DE10143730A1 - Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp - Google Patents
Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom KantenreflexionstypInfo
- Publication number
- DE10143730A1 DE10143730A1 DE10143730A DE10143730A DE10143730A1 DE 10143730 A1 DE10143730 A1 DE 10143730A1 DE 10143730 A DE10143730 A DE 10143730A DE 10143730 A DE10143730 A DE 10143730A DE 10143730 A1 DE10143730 A1 DE 10143730A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- reflection type
- edge reflection
- edges
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
- H03H9/6463—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14552—Transducers of particular shape or position comprising split fingers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49009—Dynamoelectric machine
- Y10T29/49011—Commutator or slip ring assembly
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/4908—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Abstract
Ein Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp umfaßt den Schritt des Erhaltens eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat aufweist. Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp weist ein Paar von Kanten des piezoelektrischen Substrats auf, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren. Ferner wird das piezoelektrische Substrat an mindestens einer eines Paars von Positionen geschnitten, die einen Abstand definieren, der kleiner ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp höher sein soll als das erhaltene Frequenzcharakteristikum. Das piezoelektrische Substrat wird an mindestens einer eines Paars von Positionen geschnitten, die einen Abstand definieren, der größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als das erhaltene Frequenzcharakteristikum.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren
zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kanten
reflexionstyp zur Verwendung in einem Bandpaßfilter, einem
Sperrfilter oder einer anderen geeigneten Vorrichtung, so
wie auf ein Verfahren zum Einstellen einer Resonanzfrequenz
eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp.
Wie beispielsweise in den ungeprüften japanischen Patentan
meldungen Nr. 5-183376 und Nr. 5-145370 offenbart ist, wur
den bereits verschiedene Oberflächenwellenbauelemente vom
Kantenreflexionstyp, die eine Oberflächenwelle vom SH-Typ
(SH = shear horizontal = Scher-Horizontal), wie zum Bei
spiel eine BGS-Welle verwenden, vorgeschlagen.
Bei einem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ ist ein Interdigitalwandler auf einem piezoelektrischen
Substrat, das zwei gegenüberliegende Kanten aufweist, ange
ordnet. Eine Mehrzahl von Elektrodenfingern in dem Interdi
gitalwandler erstreckt sich in der parallel zu den Kanten
verlaufenden Richtung. Eine angeregte akustische Oberflä
chenwelle wird zwischen den beiden gegenüberliegenden Kan
ten reflektiert, es tritt eine stehende Welle auf, und das
Resonanzcharakteristikum, das auf der stehenden Welle ba
siert, wird verwendet.
Da das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
keinen Reflektor erfordert, ermöglicht es eine Miniaturi
sierung eines Oberflächenwellenbauelements.
Für die Herstellung des oben beschriebenen Oberflächenwel
lenbauelements vom Kantenreflexionstyp wird ein Wafer ange
fertigt, der aus einem piezoelektrischen Material besteht.
Daraufhin wird eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf
dem Wafer gebildet. Als nächstes wird der Wafer geschnit
ten, es werden zwei gegenüberliegende Kanten desselben ge
bildet, und aus dem einzelnen Wafer wird eine Mehrzahl von
Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp aus
geschnitten.
Bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
können gewünschte Resonanz- und Filtercharakteristika nicht
erreicht werden, wenn die beiden gegenüberliegenden Kanten
nicht korrekt gebildet sind. Beim Bilden von Kanten unter
Verwendung eines Interdigitalwandlers vom Einzelelektroden
typ wurde also jede der Kanten zuvor an der Position, die
um λ/2 oder ein ganzzahliges Vielfaches von λ/2 nach au
ßen in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflä
chenwelle von der Mitte des Elektrodenfingers, der zu jedem
der äußersten Elektrodenfinger benachbart ist, beabstandet
ist, ausgeschnitten. Beim Bilden von Kanten unter Verwen
dung eines Interdigitalwandlers vom Doppelelektrodentyp,
der ein Paar von Elektrodenfingerabschnitten umfaßt, wurde
andererseits jede der Kante an der Position ausgeschnit
ten, die um ein ganzzahliges Vielfaches von λ/2 in der
Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
nach außen von der Mitte zwischen dem Paar von Elektroden
fingerabschnitten des Elektrodenfingers beabstandet ist,
der zu jedem der Elektrodenfinger, die an den äußersten
Seiten des Interdigitalwandlers in der Ausbreitungsrichtung
einer Oberflächenwelle angeordnet sind, benachbart ist.
Bei einem tatsächlichen Herstellungsprozeß wird eine Mehr
zahl von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexi
onstyp aus einem Wafer geschnitten. Bei der Massenprodukti
on von Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexions
typ wurden ferner Interdigitalwandler auf jedem einer Mehr
zahl von Wafern auf dieselbe Weise gebildet, und die Mehr
zahl von Wafern wurde von oben geschnitten.
Auch wenn eine Mehrzahl von Wafern angefertigt wird, sowie
eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf dieselbe Weise
gebildet wird, und Kanten durch Schneiden mit hoher Genau
igkeit gebildet werden, tritt jedoch insofern ein Problem
auf, als die Frequenzcharakteristika unter den zahlreichen
erhaltenen Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexi
onstyp variieren. Das liegt daran, daß die piezoelektri
schen Charakteristika von Wafer zu Wafer variieren.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah
ren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines
Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und
ein Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Kantenreflexionstyp zu schaffen, so daß das er
haltene Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
verbesserte Eigenschaften aufweist.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
ein Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
mindestens einen Interdigitalwandler umfaßt und eine Ober
flächenwelle vom SH-Typ verwendet.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1
oder ein Verfahren gemäß Anspruch 8 gelöst.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Kantenreflexionstyp schaffen, um Variationen bei
den Frequenzcharakteristika unter den hergestellten Ober
flächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auszu
schalten und zu ermöglichen, daß ein gewünschtes Frequenz
charakteristikum realisiert wird.
Das Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristi
kums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexi
onstyp gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung umfaßt den Schritt des Bestimmens eines
Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches
Substrat aufweist. Das Oberflächenwellenbauelement vom Kan
tenreflexionstyp weist ein Paar Kanten des piezoelektri
schen Substrats auf, die einen vorbestimmten Abstand zwi
schen denselben definieren. Das piezoelektrische Substrat
wird an mindestens einem Paar Positionen geschnitten, die
einen Abstand definieren, der kleiner ist als der vorbe
stimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteri
stikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexi
onstyp höher sein soll als das vorbestimmte Frequenzcharak
teristikum, und wird an mindestens einer eines Paars von
Positionen geschnitten, die einen Abstand definieren, der
größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließ
liches Frequenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbau
elements vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als
das vorbestimmte Frequenzcharakteristikum.
Die Positionen, an denen das piezoelektrische Substrat bei
dem Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Substrats
geschnitten wird, sind von Positionen der Kanten, die den
vorbestimmten Abstand in dem Frequenzcharakteristikum-
Bestimmungsschritt definieren, vorzugsweise um ca. λ/8
oder weniger und stärker bevorzugt um ca. λ/16 verschoben,
wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle vom SH-Typ
ist, die bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenre
flexionstyp anzuregen ist.
Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
kann einen Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp um
fassen. In diesem Fall sind die Positionen der Kanten, die
den vorbestimmten Abstand definieren, vorzugsweise an unge
fähren Mitten von Elektroden positioniert.
Alternativ dazu kann das Oberflächenwellenbauelement vom
Kantenreflexionstyp einen Interdigitalwandler vom Doppel
elektrodentyp umfassen. In diesem Fall ist jede der Posi
tionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definie
ren, an einer ungefähren Mitte eines Paars von
Elektrodenfingern, die eine Doppelelektrode bilden,
positioniert.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung umfaßt das Verfahren zum Herstellen
eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp,
das mindestens einen Interdigitalwandler umfaßt und eine
Oberflächenwelle vom SH-Typ verwendet, folgende Schritte:
Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf einem
piezoelektrischen Substrat; Schneiden des piezoelektrischen
Substrats und Erzeugen eines Referenz-
Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das
mindestens einen der Interdigitalwandler und ein Paar Kan
ten des piezoelektrischen Substrats umfaßt, wobei das Paar
Kanten einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben defi
niert; Messen eines Frequenzcharakteristikums der Referenz-
Oberflächenwelle vom Kantenreflexionstyp; Bestimmen von Po
sitionen eines Paars Kanten, die jedes von verbleibenden
Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auf
der Basis des gemessenen Frequenzcharakteristikums definie
ren; und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an den
bestimmten Positionen, um die verbleibenden Oberflächenwel
lenbauelemente vom Kantenreflexionstyp zu erzeugen.
Bei dem Positionsbestimmungsschritt wird ein Abstand zwi
schen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellen
bauelemente vom Kantenreflexionstyp vorzugsweise kürzer
ausgeführt als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließ
liches Frequenzcharakteristikum der verbleibenden Oberflä
chenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp höher sein
soll als das gemessene Frequenzcharakteristikum, und ein
Abstand zwischen dem Paar Kanten der verbleibenden Oberflä
chenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp wird vorzugs
weise größer ausgeführt als der vorbestimmte Abstand, wenn
ein schließliches Frequenzcharakteristikum der verbleiben
den Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp
niedriger sein soll als das gemessene Frequenzcharakteri
stikum.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächen
wellenbauelement vom Kantenreflexionstyp gemäß ei
nem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Be
trag, um den die durch Schneiden geformte Kante von
der vorgesehenen Position verschoben ist, und dem
Verhältnis des Abweichungsbetrags Δf der gemesse
nen Resonanzfrequenz von der Zielresonanzfrequenz f
bezüglich der Zielresonanzfrequenz f bei dem ersten
bevorzugten Ausführungsbeispiel zeigt;
Fig. 3 ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt,
wenn die Positionen der Kante bei dem ersten bevor
zugten Ausführungsbeispiel die vorgesehene Position
von -λ/4, die vorgesehene Position von -λ/8 und
die vorgesehene Position von -λ/16 sind;
Fig. 4 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden
konfiguration eines Oberflächenwellenbauelements
vom Kantenreflexionstyp gemäß einem zweiten bevor
zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung zeigt;
Fig. 5 eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die die
Schneideposition, bei der eine Kante gebildet wird,
bei dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenre
flexionstyp gemäß einem zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel, das in Fig. 4 gezeigt ist, zeigt;
Fig. 6 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Posi
tion der durch Schneiden gebildeten Kante und dem
Verhältnis des Abweichungsbetrags Δf der gemesse
nen Mittenfrequenz von der Zielmittenfrequenz f0
bezüglich der Zielmittenfrequenz f0 bei dem zweiten
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 7 ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt,
wenn die Positionen der Kante bei dem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel die vorgesehene Posi
tion von -λ/4, die vorgesehene Position von -λ/8
und die vorgesehene Position von -λ/16 der vorlie
genden Erfindung sind;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächen
wellenfilter eines transversal gekoppelten Typs,
das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp um
faßt, als Beispiel eines Oberflächenwellenbauele
ments, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
Fig. 9 eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächen
wellenfilter eines transversal gekoppelten Typs,
das Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp um
faßt, als Beispiel eines Oberflächenwellenbauele
ments, auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung angewandt werden, zeigt;
Fig. 10 ein Diagramm, das Variationen bezüglich der Fre
quenzcharakteristika bei dem Resonatorfilter eines
transversal gekoppelten Typs, das Interdigitalwand
ler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, zeigt, wenn die
Position der Kante variiert wird;
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht, die ein Oberflächen
wellenfilter eines longitudinal gekoppelten Typs,
das Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp um
faßt, als weiteres Beispiel eines Oberflächenwel
lenbauelements, auf das bevorzugte Ausführungsbei
spiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden,
zeigt;
Fig. 12 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden
konfiguration eines Oberflächenwellenfilters eines
longitudinal gekoppelten Typs, das Interdigital
wandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, als weite
res Beispiel eines Oberflächenwellenbauelements,
auf das bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorlie
genden Erfindung angewandt werden, zeigt;
Fig. 13 eine Draufsicht, die ein Abzweigfilter, das Inter
digitalwandler vom Einzelelektrodentyp umfaßt, als
weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauele
ments eines Endoberflächenreflexionstyps, auf das
bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung angewandt werden, zeigt; und
Fig. 14 eine Draufsicht, die ein Abzweigfilter, das Inter
digitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, als
weiteres Beispiel eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Endoberflächenreflexionstyp, auf das be
vorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Er
findung angewandt werden, zeigt.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel
eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp
gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung zeigt. Das Oberflächenwellenbauelement
vom Kantenreflexionstyp 1 gemäß diesem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel ist vorzugsweise ein Oberflächenwellenbauele
ment vom Kantenreflexionstyp, das eine BGS-Welle als eine
Oberflächenwelle vom SH-Typ verwendet.
Das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1
weist ein piezoelektrisches Substrat 2 auf, das eine im we
sentlichen rechtwinklige Plattenform aufweist. Das piezo
elektrische Substrat 2 ist vorzugsweise aus einem piezo
elektrischen Einkristall, wie beispielsweise LiNbO3, LiTaO3,
oder aus einer piezoelektrischen Keramik, wie zum Beispiel
einer Keramik auf der Basis von Bleititanatzirkonat (PZT),
hergestellt. Wenn das piezoelektrische Substrat 2 eine pie
zoelektrische Keramik ist, ist das piezoelektrische Sub
strat 2 einem Polarisierungsprozeß in der Richtung des in
Fig. 1 gezeigten Pfeils P unterworfen. Das piezoelektrische
Substrat 2 weist Endoberflächen 2a und 2b auf, die im we
sentlichen parallel zueinander sind.
Auf der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2
ist ein Interdigitalwandler 3 angeordnet. Der Interdigital
wandler 3 weist ein Paar kammförmige Elektroden 4 und 5
auf, die vorzugsweise aus einem geeigneten metallischen Ma
terial, beispielsweise Al, hergestellt sind. Die kammförmi
gen Elektroden 4 und 5 weisen eine Mehrzahl von Elektroden
fingern 4a und 4b bzw. 5a bis 5c auf. Bei dem Interdigital
wandler 3 beträgt die Breite jedes der Elektrodenfinger 5a
und 5c, die an den äußersten Seiten in der Ausbreitungs
richtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind, vorzugs
weise ca. λ/8. Hier bezeichnet λ eine Wellenlänge einer
angeregten Oberflächenwelle.
