DE10261376A1 - Optisches Write-Once-Speichermedium mit einer optischen Nahfeldinteraktionsschicht aus Zinkoxid - Google Patents

Optisches Write-Once-Speichermedium mit einer optischen Nahfeldinteraktionsschicht aus Zinkoxid

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DE10261376A1
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Din-Ping Tsai
Yu-Hsuan Lin
Wei-Chih Lin
Hsun-Hao Chang
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National Taiwan University NTU
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein optisches Write-Once-Speichermedium (einmal beschreibbar) mit einer Nahfeldschicht aus Zinkoxid. Der Aufbau dieses einmal beschreibbaren optischen Speichermediums stellt einen mehrschichtigen Körper dar, welcher mindestens aus den folgenden Schichten besteht: (a) einer Grundschicht aus tranparentem Material; (b) einer ersten Schutz- Trennschicht, welche sich an eine Oberfläche der Grundschicht anschließt und welche aus einem transparenten, dielektrischen Material besteht; (c) einem feinen Film nanostrukturierten Zinkoxids, welcher in der Lage ist, optische, lokalisierte Nahfeldinteraktionen auszuführen; (d) einer zweiten Schutz- und Trennschicht, die sich der optischen, lokalisierten Nahfeldinteraktionsschicht anschließt, welche ebenfalls aus transparentem, dielektrischen Material besteht; (e) einer einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht; und (f) einer dritten Schutz- und Trennschicht, welche sich der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht anschließt und ebenfalls aus trasparentem, dielektrischen Material gefertigt ist. Durch die lokalisierten optischen Nahfeldinteraktionen des feinen Films nanostrukturierten Zinkoxids, welcher sich in Nahfeldentfernung zur einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht befindet, können optische Nahfeldaufnahmen von ultra-hoher Dichte erreicht werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optisches Write-Once-Speichermedium (einmal beschreibbares Speichermedium) mit einer optischen Nahfeldinteraktionsschicht aus Zinkoxid nach einem der Ansprüche 1 bis 13. Insbesondere kann dabei eine Zinkoxid-Nanometer- Filmschicht genutzt werden, um eine lokalisierte optische Nahfeldinteraktion zu erzeugen, welche optische Nahfeldaufnahmen von ultra hoher Dichte bei einmal beschreibbaren Medien erlaubt.
  • Speichermedien im Compact-Disk-Format gehören zu den gebräuchlichsten und verbreitetsten optischen Speichermedien. Zu ihren Vorzügen zählen eine hervorragende Speicherqualität wie auch ihre hohe Zuverlässigkeit. Ihre Anwendungsgebiete liegen hauptsächlich im Datensicherungsbereich und im Bereich multimedialer Unterhaltung. Im Laufe des technischen Fortschrittes wurde eine Vielzahl von Speichermedien im Compact-Disk-Format entwickelt. Diese lassen sich in drei Hauptkategorien einfassen: Nicht beschreibbare (Read only), einmal beschreibbare (Write once) und wiederbeschreibbare (Rewritable) Medien. Die Gruppe der nicht beschreibbaren Medien umfaßt CD-DA, CD-ROM, CD-I, VCD, DVD, DVD-ROM und DVD- Video; die Gruppe der einmal beschreibbaren Medien umfasst CD-R und DVD-R; die Gruppe der wiederbeschreibbaren Medien umfaßt MD, MO, PD, DVD-RW und CD-RAM.
  • Das Grundfunktionsprinzip eines einmal beschreibbaren Mediums im Compact-Disk-Format ist es, die Linsenvorrichtung des CD-Laufwerks zu benutzen, um die feine einmal beschreibbare Schicht des Mediums mit Hilfe des dem Gerät eigenen Lasers zu bearbeiten. Somit werden Mikro-Speicherpunkte (sogenannte Marks) eingelesen oder beschrieben, wobei mittels digitaler Signale der gespeicherte Inhalt ein- oder ausgegeben wird. Da die feine einmal beschreibbare Schicht des Mediums die Möglichkeit bietet, Speicherpunkte einmal zu beschreiben und nicht in der Lage ist, diese zu verändern oder wieder zu löschen, kann nach einem ersten Schreibvorgang nur noch die Lesefunktion genutzt werden.
  • Die gegenwärtig verbreitete Aufnahmetechnik für Speichermedien im Compact-Disk-Format gehört in den Bereich der Fernfeldoptik. Dieser Begriff kommt durch die Entfernung des Lesekopfes des CD-Laufwerks zur beschriebenen Schicht der CD. Dieser Abstand ist länger als die Wellenlänge der im optischen Lese- und Schreibprozeß verwendeten Lichtquelle. Dies ist aufgrund des durch den wellenförmigen Charakter der Lichtstrahlen hervorgerufenen optischen Effekts der Interferenz oder Brechung nicht zu vermeiden. Die Größe der Speicherpunkte wird somit durch die vom Diffraktionslimit vorgegebenen Begrenzungen eingeschränkt (1.22 λ/2n sin θ, wobei λ für die Wellenlänge des verwendeten Lichts steht, n die Diffraktionsrate des dielektrischen Materials repräsentiert und θ ein optischer Halbblenden-Winkel ist), wodurch es unmöglich ist, eine höhere optische Schreibdichte als bisher zu erreichen. Mit anderen Worten, wenn man also die derzeit vorherrschende Speicherkapazität der Speichermedien im Compact- Disk-Format anheben will, muß man eine der folgenden Methoden wählen:
    • 1. Die Datenkodierung muß effizienter werden;
    • 2. Die Abstände zwischen Aufnahmelöchern und Aufnahmespuren müssen kleiner werden; (3) Kurzwellen-Lichtquellen müssen verwendet werden;
    • 3. Der Durchmesser der Linse muß erhöht werden; oder
    • 4. Dreidimensionale (volumetrische) Speichertechniken, wie etwa mehrschichtige (multi-layer) Speicherung oder holografische Speicherung müssen verwendet werden.
  • Die oben erwähnten Methoden versuchen Verbesserungen zu erreichen, indem sie die Möglichkeiten innerhalb der Beschränkungen des Diffraktionslimits ideal auszunutzen versuchen. Sie sind jedoch weiterhin an die maximalen Einschränkungen des Diffraktionslimits gebunden. Wenn man die optische Speicherkapazität effektiv anheben will, ist es die grundlegendste Methode, die Nahfeldtechnik einzusetzen, um die Beschränkungen des Diffraktionslimits zu umgehen und das Ziel einer optimalen Speicherdichte des optischen Speichermediums zu erreichen.
  • Um die Beschränkungen des Diffraktionslimits zu überwinden und die optimale Speicherdichte des optischen Speichermediums zu erreichen, wurde die Möglichkeit der optischen Nahfeldaufnahmemethode erstmalig 1992 in den Bell Laboratories durch die Verwendung einer optischen Nahfeldsonde durch Eric Betzig erwiesen. Die verwendete Methode nutzte eine Entfernung, die unter der Wellenlänge der genutzten Lichtquelle lag (also im Nahfeld Bereich). Dieser Prozeß verwendete die nur einige zehn Nanometer (nm) große Spitze der optischen Sonde um eine präzise optische Lese- und Schreibtechnik auf einer mehrschichtigen magneto-optischen Platin-Kobalt-Scheibe anzuwenden. Da der besagte Prozeß im Nahfeldbereich durchgeführt wurde, unterlag er nicht den Beschränkungen des Diffraktionslimits. Hierbei wurde eine ultrahohe Speicherdichte von 45 Gbits pro Quadratinch erreicht. Es traten jedoch noch einige Probleme bei der Verwendung der optischen Sonde zum Lesen und Schreiben der Daten auf. Zu diesen zählte etwa, daß der Abstand zwischen Sonde und beschreibbarer Oberfläche exakt eingehalten werden mußte (auf wenige Nanometer genau); daß die Sonde sehr störanfällig gegenüber externen Einflüssen und Vibrationen war; daß die Lese- und Schreibgeschwindigkeit beträchtlich gesenkt wurde; daß der Datenverlust durch die Sonde relativ hoch war (mit einem Verlust von etwa 10-6 ~ 10-3 Einheiten); und schließlich, daß die Größe des Loches in der Spitze der Sonde schwer zu kontrollieren war.
  • Andererseits wird im US-Patent Nummer 5 125 750, angemeldet von Mr. G. S. Kino und seinem Forschungsteam der Universität Stanford, eine sogenannte Solid Immersion Lens (SIL) beschrieben, ein Prototyp, mit dem es möglich war, Prozesse im Nahfeldbereich durchzuführen. Diese Methode verwendet lichttransparente semi-spherische und super semi-spherische Lese- und Schreibköpfe mit einer hohe Brechungsrate n, um die Lese- und Schreibpunkte effektiv zu verkleinern. Durch die Verwendung solcher optischer Lese- und Schreibköpfe kann die Lese- und Schreibgeschwindigkeit der optischen Nahfeldtechnik effektiv gesteigert werden. Des weiteren kann die bisherige Technik der Beschreibung von CDs weiter verwendet werden und mit technisch hoch entwickelten Nahfeld-CD-Laufwerken kombiniert werden. 1995 entwickelte eine Firma namens TeraStor aus San Jose, Californien, USA, einen "fliegenden" Lese- und Schreibkopf für ein optisches Nahfeld Laufwerk auf der Basis dieser 511. und versuchte, das erste Laufwerk in hochoptischer Speicherdichte herzustellen. Da jedoch der "fliegende" Lese- und Schreibkopf effektiv innerhalb der Nahfeld Beschränkungen der CD gehalten werden mußte, sah sich die Firma großen technischen Schwierigkeiten gegenüber. Daraufhin stelle diese Firma jegliche weitere Forschung und Entwicklung im Bereich der Nahfeld-CD-Laufwerke mit hochoptischer Speicherdichte ein.
  • In den US-Patenten Nummer 6 226 258, 6 242 157, 6 319 582 und 6 340 813 stellte der Japaner Dr. Junji Tominaga ein Design einer Compact-Disk vor, auf welcher zwei zusätzliche Schichten in Nanometerdicke angebracht sind, eine SiN-Schicht von 20 nm Dicke und eine Sb-Schicht von 15 nm Dicke. Diese Schichten ersetzten die Nahfeldfunktion der optischen Sonde und ermöglichten Lesen und Schreiben von Speicherpunkten die unterhalb der Beschränkungen des Diffraktionslimits lagen.
  • Auf diese Art wurde die Nutzung struktureller Änderungen im Aufbau der auf der Compact-Disk vorhandenen Schichten und die damit verbundene Möglichkeit der Nutzung der optischen Nahfeldaufnahme in ultra hoher Dichte ermöglicht. Weiterhin wurde im Prozeß der Optimierung der Schichtstruktur die erste Struktur, welche Sb und SiNx verwendet, in die verbesserte Struktur von AgOx und ZnS-SiO2 geändert. Allerdings bestanden weiterhin Probleme mit der Beschaffenheit der Antimon- (Sb) und Silberoxid-Schichten (AgOx), welche für den lokalisierten Nahfeldeffekt verantwortlich waren. Diese Substanzen waren in ihrer Beschaffenheit zu instabil, verursachten hohe Temperaturen und Wasserverdunstung welche wiederum zu Fehlfunktionen führen konnten.
  • Die vorliegende Erfindung verwendet daher vorwiegende eine dritte Kategorie, bestehend aus ZnO und ZnS-SiO2-Schichten, welche in der Lage ist, einen stabilen, lokalen Nahfeldeffekt zu erreichen, in Kombination mit einer einmal beschreibbaren Schicht. Diese somit entstandene einmal beschreibbare Nahfeld-Compact-Disk auf Zinkoxidbasis erreicht effektiv das Ziel einer ultra-hohen Speicherdichte auf Basis der optischen Nahfeldtechnologie.
  • In Anbetracht der oben angesprochenen Punkte bleibt hinzuzufügen, daß Quellen für Lichtstrahlen im Kurzwellenbereich sehr kostspielig sind. Herkömmliche CD-Laufwerke unterliegen den durch das Diffraktionslimit gesetzten Beschränkungen, nur die Nahfeld-Optik kann diese Beschränkungen umgehen. Nahfeldtechnologien wie etwa Nahfeldsonden und SIL weisen jedoch noch einige offensichtliche Mängel auf, wodurch optische Nahfeld-CDs zur realistischsten Alternative für optische Nahfeldspeichertechnologien werden. Es ist bereits bekannt, daß die beiden Grundstoffe für Nahfeld-CDs Antimon (Sb) und Silberoxid (AgOx) von ihrer Stabilität her nicht ideal sind. Die vorliegende Erfindung nutzt daher die stabilere und zur Hervorrufung optischer, lokalisierter Nahfeldeffekte geeignetere Zinkoxidschicht in Nanometerdicke um dadurch die angesprochenen einmal beschreibbaren optischen Nahfeld-CDs auf Zinkoxidbasis herzustellen. Die vorliegende Erfindung setzt sich aus einer mehrschichtigen transparenten Struktur zusammen. Die oberste Schicht bildet eine transparente Grundschicht, unter dieser befindet sich eine nanometerdicke Zinkoxidschicht, welche die Eigenschaft hat, auf sie treffende Lichtstrahlen zu bündeln und mit diesen fokussierten Strahlen einen lokalisierten optischen Nahfeldeffekt hervorzurufen. Auf der darunter liegenden einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht werden hierdurch winzige Speicherpunkte innerhalb der Grenzen des Nahfeld Prozesses exakt und präzise beschrieben. Hierdurch wird das Ziel einer ultra-hohen Speicherdichte auf Basis der optischen Nahfeldtechnologie erreicht.
  • Nachstehend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert:
  • Fig. 1 stellt ein Diagramm einer strukturellen Zusammenstellung des in dieser Erfindung vorliegenden einmal beschreibbaren optischen Speichermediums in Compact-Disk- Format mit Zinkoxidschicht zur Durchführung von Nahfeldeffekten dar;
  • Fig. 2 stellt ein Diagramm der Betriebsweise während des Lese- und Schreibvorgangs der Speicherpunkte auf dem in dieser Erfindung vorliegenden einmal beschreibbaren optischen Speichermedium in Compact-Disk-Format mit Zinkoxidschicht zur Durchführung von Nahfeldeffekten dar;
  • Fig. 3 stellt ein optimales Beispiel der Zusammenarbeit zwischen dem in dieser Erfindung vorliegenden einmal beschreibbaren optischen Speichermedium in Compact-Disk- Format mit Zinkoxidschicht zur Durchführung von Nahfeldeffekten mit dem entsprechenden Lese- und Schreibkopf des CD-Laufwerks dar;
  • Das in dieser Erfindung beispielhaft beschriebene einmal beschreibbare optische Speichermedium in Compact-Disk-Format mit Zinkoxidschicht zur Durchführung von Nahfeldeffekten, welches in Fig. 1 dargestellt wird, verfügt über eine Struktur, die aus einer transparenten Grundschicht 1 sowie mehreren feinen Schichten, welche auf diese transparente Grundschicht 1 angebracht sind, besteht. Diese aufgetragenen Schichten sind, der Reihenfolge nach aufgezählt, eine erste dielektrische Schicht 2, eine feine Zinkoxidschicht in Nanometerdicke zum Auslösen des lokalisierten Nahfeldeffektes 3, eine zweite dielektrische Schicht 4, eine einmal beschreibbare Aufnahmeschicht 5 sowie eine dritte dielektrische Schicht 6. Die oben erwähnte transparente Grundschicht 1 kann hierbei aus Glassubstanzen des Grundstoffes Siliziumoxid (SiO2) bestehen, aus Siliziumoxid (SiO2) Hybridmaterialien in Verbindung mit Natrium (Na), Lithium (Li), Calcium (Ca), Kalium (K), Aluminium (Al), Germanium (Ge), Bor (B), aus transparenten Polymermaterialien wie Polykarbonat, Epoxydharz oder aus ähnlichen Materialien. Die oben erwähnten dielektrischen Schichten 2, 4 und 6 müssen aus dielektrischen Materialien geformt sein, welche zumindest teilweise aus Bestandteilen der Gruppen von ZnS- SiO2, ZnS-SiOx, SiO2, SiOx oder SiNx bestehen. Diese dielektrischen Schichten 2, 4 und 6 können selbst auch aus mehrschichtigen Strukturen bestehen, wobei die Dicke für die erste dielektrische Schicht 2 idealerweise im Bereich 50 nm bis 300 nm liegt, die Dicke für die zweite dielektrische Schicht 4 idealerweise im Bereich 5 nm bis 100 nm und die Dicke für die dritte dielektrische Schicht 6 ebenfalls idealerweise im Bereich 5 nm bis 100 nm liegt. Die Struktur der feinen Zinkoxidschicht in Nanometerdicke zum Auslösen des lokalisierten Nahfeldeffektes 3 setzt sich aus Zinkoxid oder Hybriden zwischen Zink und Zinkoxid zusammen, ihre ideale Dicke liegt im Bereich von 5 nm bis 100 nm. Die einmal beschreibbare Aufnahmeschicht 5 besteht aus einer Struktur, welche ihre einmal beschreibbare Eigenschaft durch hitzeoptische oder magnetooptische Effekte erlangt, und deren Dye aus folgenden organischen Stoffen besteht: Cyanin, Phtalocyanin und Azure bzw. Azure-Komplexen, oder alternativ aus den folgenden anorganischen Stoffen: Silber-Indium (AgxIny), Gold (Au) oder Platin (Pd) auf Telluroxid (TeOx). Es kann sich hierbei auch um eine mehrschichtige Struktur handeln. Die ideale Dicke dieser einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht 5 liegt im Bereich von 5 nn bis 100 nm.
  • Der in Fig. 2 dargestellte Vorgang beschreibt den Lese- und Schreibprozeß der Speicherpunkte auf dem einmal beschreibbaren optischen Nahfeld Speichermedium in Compact-Disk-Format. Man erkennt auf der Zeichnung die oben beschriebene Struktur. Ein- und ausgehende Lichtstrahlen 7 durchqueren die optische Linse 9 des optischen Lese- und Schreibkopfes des CD- Laufwerks 8, durchdringen die transparente Grundschicht 1 sowie die erste dielektrische Schicht 2 und werden auf der den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufenden, nanometerdicken Zinkoxidschicht 3 gebündelt. Durch die Reaktion zwischen den fokussierten Lichtstrahlen und dieser Schicht wird ein lokalisierter Nahfeldeffekt in kleineren Dimensionen als unter den Begrenzungen des Diffraktionslimits 10 hervorgerufen. Auf der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht 5 wird somit ein optischer Nahfeldeffekt ausgelöst, welcher zum Beschreiben und Lesen der Speicherpunkte in kleineren Dimensionen als unter den Begrenzungen des Diffraktionslimits 11 genutzt wird. Durch die Zusammenwirkung zwischen der Rotation der Compact-Disk und der Hochgeschwindigkeits-Abtastung des optischen Lese- und Schreibkopfes des CD-Laufwerks wird somit eine ultra-hohe Speicherdichte erreicht. Die oberhalb und unterhalb der den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufenden, nanometerdicken Zinkoxidschicht 3 befindlichen dielektrischen Schichten 2 und 4 haben eine die den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufenden, nanometerdicken Zinkoxidschicht 3 schützende und stabilisierende Funktion. Darüber hinaus hat die zweite dielektrische Schicht 4 auch die Funktion, den für den Nahfeldeffekt notwendigen Abstand zwischen der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht 5 und der den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufenden, nanometerdicken Zinkoxidschicht 3 zu wahren. Die dritte dielektrische Schicht 6 dient zu Schutz und Stabilisierung der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht 5 und dient effektiv zur Verlängerung der Nutzbarkeitsdauer dieser Struktur.
  • In Fig. 3 wird eine ideale Zusammenarbeit zwischen der einmal beschreibbaren optischen Nahfeld-Compact-Disk auf Zinkoxidbasis 12 und dem optischen Lese- und Schreibkopf des CD- Laufwerks 8 dargestellt. Die einmal beschreibbare optische Nahfeld Compact-Disk auf Zinkoxid- Basis 12 dreht sich in die Rotationsrichtung 13, der optische Lese- und Schreibkopf des CD- Laufwerks 8 nutzt die Spursicherungs- und Korrektur-Technologien des CD-Laufwerks um sicherzustellen, daß die beschriebenen Speicherpunkte sich auf einer Fläche und Spur befinden. Durch die Verwendung des zwischen der den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufenden, nanometerdicken Zinkoxidschicht 3 und der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht 5 verursachten optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt in kleineren Dimensionen als unter den Begrenzungen des Diffraktionslimits 10 werden die Speicherpunkte in kleineren Dimensionen als unter den Begrenzungen des Diffraktionslimits 11 erfolgreich geschrieben und gelesen.
  • Die oben aufgeführte detaillierte Ausführung der vorliegenden Erfindung ist lediglich exemplarischen Charakters und nicht die einzige mögliche Ausführungsweise. Alternativen, Modifikationen und Variationen sollen in dieser Erfindung mit eingeschlossen sein und von dem vorliegenden Patent geschützt werden. Die Beschreibungen und Illustrationen sind ebenfalls nur mögliche beispielhafte Ausführungen, und der Umfang dieser Erfindung ist nicht auf die exakten Dimensionen und Details der Beschreibungen und Illustrationen beschränkt, einschließlich der Abfolge des Aufbaus, den Werten der Winkel und den Richtungen der bündelnden Lichtstrahlen.

Claims (13)

1. Optisches Write-Once-Speichermedium im Compact-Disk-Format mit einer Zinkoxidschicht zur Durchführung von Nahfeldeffekten, umfassend mindestens:
eine transparente Grundschicht (1);
eine feine Zinkoxidschicht (3) in Nanometerdicke, welche einen lokalisierten Nahfeldeffekt auslösen kann;
eine einmal beschreibbare Aufnahmeschicht (5);
eine erste dielektrische Schicht (2), welche zwischen der transparenten Grundschicht (1) und der den Nahfeldeffekt auslösenden nanometerdicken Zinkoxidschicht (3) eingefügt ist;
eine zweite dielektrische Schicht (4), welche zwischen der den Nahfeldeffekt auslösenden nanometerdicken Zinkoxidschicht (3) und der einmal beschreibbaren Aufnahmeschicht (5) eingefügt ist;
t eine dritte dielektrische Schicht (6), welche auf die einmal beschreibbare Aufnahmeschicht (5) aufgetragen ist.
2. Speichermedium nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine transparente Grundschicht (1), die aus Siliziumoxid (SiO2) Glassmaterialien oder Siliziumoxid (SiO2) Hybridmaterialien in Verbindung mit Natrium (Na), Lithium (Li), Calcium (Ca), Kalium (K), Aluminium (Al), Germanium (Ge), Bor (B) besteht.
3. Speichermedium nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine transparente Grundschicht (1) aus transparenten Polymermaterialien wie Polykarbonat, Epoxydharz oder ähnlichen Materialien.
4. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine erste, zweite und dritte dielektrische Schicht (2, 4, 6), welche aus dielektrischen Materialien geformt sind, welche zumindest aus Bestandteilen der Gruppen von Zinksulfid- Siliziumoxid (ZnS-SiOx), Siliziumoxid (SiOx) oder Silizium-Stickstoff (SiNx) bestehen.
5. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrischen Schichten (2, 4, 6) eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweisen.
6. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine erste dielektrische Schicht (2), welche über eine Dicke im Bereich von 50 nm bis 300 nm verfügt.
7. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine zweite dielektrische Schicht (4), welche über eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 100 nm verfügt.
8. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine dritte dielektrische Schicht (6), welche über eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 100 nm verfügt.
9. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufende, nanometerdicke Zinkoxidschicht (3), deren Struktur sich aus Zinkoxid oder Hybriden zwischen Zink und Zinkoxid zusammensetzt.
10. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch eine den optischen, lokalisierten Nahfeldeffekt hervorrufende, nanometerdicke Zinkoxidschicht (3), welche über eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 100 nm verfügt.
11. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch eine einmal beschreibbare Aufnahmeschicht (5), die ihre einmal beschreibbare Eigenschaft durch hitzeoptische oder magneto-optische Effekte erlangt, und die folgende organische Stoffe enthält: Cyanin, Phtalocyanin und Azure bzw. Azure-Komplexen, oder alternativ aus den folgenden anorganischen Stoffen: Silber-Indium (AgxIny), Gold (Au) oder Platin (Pd) auf Telluroxid (TeOx).
12. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 11, gekennzeichnet durch eine einmal beschreibbare Aufnahmeschicht (5), welche aus einer einschichtigen oder mehrschichtigen Struktur besteht.
13. Speichermedium nach einem der Ansprüche 1 bis 12, gekennzeichnet durch eine einmal beschreibbare Aufnahmeschicht (5), welche über eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 100 nm verfügt.
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