DE1766889A1 - Detektoranordnung - Google Patents

Description

DJpL-lng. & H. Bahr

Ofpi.-Ing. W. Herrmann-Trentepohl Fernsprecher He™ e sog» und sw «■

Telex: 0822«853 PATENTANWÄLTE

π MM Manchen 23, den

Eieenacner StraBe 17 *

Fernsprecher: 38 8011, 388012, 38 8013 Telex: 052+582

L J

Akten-Nr. H 1037 la der Antwort bitte angeben

Die Erfindung besieht sich auf eine Detektoranordnung, insbesondere zum Peststellen bestimmter Störungen in einem vorgegebenen .'Bereich.

Detektoreinrichtungen sum Schützen vorgegebener Bereiche gegen gewisse Arten von Störungen oder Eindringlingen können allgemein in zwei Hauptklassen unterteilt v/erden: (1) Die tfellenenergieklasse, bei der die Energie bei ge^eLenar !frequenz gesendet und mit der Prequens und/oder der Amplitude der reflektierbon liiiorgie verglichen wird rm-'l (2) eine Feldklasae, bei der eine elektrische Tinergi" Im o.V-ι^ώ gegebenen Bereich durch irgendwelche ^nclerimg-au innovh^.lb die-'oa Doreiohes goctört wird. Im lobatgonannton. Γ all ¹.λΙϊ.1 ein

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elektrisches Irelcl innerhalb des Sereichos aufgebaut, ic." von der Änderung im elektrischen EeId resultierend auf einem Eindringling oder auf fremden Objekten innerhalb des U'eldes beeinflußt werden soll und einen 3ir_gang an einen geeigneten Detektor gibt.

Die Erfindung befa3t sich insbesondere mit einem Detektorsystem für gestörte Felder, unter Verwendung eines Heßsystems hoher Impedanz, Gegenstand ist insbesondere ein elektrostatisches Meßsystem, durch das die Annäherung eines Eindringlings in einen Bereich unter Verwendung eines neuartigen Pestkörperkreises festgestellt wird, der die Heizeinrichtung mit einem Alarmkreis oder dgl. verbindet. Der Kopplungskreis kann ebenfalls an eine Verbrennung de telrt or einrichtung und dgl. gegeben werden, wobei die Ionisationskammern die Eigenschaften der Luft und der in der Luft befindlichen Stoffe messen und ein zugeordnetes Spannungssignal liefern. So befaßt sich beispielsweise die Deutsche Patentanmeldung P 1^r> 89 907.3 der Anuelderin mit einem, verbesserten Ionisationskammer sjs te αϊ :ram Feststellen von Verbrennungsprodukten, wobei der Ausgang der Ionisationskammer mit einem Festkörporregelkreis unter Verwendung eines Peldeffektti'urisißtors verbunden ist. Die- Vorteile dieses Systems sind du:*Ln .τα sehen, daß hLardurch die -Verwendung einer Nieder-

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spannungsquelle sum Hebeln irgendeines geeigneten Alartnkreises möglich vrird, der mit irgendeiner StromaufIfnruii^, beispielsweise dem üblichen Hetastrom, verbunden ist.

Sin solclies Sr/steu: zum !Feststellen vcj liiiidringlingen soll erfindungsgems." dagegen schützen, da.3 irgendjemand in den bestimmten liereio:.: sinV> üineinbewegt» In diesem Bereiei ist Iiiersu eine üeßantenne vorgesehen» Jede Bewegung eines Mndrin£linr;3 in den Bereich fiilirt sur Induzierung einer Ladung in der Antenne aufgrund der statischen Za&vnr eines Eörper:^. Di^ ·="? dem. I-Ie?iraVj.t i;:.dosierte laduü«..;, aie cntv/eder ns:;?vi- oder positiv rein kann, vrird in ein Jlezr\^i2 potential oder eine Spannimg uuj-veiOrtr.t, die dann an einen geeigneten .l'^irc^eV.Iireis tuid voraiv.sv.-eise ds.s Tor oder Gatter der I-elleffelcttransistors gelebt v;ird, der^;ei:iexi silicium^estliierten' G-leicIrricLti?:? oder dcrl. in eineu Alc.-rr.i-3:.i-3is der v;eiter laecchriebenen ulrt auslöst.

^Ejexü.^ v/ird jeder !Feldeffekttransistor an ei. g. "iedersparnum^3q,uelle und sein Jorelecient an die Meßvoiivich tung 1-oaer Inpedens angeschlossen. 3ir Auslöseschalter, oe5 spielsweioe e'_-. liliciumgesteuerter Gleiclirichter, berit-t einen Auelöce- oder 2orkreis, der leitend direkt mit den: Vorwiderst and verbund*» ist. Der Yor\iiderstan4 liefert eine

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niedrige Außenimpedanz und verhindert im wesentlichen jede fehlerhafte Einschaltung des gesteuerten Gleichrichters als Ergebnis von Streusignalen wie beispielsweise innen erzeugte Iieckstr'dme und dgl,

Vorzugsweise wird erfindungsgemäß die Antenne an ein Paar empfindlicher Peldeffekttransistoren entgegengesetzter Art oder Polarität angeschlossen, um verschiedene Alarm- oder Signaleinrichtungen auszulösen. Der Feldeffekttransistor, der auch ein positives Signal anspricht , ist'mit der Stromquelle in einem Quellenfolgekreis angeschlossen, bei dem ein Vorwiderstand in Reihe mit der Stromquellenklemme liegt. Der Feldeffekttransistor, der auf einsnegatives Signal anspricht, ist an die Stromzuführung in einem stromquellenstabilisierten Yerstärkerkreie angeschlossen, wobei der Yorwiderstand in Reihe mit der Ablaufklemme liegt. Die ausgelösten Alarmzustände werden .über die entsprechenden Yorwiderstände verbunden.

Die Antenne kann ein Einzel- oder Vieldrahtsystem, abhängig Ton der G-rb'ße des zu schützenden Bereiches sein. Handelt es sich darüberhinaus um den Schutz metallischer Gegenstände wie Geldschrankgewölbeι Ättallgehäuse oder dgl., so kann "das Objjekt selbst die Antenne !.bilden.

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Erfinaungsgemäß wird in neuartiger Weise erreicht, da· das Eintreten einer Person in einem verseuchten oder gesperrten Bereich festgestellt wird, es wird ein verläßlicher Pestkörperdetektorkreis zum Auslösen eines Alarms in Abhängigkeit von dem Ausgang der Hochirapedanzmessung geschaffen, wie diese aus der Bewegung eines Eindringlings in einen Bereich in der Nähe eines zu schlitzenden Gegenstandes oder dgl. resultiert.

Mach der bevorzugten Ausftihrungsform der Erfindung sind die j Feldeffekttransistoren mit einer Niedrigspannungsquelle ver- { bunden, wobei die Tore gemeinsam an dem Knotenpunkt eines Paares von'an der Stromquelle liegenden Yorwiderständen ; angeschlossen Bind. 33er eine Feldeffekttransistor ist vom "N"-Kanal-Typ und weist einen 7orwidersta%L auf, der in Reihe mit seiner Klemmenklemme mit der Stromquelle liegt, | , < der andere !Transistor ist ein "P^H-Kanal-!I}ransistor und

weist einen Vorwiderstand auf, der in Reihe mit der Ablauf- ; klemme zur Stromquelle liegt. Die siliciumgesteuerten G-leich- ; richter sind mit ihren Torschaltungen direkt an die ent-

sprechenden Vorwiderstände gelegt. ;

Ein Schaltbild einer bevorzugten AuGführungsform dar Erfindung soll nv.n anhand der beiliegenden Zeichnung näher er»

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läutert werden, wobei "bei dieser Vorrichtung gegen unerwünschtes Bindringen die direkte Kopplung der siliciumge-3teuarten Gleichrichter-Alarmkreiee mit einem Paar von Feldeffekttransistoren zur Anwendung kommt.

Nach dieser Zeichnung umfaßt das Detektorsystem gegen Eindringlinge nach .der Erfindung im allgemeinen ein Paar von Detektor- oder .Antennendrähten 1 und 2, die eine Antenne bilden, welche in geeigneter Weise in einem gegen unerwünschtes Bindringen zu schützenden Bereich angeordnet und mit einer Gleichstromquelle verbunden ist, derart, daß ein elektrisches PeId zwischen den Detektordrähten 1 und 2 und einem geeigneten Bezugspotential, beispielsweise Ilasse, hervorrgerufen wird. Die ifefe Detektordrähte 1 und 2 sind als Signaleingang mit einem Paar von Meß- oder Kopplungskreisen 3 und 4 verbunden, die ihrerseits direkt mit AuslÖsealarmkreisen 5 und 6 verbunden sind. Die Alarmkreiße können sichtbar, hörbar oder auf sonstige gewünschte Weise ansprechen, eine weitere Beschreibung braucht daher nicht gegeben zu werden.

Die dargestellten Kopplungskreise 3 und 4 sind grundsätzlich ähnliche Kreise, von denen jeder ein Paar von geeigneten Feldeffekttransistoren 7 und 8 aufweist, derart, daß de·? Krals 5 'ii\£ eine jewSh.Ltο positiv cfcatische LaJung an Oer

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Antenne anspricht una aer Kreis 4 anspricht, wenn eine bestimmte negative Ladung an die Antenne gegeben wird. Aus Gründen der Einfachheit und Klarheit der Erläuterung wird der Kreis 3 genauer beschrieben, wobei aie entsprechenden Elemente des Kreises 4 durch ähnliehe Bezugszahlen, nur mit ^llt!f versehen werden,, wobei die weitere Beschreibung dann für die gesamte Ausführungsform wirken soll.

Im Schaltkreis 3 ist ein Feldeffekttransistor 7 mit seinem Haupt zwischen Uasiselementen oder -elektroden 9 und 10 dargestellt, die mit einer geeigneten Gleichstromquelle über eine positive Grlsichstromleitung 12 und eine gemeinsame Hasseleitung 13 verbunden sind. Ein Innenwiderstand ist in Reihe mit einem leil eines Potentiometers 15 zwischen der Quellenelektrode 10 und die Masseleitung 13 gelegt. Das Potentiometer 15 weist einen Abgriff 16 auf, der direkt mit dem benachbarten Ende des Quellenwiderstandes 14 verkünden ist, um die anteilige Verstellung des mit dem Widerstand in Reihe liegenden Potentiometers 15 au ermöglichen» Die Steuer- oder Torelektrode 17 des Feldeffekttransistors 9 ist an die Detektordrähte 1 und 2 über einen Strombegrenzungswiderstand 1c gelegt. Sin Paar von Vorwiderständen 19 und liegt in Reihe zwischen der positiven leitung 12 und der gemeinsamen Erde 13, wobei der gemeinsame Knotenpunkt 21 eine gemeinsame Verbindung zu den Detektordrähten 1 und 2

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und zum Widerstand 18 schafft, wodurch eine geeignete Torspannung auf die Elektrode 17 dee Transistors 7 gegeben wird.

Der dargestellte Feldeffekttransistor 7 ist schematisch als Ketalloxydhalbleiterabart dargestellt, wobei die Torelektrode 17 von einem zwischen den beiden Elektroden existierenden Harbleiterweg getrennt ist. Das Potential der Torelektrode 17 steuert die Einführung der Träger in den geeigneten Teil des Halbleiters und hierdurch die leitfähigkeit eines m lchen Weges. Bei der dargestellten Ausführungsform besteht der Transistor 7 aus einem Akzeptor oder P-Halbleitermaterial im Steuerweg, die Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors 17 nimmt also abhängig von dem zunehmenden positiven Potential an der Torelektrode 12 zu.

Bewegt sich eine Person *in den Bereich eines der Detektordrähte 1 oder 2 oder von beiden, abhängig von der Anbringung der Drähte 1 und 2, hinein, eo wird an einem solchen Draht eine positive ladung induziert, und zwar aufgrund der statischen Ladung am Körper der Person. Die positive Ladung an der Antenne sorgt für eine Signalspannung an den Torelektroden 17 des Feldeffekttransistors 7 und macht dieeen leitend. Wird der Feldeffekttransistor 7 leitend, fο fließt Strom durch den HsuptbaeiBEwieohenzonenkreis und ee stellt sich ein Spannungsabfall über den Quellenviderstand 14 ein,

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die direkt zur Steuerung des in der Figur "!gezeigten Alarmkreiaes angelegt werden kann.

Der Alarmkreia 5 umfaßt einen siliciumgesteuerten Gleichrichter 22, desaen Anoden- und Kathodenelemente oder -klemmen in Reihe mit einem Belastungawiderstand 23 zwiachen der pesitiven Stromleitung 12 und dem Abgriff 16 liegen. Das Tor dea geateuerten Gleichrichtera 22 ist mit der Kopfseite des Quellenwiderstandes 14 verbunden, d.h. mit den Knotenpunkt zwischen dem Quellenwiderstand 1$ und der entsprechenden Klemme 10 des Feldeffekttransistors 7. Der Alarmkreia ist über den Belastungawiderstand 23 gelegt und in Abhängigkeit vom Spannungsabfall über den Widerstand betätigt.

Im Betrieb, wenn der Feldeffekttransistor 7 leitend wird, wird der Spanmingsabfall über den Quellenwidarstana 14 direkt gekoppelt und es ergibt ein Einscaaltspanmui^sabfall über das Tor zum Kathodenkreis des gesteuerten Gleichrichters 22, der ausreicht, um die Gleichrichter zum Leitendwerden auszulösen. Der Gleichrichter bleibt dann weiter leitend, bis die Spannung an der Anoden ;ram Kathode: Jcreia aufgehoben ist ader Ms der Haitestrom unter einen /orj;> stimmten Minimalwert abfällt. 1)b,b Alarmsystem kaaü lurch di^ Verwendung eines geeijaetsii Schalters i/wiGclieii dor positiven

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leitung 12 und der Stromeingangseinrichtung oder dgl. abeschaltet werden.

Während der Periode der Bereitschaftsstellung taut der Widerstand 14 einen niedrigen äußeren Impedanzweg über das Tor zum Kathodenkreis auf. Dieses ist höchst wünschenswert, da hierdurch ein vorübergehendes oder störendes Auslösen des siliciumges.teuerten Gleichrichters 22 oder einer anderen ähnlichen jTestkBrpereinriahtung verhindert wird. So werden äsämtliche innen erzeugte Leckströme oder andere ähnliche eine palachauslösung bewirkende Signale um das Tor zum Kathodenkreis parallel geschaltet.

Der Meß- und Kopplungskreie 4 arbeitet mit einem ähnlichen Metalloxydhalbleiter-Peldeffekttransistor 8 mit einem entgegengesetzten oder Bonor-Ealbleiter, der im Schaltkreis der Bauptbasiszwischenzonenelektroden 9^f und 30' liegt, derart, daß ein negatives Potential am Tor 17* das Einschalten des Transistors 8 steuert. Der Kreis 4 mißt so eine statische ladung entgegengesetzter Polarität.

Ba eier -Transistor B entgegengesetzte Polarität aufweist, !■-η. die Quell ^elektrode 10» direkt mit dem Abgriff 16» de.v Potont3 υ·.voters 15' verbunden, die Ablaufelektrode 9¹

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liegt in Reihe mit einem Belastungs- und Ablaufwiderstand 25 zur negativen Seite der Stromquelle 11.

Die Torelektrode 17* des Transistors 8 ist an die Torelektrode 17 des Transistors 7 angeschlossen und daher dem gleichen Potential ausgesetzt. Ein zunehmendes Signal in positiver Pachtung» htam. das, wie vorher erwähnt, den Transistor 7 auslöst, dient nur dazu, den Transistor 8 weiter abzuschalten. Ein entgegengesetztes Signal jedoch, das ein zunehmendes Signal in negativer Richtung ist, "baut ein entsprechendes Potential ara Feldeffekttransistor 8 der Akzeptorbauart auf, was zur Einführung der Träger in den. Halbleiterteil führt, um die Leitfähigkeit zu steigern und ein Ausgangssignal durch den Ablaufwiderstand 25 zu liefern. Wenn nun ein Mensch, ein Körper oder dgl. in den Bereich des Drahtes 1 oder 2 eindringt oder einen dieser Drähte erfaßt und so steht, daß sich eine negative Ladung auf dem¹ Draht oder den Drähten einstellt, so wird ein entsprechendes Po- la tential an die Tore 17 und 17^! gelegt. Dies führt dazu, daß · der Transistor 8 zum Leitendwerden ausgelöst ist. ;

Im Schaltkreis 4 ist das Tor des Eathodenkreiees des siliciumgesteuerten Gleichrichters 22» direkt an den Ablaufwiderstand 25 angescaloaeen und arbeitet in der gleichen We i- · i

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se wie vorher mit Bezug auf Pigur 1 "beschrieben.

Fach der Zeichnung ist eine Zuführung 26 ebenfalls sehematisch zwischen der Zuführung «ur Quellenelektrode 10 und zum Gehäuse dargestellt. Dieser besondere Feldeffekttransistor ist von General Instrument Co. erhältlich und besitzt ein inneres schützendes Zenerdiodenelement, um die Trennschicht der Torelektrode während der Handhabung des Transistors gegen Beschädigung zu schützen, die zusätzliche Zuführung ist vorgesehen, um die Schaltkreisverbindungen zu vervollständigen. Diese Art des ZenerdiodenechUtzes in Feldeffekttransistoren der Donorhalbleiterart ist zur Zeit im Handel nicht erhältlich, der Transietor 7 ist aus diesem Grund ohne diesen Anschluß gezeigt.

Wie vorher bereits erwähit, wird ein elektrisches PeId durch die Antenne aufgebaut· Die Erfindung beruht jedoch nicht auf einem einfachen kapazitiven Prinzip, ist vielmehr ein Ergebnis einer induzierten elektrostatischen Ladung, die aus der Bewegung ein·« Eindringlings in den unmittelbaren Beipich der Anten«# oder bis in Eingriff mit der Antenne resultiert. Die statische Ladung am Körper des Eindringend·» induziert ein· etatiiche Ladung am Antennendraht· Diese Ladung am Antennenteaht tr·eheint als Änderung im Po-

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tential am lor des Feldeffekttransistors oder einer ähnlicher 7erstärkereinrichtung, die den Alarm auslöst.

Sei der Ausführungsform nach der Erfindung iat aus Gründen der Beschreibung ein Paar von !Drähten -1 und 2 dargestellt. Soll eine einzige Einheit geschützt werden, "beispielsweise ein Safe oder dgl., so kann das Safe selbst den Detektor- · draht bilden. Ein Paar von Drähten ist dargestellt, um das ' Vielfachdraht-Steuersystem zu erläutern, das verwendet wenden könnte, um eine Sür, ein Fenster, Dachfenster oder einen anderen vergrößerten Bereich abzudecken». Gewünschtenfalls kann eine große Anzahl von Drähten zum Solmtze eines ganzen Raumes, eines Gebäudes oder eines anderen Gebietes herangezogen werden. !

Wie vorher bereits erwähnt, Jkann der Schaltkreis für ein ·

Ionisations- oder Verbrennungameßsyetem unter Verwendung iJ

von Ionisationskammern benutzt werden, wie in der bereits j

erwähnten Patentanmeldung der Anmelderin beschrieben wo- j

bei in Reihe geschaltete Ionisationskammern eine Spannungs- j

teHerschaltung bilden, deren Knotenpunkt mit dem Tor ei- j

• ■ i

nes Feldeffekttransistor© verbunden ist. Die Verbrennungskammern sind äquivalent den Spannungateilerwiderständen . nach den oben erwähnten Auaführungaforaen der Erfindung, der Schaltkreis arbeitet in ähnlicher Weise wie vorher er-

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wähnt, nur mit der Änderung, daß die Verbrennungsgase die Spannungsänderung hervorrufen, die notwendig ist, um den leldeffekttransistor auszulösen, der seinerseits den siliciumgesteuerten Gleichrichter oder eine andere ähnliche ausgelöste Einrichtung auslöst.

Der dargestellte Schaltkreis sorgt für eine Messung sowohl einer positiven, wie einer negativen Änderung im elektrostatischen Potential des Sensors. Die Empfindlichkeit der Schaltkreise 3 und 4 ist getrennt durch die Potentiometer 15 und 15' einstellbar«

Weiterhin kann gewUnschtenfalls das Ionsystem so aufgebaut sein, daß es nur auf ein negatives oder ein positives Signal anspricht, indem einer der Schaltkreise 3 oder 4 benutzt wird.

Die Erfindung ist vor allen Dingen *es auf dem Gebiet der Meß- basw, !^Stelleinrichtungen mit hohem Gleichstromwiderstand zu sehen, wie beispieleweise in Impedanzgittern, Ionisationskammern und Meßelemente für hohen Seuchtigkeitswiderstand und dgl. In beiden fällen sind die Sensoren in eine Spannungeteilersohaltung oder einen Brückenkreis gelegt, wodurch ein Spannungsausgang abhängig von den Änderungen in

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einem ermittelten Zustand zur Steuerung eines Feldeffekttransistors geliefert wird. Insbesondere ist erfindungsgemäß eine einzigartige Kombination einer Detektonaeßeinriohtung gegen das Eindringen von Menschen oder Gegenständen geschaffen worden, durch, die ein Feldeffekttransistor oder dgl. ausgelöst wird.

latent ansprttohe

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Claims (1)

1. PATMTAFSPRÜC¹!!

   1.) Eindringdetektorvorrichtung, bei der eine Antenneneinheit zur lildung einer Quelle für elektrostatische ladung abhängig von der Bewegung eines Eindringlings in den Uirkbereich der Antenne verbunden ist und die Antenneneinheit durch einen elektronischen Verstärker mit einer Detektorausgangseinheit verbunden ist, gekennzeichnet durch einen ITiedrigspamiungsquellenanschluß, der mit der Antenne (1; 2) und der Verstärkereinrichtung (22) verbunden ist, wobei der Verstärker mit einer hohen Eingangsimpedanz versehen ist und mit der Eingangsklemme an die Antenneneinheit gelegt ist, wobei die Leitung entsprechend der elektrostatischen ladung auf der Antenneneinheit erfolgt.

   2.) Vorrichtung nach Anspruc¹ 1, dadurch gekennzeichnet,

   d.z°. die Arter rr;:^ln^: eit (1; 2) au. ε einer Vielzahl draht artiger Sienente besteht, deren untereinrnder verbundene Enden an die Eingangslcletcmeinrichtung gelegt Bind.

   3.) Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker ein Feldeffekttransistor (7; 7^f) seinen Klemmen an der Antenneneinheit liegt.

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   4») Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,*· daß der Feldeffekttransistor (7) an den Stromquellenanschluß in Reihe mit einem kleinen Widerstand gelegt isi^und einen Auslöseschalter mit einem Eingangskreis umfaßt, der an den kleinen Widerstand gelegt ist, derart, daß der Auslöseschal- , ter entsprechend mit dem Signal am ,Antennendraht betätigt wird, wobei der kleine Widerstand Störsignale vom Eingangs-. ^ kreis im Beipaß führt.

   5.) Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch ein Paar von mit den Stromanschlüssen mit den gemeinsamen Knotenpunkt verbundenen Jpannungsteilerv/ideratänden, wobei der Knotenpunkt mit einer lorklemme (9) des Transistors verbunden ist.

   6.) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 Me 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker ein Paar von Feld- " effekttransistoren (7; 7^f) aufweist, die jeweils mit einer Torklemme (9J 10) versehen und an Stromq.uellenanschlü03e (12) gelegt sind, derart, daß einer der Feldeffekttransistoren auf ein positives !Tonsignal und der andere auf ein negatives Vorsignal anspricht.

   7.) Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gelee mi ■:■ ■;... -.: -'.uu;':, daß der erste Feldeffekttransistor aln ^i^llons ^a'r:. L._■■;^:_ et·· .

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   Verstärker und der andere Feldeffekttransistor als Quellenfolgeverstärker angeschlossen ist.

   0.) Detektorvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor (7) als quell ens t ε/Ό ilisierter Verstärker mit den Stromquellenanschlüssen verbunden ist und einen Ablaufwiderstand (25) aufweist, Asr in i-l3ihe mit einer Ablauf elektrode liegt und ein Tor entpproohend einem relativ zunehmenden negativen Potential vx.fef'.t, wobei der andere Feldeffekttransistor als Quellen! olrje verstärker an die otrornquellenanschlüsse gelegt lot iin: einen ".wellenwiderstand aufweist, der in I.eilip mit ei^er '"uellenelsktrode liegt und ei.r. auf ein reliitiv ansteigendes positives Potential ansprechendes Tor besi.tr,⁴:, v/oV·ei ein Paar von. Fe^tlrörpor ausgelösten Schaltern vorhanden sind, yon denen ^ 3der Auslöseei^vig?ngselektroden bepitzt, v;obei die liin.ijan.^selektroder. eines der ausgelösten Schalter'am Atlaufviderstanc¹ ίγΛ die ^ingar.jselektr^oden des ^n^f-'Oii am ^rcllenviöevntand

   9.) Yorrichtua^. iiacli Anspruch 3, dadurch' "skermioi.chnet, aH dor Mislösesc"!· 'Iber (22) ein gesteuerter Gleichrichter

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