Die Breite jedes der verbleibenden Elektrodenfinger 4a, 4b
und 5b beträgt vorzugsweise ca. λ/4. Der Zwischenraum zwi
schen den Elektrodenfingern beträgt vorzugsweise ca. λ/4.
Ein Abstand zwischen der Endoberfläche 2a und 2b beträgt
vorzugsweise ca. λ/2 × N, wobei λ eine Wellenlänge einer
Oberflächenwelle ist, die durch den Interdigitalwandler 3
anzuregen ist, und N eine Ganzzahl ist, die größer als eins
ist, so daß die angeregte Welle eine stehende Welle zwi
schen den Endoberflächen 2a und 2b wird.
Bei dem Herstellungsverfahren für das Oberflächenwellenbau
element vom Kantenreflexionstyp 1 gemäß diesem bevorzugten
Ausführungsbeispiel wird zunächst ein Wafer zum Bilden des
piezoelektrischen Substrats 2 angefertigt. Im einzelnen
wird ein großer Wafer, der aus dem oben beschriebenen pie
zoelektrischen Einkristall oder der oben beschriebenen pie
zoelektrischen Keramik aufgebaut ist, angefertigt, und eine
Mehrzahl von Interdigitalwandlern 3 wird auf dem Wafer an
geordnet, um eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelemen
ten vom Kantenreflexionstyp 1 zu konfigurieren.
Als nächstes werden die Endoberflächen 2a und 2b durch
Schneiden des Wafers der Dicke nach gebildet, und somit
wird das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ 1 ausgeschnitten. In dem Fall wird der Abstand zwischen
den Endoberflächen 2a und 2b auf einen vorgesehenen Wert
eingestellt, so daß das Oberflächenwellenbauelement vom
Kantenreflexionstyp 1 vorgesehene Charakteristika aufweist,
die eine Resonanzfrequenz umfassen.
Wie oben beschrieben ist, können sich die piezoelektrischen
Charakteristika jedoch von Wafer zu Wafer unterscheiden,
und wenn zahlreiche Oberflächenwellenbauelemente vom Kan
tenreflexionstyp 1 aus einer Mehrzahl von Wafern erhalten
werden, können die Resonanzcharakteristika unter diesen
Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp folg
lich variieren.
Dementsprechend wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbei
spiel zunächst ein Paar Kanten 2a und 2b durch Ausschneiden
aus einem Wafer an den vorgesehenen Positionen gebildet,
wodurch die beiden gegenüberliegenden Kanten eines einzel
nen Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp
gebildet werden, und das Frequenzcharakteristikum, beson
ders eine Resonanzfrequenz des Oberflächenwellenbauelements
vom Kantenreflexionstyp 1, bei dem die Kanten gebildet
sind, wird gemessen. Somit wird angenommen, daß andere
Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp, die
aus dem verbleibenden Abschnitt des Wafers auszuschneiden
sind, durch Ausschneiden aus einem Wafer bei den vorgesehe
nen Positionen dieselben gemessenen Frequenzcharakteristika
aufweisen. Wenn das so gemessene Frequenzcharakteristikum
von einem gewünschten abweicht, werden die Schneidepositio
nen der beiden gegenüberliegenden Kanten geändert, um die
Abweichung zu korrigieren, und daraufhin werden zwei gege
nüberliegende Kanten jedes der Oberflächenwellenbauelemente
vom Kantenreflexionstyp, die an dem verbleibenden Abschnitt
des Wafers konfiguriert sind, durch Schneiden gebildet.
Im einzelnen wird eine Einstellung der Frequenz durch Ein
stellen der Bildungsposition der Kanten, d. h. eines Ab
stands zwischen den Kanten, durchgeführt. Herkömmlicherwei
se wird die tatsächliche Position der Kanten 2a und 2b als
identisch mit der vorgesehenen Position der Kanten 2a und
2b, die einen Abstand von ca. λ/2 × N ergeben, bestimmt.
Im Gegensatz dazu sind bei bevorzugten Ausführungsbeispie
len der vorliegenden Erfindung die tatsächlichen Positionen
der Kanten 2a und 2b an der Innenseite oder Außenseite der
vorgesehenen Position in der Ausbreitungsrichtung einer
Oberflächenwelle eingestellt, so daß der Abstand zwischen
den tatsächlichen Kanten 2a und 2b entweder größer oder
kleiner als die vorgesehene Position der Kanten 2a und 2b,
die einen Abstand von ca. λ/2 × N ergeben, sein kann, wo
durch eine Resonanzfrequenz eingestellt wird.
Dies kann unter Bezugnahme auf die relative Position bezüg
lich der Position eines nächstinneren Elektrodenfingers,
der zu dem äußersten Elektrodenfinger benachbart ist, er
klärt werden. Im einzelnen wurde jede der Positionen 2a und
2b herkömmlicherweise bei Positionen eingestellt, die um
λ/2 nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer akusti
schen Oberflächenwelle von der Mitte jedes der Elektroden
finger 4a und 4b, die zu den äußersten Elektrodenfingern 5a
und 5c benachbart sind, beabstandet sind. Im Gegensatz dazu
wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel jede der
beiden gegenüberliegenden Kanten durch Schneiden an einer
Position an der Innenseite oder Außenseite der vorgesehenen
Position gebildet, welche die Position ist, die um ca. λ/2
von der Mitte jedes der Elektrodenfinger 4a und 4b nach au
ßen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle
beabstandet ist.
Fig. 2 zeigt die Variation bezüglich der Resonanzfrequenz
des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp 1,
wenn die Kante 2b bei Positionen gebildet wird, die bei ei
nem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1,
das fünfzehn Paare Elektroden bzw. achtzig Paare Elektroden
aufweist, von der vorgesehenen Position, die um ca. λ/2
von der Mitte des Elektrodenfingers 4b beabstandet ist,
nach außen verschoben sind. Die in Fig. 2 gezeigten Ergeb
nisse werden aus den Experimenten erhalten, bei denen fünf
zehn Paare und achtzig Paare Elektrodenfinger bei dem Ober
flächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 auf einem
aus PZT hergestellten piezoelektrischen Substrat angeordnet
sind, und bei denen λ ca. 58 µm beträgt. Es ist zu beach
ten, daß sich der Begriff "Paar" auf einen Elektrodenfin
ger, der zu der kammförmigen Elektrode 4 gehört, und einen
Elektrodenfinger, der zu der kammförmigen Elektrode 5 ge
hört, die zueinander benachbart sind, bezog.
Die vertikale Achse in Fig. 2 stellt das Verhältnis Δf/f
des Abweichungsbetrags Δf = f1 - f der gemessenen Reso
nanzfrequenz f1 von der Zielresonanzfrequenz f bezüglich
der Zielresonanzfrequenz f dar. Die "0" auf der horizonta
len Achse stellt die vorgesehene Position, die um λ/2 von
der Mitte des Elektrodenfingers 4b nach außen in die Aus
breitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet ist,
dar. "Die Kantenposition" auf der horizontalen Achse be
zieht sich auf eine Kantenbildungsposition, wenn die vorge
sehene Position an dem Ursprung (d. h. 0) eingestellt ist.
Hier bedeutet die "+"'-Richtung von der vorgesehenen Positi
on 0, daß eine Kante außerhalb der vorgesehenen Position in
der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle gebildet
wird.
Es ist zu beachten, daß Fig. 2 die Ergebnisse angibt, die
erhalten werden, wenn sowohl die Kante 2a als auch die Kan
te 2b mit demselben Verschiebungsbetrag und in derselben
Richtung gebildet werden. Es ist vorzuziehen, daß sowohl
die Kante 2a als auch die Kante 2b mit demselben Verschie
bungsbetrag und in derselben Richtung gebildet werden, so
daß das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp
bezüglich einer Mittellinie, die im wesentlichen parallel
zu Elektrodenfingern der Interdigitallinien ist, symme
trisch ist. Es ist jedoch möglich, eine Resonanzfrequenz
nur durch Verschieben von entweder der Kante 2a oder der
Kante 2b von der jeweiligen vorgesehenen Position zu ver
schieben.
Durch Verschieben der Bildungsposition jeder der Kanten 2a
und 2b von der vorgesehenen Position weicht die Resonanz
frequenz ab, wie aus Fig. 2 hervorgeht. Insbesondere wird
anerkannt, daß die Frequenz so eingestellt wird, daß die
Resonanzfrequenz niedriger wird, wenn jede der Kanten durch
Schneiden des piezoelektrischen Substrats außerhalb der
vorgesehenen Position gebildet wird, so daß der Abstand
zwischen den Kanten 2a und 2b größer wird als der vorgese
hene Wert von ca. λ/2 × N, und daß die Frequenz so einge
stellt wird, daß die Resonanzfrequenz höher wird, wenn jede
der Kanten innerhalb der vorgesehenen Position in der Aus
breitungsrichtung einer Oberflächenwelle positioniert wird,
so daß der Abstand zwischen den Kanten 2a und 2b kleiner
wird als der vorgesehene Wert von ca. λ/2 × N.
Auf diese Weise kann die Resonanzfrequenz durch Schneiden
an einer Position, die von der vorgesehenen Position nach
außen oder nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung ei
ner Oberflächenwelle verschoben ist, eingestellt werden.
Dementsprechend wird gemäß bevorzugten Ausführungsbeispie
len der vorliegenden Erfindung zunächst eine Kalibrierung,
welche die Frequenzverschiebung bezüglich einer positions
bezogenen Verschiebung von der vorgesehenen Position der
Kanten, beispielsweise Fig. 2, anzeigt, durch ein Experi
ment erhalten. Daraufhin werden ein Referenz-
Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das
ein Paar Kanten 2a und 2b aufweist, die durch Ausschneiden
aus einem Wafer an den vorgesehenen Positionen gebildet
sind, und eine Resonanzfrequenz des Referenz-
Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp gemes
sen.
Daraufhin wird eine Abweichung der gemessenen Resonanzfre
quenz von einer vorgesehenen Resonanzfrequenz errechnet,
und ein Positionsverschiebungsbetrag und die Richtung der
Verschiebung werden aus der Kalibrierung auf der Basis des
Unterschieds erhalten, so daß der Unterschied aufgehoben
wird. Auf diese Weise kann zuverlässig ein Oberflächenwel
lenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das eine beabsich
tigte Resonanzfrequenz aufweist, erreicht werden.
Es ist zu beachten, daß, wenn die Bildungsposition jeder
der Kanten 2a und 2b zu stark von der vorgesehenen Position
nach außen oder nach innen verschoben wird, nicht nur das
Impedanzverhältnis des Resonanzcharakteristikums abnimmt,
sondern daß auch eine unerwünschte Störreaktion bezüglich
des Frequenzcharakteristikums auftritt. Das in Fig. 3 durch
den Pfeil P1 bezeichnete Charakteristikum zeigt das Fre
quenzcharakteristikum, das vorliegt, wenn jede der Kanten
2a und 2b an der Position, die von der vorgesehenen Positi
on um ca. λ/4 nach innen entlang der Ausbreitungsrichtung
einer Oberflächenwelle verschoben ist, gebildet wird. Wenn
jede der Kanten bei einer Position gebildet wird, die über
den Bereich von ca. ±λ/8 hinaus von der vorgesehenen Posi
tion nach innen verschoben ist, tritt bezüglich des Fre
quenzcharakteristikums eine bedeutende Störreaktion auf,
die in der Figur durch den Pfeil X angezeigt ist. Wenn jede
der Kanten andererseits bei einer Position gebildet wird,
die über den Bereich von ca. ±λ/8 hinaus von der vorgese
henen Position nach außen verschoben ist, unterscheidet
sich die Resonanzfrequenz von dem oben beschriebenen Fall,
jedoch ist der Pegel der Störreaktion gleich demselben.
Der Pfeil P2 in Fig. 3 zeigt das Frequenzcharakteristikum
an, das vorliegt, wenn die Bildungsposition jeder der Kan
ten in dem Bereich der vorgesehenen Positionen von ca.
±λ/8 liegt, beispielsweise an der vorgesehenen Position
von ca. -λ/8. Man kann sehen, daß die Störreaktion, die
bei dem in Fig. 3 gezeigten P1 durch "X" gekennzeichnet
ist, beträchtlich verringert wurde.
Es wird daher anerkannt, daß die Störreaktion durch Bilden
jeder der Kanten an einer Position in dem Bereich der vor
gesehenen Position von ca. ±λ/8 effektiv unterdrückt wer
den kann, und daß die Resonanzfrequenz ohne weiteres und
auf zuverlässige Weise eingestellt werden kann, wie aus
Fig. 2 deutlich wird.
Es ist stärker vorzuziehen, daß jede der Kanten 2a und 2b
in dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. ±λ/16 ge
bildet wird. Der Pfeil P3 in Fig. 3 zeigt das Frequenzcha
rakteristikum an, das vorliegt, wenn jede der Kanten 2a und
2b an der Position der vorgesehenen Positionen von ca.
-λ/16 gebildet wird. Wie man aus dem Vergleich mit dem
durch den Pfeil P2 in Fig. 3 angezeigten Charakteristikum
ersehen kann, ist die oben beschriebene Störreaktion bei
dem durch den Pfeil P3 angezeigten Charakteristikum effek
tiver unterdrückt.
Das in Fig. 1 gezeigte Oberflächenwellenbauelement vom Kan
tenreflexionstyp 1 ist ein Anwendungsbeispiel eines Ober
flächenwellenresonators, der einen Interdigitalwandler 3
vom Einzelelektrodentyp umfaßt. Die vorliegende Erfindung
kann jedoch auch auf ein Verfahren zum Herstellen eines
Oberflächenwellenbauelements angewandt werden, das einen
Interdigitalwandler vom Doppelelektrodentyp umfaßt, der ein
Paar Elektrodenfingerabschnitte aufweist.
Fig. 4 ist eine schematische Draufsicht, die die Elektro
denkonfiguration eines Oberflächenwellenbauelements vom
Kantenreflexionstyp 11, das einen Interdigitalwandler 12
vom Doppelelektrodentyp aufweist, gemäß einem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
zeigt.
Der Interdigitalwandler 12 weist eine Mehrzahl von Elektro
denfingern auf. Jeder der Elektrodenfinger weist eine Dop
pelelektrodenkonfiguration (oder eine Konfiguration gespal
tener Elektroden) auf, bei der ein Paar Elektrodenfingerab
schnitte vorgesehen ist. Beispielsweise sind die Elektro
denfinger 13 und 14 des Interdigitalwandlers 12 in Fig. 4
so konfiguriert, daß Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b
bzw. 14a und 14b Paare definieren.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Positi
on, die um ca. λ/2 nach außen in die Ausbreitungsrichtung
einer Oberflächenwelle von der Mitte der Elektrode 13, d. h.
der Mitte der Elektrodenfingerabschnitte 13a und 13b, die
zu dem äußersten Elektrodenfinger 14 benachbart sind, in
der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle beabstandet
ist, als eine vorgesehene Position eingestellt, und eine
Kante wird durch Schneiden an einer Position in dem Bereich
von ca. ±λ/8 von der vorgesehenen Position gebildet.
Fig. 5 ist eine vergrößerte Teilschnittdraufsicht, die den
Abschnitt zeigt, bei dem eine Kante außerhalb der Elektro
denfinger 13 und 14 des in Fig. 4 gezeigten Interdigital
wandlers 12 in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächen
welle zu bilden ist.
Im einzelnen ist der Interdigitalwandler 12 derart konfigu
riert, daß der Elektrodenfinger 13 desselben ein Paar Elek
trodenfingerabschnitte 13a und 13b aufweist, und daß der
äußerste Elektrodenfinger 14 desselben ein Paar Elektroden
fingerabschnitte 14a und 14b aufweist. Wenn ein Schneide
versuch zum Bilden des Oberflächenwellenbauelements vom
Kantenreflexionstyp 11 aus einem Wafer versucht wird, wird
die Position (Position C), die um ca. λ/2 nach außen in
der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle von der
Mitte der Elektrode 13, d. h. der Mitte der Elektrodenfin
gerabschnitte 13a und 13b in der Ausbreitungsrichtung einer
Oberflächenwelle beabstandet ist, auf eine vorgesehene Po
sition eingestellt, und durch Schneiden an einer Position
an der Innenseite oder Außenseite der vorgesehenen Position
wird eine Kante gebildet. Wenn ein Schneiden an einer der
durch A bis F angezeigten Positionen durchgeführt wird, be
steht die Möglichkeit, daß der Elektrodenfingerabschnitt
14b in dem äußersten Elektrodenfinger 14 abgeschnitten
wird.
Fig. 6 zeigt die Variation bezüglich der Resonanzfrequenz,
die vorliegt, wenn jede der Kanten auf die oben beschriebe
ne Weise gebildet wird, und die Position derselben bei dem
Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp 1 von
der vorgesehenen Position, die einen Abstand von ca. λ/2 ×
N ergibt, verschoben ist. Die in Fig. 6 gezeigten Ergebnis
se werden aus dem Experimenten erhalten, bei denen ein In
terdigitalwandler 12 fünfzehn, vierunddreißig bzw. achtzig
Paare Elektrodenfinger aufweist, die auf einem aus PZT ge
bildeten piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, und
bei denen λ ca. 36 µm beträgt.
Die vertikale Achse in Fig. 6 stellt das Verhältnis des Ab
weichungsbetrags Δf = f2 - f0 der gemessenen Resonanzfre
quenz f2 von der Zielresonanzfrequenz f0 bezüglich der
Zielresonanzfrequenz f0 dar, und die horizontale Achse
stellt die Position der Endoberfläche dar. Die "0" auf der
horizontalen Achse bedeutet, daß die Kante an der vorgese
henen Position (Position C) positioniert ist, welche um ca.
λ/2 von der Mitte der Elektrodenfingerabschnitte 13a und
13b nach außen in die Ausbreitungsrichtung einer Oberflä
chenwelle beabstandet ist.
Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, variieren die Resonanzfre
quenzen bei dem Reflektor vom Kantenreflexionstyp, der den
Interdigitalwandler 12 vom Doppelelektrodentyp umfaßt, auf
dieselbe Weise wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungs
beispiel, indem die Position jeder der Kanten verschoben
wird.
Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel tritt fer
ner eine bedeutende Störreaktion bezüglich des Frequenzcha
rakteristikums auf, wenn jede der Kanten an einer Position
gebildet wird, die zu stark von der vorgesehenen Position
nach außen oder nach innen verschoben ist.
Das durch den Pfeil Q1 in Fig. 7 angezeigte Charakteristi
kum zeigt das Frequenzcharakteristikum, das vorliegt, wenn
jede der Kanten an der Position gebildet ist, die von der
vorgesehenen Position um ca. -λ/4 entlang der Ausbrei
tungsrichtung einer Oberflächenwelle verschoben ist. Wie
durch den Pfeil Y in der Figur angezeigt ist, wird eine be
deutende Störreaktion beobachtet.
Das durch den Pfeil Q2 in Fig. 7 angezeigte Charakteristi
kum zeigt das Frequenzcharakteristikum an, das vorliegt,
wenn jede der Kanten an der Position angeordnet ist, die
von der vorgesehenen Position um ca. -λ/8 verschoben ist.
Man kann sehen, daß die oben beschriebene Störreaktion in
hohem Maße unterdrückt wurde.
Ferner zeigt das durch den Pfeil Q3 in Fig. 7 angedeutete
Charakteristikum das Frequenzcharakteristikum, das vor
liegt, wenn jede der Kanten an der Position angeordnet ist,
die von den vorgesehenen Positionen um ca. -λ/16 verscho
ben ist. Es wird erkannt, daß die oben beschriebene Större
aktion effektiver unterdrückt wird, wenn die Position jeder
der Kanten in dem Bereich von ca. ±λ/16 von der vorgesehe
nen Position entfernt liegt.
Deshalb ist es bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiel ferner bestätigt, daß durch Bilden jeder der Kanten
an einer Position in dem Bereich von ca. ±λ/8 von der vor
gesehenen Position, stärker bevorzugt in dem Bereich von
ca. ±λ/16 von derselben, ein überlegenes Frequenzcharakte
ristikum mit einer geringen Störreaktion erreicht werden
kann.
Bei dem ersten bzw. dem zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiel wurden Beschreibungen des Beispiels des Oberflächen
wellenresonators, der einen Interdigitalwandler vom Einzel
elektrodentyp verwendet, und desjenigen des Oberflächenwel
lenresonators, der einen Interdigitalwandler vom Doppel
elektrodentyp verwendet, angegeben. Jedoch kann die vorlie
gende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen verschie
dener Oberflächenwellenbauelemente angewandt werden, die
Wandler vom Einzelelektrodentyp und vom Doppelelektrodentyp
umfassen. Fig. 8 bis 14 zeigen weitere Beispiele von Ober
flächenwellenbauelementen, auf die bevorzugte Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung angewandt werden.
In Fig. 8 und 9 veranschaulichte Oberflächenwellenbauele
mente vom Kantenreflexionstyp 21 und 31 sind Oberflächen
wellenfilter vom Kantenreflexionstyp und vom transversal
gekoppelten Typ, die zwei Interdigitalwandler 22 bzw. 23
vom Einzelelektrodentyp und zwei Interdigitalwandler 32
bzw. 33 vom Doppelelektrodentyp aufweisen.
Fig. 10 veranschaulicht charakteristische Beispiele eines
Resonatorfilters vom transversal gekoppelten Typ, das ein
vorzugsweise aus PZT hergestelltes piezoelektrisches Sub
strat verwendet, das in Fig. 9 gezeigt ist. In Fig. 10 gibt
C ein Charakteristikum an, das vorliegt, wenn jede der Kan
ten an der vorgesehenen Position gebildet wird, und D, E, F
und G geben Charakteristika an, die vorliegen, wenn jede
der Kanten an den Positionen gebildet wird, die außerhalb
der vorgesehenen Position um ca. λ/32, λ/16, λ/8 bzw. λ/4
verschoben sind. Wie man sehen kann, kann die Mittenfre
quenz durch Variieren der Kantenbildungsposition einge
stellt werden. Bezüglich der Filtercharakteristika stellt
man fest, daß der Einfügungsverlust sehr gering und die
Störreaktion sehr groß ist, wenn jede der Kanten an der Po
sition gebildet wird, die außerhalb der vorgesehenen Posi
tion um ca. λ/4 verschoben ist. Wenn die Kantenbildungspo
sition um ca. λ/8 außerhalb der vorgesehenen Position ver
schoben ist, weisen diese Filtercharakteristika mäßige Er
gebnisse auf, und wenn die Bildungsposition um ca. λ/16
außerhalb der vorgesehenen Position verschoben ist, weisen
die Filtercharakteristika überlegene Resultate auf. Obwohl
Fig. 10 die Ergebnisse des Falles zeigt, bei dem die Kan
tenbildungsposition außerhalb der vorgesehenen Position
verschoben ist, ermöglicht das Verschieben der Kantenbil
dungsposition innerhalb der vorgesehenen Position, daß die
Mittenfrequenz eingestellt wird, um zu einer höheren Fre
quenz hin verschoben zu werden. In diesem Fall weisen der
Einfügungsverlust und die Störreaktion dieselben Werte auf
wie in dem Fall, bei dem die Kantenbildungsposition außer
halb der vorgesehenen Position verschoben wird. Ein Resona
torfilter eines longitudinal gekoppelten Typs, das im fol
genden beschrieben wird, zeigt ähnliche Ergebnisse.
Ein in Fig. 11 gezeigtes Oberflächenwellenbauelement 41 ist
ein Oberflächenwellenfilter eines longitudinal gekoppelten
Typs, bei dem Interdigitalwandler 43 und 44 vom Einzelelek
trodentyp auf einem piezoelektrischen Substrat 42 entlang
der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet
sind.
Ein in Fig. 12 gezeigtes Oberflächenwellenbauelement vom
Kantenreflexionstyp 51 ist ein Oberflächenwellenfilter vom
longitudinal gekoppelten Typ, das Interdigitalwandler 52
und 53 vom Doppelelektrodentyp aufweist.
Die in Fig. 13 und 14 gezeigten Oberflächenwellenbauelemen
te vom Kantenreflexionstyp 61 und 71 sind Abzweigfilter,
die Interdigitalwandler vom Einzelelektrodentyp bzw. Inter
digitalwandler vom Doppelelektrodentyp aufweisen.
Das Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Kantenreflexionstyp gemäß bevorzugten Ausfüh
rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann allgemein
auf die Produktion diverser Oberflächenwellenbauelemente
vom Kantenreflexionstyp neben den verschiedenen in Fig. 8
bis 14 gezeigten Oberflächenwellenbauelemente vom Kantenre
flexionstyp, wie oben beschrieben, angewandt werden.
Auch wenn die Abweichung des Frequenzcharakteristikums auf
grund von Wafern eingetreten ist, kann ein Oberflächenwel
lenbauelement vom Kantenreflexionstyp, das ein beabsichtig
tes Frequenzcharakteristikum aufweist, bei dem Verfahren
zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kan
tenreflexionstyp gemäß verschiedenen bevorzugten Ausfüh
rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ohne weiteres
durch Messen des Charakteristikums des Oberflächenwellen
bauelements vom Kantenreflexionstyp, das zunächst auf dem
identischen Wafer gebildet wurde, und durch Einstellen der
Kantenbildungsposition bei den verbleibenden Oberflächen
wellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp auf dem identi
schen Wafer in Abhängigkeit von der Abweichung des erhalte
nen Charakteristikums von dem Zielcharakteristikum erhalten
werden, wie aus dem Vorstehenden offensichtlich ist.
Bei dem ersten Aspekt bevorzugter Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung wird jede der beiden gegenüberlie
genden Kanten durch Schneiden des Piezoelektrikums an einer
Position gebildet, die in dem Bereich von ca. +λ/8 von der
vorgesehenen Position entfernt liegt, und dadurch wird die
Frequenz so eingestellt, daß sie niedriger wird. Anderer
seits wird bei dem zweiten Aspekt bevorzugter Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung jede der beiden gege
nüberliegenden Kanten durch Schneiden des Piezoelektrikums
an einer Position gebildet, die innerhalb der vorgesehenen
Position liegt, zum Beispiel in dem Bereich von ca. -λ/8
von der vorgesehenen Position entfernt, und dadurch wird
die Frequenz so eingestellt, daß sie höher wird.
Bei dem ersten oder zweiten Aspekt bevorzugter Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung, insbesondere, wenn
jede der Kanten durch Schneiden an einer Position in dem
Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/16 oder der
vorgesehenen Position von ca. -λ/16 gebildet wird, wird
die unerwünschte Störreaktion noch stärker unterdrückt, wo
durch ein überlegenes Resonanzcharakteristikum oder Filter
charakteristikum erreicht wird.
Bei dem dritten und vierten Aspekt bevorzugter Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung wird, nachdem der In
terdigitalwandler auf dem piezoelektrischen Substrat gebil
det wurde, die Position, die um ca. λ/2 nach außen in der
Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle von der Mitte
des Elektrodenfingers, der zu jedem der äußersten Elektro
denfinger benachbart ist, beabstandet ist, auf eine vorge
sehene Position eingestellt, und jede der beiden gegenüber
liegenden Kanten wird durch Schneiden an einer Position in
dem Bereich der vorgesehenen Position von ca. +λ/8 oder
der vorgesehenen Position von ca. -λ/8 gebildet. Daher
kann die unerwünschte Störreaktion effektiv unterdrückt
werden, wodurch ein überlegenes Resonanzcharakteristikum
oder Filtercharakteristikum erreicht wird. Wenn zudem jede
der Kanten durch Schneiden an einer Position in dem Bereich
der vorgesehenen Position von ca. +λ/8 oder der vorgesehe
nen Position von ca. -λ/8 gebildet wird, kann die Reso
nanzfrequenz oder die Mittenfrequenz ohne weiteres einge
stellt werden, um niedriger oder höher zu werden, indem die
Position jeder der Kanten eingestellt wird.
Bei dem dritten oder vierten Aspekt bevorzugter Ausfüh
rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung kann die uner
wünschte Störreaktion effektiver unterdrückt werden, wenn
jede der Kanten vorzugsweise durch Schneiden in dem Bereich
der vorgesehenen Position von ca. +λ/16 oder der vorgese
henen Position von ca. -λ/16 gebildet wird.
Claims (15)
1. Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristi
kums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenre
flexionstyp (1), wobei das Verfahren folgende Schritte
aufweist:
Bestimmen eines Frequenzcharakteristikums eines Ober flächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat (2) aufweist, wobei das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions typ ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats aufweist, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren; und
Schneiden des piezoelektrischen Substrats an minde stens einer eines Paars von Positionen, die einen Ab stand definieren, der kleiner ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristi kum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenrefle xionstyp höher sein soll als das erhaltene Frequenz charakteristikum, und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an mindestens einer eines Paars von Positio nen, die einen Abstand definieren, der größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Fre quenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als das erhaltene Frequenzcharakteristikum.
Bestimmen eines Frequenzcharakteristikums eines Ober flächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp, das ein piezoelektrisches Substrat (2) aufweist, wobei das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions typ ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats aufweist, die einen vorbestimmten Abstand zwischen denselben definieren; und
Schneiden des piezoelektrischen Substrats an minde stens einer eines Paars von Positionen, die einen Ab stand definieren, der kleiner ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristi kum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenrefle xionstyp höher sein soll als das erhaltene Frequenz charakteristikum, und Schneiden des piezoelektrischen Substrats an mindestens einer eines Paars von Positio nen, die einen Abstand definieren, der größer ist als der vorbestimmte Abstand, wenn ein schließliches Fre quenzcharakteristikum des Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll als das erhaltene Frequenzcharakteristikum.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Positionen, an
denen das piezoelektrische Substrat (2) in dem Schritt
des Schneidens des piezoelektrischen Substrats von Po
sitionen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand in
dem Schritt des Erhaltens des Frequenzcharakteristi
kums definieren, um ca. λ/8 oder weniger verschoben
werden, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwel
le vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem Oberflä
chenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp anzuregen
ist.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Posi
tionen, an denen das piezoelektrische Substrat (2) in
dem Schritt des Schneidens des piezoelektrischen Sub
strats von Positionen der Kanten, die den vorbestimm
ten Abstand in dem Schritt des Erhaltens des Frequenz
charakteristikums definieren, um ca. λ/16 oder weni
ger verschoben werden, wobei λ die Wellenlänge einer
Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei
dem Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ anzuregen ist.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem
das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ einen Interdigitalwandler (3) vom Einzelelektro
dentyp aufweist.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem die Positionen der
Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren, bei
ungefähren Mitten von Elektroden (4, 5) angeordnet
sind.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem
das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ einen Interdigitalwandler (3) vom Doppelelektro
dentyp aufweist.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem jede der Positio
nen der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definie
ren, bei einer ungefähren Mitte eines Paars von Elek
trodenfingern (4a, 4b, 5a-5c), die eine Doppelelektrode
bilden, angeordnet ist.
8. Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbau
elements vom Kantenreflexionstyp (1), das mindestens
einen Interdigitalwandler (3) umfaßt und eine Oberflä
chenwelle vom Scher-Horizontal-Typ verwendet, wobei
das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf ei nem piezoelektrischen Substrat (2);
Schneiden des piezoelektrischen Substrats und Erzeugen eines Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kan tenreflexionstyp, das mindestens einen der Interdigi talwandler und ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats umfaßt, wobei das Paar Kanten einen vorbe stimmten Abstand zwischen denselben definiert;
Messen eines Frequenzcharakteristikums der Referenz- Oberflächenwelle vom Kantenreflexionstyp;
Bestimmen von Positionen eines Paars Kanten, die jedes von verbleibenden Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp definieren, auf der Basis des ge messenen Frequenzcharakteristikums; und
Schneiden des piezoelektrischen Substrats an den be stimmten Positionen, um die verbleibenden Oberflächen wellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp zu erzeugen.
Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern auf ei nem piezoelektrischen Substrat (2);
Schneiden des piezoelektrischen Substrats und Erzeugen eines Referenz-Oberflächenwellenbauelements vom Kan tenreflexionstyp, das mindestens einen der Interdigi talwandler und ein Paar Kanten des piezoelektrischen Substrats umfaßt, wobei das Paar Kanten einen vorbe stimmten Abstand zwischen denselben definiert;
Messen eines Frequenzcharakteristikums der Referenz- Oberflächenwelle vom Kantenreflexionstyp;
Bestimmen von Positionen eines Paars Kanten, die jedes von verbleibenden Oberflächenwellenbauelementen vom Kantenreflexionstyp definieren, auf der Basis des ge messenen Frequenzcharakteristikums; und
Schneiden des piezoelektrischen Substrats an den be stimmten Positionen, um die verbleibenden Oberflächen wellenbauelemente vom Kantenreflexionstyp zu erzeugen.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem bei dem Positions
bestimmungsschritt ein Abstand zwischen dem Paar Kan
ten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom
Kantenreflexionstyp kleiner ist als der vorbestimmte
Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcharakteristi
kum der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente vom
Kantenreflexionstyp höher sein soll als das gemessene
Frequenzcharakteristikum, und ein Abstand zwischen dem
Paar Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauele
mente vom Kantenreflexionstyp größer ist als der vor
bestimmte Abstand, wenn ein schließliches Frequenzcha
rakteristikum der verbleibenden Oberflächenwellenbau
elemente vom Kantenreflexionstyp niedriger sein soll
als das gemessene Frequenzcharakteristikum.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem die Positionen von
Kanten der verbleibenden Oberflächenwellenbauelemente
vom Kantenreflexionstyp von Positionen der Referenz
kanten der Referenz-Oberflächenwellenbauelemente vom
Kantenreflexionstyp um ca. λ/8 oder weniger verscho
ben werden, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflä
chenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist, die bei dem
verbleibenden Oberflächenwellenbauelement vom Kanten
reflexionstyp anzuregen ist.
11. Verfahren gemäß Anspruch 9 oder 10, bei dem die Posi
tionen von Kanten der verbleibenden Oberflächenwellen
bauelemente von Kantenreflexionstyp von Positionen der
Referenzkanten der Referenz-Oberflächenwellen
bauelemente vom Kantenreflexionstyp um ca. λ/16 oder
weniger verschoben werden, wobei λ eine Wellenlänge
einer Oberflächenwelle vom Scher-Horizontal-Typ ist,
die bei dem verbleibenden Oberflächenwellenbauelement
vom Kantenreflexionstyp anzuregen ist.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem
das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ einen Interdigitalwandler (3) vom Einzelelektro
dentyp aufweist.
13. Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem die Positionen
der Kanten, die den vorbestimmten Abstand definieren,
bei ungefähren Mitten von Elektroden (4, 5) angeordnet
sind.
14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem
das Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexions
typ einen Interdigitalwandler (3) vom Doppelelektro
dentyp aufweist.
15. Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächenwellenbauele
ments vom Kantenreflexionstyp (1) gemäß Anspruch 14,
bei dem jede der Positionen der Kanten, die den vorbe
stimmten Abstand definieren, bei einer ungefähren Mit
te eines Paars von Elektrodenfingern (4a, 4b, 5a-5c),
die eine Doppelelektrode bilden, angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-270586 | 2000-09-06 | ||
JP2000270586 | 2000-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10143730A1 true DE10143730A1 (de) | 2002-07-25 |
DE10143730B4 DE10143730B4 (de) | 2009-01-08 |
Family
ID=18757002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10143730A Expired - Lifetime DE10143730B4 (de) | 2000-09-06 | 2001-09-06 | Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20020050040A1 (de) |
JP (1) | JP3797155B2 (de) |
KR (2) | KR100635763B1 (de) |
CN (2) | CN100388624C (de) |
DE (1) | DE10143730B4 (de) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105568309B (zh) * | 2015-12-11 | 2017-08-25 | 苏州大学 | 一种光电化学电池的光电极的制备方法 |
KR102636251B1 (ko) * | 2016-02-24 | 2024-02-14 | (주)와이솔 | 횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스 |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US20210328574A1 (en) | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Resonant Inc. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US10601392B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-03-24 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US10992283B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate |
US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US20210091749A1 (en) | 2018-06-15 | 2021-03-25 | Resonant Inc. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US10998877B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch |
US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US10868513B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-12-15 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US10992284B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
WO2020092414A2 (en) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
DE112020001227T5 (de) | 2019-03-14 | 2022-02-10 | Resonant Inc. | Transversal angeregter akustischer Filmresonator mit Lambda-Halbe-Dielektrikumschicht |
DE112020001765T5 (de) | 2019-04-05 | 2021-12-23 | Resonant Inc. | Packung eines transversal angeregten akustischen Filmvolumenresonators und Verfahren |
US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
US11482981B2 (en) | 2020-07-09 | 2022-10-25 | Resonanat Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041809A (ja) | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
JPS60211674A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vtr編集制御方法 |
JPH0614608B2 (ja) | 1984-06-20 | 1994-02-23 | 富士通株式会社 | 弾性波素子 |
JPS6271317A (ja) | 1985-09-24 | 1987-04-02 | Nec Kansai Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
US5283037A (en) * | 1988-09-29 | 1994-02-01 | Hewlett-Packard Company | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device |
US5099459A (en) * | 1990-04-05 | 1992-03-24 | General Electric Company | Phased array ultrosonic transducer including different sized phezoelectric segments |
JP3239399B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2001-12-17 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JPH05183376A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
JPH07307640A (ja) | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP3206285B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波共振子 |
JPH0846467A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 共振器型弾性表面波フィルタの周波数調整方法 |
JPH08204498A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
JP3106912B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2000-11-06 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
JPH0969751A (ja) | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JP3106924B2 (ja) | 1995-08-31 | 2000-11-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子 |
JP3514015B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP3233087B2 (ja) | 1997-01-20 | 2001-11-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
JP3171144B2 (ja) | 1997-07-07 | 2001-05-28 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
US5986523A (en) * | 1997-08-29 | 1999-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Edge reflection type longitudinally coupled surface acoustic wave filter |
JP3341709B2 (ja) | 1998-06-01 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
JP2000156620A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法および弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP2000165184A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
JP3341699B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置 |
-
2001
- 2001-08-14 JP JP2001246248A patent/JP3797155B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-28 US US09/940,988 patent/US20020050040A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-05 KR KR1020010054418A patent/KR100635763B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-06 CN CNB2004100474752A patent/CN100388624C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-06 DE DE10143730A patent/DE10143730B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-06 CN CNB011326697A patent/CN1166056C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-13 US US10/844,940 patent/US7194793B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-27 KR KR1020050055833A patent/KR100658306B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10143730B4 (de) | 2009-01-08 |
KR20050078658A (ko) | 2005-08-05 |
US20040261250A1 (en) | 2004-12-30 |
CN1343044A (zh) | 2002-04-03 |
KR100658306B1 (ko) | 2006-12-14 |
KR20020020205A (ko) | 2002-03-14 |
CN1166056C (zh) | 2004-09-08 |
US7194793B2 (en) | 2007-03-27 |
JP2002158554A (ja) | 2002-05-31 |
CN100388624C (zh) | 2008-05-14 |
US20020050040A1 (en) | 2002-05-02 |
JP3797155B2 (ja) | 2006-07-12 |
KR100635763B1 (ko) | 2006-10-17 |
CN1545205A (zh) | 2004-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10143730A1 (de) | Verfahren zum Einstellen eines Frequenzcharakteristikums eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements vom Kantenreflexionstyp | |
DE19849782B4 (de) | Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen | |
DE102007024462B4 (de) | Piezoelektrische Resonatorstrukturen und elektrische Filter | |
DE69835987T2 (de) | Akustische Oberflächenwellenfilter | |
DE19922124B4 (de) | Oberflächenwellenfilter, Duplexer und Kommunikationsvorrichtung | |
DE10102153B4 (de) | Oberflächenwellenbauelement, sowie dessen Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19830315C2 (de) | Oberflächenwellenelement | |
DE2521290A1 (de) | Oberflaechenwellenresonatorvorrichtung | |
DE3123410A1 (de) | Akustischer oberflaechenwellen-resonator | |
EP3186887B1 (de) | Filterchip und verfahren zur herstellung eines filterchips | |
DE19822028A1 (de) | Kettenfilter mit SAW-Resonatoren vom Kantenreflexionstyp | |
DE3723545C2 (de) | Akustischer Oberflächenwellenfilter | |
DE19513937A1 (de) | Akustisches Oberflächenwellenfilter | |
WO2012110377A1 (de) | Mit akustischen wellen arbeitendes bauelement und verfahren zur herstellung | |
DE19838573B4 (de) | Oberflächenwellenfilter | |
DE19753664A1 (de) | Oberflächenwellen-Resonatorfilter | |
DE10142158B4 (de) | Piezoelektrischer Resonator und elektronische Vorrichtung, die denselben enthält | |
DE10212174B4 (de) | Kantenreflexionsoberflächenwellenfilter mit spezieller Elektrodenanordnung sowie Duplexer und Kommunikationsvorrichtung, die dieses verwenden | |
DE10241981B4 (de) | Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE19648307B4 (de) | Oberflächenwellenbauelement | |
DE69627757T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenanordnungen für Endflächenreflektionen | |
DE10146363B4 (de) | Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE2326599A1 (de) | Monolithisches elektromechanisches filter mit gekoppelten resonatoren | |
DE19924933A1 (de) | Oberflächenwellenbauelement | |
DE3014865C2 (de) | Piezoelektrischer Schwinger |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |