DE102004001312A1 - Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004001312A1 DE102004001312A1 DE102004001312A DE102004001312A DE102004001312A1 DE 102004001312 A1 DE102004001312 A1 DE 102004001312A1 DE 102004001312 A DE102004001312 A DE 102004001312A DE 102004001312 A DE102004001312 A DE 102004001312A DE 102004001312 A1 DE102004001312 A1 DE 102004001312A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chip
- light emitting
- light
- emitting diode
- resin case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Abstract
Chip-Leuchtdiode mit einem weiten Abstrahlwinkel und Verfahren zu deren Herstellung. Die Chip-Leuchtdiode hat ein Harzgehäuse, welches einen lichtemittierenden Chip versiegelt und mindestens einen gewölbten vorspringenden Teil hat. Der gewölbte vorspringende Teil hat einen Querschnitt, der im wesentlichen halbkreisförmig oder im wesentlichen oder teilweise elliptisch oder parabolisch ist. Der gewölbte vorspringende Teil hat vorzugsweise einen Querschnitt, der sich aus mehreren geraden Linien zusammensetzt, die in einem Winkel zueinander angeordnet sind. In Längsrichtung ergibt sich durch diesen Querschnitt eine zylindrische Außenfläche des Harzgehäuses.
Description
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- (a) Technisches Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Chip-Leuchtdiode und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
- (b) Beschreibung des Stands der Technik
- Chip-Leuchtdioden (LEDs) werden allgemein als Anzeigevorrichtungen und für die Hintergrundbeleuchtung eingesetzt. In jüngster Zeit wurde das Spektrum ihrer Einsatzmöglichkeiten um verschiedene Anwendungen, zum Beispiel als Lichtquelle für Mobilfunkgeräte und Personal Digital Assistants (PDAs) erweitert.
- In
1 ist eine herkömmliche Chip-LED50 dargestellt, die mit einer Metall-Anschlußfläche52 und einer Zuleitung55 auf einer Leiterplatte51 versehen ist. Ein lichtemittierender Chip53 , welcher auf der Metall-Anschlußfläche52 befestigt ist, ist über ein Kabel54 mit der Zuleitung55 verbunden. Ein Harzgehäuse56 , das aus einer Epoxyformmasse (EMC) geformt wird, versiegelt den Chip53 . - Die herkömmliche Chip-LED
50 hat den Nachteil, daß die Strahlengänge der emittierten Lichtstrahlen begrenzt sind, weil das Harzgehäuse56 einen rechteckigen Querschnitt hat, wodurch sich ein kleiner Abstrahlwinkel der Chip-LED ergibt. Außerdem konzentriert sich die Verteilung der Lichtstärke des emittierten Lichts an der Position des Chips. Daher sind viele Chip-LEDs erforderlich, um einen bestimmten Bereich auszuleuchten, was bei einigen Anwendungen, wie etwa der Hintergrundbeleuchtung, zu hohen Herstellungskosten führt. - Außerdem konzentriert sich Wärme, die von der herkömmlichen Chip-LED
50 während des Betriebs erzeugt wird, an den Kanten, was zu einer thermischen oder mechanischen Verformung der Diode führt. - Wenn die Dicke des Harzgehäuses verringert wird, um die herkömmliche Chip-LED möglichst kompakt zu gestalten, muß ein Metallformwerkzeug für das Harzgehäuse an den Kanten präziser geformt werden, was zu hohen Herstellungskosten führen kann. Bei einer ungleichmäßigen Dicke des Harzgehäuses kann die Belastung an einer Dünnstelle besonders hoch sein, so daß sich die Klebekraft verschlechtert, was eine geringe Zuverlässigkeit der Chip-LED zur Folge hat.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Angesichts des vorbeschriebenen Stands der Technik ist eine Aufgabe der Erfindung eine Chip-Leuchtdiode (LED) mit einem weiten Abstrahlwinkel und ein Verfahren zu deren Herstellung.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist eine Chip-LED, bei der die Lichtstärke auf beiden Seiten im wesentlichen einheitlich ist, um eine größere Fläche mit hoher Leuchtdichte auszuleuchten.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist eine Chip-LED, bei der die erzeugte Wärme gleichmäßig verteilt wird, um eine thermische und mechanische Verformung zu vermeiden und eine einseitige Konzentration der Belastung zu verhindern.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Chip-LED, bei dem eine einfache Konstruktion des Metallformwerkzeugs verwendet werden kann, um die Herstellungskosten zu senken.
- Um diese und weitere Aufgaben zu erfüllen, wie hierin enthalten und allgemein beschrieben, umfaßt eine Chip-Leuchtdiode:
eine Metall-Anschlußfläche und eine Zuleitung, die voneinander beabstandet auf einer Leiterplatte angeordnet sind;
einen lichtemittierenden Chip, der auf der Metall-Anschlußfläche befestigt ist;
ein Kabel, das den lichtemittierenden Chip und die Zuleitung miteinander verbindet; und
ein Harzgehäuse, das den lichtemittierenden Chip und zumindest einen Teil der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung und das Kabel versiegelt und mindestens einen gewölbten vorspringenden Teil hat. - Der gewölbte vorspringende Teil hat einen Querschnitt, der im wesentlichen halbkreisförmig oder im wesentlichen oder teilweise elliptisch oder parabolisch ist. Der gewölbte vorspringende Teil hat vorzugsweise einen Querschnitt, der sich aus mehreren geraden Linien zusammensetzt, wobei benachbarte Linien in einem Winkel zueinander angeordnet sind.
- Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zur Herstellung einer Chip-Leuchtdiode die folgenden Schritte:
Befestigen eines lichtemittierenden Chips auf einer Metall-Anschlußfläche, die auf einer Leiterplatte vorgesehen ist;
Verbinden des lichtemittierenden Chips mit einer Zuleitung, die auf der Leiterplatte vorgesehen ist;
Bereitstellen der Leiterplatte in einem Formwerkzeug mit einem Formnest, wobei das Formnest mindestens einem vorspringenden Teil der Chip-Leuchtdiode entspricht; und
Formen eines Harzgehäuses, welches den lichtemittierenden Chip und zumindest einen Teil der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung versiegelt, indem Harzmaterial in das Formnest gespritzt wird, wobei das Harzgehäuse mindestens einen gewölbten vorspringenden Teil hat. - Sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende nähere Beschreibung sind beispiel haft und dienen dazu, die beanspruchte Erfindung näher zu erläutern.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die beigefügten Zeichnungen ermöglichen ein besseres Verständnis der Erfindung und verdeutlichen zusammen mit der näheren Beschreibung die Prinzipien der Erfindung. Es zeigen:
-
1 – eine perspektivische Darstellung einer herkömmlichen Chip-Leuchtdiode; -
2 – eine perspektivische Darstellung einer Chip-Leuchtdiode nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform; -
3 – einen vergrößerten Querschnitt entlang der Linie A-A in2 ; -
4a und4b – Abstrahlwinkel-Eigenschaften bei den Chips gemäß2 bzw.1 ; -
5 bis7 – weitere Beispiele des Harzgehäuses bei den Chip-Leuchtdioden gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform; -
8 – eine perspektivische Darstellung einer Chip-Leuchtdiode nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform; -
9 – einen Querschnitt entlang der Linie A-A in8 ; -
10 und11 – weitere Beispiele des Harzgehäuses bei den Chip-Leuchtdioden gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform und -
12 – ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Chip-Leuchtdiode. - NÄHERE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
- Wie in
2 und3 dargestellt, umfaßt eine Chip-Leuchtdiode (LED)100 nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung eine Metall-Anschlußfläche120 und eine Zuleitung150 auf einer Leiterplatte110 sowie einen lichtemittierenden Chip130 , der auf der Metall-Anschlußfläche120 befestigt ist. Die Metall-Anschlußfläche120 ist aus einem elektrisch leitenden Material hergestellt, und der Chip130 kann auf geeignete Weise aus lichtemittierenden Chips mit Wellenlängen von Infrarot bis Ultraviolett ausgewählt werden. Ein Kabel140 verbindet den lichtemittierenden Chip130 mit der Zuleitung150 , und ein Harzgehäuse wird so geformt, daß es von der Leiterplatte110 vorspringt, um den Chip130 und Teile der Zuleitung150 und der Metall-Anschlußfläche120 zu versiegeln. - Das Harzgehäuse
