DE10143730B4 - Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp - Google Patents

Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Einstellen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp (1), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Bestimmen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat (2) aufweist, wobei das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats aufweist, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren, wobei der vorbestimmte Abstand einem Wert von λ/2 × N entspricht, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist; und
Schneiden des piezoelektrischen Substrats an mindestens einer Position, die von der vorbestimmten Position des Paars von Kanten nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist, wenn die beabsichtigte Resonanzfrequenz höher sein soll als die durch die Impedanz-Frequenz-Charakteristik erhaltene Resonanzfrequenz, wobei die Positionen, bei denen das piezoelektrische Substrat (2) beim Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats (2) gegenüber den Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand bei dem Bestimmen der Impedanz-Frequenz-Charakteristik...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp zur Verwendung in einem Bandpaßfilter, einem Sperrfilter oder einer anderen geeigneten Vorrichtung, sowie auf ein Verfahren zum Einstellen einer Resonanzfrequenz eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp.
  • Wie beispielsweise in den ungeprüften japanischen Patentanmeldungen Nr. 5-183376 und Nr. 5-145370 offenbart ist, wurden bereits verschiedene Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp, die eine Oberflächenwelle vom SH-Typ (SH = shear horizontal = Scher-Horizontal), wie zum Beispiel eine BGS-Welle verwenden, vorgeschlagen.
  • Bei einem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp ist ein Interdigitalwandler auf einem piezoelektrischen Substrat, das zwei gegenüberliegende Kanten aufweist, angeordnet. Eine Mehrzahl von Elektrodenfingern in dem Interdigitalwandler erstreckt sich in der parallel zu den Kanten verlaufenden Richtung. Eine angeregte akustische Oberflächenwelle wird zwischen den beiden gegenüberliegenden Kanten reflektiert, es tritt eine stehende Welle auf, und das Resonanzcharakteristikum, das auf der stehenden Welle basiert, wird verwendet.
  • Da das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp keinen Reflektor erfordert, ermöglicht es eine Miniaturisierung eines Oberflächenwellenbauelements.
  • Für die Herstellung des oben beschriebenen Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp wird ein Wafer angefertigt, der aus einem piezoelektrischen Material besteht. Daraufhin wird eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf dem Wafer gebildet. Als nächstes wird der Wafer geschnitten, es werden zwei gegenüberliegende Kanten desselben gebildet, und aus dem einzelnen Wafer wird eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp ausgeschnitten.
  • Bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp können gewünschte Resonanz- und Filtercharakteristika nicht erreicht werden, wenn die beiden gegenüberliegenden Kanten nicht korrekt gebildet sind. Beim Bilden von Kanten unter Verwendung eines Interdigitalwandlers vom Einzelelektrodentyp wurde also jede der Kanten zuvor an der Position, die um λ/2 oder ein ganzzahliges Vielfaches von λ/2 nach außen in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle von der Mitte des Elektrodenfingers, der zu jedem der äußersten Elektrodenfinger benachbart ist, beabstandet ist, ausgeschnitten. Beim Bilden von Kanten unter Verwendung eines Interdigitalwandlers vom Doppelelektrodentyp, der ein Paar von Elektrodenfingerabschnitten umfaßt, wurde andererseits jede der Kante an der Position ausgeschnitten, die um ein ganzzahliges Vielfaches von λ/2 in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle nach außen von der Mitte zwischen dem Paar von Elektrodenfingerabschnitten des Elektrodenfingers beabstandet ist, der zu jedem der Elektrodenfinger, die an den äußersten Seiten des Interdigitalwandlers in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind, benachbart ist.
  • Bei einem tatsächlichen Herstellungsprozeß wird eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp aus einem Wafer geschnitten. Bei der Massenproduktion von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp wurden ferner Interdigitalwandler auf jedem einer Mehr zahl von Wafern auf dieselbe Weise gebildet, und die Mehrzahl von Wafern wurde von oben geschnitten.
  • Auch wenn eine Mehrzahl von Wafern angefertigt wird, sowie eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf dieselbe Weise gebildet wird, und Kanten durch Schneiden mit hoher Genauigkeit gebildet werden, tritt jedoch insofern ein Problem auf, als die Frequenzcharakteristika unter den zahlreichen erhaltenen Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp variieren. Das liegt daran, daß die piezoelektrischen Charakteristika von Wafer zu Wafer variieren.
  • Die EP 0 751 615 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements, bei dem ein Interdigital-Wandler auf einer piezoelektrischen Platte gebildet wird, wobei jeder der Elektrodenfinger des Interdigital-Wandler eine Breite von λ/4 aufweist, wobei die äußersten Paare der Elektrodenfinger eine Breite von λ/8 in der Richtung der Ausbreitung aufweisen. Um ein Schneiden des Substrats an Positionen zu verhindern, bei denen die äußersten Elektrodenfinger angeordnet sind, wird die piezoelektrische Platte innerhalb eines Bereichs geschnitten, der sich von einer äußeren Endkante der äußeren Elektrodenfinger zu einer Position innerhalb des Bereichs von λ/8 oder 3 λ/32 von der äußeren Kante der Elektrodenfinger erstreckt. Das Schneiden innerhalb der vorbestimmten Bereiche ermöglicht, eine gute Resonanzcharakteristik des Oberflächenwellenbauelements zu erreichen, wobei ein Abplatzen der piezoelektrischen Platte verhindert wird.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Einstellen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und ein Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp zu schaffen, so daß das erhaltene Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp verbesserte Eigenschaften aufweist.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp mindestens einen Interdigitalwandler umfaßt und eine Oberflächenwelle vom SH-Typ verwendet.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1, ein Verfahren gemäß Anspruch 7 oder ein Verfahren gemäß Anspruch 14 gelöst.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp schaffen, um Variationen bei der Impedanz-Frequenz-Charakteristik unter den hergestellten Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auszuschalten und zu ermöglichen, daß eine gewünschte Impedanz-Frequenz-Charakteristik realisiert wird.
  • Das Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt den Schritt des Bestimmens eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat aufweist. Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp weist ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats auf, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren. Das piezoelektrische Substrat wird an mindestens einem Paar Positionen geschnitten, die einen Abstand definieren, der kleiner ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp höher sein soll als das vorbestimmte Frequenzcharakteristikum, und wird an mindestens einer eines Paars von Positionen geschnitten, die einen Abstand definieren, der größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als das vorbestimmte Frequenzcharakteristikum.
  • Die Positionen, an denen das piezoelektrische Substrat bei dem Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats geschnitten wird, sind von Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand in dem Frequenzcharakteristikum-Bestimmungsschritt definieren, vorzugsweise um ca. λ/8 oder weniger und stärker bevorzugt um ca. λ/16 verschoben, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom SH-Typ ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist.
  • Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp kann einen Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfassen. In diesem Fall sind die Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, vorzugsweise an ungefähren Mitten von Elektroden positioniert.
  • Alternativ dazu kann das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfassen. In diesem Fall ist jede der Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, an einer ungefähren Mitte eines Paars von Elektrodenfingern, die eine Doppelelektrode bilden, positioniert.
  • Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt das Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das mindestens einen Interdigitalwandler umfaßt und eine Oberflächenwelle vom SH-Typ verwendet, folgende Schritte: Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf einem piezoelektrischen Substrat; Schneiden des piezoelektrischen Substrats und Erzeugen eines Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das mindestens einen der Interdigitalwandler und ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats umfaßt, wobei das Paar Kanten einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definiert; Messen eines Frequenzcharakteristikums der Referenz-Oberflächenwelle vom Kantenreflexionstyp; Bestimmen von Positionen eines Paars Kanten, die jedes von verbleibenden Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auf der Basis des gemessenen Frequenzcharakteristikums definieren; und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an den bestimmten Positionen, um die verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp zu erzeugen.
  • Bei dem Positionsbestimmungsschritt wird ein Abstand zwischen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp vorzugsweise kürzer ausgeführt als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp höher sein soll als das gemessene Frequenzcharakteristikum, und ein Abstand zwischen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp wird vorzugsweise größer ausgeführt als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als das gemessene Frequenzcharakteristikum.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Betrag, um den die durch Schneiden geformte Kante von der vorgesehenen Position verschoben ist, und dem Verhältnis des Abweichungsbetrags Δf der gemessenen Resonanzfrequenz von der Zielresonanzfrequenz f bezüglich der Zielresonanzfrequenz f bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel zeigt;
  • 3 ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt, wenn die Positionen der Kante bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel die vorgesehene Position von –λ/4, die vorgesehene Position von –λ/8 und die vorgesehene Position von –λ/16 sind;
  • 4 eine schematische Draufsicht, die die Elektrodenkonfiguration eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die die Schneideposition, bei der eine Kante gebildet wird, bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenre flexionstyp gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel, das in 4 gezeigt ist, zeigt;
  • 6 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Position der durch Schneiden gebildeten Kante und dem Verhältnis des Abweichungsbetrags Δf der gemessenen Mittenfrequenz von der Zielmittenfrequenz f0 bezüglich der Zielmittenfrequenz f0 bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 7 ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt, wenn die Positionen der Kante bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel die vorgesehene Position von –2/4, die vorgesehene Position von –2/8 und die vorgesehene Position von –λ/16 der vorliegenden Erfindung sind;
  • 8 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächenwellenfilter eines transversal gekoppelten Typs, das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, als Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
  • 9 eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächenwellenfilter eines transversal gekoppelten Typs, das Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, als Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
  • 10 ein Diagramm, das Variationen bezüglich der Frequenzcharakteristika bei dem Resonatorfilter eines transversal gekoppelten Typs, das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, zeigt, wenn die Position der Kante variiert wird;
  • 11 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächenwellenfilter eines longitudinal gekoppelten Typs, das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, als weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
  • 12 eine schematische Draufsicht, die die Elektrodenkonfiguration eines Oberflächenwellenfilters eines longitudinal gekoppelten Typs, das Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, als weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
  • 13 eine Draufsicht, die ein Abzweigfilter, das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, als weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements eines Endoberflächenreflexionstyps, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt; und
  • 14 eine Draufsicht, die ein Abzweigfilter, das Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, als weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements vom Endoberflächenreflexionstyp, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist vorzugsweise ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das eine BGS-Welle als eine Oberflächenwelle vom SH-Typ verwendet.
  • Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 weist ein piezoelektrisches Substrat 2 auf, das eine im wesentlichen rechtwinklige Plattenform aufweist. Das piezoelektrische Substrat 2 ist vorzugsweise aus einem piezoelektrischen Einkristall, wie beispielsweise LiNbO3, LiTaO3, oder aus einer piezoelektrischen Keramik, wie zum Beispiel einer Keramik auf der Basis von Bleititanatzirkonat (PZT), hergestellt. Wenn das piezoelektrische Substrat 2 eine piezoelektrische Keramik ist, ist das piezoelektrische Substrat 2 einem Polarisierungsprozeß in der Richtung des in 1 gezeigten Pfeils P unterworfen. Das piezoelektrische Substrat 2 weist Endoberflächen 2a und 2b auf, die im wesentlichen parallel zueinander sind.
  • Auf der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2 ist ein Interdigitalwandler 3 angeordnet. Der Interdigitalwandler 3 weist ein Paar kammförmige Elektroden 4 und 5 auf, die vorzugsweise aus einem geeigneten metallischen Material, beispielsweise Al, hergestellt sind. Die kammförmigen Elektroden 4 und 5 weisen eine Mehrzahl von Elektrodenfingern 4a und 4b bzw. 5a bis 5c auf. Bei dem Interdigitalwandler 3 beträgt die Breite jedes der Elektrodenfinger 5a und 5c, die an den äußersten Seiten in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind, vorzugsweise ca. λ/8. Hier bezeichnet λ eine Wellenlänge einer angeregten Oberflächenwelle.
  • Die Breite jedes der verbleibenden Elektrodenfinger 4a, 4b und 5b beträgt vorzugsweise ca. λ/4. Der Zwischenraum zwischen den Elektrodenfingern beträgt vorzugsweise ca. λ/4.
  • Ein Abstand zwischen der Endoberfläche 2a und 2b beträgt vorzugsweise ca. λ/2 × N, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die durch den Interdigitalwandler 3 anzuregen ist, und N eine Ganzzahl ist, die größer als eins ist, so daß die angeregte Welle eine stehende Welle zwischen den Endoberflächen 2a und 2b wird.
  • Bei dem Herstellungsverfahren für das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird zunächst ein Wafer zum Bilden des piezoelektrischen Substrats 2 angefertigt. Im einzelnen wird ein großer Wafer, der aus dem oben beschriebenen piezoelektrischen Einkristall oder der oben beschriebenen piezoelektrischen Keramik aufgebaut ist, angefertigt, und eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern 3 wird auf dem Wafer angeordnet, um eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp 1 zu konfigurieren.
  • Als nächstes werden die Endoberflächen 2a und 2b durch Schneiden des Wafers der Dicke nach gebildet, und somit wird das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 ausgeschnitten. In dem Fall wird der Abstand zwischen den Endoberflächen 2a und 2b auf einen vorgesehenen Wert eingestellt, so daß das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 vorgesehene Charakteristika aufweist, die eine Resonanzfrequenz umfassen.
  • Wie oben beschrieben ist, können sich die piezoelektrischen Charakteristika jedoch von Wafer zu Wafer unterscheiden, und wenn zahlreiche Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp 1 aus einer Mehrzahl von Wafern erhalten werden, können die Resonanzcharakteristika unter diesen Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp folglich variieren.
  • Dementsprechend wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel zunächst ein Paar Kanten 2a und 2b durch Ausschneiden aus einem Wafer an den vorgesehenen Positionen gebildet, wodurch die beiden gegenüberliegenden Kanten eines einzelnen Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gebildet werden, und das Frequenzcharakteristikum, besonders eine Resonanzfrequenz des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp 1, bei dem die Kanten gebildet sind, wird gemessen. Somit wird angenommen, daß andere Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp, die aus dem verbleibenden Abschnitt des Wafers auszuschneiden sind, durch Ausschneiden aus einem Wafer bei den vorgesehenen Positionen dieselben gemessenen Frequenzcharakteristika aufweisen. Wenn das so gemessene Frequenzcharakteristikum von einem gewünschten abweicht, werden die Schneidepositionen der beiden gegenüberliegenden Kanten geändert, um die Abweichung zu korrigieren, und daraufhin werden zwei gegenüberliegende Kanten jedes der Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp, die an dem verbleibenden Abschnitt des Wafers konfiguriert sind, durch Schneiden gebildet.
  • Im einzelnen wird eine Einstellung der Frequenz durch Einstellen der Bildungsposition der Kanten, d. h. eines Abstands zwischen den Kanten, durchgeführt. Herkömmlicherweise wird die tatsächliche Position der Kanten 2a und 2b als identisch mit der vorgesehenen Position der Kanten 2a und 2b, die einen Abstand von ca. λ/2 × N ergeben, bestimmt. Im Gegensatz dazu sind bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die tatsächlichen Positionen der Kanten 2a und 2b an der Innenseite oder Außenseite der vorgesehenen Position in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle eingestellt, so daß der Abstand zwischen den tatsächlichen Kanten 2a und 2b entweder größer oder kleiner als die vorgesehene Position der Kanten 2a und 2b, die einen Abstand von ca. λ/2 × N ergeben, sein kann, wodurch eine Resonanzfrequenz eingestellt wird.
  • Dies kann unter Bezugnahme auf die relative Position bezüglich der Position eines nächstinneren Elektrodenfingers, der zu dem äußersten Elektrodenfinger benachbart ist, erklärt werden. Im einzelnen wurde jede der Positionen 2a und 2b herkömmlicherweise bei Positionen eingestellt, die um λ/2 nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle von der Mitte jedes der Elektrodenfinger 4a und 4b, die zu den äußersten Elektrodenfingern 5a und 5c benachbart sind, beabstandet sind. Im Gegensatz dazu wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel jede der beiden gegenüberliegenden Kanten durch Schneiden an einer Position an der Innenseite oder Außenseite der vorgesehenen Position gebildet, welche die Position ist, die um ca. λ/2 von der Mitte jedes der Elektrodenfinger 4a und 4b nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist.
  • 2 zeigt die Variation bezüglich der Resonanzfrequenz des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp 1, wenn die Kante 2b bei Positionen gebildet wird, die bei einem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1, das fünfzehn Paare Elektroden bzw. achtzig Paare Elektroden aufweist, von der vorgesehenen Position, die um ca. λ/2 von der Mitte des Elektrodenfingers 4b beabstandet ist, nach außen verschoben sind. Die in 2 gezeigten Ergebnisse werden aus den Experimenten erhalten, bei denen fünfzehn Paare und achtzig Paare Elektrodenfinger bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 auf einem aus PZT hergestellten piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, und bei denen λ ca. 58 μm beträgt. Es ist zu beachten, daß sich der Begriff „Paar" auf einen Elektrodenfinger, der zu der kammförmigen Elektrode 4 gehört, und einen Elektrodenfinger, der zu der kammförmigen Elektrode 5 gehört, die zueinander benachbart sind, bezog.
  • Die vertikale Achse in 2 stellt das Verhältnis Δf/f des Abweichungsbetrags Δf = f1 – f der gemessenen Resonanzfrequenz f1 von der Zielresonanzfrequenz f bezüglich der Zielresonanzfrequenz f dar. Die „0" auf der horizontalen Achse stellt die vorgesehene Position, die um λ/2 von der Mitte des Elektrodenfingers 4b nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist, dar. „Die Kantenposition" auf der horizontalen Achse bezieht sich auf eine Kantenbildungsposition, wenn die vorgesehene Position an dem Ursprung (d. h. 0) eingestellt ist. Hier bedeutet die „+"-Richtung von der vorgesehenen Position 0, daß eine Kante außerhalb der vorgesehenen Position in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle gebildet wird.
  • Es ist zu beachten, daß 2 die Ergebnisse angibt, die erhalten werden, wenn sowohl die Kante 2a als auch die Kante 2b mit demselben Verschiebungsbetrag und in derselben Richtung gebildet werden. Es ist vorzuziehen, daß sowohl die Kante 2a als auch die Kante 2b mit demselben Verschiebungsbetrag und in derselben Richtung gebildet werden, so daß das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp bezüglich einer Mittellinie, die im wesentlichen parallel zu Elektrodenfingern der Interdigitallinien ist, symmetrisch ist. Es ist jedoch möglich, eine Resonanzfrequenz nur durch Verschieben von entweder der Kante 2a oder der Kante 2b von der jeweiligen vorgesehenen Position zu verschieben.
  • Durch Verschieben der Bildungsposition jeder der Kanten 2a und 2b von der vorgesehenen Position weicht die Resonanzfrequenz ab, wie aus 2 hervorgeht. Insbesondere wird erkannt, daß die Frequenz so eingestellt wird, daß die Resonanzfrequenz niedriger wird, wenn jede der Kanten durch Schneiden des piezoelektrischen Substrats außerhalb der vorgesehenen Position gebildet wird, so daß der Abstand zwischen den Kanten 2a und 2b größer wird als der vorgesehene Wert von ca. λ/2 × N, und daß die Frequenz so eingestellt wird, daß die Resonanzfrequenz höher wird, wenn jede der Kanten innerhalb der vorgesehenen Position in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle positioniert wird, so daß der Abstand zwischen den Kanten 2a und 2b kleiner wird als der vorgesehene Wert von ca. λ/2 × N.
  • Auf diese Weise kann die Resonanzfrequenz durch Schneiden an einer Position, die von der vorgesehenen Position nach außen oder nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist, eingestellt werden.
  • Dementsprechend wird gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung zunächst eine Kalibrierung, welche die Frequenzverschiebung bezüglich einer positionsbezogenen Verschiebung von der vorgesehenen Position der Kanten, beispielsweise 2, anzeigt, durch ein Experiment erhalten. Daraufhin werden ein Referenz-Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das ein Paar Kanten 2a und 2b aufweist, die durch Ausschneiden aus einem Wafer an den vorgesehenen Positionen gebildet sind, und eine Resonanzfrequenz des Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemessen.
  • Daraufhin wird eine Abweichung der gemessenen Resonanzfrequenz von einer vorgesehenen Resonanzfrequenz errechnet, und ein Positionsverschiebungsbetrag und die Richtung der Verschiebung werden aus der Kalibrierung auf der Basis des Unterschieds erhalten, so daß der Unterschied aufgehoben wird. Auf diese Weise kann zuverlässig ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das eine beabsichtigte Resonanzfrequenz aufweist, erreicht werden.
  • Es ist zu beachten, daß, wenn die Bildungsposition jeder der Kanten 2a und 2b zu stark von der vorgesehenen Position nach außen oder nach innen verschoben wird, nicht nur das Impedanzverhältnis des Resonanzcharakteristikums abnimmt, sondern daß auch eine unerwünschte Störreaktion bezüglich des Frequenzcharakteristikums auftritt. Das in 3 durch den Pfeil P1 bezeichnete Charakteristikum zeigt das Frequenzcharakteristikum, das vorliegt, wenn jede der Kanten 2a und 2b an der Position, die von der vorgesehenen Position um ca. λ/4 nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist, gebildet wird. Wenn jede der Kanten bei einer Position gebildet wird, die über den Bereich von ca. ±λ/8 hinaus von der vorgesehenen Position nach innen verschoben ist, tritt bezüglich des Frequenzcharakteristikums eine bedeutende Störreaktion auf, die in der Figur durch den Pfeil X angezeigt ist. Wenn jede der Kanten andererseits bei einer Position gebildet wird, die über den Bereich von ca. λ/8 hinaus von der vorgesehenen Position nach außen verschoben ist, unterscheidet sich die Resonanzfrequenz von dem oben beschriebenen Fall, jedoch ist der Pegel der Störreaktion gleich demselben.
  • Der Pfeil 22 in 3 zeigt das Frequenzcharakteristikum an, das vorliegt, wenn die Bildungsposition jeder der Kanten in dem Bereich der vorgesehenen Positionen von ca. ±λ/8 liegt, beispielsweise an der vorgesehenen Position von ca. –λ/8. Man kann sehen, daß die Störreaktion, die bei dem in 3 gezeigten P1 durch „X" gekennzeichnet ist, beträchtlich verringert wurde.
  • Es wird daher anerkannt, daß die Störreaktion durch Bilden jeder der Kanten an einer Position in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. ±λ/8 effektiv unterdrückt werden kann, und daß die Resonanzfrequenz ohne weiteres und auf zuverlässige Weise eingestellt werden kann, wie aus 2 deutlich wird.
  • Es ist stärker vorzuziehen, daß jede der Kanten 2a und 2b in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. ±λ/16 gebildet wird. Der Pfeil P3 in 3 zeigt das Frequenzcharakteristikum an, das vorliegt, wenn jede der Kanten 2a und 2b an der Position der vorgesehenen Positionen von ca. –λ/16 gebildet wird. Wie man aus dem Vergleich mit dem durch den Pfeil P2 in 3 angezeigten Charakteristikum ersehen kann, ist die oben beschriebene Störreaktion bei dem durch den Pfeil P3 angezeigten Charakteristikum effektiver unterdrückt.
  • Das in 1 gezeigte Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 ist ein Anwendungsbeispiel eines Oberflächenwellenresonators, der einen Interdigitalwandler 3 vom Einzelelektrodentyp umfaßt. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auch auf ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements angewandt werden, das einen Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, der ein Paar Elektrodenfingerabschnitte aufweist.
  • 4 ist eine schematische Draufsicht, die die Elektrodenkonfiguration eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp 11, das einen Interdigitalwandler 12 vom Doppelelektrodentyp aufweist, gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Der Interdigitalwandler 12 weist eine Mehrzahl von Elektrodenfingern auf. Jeder der Elektrodenfinger weist eine Doppelelektrodenkonfiguration (oder eine Konfiguration gespaltener Elektroden) auf, bei der ein Paar Elektrodenfingerabschnitte vorgesehen ist. Beispielsweise sind die Elektrodenfinger 13 und 14 des Interdigitalwandlers 12 in 4 so konfiguriert, daß Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b bzw. 14a und 14b Paare definieren.
  • Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Position, die um ca. λ/2 nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle von der Mitte der Elektrode 13, d. h. der Mitte der Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b, die zu dem äußersten Elektrodenfinger 14 benachbart sind, in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist, als eine vorgesehene Position eingestellt, und eine Kante wird durch Schneiden an einer Position in dem Bereich von ca. ±λ/8 von der vorgesehenen Position gebildet.
  • 5 ist eine vergrößerte Teilschnittdraufsicht, die den Abschnitt zeigt, bei dem eine Kante außerhalb der Elektrodenfinger 13 und 14 des in 4 gezeigten Interdigitalwandlers 12 in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle zu bilden ist.
  • Im einzelnen ist der Interdigitalwandler 12 derart konfiguriert, daß der Elektrodenfinger 13 desselben ein Paar Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b aufweist, und daß der äußerste Elektrodenfinger 14 desselben ein Paar Elektrodenfingerabschnitte 14a und 14b aufweist. Wenn ein Schneideversuch zum Bilden des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp 11 aus einem Wafer versucht wird, wird die Position (Position C), die um ca. λ/2 nach außen in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle von der Mitte der Elektrode 13, d. h. der Mitte der Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist, auf eine vorgesehene Position eingestellt, und durch Schneiden an einer Position an der Innenseite oder Außenseite der vorgesehenen Position wird eine Kante gebildet. Wenn ein Schneiden an einer der durch A bis F angezeigten Positionen durchgeführt wird, besteht die Möglichkeit, daß der Elektrodenfingerabschnitt 14b in dem äußersten Elektrodenfinger 14 abgeschnitten wird.
  • 6 zeigt die Variation bezüglich der Resonanzfrequenz, die vorliegt, wenn jede der Kanten auf die oben beschriebene Weise gebildet wird, und die Position derselben bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 von der vorgesehenen Position, die einen Abstand von ca. λ/2 × N ergibt, verschoben ist. Die in 6 gezeigten Ergebnisse werden aus dem Experimenten erhalten, bei denen ein Interdigitalwandler 12 fünfzehn, vierunddreißig bzw. achtzig Paare Elektrodenfinger aufweist, die auf einem aus PZT gebildeten piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, und bei denen λ ca. 36 μm beträgt.
  • Die vertikale Achse in 6 stellt das Verhältnis des Abweichungsbetrags Δf = f2 – f0 der gemessenen Resonanzfrequenz f2 von der Zielresonanzfrequenz f0 bezüglich der Zielresonanzfrequenz f0 dar, und die horizontale Achse stellt die Position der Endoberfläche dar. Die „0" auf der horizontalen Achse bedeutet, daß die Kante an der vorgesehenen Position (Position C) positioniert ist, welche um ca. λ/2 von der Mitte der Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist.
  • Wie aus 6 ersichtlich ist, variieren die Resonanzfrequenzen bei dem Reflektor vom Kantenreflexionstyp, der den Interdigitalwandler 12 vom Doppelelektrodentyp umfaßt, auf dieselbe Weise wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel, indem die Position jeder der Kanten verschoben wird.
  • Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel tritt ferner eine bedeutende Störreaktion bezüglich des Frequenzcharakteristikums auf, wenn jede der Kanten an einer Position gebildet wird, die zu stark von der vorgesehenen Position nach außen oder nach innen verschoben ist.
  • Das durch den Pfeil Q1 in 7 angezeigte Charakteristikum zeigt das Frequenzcharakteristikum, das vorliegt, wenn jede der Kanten an der Position gebildet ist, die von der vorgesehenen Position um ca. –λ/4 entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist. Wie durch den Pfeil Y in der Figur angezeigt ist, wird eine bedeutende Störreaktion beobachtet.
  • Das durch den Pfeil Q2 in 7 angezeigte Charakteristikum zeigt das Frequenzcharakteristikum an, das vorliegt, wenn jede der Kanten an der Position angeordnet ist, die von der vorgesehenen Position um ca. –λ/8 verschoben ist. Man kann sehen, daß die oben beschriebene Störreaktion in hohem Maße unterdrückt wurde.
  • Ferner zeigt das durch den Pfeil Q3 in 7 angedeutete Charakteristikum das Frequenzcharakteristikum, das vorliegt, wenn jede der Kanten an der Position angeordnet ist, die von den vorgesehenen Positionen um ca. –λ/16 verschoben ist. Es wird erkannt, daß die oben beschriebene Störreaktion effektiver unterdrückt wird, wenn die Position jeder der Kanten in dem Bereich von ca. ±λ/16 von der vorgesehenen Position entfernt liegt.
  • Deshalb ist es bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel ferner bestätigt, daß durch Bilden jeder der Kanten an einer Position in dem Bereich von ca. ±λ/8 von der vorgesehenen Position, stärker bevorzugt in dem Bereich von ca. ±λ/16 von derselben, ein überlegenes Frequenzcharakteristikum mit einer geringen Störreaktion erreicht werden kann.
  • Bei dem ersten bzw. dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wurden Beschreibungen des Beispiels des Oberflächenwellenresonators, der einen Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp verwendet, und desjenigen des Oberflächenwellenresonators, der einen Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp verwendet, angegeben. Jedoch kann die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen verschiedener Oberflächenwellenbauelemente angewandt werden, die Wandler vom Einzelelektrodentyp und vom Doppelelektrodentyp umfassen. 8 bis 14 zeigen weitere Beispiele von Oberflächenwellenbauelementen, auf die bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden.
  • In 8 und 9 veranschaulichte Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp 21 und 31 sind Oberflächenwellenfilter vom Kantenreflexionstyp und vom transversal gekoppelten Typ, die zwei Interdigitalwandler 22 bzw. 23 vom Einzelelektrodentyp und zwei Interdigitalwandler 32 bzw. 33 vom Doppelelektrodentyp aufweisen.
  • 10 veranschaulicht charakteristische Beispiele eines Resonatorfilters vom transversal gekoppelten Typ, das ein vorzugsweise aus PZT hergestelltes piezoelektrisches Substrat verwendet, das in 9 gezeigt ist. In 10 gibt C ein Charakteristikum an, das vorliegt, wenn jede der Kanten an der vorgesehenen Position gebildet wird, und D, E, F und G geben Charakteristika an, die vorliegen, wenn jede der Kanten an den Positionen gebildet wird, die außerhalb der vorgesehenen Position um Ca. λ/32 , λ/16 , λ/8 bzw. λ/4 verschoben sind. Wie man sehen kann, kann die Mittenfrequenz durch Variieren der Kantenbildungsposition eingestellt werden. Bezüglich der Filtercharakteristika stellt man fest, daß der Einfügungsverlust sehr gering und die Störreaktion sehr groß ist, wenn jede der Kanten an der Position gebildet wird, die außerhalb der vorgesehenen Position um ca. λ/4 verschoben ist. Wenn die Kantenbildungsposition um ca. λ/8 außerhalb der vorgesehenen Position verschoben ist, weisen diese Filtercharakteristika mäßige Ergebnisse auf, und wenn die Bildungsposition um ca. λ/16 außerhalb der vorgesehenen Position verschoben ist, weisen die Filtercharakteristika überlegene Resultate auf. Obwohl 10 die Ergebnisse des Falles zeigt, bei dem die Kantenbildungsposition außerhalb der vorgesehenen Position verschoben ist, ermöglicht das Verschieben der Kantenbildungsposition innerhalb der vorgesehenen Position, daß die Mittenfrequenz eingestellt wird, um zu einer höheren Frequenz hin verschoben zu werden. In diesem Fall weisen der Einfügungsverlust und die Störreaktion dieselben Werte auf wie in dem Fall, bei dem die Kantenbildungsposition außerhalb der vorgesehenen Position verschoben wird. Ein Resonatorfilter eines longitudinal gekoppelten Typs, das im folgenden beschrieben wird, zeigt ähnliche Ergebnisse.
  • Ein in 11 gezeigtes Oberflächenwellenbauelement 41 ist ein Oberflächenwellenfilter eines longitudinal gekoppelten Typs, bei dem Interdigitalwandler 43 und 44 vom Einzelelektrodentyp auf einem piezoelektrischen Substrat 42 entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind.
  • Ein in 12 gezeigtes Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 51 ist ein Oberflächenwellenfilter vom longitudinal gekoppelten Typ, das Interdigitalwandler 52 und 53 vom Doppelelektrodentyp aufweist.
  • Die in 13 und 14 gezeigten Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp 61 und 71 sind Abzweigfilter, die Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp bzw. Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp aufweisen.
  • Das Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann allgemein auf die Produktion diverser Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp neben den verschiedenen in 8 bis 14 gezeigten Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp, wie oben beschrieben, angewandt werden.
  • Auch wenn die Abweichung des Frequenzcharakteristikums aufgrund von Wafern eingetreten ist, kann ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das einbeabsichtigtes Frequenzcharakteristikum aufweist, bei dem Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ohne weiteres durch Messen des Charakteristikums des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das zunächst auf dem identischen Wafer gebildet wurde, und durch Einstellen der Kantenbildungsposition bei den verbleibenden Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auf dem identischen Wafer in Abhängigkeit von der Abweichung des erhaltenen Charakteristikums von dem Zielcharakteristikum erhalten werden, wie aus dem Vorstehenden offensichtlich ist.
  • Bei dem ersten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wird jede der beiden gegenüberliegenden Kanten durch Schneiden des Piezoelektrikums an einer Position gebildet, die in dem Bereich von ca. +λ/8 von der vorgesehenen Position entfernt liegt, und dadurch wird die Frequenz so eingestellt, daß sie niedriger wird. Andererseits wird bei dem zweiten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung jede der beiden gegenüberliegenden Kanten durch Schneiden des Piezoelektrikums an einer Position gebildet, die innerhalb der vorgesehenen Position liegt, zum Beispiel in dem Bereich von ca. –λ/8 von der vorgesehenen Position entfernt, und dadurch wird die Frequenz so eingestellt, daß sie höher wird.
  • Bei dem ersten oder zweiten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, insbesondere, wenn jede der Kanten durch Schneiden an einer Position in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/16 oder der vorgesehenen Position von ca. –λ/16 gebildet wird, wird die unerwünschte Störreaktion noch stärker unterdrückt, wodurch ein überlegenes Resonanzcharakteristikum oder Filtercharakteristikum erreicht wird.
  • Bei dem dritten und vierten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wird, nachdem der Interdigitalwandler auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet wurde, die Position, die um ca. λ/2 nach außen in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle von der Mitte des Elektrodenfingers, der zu jedem der äußersten Elektrodenfinger benachbart ist, beabstandet ist, auf eine vorgesehene Position eingestellt, und jede der beiden gegenüberliegenden Kanten wird durch Schneiden an einer Position in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/8 oder der vorgesehenen Position von ca. –λ/8 gebildet. Daher kann die unerwünschte Störreaktion effektiv unterdrückt werden, wodurch ein überlegenes Resonanzcharakteristikum oder Filtercharakteristikum erreicht wird. Wenn zudem jede der Kanten durch Schneiden an einer Position in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/8 oder der vorgesehenen Position von ca. –λ/8 gebildet wird, kann die Resonanzfrequenz oder die Mittenfrequenz ohne weiteres eingestellt werden, um niedriger oder höher zu werden, indem die Position jeder der Kanten eingestellt wird.
  • Bei dem dritten oder vierten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung kann die unerwünschte Störreaktion effektiver unterdrückt werden, wenn jede der Kanten vorzugsweise durch Schneiden in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/16 oder der vorgesehenen Position von ca. –λ/16 gebildet wird.

Claims (14)

  1. Verfahren zum Einstellen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp (1), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bestimmen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat (2) aufweist, wobei das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats aufweist, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren, wobei der vorbestimmte Abstand einem Wert von λ/2 × N entspricht, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist; und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an mindestens einer Position, die von der vorbestimmten Position des Paars von Kanten nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist, wenn die beabsichtigte Resonanzfrequenz höher sein soll als die durch die Impedanz-Frequenz-Charakteristik erhaltene Resonanzfrequenz, wobei die Positionen, bei denen das piezoelektrische Substrat (2) beim Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats (2) gegenüber den Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand bei dem Bestimmen der Impedanz-Frequenz-Charakteristik definieren, um λ/8 oder weniger verschoben werden.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die mindestens eine Position, an der das piezoelektrische Substrat (2) in dem Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats von Positionen der Kanten, die den vorbe stimmten Abstand in dem Schritt des Bestimmens der Impedanz-Frequenz-Charakteristik definieren, um ca. λ/16 oder weniger verschoben werden, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist.
  3. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler (3) vom Einzelelektrodentyp aufweist.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, bei dem die Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, bei ungefähren Mitten von Elektroden (4, 5) angeordnet sind.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler (3) vom Doppelelektrodentyp aufweist.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, bei dem jede der Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, bei einer ungefähren Mitte eines Paars von Elektrodenfingern (4a, 4b, 5a5c), die eine Doppelelektrode bilden, angeordnet ist.
  7. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp (1), das mindestens einen Interdigitalwandler (3) umfaßt und eine Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ verwendet, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf einem piezoelektrischen Substrat (2); Schneiden des piezoelektrischen Substrats und Erzeugen eines Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das mindestens einen der Interdigitalwandler und ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats umfaßt, wobei das Paar Kanten einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definiert; Messen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik der Referenz-Oberflächenwelle vom Kantenreflexionstyp; Bestimmen von Positionen eines Paars Kanten, die jedes von verbleibenden Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp definieren, auf der Basis der gemessenen Impedanz-Frequenz-Charakteristik, wobei ein Abstand zwischen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp kleiner ist als der vorbestimmte Abstand, wenn eine beabsichtigte Resonanzfrequenz der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp höher sein soll als die durch die Impedanz-Frequenz-Charakteristik erhaltene Resonanzfrequenz, und ein Abstand zwischen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn die beabsichtigte Resonanzfrequenz der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als die aus der Impedanz-Frequenz-Charakteristik erhaltene Resonanzfrequenz; und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an den bestimmten Positionen, um die verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp zu erzeugen.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem die Positionen von Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp von Positionen der Referenzkanten der Referenz-Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp um ca. λ/8 oder weniger verscho ben werden, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem verbleibenden Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, bei dem die Positionen von Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp von Positionen der Referenz kanten der Referenz-Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp um ca. λ/16 oder weniger verschoben werden, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem verbleibenden Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler (3) vom Einzelelektrodentyp aufweist.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem die Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, bei ungefähren Mitten von Elektroden (4, 5) angeordnet sind.
  12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler (3) vom Doppelelektrodentyp aufweist.
  13. Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp (1) gemäß Anspruch 12, bei dem jede der Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, bei einer ungefähren Mitte eines Paars von Elektrodenfingern (4a, 4b, 5a5c), die eine Doppelelektrode bilden, angeordnet ist.
  14. Verfahren zum Einstellen eines Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp (1), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Oberflächenwellenbauelements ohne Kantenreflektoren auf einem piezoelektrischen Substrat (2); Bestimmen einer Impedanz-Frequenz-Charakteristik eines Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das dem bereitgestellten Oberflächenwellenbauelement entspricht und ein Paar Kanten aufweist, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren, wobei der vorbestimmte Abstand einem Wert von λ/2 × N entspricht, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist; und Schneiden des piezoelektrischen Substrats des Oberflächenwellenbauelements an mindestens einer Position, die von der vorbestimmten Position des Paars von Kanten nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist, wenn die beabsichtigte Resonanzfrequenz höher sein soll als die durch die Impedanz-Frequenz-Charakteristik erhaltene Resonanzfrequenz, und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an mindestens einer Position, die einen Abstand definiert, der größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn die beabsichtigte Resonanzfrequenz niedriger sein soll als die erhaltene Resonanzfrequenz, wobei die Positionen, bei denen das piezoelektrische Substrat (2) beim Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats (2) gegenüber den Positionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand bei dem Bestimmen der Impedanz-Frequenz-Charakteristik definieren, um λ/8 oder weniger verschoben werden.
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