DE10153609A1 - Production of an electronic component used in chip technology comprises forming a first planar chip arrangement, forming a further planar chip arrangement, optionally applying interconnecting elements and forming electronic components - Google Patents
Production of an electronic component used in chip technology comprises forming a first planar chip arrangement, forming a further planar chip arrangement, optionally applying interconnecting elements and forming electronic componentsInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips, das auf einem Bauelementträger montierbar und über mehrere am Bauelement vorgesehene Kontaktelemente am Bauelementträger kontaktierbar ist. The invention relates to a method for producing a electronic component with several superimposed stacked and contacted with each other on a chip Component carrier mountable and several on the component provided contact elements on the component carrier is contacted.
Bekannte Verfahren zum Herstellen eines Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten Chips in die dritte Dimension können grob in zwei Gruppen eingeteilt werden. Zum einen das Stapeln von gehäusten Chips, zum anderen das Stapeln von Nacktchips. Beim Stapeln von gehäusten Chips werden diese übereinander gestapelt und mit ihren Kontaktelementen (Beinchen) miteinander verbunden. Beispiele hierfür sind z. B. gestapelte TSOP oder gestapelte BOC. Diese dreidimensionalen Bauformen zeichnen sich durch sogenannte Interposer (dünne oder dicke Boards oder Leadframes) zur Verbindung zwischen den Stapelebenen aus, wobei diese Interposer auf die Chips montiert und mit geeigneten Verfahren mit den chipseitigen Kontaktelementen verbunden werden. Dieses Verfahren ist aufgrund seines Montageaufwands teuer, da es auf einem single- die Prozessflow basiert, d. h. es werden ausschließlich separate einzelne gehäuste Chips verarbeitet. Aufgrund der zum Teil notwendigen Interposer sind die resultierenden Bauelemente von erheblicher Bauhöhe. Ein Abdünnen der Chips während des Stapelprozesses ist aufgrund der bereits erfolgten Häusung nicht möglich. Known method for producing a device with several stacked chips in the third dimension can be roughly divided into two groups. For one thing Stacking of packaged chips, on the other hand stacking Bare chips. When stacking packaged chips, these become stacked on top of each other and with their contact elements (legs) connected with each other. Examples are z. B. stacked TSOP or stacked BOC. Draw these three-dimensional designs itself by so-called Interposer (thin or thick Boards or Leadframes) for connection between the stack levels, where these interposer are mounted on the chips and with suitable ones Method are connected to the chip-side contact elements. This method is expensive because of its installation effort it is based on a single process flow, d. H. it will processed exclusively separate individual packaged chips. Due to the sometimes necessary Interposer are the resulting components of considerable height. A thinning of the Chips during the stacking process is due to the already made possible housing.
Ein durch Stapeln von Nacktchips erzeugtes Bauelement ermöglicht demgegenüber eine geringere Aufbauhöhe. Das Chip/Chip- Verbindungs-System führt durch den jeweiligen Chip. Die dazu notwendigen feinen Kontaktierungsvias werden meist in einem Frontend-ähnlichen Prozess erzeugt (Via-Ätzen/Passivieren/Via-Füllen). Dieses Verfahren besitzt jedoch entscheidende Nachteile für die Anwendung. Zum einen setzt es ein besonderes Chipdesign voraus, das die Erzeugung von Kontaktierungs- oder Durchgangsvias erlaubt. Die Erzeugung der Vias ist sehr teuer, da sie in einer zusätzlichen, relativ langen Prozessfolge von Frontend-Prozessen erzeugt werden müssen. Obwohl die wesentlichen Prozesse auf Scheibenniveau durchgeführt werden können, ergeben sich bei dem Stapeln von Nacktchips auf Scheibenniveau dennoch Schwierigkeiten hinsichtlich der Ausbeute. Da jede Scheibe nur eine endliche Ausbeute an funktionierenden Chips hat, potenziert sich beim Stapeln der Scheiben das Risiko für einen funktionierenden Stapel, die Ausbeute sinkt exponenziell mit zunehmender gestapelter Scheibenanzahl. Eine ökonomische Bauelementherstellung durch dieses Verfahren ist nicht möglich. A device produced by stacking naked chips On the other hand allows a lower construction height. The chip / chip Connection system leads through the respective chip. The to necessary fine Kontaktierungsvias are usually in one Generated a frontend-like process (Via etch / passivation / Via-filling). However, this process has crucial Disadvantages for the application. First, it sets a special one Chip design ahead, the generation of contacting or Passage vias allowed. The generation of the vias is very expensive, because they come in an additional, relatively long process of Frontend processes must be created. Although the essential processes can be carried out at the disk level, arise when stacking nude chips on disk level nevertheless difficulties regarding the yield. As each Slice only a finite yield of working chips has, when stacking the discs increases the risk for a working stack, the yield decreases exponentially with increasing stacked number of slices. An economic Component manufacturing by this method is not possible.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das auf einfache Weise die Herstellung relativ niedrig aufgebauter Bauelemente mit hoher Ausbeute ermöglicht. The invention is based on the problem, a method indicate that in a simple way the production is relatively low built-up components with high yield allows.
Zur Lösung dieses Problems ist erfindungsgemäß ein Verfahren
der eingangs genannten Art mit folgenden Schritten vorgesehen:
- a) Erzeugen einer ersten ebenen Chipanordnung durch zueinander beabstandetes Anordnen von funktionstüchtigen Chips in einem Raster und Verfüllen zumindest der Abstände zwischen den Chips mit einem Füllmittel zur Bildung eines die Chips fixierenden isolierenden Halterahmens mit chipeigenen, der elektrischen Kontaktierung zu einem anderen Chip einer anderen Chipanordnung dienenden, im Bereich des Halterahmens vorgesehenen Kontaktierungselementen und chipeigener Umverdrahtung,
- b) Erzeugen und/oder Anordnen einer weiteren ebenen Chipanordnung nach Schritt a) auf der ersten Chipanordnung derart, dass die Chips und die Halterahmen der beiden Chipanordnungen übereinander liegen und die jeweiligen Kontaktierungselemente der beiden Chipanordnungen für die elektrische Chip-Chip-Kontaktierung miteinander verbunden werden,
- c) gegebenenfalls ein- oder mehrmaliges Wiederholen des Schrittes b), und
- d) Vereinzeln der jeweils aus mehreren übereinander gestapelten Chips der einzelnen Chipanordnungen bestehenden Bauelemente durch Auftrennen der Halterahmen der fest miteinander verbundenen Chipanordnungen.
- a) producing a first planar chip arrangement by arranging functional chips in a grid spaced apart from one another and filling at least the spacings between the chips with a filler to form a chip-fixing insulating support frame with on-chip, the electrical contact with another chip of another chip assembly serving , provided in the region of the support frame contacting elements and on-chip rewiring,
- b) generating and / or arranging a further planar chip arrangement after step a) on the first chip arrangement in such a way that the chips and the holding frames of the two chip arrangements lie above one another and the respective contacting elements of the two chip arrangements are connected to one another for the electrical chip-chip contacting .
- c) if necessary, one or more repetitions of step b), and
- d) singulating the each of a plurality of stacked stacked chips of the individual chip assemblies existing components by separating the holding frame of the firmly interconnected chip assemblies.
Das erfindungsgemäße Verfahren schlägt zunächst die Schaffung eines Wafers bestehend ausschließlich aus in einem vorherigen Test als funktionstüchtig geprüften Chips vor. Dieser sogenannte "Known Good Wafer" wird durch rastermäßiges Positionieren der Chips und entsprechendes Einbetten derselben in einen isolierenden Halterahmen, der bevorzugt mittels eines viskosen nicht-leitenden Polymers, das als Füllmittel verwendet wird, erzeugt wird, gefertigt. Dabei ist es denkbar, entweder gleichartige Chips oder auch unterschiedliche Chips, die in ihren Eigenschaften und/oder Dimensionen verschieden sind, in diesen Wafer zu integrieren. Dieser Wafer bzw. diese erste ebene Chipanordnung wird also durch fan-out-Wafer-Level-Packaging hergestellt. Dieser Halterahmen für das fan-out-Wafer-Level-Packaging wird nun nicht nur für fan-out genutzt, vielmehr dient er auch dazu, die Durchkontaktierungen von der Chipvorderseite zur Chiprückseite zu übernehmen, d. h. die Durchkontaktierung wird auf den Halterahmenbereich verlagert. Nachfolgend wird nun auf diese Weise eine weitere Chipanordnung erzeugt, also aufgestapelt, wobei die Chips und die Halterahmen deckungsgleich übereinander positioniert werden, wenn der Multi-Chip-Stapel aus gleichartigen bzw. gleichgroßen Chips aufgebaut wird. Es ist aber auch möglich, in den einzelnen Ebenen verschiedenartige bzw. verschieden große Chips anzuordnen, wobei dann nicht immer eine deckungsgleiche Übereinanderstapelung aufgrund der Größenunterschiede möglich ist. Der vorgenannte Schritt wird so oft wiederholt wie separate Chiplagen vorzusehen sind. Sind alle Chiplagen übereinander gestapelt, so werden die einzelnen Bauelemente durch Auftrennen des Stacks im Bereich des Halterahmens vereinzelt. The inventive method first proposes the creation a wafer consisting exclusively in a previous one Test as functionally tested chips. This so-called "Known Good Wafer" is by rastermäßig Position the chips and embed them in one insulating holding frame, preferably by means of a viscous non-conductive polymer used as filler is produced, manufactured. It is conceivable, either like chips or even different chips in theirs Properties and / or dimensions are different in these Integrate wafers. This wafer or this first level Chip arrangement is so by fan-out wafer-level packaging produced. This support frame for the fan-out wafer-level packaging is now used not only for fan-out, but serves also to the vias from the chip front to Chip back to take over, d. H. the via becomes shifted to the holding frame area. The following will now be on this way creates another chip arrangement, ie piled up, with the chips and the support frame congruent be positioned one above the other when the multi-chip stack is off similar or equal chips is constructed. It is but also possible, different in the different levels or different sized chips to arrange, in which case not always a congruent stacking due to the Size differences is possible. The above step will be so often repeated as separate chip layers are provided. Are all Chip layers stacked on top of each other, so are the individual Components by separating the stack in the area of Holding frame isolated.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat gegenüber den bekannten Verfahren beachtliche Vorteile. Zum einen handelt es sich um einen vollständigen Wafer-Level-Prozess, da auf Scheibenniveau gearbeitet wird und erst nachdem die Bauelemente in ihrer Gesamtheit durch Bilden des Stacks erzeugt wurden die Vereinzelung erfolgt. Da ausschließlich funktionstüchtige Chips verwendet werden, ist die Ausbeute sehr hoch. Es können alle Standardchips verwendet werden, wobei gleichartige oder unterschiedliche Chips in jeder Ebene integriert werden können. Weiterhin ist es ein sehr kostengünstiger Prozess, da die Kontaktvias für die Kontaktierungen nicht durch das leitfähige Silizium-Kristall mit teurer Technologie geführt werden müssen, sondern durch den Halterahmen, was in wesentlich einfacheren Dünnfilm- und/oder Dickschicht-Prozessen erfolgen kann. Weiterhin handelt es sich um eine Prozessabfolge, die bei sehr geringen Prozesstemperaturen (< 150°C) durchgeführt werden kann, was keine zusätzliche Belastung der Chips zufolge hat. Auch erlaubt das Stapeln der Chips bzw. der Wafer, die de facto nackt sind, die Herstellung von Bauelementen mit extrem geringer Bauhöhe, wobei sich während der Herstellung ein sehr geringes Risiko hinsichtlich des Handlings und Bruchs ergibt. The inventive method has over the known Process considerable advantages. First, it is a complete wafer-level process, as at disk level is worked and only after the components in their Entity generated by forming the stack were singling he follows. Because only working chips used the yield is very high. It can all Standard chips are used, being similar or different chips can be integrated in each level. Farther It is a very cost effective process because the contact vias for the contacts not by the conductive Silicon crystal with more expensive technology must be led, but through the support frame, resulting in much simpler thin-film and / or thick-film processes can take place. Further acts it is a process sequence that is very low Process temperatures (<150 ° C) can be performed, which is no has additional burden on the chips. Also allows that Stacking of chips or wafers, which are de facto naked, the Production of components with extremely low height, wherein during manufacture a very low risk regarding handling and breakage.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht einen Aufbau einer Multi-Chip-Anordnung ohne Montage eines zusätzlichen Gegenstands, z. B. eines Interposers. Vielmehr werden hier die Chipanordnungen direkt aufeinander gesetzt oder aufgebaut. Die Umverdrahtung der Chips erfolgt unmittelbar auf Wafer Level, also direkt in der Ebene des Wafers und kann in Wafer Level Technologie (Dünnfilm/Dickschicht) prozessiert werden. Dies ermöglicht der jeweils einen Chip umgebenden Halterahmen, der als Kontaktierungsbereich dient, d. h. die elektrische Chip-Chip- Kontaktierung (bzw. auch die zum Modulboard) erfolgt im Bereich des Halterahmens. Neben einem Minimum an erforderlichen Kontaktübergängen (mechanisch und v. a. elektrisch) zeichnet sich ein derart hergestelltes Multi-Chip-Bauelement auch durch seine niedrige Bauhöhe und die geringen seitlichen Abmessungen aus. The inventive method allows a structure of a Multi-chip arrangement without mounting an additional Item, e.g. B. an interposer. Rather, here are the Chip assemblies directly set or built on each other. The Redistribution of the chips takes place immediately at wafer level, ie directly in the plane of the wafer and can be in wafer level Technology (thin film / thick film) are processed. This allows each surrounding a chip holding frame, as Contacting area serves, d. H. the electric chip chip Contacting (or even the module board) takes place in the area of the holding frame. In addition to a minimum of required Contact transitions (mechanical and especially electrical) are characteristic Such a manufactured multi-chip device also by his low height and the small lateral dimensions.
In Weiterbildung des Erfindungsgedankens kann vorgesehen sein, dass zumindest die erste Chipanordnung unter Verwendung eines Trägers, auf den die Chips mittels eines Klebemittels befestigt werden, erzeugt wird. Als Träger kann dabei eine selbstklebende Folie oder ein selbstklebendes Band verwendet werden, alternativ ist auch die Verwendung eines an seiner Oberfläche vorzugsweise passivierten Silizium-Trägers denkbar. In a further development of the inventive idea can be provided that at least the first chip arrangement using a Carrier on which the chips are attached by means of an adhesive be generated. As a carrier can be a self-adhesive Foil or a self-adhesive tape can be used alternatively, the use of a on its surface preferably passivated silicon carrier conceivable.
Eine erste Erfindungsalternative zeichnet sich dadurch aus,
dass die einzelnen Chipanordnungen separat hergestellt und
anschließend miteinander verbunden werden. D. h. jede einzelne
Chipanordnung wird in Form eines separaten Known-Good-Wafers
mit dem Chipraster und dem Halterahmen hergestellt, wobei diese
einzelnen Chipanordnungen nach ihrer Herstellung erst
übereinandergeschichtet und miteinander verbunden werden. Dabei kann
eine separate Chipanordnung beispielsweise mit folgenden
Schritten erzeugt werden:
- - Aufbringen der Kontaktierungselemente an vorbestimmten Positionen auf den Träger,
- - Befestigen der Chips auf dem Träger,
- - Erzeugen des isolierenden Halterahmens,
- - Entfernen des Trägers,
- - Erzeugen der Umverdrahtungen,
- - Anbringen von Verbindungsklebepunkten, wobei zwei Chipanordnungen anschließend über die Verbindungsklebepunkte miteinander verbunden werden.
- Applying the contacting elements at predetermined positions on the carrier,
- - fixing the chips on the carrier,
- Generating the insulating support frame,
- Removing the carrier,
- - generating the rewiring,
- - Attaching bonding adhesive points, wherein two chip assemblies are then connected to each other via the bonding bonding points.
Der Träger dient also zunächst als Stabilisierungselement, auf den die Kontaktierungselemente aufgebracht werden und anschließend der Chip positioniert und der Halterahmen erzeugt wird. Anschließend kann der Träger entfernt werden, da der dann bereits teilfertige Known-Good-Wafer hinreichend stabil ist. Schließlich wird die Umverdrahtung erzeugt und die Verbindungsklebepunkte aus vornehmlich leitfähigem Kleber angebracht, wonach zwei Chipanordnungen miteinander verbunden werden. Dabei wird der Halterahmen zweckmäßigerweise derart in seiner Dicke bemessen, dass die Kontaktierungselemente aus ihm hervorragen. Das Füllmittel zur Bildung des Halterahmens sollte zweckmäßigerweise auch die Chips an ihrer freien Seite unter Bildung einer Schutzschicht zumindest teilweise überdecken, d. h. die Chips werden an ihrer vom Träger wegweisenden, freien Seite zweckmäßigerweise vollständig in das Füllmittel eingegossen. Die Chips selbst werden mit ihrer Kontaktierungsseite, auf die die Umverdrahtung aufzubringen ist, auf dem Träger, also beispielsweise dem Klebeband, befestigt, wobei die Umverdrahtung nach Entfernen des Trägers auf dieser Seite aufgebracht wird. The carrier thus initially serves as a stabilizing element the contacting elements are applied and then the chip is positioned and the holding frame is generated. Then the carrier can be removed, as the then already finished finished good wafers is sufficiently stable. Finally, the rewiring is generated and the Bonding points of mainly conductive adhesive attached, after which two chip arrays are connected together. there is the holding frame expediently in its thickness dimensioned that the contacting elements protrude from it. The filler to form the support frame should expediently, the chips on their free side under education cover at least partially a protective layer, d. H. the Chips are on their side facing away from the carrier, free side expediently completely poured into the filler. The chips themselves are with their contacting side, on the the redistribution is to be applied to the carrier, so For example, the tape, attached, with the rewiring after removing the carrier is applied on this side.
Als Verbindungskleber, mit dem die Verbindungsklebepunkte gebildet werden, wird zweckmäßigerweise ein leitfähiger Kleber verwendet, der auf die an der vom Träger befreiten Seite freiliegenden Kontaktierungselemente, die dort ebenflächig mit dem Halterahmen und der Kontaktierungsseite des Chips verlaufen, angeordnet sind, aufgetragen wird. Nach Beendigung des Aufstapelvorgangs wird schließlich auf die obere Chipanordnung eine Schutzbeschichtung aufgebracht. As a bonding adhesive, with which the adhesive bonding points are formed, is expediently a conductive adhesive used on the side freed from the carrier exposed contacting elements, which there evenly with the Holding frame and the contacting side of the chip run, are arranged, is applied. After completion of the Aufstapelvorgangs is finally on the upper chip assembly a Protective coating applied.
Wie beschrieben zeichnet sich dieses Verfahren dadurch aus, dass die einzelnen Chipanordnungen separat in Form von einzelnen Wafern hergestellt werden und anschließend diese Wafer miteinander verbunden und kontaktiert werden. Eine alternative Erfindungsausgestaltung sieht demgegenüber vor, dass eine weitere Chipanordnung auf einer bereits vorhandenen Chipanordnung aufgebaut wird. Jede neue Chiplage/Waferlage wird also auf einer bereits bestehenden massiven (dicken, stabilen) Chipanordnung montiert, was insbesondere für das Handling des immer dicker werdenden Stacks von Vorteil ist. As described, this method is characterized that the individual chip arrangements separately in the form of individual wafers are produced and then these wafers be connected and contacted. An alternative In contrast, the invention provides that another Chip arrangement on an already existing chip arrangement is built. Each new die / wafer layer will be on one already existing massive (thick, stable) chip arrangement mounted, which in particular for the handling of the ever thicker expectant stacks is an advantage.
Eine weitere Chipanordnung, die auf einer bereits vorhandenen
aufgebaut wird, kann erfindungsgemäß mit folgenden Schritten
erzeugt werden:
- - Erzeugen weiterer Kontaktierungselemente der weiteren Chipanordnung auf den oberseitig freiliegenden Kontaktierungselementen der unteren Chipanordnung,
- - Aufbringen der Chips der weiteren Chipanordnung oberhalb und vorzugsweise deckungsgleich mit den Chips der unteren Chipanordnung,
- - Erzeugen des isolierenden Halterahmens derart, dass die Kontaktierungselemente noch aus dem Chip hervorragen und das Füllmittel die Chips oberseitig bis auf die chipseitigen Kontaktpads als Isolationsschicht abdeckt,
- - Erzeugen der Umverdrahtungen,
wobei die Schritte sooft wiederholt werden, wie Chipanordnungen übereinander zu stapeln sind.
- Generating further contacting elements of the further chip arrangement on the upper-side exposed contacting elements of the lower chip arrangement,
- Applying the chips of the further chip arrangement above and preferably congruent with the chips of the lower chip arrangement,
- Generating the insulating holding frame in such a way that the contacting elements still protrude from the chip and the filling means covers the chips on the upper side except for the chip-side contact pads as an insulating layer,
- - generating the rewiring,
wherein the steps are repeated as many times as chip assemblies are to be stacked on top of each other.
Durch die Erzeugung der jeweils weiteren Kontaktierungselemente werden die Durchkontaktierungen von oben nach unten realisiert. Anschließend werden die Chips im vorgegebenen Raster positioniert und der Halterahmen erzeugt. Dabei wird das Füllmittel so eingebracht, dass es die Chips bis auf die chipseitigen Kontaktpads oberseitig isoliert, was für die nachfolgende Erzeugung der Umverdrahtung erforderlich ist. By generating the respective further contacting elements the vias are realized from top to bottom. Subsequently, the chips in the predetermined grid positioned and generates the support frame. The filler is so introduced that chips it down to the chip side Contact pads insulated on top, what for the following Generation of the rewiring is required.
Die erste Chipanordnung, also die unterste Anordnung, auf die
eine weitere Chipanordnung aufgebaut wird, kann dabei mit
folgenden Schritten erzeugt werden:
- - Erzeugen der Kontaktierungselemente der ersten Chipanordnung auf dem Träger, insbesondere einem Silizium-Träger,
- - Aufbringen der Chips der ersten Chipanordnung,
- - Erzeugen des isolierenden Halterahmens derart, dass die Kontaktierungselemente noch aus dem Halterahmen hervorragen und das Füllmittel die Chips oberseitig bis auf die chipeigenen Kontaktpads als Isolationsschicht abdeckt,
- - Erzeugen der Umverdrahtungen.
- Generating the contacting elements of the first chip arrangement on the carrier, in particular a silicon carrier,
- Applying the chips of the first chip arrangement,
- Producing the insulating holding frame in such a way that the contacting elements still protrude from the holding frame and the filling means covers the chips on the upper side except for the chip-own contact pads as an insulating layer,
- - Generating the rewiring.
Zweckmäßig ist es, wenn nach der Erzeugung des Halterahmens einschließlich des die Chips teilweise abdeckenden Rahmenabschnitts ein das Füllmaterial gleichmäßig abtragender Reinigungsschritt erfolgt, wodurch eine ebene Fläche erzeugt wird, was für die nachfolgende Erzeugung der Umverdrahtung vorteilhaft ist. Darüber hinaus wird die gesamte Bauhöhe etwas dünner. It is expedient if, after the generation of the holding frame including the chips partially covering Frame section, the filling evenly ablative Cleaning step takes place, whereby a flat surface is generated, what for the subsequent generation of the rewiring is advantageous. In addition, the overall height is slightly thinner.
Alternativ zu der Erzeugung der ersten und jeder weiteren
Chipanordnung der vorbeschriebenen Art bei einem Aufbau einer
Chipanordnung auf einer bereits vorhandenen sieht eine zweite
Verfahrensvariante vor, die erste Chipanordnung (und auch jede
weitere) mit folgenden Schritten zu erzeugen:
- a) Erzeugen von Umverdrahtungsbahnen mit Kontaktierungspunkten auf einem Träger, insbesondere einem vorzugsweise passivierten Silizium-Träger,
- b) Befestigen der bereits mit einer Umverdrahtung versehenen Chips mit ihrer die Umverdrahtung aufweisenden Seite zum Träger weisend, so dass die Umverdrahtung mit den Umverdrahtungsbahnen des Trägers verbunden werden,
- c) Erzeugen des Halterahmens derart, dass die Chips auch an ihrer freien Seite in das Füllmittel eingebettet werden, wobei in dem Halterahmen Kontaktvias zur Durchkontaktierung zu den darunter liegenden Kontaktierungspunkten ausgebildet werden,
- d) Erzeugen weiterer Umverdrahtungsbahnen mit Kontaktierungspunkten und -elementen, die die Kontaktvias füllen,
- a) generating rewiring paths with contact points on a carrier, in particular a preferably passivated silicon carrier,
- b) attaching the chips already provided with a rewiring with their side having the rewiring facing the carrier so that the rewiring is connected to the rewiring paths of the carrier,
- c) generating the holding frame in such a way that the chips are also embedded in the filler on their free side, wherein contact vias are formed in the holding frame for the through-connection to the contacting points located underneath,
- d) generating further redistribution paths with contact points and elements that fill the contact vias,
Bei dieser Erfindungsausgestaltung werden also Chips auf den Träger bzw. eine bereits existierende Chipanordnung aufgebracht, die bereits mit einer Umverdrahtung versehen sind. Es werden lediglich auf dem Träger bzw. einer unteren Chipanordnung Umverdrahtungsbahnen, die einerseits von einem aufzusetzenden Chip kontaktiert werden und die andererseits in den Bereich des Halterahmens laufen, erzeugt. In this embodiment of the invention so chips are on the Carrier or an existing chip arrangement applied, which are already provided with a rewiring. It are only on the carrier or a lower Chip arrangement rewiring tracks, on the one hand by a aufzusetzenden chip to be contacted and the other hand in the Run area of the holding frame, generated.
Nach dem Befestigen der Chips kann vorteilhaft zur Reduzierung der Dicke Chipmaterial abgetragen werden, d. h. hier wird aktiv die Dicke eines Chips und damit die gesamte Bauhöhe des resultierenden Bauelements verringert. Die Abtragung des Chipmaterials kann durch nasses oder trockenes Ätzen oder durch mechanische Behandlung erfolgen. After attaching the chips can be beneficial to the reduction the thickness of chip material are removed, d. H. here is active the thickness of a chip and thus the overall height of the chip resulting device reduced. The removal of the Chip material can be prepared by wet or dry etching or by mechanical treatment done.
Die Chips selbst werden mittels eines nicht-leitenden Klebers befestigt, da die eigentliche Kontaktierung über die Umverdrahtungsbahnen sowie die Kontaktierungspunkte und -elemente über die Kontaktvias erfolgt. Nach der Erzeugung der letzten Chipanordnung werden an deren Oberseite Kontaktelemente zum Kontaktieren der nachfolgend zu vereinzelnden Bauelemente mit dem Träger erzeugt, wobei dies für beide verfahrensgemäße Ausführungsformen, bei denen eine Chipanordnung auf einer bereits existierenden aufgebaut wird, gilt. The chips themselves are made by means of a non-conductive adhesive attached, since the actual contacting over the Rewiring tracks and the contact points and elements about the contact vias take place. After the generation of the last Chip assembly are at the top contact elements for Contact the components to be separated below with the Carrier generated, this being for both procedural Embodiments in which a chip arrangement on an already existing is established.
Während die vorangehenden Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Kontaktierung der Umverdrahtungsbahnen zweier Chipebenen den Halterahmen durchsetzende Kontaktierungselemente vorsehen besteht grundsätzlich aber auch die Möglichkeit, die Umverdrahtungsbahnen direkt miteinander zu kontaktieren. Eine erste, eine quasi-direkte Kontaktierung darstellende Ausführungsform ist die vorher beschriebene Verfahrensvariante, bei der Kontaktvias im Halterahmen ausgebildet werden, die dann direkt bei der Erzeugung der Umverdrahtungsbahnen gefüllt werden, d. h. die Umverdrahtungsbahnen und ihre Kontakte in den Kontaktvias zur darunter liegenden Umverdrahtungsebene werden gemeinsam hergestellt. While the foregoing embodiments of the inventive method for contacting the rewiring paths two chip levels passing through the holding frame Provide contacting elements is basically also the Possibility to connect the rewiring tracks directly to each other to contact. A first, a quasi-direct contacting performing Embodiment is the method variant described above, be formed in the contact vias in the support frame, which then filled directly during the generation of the rewiring paths be, d. H. the rewiring tracks and their contacts in the Contact vias to the underlying rewiring level produced together.
Eine einen unmittelbaren Umverdrahtungskontakt zweier Ebenen
ermöglichende Ausführungsform sieht demgegenüber folgende
Schritte vor:
- a) Anordnen der Chips auf einem Träger,
- b) Erzeugen des Halterahmens derart, dass die Chips zeitlich an ihren freien Seiten bis auf einen die Kontaktpads freilassenden Bereich in das Füllmittel eingebettet sind,
- c) Erzeugen von Umverdrahtungsbahnen, die sich bis in den Bereich der zwischen den Chips befindlichen Halterahmenabschnitte erstrecken, wobei die derart positionierten Enden der Umverdrahtungsbahnen die Kontaktelemente zur nachfolgend aufzubauenden oder anzuordnenden Chipanordnung bilden,
- d) Aufbringen eines nicht-leitenden Klebemittels zur Fixierung der Chips der zweiten Chipanordnung und zur Isolierung gegenüber den darunter liegenden Umverdrahtungsbahnen derart, dass die Kontaktelemente der ersten Chipanordnung frei liegen, und Aufbringen der Chips der zweiten Chipanordnung,
- e) Aufbringen eines nicht-leitenden weiteren Füllmittels zur Bildung eines Halterahmens derart, dass es die Chips seitlich und oberseitig bis auf den Bereich der Kontaktierungspads abdeckt, wobei die Kontaktelemente der ersten Chipanordnung nach wie vor frei bleiben,
- f) Erzeugen der Umverdrahtungsbahnen der zweiten Chipanordnung, die endseitig mit den Kontaktelementen der ersten Chipanordnung kontaktiert werden,
- g) gegebenenfalls ein- oder mehrmaliges Wiederholen der Schritte d) bis f).
- a) arranging the chips on a carrier,
- b) generating the holding frame in such a way that the chips are embedded in the filler in time at their free sides except for an area leaving the contact pads free,
- c) generating rewiring paths which extend into the region of the holding frame sections located between the chips, the ends of the rewiring paths thus positioned forming the contact elements for the subsequently to be arranged or arranged chip arrangement,
- d) applying a non-conductive adhesive for fixing the chips of the second chip arrangement and for insulation with respect to the underlying rewiring paths such that the contact elements of the first chip arrangement are exposed, and applying the chips of the second chip arrangement,
- e) applying a non-conductive further filling agent to form a holding frame such that it covers the chips laterally and on the top side except for the area of the contacting pads, the contact elements of the first chip arrangement still remaining free,
- f) generating the rewiring paths of the second chip arrangement which are contacted at the end with the contact elements of the first chip arrangement,
- g) if necessary, one or more repetitions of steps d) to f).
Bei dieser Erfindungsausgestaltung dienen also die Enden der Umverdrahtungsbahnen selbst als Kontaktelemente zur jeweils benachbarten Umverdrahtungsebene. Die einzelnen Halterahmen der Chips einer zweiten Chipanordnung werden dabei derart dimensioniert, dass sie zwar den Chip weitgehend einbetten, jedoch die Enden der Umverdrahtungsbahnen der darunter liegenden Chipebene nicht bedecken. Die Umverdrahtungsbahnen der zweiten Chipanordnung laufen nun auf dem Halterahmen seitlich in die darunter liegende Ebene, wo sie unmittelbar mit den dort endenden Umverdrahtungsbahnen verbunden werden. In this embodiment of the invention, therefore, serve the ends of the Rewiring tracks themselves as contact elements to each adjacent redistribution level. The individual retaining frame of Chips of a second chip arrangement are doing so dimensioned that they embed the chip largely, but the Ends of the redistribution paths of the underlying chip level do not cover. The rewiring tracks of the second Chip arrangement now run on the support frame laterally in the underneath lying plane, where they immediately with the ending there Rewiring tracks are connected.
Die Kontaktierungselemente sowie die Umverdrahtungsbahnen und deren Kontaktierungspunkte werden zweckmäßigerweise aus einem leitfähigen Polymer erzeugt. Sie werden bevorzugt aufgedruckt. The contacting elements and the Umverdrahtungsbahnen and their contact points are suitably from a produced conductive polymer. They are preferably printed.
Als Füllmittel wird wie beschrieben zweckmäßigerweise ein nicht-leitendes Polymer verwendet, das aufgedruckt, aufgesprüht oder aufgeschleudert wird. Generell kann nach dem Erzeugen des Halterahmens, insbesondere wenn dieser einen einen Chip bedeckenden Abschnitt aufweist, ein Schritt zur Reduzierung der Dicke des Füllmittels bei gleichzeitiger Einebnung der Fläche erfolgen. As a filler is as described suitably a non-conductive polymer used, printed on, sprayed on or spin-coated. Generally, after generating the Holding frame, especially if this one a chip covering section, a step to reduce the Thickness of the filler while leveling the surface respectively.
Neben dem Verfahren betrifft die Erfindung ferner ein elektronisches Bauelement mit mehreren gestapelten Chips, das nach einer der beschriebenen Verfahrensvarianten hergestellt ist. Besides the method, the invention further relates to electronic component with several stacked chips, the after one of the described variants of the method is produced.
Weiterhin betrifft die Erfindung ganz allgemein ein elektronisches Bauelement mit mehreren gestapelten Chips, wobei jeder Chip eigene Umverdrahtungsbahnen aufweist. Das erfindungsgemäße Bauelement zeichnet sich dadurch aus, dass jeder Chip in einem Halterahmen, der ihn zumindest seitlich umgibt, aufgenommen ist, wobei die bis in den Bereich des Halterahmens laufenden Umverdrahtungsbahnen übereinander liegender Chips im Bereich des Halterahmens miteinander kontaktiert sind. Furthermore, the invention relates generally to a electronic component with multiple stacked chips, each one Chip own Umverdrahtungsbahnen has. The invention Component is characterized in that each chip in one Holding frame that surrounds him at least laterally added is, with the running into the area of the holding frame Rewiring paths of superimposed chips in the area of the holding frame are contacted with each other.
Beim erfindungsgemäßen Bauelement erfolgt vorteilhaft die elektrische Chip-Chip-Kontaktierung bzw. letztlich auch die Kontaktierung zum Modulboard, auf das ein fertig prozessierter Chip gesetzt wird, im Bereich des Halterahmens, auf den die Umverdrahtungsbahnen von den mittigen Kontaktpads eines Chips geführt sind. Der erfindungsgemäß vorgesehene Halterahmen bietet also den erforderlichen seitlichen Bereich, um eine nach außen gezogene Kontaktierung zu ermöglichen. Es sind folglich beim erfindungsgemäßen Bauelement keinerlei zwischen zwei Chips gesetzte Gegenstände wie beispielsweise Interposer oder dergleichen erforderlich, vielmehr können die Chips quasi direkt übereinander gestapelt werden. Die Umverdrahtung zwischen zwei Chips erfolgt also unmittelbar, wobei die Umverdrahtung eines einzelnen Chips von den mittigen Kontaktpads auf den Halterahmen quasi in der Chipebene läuft. Man erreicht auf diese Weise ein Element mit einem Minimum an insbesondere elektrischen Kontaktübergängen aufgrund der Vermeidung der Zwischenschaltung zusätzlicher Interposer oder dergleichen. In the device according to the invention advantageously takes place electrical chip-chip contacting or ultimately the Contacting the module board, on which a finished processed chip is set, in the area of the holding frame to which the Rewiring paths from the central contact pads of a chip are guided. The inventively provided support frame provides So the required lateral area, one to the outside To allow drawn contact. It is therefore at component according to the invention no between two chips set items such as Interposer or The like required, but the chips can almost directly be stacked on top of each other. The rewiring between two Chips are thus directly, the rewiring of a individual chips from the central contact pads on the Holding frame runs quasi in the chip level. You reach in this way an element with a minimum of particular electrical Contact transitions due to avoidance of interposition additional interposer or the like.
Dabei können die Umverdrahtungsbahnen über Kontaktelemente miteinander verbunden sein, wobei diese Kontaktelemente als Durchkontaktierungselemente den Kontakt durch einen Halterahmen von der Umverdrahtungsbahn eines ersten Chips zu der Umverdrahtungsbahn eines zweiten Chips liefern. Dabei können die Kontaktelemente eines ersten Chips und die Umverdrahtungsbahn eines zweiten Chips direkt oder über einen leitfähigen Kleber miteinander verbunden sein. In this case, the rewiring paths via contact elements be connected to each other, these contact elements as Durchkontaktierungselemente the contact through a support frame of the rewiring path of a first chip to the Rewiring path of a second chip. The can Contact elements of a first chip and the rewiring path a second chip directly or via a conductive adhesive be connected to each other.
Alternativ hierzu besteht auch die Möglichkeit, die Umverdrahtungsbahnen direkt miteinander zu verbinden, also ohne ein den Halterahmen durchkontaktierendes Kontaktelement. Dies kann derart erfolgen, dass die Umverdrahtungsbahnen eines Chips seitlich auf die Ebene des darüber oder darunter liegenden Chips geführt werden und dort auf den Umverdrahtungsbahnen dieser Chipebene kontaktiert sind. Auch besteht die Möglichkeit, die Umverdrahtungsbahnen mittels eines leitfähigen Klebers miteinander zu verbinden. Alternatively, there is also the possibility that Wiring paths directly to each other to connect, so without a den Holding frame through-contacting contact element. This can such that the rewiring paths of a chip on the side of the level of the chip above or below be guided and there on the Umverdrahtungsbahnen this Chip level are contacted. There is also the possibility of the Rewiring tracks by means of a conductive adhesive to connect with each other.
Insgesamt bietet der erfindungsgemäße Aufbau eines Bauelements die Möglichkeit, ohne zwischen den einzelnen Chipebenen zu positionierende Interposer oder dergleichen zu arbeiten. Darüber hinaus kann aufgrund der unmittelbaren Übereinanderstapelung der Chips ein Bauelement mit einer sehr geringen Aufbauhöhe hergestellt werden. Dies gilt auch hinsichtlich der lateralen Ausdehnungen, da für den jeweiligen Halterahmen und die dort vorgesehenen Kontakte ebenfalls relativ wenig Platz benötigt wird. Overall, the inventive structure of a component the ability to switch between each chip level positioning interposer or the like to work. About that in addition, due to the immediate stacking the chips a component with a very low height getting produced. This also applies to the lateral Extensions, there for the respective support frame and there provided contacts also relatively little space needed becomes.
Die Kontaktelemente und die Umverdrahtungsbahnen selbst sind zweckmäßigerweise aus einem leitfähigen Polymer und können in bekannten Technologien erzeugt werden. Zweckmäßig ist es ferner, wenn der Halterahmen einen Chip sowohl seitlich als auch an einer seiner Flachseite zumindest teilweise abdeckt. Auch eine auf dem obersten Chip vorgesehene Schutzbeschichtung, die gegebenenfalls auch die unteren Chips seitlich abdeckt, ist zweckmäßig. The contact elements and the rewiring tracks themselves are suitably made of a conductive polymer and can in known technologies are generated. It is useful furthermore, if the support frame has a chip both laterally as well at least partially covers on one of its flat side. Also a provided on the top chip protective coating, the optionally also covers the lower chips laterally, is appropriate.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen. Dabei zeigen: Further advantages, features and details of the invention result from those described below Embodiments. Showing:
Fig. 1a-1j die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauelements durch Herstellung einzelner separater Chipanordnungen, die miteinander verbunden werden, FIGS. 1a-1j, the individual process steps for manufacturing a device by preparing single separate chip assemblies are connected to each other,
Fig. 2a-2l die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauelements, bei dem eine Chipanordnung auf einer bereits bestehenden Chipanordnung aufgebaut wird, FIGS. 2a-2l, the individual process steps for manufacturing a device in which a chip assembly is mounted on an existing chip arrangement,
Fig. 3a-3o die Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauelements, bei dem eine Chipanordnung auf einer bereits bestehenden Chipanordnung aufgebaut wird, wobei einzelne Chips mit bereits angeordneter Umverdrahtung verwendet werden, und Fig. 3a-3o the process steps for manufacturing a device in which a chip assembly is mounted on an existing chip array wherein individual chips are used with pre-arranged rewiring, and
Fig. 4a-4j die Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauelements, bei dem die Umverdrahtungsbahnen zweier Chips direkt miteinander kontaktiert werden. Fig. 4a-4j, the process steps for manufacturing a device in which the Umverdrahtungsbahnen two chips can be contacted directly with each other.
Die Fig. 1a-1j zeigen im Wesentlichen die Verfahrensschritte zur Herstellung separater Chipanordnungen in Form von Known-Good-Wafern, die anschließend übereinander geschichtet und miteinander kontaktiert und nachfolgend vereinzelt werden. FIGS . 1a-1j essentially show the method steps for producing separate chip arrangements in the form of known-good wafers, which are subsequently stacked on top of one another and contacted with each other and subsequently singulated.
Ausgehend von einem in Fig. 1a gezeigten Träger 1, bei dem es sich beispielsweise um ein leitfähiges elastisches Polymer, beispielsweise leitfähiges Silikon in Form eines Bandes oder einer Folie handeln kann, werden auf dieses Durchkontaktierungselemente 2 aufgebracht, vorzugsweise aufgedruckt, wobei diese zweckmäßigerweise ebenfalls aus einem leitfähigen Polymer sind. Bereits an dieser Stelle ist darauf hinzuweisen, dass in sämtlichen Darstellungen aller Figuren lediglich ein Ausschnitt aus einer Chipanordnung mit nur einem Chip gezeigt ist. Die Chipanordnung setzt sich selbstverständlich seitlich fort. Eine Chipanordnung bzw. ein Known-Good-Wafer wird zweckmäßigerweise in üblichen Wafer-Abmessungen, beispielsweise mit einem Durchmesser von 30 cm, hergestellt, weshalb abhängig von der jeweiligen Größe eines Einzelchips und dem gewählten Raster eine beliebig große Anzahl an Chips angeordnet werden können. Starting from a carrier 1 shown in Fig. 1a, which may be, for example, a conductive elastic polymer, such as conductive silicone in the form of a tape or a film, are applied to this via elements 2 , preferably printed, which expediently also from a conductive polymer. Already at this point it should be noted that in all representations of all figures, only a section of a chip arrangement is shown with only one chip. Of course, the chip arrangement continues laterally. A chip arrangement or a known-good wafer is expediently produced in customary wafer dimensions, for example with a diameter of 30 cm, which is why an arbitrarily large number of chips can be arranged depending on the respective size of a single chip and the selected grid.
Nach Fig. 1b wird ein in einem vorherigen Test als funktionstüchtig geprüfter Chip 3 mit seiner Kontaktierungsseite zum Träger 1 gerichtet auf den an seiner Oberseite vorzugsweise selbstklebenden Träger 1 aufgeklebt. Er wird ersichtlich zwischen die Durchkontaktierungselemente 2 gesetzt. Nach Fig. 1c wird ein Halterahmen 4 unter Verwendung eines isolierenden Füllmittels 5 erzeugt, wobei dies durch Aufdrucken, Aufspülen oder Aufschleudern des viskosen Füllmittels 5 erfolgen kann. Die Dicke des Halterahmens ist dabei so bemessen, dass zum einen die Durchkontaktierungselemente 2 aus ihm noch herausragen, zum anderen aber die freie Chipseite abgedeckt wird, so dass sich eine Schutzschicht über dem Chip bildet. Nach Aufbringen des Füllmittels und Aushärten desselben wird es vorzugsweise in einem Plasmareinigungsschritt oder einem nassen oder trockenen Reinigungsschritt gereinigt und wenn erforderlich etwas abgetragen. Nach dem Aushärten des Füllmittels 5 ergibt sich bereits eine hinreichend stabile Chipanordnung, so dass nach Fig. 1d der Träger 1 entfernt werden kann, d. h. das Band wird auf einfache Weise abgezogen. According to FIG. 1b is a directed in a previous test to be functional tested chip 3 with its contact side to the carrier 1 is preferably affixed to the adhesive on its top support 1. It is obviously placed between the via elements 2 . According to Fig. 1c, a holding frame 4 is produced using an insulating filler 5 , which can be done by printing, rinsing or spin-coating of the viscous filler 5 . The thickness of the holding frame is dimensioned such that on the one hand, the via elements 2 still protrude from it, on the other hand, the free chip side is covered, so that forms a protective layer over the chip. After application of the filler and curing of the same, it is preferably cleaned in a plasma cleaning step or a wet or dry cleaning step and, if necessary, somewhat worn away. After curing of the filler 5 already results in a sufficiently stable chip arrangement, so that according to Fig. 1d, the carrier 1 can be removed, ie the tape is peeled off in a simple manner.
Nach Fig. 1e erfolgt nun die Erzeugung einer metallischen Umverdrahtung 6 an der vom Träger befreiten Seite, wobei diese Umverdrahtung die am Chip vorgesehenen, nun freiliegenden Kontaktpads 7 mit den jeweiligen Durchkontaktierungselementen 2 verbinden. Die Erzeugung dieser Umverdrahtung kann durch Aufsputteln oder Plattieren einer Metallschicht, anschließender Lithografie und einen dann folgenden Ätzprozess erzeugt werden. Ein näheres Eingehen hierauf ist nicht erforderlich, da dem Fachmann hinreichend Verfahren zur Herstellung der Umverdrahtung bekannt sind. According to FIG. 1e, a metallic rewiring 6 is now produced on the side freed from the carrier, wherein this rewiring connects the contact pads 7 , now exposed on the chip, to the respective via elements 2 . The generation of this rewiring can be produced by sputtering or plating a metal layer, subsequent lithography and a subsequent etching process. A closer discussion on this is not necessary because the skilled person sufficient methods for producing the rewiring are known.
Nach Fig. 1f wird nun auf die freiliegenden Durchkontaktierungselemente an der Kontaktierungsseite punktförmig ein Verbindungskleber 8 aufgebracht. Über diese Verbindungskleberpunkte 8 wird nun die auf diese Weise hergestellte Chipanordnung 9 mit einer zweiten Chipanordnung 9, die auf die gleiche Weise hergestellt wurde, leitfähig verbunden (Fig. 1g). Diese leitfähigen Verbindungskleberpunkte sind vornehmlich aus leitfähigem Silikon, welches nach dem Verbinden der Chipanordnungen ausgehärtet wird. Es können beliebig viele Chipanordnungen 9 zur Bildung eines Stacks miteinander verklebt und kontaktiert werden. Fig. 1h zeigt insgesamt 4 separate Chipanordnungen 9, wobei auf die oberste Chipanordnung 9 gemäß Fig. 1h rückseitig eine Schutzabdeckung 10, vornehmlich auch aus einem nichtleitenden Polymer, aufgebracht wird. According to FIG. 1f, a bonding adhesive 8 is then punctiformly applied to the exposed via elements on the contacting side. Via these connection adhesive points 8 , the chip arrangement 9 produced in this way is now conductively connected to a second chip arrangement 9 , which has been produced in the same way ( FIG. 1 g). These conductive connection adhesive points are primarily made of conductive silicone, which is cured after connecting the chip arrangements. Any number of chip arrangements 9 can be glued together and contacted to form a stack. Fig. 1h shows a total of 4 separate chip assemblies 9 , wherein on the top chip assembly 9 according to FIG. 1h back a protective cover 10 , mainly made of a non-conductive polymer is applied.
Der auf diese Weise gebildete Stack aus insgesamt vier separaten Chipanordnungen 9 ist damit fertig aufgebaut, wobei der gesamte Aufbau im Rahmen eines fan-out-Wafer-Level-Packagings erfolgte. The stack formed in this way from a total of four separate chip assemblies 9 is thus completed, the entire structure was carried out as part of a fan-out wafer-level packaging.
Nach Durchführung des Schritts gemäß Fig. 1h erfolgt nun die Vereinzelung der einzelnen Bauelemente 11, wozu der Halterahmen aufgetrennt, vorzugsweise aufgesägt wird. In Fig. 1i ist ein solches vereinzeltes Bauelement 11 gezeigt. Wie Fig. 1i zeigt, werden nach dem Vereinzeln auf die Durchkontaktierungselemente 2, die an der Kontaktierungsseite der unteren Chipanordnung 9 frei liegen, weitere Verbindungsklebepunkte 8 aus einem leitfähigen Kleber, beispielsweise leitfähigem Silikon aufgebracht, wonach, siehe Fig. 1j, das Bauelement 11 auf einen Bauelementträger, an dessen Kontaktierungsseite bereits Kontaktierungspunkte oder Bahnen 12 vorgesehen sind, aufgeklebt und damit kontaktiert wird. After carrying out the step according to FIG. 1h, the separation of the individual components 11 takes place , for which purpose the holding frame is separated, preferably sawn up. In Fig. 1i, such a separated component 11 is shown. As FIG. 1i shows, after being singulated onto the through-connection elements 2 , which are exposed on the contacting side of the lower chip arrangement 9 , further connection bonding points 8 made of a conductive adhesive, for example conductive silicone, are applied, according to which, see FIG. 1j, the component 11 a component carrier, at the contacting side already contacting points or tracks 12 are provided, glued and thus contacted.
Die Fig. 2a-2l zeigen die wichtigsten Verfahrensschritte zur Herstellung eines dreidimensionalen Bauelements im fan-out- Wafer-Level-Packaging, wobei hier eine Chipanordnung auf einer jeweils bestehenden Chipanordnung aufgebaut wird. FIGS . 2a-2l show the most important method steps for the production of a three-dimensional component in fan-out wafer-level packaging, in which case a chip arrangement is constructed on a respectively existing chip arrangement.
Zur Bildung der ersten "untersten" Chipanordnung werden zunächst auf einem Träger 13, beispielsweise einem passivierten Silizium-Träger, Durchkontaktierungselemente 14, vorzugsweise aus leitfähigem Silikon, aufgebracht, vornehmlich aufgedrückt. Nach Fig. 2b wird ein Chip 15 mit seiner Kontaktierungsseite 16 nach oben weisend auf den Träger 13 unter Verwendung eines geeigneten Klebers aufgeklebt. Nach Fig. 2c wird ein Halterahmen 17 unter Verwendung eines isolierenden Füllmittels 18, beispielsweise Epoxyharz oder Silikon erzeugt. Das Füllmittel wird vornehmlich aufgedruckt. Der Halterahmen ist dabei derart bemessen, dass die Durchkontaktierungselemente 14 oberseitig von ihm nicht abgedeckt sind. Ferner erstreckt sich der Halterahmen 17 weitgehend über den Chip 15, er lässt jedoch in der Mitte das oberseitige Kontaktpad 19 des Chips 15 frei. Im Schritt gemäß Fig. 2d wird die Oberfläche des Halterahmens 17 beispielsweise durch Plasmaätzen oder Nassätzen gereinigt und der Halterahmen etwas abgetragen. Im Schritt nach Fig. 2e werden nun Umverdrahtungen 20 auf die teilweise mit dem Halterahmen 17 bedeckte Oberseite des Chips 15 aufgebracht. Diese Umverdrahtungen 20 kontaktieren die Durchkontaktierungselemente 14 mit den Kontaktpads 19. Die Erzeugung der Umverdrahtungen 20 erfolgt durch Aufsputtern oder Aufplattieren einer Metallschicht, eine anschließende Lithografie und einen daran folgenden Nassätzschritt. Mit Abschluss des Verfahrensschritts nach Fig. 2e ist die erste "untere" Chipanordnung 21 fertiggestellt. To form the first "lowermost" chip arrangement, first through-contacting elements 14 , preferably made of conductive silicon, are applied, primarily pressed, onto a carrier 13 , for example a passivated silicon carrier. According to Fig. 2b, a chip 15 is glued with its contacting side 16 facing up to the carrier 13 using a suitable adhesive. Referring to Fig. 2c, a holding frame 17 is produced using an insulating filler 18 , for example, epoxy resin or silicone. The filler is primarily printed. The holding frame is dimensioned such that the feedthrough elements 14 are not covered on top of him. Furthermore, the holding frame 17 extends substantially over the chip 15 , but leaves the upper-side contact pad 19 of the chip 15 free in the middle. In the step according to FIG. 2 d, the surface of the holding frame 17 is cleaned, for example by plasma etching or wet etching, and the holding frame is removed a little. In the step according to FIG. 2e, rewirings 20 are now applied to the upper side of the chip 15 , which is partially covered by the holding frame 17 . These rewirings 20 contact the via elements 14 with the contact pads 19 . The generation of the rewirings 20 takes place by sputtering or plating on a metal layer, a subsequent lithography and a subsequent wet etching step. Upon completion of the process step of Fig. 2e, the first "lower" chip assembly 21 is completed.
Auf diese untere Chipanordnung 21 werden nun, siehe Fig. 2f, deckungsgleich mit den Durchkontaktierungselementen 14 der unteren Chipanordnung 21 weitere Durchkontaktierungselemente 14 aufgebracht. Im Schritt nch Fig. 2g wird nun ein zweiter Chip 15 deckungsgleich über den bereits vorhandenen Chip 15 der ersten Chipanordnung gesetzt. Der Chip 15 ist zweckmäßigerweise an seiner Rückseite mit einer Passivierungsschicht versehen, so dass er gegenüber der Umverdrahtung der unteren Chipanordnung 21 isoliert ist. Now, see Fig. 2f, congruent with the via elements 14 of the lower chip assembly 21 further via elements 14 are applied to this lower chip assembly 21 . In step nch Fig. 2g now a second chip 15 is set congruent over the already existing chip 15 of the first chip arrangement. The chip 15 is expediently provided on its rear side with a passivation layer, so that it is insulated from the rewiring of the lower chip arrangement 21 .
Im Schritt nach Fig. 2h wird wiederum ein Halterahmen 17 unter Verwendung eines Füllmittels 18 in gleicher Weise wie bezüglich Fig. 2c beschrieben. Auch dieser wird anschließend (siehe Fig. 2d) gereinigt und etwas abgetragen. Im Schritt nach Fig. 21 erfolgt die Erzeugung der Umverdrahtung 20 der zweiten Chipanordnung bzw. Ebene. Hieran schließen sich wiederum die Schritte nach den Fig. 2f ff. an. Diese werden so oft wiederholt, wie Chipanordnungen aufzubauen sind. Fig. 2j zeigt eine Konfiguration mit vier Chipanordnungen 21, wobei auf die oberste Chipanordnung 21 noch zwei Kontaktierungselemente 14 gesetzt sind. Ist die Konfiguration vollständig aufgebaut, werden die Bauelemente durch Auftrennen des Halterahmens aller übereinander gesetzten Chipanordnungen 21 vereinzelt. Fig. 2j zeigt ein vereinzeltes Bauelement 22. In the step according to FIG. 2h, a holding frame 17 is again described using a filler 18 in the same way as with respect to FIG. 2c. This is then cleaned (see Fig. 2d) and slightly removed. In the step according to FIG. 21, the generation of the rewiring 20 of the second chip arrangement or plane takes place. This in turn is followed by the steps according to FIGS. 2f et seq. These are repeated as often as chip arrangements are to build. FIG. 2j shows a configuration with four chip arrangements 21 , wherein two contacting elements 14 are set on the uppermost chip arrangement 21 . If the configuration is completely established, the components are separated by separating the holding frame of all stacked chip assemblies 21 . FIG. 2j shows a singulated component 22 .
Zur Montage des Bauelements 22 auf einem Bauelementträger 23 wird dieses nun umgedreht (Flipchip), auf die freiliegenden Kontaktelemente 14 werden Verbindungskleberpunkte 24, beispielsweise aus leitfähigem Silikon, aufgebracht, über die das Bauelement 22 dann auf dem Bauelementträger 23 unter Kontaktierung der Durchkontaktierungselemente 14 mit trägerseitigen Kontaktelementen 25 befestigt wird. For mounting the component 22 on a component carrier 23 , this is now turned over (flip chip), on the exposed contact elements 14 are adhesive bonding points 24 , for example of conductive silicone, applied, via which the component 22 then on the component carrier 23 by contacting the feedthrough 14 with carrier side Contact elements 25 is attached.
Die Fig. 3a-3o zeigen die relevanten Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauelements durch Aufbauen einer Chipanordnung auf einer bereits bestehenden, wobei hier Chips verwendet werden, die bereits als funktionstüchtig getestet und mit einer Umverdrahtung versehen sind. FIGS . 3a-3o show the relevant method steps for producing a component by constructing a chip arrangement on an already existing one, whereby chips are used here which have already been tested as being functional and provided with a rewiring.
Ausgangspunkt ist ein in Fig. 3a gezeigter Chip 26, der bereits als funktionstüchtig getestet wurde. An seiner Kontaktierungsseite ist bereits eine Umverdrahtung 27 sowie entsprechende Kontaktpunkte 28 erzeugt. The starting point is a chip 26 shown in FIG. 3a, which has already been tested as being functional. At its Kontaktierungsseite a rewiring 27 and corresponding contact points 28 is already generated.
Wie Fig. 3b zeigt, wird zur Herstellung der ersten unteren Chipanordnung auf einem Träger 29, beispielsweise der passivierten Oberfläche einer Silizium-Scheibe) vornehmlich mittels eines leitfähigen Polymers eine Umverdrahtung bzw. Umverdrahtungsbahnen 30 und Umverdrahtungskontaktpunkte 31 unter Verwendung eines leitfähigen Polymers aufgebracht, vornehmlich aufgedruckt. Mittels eines nicht-leitfähigen Klebers 32 wird nun, siehe Fig. 3c, der Chip 26 mit seiner Kontaktierungsseite, also der Seite, wo die Umverdrahtung aufgebracht ist, auf den Träger 29 geklebt. Dabei wird die chipseitige Umverdrahtung 27 und die Umverdrahtungskontaktpunkte 28 mit den entsprechenden Umverdrahtungsbahnen 30 bzw. den Umverdrahtungskontaktpunkten 31 am Träger 29 kontaktiert. Ist die Verbindung ausgehärtet, so erfolgt im Schritt nach Fig. 3e ein Materialabtrag am Chip 26, d. h. der Chip wird dünner gemacht. Das Material kann beispielsweise durch trockenes oder nasses Ätzen oder einer mechanischen Behandlung abgetragen werden. Ersichtlich verringert sich so die Bauhöhe der ersten Chipanordnung deutlich. As shown in Fig. 3b shows, for the preparation of the first lower die assembly on a support 29, for example, the passivated surface is a silicon wafer) mainly 31 applying a rewiring means of a conductive polymer or Umverdrahtungsbahnen 30 and Umverdrahtungskontaktpunkte using a conductive polymer is printed primarily , By means of a non-conductive adhesive 32 is now, see Fig. 3c, the chip 26, glued with its contact side, ie the side where the rewiring is applied to the carrier 29. In this case, the chip-side rewiring 27 and the rewiring contact points 28 are contacted with the corresponding rewiring paths 30 and the rewiring contact points 31 on the carrier 29 . If the connection has hardened, a material removal takes place on the chip 26 in the step according to FIG. 3e, ie the chip is made thinner. The material can be removed for example by dry or wet etching or a mechanical treatment. As can be seen clearly reduces the height of the first chip arrangement significantly.
Im Schritt nach Fig. 3f wird nun die gegebene Konfiguration zur Bildung eines Halterahmens 33 in ein Füllmaterial 34 eingebettet. Hierzu wird beispielsweise isolierendes Silikon aufgedruckt und anschließend ausgehärtet. Der Halterahmen 33 weist Kontaktierungsvias 35 auf, die eine spätere Durchkontaktierung zu den Umverdrahtungsbahnen und Umverdrahtungskontaktpunkten 30, 31, die auf der Trägeroberfläche aufgebracht sind, ermöglicht. Im Schritt 3g wird nun die Oberfläche des auch den Chip abdeckenden Halterahmens 33 durch trockenes oder nasses Ätzen oder durch mechanisches Behandeln eingeebnet und der Halterahmen etwas dünner gemacht. In the step according to FIG. 3 f, the given configuration for forming a holding frame 33 is then embedded in a filling material 34 . For this example, insulating silicone is printed and then cured. The holding frame 33 has Kontaktungsvias 35 , which allows a subsequent via to the rewiring tracks and rewiring contact points 30 , 31 , which are applied to the support surface. In step 3 g, the surface of the holding frame 33, which also covers the chip, is now leveled by dry or wet etching or by mechanical treatment, and the holding frame is made somewhat thinner.
Im Schritt nach Fig. 3h werden nun die Umverdrahtungsbahnen 36 und Umverdrahtungspunkte für die nächste Chipanordnung durch Aufdrucken eines leitfähigen Polymers erzeugt. Ersichtlich füllt das leitfähige Polymer die Kontaktierungsvias 35, so dass eine Durchkontaktierung zu den darunter liegenden Umverdrahtungen erfolgt. In the step according to FIG. 3h, the rewiring paths 36 and rewiring points for the next chip arrangement are now produced by printing on a conductive polymer. As can be seen, the conductive polymer fills the Kontaktvias 35 , so that a via to the underlying redistribution takes place.
Anschließend wird im Schritt nach Fig. 31 erneut ein nichtleitender Kleber 32 aufgebracht, wonach im Schritt nach Fig. 3j ein weiterer Chip 26 mit seiner Kontaktierungsseite nach unten weisend aufgesetzt und aufgeklebt wird. Auch hier erfolgt beim Aufkleben die Kontaktierung der Umverdrahtung 27 mit den entsprechenden Umverdrahtungsbahnen 36 auf der Oberfläche der unteren Chipanordnung 37. Subsequently, a nonconductive adhesive 32 is applied again in the step according to FIG. 31, whereafter in the step according to FIG. 3j a further chip 26 is placed with its contacting side facing downwards and glued on. Again, when bonding the contacting of the rewiring 27 with the corresponding rewiring tracks 36 on the surface of the lower chip assembly 37th
Nach Aufkleben des Chips 26 (siehe Fig. 3k) wird auch hier der Chip 26 gedünnt (siehe Fig. 31). Anschließend erfolgt erneut die Einbettung in ein Füllmaterial zur Erzeugung des Halterahmens mit den Kontaktierungsvias und die erneute Erzeugung der Umverdrahtungsbahnen, wie in den Fig. 3f-3h beschrieben. After sticking the chip 26 (see FIG. 3k), the chip 26 is also thinned here (see FIG. 31). Subsequently, the embedding into a filling material to produce the holding frame with the contacting vias and the renewed generation of the rewiring paths takes place again, as described in FIGS. 3f-3h.
Ist die gesamte Konfiguration aufgebaut, so ergibt sich ein Stapel aus Chipanordnungen 37, wie er in Fig. 3 m gezeigt ist. Auch hier sind exemplarisch vier Chipanordnungen 37 übereinander gestapelt. Nachfolgend werden die einzelnen Bauelemente durch Auftrennen der Halterahmen, die wie bei allen Ausführungsformen selbstverständlich deckungsgleich übereinander liegen, vereinzelt. Fig. 3 m zeigt ein vereinzeltes Bauelement 38. Auf dessen freiliegende Oberseite werden anschließend im Schritt 3n Verbindungskleberpunkte 39 unter Verwendung eines leitfähigen Klebers aufgebracht, über die das Bauelement 38anschließend (Fig. 30) auf einen Bauelementträger 40, auf dessen Oberseite trägerseitige Kontaktpunkte 41 sind, aufgeklebt und kontaktiert. If the entire configuration is constructed, the result is a stack of chip arrangements 37 , as shown in FIG. 3 m. Here, too, four chip arrangements 37 are stacked on top of one another by way of example. Subsequently, the individual components by separating the holding frame, which are of course superimposed on each other as in all embodiments, isolated. Fig. 3 shows an isolated component m 38th On its exposed upper side, in step 3, n connection adhesive dots 39 are then applied using a conductive adhesive, by which the component 38 is subsequently glued and contacted ( FIG. 30) onto a component carrier 40 , on the upper side of which carrier-side contact points 41 are located.
Die Fig. 4a-4j zeigen eine vierte Verfahrensvariante zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Bauelements, wobei hier die Umverdrahtungsbahnen zweier übereinander liegender Chips direkt miteinander verbunden werden. FIGS . 4a-4j show a fourth variant of the method for producing a component according to the invention, in which case the rewiring paths of two superimposed chips are connected directly to one another.
Auf einen Träger 42, z. B. eine Folie oder ein Glassubstrat, wird, wie Fig. 4a zeigt, eine nicht-leitende Polymerschicht 43, z. B. aufgedruckt oder aufgeschleudert. Anschließend wird, siehe Fig. 4b, ein Chip 44 auf die oberseitig vorzugsweise adhäsive Polymerschicht 43 aufgebracht, wonach die Polymerschicht ausgehärtet wird. On a support 42 , z. As a film or a glass substrate is, as shown in FIG. 4a, a non-conductive polymer layer 43 , z. B. imprinted or spin coated. Subsequently, see Fig. 4b, a chip 44 is applied to the upper side preferably adhesive polymer layer 43 , after which the polymer layer is cured.
Wie Fig. 4c zeigt, wird anschließend ein Füllmittel 45 zur Bildung eines den Chip 44 sowohl seitlich als auch ersichtlich oberseitig bis auf den Bereich der Kontaktpads 46 abdeckenden Halterahmens aufgebracht und ausgehärtet. Wie Fig. 4d zeigt, werden anschließend die Umverdrahtungsbahnen 47 erzeugt, die ersichtlich bis in den Bereich der seitlichen Halterahmenabschnitte laufen. Die Enden der Umverdrahtungsbahnen 47 bilden dabei Kontaktelemente 48, die der anschließenden Kontaktierung zu einer darüber anzuordnenden Chipanordnung dienen. As shown in FIG. 4c, a filler 45 is then applied and cured to form a chip frame 44 both laterally and also visible on the top side up to the area of the contact pads 46 covering the holding frame. As FIG. 4d shows, the rewiring paths 47 are subsequently produced, which can be seen to run into the region of the lateral holding frame sections. The ends of the rewiring paths 47 thereby form contact elements 48 , which serve for the subsequent contacting to a chip arrangement to be arranged above.
Auf die aus Fig. 4d bekannte Anordnung wird nun beispielsweise in einem Druckverfahren ein nichtleitender Kleber 49 gebracht, wobei diese Klebeschicht derart bemessen ist, dass die Kontaktelemente 48, gebildet von den Enden der Umverdrahtungsbahn 47 frei bleiben. Anschließend wird ein zweiter Chip 50 aufgeklebt (Fig. 4f), wonach die Kleberschicht ausgehärtet wird. A nonconducting adhesive 49 is now brought to the arrangement known from FIG. 4d, for example in a printing method, wherein this adhesive layer is dimensioned such that the contact elements 48 formed by the ends of the rewiring web 47 remain free. Subsequently, a second chip 50 is glued ( Fig. 4f), after which the adhesive layer is cured.
Im Schritt gemäß Fig. 4g wird nun ein weiteres Füllmittel 51 aufgebracht, das zur Bildung eines den zweiten Chip 50einbettenden und sowohl seitlich als auch oberseitig bis auf den Bereich der Kontaktpads 52 einbettet. Auch dieser Halterahmen ist seitlich derart bemessen, dass die Kontaktelemente 48 der Umverdrahtungsbahnen 47 der darunter befindlichen Chipebenen nach wie vor frei bleiben. Das Füllmittel kann beispielsweise in einem Druckverfahren aufgebracht werden. In the step according to FIG. 4g, a further filling agent 51 is now applied, which embeds for forming a second chip 50 and embeds both laterally and on the upper side except for the region of the contact pads 52 . Also, this support frame is laterally dimensioned such that the contact elements 48 of the rewiring paths 47 of the underlying chip planes remain free. The filler can be applied for example in a printing process.
Schließlich werden, siehe Fig. 4h, die Umverdrahtungsbahnen 53 des Chips 50 erzeugt, wobei die Umverdrahtungsbahnen 53 seitlich über den Halterahmen nach unten in die Umverdrahtungsbahnebene des Chips 44 laufen, wo sie ersichtlich mit den Kontaktelementen 48, also den Enden der Umverdrahtungsbahnen 47 kontaktiert werden. Die Umverdrahtungsbahnen können wie auch die Umverdrahtungsbahnen der darunter liegenden Chipebene durch Sputtern und Plattieren sowie mittels geeigneter fotolithografischer Schritte erzeugt werden. Finally, see FIG. 4h, the rewiring paths 53 of the chip 50 are produced, wherein the rewiring paths 53 run laterally over the holding frame down into the rewiring path plane of the chip 44 , where they can be contacted with the contact elements 48 , ie the ends of the rewiring paths 47 , The rewiring paths, as well as the redistribution paths of the underlying chip plane, can be produced by sputtering and plating as well as by suitable photolithographic steps.
Wie Fig. 41 zeigt, werden anschließend Kontaktelemente 54 und 55 an der aktiven Seite des. Chips 50 erzeugt. Bei den Kontaktelementen 54 handelt es sich um leitfähige adhäsiv zu kontaktierende Interconnect-Elemente, bei den Kontaktelementen 55 im gezeigten Beispiel um Lotbällchen. Selbstverständlich kann auch nur eine Art von Kontaktelementen vorgesehen werden. Sie dienen dazu, den anschließenden Kontakt zu einem Träger herzustellen. As shown in FIG. 41, contact elements 54 and 55 are subsequently produced on the active side of chip 50 . In the contact elements 54 are conductive adhesively to be contacted interconnect elements, in the contact elements 55 in the example shown to Lotbällchen. Of course, only one type of contact elements can be provided. They serve to make the subsequent contact with a carrier.
Der Träger 42 wird schließlich entfernt und die einzelnen Multichip-Module unter Bildung vereinzelter Bauelemente 56 durch Sägen (siehe die angedeuteten seitlichen Sägespalte) oder dergleichen vereinzelt. Die Vereinzelung erfolgt durch Auftrennen im Bereich des unteren Halterahmens, wobei dies auch beispielsweise durch Laserschneider oder dergleichen erfolgen kann. The carrier 42 is finally removed and the individual multichip modules separated to form isolated components 56 by sawing (see the indicated lateral Sägespalte) or the like. The separation takes place by separation in the region of the lower holding frame, and this can also be done for example by laser cutter or the like.
Anschließend kann ein derartiges Bauelement 56 über die Kontaktelemente 54, 55 mit einem Modulboard 57, an dessen Oberseite Kontaktpunkte 58 vorgesehen sind, befestigt und kontaktiert werden. Im Falle der Kontaktelemente 54 geschieht dies unter Verwendung eines leitfähigen Klebers, die Kontaktelemente 55 werden in einem üblichen Lötprozess angeschmolzen, so dass der elektrische Kontakt entsteht. Subsequently, such a device 56 via the contact elements 54 , 55 with a module board 57 , at the top contact points 58 are provided, are fixed and contacted. In the case of the contact elements 54 , this is done using a conductive adhesive, the contact elements 55 are fused in a conventional soldering process, so that the electrical contact is formed.
An dieser Stelle ist darauf hinzuweisen, dass die Fig.
4a-4j die Erzeugung eines Multichip-Bauelements 56 mit zwei Chips
zeigen. Selbstverständlich ist es auch möglich, mehrere Chips
übereinander zu stapeln, wobei die Umverdrahtungsbahnen der
Chips jeweils von oben nach unten in die Ebene der
Umverdrahtungsbahnen 47 des untersten Chips 44 geführt werden. Es ist
aber auch denkbar, jede Umverdrahtungsbahnebene lediglich mit
der darunter liegenden zu kontaktieren, so dass
Umverdrahtungsbahnen nicht allzu weit seitlich entlang des Chipstapels nach
unten geführt werden müssen. Bei diesen Ausführungsformen
vergrößert sich jedoch die seitliche Abmessung der jeweiligen
Chiprahmen etwas.
Bezugszeichenliste
1 Träger
2 Durchkontaktierungselemente
3 Chip
4 Halterahmen
5 Füllmittel
6 Umverdrahtung
7 Kontaktpad
8 Verbindungskleber
9 Chipanordnung
10 Schutzabdeckung
11 Bauelement
12 Bahn
13 Träger
14 Durchkontaktierungslement
15 Chip
16 Kontaktierungsseite
17 Halterahmen
18 Füllmittel
19 Kontaktpad.
20 Umverdrahtung
21 Chipanordnung
22 Bauelement
23 Bauelementträger
24 Verbindungskleberpunkte
25 Kontaktelement
26 Chip
27 Umverdrahtung
28 Kontaktpunkt
29 Träger
30 Umverdrahtungsbahn
31 Umverdrahtungskontaktpunkt
32 Kleber
33 Halterahmen
34 Füllmaterial
35 Kontaktierungsvia
36 Umverdrahtungsbahn 41 mit Kontaktelement
37 Chipanordnung
38 Bauelement
39 Verbindungskleberpunkt
40 Bauelementträger
41 Kontaktpunkt
42 Träger
43 Polymerschicht
44 Chip
45 Füllmittel
46 Kontaktpad
47 Umverdrahtungsbahn
48 Kontaktelement
49 Kleber
50 Chip
51 Füllmittel
52 Kontaktpad
53 Umvredrahtungsbahn
54 Kontaktelement
55 Kontaktelement
56 Bauelement
57 Modulboard
58 Kontaktpunkt
It should be noted at this point that FIGS . 4a-4j show the generation of a multi-chip component 56 with two chips. Of course, it is also possible to stack a plurality of chips one above the other, wherein the rewiring paths of the chips are each guided from top to bottom into the plane of the rewiring tracks 47 of the lowermost chip 44 . However, it is also conceivable to contact each rewiring path plane only with the underlying one, so that rewiring paths do not have to be led down too far laterally along the chip stack. However, in these embodiments, the lateral dimension of the respective chip frames increases somewhat. List of Reference Numbers 1 carrier
2 via elements
3 chip
4 holding frames
5 fillers
6 rewiring
7 contact pad
8 bonding adhesive
9 chip arrangement
10 protective cover
11 component
12 train
13 carriers
14 via element
15 chip
16 contacting page
17 holding frame
18 fillers
19 contact pad.
20 rewiring
21 chip arrangement
22 component
23 component carrier
24 connection adhesive points
25 contact element
26 chip
27 rewiring
28 contact point
29 carriers
30 rewiring track
31 rewiring contact point
32 glue
33 holding frame
34 filling material
35 contacting via
36 rewiring track 41 with contact element
37 chip arrangement
38 component
39 Connection adhesive point
40 component carrier
41 contact point
42 carriers
43 polymer layer
44 chip
45 fillers
46 contact pad
47 rewiring track
48 contact element
49 glue
50 chip
51 fillers
52 contact pad
53 Umwredrahtungsbahn
54 contact element
55 contact element
56 component
57 module board
58 contact point
Claims (34)
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DE10164800A DE10164800B4 (en) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | Method for producing an electronic component with a plurality of chips stacked on top of one another and contacted with one another |
US10/285,924 US6714418B2 (en) | 2001-11-02 | 2002-11-01 | Method for producing an electronic component having a plurality of chips that are stacked one above the other and contact-connected to one another |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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DE10164800A DE10164800B4 (en) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | Method for producing an electronic component with a plurality of chips stacked on top of one another and contacted with one another |
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2001
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