DE102004015326A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Halbleiterbauteils - Google Patents

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Abstract

Zur Untersuchung von Wafern werden bislang Untersuchungseinrichtungen und -verfahren eingesetzt, die im Auflichtverfahren arbeiten. Um diese Einrichtungen auch im Durchlichtverfahren einsetzen zu können, wird vorgeschlagen, den Substrathalter (16) so auszugestalten, dass eine Beleuchtungseinrichtung (38, 40, 42) im Substrathalter (16) so integriert wird, dass eine Durchlichtbeleuchtung des Wafers (18) möglich ist.
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US11/076,620 US7268867B2 (en) 2004-03-30 2005-03-10 Apparatus and method for inspecting a semiconductor component
TW094107962A TW200535967A (en) 2004-03-30 2005-03-16 Apparatus and method for inspecting a semiconductor component
JP2005091704A JP2005283582A (ja) 2004-03-30 2005-03-28 半導体部品を検査するための装置及び方法

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006056086B3 (de) * 2006-11-28 2008-01-10 Rmb Gmbh Maschinen-Und Anlagenbau Verfahren und Vorrichtung zur optischen Analyse von Körpern aus Silizium
EP1855103A3 (de) * 2006-05-08 2009-12-23 Mitsubishi Electric Corporation Bildprüfvorrichtung und die Bildprüfvorrichtung verwendendes Bildprüfverfahren
DE102009026187A1 (de) * 2009-07-16 2011-01-27 Hseb Dresden Gmbh Inspektionssystem
WO2011012291A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Amb Apparate + Maschinenbau Gmbh Testsystem zur detektion von form- und/oder lagefehlern von wafern
DE102014205705A1 (de) * 2014-03-27 2015-10-01 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Leuchttisch geeignet für Anwendungen in der Metrologie sowie Koordinatenmessgerät mit einem solchen Leuchttisch
DE102016101452A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Infineon Technologies Ag Inspektion elektronischer Chips durch Rückseitenbeleuchtung

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY143415A (en) * 2006-02-07 2011-05-13 Hantech Co Ltd Apparatus and method for detecting defects in wafer using line sensor camera
WO2008125330A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-23 Viscom Ag Through-substrate optical imaging device and method
FR2931295B1 (fr) * 2008-05-13 2010-08-20 Altatech Semiconductor Dispositif et procede d'inspection de plaquettes semi-conductrices
JP5233012B2 (ja) * 2008-10-03 2013-07-10 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
JP5830229B2 (ja) * 2010-06-16 2015-12-09 直江津電子工業株式会社 ウエハ欠陥検査装置
US9885671B2 (en) 2014-06-09 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Miniaturized imaging apparatus for wafer edge
US9645097B2 (en) 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
JP6642850B2 (ja) * 2015-10-30 2020-02-12 大日本印刷株式会社 包装物の検査装置、検査方法及び製造方法、並びに包装機
JP6658051B2 (ja) * 2016-02-16 2020-03-04 三菱電機株式会社 ウエハの検査装置、ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法
CN112845197A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 江苏晶曌半导体有限公司 一种用于光电子元件晶片收集设备

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645626A (en) * 1970-06-15 1972-02-29 Ibm Apparatus for detecting defects by optical scanning
JPS5737887A (en) * 1980-08-19 1982-03-02 Fuji Photo Film Co Ltd Image reader
DE3274015D1 (en) * 1981-07-14 1986-12-04 Hitachi Ltd Pattern detection system
US4747608A (en) * 1984-10-30 1988-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Wafer chuck
JPS63222438A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Fujitsu Ltd ウエハ−表面欠陥検査装置
DE8714009U1 (de) * 1987-10-19 1989-02-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
EP0455857A1 (de) 1990-05-11 1991-11-13 Diffracto Limited Verbesserte Verfahren und Vorrichtung zur retroreflektiven Oberflächeninspektion und Verzerrungsmessung
JPH04157344A (ja) * 1990-10-19 1992-05-29 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス歪自動測定装置
WO1994002832A1 (en) * 1992-07-15 1994-02-03 On-Line Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring layer processing
US5371368A (en) * 1992-07-23 1994-12-06 Alfano; Robert R. Ultrafast optical imaging of objects in a scattering medium
US6614529B1 (en) * 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
JPH0656762U (ja) * 1993-01-08 1994-08-05 オリンパス光学工業株式会社 基板外観検査装置
JPH08220008A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 赤外検査装置
US5754294A (en) * 1996-05-03 1998-05-19 Virginia Semiconductor, Inc. Optical micrometer for measuring thickness of transparent wafers
JP2000266681A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Kokusai Gijutsu Kaihatsu Kk ライン照明装置
US6587193B1 (en) 1999-05-11 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot
EP1181569B1 (de) * 1999-05-14 2004-04-07 MV Research Limited Ein inspektionssystem für mikrovias
JP2001027615A (ja) * 1999-07-15 2001-01-30 Kirin Techno-System Corp ペットボトルの照明撮像装置
DE10011318A1 (de) * 2000-03-13 2001-09-20 Visicontrol Ges Fuer Elektroni Vorrichtung zur Prüfung und/oder Vermessung von Prüflingen
JP2001305064A (ja) * 2000-04-27 2001-10-31 Olympus Optical Co Ltd 基板検査装置
US6633831B2 (en) * 2000-09-20 2003-10-14 Kla Tencor Technologies Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
TWI221190B (en) * 2001-06-29 2004-09-21 Olympus Optical Co Coordinate detector
US7109464B2 (en) * 2001-07-06 2006-09-19 Palantyr Research, Llc Semiconductor imaging system and related methodology
KR100537684B1 (ko) 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼검사장치
US7123356B1 (en) * 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1855103A3 (de) * 2006-05-08 2009-12-23 Mitsubishi Electric Corporation Bildprüfvorrichtung und die Bildprüfvorrichtung verwendendes Bildprüfverfahren
NO338042B1 (no) * 2006-05-08 2016-07-25 Mitsubishi Electric Corp Bildeinspeksjonsanordning og bildeinspeksjonsfremgangsmåte som anvender bildeinspeksjonsanordningen.
DE102006056086B3 (de) * 2006-11-28 2008-01-10 Rmb Gmbh Maschinen-Und Anlagenbau Verfahren und Vorrichtung zur optischen Analyse von Körpern aus Silizium
DE102009026187A1 (de) * 2009-07-16 2011-01-27 Hseb Dresden Gmbh Inspektionssystem
WO2011012291A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Amb Apparate + Maschinenbau Gmbh Testsystem zur detektion von form- und/oder lagefehlern von wafern
DE102014205705A1 (de) * 2014-03-27 2015-10-01 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Leuchttisch geeignet für Anwendungen in der Metrologie sowie Koordinatenmessgerät mit einem solchen Leuchttisch
DE102014205705B4 (de) * 2014-03-27 2020-11-05 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Leuchttisch geeignet für Anwendungen in der Metrologie sowie Koordinatenmessgerät mit einem solchen Leuchttisch
DE102016101452A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Infineon Technologies Ag Inspektion elektronischer Chips durch Rückseitenbeleuchtung
DE102016101452B4 (de) * 2016-01-27 2018-10-11 Infineon Technologies Ag Inspektion elektronischer Chips durch Rückseitenbeleuchtung
US10388610B2 (en) 2016-01-27 2019-08-20 Infineon Technologies Ag Electronic chip inspection by backside illumination

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