DE19515596A1 - Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE19515596A1 DE19515596A1 DE19515596A DE19515596A DE19515596A1 DE 19515596 A1 DE19515596 A1 DE 19515596A1 DE 19515596 A DE19515596 A DE 19515596A DE 19515596 A DE19515596 A DE 19515596A DE 19515596 A1 DE19515596 A1 DE 19515596A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- low
- layer
- temperature
- cathodes
- top layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/939—Electron emitter, e.g. spindt emitter tip coated with nanoparticles
Description
Die Erfindung betrifft eine elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe mit
einer oder mehreren Niedertemperaturkathoden, einen Flachbildschirm mit einer
oder mehreren Niedertemperaturkathoden, eine Niedertemperaturkathode und ein
Verfahren zur Herstellung der Niedertemperaturkathode.
Herkömmliche Bildschirme enthalten eine elektrische Entladungsröhre, die nach dem
Prinzip der Braunschen Röhre arbeitet. Dabei werden Elektronen von einer Kathode
aus beschleunigt, abgelenkt und treffen schließlich auf einen gekrümmten Leucht
schirm. Diese Bauart bedingt eine große Bautiefe oder eine starke Krümmung des
Bildschirms, da sonst aufgrund der unterschiedlichen Wegstrecken von der
Elektronenquelle zur Frontseite des Bildschirms nur die Darstellung der Zeichen in
der Mitte scharf, am Rand jedoch verzerrt erscheinen würden.
Seit einer Reihe von Jahren sind auch Flachbildschirme auf dem Markt. Bei der
Entwicklung von Flachbildschirmen konkurrieren mehrere Prinzipien. Die vorliegen
de Erfindung betrifft unter anderem Flachbildschirme mit aktiven Systemen, bei
denen der Bildschirm nicht mit dem Licht der Umgebung arbeitet wie die Flüssig
kristallbildschirme, sondern selbst leuchtet. Dazu gehören der Plasmabildschirm
und die Flachbildröhre.
Flachbildschirme wurden für die drei Marktsegmente Büroautomatisierung,
Audio/Video-Technik sowie Navigation und Unterhaltung entwickelt.
Im Bürobereich sind vor allem die mobilen Anwendungen zu nennen, angefangen
vom Notebook-Computer, Personal Digital Assistant, Faxgerät bis hin zum
Mobiltelefon. Im Audio- und Videobereich sollen die Flachbildschirme nicht nur in
Camcordern Verwendung finden, sondern auch in Fernsehgeräten und Monitoren.
Der dritte Bereich umfaßt Flachbildschirme als Monitore für Navigationssysteme in
Autos und Flugzeugen, aber auch die Displays von Spielekonsolen.
Der große Platzbedarf der Braunschen Röhre ist ein Nachteil. Er wird dadurch
verursacht, daß alle Elektronen aus einer einzigen Kathode bereitgestellt werden und
über Ablenkeinheiten auf die gewünschte Stelle des Leuchtschirms gebracht werden
und so für alle Bildpunkte zuständig sind. Die Kathoden dieser konventionellen
Kathodenstrahlröhren sind Glühkathoden ("Thermionische Kathoden"). Die
Elektronenstrahlerzeugung beruht auf der Glühemission. Die konventionelle heizbare
Kathode besteht z. B. aus einem Nickelröhrchen, auf dessen Stirnseite eine besonders
leicht Elektronen emittierende Oxidschicht, z. B. aus Bariumoxid, aufgebracht ist.
Der isoliert in das Nickelröhrchen eingebettete Heizdraht bringt die Kathode auf
etwa 1200 Kelvin (900°C), so daß Elektronen aus der Oxidschicht in das Vakuum
der Röhre "herausgedampft" werden.
Bei den flachen Bildschirmen werden dagegen die Elektronen in mehreren
Drahtkathoden, Flachbandkathoden oder in flächigen Feldemittern erzeugt. Jede
Kathode ist daher nur für wenige Bildpunkte verantwortlich.
Für alle Arten von Flachbildschirmen ist die Herstellung entsprechender Kathoden
eine Schlüsseltechnologie. Es sind bereits beträchtliche Anstrengungen unternommen
worden, um an die Flachbildschirmtechnik angepaßte Kathoden und neue
Kathodenwerkstoffe zu entwickeln. Die ausgedehnten Drahtkathoden, Flachband
kathoden oder Flächenkathoden, die in Flachbildschirmen eingesetzt werden,
können mit deutlich niederer Emission als die konventionelle Punktkathode betrieben
werden. Nachdem es ein Nachteil der herkömmlichen Glühkathoden ist, das die
hohe Kathodentemperatur konstant gehalten werden muß und die Heizung zusätzlich
Energie verbraucht, betrifft eine dieser Entwicklungen die Herstellung von
Kaltkathoden. Bisherige Entwicklungen auf dem Gebiet der Kaltkathoden sind z. B.
Spitzen-Feldemitter (Microtip-Emitter) oder Halbleiteremitter (AC-Kathoden =
Avalanche Cold Cathodes). Ein Nachteil der Spitzen-Feldemitterkathoden ist das
Ausbrennen einzelner Spitzen und das hohe Stromrauschen der einzelnen Spitzen.
AC-Kathoden haben den Nachteil, daß deren Emission extrem lokalisiert ist und eine
hohe Justiergenauigkeit bei der Kathodenpositionierung erfordert.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektrische Entladungs
röhre oder Entladungslampe mit einer verbesserten Kathode zur Verfügung zu
stellen. Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Flachbildschirm mit einer
verbesserten Kathode und eine verbesserte Kathode.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch eine elektrische Entladungsröhre
oder Entladungslampe mit ein oder mehreren Niedertemperaturkathoden, die eine
Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung oder Kühlung, eine auf der Halterung
aufgebrachte leitfähigen Unterschicht, gegebenenfalls ein Substrat mit Dispensions
material und eine Deckschicht mit einer Nanostruktur aus ultrafeinen Partikeln,
wobei die Deckschicht eine Oberflächenschicht aus aus einem Emissionsmaterial mit
mehreren Komponenten formierten Emitterkomplex hat, umfassen.
Derartige Entladungsröhren oder Entladungslampen zeichnen sich durch hohe
Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer bei üblicher Belastung aus. Die
Emission ist stabil, dies begünstigt eine konstante Bildqualität während der gesamten
Lebensdauer der Entladungslampe oder Entladungsröhre. Die erfindungsgemäßen
Entladungsröhren oder Entladungslampen haben kurze Schaltzeiten und bieten den
Vorteil, daß ihre Konstruktion vereinfacht und ihr Energieverbrauch niedrig ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Entladungsröhren oder
Entladungslampen ist dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Gitter-Steuerelektrode
umfaßt.
Mit einer derartigen Gitter-Steuerelektrode ist es möglich, die Emission einer von
mehreren erfindungsgemäßen Niedertemperaturkathoden oder einzelne Oberflächen
segmente einer Niedertemperaturkathode über die Änderung der Feldstärke zu
steuern.
Ein Flachbildschirm nach der Erfindung enthält ein oder mehreren Niedertempera
turkathoden, die eine Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung oder Kühlung,
eine auf der Halterung aufgebrachte leitfähigen Unterschicht, gegebenenfalls ein
Substrat mit Dispensionsmaterial und eine Deckschicht mit einer Nanostruktur aus
ultrafeinen Partikeln, wobei die Deckschicht eine Oberflächenschicht aus aus einem
Emissionsmaterial mit mehreren Komponenten formierten Emitterkomplex hat,
umfassen.
Ein Flachbildschirm nach der Erfindung ist leicht herzustellen, da für die Fertigung
keine Submikron-Lithographie erforderlich ist. Er hat einen niedrige Energiever
brauch, er ist heller und kann innerhalb weiter Temperaturbereiche der Umgebungs
temperatur betrieben werden, von -30°C bis 100°C. Er hat eine sehr gute Auflösung
und ist für Schwarz/Weiß-Bildschirme und Farbbildschirme geeignet.
Eine Niedertemperaturkathode nach der Erfindung setzt sich zusammen aus einer
Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung oder Kühlung, einer auf der Halterung
aufgebrachte leitfähigen Unterschicht, gegebenenfalls einem Substrat mit Dispen
sionsmaterial und einer Deckschicht mit einer Nanostruktur aus ultrafeinen
Partikeln, wobei die Deckschicht eine Oberflächenschicht aus aus einem Emissions
material mit mehreren Komponenten formierten Emitterkomplex hat.
Derartige Niedertemperaturkathoden bieten die folgenden Vorteile:
- - niedrige Austrittsarbeit auf der makroskopischen Oberfläche
- - hohe Dichte an "Kristallitspitzen" aus ultrafeinen Partikeln
- - niedriger Krümmungsradius der emittierenden Kristallitspitzen, dies unterbindet ein Ausbrennen der Spitzen
- - hohe elektrische Leitfähigkeit und gute Strombelastbarkeit.
- - unempfindlich gegen Kontamination
- - große Uniformität
- - hohe Emissionsreserve bei Ionenbombardement.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Niedertemperaturkathode nach der
Erfindung ist sie dadurch gekennzeichnet, daß sie für eine Betriebstemperatur
zwischen 20°C und 500°C hergerichtet ist.
Die erfindungsgemäße Niedertemperaturkathode kann einerseits als echte Kalt
kathode verwendet werden, und ist besonders gut als kalter steuerbarer Elektronene
mitter für flache Displays geeignet. Andererseits kann mit einer moderaten Heizung
auf eine Betriebstemperatur von 200°C bis 300°C die Schwellenfeldstärke auf fast
Null reduziert werden. Bei 500°C, also 250°C unter der Betriebstemperatur von
Oxiddrahtkathoden, wird bereits die für Linienkathoden erforderliche Stromdichte
von 0,1 A/cm² erreicht.
Es ist bevorzugt, daß das Emissionsmaterial eine erste Komponente, die Metalle,
insbesondere Refraktärmetalle, und deren Legierungen enthält, eine zweite
Komponente, die Scandium, Yttrium, Lathan, den Lanthaniden, oder Aktiniden,
und/oder deren Verbindungen, insbesondere deren Oxide, enthält und/oder eine
dritte Komponente, die Erdalkalien und/oder deren Verbindungen enthält, umfaßt.
Aus diesen Komponenten entsteht bei der Formierung ein Emitterkomplexes mit
einer besonders niedrigen Austrittsarbeit.
Nach einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfaßt das Emissionsmaterial
als erste Komponente Wolfram, als zweite Komponente oxidische Verbindungen des
Scandiums und als dritte Komponenten oxidische Verbindungen des Bariums.
Mit dieser Zusammensetzung des Emissionsmaterials wurden die niedrigsten Werte
für die Austrittsarbeit erreicht.
Es ist bevorzugt, daß die Komponenten des Emissionsmaterials einzeln oder
gemeinsam in der Unterschicht und/oder dem Substrat und/oder der Deckschicht
enthalten sind. Auf diese Art und Weise kann ein Reservoir an Emissionsmaterial
zur Bildung des Emitterkomplexes zur Verfügung gestellt werden.
Es ist bevorzugt, daß der formierte Emitterkomplex eine Austrittsarbeit < 2.8 eV
hat.
Besondere Vorteile zeigt eine Niedertemperaturkathode, die dadurch gekennzeichnet
ist, daß die ultrafeinen Partikel eine Korngröße von 1 bis 100 nm haben.
Sie sind besonders gut als Feldemitter geeignet, da sie Oberflächenstrukturen und
Oberflächenmodulationen aus Partikeln im Durchmesserbereich von 1 bis 100 nm
aufweisen, also relativ kleine Krümmungsradien in dichter Partikel- und Spitzenver
teilung auf der makroskopischen Oberfläche aufweisen.
Es ist bevorzugt, daß die Nanostruktur der Deckschicht nanokristallin oder
nanoamorph und gegebenenfalls nanoporös ist und die Strukturgröße 1 bis 1000 nm
beträgt.
Die Erfindung hat weiterhin die Aufgabe, ein Herstellungsverfahren für die
erfindungsgemäßen Niedertemperaturkathoden zur Verfügung zu stellen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gelöst, bei dem in einem
ersten Schritt ein Vorkörper mit einer Halterung, mit einer auf der Halterung
aufgebrachten leitfähigen Unterschicht, mit gegebenenfalls einem Substrat mit
Dispensionsmaterial und mit einer Deckschicht mit einer Nanostruktur aus
ultrafeinen Partikeln, und der die Komponenten des Emissionsmaterials einzeln oder
gemeinsam in der Unterschicht und/oder dem Substrat und/oder der Deckschicht
enthält, hergestellt wird und in einem zweiten Schritt der Emitterkomplex als
Oberflächenschicht auf der Deckschicht formiert wird.
Durch dieses Verfahren werden sehr gleichmäßig emittierende Niedertemperatur
kathoden erhalten, deren Emissionseigenschaften, insbesondere die Kaltemission
wenig streut.
Es ist bevorzugt, daß die Formierung bei einer Temperatur 800°C im Ultra
hochvakuum oder Hochvakuum mit einem Restgasdruck und unter Anlegen eines
elektrischen Feldes erfolgt.
Es ist besonders bevorzugt, daß der Restgasdruck 10-4 mbar ist und das Restgas
Edelgase, Stickstoff, Wasserstoff und/oder Sauerstoff mit einem Partialdruck von
jeweils 10-5 mbar enthält.
Es ist weiterhin ein Verfahren bevorzugt, bei dem die Formierung durch eine
Sinterbehandlung bei einer Temperatur < 500°C und unter Vakuum oder einer
Gasatmosphäre, die Edelgase, Stickstoff, Wasserstoff und/oder Sauerstoff enthält,
erfolgt.
Es ist bevorzugt, daß die Deckschicht mit einer Nanostruktur aus ultrafeinen
Partikeln durch Laser-Ablationsabscheidung hergestellt wird.
Es ist besonders bevorzugt, daß die Laserablationsabscheidung bei Unterdruck
erfolgt. Dies ergibt eine besonders dünne und gleichmäßige Deckschicht.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Figur weiter erläutert und es werden
Beispiele angegeben.
Fig. 1 zeigt die Strom-Spannungscharakteristika einer Niedertemperaturkathode
gemäß der Erfindung bei 300°C, 200°C und Raumtemperatur.
Eine elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe besteht aus vier Funktions
gruppen, der Elektronenstrahlerzeugung, der Strahlfokussierung, der Strahlablen
kung und dem Leuchtschirm.
Das Elektronenstrahlerzeugungssystem der erfindungsgemäßen Entladungsröhren
oder Entladungslampen enthält eine Anordnung aus ein oder mehreren Nieder
temperaturkathoden. Beispielsweise kann das Elektronenstahlerzeugungssystem
eine Punktkathode oder ein System aus ein oder mehreren Drahtkathoden,
Flachbandkathoden oder Flächenkathoden sein. Drahtkathoden, Flachbandkathoden
und Flächenkathoden müssen nicht über ihre gesamte Fläche aktiviert sein, sie
können die aktive Deckschicht auch nur in einzelnen Oberflächensegmenten
enthalten.
Das Elektronenstrahlerzeugungssystem kann weiterhin eine Gitter-Steuerelektrode
enthalten, über die jeweils eine von mehreren der erfindungsgemäßen Nieder
temperaturkathoden oder ein oder mehrere Oberflächensegmente einer Nieder
temperaturkathode gesteuert werden können. Über diese Gitter-Steuerelektrode wird
eine elektrische Feldstärke E mit Werten 5 V/µ E 15 V/µm angelegt und die
Emission dieser Segmente oder Einzelkathoden über die Änderung der Feldstärke
gesteuert.
Ein Flachbildschirm gemäß der Erfindung kann eine modifizierte Kathodenstrahlröh
re, eine Flachbildröhre, oder deren Abwandlung, das Feldemitter-Display, sein.
Besonders bezieht sich die Erfindung auf ein Feldemitter-Display. Feldemitter-
Displays sind eine Abwandlungen der Kathodenstrahlröhren. Beide benutzen einen
energiereichen Elektronenstrahl, um lichtemittierende Leuchtstoffe zu aktivieren und
ein Bild zu erzeugen. Bei der konventionellen Kathodenstrahlröhre tastet ein einziger
Elektronenstrahl von jeder der drei ziemlich großen Elektronenkanonen - je einen
für jede Farbe - nacheinander jeden der vielen Bildelemente (Pixel) ab. Dagegen
stellt das Elektronenerzeugungssystem eines Feldemitter-Displays unzählige kleine
Elektronenquellen zur Verfügung, eine für jedes Pixel.
Das Feldemitter-Display gemäß der Erfindung kann damit den folgenden Aufbau
haben:
Zwei Glasplatten, eine Anodenplatte und eine Kathodenplatte sind durch Abstands halter getrennt. Die Kathodenplatte hat metallisch leitende Streifen, die mit einer dünnen Schicht Kaltkathodenmaterial gemäß der Erfindung bedeckt sind. Die Anodenplatte weist ähnliche Streifen auf, die einen transparenten Leiter, z. B. aus dotiertem Zinnoxid, als Grundschicht haben und als Deckschicht eine Schicht mit einem Leuchtstoff. Anodenplatte und Kathodenplatte werden mit Abstandshaltern miteinander verbunden, wobei die Kathoden- und Anodenstreifen um 90° gegenein ander gedreht und einander zugewandt sind. Die beiden Platten werden vakuumdicht verbunden. Außen wird ein elektronische Schaltung angebracht, die es erlaubt, daß jeder Streifen unabhängig angesteuert werden kann. Das Prinzip dieser Aus führungsform ist das einer matrixgesteuerten Diode.
Zwei Glasplatten, eine Anodenplatte und eine Kathodenplatte sind durch Abstands halter getrennt. Die Kathodenplatte hat metallisch leitende Streifen, die mit einer dünnen Schicht Kaltkathodenmaterial gemäß der Erfindung bedeckt sind. Die Anodenplatte weist ähnliche Streifen auf, die einen transparenten Leiter, z. B. aus dotiertem Zinnoxid, als Grundschicht haben und als Deckschicht eine Schicht mit einem Leuchtstoff. Anodenplatte und Kathodenplatte werden mit Abstandshaltern miteinander verbunden, wobei die Kathoden- und Anodenstreifen um 90° gegenein ander gedreht und einander zugewandt sind. Die beiden Platten werden vakuumdicht verbunden. Außen wird ein elektronische Schaltung angebracht, die es erlaubt, daß jeder Streifen unabhängig angesteuert werden kann. Das Prinzip dieser Aus führungsform ist das einer matrixgesteuerten Diode.
Nach einer anderen Ausführungsform kann der erfindungsgemäße Flachbildschirm
eine Flachbildröhre sein, die eine Reihe von linearen Drahtkathoden enthält, aus
denen ein Strahlenbündel erzeugt wird, wobei jeder Einzelstrahl einem kleinen
rechteckigen Bereich des Bildschirms zugeordnet ist.
Die Niedertemperaturkathoden gemäß der Erfindung können nach ihrer Bauart
Punktkathoden oder Drahtkathoden sein. Besonders vorteilhafte Eigenschaften
erreicht man jedoch, wenn die erfindungsgemäßen Kathoden als Flächenkathoden
ausgebildet sind. Dazu können sie auf ein Flachbandsubstrat aufgebracht werden,
oder auf eine Platte, bei der emittierende Kathodenstreifen oder -segmente durch
isolierende Streifen getrennt sind. Auch eine Bauart mit großflächigem "Emitterra
sen" ist möglich.
Die Halterung kann eine Siliziumscheibe oder eine Glasplatte sein, z. B. für ein
Feldemitter-Display. Die Halterung kann aber auch ein Draht sein, z. B. für flache
Bildschirmröhren mit mehreren Kathodendrähten. Für punktförmige Kathoden kann
die Halterung auch aus den bekannten Metallröhrchen aus Nickel, Molybdän o.a.
bestehen, die mit einer Heizspule ausgestattet ist, die es erlaubt, die Kathode bei
Temperaturen bis 500°C, insbesondere bei 200°C bis 300°C, zu betreiben.
Die leitfähige Unterschicht besteht üblicherweise aus einem Metall, z. B. Wolfram.
Es kann auch aus mehreren Metallschichten bestehen, z. B. aus einer Wolframschicht
und einer Wolfram/Rheniumschicht.
Das Substrat im Sinne der Erfindung kann eine poröse Wolframschicht sein, wie sie
aus herkömmlichen I-Kathoden bekannt ist. Derartige poröse Wolframschichten
können im Schichtkörper Rhenium, Iridium, Osmium, Ruthenium, Tantal,
Molybdän oder Scandiumoxid enthalten. Diese porösen Schichten mit Perkolations
struktur werden pulvermetallurgisch erzeugt. In den Poren der Schicht enthalten sie
eine Bariumverbindung als Bariumquelle. Derartige Bariumverbindungen sind
beispielsweise oxidische Barium- Calcium-Aluminiumverbindungen, der allgemeinen
Zusammensetzung xBaO₂ yCaO zAl₂O₃ mit x=4, y=1, z=1 oder x=5, y=3, z=2
oder x=5, y=3, z=0. Nach der Formierung ist die Deckschicht mit einer aktiven
Oberflächenschicht bedeckt, die eine sehr niedrige Austrittsarbeit hat. Diese Schicht
ist sehr dünn, in der Größenordnung einer Monolage, und enthält einen Emitterkom
plex, der Barium, Scandium und Sauerstoff enthält.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung besteht die kompakte, flächige
Unterschicht aus Wolfram, das Rhenium, Iridium, Osmium, Ruthenium, Tantal,
Molybdän oder Scandiumoxid enthält.
Bei dieser Ausführungsform entfällt die Substratschicht. Die Deckschicht enthält
Wolfram, das mit Rhenium, Osmium, gegebenenfalls auch mit Iridium, Ruthenium,
Tantal, und/oder Molybdän legiert ist. Weiterhin enthält sie auch Scandiumoxid
oder Scandiumoxid gemischt mit den Oxiden anderer Seltenerdmetalle wie
Europium, Samarium und Cer. Es ist auch möglich, daß sie aus Scandiumwol
framaten, wie Sc₆WO₁₂ oder Sc₂W₃O₁₂ besteht.
Die Deckschicht kann aber auch mehrschichtig, insbesondere als Doppelschicht, aus
den oben genannten Schichtzusammensetzungen aufgebaut sein, wobei dann die
besten Ergebnisse erzielt werden, wenn eine scandiumhaltige Schicht die äußere
Schicht ist. Diese Deckschicht enthält weiterhin eine Bariumquelle, die eine
bariumhaltige oxidische Verbindung wie BaO oder xBaO₂ yCaO zAl₂O₃ mit x=4,
y=1, z=1 oder x=5, y=3, z=2 oder x=5, y=3, z=0, sein kann. Diese
bariumhaltigen Verbindungen können mit Calcium- oder Strontiumoxid gemischt
werden.
Diese Deckschicht ist bevorzugt 100 bis 500 nm dick. Der Wolframanteil der
Deckschicht besteht aus ultrafeinen Partikeln mit einem Durchmesser von 1 bis 50
nm, die in einer nanostrukturierten Schicht abgeschieden wurden. Die anderen
beiden Komponenten werden ebenfalls als ultrafeine Partikel abgeschieden und
liegen teils zwischen, teils auf den Wolframpartikeln. Aus den drei Komponenten
wird bei der Aktivierung der emittierende Oberflächenkomplex gebildet, der als
Oberflächenschicht auf der Deckschicht liegt.
Die erfindungsgemäßen Niedertemperaturkathoden werden in einem zweistufigen
Verfahren hergestellt.
Es ist möglich von bekannten Kathodentypen, wie z. B. L-Kathoden, I-Kathoden, B-
Kathoden oder M-Kathoden auszugehen und ein Hybrid aus diesen Unterlagen mit
der neuen Deckschicht herzustellen. Andererseits ist es auch möglich, Gas- oder
Siliziumscheiben zu verwenden, die mit einer Unterschicht aus leitfähigem Material
gemäß der Erfindung beschichtet sind.
Diese Unterlagen werden in die Depositionskammer einer Laser-Ablations-
Depositionsanlage gebracht. Es ist günstig, als Laser einen Excimer-Laser zu
verwenden, der im Gegensatz zu CO₂-Lasern auch Wolfram problemlos ablatieren
kann. Als erstes wird die wolframhaltige Komponente abgeschieden, als zweites die
scandiumhaltige und als drittes die bariumhaltige. Es ist günstig, Multitargets zu
verwenden, die alle drei Komponenten auf einer Targetanordnung enthalten. Die
Emissionseigenschaften der fertigen Niedertemperaturkathode werden günstig
beeinflußt, wenn die Gasatmosphäre bei dem Ablations-Depositionsverfahren aus
hochreinem Argon oder Argon/Wasserstoff besteht. Weiterhin ist es günstig, wenn
die Unterlagen für die Deckschicht bei dem Verfahren geheizt werden.
In dem zweiten Verfahrenschritt wird der Emitterkomplex in der Oberflächenschicht
gebildet. Dieser Aktivierungsschritt kann eine thermische, spannungsgestützte
Aktivierung, eine einfache Sinterung oder eine oberflächliche Sinterung in einem
Laserstrahl sein.
Die thermische, spannungsgestützte Aktivierung soll unter Vakuum erfolgen. Ein
einfache Möglichkeit ist es, die Niedertemperaturkathode in der fertigen Entladungs
röhre zu aktivieren. Dazu wird die Kathode auf ca. 800°C hochgeheizt und
Spannung angelegt. Das zugehörige Strom-Spannungsdiagramm stellt gleichzeitig
eine Qualitätskontrolle dar.
Wenn die Deckschicht aus sehr feinen Partikeln mit einer mittleren Korngröße < 10
nm besteht, kann die Aktivierung auch in einer einfachen Sinterung bei 800°C
bestehen. Bei Deckschichten mit größeren Teilchen kann der Aktivierungsschritt in
einer gepulsten Laserbehandlung bei 1000°C bis 1100°C bestehen.
Die erfindungsgemäßen Niedertemperaturkathoden zeichnen sich durch hervorragen
des Emission bei niedrigen Temperaturen aus, weil sie eine sehr niedrige Austritts
arbeit haben.
In Fig. 1 ist die Strom-Spannungscharakteristik von erfindungsgemäßen Nieder
temperaturkathoden in doppelt logarithmischer Auftragung bei 300°C, 200°C und
bei Zimmertemperatur daargestellt. Dabei wurden die Temperaturen als Strahlungs
temperaturen angegeben. Sie wurden pyrometrisch bestimmt.
Die Gesamtemission setzt sich aus Glühemission und Feldemission zusammen. Der
Beitrag der Glühemission gemäß der Richardson-Gleichung
i₀ = AR T² exp (-Φ/kT)
fällt bei 200°C schon unter 1 nA ab. Jedoch setzt ab einer Schwelle von 1.2 kV
Feldemission ein, die bei weiterer Felderhöhung sehr schnell Emissionströme <
3 µA liefert. Bei einem Diodenabstand d = 160 µm, wie er aus der Child-
Langmuir-Gleichung bestimmt werden kann, folgt eine Feldemissionsschwellenfeld
stärke von 7,5 V/µm, die einen sehr guten Wert für Kaltemission darstellt und nur
von wenigen anderen Kathoden als Spitzenwert erreicht wird.
Bei einem ALT-Test wurde eine Lebensdauer von 1000 Stunden erreicht.
Claims (17)
1. Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe mit ein oder mehreren
Niedertemperaturkathoden, die eine Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung
oder Kühlung, eine auf der Halterung aufgebrachte leitfähigen Unterschicht,
gegebenenfalls ein Substrat mit Dispensionsmaterial und eine Deckschicht mit einer
Nanostruktur aus ultrafeinen Partikeln, wobei die Deckschicht eine Oberflächen
schicht aus aus einem Emissionsmaterial mit mehreren Komponenten formierten
Emitterkomplex hat, umfassen.
2. Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Gitter-Steuerelektrode umfaßt.
3. Flachbildschirm mit ein oder mehreren Niedertemperaturkathoden, die eine
Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung oder Kühlung, eine auf der Halterung
aufgebrachte leitfähigen Unterschicht, gegebenenfalls ein Substrat mit Dispensions
material und eine Deckschicht mit einer Nanostruktur aus ultrafeinen Partikeln,
wobei die Deckschicht eine Oberflächenschicht aus aus einem Emissionsmaterial mit
mehreren Komponenten formierten Emitterkomplex hat, umfassen.
4. Niedertemperaturkathode, die eine Halterung, gegebenenfalls mit einer Heizung
oder Kühlung, eine auf der Halterung aufgebrachte leitfähigen Unterschicht,
gegebenenfalls ein Substrat mit Dispensionsmaterial und eine Deckschicht mit einer
Nanostruktur aus ultrafeinen Partikeln, wobei die Deckschicht eine Oberflächen
schicht aus aus einem Emissionsmaterial mit mehreren Komponenten formierten
Emitterkomplex hat, umfaßt.
5. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie für eine Betriebstemperatur zwischen 20°C und 500°C hergerichtet ist.
6. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 und 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Emissionsmaterial eine erste Komponente, die Metalle, insbesondere
Refraktärmetalle, und deren Legierungen enthält, eine zweite Komponente, die
Scandium, Yttrium, Lathan, den Lanthaniden, oder Aktiniden, und/oder deren
Verbindungen, insbesondere deren Oxide, enthält und/oder eine dritte Komponente,
die Erdalkalien und/oder deren Verbindungen enthält, umfaßt.
7. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Emissionsmaterial als erste Komponente Wolfram, als zweite Komponente
oxidische Verbindungen des Scandiums und als dritte Komponenten oxidische
Verbindungen des Bariums enthält.
8. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Komponenten des Emissionsmaterials einzeln oder gemeinsam in der
Unterschicht und/oder dem Substrat und/oder der Deckschicht enthalten sind.
9. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß der formierte Emitterkomplex eine Austrittsarbeit < 2.8 eV hat.
10. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die ultrafeinen Partikel eine Korngröße von 1 bis 100 nm haben.
11. Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Nanostruktur der Deckschicht nanokristallin oder nanoamorph und
gegebenenfalls nanoporös ist und die Strukturgröße 1 bis 1000 nm beträgt.
12. Verfahren zur Herstellung einer Niedertemperaturkathode nach Anspruch 4,
wobei in einem ersten Schritt ein Vorkörper mit einer Halterung, mit einer auf der
Halterung aufgebrachten leitfähigen Unterschicht, mit gegebenenfalls einem Substrat
mit Dispensionsmaterial und mit einer Deckschicht mit einer Nanostruktur aus
ultrafeinen Partikeln, und der die Komponenten des Emissionsmaterials einzeln oder
gemeinsam in der Unterschicht und/oder dem Substrat und/oder der Deckschicht
enthält, hergestellt wird und
in einem zweiten Schritt der Emitterkomplex als Oberflächenschicht auf der Deckschicht formiert wird.
in einem zweiten Schritt der Emitterkomplex als Oberflächenschicht auf der Deckschicht formiert wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Formierung bei einer Temperatur 800°C im Ultrahochvakuum oder
Hochvakuum mit einem Restgasdruck und unter Anlegen eines elektrischen Feldes
erfolgt.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Restgasdruck 10-4 mbar ist und das Restgas Edelgase, Stickstoff,
Wasserstoff und/oder Sauerstoff mit einem Partialdruck von jeweils 10-5
mbar enthält.
15. Verfahren nach Anspruch 12 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Formierung durch eine Sinterbehandlung bei einer Temperatur < 500°C
und unter Vakuum oder einer Gasatmosphäre, die Edelgase, Stickstoff, Wasserstoff
und/oder Sauerstoff enthält, erfolgt.
16. Verfahren nach Anspruch 12 bis 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Deckschicht mit einer Nanostruktur aus ultrafeinen Partikeln durch Laser-
Ablationsabscheidung hergestellt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Laserablationsabscheidung bei Unterdruck erfolgt.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19515596A DE19515596A1 (de) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
EP96201180A EP0741402B1 (de) | 1995-05-02 | 1996-04-29 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
DE59610682T DE59610682D1 (de) | 1995-05-02 | 1996-04-29 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
US08/643,089 US5866975A (en) | 1995-05-02 | 1996-04-30 | Low-temperature cathode having an emissive nanostructure |
JP11158496A JPH08306301A (ja) | 1995-05-02 | 1996-05-02 | 放電管又は放電灯並びに低温陰極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19515596A DE19515596A1 (de) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19515596A1 true DE19515596A1 (de) | 1996-11-07 |
Family
ID=7760557
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19515596A Withdrawn DE19515596A1 (de) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
DE59610682T Expired - Lifetime DE59610682D1 (de) | 1995-05-02 | 1996-04-29 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59610682T Expired - Lifetime DE59610682D1 (de) | 1995-05-02 | 1996-04-29 | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5866975A (de) |
EP (1) | EP0741402B1 (de) |
JP (1) | JPH08306301A (de) |
DE (2) | DE19515596A1 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
HUT74965A (en) * | 1994-06-16 | 1997-03-28 | Firmenich & Cie | Flavouring composition and process |
US6344271B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-02-05 | Nanoenergy Corporation | Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances |
CA2229290A1 (en) * | 1997-05-16 | 1998-11-16 | John T. Jankowski | Discharge lamp electrode |
JP3902883B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-04-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
US6120857A (en) * | 1998-05-18 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of California | Low work function surface layers produced by laser ablation using short-wavelength photons |
US6965199B2 (en) * | 2001-03-27 | 2005-11-15 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Coated electrode with enhanced electron emission and ignition characteristics |
EA003573B1 (ru) * | 2001-06-29 | 2003-06-26 | Александр Михайлович Ильянок | Плоский дисплей с самосканирующей разверткой |
KR100530765B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2005-11-23 | 이규왕 | 나노 다공성 유전체를 이용한 플라즈마 발생장치 |
WO2005106913A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Kye-Seung Lee | Flat tzpe fluorescent lamp |
DE102004043247B4 (de) * | 2004-09-07 | 2010-04-15 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Elektrode für Hochdruckentladungslampen sowie Hochdruckentladungslampe mit derartigen Elektroden |
CN103713420A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1410641A (fr) * | 1963-10-04 | 1965-09-10 | Philips Nv | Corps métallique poreux et son procédé de fabrication |
US4160191A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-03 | Hausfeld David A | Self-sustaining plasma discharge display device |
US4810926A (en) * | 1987-07-13 | 1989-03-07 | Syracuse University | Impregnated thermionic cathode |
JPH01225040A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-07 | Hitachi Ltd | 電子放出用電極及び表示装置 |
JPH06203742A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Canon Inc | 電子放出素子、電子線発生装置及び画像形成装置 |
WO1994028571A1 (en) * | 1993-06-02 | 1994-12-08 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
ATE167755T1 (de) * | 1993-10-28 | 1998-07-15 | Philips Electronics Nv | Vorratskathode und herstellungsverfahren |
US5623180A (en) * | 1994-10-31 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Electron field emitters comprising particles cooled with low voltage emitting material |
-
1995
- 1995-05-02 DE DE19515596A patent/DE19515596A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-04-29 DE DE59610682T patent/DE59610682D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-29 EP EP96201180A patent/EP0741402B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-30 US US08/643,089 patent/US5866975A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-02 JP JP11158496A patent/JPH08306301A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0741402A3 (de) | 1997-11-26 |
US5866975A (en) | 1999-02-02 |
DE59610682D1 (de) | 2003-10-02 |
EP0741402A2 (de) | 1996-11-06 |
EP0741402B1 (de) | 2003-08-27 |
JPH08306301A (ja) | 1996-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6414442B1 (en) | Field emission display device with conductive layer disposed between light emitting layer and cathode | |
DE60021778T2 (de) | Kohlenstofftinte, elektronenemittierendes Element, Verfahren zur Herstellung eines elektronenemittierenden Elements und Bildanzeigevorrichtung | |
Talin et al. | Field emission displays: a critical review | |
DE69816479T2 (de) | Feldemissionselektronenmaterialen und herstellungsverfahren | |
DE60014461T2 (de) | Feld Emissions Vorrichtung mit ausgerichteten und verkürzten Kohlenstoffnanoröhren und Herstellungsverfahren | |
DE69531798T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
US7034444B2 (en) | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus, and method for manufacturing electron emitting device | |
DE69730195T2 (de) | Bilderzeugungsgerät | |
EP0741402B1 (de) | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE60037027T2 (de) | Elektronememittierende- und isolierende teilchen enthaltende feldemissions kathoden | |
DE4026301A1 (de) | Elektronenemitter einer roentgenroehre | |
EP0012920B1 (de) | Leuchtschirm für Bildanzeigeröhren und Verfahren zu seiner Herstellung | |
US6215243B1 (en) | Radioactive cathode emitter for use in field emission display devices | |
EP0757370B1 (de) | Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe und Scandat-Vorratskathode | |
EP1232511A1 (de) | Kathodenstrahlröhre mit oxidkathode | |
DE19828729B4 (de) | Scandat-Vorratskathode mit Barium-Calcium-Aluminat-Schichtabfolge und korrespondierende elektrische Entladungsröhre | |
US6759799B2 (en) | Oxide-coated cathode and method for making same | |
DE1201865B (de) | Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren vom Vidicontyp | |
DE559817C (de) | Gasgefuelltes Entladungsrohr | |
EP1189253A1 (de) | Kathodenstrahlröhre mit dotierter Oxidkathode | |
US6144145A (en) | High performance field emitter and method of producing the same | |
JP4593816B2 (ja) | 電子放出素子、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法 | |
DE60032466T2 (de) | Kathodenstruktur für eine feldemissionsanzeigevorrichtung | |
DE19961672B4 (de) | Scandat-Vorratskathode | |
DE10254697A1 (de) | Vakuumelektronenröhre mit Oxidkathode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |