DE19646927A1 - Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Verfah­ ren zum Herstellen eines flachen bzw. flachliegenden Über­ gangs einer Halbleitervorrichtung, und insbesondere ein Ver­ fahren zum Herstellen eines flachen Übergangs, der eine si­ gnifikante Verbesserung der Hochintegration einer Halbleiter­ vorrichtung mit sich bringt.
Wenn der Integrationsgrad einer Halbleitervorrichtung hoch sein muß, wird die Herstellung einer flachen Verbindung ein sehr wichtiger Prozeß bei der Herstellung einer Halbleiter­ vorrichtung, da die laterale Diffusion vom Source-/Drain- Bereich eines Transistors eine Abnahme der effektiven Elek­ trodenlänge bewirkt. Weiterhin beeinflußt die laterale Diffu­ sion die Charakteristika des Transistors, wie z. B. den Punch­ through bzw. Durchgriff und dessen Ausmaß, das proportional zur Übergangstiefe ist. Deshalb bringt ein flacher Übergang den Effekt der Reduzierung des Kurzkanaleffekts. D.h. der flache Übergang, der für eine hochintegrierte Halbleitervor­ richtung erforderlich ist, kann zu einer Reduzierung des Flä­ chenwiderstands, Kontaktwiderstands und Leckstroms führen. Beispielsweise ist für eine hochintegrierte Halbleitervor­ richtung eines 256M-DRAM oder darüberhinaus, welche einen Übergangsleckstrom von weniger als 10 nA/cm² und einen Über­ gangsflächenwiderstand von weniger als 100 Ω/cm² erfordert, ein n⁺/p-Übergang erforderlich, der 0,1 µm oder weniger tief liegt, während ein p⁺/n-Übergang eine Tiefe von weniger als 0,15 µm aufweisen kann.
Zur Herstellung eines flachen Übergangs wird im allgemeinen ein Niedrigenergie-Ionenimplantationsverfahren benutzt, bei dem die Dotierstoffe leicht in ein Siliziumsubstrat mit nied­ riger Energie, beispielsweise 10 keV oder weniger, in einer frühen Stufe implantiert werden. Jedoch ist diese Technik in der Praxis für die Vorrichtung schwer anwendbar, da der Io­ nenstrahlstrom bei sehr niedriger Energie sehr gering ist. Weiterhin tritt eine Diffusion der Dotierstoffe bei einer der Ionenimplantation folgenden thermischen Behandlung auf, wel­ che die Ausbildung eines flachen Übergangs verhindert.
Eine weitere übliche Technik zur Ausbildung eines flachen Übergangs ist es, ein Channeling bzw. eine Gitterebenenfüh­ rung an einer frühen Stufe zu verhindern, um dadurch die Io­ nen nahe der Oberfläche eines Siliziumsubstrats zu lokalisie­ ren. Gemäß dieser Technik, die anfänglich amorphes Verfahren genannt wird, werden Ionen mit einer relativ großen Masse, wie z. B. Arsen (As), Silizium (Si) und Germanium (Ge) implan­ tiert, um ein Siliziumsubstrat vollständig amorph zu machen und um dadurch vollständig das Channeling der implantierten Ionen zu verhindern. Diese anfänglich amorphe Schicht wird in eine kristalline Siliziumschicht durch eine der Ionenimplan­ tation folgende thermische Behandlung umgewandelt. Jedoch werden ausgedehnte Defekte unterhalb der Grenzschicht zwi­ schen der anfänglich amorphen Schicht und der kristallinen Siliziumschicht aufgrund eines Überschusses von Si-Eigen­ zwischengitterdefekten, die von der Ionenimplantation herrüh­ ren, erzeugt. Weiterhin diffundieren die implantierten Ionen unter der Wirkung solcher Effekte tief, was zu einer Reduzie­ rung des Effekts der Verhinderung des Channelings führt. Zu­ sätzlich geben die ausgedehnten Defekte Anlaß zu einem An­ stieg des Übergangsleckstroms.
Eine weitere Herstellungstechnik eines flachen Übergangs be­ steht darin, eine thermische Behandlung bei einer niedrigen Temperatur nach der Ionenimplantation auszuführen. Diese üb­ liche Technik weist insofern ein signifikantes Problem auf, als daß die Temperatur und die Zeit der thermischen Behand­ lung aufgrund der Planarisierung des folgenden Oxidfilms in Grenzen reduziert sind. Weiterhin werden die Dotierstoffe in­ aktiv, und die Defektbeseitigung ist abgeschwächt, so daß der Flächenwiderstand und der Übergangsleckstrom ansteigen.
Eine weitere übliche Technik umfaßt die Bildung eines Titan­ silizidfilms über einer Gate-Elektrode und einer Source-/ Drain-Elektrode mit dem Ziel der Minimierung des Widerstands der Gateelektrode und der Source-/Drain-Elektrode. In dieser Hinsicht wird der Stand der Technik in Verbindung mit einigen Zeichnungen erklärt, um ein besseres Verständnis des Hinter­ grunds der Erfindung zu ermöglichen.
Mit Bezug auf die Fig. 1 bis 4 wird ein übliches Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervor­ richtung in schematischer Form beschrieben.
Wie in Fig. 1 gezeigt, wird eine Wanne 2 in einem vorbe­ stimmten Bereich eines Siliziumsubstrats 1 unter Benutzung einer Ionenimplantationsmaske gebildet, wonach ein Element­ isolierfilm 3 in einem Elementisolierbereich gebildet wird, wonach ein Gateoxidfilm 4 über dem freigelegten Silizium­ substrat 1 gebildet wird. Eine Polysiliziumschicht wird über dem Gateoxidfilm 4 abgeschieden und selektiv geätzt, um eine Gateelektrode 5 zu bilden, an deren Seitenwand dann ein Oxidabstandshalter 6 gebildet wird.
Unter Benutzung des Elementisolierfilms 3, der Gateelektrode 5 und des Oxidabstandhalters 6 als Maske werden Arsen(As)- oder Borfluorid(BF₂)-Ionen in Abhängigkeit von dem Typ des Siliziumsubstrats 1 selektiv in die freigelegten Bereiche des Siliziumsubstrats 1 implantiert, um einen n⁺- oder ein p⁺-artigen Source-/Drain-übergang 7 zu schaffen. Dabei wird ein Restoxidfilm (nicht gezeigt) mit einer bestimmten Dicke über dem Übergang 7 gebildet. Da Arsen(As)- oder Borfluorid(BF₂)- Ionen durch den Restoxidfilm implantiert werden, wird ein Channeling verhindert, und die Beschädigung des Halbleiter­ substrats, die durch die Ionenimplantation verursacht wird, ist reduziert. Dann wird eine Titanschicht (nicht gezeigt) über der resultierenden Struktur abgeschieden und einer pri­ mären schnellen thermischen Behandlung für eine kurze Zeit unterworfen, um ein quasistabiles Titansilizid (nicht ge­ zeigt) zu bilden, in dem die Titanschicht und das Silizium des Übergangs 7 die C49-Struktur aufweisen.
Fig. 3 ist ein Querschnitt, der aufgenommen ist, nachdem keiner Reaktion unterworfenes Titan abgeätzt ist, wonach die zweite schnelle thermische Behandlung des Titansilizids für eine kurze Zeit erfolgt. Daraus resultierend werden Titansi­ lizide der C54-Struktur in der Oberfläche der Gateelektrode 5 und in der Oberfläche des Übergangs 7 gebildet.
Fig. 4 ist ein Querschnitt, nachdem ein Zwischenschicht- Isolierfilm 9 vollständig über der resultierenden Struktur gebildet ist.
Mit Bezug auf Fig. 5 sind die Konzentrationen von Arsen (As) oder Bor (B) in dem Silizid und der Wanne, aufgenommen ent­ lang der Linie V-V von Fig. 4, aufgetragen. In dieser Auf­ tragung bezeichnet das Bezugszeichen "a" das Profil des Do­ tierstoffs unmittelbar nach der Implantation, während das Be­ zugszeichen "b" das Profil des Dotierstoffs unmittelbar nach dem Silizidprozeß und dem Planarisierungsprozeß bezeichnet.
Auf der X-Achse bezeichnen die Punkte "c" und "d" die Über­ gangstiefe von einem 256M-DRAM bzw. von einem 1G-DRAM.
Das erläuterte Herstellungsverfahren für einen flachen Über­ gang weist folgende signifikante Probleme auf. Der Kontaktwi­ derstand steigt, da die Reaktion von Arsen(As)- oder Bor(B)- Ionen mit Titan das Wachstum vom Silizid behindert und eine Reduzierung der Dotierstoff-Konzentration an der Grenzfläche zwischen dem Titansilizid und dem Silizium bewirkt. Weiterhin verursacht eine Beschädigung des Siliziumsubstrats, die bei der Ionenimplantation mit solchen üblichen Verfahren nicht vermeidbar ist, einen Anstieg der Defektdichte der Source- /Drain-Elektroden, was zu einem Anstieg des Übergangsleck­ stroms führt. Weiterhin ist es deshalb schwierig, einen fla­ chen Übergang zu erhalten, weil eine der Ionenimplantation folgende thermische Behandlung bewirkt, daß die Dotierstoffe diffundieren.
Demzufolge sind die üblichen Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs für hochintegrierte Halbleitervorrichtungen nicht effizient.
Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die beim Stand der Technik auftretenden Probleme zu lösen, und ein Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung anzugeben, durch das eine signifikante Verbesserung im Flächenwiderstand, Kontaktwiderstand und Lackstrom des Übergangs erzielt werden kann.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halb­ leitervorrichtung anzugeben, daß zur Hochintegration einer Halbleitervorrichtung effizient ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe nach Anspruch 1 gelöst, nämlich durch ein Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung mit folgenden Schrit­ ten: Bereitstellen eines Siliziumsubstrats, in dem ein Ele­ mentisolierfilm zum Definieren eines aktiven Bereichs und ei­ nes Feldbereichs gebildet ist; Bilden eines ersten Metall­ films über der resultierenden Struktur, wobei der erste Me­ tallfilm zur Gruppe IV gehört und eine hexagonale Kristall­ struktur aufweist; Implantieren von Fremdionen in die erste Metallschicht zum Ausbilden eines Source-/Drain-Übergangs in­ nerhalb des aktiven Bereichs des Siliziumsubstrats, wobei die Fremdionen eine Leitfähigkeit aufweisen, die von derjenigen des Siliziumsubstrats verschieden ist; Bilden eines zweiten Metallfilms über der resultierenden Struktur, wobei der zwei­ te Metallfilm zur Gruppe IV gehört und eine hexagonale Kri­ stallstruktur aufweist; Aussetzen des ersten und zweiten Me­ tallfilms einer ersten thermischen Behandlung zum Ausbilden eines ersten Metallsilizids und eines zweiten Metallsilizids und eines zweiten Metallsilizids in dem Source-/Drain- Übergang; Entfernen keiner Reaktion unterworfener Teile des ersten und zweiten Metallfilms; und Aussetzen des ersten Me­ tallsilizids und des zweiten Metallsilizids einer zweiten thermischen Behandlung.
Die obige Aufgabe wird erfindungsgemäß ebenfalls nach An­ spruch 20 gelöst, nämlich durch ein Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung mit fol­ genden Schritten: Bereitstellen eines Siliziumsubstrats; Bil­ den einer Wanne in dem Siliziumsubstrat und eines Elementiso­ lierfilms, eines Gateoxids, einer Gateelektrode und eines Seitenwand-Abstandhalters nacheinander auf der Wanne; Bilden eines Zirkonfilms über der resultierenden Struktur; Implan­ tieren von Fremdionen in den Zirkonfilm zum Bilden eines Source-/Drain-Übergangs innerhalb eines aktiven Bereichs des Siliziumsubstrats, wobei die Fremdionen eine Leitfähigkeit aufweisen, die von der des Siliziumsubstrats verschieden ist; Bilden eines Titanfilms über der resultierenden Struktur; Aussetzen des Zirkon- und Titanfilms einer ersten thermischen Behandlung für einige Minuten zum Bilden eines Zirkonsilizids und eines Titansilizids in dem Source-/Drain-Übergang; Ent­ fernen der keiner Reaktion unterworfener Teile des Zirkon- und Titanfilms; und Aussetzen des Zirkonsilizids und des Ti­ tansilizids einer zweiten thermischen Behandlung für einige Minuten.
Weitere Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen klar erscheinen.
In den Figuren zeigen:
Fig. 1 bis 4 schematische Querschnittsansichten zum Zeigen eines üblichen Verfahrens zum Bilden eines flachen Über­ gangs einer Halbleitervorrichtung;
Fig. 5 die Dotierstoffkonzentrationen, welche bezüglich der Übergangstiefe im Silizid und der Wanne, aufge­ nommen entlang der Linie V-V von Fig. 4, aufgetra­ gen sind; und
Fig. 6 bis 11 schematische Querschnittsansichten zum Zeigen eines Verfahrens zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung.
Die Anwendung der bevorzugten Ausführungsformen der vorlie­ genden Erfindung wird am besten mit Bezug auf die begleiten­ den Zeichnungen verstanden, in denen gleiche Bezugszeichen für gleiche und entsprechende Teile benutzt werden.
Mit Bezug auf die Fig. 6 bis 11 sind Verfahrensschritte zur Herstellung eines flachen Übergangs gemäß der vorliegen­ den Erfindung in schematischer Form dargestellt.
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird unter Benutzung einer Ionenim­ plantationsmaske eine Wanne 12 in einem vorbestimmten Bereich einer Halbleitervorrichtung 11 gebildet. Danach wird ein Ele­ mentisolierfilm 13 in einem Elementisolierbereich der Wanne 12 gebildet, wonach ein Gateoxidfilm 14 über dem freigelegten Siliziumsubstrat 11 gebildet wird. Eine Polysiliziumschicht wird über dem Gateoxidfilm 14 abgeschieden und selektiv ge­ ätzt, um eine Gateelektrode 15 zu bilden, an deren Seitenwand dann ein Oxidabstandshalter 16 gebildet wird. Die resultie­ rende Struktur wird mit Flußsäure (HF) gereinigt, um eine Kontaminierung mit Fremdionen zu vermeiden, wenn sie vom Va­ kuum zu einem anderen Ort transportiert wird, an dem folgende Prozeßschritte ausgeführt werden.
Als nächstes wird unter Benutzung eines RF- oder DC-Sputterverfahrens oder eines Elektronenstrahl- Abscheidungsverfahren ein Zirkonfilm 17 mit einer Dicke von etwa 50-200 Angström vollständig über der resultierenden Struktur abgeschieden, wie in Fig. 7 gezeigt. Anstelle des Zirkonfilms können Metallelemente der Gruppe IV mit einer hexagonalen Kristallstruktur selektiv benutzt werden, um ei­ nen Abscheidungsfilm zu bilden.
Bei Benutzung des Sputterverfahrens wird ein Zr/Ar(+N₂)- Prekursor bei einer Temperatur von etwa 20-500°C unter einem Druck von etwa 1-100 mTorr verwendet. Bei einem Elektroden­ strahl-Abscheidungsprozeß wird reines Zirkon von 99,0% oder darüber in einem Hochvakuum von 10-8-10-11 Torr durch einen Elektrodenstrahl verdampft.
Fig. 8 ist ein Querschnitt, der aufgenommen ist, nachdem Borfluorid (BF₂) oder Arsen (As) selektiv in den oberen Be­ reich des Zirkonfilms 17 implantiert ist, um einen Source-/ Drain-Übergang 18 zu bilden, wonach die Reinigung der resul­ tierenden Struktur folgt. Anstelle von Borfluorid oder Arsen können Fremdionen, ausgewählt aus der Gruppe III oder der Gruppe V, verwendet werden.
Darauffolgend wird, wie in Fig. 9 gezeigt, ein Titanfilm 19 mit einer Dicke von etwa 100-500 Angström über der resultie­ renden Struktur unter Benutzung eines Sputter- oder Elektro­ denstrahl-Abscheidungsverfahrens abgeschieden. Dieses Sput­ tern wird unter den gleichen Bedingungen, wie denen für den Zirkonfilm von Fig. 7 ausgeführt, mit Ausnahme dessen, daß Ti/Ar(+N₂) als Prekursor verwendet wird, während, falls das Elektronenstrahl-Abscheidungsverfahren gewählt wird, diesel­ ben Bedingungen verwendet werden.
Zirkon und Titan, die beide zur Gruppe IV gehören, haben eine Valenzelektronenstruktur [Ar] 3d² 4s² und [Kr] 4d² 5s². Zusätz­ lich haben Zirkon und Titan, die einen Atomdurchmesser von 2,0 und 2,1 Angström aufweisen, die gleiche hexagonale Kri­ stallstruktur. Somit sind sie miteinander ohne Spannung an der Grenzfläche zwischen ihnen verbindbar. Im Gegensatz zu Titan reagiert Zirkon nicht mit Arsen oder Bor.
Als nächstes werden der Zirkonfilm 17 und der Titanfilm 19 einer primären schnellen thermischen Behandlung für eine kur­ ze Zeit ausgesetzt. Während dieser Zeit reagiert der Zirkon­ film 17 mit dem Silizium des Übergangs 18 zum Bilden eines Zirkonsilizids (nicht gezeigt) . Unter Benutzung eines Ätzmit­ tels mit Ammoniumwasser (NH₄)OH, Wasserstoffperoxid (H₂O₂) und deionisiertem Wasser (H₂O), vermischt in einem Verhältnis 1 : 1 : 5, werden der keiner Reaktion unterworfene Titanfilm 19 und Zirkonfilm 17 ihresteils entfernt.
Wie in Fig. 10 gezeigt, werden das Zirkonsilizid (nicht ge­ zeigt) und das Titansilizid (nicht gezeigt), die beide aus der primären schnellen thermischen Behandlung herrühren, se­ kundär für eine kurze Zeit thermisch behandelt, um ein Zir­ konsilizid 20 und einen Titansilizid 21 zu bilden. Anstelle der obigen primären und sekundären thermischen Behandlung können primäre und sekundäre Ofenanlaßverfahren verwendet werden.
Das Zirkonsilizid 20 hat dieselbe orthorhombische Struktur C49 wie das Titansilizid 21. In den Gitterabständen ist das Zirkonsilizid ähnlich wie das Titansilizid, wobei das vorher­ gehende a = 3,69 Angström, b = 14,76 Angström und c = 3,66 Angström und das letztere a = 3,62 Angström, b = 13,76 Ang­ ström und c = 3,60 Angström aufweist. Während das Titansili­ zid eine große Aggregationstendenz aufgrund seiner hohen Oberflächenenergie aufweist, hat das Zirkonsilizid diese in einem geringem Maße aufgrund seiner niedrigen Oberfläche­ nenergie. Daher spielt das Zirkonsilizid 20 die Rolle einer Deckschicht über dem Titansilizid 21, welche die Gewährlei­ stung einer thermischen Stabilität in folgenden thermischen Prozeßschritten ermöglicht. Die spezifischen Widerstände von Zirkonsilizid C-49-Titansilizid und C-54-Titansilizid liegen im Bereich von 33-42, 65-85 bzw. 13-25 µΩm. Für eine Schott­ ky-Barriere zeigen Zirkonsilizid und Titansilizid 0,55 eV und 0,6 eV und weisen relativ hohe Barrierenhöhen in n- oder p-artigen Silizium auf, was einen Ohmschen Kontakt ermöglicht.
Als nächstes wird auf der resultierenden Struktur ein Zwi­ schenschicht-Isolierfilm 11 abgeschieden und dann durch eine thermische Behandlung planarisiert.
Wie zuvor beschrieben, bildet Zirkon keine Verbindungen mit Arsen oder Bor, was es ermöglicht, daß das Silizid gleichmä­ ßig wächst, was den Widerstand gemäß dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung reduziert. Da weiterhin Bor oder Arsen durch den Zirkonfilm in ein Halbleitersubstrat implantiert wird, kann ein flacher Übergang erhalten werden. Weiterhin existieren gemäß dem Verfahren nach der vorliegenden Erfin­ dung die von der Ionenimplantation verursachten Defekte in­ nerhalb des Zirkonfilms, so daß eine signifikante Reduktion in der Defektdichte am Übergang möglich ist. Weiterhin ermög­ licht die Rolle des Zirkonsilizids als Deckschicht über dem Titansilizid die Aufrechterhaltung einer thermischen Stabili­ tät in folgenden thermischen Prozeßschritten. Weiterhin ist es, da das Titansilizid und das Zirkonsilizid relativ geringe Barrierenhöhen in n- oder p-artigem Silizium aufweisen, mög­ lich, einen Ohmschen Kontakt gemäß dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung zu bilden.
Insgesamt demonstrieren die Resultate, daß das Verfahren zum Bilden eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Hochintegration einer Halbleitervorrichtung geeignet ist.
Die vorliegende Erfindung wurde auf illustrative Art und Wei­ se beschrieben, und man sollte verstehen, daß die Terminolo­ gie in der Natur der Beschreibung liegt und keine Beschrän­ kung darstellt.
Viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfin­ dung sind angesichts der obigen Lehre möglich. Deshalb sollte man verstehen, daß innerhalb des Schutzumfangs der angehäng­ ten Patentansprüche die Erfindung auf andere Arten als die speziell beschriebenen ausgeführt werden kann.

Claims (20)

1. Verfahren zum Herstellen einer flachen Verbindung einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:
Bereitstellen eines Siliziumsubstrats, in dem ein Elementiso­ lierfilm zum Definieren eines aktiven Bereichs und eines Feldbereichs gebildet ist;
Bilden eines ersten Metallfilms über der resultierenden Struktur, wobei der erste Metallfilm zur Gruppe IV gehört und eine hexagonale Kristallstruktur aufweist;
Implantieren von Fremdionen in die erste Metallschicht zum Bilden eines Source-/Drain-Übergangs innerhalb des aktiven Bereichs des Siliziumsubstrats, wobei die Fremdionen eine Leitfähigkeit aufweisen, die von der des Siliziumsubstrats verschieden ist;
Bilden eines zweiten Metallfilms über der resultierenden Struktur, wobei der zweite Metallfilm zur Gruppe IV gehört und eine hexagonale Kristallstruktur aufweist;
Aussetzen des ersten und zweitem Metallfilms einer ersten thermischen Behandlung zur Bildung eines ersten Metallsili­ zids und eines zweiten Metallsilizids in dem Source-/Drain- Übergang;
Beseitigen keiner Reaktion unterworfener Teile des ersten und zweiten Metallfilms; und
Aussetzen des ersten Metallsilizids und des zweiten Metallsi­ lizids einer zweiten thermischen Behandlung.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Metallfilm eine Zirkonfilm ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zirkonfilm mit einer Dicke von 50-200 Angström gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zirkonfilm unter Benutzung eines RF- oder DC-Sputterprozesses gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der RF- oder DC-Sputterprozeß mit einem Zr/Ar(+N₂)-Prekursor bei einer Temperatur von 20-500°C unter einem Druck von 1-100 mTorr ausgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zirkonfilm unter Benutzung eines Elektronenstrahl- Abscheidungsprozesses gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl-Abscheidungsprozeß durch Verdampfen von 99,0% oder stärker hochreinem Zirkon mit einem Elektronen­ strahl in einem Ultrahochvakuum von 10-8 bis 10-11 Torr ausge­ führt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Metallfilm ein Titanfilm ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Titanfilm mit einer Dicke von 100 bis 500 Angström gebil­ det wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Titanfilm unter Benutzung eines RF- oder DC-Sputterverfahrens gebildet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der RF- oder DC-Sputterprozeß mit einem Ti/Ar-(+N₂)- Prekursor bei einer Temperatur von 20-500°C unter einem Druck von 1-100 mTorr ausgeführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet daß der Titanfilm unter Benutzung eines Elektronenstrahl- Abscheidungsprozesses gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl-Abscheidungsprozeß durch Verdampfen von 99,0% oder stärker reinem Titan mit einem Elektronenstrahl in einem Ultrahochvakuum von 10-8 bis 10-11 Torr ausgeführt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die keiner Reaktion unterworfenen Teile des ersten Metall­ films und des zweiten Metallfilms unter Benutzung eines Ätz­ mittels mit Ammoniumwasser, Wasserstoffperoxid und deioni­ siertem Wasser, gemischt in einem Verhältnis 1 : 1 : 5, entfernt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite thermische Behandlung eine schnelle thermische Anlaßbehandlung (RTA) sind.
16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite thermische Behandlung eine thermische Ofenbehandlung sind.
17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Siliziumsubstrat n-artig ist, und die Fremdionen Arsen sind.
18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumsubstrat p-artig, und die Fremdionen Bor sind.
19. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Metallfilm und der zweite Metallfilm beide dieselbe orthorhombische Struktur C49 aufweisen.
20. Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:
Bereitstellen eines Siliziumsubstrats;
Bilden einer Wanne in dem Siliziumsubstrat und eines Elemen­ tisolierfilms, eines Gateoxids einer Gateelektrode und einer Seitenwand-Abstandshalters nacheinander auf der Wanne;
Bilden eines Zirkonfilms über der resultierenden Struktur;
Implantieren von Fremdionen in den Zirkonfilm zum Bilden ei­ nes Source-/Drain-Übergangs innerhalb eines aktiven Bereichs des Siliziumsubstrats, wobei die Fremdionen eine Leitfähig­ keit aufweisen, die von der des Siliziumsubstrats verschieden ist;
Bilden eines Titanfilms über der resultierenden Struktur;
Aussetzen des Zirkon- und Titanfilms einer ersten thermischen Behandlung für einige Minuten zum Bilden eines Zirkonsilizids und eines Titansilizids in dem Source-/Drain-Übergang; Entfernen keiner Reaktion unterworfener Teile des Zirkon- und des Titanfilms; und
Aussetzen des Zirkonsilizids und Titansilizids einer zweiten thermischen Behandlung für einige Minuten.
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