DE19536250A1 - Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors - Google Patents
Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des SensorsInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000001447 compensatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- SAZUGELZHZOXHB-UHFFFAOYSA-N acecarbromal Chemical compound CCC(Br)(CC)C(=O)NC(=O)NC(C)=O SAZUGELZHZOXHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0051—For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0361—Tips, pillars
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/05—Type of movement
- B81B2203/051—Translation according to an axis parallel to the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/05—Type of movement
- B81B2203/053—Translation according to an axis perpendicular to the substrate
Description
Die Erfindung betrifft einen mikroelektronischen, integrier
ten Sensor, in dem in ein Cantilever ausgebildet ist, und der
insbesondere eine Stütze aufweist, die sich zur Abstützung
der oberen Schichten durch einen Hohlraum erstreckt. Weiter
hin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des
Sensors.
Derartige Sensoren werden beispielsweise zur Messung von Be
schleunigungen eingesetzt. Der Cantilever dient dabei zusam
men mit einer oberen und einer unteren Elektrode als Kapazi
tätsreihenschaltung, wobei Kapazitätsänderungen als Meßgröße
ausgewertet werden. Üblicherweise sind die bisher bekannten
Cantilever über Federn im Sensor verankert. Die Prozeßabläufe
bei der Herstellung des Sensors führen jedoch zu Streß, ins
besondere mechanischem Streß, im Cantilever. Bei einer nicht
vollständigen Relaxierung der Federn kann sich der Cantilever
dadurch dauerhaft verbiegen. Weiterhin können die in den
Federn aufgenommenen Kräfte zu einem Fehlverhalten des Canti
levers während des Betriebs führen. Zur mechanischen Stabili
sierung dieser Sensoren werden obere Verschlußplatten, die in
der Regel aus einer Polysiliziumschicht bestehen, mit Hilfe
von Oxidstützen abgestützt. Ebenso können die Verschlußzeiten
aus einer Metallisierung gebildet und mit Metallisierungs
stützen abgestützt werden. Bei Aluminiumstützen besteht je
doch das Problem, daß diese zur unteren Elektrode z. B. mit
tels einer Diode isoliert werden müssen. Trotzdem können noch
Leckströme auftreten, die die Funktionalität des Sensors be
einträchtigen. Oxidstützen sind nur schwierig herzustellen,
da ihre Gestaltung problematisch und stark von den Ätzzeiten
abhängig ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sensor der
eingangs genannten Art zu schaffen, der unempfindlich gegen
mechanische Beanspruchung ist. Außerdem soll ein Verfahren
zur Herstellung eines solchen Sensors geschaffen werden.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt vorrichtungsmäßig einer
seits mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 und
andererseits mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs
8. Verfahrensmäßig erfolgt die Lösung einerseits mit den
Merkmalen des Anspruchs 10 und alternativ mit den Merkmalen
des Anspruchs 11.
Nach einem wesentlichen Gedanken der Erfindung ist der Canti
lever auf einem Auflager aufgelegt, sind seitliche und obere
Bewegungsbegrenzungen vorhanden, die in der Weise von dem
Rand des Cantilevers beabstandet sind, daß einerseits aus
reichende Ausgleichsbewegungen des Cantilevers von mechani
schem Streß möglich sind, und daß andererseits die Aus
gleichsbewegungen nur im Bereich des Auflagers möglich sind.
Auf diese Weise wird ein vollständig und frei relaxierbarer
Cantilever geschaffen, der auf dem Auflager, beispielsweise
Lagerpunkten, aufgelegt ist, auf denen er sich im wesent
lichen frei bewegen kann und seitlich und von oben soweit in
seiner Bewegung begrenzt wird, daß ein Verschieben oder Ab
rutschen über die tragenden Lagerpunkte hinaus verhindert
wird.
Das Auflager wird in einer besonders bevorzugten Ausführungs
form aus einer Polysiliziumschicht hergestellt, so daß der
direkte und ständige Kontakt des Cantilevers mit der Lagerung
nur zwischen dem Polysilizium des Cantilevers und dem Polysi
lizium des Auflagers stattfindet.
Auflager und Bewegungsbegrenzung können günstigerweise auch
als eine Einheit ausgebildet sein, wobei bevorzugt eine den
Cantilever-Außenrand sacklochförmig umgebende Aufnahme
einrichtung vorgesehen ist. Ebenso kann man hier auch von
einer schlitzförmigen oder nutartigen Aufnahme des Canti
levers sprechen. Die Bewegungsbegrenzungen und das Auflager
sind bevorzugt im gesamten Umfangsbereich des Cantilevers
vorgesehen. Ebenso kann jedoch auch eine punktförmige Lage
rung vorhanden sein.
Die Bewegungsbegrenzung kann auch dadurch funktionsmäßig in
das Auflager integriert werden, daß der Cantilever abgestuft
ausgebildet wird, so daß er einerseits auf dem Lagerpunkt
aufliegt und die Stufe im Falle eines Verrutschens an den
Lagerpunkten anschlagen würde. Durch Planisierung der Oxid
schicht, auf der der Cantilever ausgebildet wird, ist auch
die Herstellung eines geraden Cantilevers möglich.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Bewegungsbe
grenzung in Form einer Stütze ausgebildet, die durch eine im
Cantilever gebildete Ausnehmung geführt wird. Die Be
wegungsbegrenzung greift in diesem Fall also nicht an dem
Außenrand des Cantilevers, sondern an dem in der Ausnehmung
gebildeten Rand des Cantilevers an.
Nach einem weiteren wesentlichen Gedanken der Erfindung weist
der mikroelektronische Sensor eine aus Nitrid bestehende
Stütze auf, die sich durch den Hohlraum des Sensors erstreckt
und dadurch die oberen in der Regel aus Polysilizium beste
henden Schichten des Sensors gegen den Boden abstützt. Da
durch wird eine Stabilitätserhöhung des Sensors erreicht, bei
der keine elektrischen Isolationsprobleme auftreten.
Die Nitridstützen sind bevorzugt mit einem Hohlraum ausge
bildet, da diese Form besonders leicht herstellbar ist.
Bei dem Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen,
integrierten Sensors mit einem in einem Hohlraum ausgebil
deten Cantilever wird nach einem wesentlichen Gedanken der
Erfindung auf einem Substrat ein erstes Oxid erzeugt, eine
erste Polysiliziumschicht abgeschieden und zur Bildung von
einem Cantileverlager strukturiert, darauf eine zweite Oxid
schicht abgeschieden, im nächsten Schritt eine zweite Silizi
umschicht zur Cantileverbildung abgeschieden, dotiert und re
kristallisiert, in der zweiten Polysiliziumschicht ein
Löcherarray strukturiert, welches zum Durchleiten der am Ende
des Prozeßablaufs durchgeführten Oxidätzung dient, eine
dritte und vierte Oxidschicht aufgebracht und strukturiert,
eine dritte Polysiliziumschicht zur Bildung eines Deckels
aufgebracht, in der dritten Polysiliziumschicht ein Löcher
array strukturiert und durch dieses Löcherarray eine isotrope
Ätzung der darunter liegenden vier Oxidschichten mit Ausnahme
eines Teils der ersten Oxidschicht, die unter der Struktur
der ersten Polysiliziumschicht liegt, zur Bildung des Hohl
raums durchgeführt.
Mit diesem Verfahren wird ein Cantilever in einem Hohlraum
innerhalb eines Sensors ausgebildet, der auf einem aus der
ersten Polysiliziumschicht ausgebildeten Lagerpunkt aufliegt.
Um zu vermeiden, daß während der Oxidätzung zur Bildung des
Hohlraums der aus der zweiten Polysiliziumschicht gebildete
Cantilever sich auf der Polysiliziumschicht oder an einer an
deren Fläche im Zusammenwirken mit der Ätzflüssigkeit fest
saugt, ist es vorteilhaft, während des Herstellungsprozesses
Lackstützen vorzusehen. Sie können auf einfache Weise durch
eine zweistufige Erzeugung des Löcherarrays in der dritten
Polysiliziumschicht gebildet werden. Dabei werden mit einer
ersten Fototechnik über die Fläche verteilt Löcher struktu
riert. Über diese Löcher wird zunächst eine anisotrope Oxid
ätzung mit einer teilweise isotropen Komponente durchgeführt.
In die dabei erzeugten Hohlräume wird Lack eingebracht, indem
zur Erzeugung der übrigen Löcher des Löcherarrays in der
dritten Polysiliziumschicht erneut eine Lackmaske aufgebracht
wird, die die jetzt zu erzeugenden Löcher frei läßt und die
zuerst erzeugten Löcher abdeckt. Dabei füllen sich die vorher
geätzten Hohlräume mit Lack und untergreifen aufgrund der
isotropen Komponente der vorhergehenden Ätzung auch die
zweite Polysiliziumschicht. Für die Ausbildung dieser Lack
stützen ist es notwendig, daß die dafür verwendeten Löcher im
Löcherarray der zweiten Polysiliziumschicht im wesentlichen
mit den Löchern der dritten Polysiliziumschicht übereinstim
men. Abschließend wird der Lack aus dem vollständig geätzten
Hohlraum entfernt, so daß der Cantilever frei beweglich ange
ordnet ist.
Nach einem weiteren wesentlichen Gedanken der Erfindung wird
zur Bildung einer Stütze in dem Hohlraum des Sensors eine
Verfahrensfolge angewandt, bei der verschiedene Oxidschichten
aufgebracht werden, die später den Hohlraum bilden, auf die
Oxidschichten eine später den Deckel bildende Polysilizium
schicht abgeschieden wird, diese mit einer Fototechnik struk
turiert und anschließend geätzt wird, durch das geätzte Loch
in der Polysiliziumschicht eine anisotrope Oxidätzung mit
isotroper Komponente durchgeführt wird, eine Nitridbeschich
tung aufgebracht wird, die auch den vorher geätzten Hohlraum
füllt und so eine Nitridstütze bildet, und durch andere in
der Polysiliziumschicht geätzte Löcher eine Oxidätzung zur
Bildung des Hohlraums um den Pfeiler herum durchgeführt wird.
Bei der Ausbildung des Cantilevers, der aus einer zwischen
den Oxidschichten angeordneten weiteren Polysiliziumschicht
gebildet wird, ist es bevorzugt, an der Stelle der späteren
Stütze eine größere Ausnehmung zu strukturieren, so daß die
Stütze beabstandet von dem Cantilever durch diesen hindurch
führt.
In der den Deckel bildenden Polysiliziumschicht wird günsti
gerweise ein Löcherarray erzeugt, durch die die späteren
Ätzungen vorgenommen werden. Dabei wird ein Loch zur Durch
führung der Schritte zur Nitridstützen-Herstellung ausge
wählt und die darum herum liegenden Löcher zur Ätzung der
Oxidschichten verwendet.
In einer Weiterbildung der Erfindung werden die verschiedenen
Oxidschichten aus Materialien mit unterschiedlichen Ätzraten
gebildet, so daß bei der Hohlraumätzung die Formung des
gewünschten Hohlraums durch die Wahl einer Oxidschicht mit
einer geeigneten Ätzrate gesteuert werden kann. In dieser
Ausführungsform ist jedoch durch die Verwendung der ersten
Polysiliziumschicht als Lagerpunkt und gleichzeitig als Ätz
stop für einen Teil des darunter liegenden Oxids auch eine
Verwendung von Oxidschichten mit gleicher Ätzrate möglich.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiels weiter erläutert. Im ein
zelnen zeigen die schematischen Darstellungen in:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch einen mikro
elektronischen Sensor mit Cantilever und Nitrid
stütze während des Herstellungsverfahrens;
Fig. 2 einen mikroelektronischen Sensor mit Cantilever und
Nitridstütze gegen Ende des Herstellungsverfahrens;
und
Fig. 3 eine teilgeschnittene Draufsicht auf einen mikro
elektronischen Sensor.
In Fig. 1 sind die in verschiedenen Verfahrensschritten auf
gebrachten und strukturierten Materialschichten dargestellt.
Dabei wird ausgehend von einem Substrat 1 eine erste, relativ
dicke Oxidschicht 2 erzeugt. Auf diese wird eine erste Poly
siliziumschicht 3 aufgebracht, die mit einer Fototechnik
strukturiert wird, um später einen Lagerpunkt für den Canti
lever zu bilden. Danach wird eine zweite Oxidschicht 4 aufge
bracht, deren wesentliche Aufgabe darin besteht, den aus der
ersten Polysiliziumschicht 3 gebildeten Lagerpunkt 18 zu
bedecken. Außerhalb dieses Bereichs wird die Oxidschicht
wieder entfernt, so daß, wie in Fig. 1 dargestellt, im
nächsten Schritt eine zweite Polysiliziumschicht 5 aufge
bracht werden kann. Es wäre jedoch ebenfalls möglich, diese
zweite Oxidschicht 4 nicht in Teilbereichen wegzuätzen, so
daß die zweite Polysiliziumschicht 5 dann komplett auf der
Ebene der im rechten Bereich der Polysiliziumschicht 5 dar
gestellten erhöhten Stufe ausgebildet würde.
Die zweite Siliziumschicht 5 wird dotiert und mit einer Hoch
temperaturbehandlung rekristallisiert und dabei auch die
Dotierstoffe aktiviert. Anschließend wird ein Löcherarray 6
in der Polysiliziumschicht 5 durch Strukturierung mit Hilfe
einer Fototechnik und anschließende Ätzung erzeugt. Das
Löcherarray 6 dient zum späteren Durchleiten der Ätzflüssig
keit zum Erzeugen des Hohlraums in den unter der Polysili
ziumschicht 5 gelegenen Bereichen.
An Stellen, an denen später Nitridstützen erzeugt werden
sollen, wird in der Polysiliziumschicht 5 ein angepaßtes,
d. h. zur Vermeidung einer Kollision mit dem Cantilver aus
reichend großes Loch, erzeugt. Auf diese zweite Polysili
ziumschicht 5 wird eine dritte Oxidschicht 7 aufgebracht,
planarisiert und verdichtet. Mit einer Fototechnik wird die
Oxidschicht 7 strukturiert, so daß sie im Bereich des Pfeils
14 endet und im folgenden Schritt eine weitere, vierte Oxid
schicht 8 aufgebracht, die sich über die dritte Oxidschicht
und die zweite Polysiliziumschicht 5 erstreckt. Im nächsten
Schritt wird eine dritte Polysiliziumschicht 9 aufgebracht,
die die Abdeckung des Sensors bildet. Diese wird dotiert und
in einem Hochtemperaturschritt rekristallisiert. Dabei werden
die Dotierstoffe aktiviert.
Zur Festlegung der Außenabmessungen des Sensors und zur
Erzeugung eines Löcherarrays 10 in der dritten Polysili
ziumschicht 9 wird mit Hilfe einer Fototechnik die Poly
siliziumschicht 9 strukturiert und anschließend an den ent
sprechenden Stellen geätzt. Über die Fläche verteilt wird in
einigen Löchern des Löcherarrays 10 eine trockene, anisotrope
Oxidätzung mit einer isotropen Komponente vorgenommen, um in
den Oxidschichten einen Hohlraum zu erzeugen, in dem eine
Stütze ausgebildet werden kann. Der Hohlraum reicht im
wesentlichen senkrecht von der dritten Polysiliziumschicht 9
bis zum Substrat 1 herunter und führt durch das angepaßte und
große Loch im Löcherarray 10 der zweiten Polysiliziumschicht
5. Im folgenden wird eine Nitridschicht 11 aufgebracht, die
auch den vorher erzeugten Hohlraum unter Bildung einer
Nitridstütze 12 füllt. Das Nitrid lagert sich dabei über
wiegend an den Wänden an, wodurch sich ein Hohlraum 13 im
Inneren der Nitridstütze 12 ergibt. Da die vorhergehende
Hohlraumätzung eine isotrope Komponente aufweist, erstreckt
sich der Hohlraum und dabei auch die Nitridstütze 12 unter
greifend unter die dritte Polysiliziumschicht 9 und stützt
diese daher ab.
Zur Durchführung des weiteren Verfahrens wird die Nitrid
schicht 11 trocken geätzt, so daß sich Löcher 15 vor allem im
Bereich des darunter liegenden Löcherarrays 10 bilden. Im
nächsten Schritt kann dann durch die Löcher in der Polsilizi
umschicht 9 und der Nitridschicht 11 eine isotrope Ätzung der
Oxidschichten zur Hohlraumbildung erfolgen. Es wird jedoch
zunächst nur an einigen Stellen eine anisotrope trockene Oxid
ätzung mit einer isotropen Komponente vorgenommen, wodurch
weitere Hohlräume 16 gebildet werden. Die isotrope Kompo
nente muß dabei so groß sein, daß der Hohlraum auch Bereiche
der zweiten Polysiliziumschicht 5 erfaßt, die den Cantilever
bildet. Diese Hohlräume werden bei einer folgenden Fototech
nik mit Lack gefüllt, so daß sich in dem Sensor Lackstützen
bilden, die während des folgenden Oxidätzens den Cantilever
in einer vorgegebenen Position halten und dadurch ein Absin
ken des Cantilevers 17 vermeiden. Auf diese Weise wird ver
hindert, daß sich der Cantilever während der Oxidätzung unter
Einfluß der Ätzflüssigkeit festsaugt. Nach Ätzung des Hohl
raums werden die Lackstützen wieder entfernt.
Die Löcher des Löcherarrays 10, die in der dritten Poly
siliziumschicht 9 ausgebildet sind, sind geometrisch kleiner
als die Löcher des Löcherarrays 6 in der zweiten Polysili
ziumschicht 5, da die erstgenannten Löcher zum Schluß wieder
verschlossen werden müssen.
Dabei ergibt sich die in Fig. 2 dargestellte Struktur mit
dem Lagerpunkt 18, der aus der ersten Polysiliziumschicht 3,
die auch als Hilfsschicht bezeichnet wird, gebildet wird, dem
Cantilever 17, der aus der zweiten Polysiliziumschicht 5 ge
bildet wird und der Abdeckung, die im wesentlichen aus der
dritten Polysiliziumschicht 9 besteht. Die noch vorhandenen
Löcher im Bereich der aus der dritten Polysiliziumschicht 9
gebildeten Abdeckung werden mit einem Oxid oder Borphosphor
silikatglas (BPSG) abgedeckt und verschlossen. An einer ge
eigneten Stelle wird ein Kontaktloch 20 geätzt und durch die
ses ein metallischer Kontakt auf den darunter liegenden Can
tilever 17 geführt. Dabei ist darauf zu achten, daß der me
tallische Kontakt keinen Kontakt mit der Polysiliziumschicht
3 im Bereich des Löcherarrays 6 hat. Dies erfolgt durch eine
Unterbrechung 19 der Polysiliziumschicht 3. Der Sensor kann
jetzt bestimmungsgemäß durch die sich verändernden Kapazitä
ten zwischen dem Cantilever 17 und der Polysiliziumschicht 9
einerseits und dem Cantilever 17 und dem Substrat 1 anderer
seits arbeiten.
In Fig. 3 ist eine Draufsicht auf den Sensor dargestellt,
wobei die gestrichelte Linie die äußeren Abmessungen anzeigt,
die durch die dritte Polysiliziumschicht 9 bestimmt werden.
Die dritte Polysiliziumschicht überdeckt zum einen den Haupt
bereich des Cantilevers 17 und zum anderen den rechts unten
dargestellten Fortsatz des Cantilevers 17, in dem auch der
aus der ersten Polysiliziumschicht 3 gebildete Lagerpunkt 18
angeordnet ist. Die dritte Polysiliziumschicht 9 ist in die
sen beiden Bereichen getrennt ausgebildet, um einen elektri
schen Kontakt zum Cantilever 17 zu vermeiden. In dem zen
tralen Bereich des Cantilevers 17 ist sowohl das Löcherarray
6 der zweiten Polysiliziumschicht als auch darüberliegend das
Löcherarray 10 der dritten Polysiliziumschicht 9 angeordnet.
Claims (13)
1. Mikroelektronischer, integrierter Sensor, in dem ein
Cantilever ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Cantilever (17) an einem Auflager aufgelegt ist,
daß seitliche und obere Bewegungsbegrenzungen vorhanden sind,
die in der Weise von einem Rand des Cantilevers beabstandet
sind, daß einerseits ausreichende Ausgleichsbewegungen des
Cantilevers zum Abbau von mechanischem Streß möglich sind,
und daß andererseits die Ausgleichsbewegungen nur im Bereich
des Auflagers möglich sind.
2. Sensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Auflager aus Polysilizium aus einer als Hilfs
schicht verwendeten Polysiliziumschicht (3) gebildet wird.
3. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß Auflager und Bewegungsbegrenzungen als Einheit ausge
bildet sind.
4. Sensor nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine den Cantileverrand sacklochförmig oder schlitzförmig
umgebende Aufnahmeeinrichtung zur Bildung des Auflagers und
Bewegungsbegrenzungen vorgesehen ist.
5. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Bewegungsbegrenzung und/oder das Auflager im gesamten
Umfangsbereich des Cantilevers (17) vorhanden sind.
6. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Bewegungsbegrenzung in Form einer Stütze (12)
ausgebildet ist, die durch eine in dem Cantilever (17)
gebildete Ausnehmung geführt wird.
7. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Cantilever (17) mit einer Stufe ausgebildet ist, die
zusammen mit dem Auflager die Bewegungsbegrenzung bildet.
8. Mikroelektronischer, integrierter Sensor, in dem in einem
Hohlraum ein Cantilever ausgebildet ist und der eine Stütze
aufweist, die sich zur Abstützung der oberen Schichten durch
den Hohlraum erstreckt,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stütze (12) aus Nitrid besteht.
9. Sensor nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Nitridstütze (12) in ihrem Inneren einen Hohlraum
(13) aufweist.
10. Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen,
integrierten Sensors, insbesondere nach einem der Ansprüche 1
bis 7, in dem ein Cantilever ausgebildet ist, bei dem
auf einem Substrat (1) eine erste Oxidschicht (2) erzeugt
wird,
eine erste Polysiliziumschicht (3) zur Bildung des Auf lagers strukturiert wird,
darauf eine zweite Oxidschicht (3) abgeschieden wird, die im wesentlichen das Auflager bedeckt,
eine zweite Polysiliziumschicht (5) zur Bildung des Canti levers (17) abgeschieden, dotiert und rekristallisiert wird,
in der zweiten Polysiliziumschicht (5) ein Löcherarray (6) zur späteren isotropen Ätzung der ersten und zweiten Oxid schichten (2, 4) strukturiert wird,
eine dritte Oxidschicht (7) aufgebracht und strukturiert wird,
eine vierte Oxidschicht (8) auf die dritte Oxidschicht (7) und freiliegende Teile des Cantilevers (17) aufgebracht wird, eine dritte Polysiliziumschicht (9) zur Bildung einer Ab deckung aufgebracht wird,
in der dritten Polysiliziumschicht (9) ein Löcherarray (10) zum Durchlaß eines Ätzmittels strukturiert wird, und
eine isotrope Oxidätzung zur Bildung des Hohlraums durchge führt wird.
eine erste Polysiliziumschicht (3) zur Bildung des Auf lagers strukturiert wird,
darauf eine zweite Oxidschicht (3) abgeschieden wird, die im wesentlichen das Auflager bedeckt,
eine zweite Polysiliziumschicht (5) zur Bildung des Canti levers (17) abgeschieden, dotiert und rekristallisiert wird,
in der zweiten Polysiliziumschicht (5) ein Löcherarray (6) zur späteren isotropen Ätzung der ersten und zweiten Oxid schichten (2, 4) strukturiert wird,
eine dritte Oxidschicht (7) aufgebracht und strukturiert wird,
eine vierte Oxidschicht (8) auf die dritte Oxidschicht (7) und freiliegende Teile des Cantilevers (17) aufgebracht wird, eine dritte Polysiliziumschicht (9) zur Bildung einer Ab deckung aufgebracht wird,
in der dritten Polysiliziumschicht (9) ein Löcherarray (10) zum Durchlaß eines Ätzmittels strukturiert wird, und
eine isotrope Oxidätzung zur Bildung des Hohlraums durchge führt wird.
11. Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen,
integrierten Sensors, insbesondere nach einem der Ansprüche 8
oder 9, in dem in einem Hohlraum ein Cantilever ausgebildet
ist und der eine Stütze aufweist, die sich zur Abstützung der
oberen Schichten durch den Hohlraum erstreckt, bei dem
auf einem Substrat mehrere Oxidschichten abgeschieden werden,
auf den Oxidschichten zur Bildung einer Abdeckung eine Poly
siliziumschicht (9) abgeschieden wird,
in der Polysiliziumschicht (9) ein Löcherarray (10) struktu riert wird,
an für die Stützen vorgesehenen Stellen in Löchern des Löcherarrays (10) eine anisotrope Oxidätzung mit isotroper Komponente durchgeführt wird,
eine Nitridschicht (11) aufgebracht wird, wobei das Nitrid unter Bildung einer Nitridstütze (12) in den vorher erzeugten Hohlraum gelangt,
die Nitridschicht (11) im Bereich der übrigen Löcher ent fernt wird,
durch die übrigen Löcher des Löcherarrays (10) eine isotrope Oxidätzung zur Bildung des Hohlraums (16) durchgeführt wird.
in der Polysiliziumschicht (9) ein Löcherarray (10) struktu riert wird,
an für die Stützen vorgesehenen Stellen in Löchern des Löcherarrays (10) eine anisotrope Oxidätzung mit isotroper Komponente durchgeführt wird,
eine Nitridschicht (11) aufgebracht wird, wobei das Nitrid unter Bildung einer Nitridstütze (12) in den vorher erzeugten Hohlraum gelangt,
die Nitridschicht (11) im Bereich der übrigen Löcher ent fernt wird,
durch die übrigen Löcher des Löcherarrays (10) eine isotrope Oxidätzung zur Bildung des Hohlraums (16) durchgeführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Strukturierung des Cantilevers (17) im Bereich
der Nitridstütze (12) Löcher erzeugt werden, deren Löcher
beabstandet von der Nitridstütze (12) sind.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Herstellung des Löcherarrays (10) in der dritten
Polysiliziumschicht (9) in zwei Schritten durchgeführt wird,
wobei nach Ätzung der ersten Löcher eine anisotrope Oxid
ätzung mit isotroper Komponente durchgeführt wird und die
dabei erzeugten Hohlräume bei der Lackaufbringung zur
Strukturierung der zweiten Löcher unter Bildung von Lack
stützen mit Lack gefüllt werden.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19536250A DE19536250A1 (de) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
EP96114618A EP0766090B1 (de) | 1995-09-28 | 1996-09-11 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
DE59606751T DE59606751D1 (de) | 1995-09-28 | 1996-09-11 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
KR1019960041826A KR970018739A (ko) | 1995-09-28 | 1996-09-24 | 집적된 마이크로일렉트로닉 센서 및 이 센서의 제조 방법 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19536250A DE19536250A1 (de) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19536250A1 true DE19536250A1 (de) | 1997-04-03 |
Family
ID=7773530
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19536250A Withdrawn DE19536250A1 (de) | 1995-09-25 | 1995-09-28 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
DE59606751T Expired - Lifetime DE59606751D1 (de) | 1995-09-28 | 1996-09-11 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59606751T Expired - Lifetime DE59606751D1 (de) | 1995-09-28 | 1996-09-11 | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5886261A (de) |
EP (1) | EP0766090B1 (de) |
JP (1) | JPH09139530A (de) |
KR (1) | KR970018739A (de) |
DE (2) | DE19536250A1 (de) |
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