160 hat einen gewölbten vorspringenden Teil161 , welcher einen im wesentlichen halbkreisförmigen Querschnitt hat. In Längsrichtung ergibt sich durch diesen Querschnitt eine zylindrische Außenfläche des Harzgehäuses160 . Ein geeignetes Epoxyharz kann in ein Metallformwerkzeug (nicht abgebildet) mit einem gewölbten Formnest eingespritzt und zum Harzgehäuse160 geformt werden. - Lichtstrahlen R, die vom Chip
130 emittiert werden, werden an der sanft gewölbten Oberfläche in unterschiedlichen Brechungswinkeln gebrochen. Dadurch wird eine gleichmäßige Verteilung der Lichtstärke und ein weiter Abstrahlwinkel erreicht. - Wie in der vergrößerten Querschnittsdarstellung von
3 erkennbar, kann die Oberfläche des Harzgehäuses130 leichte Striationen haben, um das vom Chip130 emittierte Licht zu streuen. Die Striationen können dreieckig, sinuswellenförmig oder in einer anderen geeigneten Form ausgebildet sein. Die Periode p der Striationen reicht vorzugsweise von etwa 0,5 μm bis 1,0 μm. Die Striationen können das vom Chip130 emittierte Licht während der Brechung an der Oberfläche des Harzgehäuses160 streuen, um den Abstrahlwinkel weiter zu erweitern. - Wie aus
4A und4B ersichtlich ist, in denen die Abstrahlwinkel der erfindungsgemäßen Chip-LED100 und der herkömmlichen Chip-LED50 dargestellt sind, hat die Chip-LED100 einen Abstrahlwinkel von etwa 160° von H(a) bis H(b), dargestellt mit einer fett gedruckten Linie, während die herkömmliche LED50 bei ansonsten identischen Versuchsbedingungen einen Abstrahlwinkel von etwa 120° von H(a') bis H(b') hat. Es ist somit festzustellen, daß der Abstrahlwinkel der erfindungsgemäßen Chip-LED100 gegenüber dem der herkömmlichen Chip-LED 50 um etwa 40° verbessert wird. - Das Harzgehäuse
160 der Chip-LED100 hat keine scharfe Kante, sondern vielmehr eine sanft gewölbte Oberfläche ohne Beschränkung des Strahlengangs. Dies führt zu einer Verbesserung der Lichtausbeute, wie durch die in TABELLE 1 dargestellten Versuchsergebnisse bestätigt wurde, die von den Erfindern in zahlreichen Versuchen ermittelt wurden. TABELLE 1 zeigt nur Durchschnittswerte der Lichtstärke und Leuchtdichte der Chip-LED100 und der herkömmlichen Chip-LED50 . - Die in TABELLE 1 dargestellten Versuchsergebnisse wurden unter der Voraussetzung gemessen, daß die lichtemittierenden Chips
100 ,50 dieselben Abmessungen von 304 μm Breite, 304 μm Tiefe und 100 μm Höhe hatten und ein Eingangsstrom von 5 mA bei der Messung der Lichtstärke und von 15 mA bei der Messung der Leuchtdichte angelegt wurde. - Wie aus TABELLE 1 ersichtlich ist, ist die erfindungsgemäße Chip-LED bei der Lichtstärke durchschnittlich um 6 mcd und bei der Leuchtdichte durchschnittlich um 280 cd/m2 besser als die herkömmliche Chip-LED
50 . Es ist somit festzustellen, daß die Chip-LED100 eine bessere Lichtausbeute hat als die herkömmliche. - Der gewölbte vorspringende Teil
161 des Harzgehäuses160 ist unter Bezugnahme auf2 und3 mit einem halbkreisförmigen Querschnitt beschrieben, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Der Querschnitt des gewölbten vorspringenden Teils161 kann variabel modifiziert werden.5 bis7 zeigen Beispiele von Chip-LEDs mit Harzgehäusen verschiedener Querschnitte. - In
5 ist die Chip-LED200 mit einem Harzgehäuse260 dargestellt. Das Harzgehäuse260 hat einen gewölbten vorspringenden Teil261 , dessen Querschnitt im wesentlichen halbkreisförmig ist, ähnlich dem in2 oder3 . Weiterhin setzt sich der Querschnitt des gewölbten vorspringenden Teils261 aus einer Vielzahl von geraden Linien zusammen, wobei benachbarte Linien mit einem Winkel θ zueinander angeordnet sind. Der Winkel θ kann über die gesamte Wölbung identisch sein oder sich abhängig von der Position unterscheiden. In Längsrichtung ergibt sich bei diesem Querschnitt eine zylindrische Außenfläche des Harzgehäuses260 . Das Harzgehäuse260 kann eine ähnliche Funktion haben wie das Harzgehäuse160 nach der ersten bevorzugten Ausführungsform. - In
6 ist ein Harzgehäuse360 einer Chip-LED300 dargestellt, das einen gestuften Teil390 entlang der Kanten auf den Längsseiten hat. Das Harzgehäuse360 hat einen gewölbten vorspringenden Teil361 , der eine ähnliche Funktion hat wie das Harzgehäuse160 nach der ersten bevorzugten Ausführungsform. Zwar ist in6 nur ein gestufter Teil auf jeder Seite ausgebildet, aber es ist möglich, nach Bedarf zwei oder mehrere gestufte Teile auf jeder Seite vorzusehen. - Es ist ebenfalls möglich, eine Chip-LED
400 , wie in7 dargestellt, mit einem Harzgehäuse460 zu versehen, dessen Oberseite gewölbt ist, während seine Seitenflächen glatt sind. - Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorbeschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Ein gewölbtes vorspringendes Teil des Harzgehäuses kann einen Querschnitt haben, der teilweise elliptisch, parabolisch oder kreisförmig ist oder in einer beliebigen Modifikation davon gestaltet ist. Eine Oberfläche des Harzgehäuses kann feine Striationen haben, um Licht zu streuen, was zu einer weiteren Erweiterung des Abstrahlwinkels führt.
- Das erfindungsgemäße Harzgehäuse kann leicht an Chip-LEDs mit einer zweifachen Oberseitenkonstruktion angepaßt werden.
- Unter Bezugnahme auf
8 und9 wird nachfolgend eine erfindungsgemäße Chip-LED600 gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform beschrieben. Die Chip-LED600 ähnelt der Chip-LED100 gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform, mit Ausnahme der Form eines Harzgehäuses660 . - Das Harzgehäuse
660 der Chip-LED600 hat zwei gewölbte vorspringende Teile661 ,662 . Beide gewölbte vorspringende Teile661 ,662 sind durch ein Zwischenstück663 in einem Abstand l voneinander beabstandet angeordnet. Der Abstand l kann zwischen dem 0,1- und dem 0,4-fachen der Bodenlänge b des Querschnitts betragen. - Bei der Chip-LED
600 gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform werden vom Chip130 emittierte Licht strahlen übertragen und an den beiden gewölbten Oberflächen der vorspringenden Teile661 und662 gebrochen. Die so gebrochenen Strahlen gehen auseinander, so daß sich ein weiter Abstrahlwinkel ergibt. Dies kann die Beleuchtungswirkung beider Seiten über einen definierten Bereich verbessern. - Zwar wird das Harzgehäuse
660 der Chip-LED600 gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform mit zwei vorspringenden Teile661 ,662 beschrieben, aber es ist ebenfalls möglich, mehr als zwei vorspringende Teile im Harzgehäuse vorzusehen. -
10 und11 zeigen weitere Beispiele des Harzgehäuses. Eine Chip-LED700 , wie in10 dargestellt, hat ein Harzgehäuse760 mit zwei vorspringenden Teilen761 ,762 , die ohne ein Zwischenstück nebeneinander geformt sind. Eine Chip-LED800 mit einem Harzgehäuse860 ist in11 dargestellt. Hier sind drei vorspringende Teile861 ,862 ,863 mit zwei Zwischenstücken864 ,865 geformt. - Vom Chip
130 in der Chip-LED700 oder800 emittierte Lichtstrahlen werden übertragen und an den vorspringenden Teilen761 ,762 ,861 ,862 ,863 gebrochen und gehen dann in einem breiten Abstrahlwinkel auseinander. Dies kann die Beleuchtungswirkung im Vergleich zur herkömmlichen LED50 aus1 verbessern. - Es ist ebenfalls möglich, daß die Oberfläche des Harzgehäuses gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform feine Striationen aufweist, um Licht zu streuen, was zu einem noch weiteren Abstrahlwinkel führt.
- Unter Bezugnahme auf
12 in Verbindung mit2 wird nun ein Verfahren zur Herstellung einer Chip-LED beschrieben. Zuerst wird die Leiterplatte110 mit der Metall-Anschlußfläche120 und der Zuleitung150 versehen (S1). Der Chip130 wird auf der Metall-Anschlußfläche120 befestigt und dann mittels des Kabels140 mit der Zuleitung150 verbunden (S2-S3). Als Chip130 kann ein geeigneter Chip ausgewählt werden, der Licht einer gewünschten Wellenlänge emittiert. - Die Leiterplatte
110 wird dann auf einem Formwerkzeug mit einem Formnest befestigt (S4). Das Formnest entspricht dem oder den vorspringenden Teil(en) in einer der Formen, wie sie für die erste bevorzugte Ausführungsform oder die zweite bevorzugte Ausführungsform beschrieben wurden. - Als nächstes wird eine feste Epoxyformmasse auf 170–180° erhitzt und in das Formwerkzeug eingespritzt. Das Harzgehäuse
160 wird auf der Leiterplatte110 in der für die erste oder zweite Ausführungsform beschriebenen Form geformt (S5). Das Harzgehäuse wird so geformt, daß es den lichtemittierenden Chip versiegelt. Es ist möglich, daß das Harzgehäuse so geformt wird, daß es entweder einen Teil der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung oder die gesamte Oberfläche der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung versiegelt. - In der Praxis werden mehrere Chip-LEDs auf einer Leiterplatte vorgesehen, die beispielsweise eine Größe von etwa 80 mm × 50 mm hat. Daher wird jede Chip-LED auf der Leiterplatte einzeln abgeschnitten (S6).
- Wie oben beschrieben wurde, gehen bei einer erfindungsgemäßen Chip-LED die Lichtstrahlen, die vom lichtemittierenden Chip emittiert werden, radial und gleichmäßig auseinander, um den Abstrahlwinkel weiter zu erweitern. Die Lichtausbeute der Chip-LED wird ebenfalls verbessert, so daß die Zahl der Chip-LEDs, die bei einer Anwendung zur Hintergrundbeleuchtung einer bestimmten Fläche benötigt werden, verringert wird.
- Die Wärme, die von der erfindungsgemäßen Chip-LED erzeugt wird, wird ebenfalls gleichmäßig über die Oberfläche verteilt, wodurch verhindert wird, daß die Chip-LED thermisch oder mechanisch verformt wird. Außerdem wird die Belastung nicht einseitig konzentriert, so daß sich die Haftung zwischen dem Harzgehäuse und der Leiterplatte verbessert, insbesondere bei kompakten Chip-LEDs.
- Da ein Formwerkzeug für ein gewölbtes vorstehendes Teil leichter herzustellen ist als eins für ein Harzgehäuse mit einem rechteckigen Querschnitt, verringert eine relativ einfache Konstruktion des Formwerkzeugs für ein Harzgehäuse die Herstellungskosten.
- Für den Fachkundigen ist offensichtlich, daß verschiedene Modifikationen und Variationen der erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem erfindungsgemäßen Verfahren möglich sind, ohne vom Geist und Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Erfindung schließt die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung ein, sofern sie unter den Schutzumfang der beigefügten Patentansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
Claims (8)
- Chip-Leuchtdiode, umfassend eine Metall-Anschlußfläche und eine Zuleitung, die voneinander beabstandet auf einer Leiterplatte angeordnet sind; einen lichtemittierenden Chip, der auf der Metall-Anschlußfläche befestigt ist; ein Kabel, das den lichtemittierenden Chip und die Zuleitung miteinander verbindet; und ein Harzgehäuse, das den lichtemittierenden Chip und zumindest einen Teil der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung und das Kabel versiegelt und mindestens einen gewölbten vorspringenden Teil hat.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der der gewölbte vorspringende Teil einen Querschnitt hat, der im wesentlichen halbkreisförmig oder im wesentlichen oder teilweise elliptisch oder parabolisch ist.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der der gewölbte vorspringende Teil einen Querschnitt hat, der sich aus mehreren geraden Linien zusammensetzt, wobei benachbarte Linien in einem Winkel zueinander angeordnet sind.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der an einer äußeren Kante des Harzgehäuses mindestens ein gestufter Teil geformt ist.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der die Oberfläche des Harzgehäuses feine Striationen hat, um das vom lichtemittierenden Chip emittierte Licht zu streuen.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der das Harzgehäuse einen vorspringenden Teil hat.
