DE19624649A1 - Maske zur Überprüfung der Linsenverzerrung bei einem Stepper - Google Patents
Maske zur Überprüfung der Linsenverzerrung bei einem StepperInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Maske zur Überprüfung der
Linsenverzerrung bei einem Stepper, wie er bei der
Belichtungsbehandlung für die Herstellung eines
Halbleiterbauelementes verwendet wird.
Im allgemeinen wird bei einem Stepper eine Linse angeordnet,
wie er für die Herstellung eines Halbleiterbauelementes zum
Einsatz kommt. Wenn die Oberfläche der Linse ungleichmäßig
gefertigt wurde, wird die gewünschte Musterabbildung nicht
auf den Wafer übertragen, da die Musterabbildung bei
Durchgang durch die Linse verzerrt wird, wodurch der
Datendurchsatz des Halbleiterbauelementes herabgesetzt wird.
Vor der Schrittbehandlung muß daher die Verzerrung der Linse
überprüft werden, um den Linsenzustand festzustellen. Eine
herkömmliche Maske zur Überprüfung der Linsenverzerrung, wie
sie in Fig. 1 gezeigt ist, umfaßt eine Vielzahl von Mutter-
Prüfmarkierungen 11 und eine Tochter-Prüfmarkierung 12. Die
Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen 11 ist an
unterschiedlichen Bereichen eines Quarzelementes 10
vorgesehen und die Tochter-Prüfmarkierung 12 an einer
bestimmten Stelle, z. B. in der Mitte des Quarzelementes 10
angeordnet.
Das Verfahren zur Überprüfung einer Linsenverzerrung bei
einem Stepper unter Verwendung der vorerwähnten Maske wird
nachfolgend erläutert.
Nachdem der mit einem Fotolack beschichtete Wafer auf der
Bühne des Steppers angeordnet wurde, wird eine Maske montiert
und werden die Abbildungen der Vielzahl von Mutter-
Prüfmarkierungen 11 auf den Fotolack mit vollständig offener
Maske bei einem ersten Belichtungsvorgang übertragen. Danach
wird entsprechend eingegebenen Daten die Bühne bewegt, so
daß die Tochter-Prüfmarkierung 12 der Maske in eine
ausgerichtete überlappende Beziehung zu einem der Mutter-
Prüfmarkierungen 11 gelangt. In dieser Position wird eine
Abbildung der Tochter-Prüfmarkierung 12 auf den Fotolack bei
einem zweiten Belichtungsvorgang übertragen, wobei eine
Blende verwendet wird, die nur die Tochter-Prüfmarkierung 12
der Maske offen läßt. Daher muß dieser Belichtungsvorgang,
da die Bühne entsprechend den eingegebenen Daten bewegt wird,
bei jeder Mutter-Prüfmarkierung 11 wiederholt werden.
Wenn der Belichtungsvorgang abgeschlossen ist, so daß die
Abbildung von jedem der Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen
11, die auf den Fotolack übertragen wurden, sich einer
Abbildung der Tochter-Prüfmarkierung 12 überlappt, wird eine
Entwicklungsbehandlung durchgeführt und der
Überlappungszustand der Mutter-Prüfmarkierungen 11 und der
Tochter-Prüfmarkierung 12 untersucht. Die Bereiche, bei denen
sich eine Mutter-Prüfmarkierung 11 und die Tochter-
Prüfmarkierung 12 exakt überlappen, haben eine gute
Linsenqualität. Falls es einen Bereich gibt, bei dem sich
eine Mutter-Prüfmarkierung 11 und die Tochter-Prüfmarkierung
12 nicht genau überlappen, bedeutet das, daß der
entsprechende Bereich der Linse verzerrt ist.
Um die Verzerrung einer Linse unter Einsatz einer
herkömmlichen Maske überprüfen zu können, muß somit der
Belichtungsvorgang wiederholt werden, um eine überlappende
Abbildung der Tochter-Prüfmarkierung 12 mit jeder Mutter-
Prüfmarkierung 11 zu erhalten. Die Bühne muß dazu bei jedem
Belichtungsvorgang bewegt werden. Es ist daher viel Zeit
erforderlich, da mehrere Belichtungsvorgänge vorgenommen
werden müssen. Auch können exakte Verzerrungsdaten nicht
immer erhalten werden, da ein Fehler aus der vielfachen
Bewegung der Bühne die Verzerrungsdaten der Linse
beeinflussen kann.
Ein Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer Maske zur
Überprüfung einer Linsenverzerrung, mit der genaue
Verzerrungsdaten mittels einer ersten Belichtungsbehandlung
zur Übertragung der Abbildung von Mutter-Prüfmarkierungen und
mittels einer zweiten Belichtungsbehandlung bei nur einer
Bühnenbewegung erhalten werden können, indem bei der zweiten
Belichtungsbehandlung eine Abbildung von Tochter-
Prüfmarkierungen, welche die Abbildungen der Mutter-
Prüfmarkierungen überlappen, übertragen werden.
Die Maske zur Überprüfung einer Linsenverzerrung gemäß der
vorliegenden Erfindung, mit der das vorerwähnte Ziel erreicht
wird, zeichnet sich dadurch aus, daß eine Vielzahl von
Mutter-Prüfmarkierungen an verschiedenen Stellen eines
Quarzelementes vorgesehen ist, und daß eine ebensolche
Vielzahl von Tochter-Prüfmarkierungen vorgesehen ist, die in
gleichmäßigem Abstand von den betreffenden Mutter-
Prüfmarkierungen auf dem Quarzelement angeordnet sind.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer Ausführungsform
und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in Draufsicht eine herkömmliche Maske zur
Überprüfung einer Linsenverzerrung, und
Fig. 2 in Draufsicht eine Maske zur Überprüfung einer
Linsenverzerrung gemäß der vorliegenden Erfindung.
In der Zeichnung tragen gleiche Bauteile die gleichen
Bezugszeichen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Fig. 2 beschrieben.
Fig. 2 zeigt die erfindungsgemäße Maske zur Überprüfung
einer Linsenverzerrung in Draufsicht.
Wie dargestellt, umfaßt die Maske zur Überprüfung der
Linsenverzerrung eine Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen
110 und eine Vielzahl von Tochter-Prüfmarkierungen 120. Die
Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen 110 ist an
unterschiedlichen Bereichen eines Quarzelementes 100
vorgesehen, und jede der Vielzahl von Tochter-
Prüfmarkierungen 120 ist in einem seitlichen Abstand D von
der Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen 110 auf dem
Quarzelement 100 angeordnet.
Das Verfahren zur Überprüfung der Linsenverzerrung eines
Steppers unter Verwendung der vorerwähnten Maske wird
nachfolgend erläutert.
Nachdem ein mit einem Fotolack beschichteter Wafer auf der
Stepperbühne angeordnet worden ist, wird die Maske montiert
und eine Abbildung der Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen 110
auf den Fotolack bei vollständig offener Maske in einem
ersten Belichtungsvorgang übertragen. Dann wird die Bühne
entsprechend eingegebenen Daten, d. h. seitlich um die
Wegstrecke D bewegt, so daß jeweils eine der der Vielzahl
von Tochter-Prüfmarkierungen 120 der Maske in eine
überlappende Beziehung zu einer der Vielzahl von Mutter-
Prüfmarkierungen 110 gelangt, deren Abbildung auf den
Fotolack übertragen wurde. Eine Abbildung der Vielzahl von
Tochter-Prüfmarkierungen 120 wird dann auf den Fotolack in
einem zweiten Belichtungsvorgang mit vollständig offener
Maske übertragen.
Auch kann man den Unterschied der Linsenverzerrungen zwischen
zwei (2) Steppern unter Verwendung der erfindungsgemäßen
Maske erkennen.
Nachdem ein mit einem Fotolack beschichteter Wafer auf die
Bühne des ersten Steppers positioniert wurde, wird die Maske
montiert und die Abbildung der Vielzahl von Mutter-
Prüfmarkierungen 110 bei vollständig offener Maske in einem
ersten Belichtungsvorgang auf den Fotolack übertragen. Danach
wird, nachdem der Wafer, auf den die Abbildung der Vielzahl
von Mutter-Prüfmarkierungen 110 übertragen wurde, auf die
Bühne eines zweiten Steppers positioniert worden ist, die bei
dem ersten Stepper verwendete Maske montiert und dann die
Bühne entsprechend eingegebenen Daten, d. h. seitlich um die
Wegstrecke D bewegt, so daß jede Tochter-Prüfmarkierung 120
der Vielzahl von Tochter-Prüfmarkierungen der Maske 100 in
eine überlappende Beziehung zu der Abbildung der betreffenden
Mutter-Prüfmarkierung 110 auf dem Fotolack gelangt. Danach
wird eine Abbildung der Vielzahl von Tochter-Prüfmarkierungen
120 auf den Fotolack in einem zweiten Belichtungsvorgang mit
vollständig offener Maske übertragen.
Wenn der schrittweise Behandlungsvorgang mit Übertragung
eines Bildes von jeder der Mutter-Prüfmarkierungen 110, die
sich mit jeweils einer der Tochter-Prüfmarkierungen 120
überlappen, beendet ist, ermöglicht eine
Entwicklungsbehandlung die Auswertung des
Überlappungszustandes der entwickelten Mutter-
Prüfmarkierungen 110 und Tochter-Prüfmarkierungen 120.
Bei der Überprüfung auf Linsenverzerrung bei einem Stepper
gibt der Bereich der entwickelten Abbildung, an dem sich eine
Mutter-Prüfmarkierung 110 und die zugehörige Tochter-
Prüfmarkierung 120 einander genau überlappen, einen guten
Zustand für den entsprechenden Bereich der Linse an. Falls es
einen Bereich gibt, bei dem sich die Mutter-Prüfmarkierung
110 und die zugehörige Tochter-Prüfmarkierung 120 nicht genau
überlappen, bedeutet dies, daß der entsprechende Bereich der
Linse verzerrt ist.
Bei der Prüfung des Unterschiedes hinsichtlich der
Linsenverzerrungen eines ersten und zweiten Steppers zeigt
der Bereich, bei dem sich der Mutter-Prüfmarkierungen 110 und
die Tochter-Prüfmarkierungen 120 exakt überlappen, an, daß
der Zustand der Linse bei dem ersten und zweiten Stepper
jeweils der gleiche ist. Falls es einen Bereich gibt, bei
dem die Mutter-Prüfmarkierungen 110 und Tochter-
Prüfmarkierungen 120 einander nicht genau überlappen,
bedeutet dies, daß der Zustand jeder Linse beim ersten und
zweiten Stepper unterschiedlich ist.
Wie eingangs erwähnt, kann die Prüfung auf Linsenverzerrung
bei einem Stepper unter Verwendung der erfindungsgemäßen
Maske mit kürzerer Prüfzeit erfolgen, da die Überprüfung nur
zwei Betätigungsschritte erfordert, die eine Übertragung der
Abbildung einer Vielzahl von Mutter-Prüfmarkierungen und
einer Vielzahl von Tochter-Prüfmarkierungen umfassen. Mit der
Erfindung können ferner die exakten Verzerrungsdaten erhalten
werden, da die Bühne nur einmal bewegt wird, so daß ein
Fehler aufgrund einer Vielzahl von Bühnenbewegungen, welche
die Verzerrungsdaten der Linse beeinflussen können, vermieden
wird. Die Erfindung kann ferner die Kompatibilität zwischen
Systemen verbessern, da der Unterschied der Linsenverzerrung
zwischen unterschiedlichen Steppern ermittelt werden kann.
Obgleich die Erfindung vorausgehend anhand einer bevorzugten
Ausführungsform mit einem gewissen Grad an Spezialisierung
beschrieben wurde, versteht es sich, daß die Erfindung nicht
auf die bevorzugte Ausführungsform beschränkt ist.
Abweichungen und Modifikationen, die sich dem Fachmann anhand
der gegebene Lehre anbieten, sind demzufolge als im Rahmen der
Erfindung anzusehen.
Claims (1)
- Maske zur Überprüfung einer Linsenverzerrung eines Steppers, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von an unterschiedlichen Bereichen eines Quarzelementes (100) vorgesehenen Mutter- Prüfmarkierungen (110) und eine Vielzahl von auf dem Quarzelement vorgesehenen Tochter-Prüfmarkierungen (120), von denen jede in einem gleichmäßigen Abstand von einer betreffenden Mutter-Prüfmarkierung angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950016403A KR970003401A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 디스톨션 체크용 레티클 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19624649A1 true DE19624649A1 (de) | 1997-01-02 |
Family
ID=19417574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19624649A Ceased DE19624649A1 (de) | 1995-06-20 | 1996-06-20 | Maske zur Überprüfung der Linsenverzerrung bei einem Stepper |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5844672A (de) |
KR (1) | KR970003401A (de) |
CN (1) | CN1090757C (de) |
DE (1) | DE19624649A1 (de) |
GB (1) | GB2302416B (de) |
TW (1) | TW409334B (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100298189B1 (ko) * | 1998-06-16 | 2001-08-07 | 박종섭 | 미스얼라인측정을위한중첩마크및방법 |
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1995
- 1995-06-20 KR KR1019950016403A patent/KR970003401A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-06-19 GB GB9612793A patent/GB2302416B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-19 TW TW085107437A patent/TW409334B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-06-20 DE DE19624649A patent/DE19624649A1/de not_active Ceased
- 1996-06-20 CN CN96111025A patent/CN1090757C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-24 US US08/959,542 patent/US5844672A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1164644A (zh) | 1997-11-12 |
TW409334B (en) | 2000-10-21 |
US5844672A (en) | 1998-12-01 |
GB2302416A (en) | 1997-01-15 |
GB9612793D0 (en) | 1996-08-21 |
KR970003401A (ko) | 1997-01-28 |
GB2302416B (en) | 1999-02-10 |
CN1090757C (zh) | 2002-09-11 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |