom eingangs diskutierten Stand der Technik - die Solarzellenoberfläche mit einer zweiten viel kleineren Struktur z. B. Rinnen, Gräben oder Pyramiden zu versehen, um so den Lichteinfang der Solarzellen noch zu verbessern. Somit können beide Parameter (Lichteinfang, Kontaktabstand) unabhängig voneinander optimal ausgelegt werden. Bei den bisher bekannten zum Schrägaufdampfen verwendeten Oberflächenstrukturen diente die zur Kontaktherstellung verwendete Struktur auch immer der Verbesserung des Lichteinfangs. Da die für den optimalen Lichteinfang erforderlichen Strukturen in ihren Ausmaßen prinzipiell um mehr als eine Größenordnung unter denen der Kontaktabstände liegen, wirken sich die beides in einem kombinierenden Strukturen sehr nachteilig auf den Wirkungsgrad aus. Dieser Nachteil kann durch die erfindungsgemäße Ausbildung der Oberflächenstruktur zur Herstellung der elektrisch leitenden Kontakte eliminiert werden, da sich auf diesen Strukturen besonders einfach und vor allem auch weitestgehend unabhängig von der erfindungsgemäßen Ausbildung dieser Strukturen beliebige den Lichteinfang verbessernde Unterstrukturen anordnen lassen.
Ein weiterer Erfindungsgedanke besteht darin, vorzugsweise im tiefer liegenden Gebiet zwischen zwei elektrisch leitfähigen Kontakten zusätzlich eine oder mehrere Vertiefungen auszubilden, die auf Grund ihrer Tiefe und des dort weit in das Halbleitervolumen reichenden pn-Übergangs die Sammlung von Minoritätsladungsträgern im Volumen des Halbleiters verbessern. Die Vertiefungen können prinzipiell beliebig geometrisch beschaffen sein. Durch geeignete Formgebung (sieh Fig. 3b) kann jedoch auch der Lichteinfang erhöht werden. Vorzugsweise werden diese Vertiefungen durch geeignete Ausgestaltung des Werkzeugs gleichzeitig mit den Kontaktvertiefungen hergestellt.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich nicht nur aus den Ansprüchen, den diesen zu entnehmenden Merkmalen - für sich und/oder in Kombination -, sondern auch der nachfolgenden Beschreibung eines den Zeichnungen zu entnehmenden bevorzugten Ausführungsbeispiels.
Es zeigen:
Fig. 1 Kontaktanordnung auf einer strukturierten Solarzellenoberfläche,
Fig. 1a Detail aus Fig. 1 mit drei Ausgestaltungsmöglichkeiten der flankenartigen Bereiche,
Fig. 1b Detail aus Fig. 1 mit teilweise passivierter Flanke,
Fig. 1c Detail aus Fig. 1 mit Metall-Isolator-Halbleiterkontakt,
Fig. 2 Erfindungsgemäße Ausgestaltungsmöglichkeiten der Oberflächenstruktur der Solarzellen,
Fig. 3a Oberflächenstruktur mit aufgeprägter zweiter Struktur zur besseren Lichteinkopplung in die Solarzelle,
Fig. 3b Oberflächenstruktur mit zweiter Struktur zur besseren Sammlung der Minoritätsladungsträger in der Solarzelle,
Fig. 4 Das Verfahren des Schrägaufdampfens unter verschiedenen Winkeln a) tan α < b/a, b) tan α = b/a und c) tan α < b/a auf strukturierte Oberflächen und die daraus erfindungsgemäß resultierenden elektrisch leitfähigen Kontakte,
Fig. 5 Ätzrate von Aluminium in Abhängigkeit vom Aufdampfwinkel α.
Die erfindungsgemäßen Lehren sind grundsätzlich bei jeder Solarzelle realisierbar, werden jedoch nur für Zellen mit einem dotierten pn-Übergang beschrieben. Dabei werden - soweit möglich - für gleiche Elemente gleiche Bezugszeichen verwendet.
Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung einen Ausschnitt einer Solarzelle (1) mit zumindest einer Halbleiteroberfläche (2) auf der Kanten (3) ausgebildet sind, an die sich flankenartige Bereiche (4) anschließen und elektrisch leitfähige Kontakte (5) mittelbar oder unmittelbar auf zumindest einen Teil der flankenartigen Bereiche aufgebracht sind. Die Kanten und flankenartigen Bereiche lassen sich einfach mit Hilfe bewegter mechanischer Strukturierungselemente (z. B. diamantbesetzte Werkzeuge, Drähte mit Läppmittel) oder durch Verwendung von Laserschreibern ausbilden. Die Metallisierung kann durch das Verfahren des Vakuumaufdampfens unter einem kleinen Winkel zur Substratoberfläche erfolgen.
Die Herstellung der Solarzelle der in Fig. 1 gezeigten Solarzelle ist sehr einfach. Ein Beispiel für eine Prozeßfolge zur erfindungsgemäßen Herstellung einer pn-Solarzelle wird im Folgenden detailliert beschrieben. Dabei besteht der Prozeß prinzipiell aus den folgenden acht Prozeßschritten:
  • 1. Ausbildung der flankenartigen Bereiche auf der Solarzellenoberfläche
  • 2. Reinigung
  • 3. Ausbildung des pn-Übergangs durch Diffusion von Fremdatomen
  • 4. Aufbringen des Rückkontaktes und Sintern
  • 5. Aufbringen des Vorderseitenkontaktes durch Schrägaufdampfen
  • 6. Abätzen der überschüssigen Metalls von allen nicht flankenartigen Bereichen
  • 7. Aufbringen eines Busbars
  • 8. Aufbringen einer Antireflexschicht.
Verfahrensmäßig wird dabei wie folgt vorgegangen: Nach der Ausbildung der parallel verlaufenden Kanten (3) und ihrer flankenartigen Bereiche (4) z. B. mittels einer diamantbesetzten Schleifscheibe wird von der Solarzellenoberfläche durch Abätzen eine dünne durch das Sägen geschädigte Oberflächenschicht abgetragen, da diese Schicht mit ihren Versetzungen und Verunreinigungen eine erhöhte Oberflächenrekombination und damit einen geringeren Wirkungsgrad zur Folge hätte. Danach erfolgt üblicherweise eine naßchemische Reinigung, um alle organischen und metallischen Verunreinigungen von der Solarzellenoberfläche zu entfernen. In einem nächsten Schritt wird die Solarzellenrückseite mit einer Diffusionsbarriere aus z. B. PECVD Siliziumnitrid versehen, um nur auf der Vorderseite durch Diffusion von geeigneten Fremdatomen (z. B. Phosphor bei p-dotiertem Substrat) einen pn-Übergang zu erzeugen. Nach der Diffusion wird die Diffusionsbarriere von der Rückseite durch Abätzen in Flußsäure entfernt. Anschließend wird der metallische Rückkontakt durch Aufdampfen oder Siebdruck aufgebracht und gesintert. Danach erfolgt die Ausbildung der Vorderseitenkontakte. Dies geschieht z. B. durch physikalisches Aufdampfen einer Metallschicht im Vakuum unter einem flachen Winkel zur Substratoberfläche sowie anschließendes naßchemisches maskierungsfreies und selektives Abätzen des überschüssigen Metalls von allen nicht flankenartigen Bereichen (6) in einer für das jeweilige Metall geeigneten und allgemein bekannten Ätzlösung (z. B. Ammoniaklösung, Salzsäure oder Aluminiumätze). Abschließend werden die einzelnen Leiterbahnen durch das Aufbringen einer elektrisch leitenden Querverbindung (Busbar) miteinander verbunden und die Solarzelle mit einer Antireflexbeschichtung z. B. aus PECVD Siliziumnitrid versehen.
Zur Oberflächenstrukturierung ist es möglich, alternativ zu diamantbesetzten Werkzeugen auch einen bewegten Draht unter Zugabe eines Läppmittels oder Laserstrahl zu verwenden. Dabei können die sich an die flankenartigen Bereiche anschließenden Gebiete je nach verwendetem Werkzeug z. B. kastenförmig, rinnenförmig oder dreiecksförmig ausgebildet sein (siehe Fig. 2). Erfindungsgemäß wichtig ist lediglich, daß ein parallel oder nahezu parallel zur Substratnormale verlaufender flankenartiger Bereich (4) ausreichender Breite ausgebildet wird. Üblicherweise liegt diese Breite je nach Fingerabstand zwischen 5 und 50 µm. Vorteilhaft sind hierbei Strukturen, die einen möglichst geringen Siliziumabtrag zur Ausbildung der flankenartigen Bereiche erfordern, da Strukturierungskosten in erster Näherung proportional sind zum zu entfernenden Siliziumvolumen. Soll neben der zur Kontaktherstellung notwendigen Struktur eine weitere den Lichteinfang der Solarzelle verbessernde wesentlich feinere Struktur (8) (z. B. Pyramiden oder Rillen, siehe auch Fig. 3a) aufgebracht werden, so kann dies sowohl auf mechanische als auch auf chemische Weise nach der Herstellung der Grobstruktur zur Kontaktaufbringung geschehen.
Die in Fig. 3b gezeigte, u. a. der Verbesserung der Sammlung der Minoritätsladungsträger im Volumen des Halbleiters dienende Struktur (9) hat sägezahnförmige Gestalt, wobei die linke Flanke zusätzlich das auftreffende Licht in das Halbleitersubstrat (2) reflektiert. Die Verlegung des sammelnden pn-Übergangs in den Halbleiter kann sich von ca. 10 µm bis ca. 150 µm erstrecken. Diese Doppelfunktion der Struktur im Hinblick auf die optische und elektrische Situation ist besonders für chemisch nicht texturierbare Halbleitermaterialien geringer Diffusionslänge von Vorteil, wie z. B. multikristallines oder bandgezogenes Material. Auch andere Formen der Vertiefungen zur Erhöhung der Sammlungswahrscheinlichkeit von Minoritätsladungsträger (rechteckförmig, halbkreisförmig, v-förmig, u. a.) sind denkbar.
Die Erzeugung des pn-Übergangs auf der Solarzellenvorderseite kann statt durch Diffusion aus der Gasphase auch durch Aufschleudern einer dotierstoffhaltigen Flüssigkeit (spin-on dopant) erfolgen. Auch kann das Aufbringen einer rückseitige Diffusionsbarriere entfallen, wenn in einem nachfolgenden Prozeßschritt die eingebrachten Fremdatome auf der Rückseite durch eine entsprechende zweite Sorte von Fremdatomen kompensiert werden z. B. durch Erzeugung eines Aluminium Back-Surface-Fields. Die Erzeugung des pn-Übergangs (11) kann aber auch durch das Aufbringen fester Ladungen (Cs-Ionen und Siliziumnitrid) und einer daraus resultierenden Inversion der Halbleiteroberfläche erfolgen.
Erfindungsgemäß sollen zwei Möglichkeiten, die Breite k der elektrisch leitenden Kontakte (5) beim Aufbringen der Vorderseitenkontakte durch physikalisches Vakuumaufdampfen unter einem flachen Winkel zur Substratoberfläche auf die flankenartigen Bereiche (4) festzulegen, hervorgehoben werden (siehe Fig. 4). Bei der ersten Möglichkeit wird die Kontaktbreite k durch den Aufdampfwinkel α und den Abstand a der Schattenwurfkante von dem zu bedampfenden flankenartigen Bereich bestimmt. Es gelten: tan α < b/a und k = a.tan α, wobei b die Breite des flankenartigen Bereiches angibt. Bei der zweiten Möglichkeit hingegen wird die Kontaktbreite k ausschließlich durch die Breite b des flankenartigen Bereichs bestimmt. Hierbei gelten: tan α ≧ b/a und k = b. Diese Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens erweist sich als sehr vorteilhaft, wenn im industriellen Produktionsmaßstab auf die genaue Einstellung des Aufdampfwinkels α verzichtet werden soll. Die Einstellung der Breite b der flankenartigen Bereiche ist wesentlich einfacher. Hinzu kommt, daß die Kontaktbreite k somit frei von den einschränkenden Bedingungen (geringer Abstand a und geringe Divergenz des Aufdampfstrahls) für einen scharfen Schattenwurf durch die Kanten der Oberflächenstruktur ist.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltungsmöglichkeit der Erfindung beinhaltet die Halbleiteroberfläche (2) vor Aufbringung der Kontakte erst mit einer Passivierschicht (7) zu versehen, diese dann in schmalen Kontaktbereichen zu öffnen und dann mit breiteren Metallkontakten (5) zu versehen, die sowohl auf der geöffneten Halbleiteroberfläche als auch zumindest teilweise auf der Passivierschicht verlaufen (siehe Fig. 1b). Hierdurch kann die mit einer hohen Ladungsträgerrekombination verbundene Metall-Halbleiter-Kontaktfläche drastisch vermindert werden. Dies hat eine vorteilhafte Erhöhung der Leerlaufspannung und somit des Wirkungsgrades zur Folge. Anders als in EP 0548863 beschrieben verläuft der elektrisch leitende Metallkontakt erfindungsgemäß nicht auf plateauartigen Bereichen sondern ausschließlich auf den flankenartigen Bereichen (4), die parallel oder nahezu parallel zur Substratnormale verlaufen. Hieraus ergibt sich eine deutlich verminderte Abschattung durch die opaken Metallfinger und somit ein Wirkungsgradvorteil.
Auch kann - gemäß Anspruch 12 - das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der Rückseitenkontakte von Solarzellen angewandt werden. Hierbei wird verfahrensmäßig genauso vorgegangen wie bei der Herstellung der Vorderseitenkontakte. Vorzugsweise verlaufen die rückseitigen Metallkontakte senkrecht zu den vorderseitigen um mögliche Serienwiderstandsverluste zu minimieren. Der die Erfindung prägende Vorschlag, die Leiterbahnen selbstjustierend auf parallel oder nahezu parallel zur Substratnormalen verlaufenden flankenartigen Bereichen aufzubringen, ist auch für den Solarzellenrückkontakt aus mehreren Gründen vorteilhaft. Zum einen ermöglicht dieses Verfahren die einfache Herstellung beidseitig lichtempfindlicher Solarzellen, sogenannter Bifacial-Zellen, da nicht wie bei herkömmlichen Solarzellen die gesamte Rückseite mit Metall bedeckt wird. Zum anderen kommen für die Rückseite auch alle für die Vorderseite beschriebenen Vorteile voll zur Geltung.

Claims (17)

1. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) umfassend ein Halbleitermaterial, in welchem durch einfallende Strahlungsenergie Ladungsträger erzeugt werden, sowie elektrisch leitende Kontakte (5) zum Ableiten von Ladungsträgern, wobei zur Herstellung der Solarzelle
  • - auf zumindest einer Halbleiteroberfläche (2) zumindest eine Kante (3) ausgebildet wird, an die sich ein flankenartiger Bereich (4) anschließt und
  • - elektrisch leitfähiges Material (5) mittelbar oder unmittelbar zumindest teilweise auf zumindest einen Teil der flankenartigen Bereiche aufgebracht wird,
    dadurch gekennzeichnet,
  • - daß das elektrisch leitende Material maskierungsfrei und selektiv von allen nicht flankenartigen Bereichen (6) abgetragen wird derart, daß die elektrisch leitenden Kontakte ausschließlich auf den flankenartigen Bereichen, die zumindest abschnittsweise parallel oder nahezu parallel zur Substratnormale verlaufen, erhalten bleiben.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitfähige Material (5) durch physikalisches Aufdampfen (PVD) im Vakuum unter einem Winkel α zur Substratoberfläche mit 90° < α < 0°, vorzugsweise 30° < α < 1° aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem elektrisch leitfähigen Material (5) um Aluminium, Magnesium, Silber, Titan, oder Palladium handelt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitfähige Material zur Ausbildung eines Metall-Isolator-Halbleiter (MIS)-Kontaktes auf eine auf der Halbleiteroberfläche (2) befindliche Tunnelisolatorschicht (10) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanten und flankenartigen Bereiche auf zumindest einer Halbleiteroberfläche (2) durch relativ zum zu strukturierenden Material bewegte mechanische Strukturierungselemente, die Verwendung von Laserstrahlen, oder durch Ätztechniken ausgebildet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter (11) der Solarzelle durch Diffusion von geeigneten Fremdatomen, durch Inversion der Halbleiteroberfläche (2) oder durch Aufwachsen einer geeigneten Schicht ausgebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Material (5) maskierungsfrei und selektiv von allen nicht flankenartigen Bereichen (6) durch Ätzen wie naßchemisches Ätzen, Plasmaätzen, Laserätzen und/oder Ionenätzen abgetragen wird.
8. Solarzelle (1) umfassend ein Halbleitermaterial, in welchem durch einfallende Strahlungsenergie Ladungsträger erzeugbar sind, die durch ein elektrisches Feld trennbar und so dann über elektrisch leitende Kontakte (5) ableitbar sind, wobei
  • - auf zumindest einer Halbleiteroberfläche (2) zumindest eine Kante (3) ausgebildet ist, an die sich ein flankenartiger Bereich (4), anschließt und
  • - elektrisch leitfähiges Material mittelbar oder unmittelbar zumindest teilweise auf zumindest einen Teil der flankenartigen Bereiche aufgebracht ist,
    dadurch gekennzeichnet,
  • - daß sich an den flankenartigen Bereich (4) ein oder mehrere nicht flankenartige Bereiche anschließen (6) und
  • - daß die elektrisch leitenden Kontakte (5) ausschließlich auf den flankenartigen Bereichen (4), die zumindest abschnittsweise parallel oder nahezu parallel zur Substratnormale angeordnet sind, verlaufen.
9. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanten (3) durch kastenförmige, rillenförmige oder dreiecksförmige Vertiefungen ausgebildet werden.
10. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die mit Kanten (3) versehene Halbleiteroberfläche (2) zusätzlich mit im Vergleich zur Flankenbreite b kleinen Strukturen (8) (Pyramiden, Gräben oder Rillen) versehen ist.
11. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den elektrisch leitenden Kontakten (5) eine oder mehrere weitere Vertiefungen (9) in die Halbleiteroberfläche (2) eingebracht werden, deren Tiefe T mit der Flankenbreite b vergleichbar oder größer ist.
12. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Solarzelle vorder- und/oder rückseitig zumindest je eine Kante (3) mit flankenartigem Bereich (4) aufweist.
13. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand A zwischen den parallel oder nahezu parallel verlaufenden mit elektrisch leitfähigen Kontakten versehenen flankenartigen Bereichen 30 µm < A < 5000 µm, vorzugsweise 100 µm < A < 2000 µm beträgt.
14. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite b der flankenartigen Bereiche 5 µm < b < 200 µm, beträgt.
15. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitenden Kontakte (5) auf den flankenartigen Bereichen (4) zumindest teilweise auf einer Passivierschicht (7) verlaufen.
16. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial einkristallin, polykristallin oder amorph und ein Element- oder Verbindungshalbleiter ist.
17. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Kante (3) und der sich anschließende flankenartige Bereich (4) an der Halbleiteroberfläche (2) dadurch ausgebildet werden, daß das Halbleitermaterial auf einem zumindest eine Kante (3) und einen sich anschließenden flankenartigen Bereich (4) aufweisenden Substrat abgeschieden wird.
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