- Chip-Leuchtdiode gemäß Anspruch 1, bei der das Harzgehäuse zwei vorspringende Teile hat, die in einem definierten Abstand voneinander angeordnet sind, wobei der definierte Abstand zwischen dem 0,1- und dem 0,4-fachen einer Bodenlänge des Harzgehäuses liegt.
- Verfahren zur Herstellung einer Chip-Leuchtdiode, umfassend die folgenden Schritte: Befestigen eines lichtemittierenden Chips auf einer Metall-Anschlußfläche, die auf einer Leiterplatte vorgesehen ist; Verbinden des lichtemittierenden Chips mit einer Zuleitung, die auf der Leiterplatte vorgesehen ist; Bereitstellen der Leiterplatte in einem Formwerkzeug mit einem Formnest, wobei das Formnest mindestens einem vorspringenden Teil der Chip-Leuchtdiode entspricht; und Formen eines Harzgehäuses, welches den lichtemittierenden Chip und zumindest einen Teil der Metall-Anschlußfläche und der Zuleitung versiegelt, indem Harzmaterial in das Formnest gespritzt wird, wobei das Harzgehäuse mindestens einen gewölbten vorspringenden Teil hat.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0051365 | 2003-07-25 | ||
KR20030051365 | 2003-07-25 | ||
KR1020030057331A KR100405453B1 (en) | 2003-07-25 | 2003-08-19 | Chip light emitting diode(led) and manufacturing method thereof |
KR10-2003-0057331 | 2003-08-19 | ||
KR1020030057625A KR100430192B1 (ko) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 칩 발광다이오드 |
KR10-2003-0057625 | 2003-08-20 | ||
DE102004064055 | 2004-01-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004001312A1 true DE102004001312A1 (de) | 2005-03-24 |
DE102004001312B4 DE102004001312B4 (de) | 2010-09-30 |
Family
ID=34084287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004001312A Expired - Fee Related DE102004001312B4 (de) | 2003-07-25 | 2004-01-07 | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7042022B2 (de) |
JP (2) | JP2005045199A (de) |
CN (1) | CN100382340C (de) |
DE (1) | DE102004001312B4 (de) |
TW (1) | TWI239660B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008009808A1 (de) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | Lighting Innovation Group Ag | LED-Lichtleiste höherer Schutzart |
US8212698B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Electronic circuit for correcting at least one digital measurement signal |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050113200A (ko) | 2003-02-26 | 2005-12-01 | 크리, 인코포레이티드 | 복합 백색 광원 및 그 제조 방법 |
EP2264798B1 (de) | 2003-04-30 | 2020-10-14 | Cree, Inc. | Hochleistungs-Lichtemitter-Verkapselungen mit kompakter Optik |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
EP1693904B1 (de) * | 2005-02-18 | 2020-03-25 | Nichia Corporation | Llichtemittierende Vorrichtung versehen mit Linse für Lichtstärkeverteilungskontrolle |
JP4899502B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2012-03-21 | 日亜化学工業株式会社 | 面状照射光源及び面状照射装置 |
US7501659B2 (en) * | 2005-04-12 | 2009-03-10 | Japan Cash Machine Co., Ltd. | LED device and optical detector therewith for bill validator |
TW200701507A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-01 | Epitech Technology Corp | Light-emitting diode |
TWI371871B (en) | 2006-12-29 | 2012-09-01 | Ind Tech Res Inst | A led chip with micro lens |
KR100780176B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 측면 방출 발광다이오드 패키지 |
KR100649765B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛 |
JP4891626B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-03-07 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
US7968900B2 (en) * | 2007-01-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | High performance LED package |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100883075B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2009-02-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
CN101494173B (zh) * | 2008-01-23 | 2011-04-13 | 宏齐科技股份有限公司 | 具有粗糙发光面的发光二极管芯片封装结构及其封装方法 |
KR100998010B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2010-12-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
TWI397195B (zh) * | 2008-07-07 | 2013-05-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體元件及背光模組 |
JP2010027974A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 発光装置の製造方法 |
JP5204618B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-06-05 | 電気化学工業株式会社 | 発光素子搭載用基板、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 |
CN101425557B (zh) * | 2008-12-17 | 2010-06-02 | 友达光电股份有限公司 | 背光模块及其发光二极管 |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
WO2011107928A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led with transparent package |
KR101653684B1 (ko) * | 2010-05-28 | 2016-09-02 | 삼성전자 주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 |
CN104154463A (zh) * | 2010-09-27 | 2014-11-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源 |
US9478719B2 (en) | 2010-11-08 | 2016-10-25 | Bridgelux, Inc. | LED-based light source utilizing asymmetric conductors |
JP5154637B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2013-02-27 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
JP2011071137A (ja) * | 2010-12-21 | 2011-04-07 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具 |
TWI517452B (zh) * | 2011-03-02 | 2016-01-11 | 建準電機工業股份有限公司 | 發光晶體之多晶封裝結構 |
EP2642541A1 (de) * | 2012-03-22 | 2013-09-25 | Odelo GmbH | Leuchtdiode |
EP2801749B1 (de) | 2013-05-07 | 2021-09-15 | Goodrich Lighting Systems GmbH | LED-Beleuchtungseinheit und Verfahren zum Ersetzen einer LED-Beleuchtungseinheit |
EP2801750B1 (de) * | 2013-05-07 | 2021-02-17 | Goodrich Lighting Systems GmbH | LED-Beleuchtungseinheit und Verfahren zum Ersetzen einer LED-Beleuchtungseinheit |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
EP3014657B1 (de) * | 2013-06-28 | 2018-04-25 | Lumileds Holding B.V. | Led chips verbunden mit leiterrahmenstreifen |
US20150116999A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Mono-axial lens for multiple light sources |
CN103943753A (zh) | 2014-03-06 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管光源及其制作方法、背光源及显示装置 |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
JP6506899B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2019-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール |
US10062817B1 (en) * | 2017-01-10 | 2018-08-28 | Rayvio Corporation | Ultraviolet emitting device with shaped encapsulant |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4812802B1 (de) | 1967-11-20 | 1973-04-23 | ||
JPS49114867U (de) * | 1973-01-31 | 1974-10-01 | ||
JPS6468200A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Acoustic video equipment |
JPH0723827Y2 (ja) * | 1989-06-12 | 1995-05-31 | 株式会社小糸製作所 | 表示装置用光源体 |
JP2503074Y2 (ja) * | 1991-03-14 | 1996-06-26 | 株式会社小糸製作所 | チップ型発光ダイオ―ドの取付構造 |
JPH0685327A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Sharp Corp | 光半導体装置の製造方法 |
JPH06112536A (ja) | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 光源装置およびその製造方法 |
JP3106050B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2000-11-06 | 三菱レイヨン株式会社 | 面光源用輝度向上シート |
JPH08148722A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Fujitsu General Ltd | Led装置 |
US5851449A (en) * | 1995-09-27 | 1998-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a surface-mounted type optical semiconductor device |
JPH09153646A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP3797636B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2006-07-19 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH1174410A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型チップ部品及びその製造方法 |
DE19830751A1 (de) * | 1998-07-09 | 1999-09-09 | Vishay Semiconductor Gmbh | Leuchtemitterdiode mit einer lichtdurchlässigen Kapselung |
JP3185977B2 (ja) * | 1998-08-12 | 2001-07-11 | スタンレー電気株式会社 | Ledランプ |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
JP2001168400A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Rohm Co Ltd | ケース付チップ型発光装置およびその製造方法 |
JP2001177156A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Koha Co Ltd | 側面発光型ledランプ |
WO2001082386A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur electroluminescent a emission laterale et son procede de production |
JP2002064224A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Agilent Technologies Japan Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3930710B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-06-13 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
CN1259732C (zh) * | 2000-09-29 | 2006-06-14 | 欧姆龙株式会社 | 光学器件及其应用 |
JP2002141558A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ型led |
US6429464B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-06 | Para Light Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2002261333A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US6833566B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode with heat sink |
JP2002299697A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Lighting Corp | Led光源デバイス及び照明器具 |
JP2002324917A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
DE10129785B4 (de) * | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3891400B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2007-03-14 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
TWI258023B (en) * | 2001-11-07 | 2006-07-11 | Ibm | A prism sheet, a back-light unit using said prism sheet, and a transmission type liquid crystal display device |
US6610598B2 (en) * | 2001-11-14 | 2003-08-26 | Solidlite Corporation | Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens |
JP2003152227A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Citizen Electronics Co Ltd | Ledの色補正手段および色補正方法 |
JP3813509B2 (ja) | 2001-12-28 | 2006-08-23 | 株式会社東芝 | レンズ一体型発光素子及び航空障害灯 |
US20040070001A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Jung-Tai Lee | LED element |
TWI283764B (en) * | 2003-09-19 | 2007-07-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | LED light source and backlight system using thereof |
JP4590905B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光装置 |
US6919582B2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-07-19 | Solidlite Corporation | Tri-color ZnSe white light emitting diode |
JP2005209795A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び灯具 |
JP4397728B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-01-13 | 日東電工株式会社 | 直下型バックライト |
US7352011B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-04-01 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wide emitting lens for LED useful for backlighting |
EP1928026A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Beleuchtungsvorrichtung mit lichtemittierenden Halbleiterelementen |
-
2004
- 2004-01-07 DE DE102004001312A patent/DE102004001312B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-09 CN CNB2004100003576A patent/CN100382340C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-01-09 TW TW093100501A patent/TWI239660B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-01-09 US US10/754,389 patent/US7042022B2/en not_active Ceased
- 2004-01-14 JP JP2004007357A patent/JP2005045199A/ja active Pending
-
2007
- 2007-01-11 US US11/652,468 patent/USRE42112E1/en not_active Expired - Lifetime
- 2007-06-19 JP JP2007161732A patent/JP2007235182A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8212698B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Electronic circuit for correcting at least one digital measurement signal |
DE102008009808A1 (de) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | Lighting Innovation Group Ag | LED-Lichtleiste höherer Schutzart |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
USRE42112E1 (en) | 2011-02-08 |
TW200505048A (en) | 2005-02-01 |
CN1577903A (zh) | 2005-02-09 |
TWI239660B (en) | 2005-09-11 |
DE102004001312B4 (de) | 2010-09-30 |
CN100382340C (zh) | 2008-04-16 |
US7042022B2 (en) | 2006-05-09 |
US20050017259A1 (en) | 2005-01-27 |
JP2007235182A (ja) | 2007-09-13 |
JP2005045199A (ja) | 2005-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102004001312B4 (de) | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE19918370B4 (de) | LED-Weißlichtquelle mit Linse | |
DE112008002540B4 (de) | LED-Gehäuse und Hintergrundbeleuchtungseinheit unter Verwendung desselben | |
DE202010017509U1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem | |
DE10137336A1 (de) | Kollimierende Lampe | |
DE10314524A1 (de) | Scheinwerfer und Scheinwerferelement | |
DE112017001510B4 (de) | Filament mit lichtemittierenden halbleiterchips, leuchtmittel und verfahren zur herstellung eines filaments | |
DE102012102114A1 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung | |
DE102006033470A1 (de) | Leuchtdioden-Gehäusestruktur | |
EP2765445B1 (de) | LED-Einheit mit Linse | |
DE102007011776A1 (de) | Licht emittierende Vorrichtung mit durch Anwenden von Druck abstimmbarer Wellenlänge | |
DE102014106882A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
EP2399068A1 (de) | Optoelektronisches modul | |
DE202010008480U1 (de) | LED-Leuchte zur Erzeugung von weißem Licht | |
DE102012215514A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls und LED-Modul | |
DE102017130764B4 (de) | Vorrichtung mit Halbleiterchips auf einem Primärträger und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung | |
EP1794787B1 (de) | Leiterrahmen für ein elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
DE102008027995B4 (de) | Lineare Lichtquelle | |
EP2924343A1 (de) | Led-leuchte mit refraktiver optik zur lichtdurchmischung | |
DE112012002990T5 (de) | Beleuchtungsvorrichtung | |
DE112021004354B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement | |
WO2019101745A1 (de) | Vorrichtung mit leiterrahmen und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von vorrichtungen | |
DE102017122410B4 (de) | Vorrichtung mit Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Vorrichtungen | |
DE102017105035A1 (de) | Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils | |
DE102016105988A1 (de) | Konverter zur teilweisen Konversion einer Primärstrahlung und lichtemittierendes Bauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref document number: 102004064055 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref document number: 102004064055 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
AH | Division in |
Ref document number: 102004064055 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |