DE10041736C1 - Device and method for detecting at least one parameter of a movement of parts which are movable relative to one another, in particular for adjusting drives in motor vehicles - Google Patents

Device and method for detecting at least one parameter of a movement of parts which are movable relative to one another, in particular for adjusting drives in motor vehicles

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Abstract

A sensor of a device for detecting a movement comprises means for switching a sensitivity of the device for at least one test mode. The sensor responds, in particular, to a measuring transmitter. A magnet fastened to a rotating arbor is, for example, used as a measuring transmitter. The magnetic field of said magnet, said magnetic field varying according to the rotation of the arbor, excites a Hall plate of the sensor. A sensor auxiliary quantity of the sensor element and/or at least one threshold value of the evaluation electronics can be switched during the test mode. A sensor auxiliary quantity is, for example, a Hall current. A threshold value is compared with a measurement signal by an analog or digital comparator. A sensitivity of the device is characterized by an amplitude of a measured quantity of the sensor element and by the threshold value of the evaluation electronics. For testing purposes in the test mode, the sensitivity is reduced to a level below that which is used in an operating mode.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Erfassen einer Bewegung von zueinander beweglichen Teilen, insbesondere für Verstellantriebe in Kraftfahrzeugen mit einem Sensor mit einem Sensorelement und einer Auswerteelektronik und einem in seiner Lage oder seiner Position zum Sensorelement relativ beweglichen Meßgeber.The invention relates to a device and a method for detecting a movement of mutually movable parts, in particular for adjusting drives in motor vehicles with a sensor with a sensor element and evaluation electronics and an in its position or its position relative to the sensor element relatively movable sensor.

Aus der US 5 404 673 ist ein Fensterheber mit einem Antrieb zum Heben und Senken einer Fensterscheibe und mit einer Einklemmschutzeinrichtung bekannt, wobei mit einem Hallsensor die Drehzahl des Antriebs und damit die Öffnungs- und Schließgeschwindig­ keit der Fensterscheibe sowie Bewegungsrichtung und Stellung der Fensterscheibe er­ faßt werden. Da beim Einlaufen der Fensterscheibe in die Türdichtung vor dem völligen Schließen der Fensterscheibe aufgrund des erhöhten Widerstandes die Antriebsdrehzahl bis zum Stillstand des Antriebs sinkt, muß die Scheibenposition möglichst genau erfaßt werden. Auch steigt beim Einklemmen eines Körperteils oder Gegenstandes zwischen der Fensterscheiben-Oberkante und dem Türrahmen eine Belastung des Antriebes und führt zu einer Änderung der Drehzahl die es zu ermitteln gilt.From US 5 404 673 is a window lifter with a drive for lifting and lowering a window and known with an anti-trap device, with one Hall sensor the speed of the drive and thus the opening and closing speed speed of the window pane as well as the direction and position of the window pane be grasped. Because when the window pane enters the door seal before the complete Closing the window due to the increased resistance the drive speed until the drive comes to a standstill, the disc position must be recorded as precisely as possible become. Also increases when a body part or object is pinched  the window pane upper edge and the door frame a load on the drive and leads to a change in the speed that needs to be determined.

Zur Erfassung von Kenngrößen der Bewegung, also des zeitabhängigen Ortes, der Ge­ schwindigkeit oder der Beschleunigung werden Hallsensoren verwendet, die nach ihrer Produktion zur Prüfung ausgemessen und abgeglichen und das Gesamtsystem aus Meßgeber und Sensor so aufeinander abgestimmt werden, daß die Ausmessung der einzubauenden, abgeglichenen Sensoren die Summe aller Toleranzen einschließt. Eine Prüfung bestätigt abschließend die Funktionsfähigkeit des Gesamtsystems. Langzeitef­ fekte werden jedoch nicht berücksichtigt und können zum Ausfall des Gesamtsystems führen.To record parameters of the movement, i.e. the time-dependent location, the Ge speed or acceleration, Hall sensors are used, according to their Production measured and compared for testing and the overall system Sensor and sensor are matched to each other so that the measurement of the sensors to be installed includes the sum of all tolerances. A The test finally confirms the functionality of the overall system. Langzeitef However, effects are not taken into account and can lead to failure of the overall system to lead.

Aus der Druckschrift H. W. Fürst und M. Michalecz: Automatisches Testen von Sensoren in ABS-Systemen, tm-Techn. Messen 58 (1991) 7/8, Seiten 277 bis 282, ist eine Testein­ richtung zum automatischen Testen von Sensoren in ABS-Systemen bekannt. Im Verlauf der Montage der Kraftfahrzeuge wird jeweils eine Zahnscheibe eines ABS-Systems ein­ zeln getestet. Ein Elektromotor dreht das Rad mit geeigneter Geschwindigkeit, das Aus­ gangssignal des Sensors wird mit Hilfe eines Digitaloszilloskops abgetastet und digitali­ siert. Aus diesen, zu äquidistanten Zeitpunkten gewonnenen Amplitudenwerten können die benötigten Kenngrößen abgeleitet werden. Aus Sicherheitsgründen wird die Signalamplitude ständig überprüft. Auch am Prüfstand wird daher der einwandfreie Zu­ stand der Aufnahmeeinheit auf Grund des Spitze-Spitze-Wertes der Sensorspannung beurteilt.From the publication HW Fürst and M. Michalecz: Automatic testing of sensors in ABS systems, tm-Techn. Messen 58 ( 1991 ) 7/8, pages 277 to 282, a test device for the automatic testing of sensors in ABS systems is known. In the course of the assembly of the motor vehicles, a toothed lock washer of an ABS system is individually tested. An electric motor turns the wheel at a suitable speed, the sensor output signal is scanned and digitized using a digital oscilloscope. The required parameters can be derived from these amplitude values obtained at equidistant times. The signal amplitude is constantly checked for security reasons. The perfect condition of the recording unit is therefore also assessed on the test stand based on the peak-to-peak value of the sensor voltage.

Aus der DE 25 56 257 A1, der DE 23 37 018 A1 und der DE 32 01 811 A sind Einrich­ tungen zur Erfassung von Drehzahl, Winkel oder Lage bekannt, bei der auf einem von zwei zueinander beweglichen Objekten magnetische oder elektrische Diskontinuitäten in Bewegungsrichtung angeordnet sind und das andere Objekt mit Sensoren versehen ist, die auf die im Abstand befindlichen Diskontinuitäten ansprechen. Die Signale der Senso­ ren werden hinsichtlich ihrer Amplitude mittels Schwellwerten überwacht.DE 25 56 257 A1, DE 23 37 018 A1 and DE 32 01 811 A are Einrich lines for the detection of speed, angle or position is known, on one of two mutually moving objects magnetic or electrical discontinuities in Direction of movement are arranged and the other object is provided with sensors, that respond to the discontinuities in the distance. The signals of the Senso Ren are monitored for their amplitude by means of threshold values.

Toleranzen des Gesamtsystems, die insbesondere als Langzeiteffekt auftreten können, sowie Toleranzen der Auswerteelektroniken bleiben unberücksichtigt und können zu Stö­ rungen des Gesamtsystems führen.Tolerances of the overall system, which can occur particularly as a long-term effect, and tolerances of the evaluation electronics are not taken into account and can lead to faults of the overall system.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Er­ fassung einer Kenngröße einer Bewegung anzugeben, die die Zuverlässigkeit der Vorrichtung erhöht ohne die Empfindlichkeit der Vorrichtung zu erhöhen oder größere Tole­ ranzsummen durch konstruktive Maßnahmen auszugleichen.The invention is based on the object, a method and an apparatus for it Specify a characteristic of a movement to indicate the reliability of the device  increased without increasing the sensitivity of the device or larger toles to compensate for sums by constructive measures.

Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung und das Verfahren zur Bewegungserfassung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 oder 15 und das Verfahren zur Ansteuerung einer Vorrichtung zur Bewegungserfassung mit den Merkmalen des Patentanspruch 17 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu ent­ nehmen.This task is achieved by the device and the method for motion detection with the features of claim 1 or 15 and the method for control a device for motion detection with the features of claim 17 solved. Advantageous developments of the invention can be found in the subclaims to take.

Demnach weist ein Sensor einer Vorrichtung zur Erfassung mindestens einer Kenngröße einer Bewegung Mittel zum Schalten einer Empfindlichkeit der Vorrichtung für minde­ stens einen Prüfmodus auf. Als Sensoren eignen sich alle jene, die die Erfassung der Kenngrößen der Bewegung ermöglichen. Diese Sensoren sprechen insbesondere auf einen Meßgeber an. Beispielsweise wird als Meßgeber ein auf einer Drehachse befe­ stigter Magnet verwendet, dessen in folge der Drehung der Achse sich änderndes Ma­ gnetfeld eine Hallplatte des Sensors erregt. Als alternatives Beispiel dient ein optisches oder kapazitives System. Eine auf einer Drehachse befestigt Lochscheibe gibt in Abhän­ gigkeit der Drehgeschwindigkeit durch die Lochscheibe durchscheinende Lichtstrahlen auf eine Photozelle oder Photodiode temporär frei. Das Analogon des kapazitiven Sy­ stems weist eine Kondensatoranordnung auf, deren Kapazität in Abhängigkeit von der Drehgeschwindigkeit variiert. Alternativ zu den Drehbewegungen sind auch Linearbewe­ gungen oder alle anderen Arten von Bewegungen erfaßbar. Accordingly, a sensor has a device for detecting at least one parameter a movement means for switching a sensitivity of the device for min at least one test mode. Suitable sensors are all those who are recording the Allow movement parameters. These sensors speak in particular a sensor. For example, a befe on an axis of rotation is used as a sensor permanent magnet is used, the dimension of which changes as a result of the rotation of the axis gnetfeld excited a Hall plate of the sensor. An optical example serves as an alternative or capacitive system. A perforated disc attached to an axis of rotation depends speed of rotation through the perforated disk, light rays shining through temporarily free on a photocell or photodiode. The analogue of the capacitive sy stems has a capacitor arrangement, the capacitance of which depends on the Rotation speed varies. As an alternative to the rotary movements, there are also linear movements movements or all other types of movements.  

Je nach Anforderung werden ein oder mehrere Prüfmodi gesteuert, durch die eine Funk­ tionsfähigkeit, eine Güte, mangelnde Zuverlässigkeit und/oder ein Defekt der Vorrichtung bestimmt werden. Im Prüfmodus ist eine Sensorhilfsgröße des Sensorelementes und/oder mindestens ein Schwellwert der Auswerteelektronik schaltbar. Eine Sensor­ hilfsgröße ist ein Hallstrom beziehungsweise eine Photospannung, oder jede andere den Sensor oder die Sensorsignale beeinflussende, variierbare oder steuerbare Größe, bei­ spielsweise auch eine analoge oder digitale Verstärkung der Sensorsignale. Ein Schwellwert ist beispielsweise ein Vergleichswert zur Hallspannung oder zum Photo­ strom, der durch einen analogen oder digitalen Komparator verglichen wird.Depending on the requirement, one or more test modes are controlled by which one radio ability, a quality, lack of reliability and / or a defect in the device be determined. A sensor auxiliary quantity of the sensor element is in test mode and / or at least one threshold value of the evaluation electronics can be switched. A sensor auxiliary value is a Hall current or a photo voltage, or any other den Sensor or variable, variable or controllable variable influencing the sensor signals, at for example, an analog or digital amplification of the sensor signals. On The threshold value is, for example, a comparison value for the Hall voltage or the photo current that is compared by an analog or digital comparator.

Eine Empfindlichkeit der Vorrichtung ist durch eine Amplitude einer Meßgröße des Sen­ sorelementes und den Schwellwert der Auswerteelektronik charakterisiert. Die Amplitude ist unter anderem abhängig von Umgebungseinflüssen, beispielsweise der Temperatur, von den Eigenschaften des Meßgebers oder des Sensorelementes, beispielsweise des­ sen geometrische Abmessungen, von der Sensorhilfsgröße und von Eigenschaften der Strecke zwischen Meßgeber und Sensorelement, beispielsweise der geometrische Ab­ stand oder die magnetische oder optische Leitfähigkeit der Strecke. Die Empfindlichkeit wird durch das Schalten für Prüfzwecke im Prüfmodus, abweichend von einem Be­ triebsmodus, reduziert.A sensitivity of the device is determined by an amplitude of a measured variable of the Sen sorelementes and the threshold value of the evaluation electronics. The amplitude is dependent, among other things, on environmental influences, for example the temperature, on the properties of the sensor or the sensor element, for example the geometric dimensions, the auxiliary sensor size and the properties of the Distance between sensor and sensor element, for example the geometric Ab or the magnetic or optical conductivity of the line. The sensitivity is by switching for test purposes in test mode, deviating from a Be drive mode, reduced.

Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung wird ermöglicht, daß ein Langzeitverhalten eines Meßparameters einer zu prüfenden Vorrichtung (Prüfling), in der Prüfung berück­ sichtigt wird und die Gefahr eines späteren Totalausfall der Vorrichtung reduziert wird. Es wird nicht nur das Sensorelement an sich geprüft, sondern die gesamte Vorrichtung aus Meßgeber, Sensorelement und Auswerteelektronik wird im fertig montierten Zustand getestet, geprüft und gegebenenfalls aussortiert, wenn die Vorrichtung mit einer redu­ zierten Empfindlichkeit keine auswertbaren Bewegungssignale oder entsprechende Prüf­ protokolle, beispielsweise an eine Kontrollvorrichtung (Mikrocontroller) überträgt.The device according to the invention enables long-term behavior of a measurement parameter of a device to be tested (device under test) in the test is viewed and the risk of a later total failure of the device is reduced. It not only the sensor element itself is checked, but the entire device The encoder, sensor element and evaluation electronics are fully assembled tested, checked and, if necessary, sorted out if the device with a reduction graced sensitivity no evaluable motion signals or corresponding test protocols, for example to a control device (microcontroller).

Als Mittel zum Schalten der Sensorhilfsgröße und/oder des Schwellwertes dient in einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ein Schaltelement, insbesondere ein Halblei­ terschalter. Beispielsweise schaltet ein Schalttransistor die Stärke des Hallstromes des Hallsensors als Sensorhilfsgröße.One serves as a means for switching the auxiliary sensor variable and / or the threshold value advantageous embodiment of the invention, a switching element, in particular a half lead terschalter. For example, a switching transistor switches the strength of the Hall current Hall sensor as auxiliary sensor variable.

Alternativ wird die Meßgröße mittels eines analog/digital Umsetzers abgetastet und in beispielsweise binären Meß-Zahlenwerten umgesetzt, die von einer digitalen Auswer­ teelektronik, beispielsweise einem ASIC oder einem (weiteren) Mikrocontroller ausgewertet werden. Zur Auswertung werden die Meß-Zahlenwerte in einem Programm mit Referenzzahlenwerten als Schwellwerten numerisch verglichen. In einem oder mehreren Prüfmodi werden die Meß-Zahlenwerte mit mittels des Programms in einem Vergleichs­ register geschaltenen Prüf-Referenzzahlenwerten verglichen und anhand des Vergleichs das Prüfungsergebnis des jeweiligen Prüflings festgelegt. Anhand der abgetasteten Werte werden die Referenzzahlenwerte der durch das Langzeitverhalten veränderten Meß-Zahlenwerte stetig oder in bestimmten Zeitintervallen angepaßt und optimiert.Alternatively, the measured variable is sampled using an analog / digital converter and in For example, binary measurement numerical values implemented by a digital evaluator Teelectronics, for example an ASIC or a (further) microcontroller evaluated  become. For the evaluation, the measured numerical values are included in a program Numerical comparison of reference number values as threshold values. In one or more Test modes are the measured numerical values using the program in a comparison registered test reference number values compared and based on the comparison the test result of the respective candidate is determined. Based on the scanned Values become the reference number values of those changed by long-term behavior Measured numerical values adjusted or optimized continuously or at certain time intervals.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Schwellwert durch einen mit einem Spannungsteiler verbundenen Schalttransistor als Schaltelement schaltbar. Der Spannungsteiler weist in Reihe verbundene Widerstände, Transistoren oder Dioden als ohmsche, aktive oder diodische Elemente zur Spannungsteilung auf. Zusätzlich können weitere Elemente parallel verbunden sein. Der Schalttransistor schaltet eine Ausgangs­ spannung des Spannungsteilers, indem er die Ausgangsspannung mindestens zweier Spannungsteiler umschaltet oder Elemente eines Spannungsteilers überbrückt oder Elementen des Spannungsteilers weitere Elemente parallel schaltet. Der Schalttransistor ist beispielsweise in Doppelfunktion ein Speicherelement einer EEPROM-Zelle.In an advantageous development of the invention, the threshold is determined by a a switching transistor connected to a voltage divider switchable as a switching element. The Voltage divider has resistors, transistors or diodes connected in series ohmic, active or diode elements for voltage division. In addition, you can other elements can be connected in parallel. The switching transistor switches an output voltage of the voltage divider by changing the output voltage at least two Voltage divider switches or bridges elements of a voltage divider or Elements of the voltage divider connects additional elements in parallel. The switching transistor is, for example, a memory element of an EEPROM cell in double function.

Eine alternative Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß der Schwellwert durch eine schaltbare Spannungsquelle als Schaltelement schaltbar ist. In einer möglichen Ausge­ staltung werden die Zenerspannungen zweier Zenerdioden auf einen Eingang eines Analogkomparators umgeschalten.An alternative development of the invention provides that the threshold value by a switchable voltage source is switchable as a switching element. In a possible Ausge the zener voltages of two zener diodes at an input of a Analog comparator switched.

In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß das Sensorelement eine Hall­ platte aufweist. Eine Änderung eines Hallstromes als Sensorhilfsgröße ist durch eine mit der Hallplatte verbundene, schaltbare Stromquelle als Schaltelement schaltbar. Bei­ spielsweise wird für den Prüfmodus eine von zwei parallel verbundenen Stromquellen ausgeschalten. Der so verringerte Hallstrom setzt die Empfindlichkeit der Vorrichtung herab. Ein weiterer Vorteil dieser Lösung ist, daß der Hallstrom weitestgehend unabhän­ gig ist von Störung auf einer Versorgungsleitung des Sensors, so daß sich die Störungen nicht auf die Hallspannung fortpflanzen.In one embodiment of the invention it is provided that the sensor element has a Hall plate has. A change in a Hall current as an auxiliary sensor variable is indicated by a the switchable current source connected to the Hall plate as a switching element. at for example, one of two current sources connected in parallel is used for the test mode switched off. The Hall current thus reduced sets the sensitivity of the device down. Another advantage of this solution is that the Hall current is largely independent gig is from interference on a supply line of the sensor, so that the interference do not propagate to the Hall voltage.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist das Schaltelement mit einer Steue­ rungsvorrichtung der Auswerteelektronik verbunden, die das Schaltelement steuert. Die Steuerungsvorrichtung besteht aus einzelnen, integrierten Elementen, beispielsweise einer Zenerdiode oder einem Schaltkreis aus mehreren integrierten und auch program­ mierbaren Bestandteilen. In a preferred embodiment of the invention, the switching element is with a control approximately connected to the evaluation electronics, which controls the switching element. The Control device consists of individual, integrated elements, for example a Zener diode or a circuit from several integrated and also program mable components.  

Ist alternativ die Steuerungsvorrichtung nicht in der Auswerteelektronik des Sensors inte­ griert, werden die Schaltelemente über eine externe Verbindung, beispielsweise einer Kupferbahn einer Leiterplatte, direkt angesteuert. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn noch weitere Schaltkreise zusammen mit der Auswerteelektronik auf einer Leiterplatte verlötet sind.Alternatively, the control device is not integrated in the evaluation electronics of the sensor griert, the switching elements via an external connection, such as one Copper track of a printed circuit board, directly controlled. This is particularly advantageous if additional circuits together with the evaluation electronics on a circuit board are soldered.

Das Schaltelement zur Steuerung ist in einer vorteilhaften Weiterbildung der Ausgestal­ tung der Erfindung mit einem Speicherausgang eines Speichers als Steuerungsvorrich­ tung verbunden. Als Speicher eigenen sich nichtflüchtige oder flüchtige Speicher mit ei­ ner oder mehreren Speicherzellen. In mehreren Speicherzellen werden vorteilhaft Schaltwerte für verschiedene Schwellwerte gespeichert, um die jeweiligen Schwellwerte veränderten Betriebs- oder Prüfbedingungen anzupassen. Alternativ werden mehrere Speicherzellen insbesondere für mehrere Prüfmodi benötigt. Ein Flip-Flop als Einzel- Speicher wird über einen Befehl gesetzt und über einen erneuten Befehl, zum Ein- und Ausschalten des Prüfmodus, zurückgesetzt. Alternativ wird ein Flip-Flop mit einer Vor­ zugslage verwendet, das nach einem Ausschalten einer Versorgungsspannung den Prüfmodus beendet.In an advantageous development, the switching element for control is the embodiment device of the invention with a memory output of a memory as a control device connected. Non-volatile or volatile memories with egg are suitable as memories ner or more memory cells. Multiple memory cells are advantageous Switching values for different threshold values are saved to the respective threshold values adapt to changed operating or test conditions. Alternatively, several Memory cells are required in particular for several test modes. A flip-flop as a single Memory is set via a command and via a new command, for switching on and off Switching off the test mode, reset. Alternatively, a flip-flop with a front Zugslage used, the after switching off a supply voltage Test mode ended.

Das Schaltelement zur Steuerung ist in einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung mit einer Zenerdiode als Steuerungsvorrichtung verbunden. Die Zenerdiode ist beispielsweise mit einer Versorgungsleitung, einer Masseleitung oder einer Datenverbin­ dung verbunden. Übersteigt die an der Zenerdiode abfallende Spannung die Zenerspan­ nung leitet die Zenerdiode und das Schaltelement wird beispielsweise in den leitenden Zustand gesteuert. Alternativ zu der Zenerdiode ist jedes andere spannungsdetektieren­ de Bauelement verwendbar, insbesondere ein Komparator, der die Versorgungsspan­ nung, oder einen Teil derselben, mit einer den Prüfmodus charakterisierenden Schaltre­ ferenzspannung vergleicht.The switching element for control is in a further advantageous development Invention connected to a Zener diode as a control device. The zener diode is for example with a supply line, a ground line or a data link connected. If the voltage drop across the zener diode exceeds the zener chip voltage leads the Zener diode and the switching element is, for example, in the conductive Condition controlled. As an alternative to the Zener diode, any other voltage detection is de Component usable, in particular a comparator, the supply chip voltage, or a part thereof, with a switching circuit characterizing the test mode compares the reference voltage.

Anstelle der Speicherung von Schaltwerten zur Einstellung bestimmter Schwellwerte weist in einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung die Auswerteelektronik ein oder mehrere durchbrennbare elektrische Elemente als Schaltelemente auf. Um die durchbrennbaren elektrischen Elemente zu schalten, werden die durchbrennbaren elek­ trischen Elemente durch eine Leistungsstufe als Teil der Steuerungsvorrichtung bis zum Ausfall des Elementes bestromt (Zener-zapping, dioden-zapping oder MOS-latching). Instead of storing switching values for setting certain threshold values In another advantageous development of the invention, the evaluation electronics one or more burnable electrical elements as switching elements. To the burnable electrical elements, the burnable elek trical elements by a power level as part of the control device to Failure of the element energized (zener zapping, diode zapping or MOS latching).  

Zum Schalten der jeweiligen Schwellwerte für einen oder mehrerer Prüfmodi oder Be­ triebsmodi erfolgt die Einstellung des Schwellwertes im Prüfmodus durch das Durch­ brennen der durchbrennbaren elektrischen Elemente, indem die Schwellwerte in einem Prüfmodus auf die größte Hysterese eingestellt werden. Ist die Hysterese nicht ausrei­ chend wird der Prüfling aussortiert. Bei einem positiven Prüfungsergebnis wird der Schwellwert durch ein weiteres Durchbrennen von durchbrennbaren elektrischen Ele­ menten der Auswerteelektronik für einen Betriebsmodus auf einen Betriebsschwellwert eingestellt. Die Empfindlichkeit ist aufgrund der größeren Hysterese in mindestens einem der Prüfmodi reduziert. Zusätzlich kann ein anderer Prüfmodus zum Testen der Störan­ fälligkeit auch eine kleinere Hysterese als im Betriebsmodus vorsehen.For switching the respective threshold values for one or more test modes or Be drive modes, the threshold value is set by the through in test mode burn the burnable electrical elements by setting the thresholds in one Test mode can be set to the greatest hysteresis. The hysteresis is not enough The test specimen is sorted out accordingly. If the test result is positive, the Threshold due to a further blow through of burnable electrical ele elements of the evaluation electronics for an operating mode to an operating threshold set. The sensitivity is due to the larger hysteresis in at least one the test modes reduced. In addition, another test mode can be used to test the fault a hysteresis smaller than in the operating mode.

Die Ansteuerung der Steuerungsvorrichtung ist grundsätzlich über eine der Verbindun­ gen des Sensors zu einem externen Kontrollvorrichtung, in den meisten Fällen ein Mikro­ controller, möglich. Als Verbindung eignen sich dabei alle Versorgungsleitungen, Daten­ verbindungen oder alle anderen optischen, akustischen oder funktechnischen Systeme.The control of the control device is basically one of the connections sensor to an external control device, in most cases a micro controller, possible. All supply lines and data are suitable as connections connections or all other optical, acoustic or radio systems.

Eine erste Variante weist eine Datenverbindung auf, über die die Steuerungsvorrichtung des Sensors ansteuerbar ist. Zum Schalten im Prüfmodus ist die Datenverbindung durch eine externe Kontrollvorrichtung (MCU) gegen Masse kurzschließbar. Vorteilhafterweise wird diese Datenverbindung zusätzlich zur Übertragung des Bewegungssignale genutzt, die von der Kontrollvorrichtung zur Steuerung des Elektromotors ausgewertet werden. Der Kurzschluß wiederum ist durch einen mit der Datenverbindung verbundenen Aus­ werteschaltkreis der Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Schaltelemente auswert­ bar. Nach dem Auswerten des Kurzschlusses wird ein Schaltzustand des Schaltelemen­ tes für den Prüfmodus in einem flüchtigen Speicher gespeichert.A first variant has a data connection via which the control device of the sensor can be controlled. The data connection is complete for switching in test mode an external control device (MCU) can be short-circuited to ground. advantageously, this data connection is also used to transmit the motion signals, which are evaluated by the control device for controlling the electric motor. The short circuit is in turn due to an off connected to the data connection Evaluation circuit of the control device for controlling the switching elements evaluates bar. After evaluating the short circuit, a switching state of the switching element tes stored in volatile memory for the test mode.

In einer zweiten Variante wird zum Schalten in den Prüfmodus zwischen der Kontrollvor­ richtung und dem Sensor ein Protokoll über die Initialisierung des Prüfmodus übertragen. Beispielsweise wird nach einem "Reset" vom Sensor eine Bitfolge über den folgenden Modus übertragen. Liegt der Prüfungsfall vor, sendet die Kontrollvorrichtung eine die Prüfung charakterisierende Bitfolge. Für wichtige Sicherheitsaspekte wird die Übertra­ gung diese Bitfolge zwischen dem Sensor und der Kontrollvorrichtung verifiziert. Die Übertragung erfolgt über eine Datenverbindung oder mittels Modulation über eine Ver­ sorgungsleitung oder eine sonstige optische oder funktechnische Verbindung.In a second variant, switching to the test mode between the control pre direction and the sensor a protocol about the initialization of the test mode. For example, after a "reset" from the sensor, a bit sequence is changed over the following Transfer mode. If the test case is present, the control device sends one Check characterizing bit sequence. For important security aspects, the transfer This bit sequence between the sensor and the control device is verified. The Transmission takes place via a data connection or by means of modulation via a ver supply line or another optical or radio connection.

Weitere Varianten sehen die getrennte Übertragung der Initialisierung des Prüfungsmo­ dus auf der Versorgungsleitung und der Bewegungssignale auf der Datenverbindung vor. Further variants see the separate transmission of the initialization of the test mo dus on the supply line and the movement signals on the data connection.  

Alternativ zu der zuvor beschriebenen Datenleitung können auch Anordnungen verwen­ det werden, bei denen sogenannte zwei-Draht-Sensoren mit einer im Ausgangstreiber integrierten Stromquelle eingesetzt werden.As an alternative to the data line described above, arrangements can also be used Det, in which so-called two-wire sensors with one in the output driver integrated power source can be used.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen bezugnehmend auf zeichnerische Darstellungen näher erläutert.In the following, the invention is based on exemplary embodiments graphic representations explained in more detail.

Dabei zeigenShow

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines mit einem Mikrocontroller verbunde­ nen Bewegungssensors, Fig. 1 is a schematic representation of composites with a microcontroller NEN motion sensor,

Fig. 2 eine schematische Darstellung eines intelligenten Hallsensors mit einer Auswerteelektronik, Fig. 2 is a schematic representation of an intelligent Hall sensor with a transmitter,

Fig. 3 ein schematischer Schaltplan eines von einem Mikrocontroller ansteuerba­ ren intelligenten Hallsensors, Fig. 3 is a schematic diagram of a microcontroller ansteuerba ren intelligent Hall sensor,

Fig. 4 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einem Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors, Fig. 4 is a schematic diagram of another embodiment of a controllable by a microcontroller intelligent Hall sensor,

Fig. 5 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einem Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors, Fig. 5 is a schematic circuit diagram of another embodiment of controllable by a microcontroller intelligent Hall sensor,

Fig. 6 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einem Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors, Fig. 6 is a schematic circuit diagram of another embodiment of controllable by a microcontroller intelligent Hall sensor,

Fig. 7 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einem Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors, und Fig. 7 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a microcontroller of the intelligent addressable Hall sensor, and

Fig. 8 eine schematische Darstellung des zeitlichen Verlaufs der Hallspannung und der Schwellwerte der Auswerteelektronik. Fig. 8 is a schematic representation of the time course of the Hall voltage and the threshold values of the evaluation electronics.

Eine schematische Darstellung eines an einen Mikrocontroller MCU angeschlossenen Bewegungssensors HS nach dem Stand der Technik ist in Fig. 1 dargestellt. In diesem Fall besteht der Sensor HS aus einem Hallsensor HS, der von einem Magnetfeld B, beispielsweise eines Dauermagneten, erregt wird. Der Hallsensor HS weist lediglich drei Anschlüsse, für die Versorgungsspannung Ub, den Masseanschluß GND und die Signal­ verbindung Data1 zum Mikrocontroller MCU auf. Dabei werden analoge oder digitale Daten zur Erfassung einer Kenngröße einer rotatorischen oder translatorischen Bewe­ gung ausschließlich von dem Hallsensor HS zum Mikrocontroller MCU übertragen. Die Signalverbindung Data1 ist über einen Pull-up Widerstand Rup mit der Versorgungsspan­ nung Ub verbunden.A schematic representation of a motion sensor HS connected to a microcontroller MCU according to the prior art is shown in FIG. 1. In this case, the sensor HS consists of a Hall sensor HS, which is excited by a magnetic field B, for example a permanent magnet. The Hall sensor HS has only three connections, for the supply voltage U b , the ground connection GND and the signal connection Data1 to the microcontroller MCU. Analog or digital data for recording a parameter of a rotary or translatory movement are transmitted exclusively from the Hall sensor HS to the microcontroller MCU. The signal connection Data1 is connected to the supply voltage U b via a pull-up resistor R up .

Das den Sensor HS erregende Magnetfeld B ist bei einem Stillstand der Antriebsvor­ richtung, insbesondere des Elektromotors, zeitlich im wesentlichen konstant. Wird der Elektromotor der Antriebsvorrichtung bestromt, erzeugen die Umdrehungen des zwei oder mehrpoligen Dauermagenten eine von der Umdrehungsgeschwindigkeit des Elek­ tromotors abhängige Änderung des Magnetfeldes B, die von der Hallsensors HS auf die Änderung der Hallspannung abgebildet wird. Die Änderung der Hallspannung wird als analoges oder digitales Signal über die Signalverbindung Data1 an den Mikrocontroller MCU übertragen.The magnetic field B which excites the sensor HS is the drive before a standstill direction, in particular of the electric motor, essentially constant over time. Will the Electric motor of the drive device, generate the revolutions of the two or multi-pole permanent magnets one of the rotation speed of the elec tromotors dependent change of the magnetic field B, which from the Hall sensor HS to the Change in Hall voltage is shown. The change in Hall voltage is called analog or digital signal via the signal connection Data1 to the microcontroller MCU transferred.

Der Mikrocontroller MCU wertet das Signal aus und steuert unter Verwendung der Er­ gebnisse der Auswertung einen oder mehrere Leistungstreiber, beispielsweise ein Relais oder einen Leistungshalbleiter, zur Bestromung des Elektromotors an (in Fig. 1 nicht dargestellt).The microcontroller MCU evaluates the signal and, using the results of the evaluation, controls one or more power drivers, for example a relay or a power semiconductor, to energize the electric motor (not shown in FIG. 1).

In Fig. 8 ist der zeitliche Verlauf zweier Hallspannungen UH1(t) und UH2(t), sowie Schwellwerte SPH, SH, SPL, SL eines Schwellwertschalters (Schmitt-Trigger) oder Fenster­ komparators dargestellt. Die Signalbreite und Periodendauer der Hallspannungen UH1(t) und UH2(t) ist von der Umdrehungsgeschwindigkeit des Elektromotors abhängig und hier beispielhaft für eine Umdrehungsgeschwindigkeit dargestellt. Die beiden Hallspannungen UH1(t) und UH2(t) sollen beispielhaft die Ausgangssignale zweier Hallsensoren mit pro­ duktionsbedingten Toleranzen darstellen.In FIG. 8, the time course of two Hall voltages U H1 (t) and U H2 (t), as well as threshold values PH S, S H, S PL, S L of a threshold switch (Schmitt trigger) or window comparator illustrated. The signal width and period duration of the Hall voltages U H1 (t) and U H2 (t) depends on the speed of rotation of the electric motor and is shown here by way of example for a speed of rotation. The two Hall voltages U H1 (t) and U H2 (t) are intended to represent the output signals of two Hall sensors with production-related tolerances, for example.

Die Schwellwerte SH und SL des Schwellwertschalters sind die für einen Betriebsmodus gültigen Schwellwerte. Nur wenn diese Schwellwerte SH und SL unterschritten und über­ schritten werden, so daß die Hallspannung UH1(t) beziehungsweise UH2(t) die Hysterese zwischen dem unteren Schwellwert SL und dem oberen Schwellwert SH unter- bezie­ hungsweise überschreitet, steht am Ausgang des Schwellwertschalters ein auswertba­ res, digitales Signal zur Verfügung. Beide in Fig. 8 dargestellten Signalverläufe der Hall­ spannungen UH1(t) und UH2(t) erfüllen dieses Kriterium. Jedoch ist aus Fig. 8 ersichtlich, daß der Signalverlauf der Hallspannung UH2(t) den oberen Schwellwert SH nur geringfü­ gig überschreitet.The threshold values S H and S L of the threshold switch are the threshold values valid for an operating mode. Only if these threshold values S H and S L are undershot and exceeded so that the Hall voltage U H1 (t) and U H2 (t) respectively exceeds or exceeds the hysteresis between the lower threshold value S L and the upper threshold value S H an evaluable digital signal is available at the output of the threshold switch. Both signal curves of the Hall voltages U H1 (t) and U H2 (t) shown in FIG. 8 fulfill this criterion. However, it can be seen from FIG. 8 that the signal curve of the Hall voltage U H2 (t) only slightly exceeds the upper threshold value S H.

Die Hallsensor-Schwellwertschalter-Vorrichtung ist zwar zu Beginn des Betriebes funktionsfähig, doch kann das Langzeitverhalten der Vorrichtung zu einem, wenn überli­ cherweise auch nur geringen, Abfall der maximalen Hallspannung UH2(t) führen. Ein der­ artiger Abfall wird beispielsweise durch Abstandsänderung zwischen Dauermagnet und Sensor oder Veränderungen des Sensors oder der magnetischen Feldstärke des Dau­ ermagneten verursacht, was durch einen Blockpfeil in Fig. 8 angedeutet ist. Eine andere Ursache ist möglicherweise eine merkliche, beispielsweise temperaturabhängige Drift der Schwellwerte SH oder SL.The Hall sensor threshold switch device is functional at the beginning of the operation, but the long-term behavior of the device can lead to a, if only a little, drop in the maximum Hall voltage U H2 (t). Such a drop is caused, for example, by a change in the distance between the permanent magnet and the sensor or changes in the sensor or the magnetic field strength of the permanent magnet, which is indicated by a block arrow in FIG. 8. Another cause is possibly a noticeable, for example temperature-dependent drift of the threshold values S H or S L.

Um die Wahrscheinlichkeit eines derartigen späteren Ausfall der Vorrichtung zu reduzie­ ren, werden für eine vor der Betriebsphase durchzuführende Prüfung der Vorrichtung beispielsweise Prüfschwellwerte SPH, SPL festgelegt, die eine Empfindlichkeit der Vor­ richtung reduzieren, indem die Hysterese um einen bestimmten Betrag erhöht wird. Die Vorrichtung mit der Hallspannung UH1(t) würde dementsprechend die Prüfung bestehen, die andere Vorrichtung mit der Hallspannung UH2(t) würde entsprechend aussortiert. Für eine derartige Prüfung eignen sich beispielsweise die in den Figuren Fig. 2 bis Fig. 5 und Fig. 7 dargestellten Schaltungsanordnungen.In order to reduce the likelihood of such a later failure of the device, test thresholds S PH , S PL , for example, are set for a test of the device to be carried out before the operating phase, which reduce the sensitivity of the device by increasing the hysteresis by a certain amount. The device with the Hall voltage U H1 (t) would accordingly pass the test, the other device with the Hall voltage U H2 (t) would be sorted out accordingly. For such a test, for example, in Figures 2 5 are circuit arrangements shown 7 and FIG. Are suitable. To FIG..

In Fig. 2 ist ein schematischer Schaltplan eines intelligenten Hallsensors iHS1 darge­ stellt. Eine Hallplatte HP wird durch das Magnetfeld B in Abhängigkeit von der Umdre­ hungsgeschwindigkeit erregt. Die Intelligenz des Sensors iHS1 besteht in diesem Fall aus der Auswerteelektronik, die mit der Hallplatte HP auf einem Halbleiterchip integriert ist. Zusätzlich kann der Sensor iHS1 noch weitere Intelligenz, beispielsweise zur An­ steuerung von Schaltern SW1, SW2 oder der analogen oder digitalen Filterung von Stör­ einflüssen aufweisen.In Fig. 2 is a schematic circuit diagram of an intelligent Hall sensor iHS1 Darge presents. A Hall plate HP is excited by the magnetic field B depending on the speed of rotation. In this case, the intelligence of the iHS1 sensor consists of the evaluation electronics, which are integrated with the Hall plate HP on a semiconductor chip. In addition, the iHS1 sensor can have additional intelligence, for example to control switches SW1, SW2 or the analog or digital filtering of interference.

Die von dem Magnetfeld abhängige Hallspannung UH wird im Betriebsmodus von einem Schwellwertschalter, bestehend aus einem Komparator OP1 und den Widerständen R1, R2, R5, R6 ausgewertet und über einen Ausgangstreiber BUF dem Mikrocontroller MCU zur Auswertung zugeführt. Zur Auswertung der Hallspannung UH mittels des Schwell­ wertschalters mit einer Hysterese wird mit den Widerständen R5 und R6 und dem Kom­ perator OP1, alternativ auch ein Operationsverstärker OP1, eine entsprechende Schlei­ fenverstärkung und mit den Widerständen R1 und R2 die Referenzspannung Uref1 vorge­ geben. The Hall voltage U H , which is dependent on the magnetic field, is evaluated in the operating mode by a threshold switch consisting of a comparator OP1 and the resistors R1, R2, R5, R6 and fed to the microcontroller MCU for evaluation via an output driver BUF. To evaluate the Hall voltage U H by means of the threshold switch with a hysteresis, the resistors R5 and R6 and the comparator OP1, alternatively also an operational amplifier OP1, a corresponding loop gain and the resistors R1 and R2 give the reference voltage U ref1 .

Mit Schaltern SW1 und SW2 werden dem Widerstand R2 der Widerstand R3, bezie­ hungsweise dem Widerstand R6 der Widerstand R4 parallel geschalten um die Schwell­ werte SH oder SL des Schwellwertschalters für den Prüfmodus zu verändern. Alternativ, in Fig. 2 nicht dargestellt, können die Widerstände R4 und R3 auch in Reihe mit den Wi­ derständen R6 beziehungsweise R2 geschalten werden. Fig. 2 weist nur eine von vielen Möglichkeiten des Aufbaus eines Schwellwertschalters auf. Eine andere Variante ist bei­ spielsweise in Fig. 7 dargestellt. Die in Fig. 2 beispielhaft angeordneten Widerstände R1 bis R6 ermöglichen durch ein Schalten der Schalter SW1 und SW2 eine Verringerung der Empfindlichkeit des intelligenten Hall-Sensors iHS1 bezüglich des empfangenen ma­ gnetischen Feldes B.With switches SW1 and SW2, resistor R2, resistor R3, or resistor R6, resistor R4 are connected in parallel in order to change the threshold values S H or S L of the threshold switch for the test mode. Alternatively, not shown in Fig. 2, the resistors R4 and R3 can also be connected in series with the resistors R6 and R2. Fig. 2 has only one of many possibilities for the construction of a threshold switch. Another variant is shown for example in Fig. 7. The resistors R1 to R6 arranged as an example in FIG. 2 enable the sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS1 to be reduced with respect to the received magnetic field B by switching the switches SW1 and SW2.

Ohmsche Widerstände lassen sind nur unter höherem Aufwand und größerer Streuung der Parameter on-Chip mit aktiven Bauelementen integrieren. Die Widerstände R1 bis R6 sind daher in den Figuren nur zur vereinfachten Darstellung als Ohmsche Widerstän­ de dargestellt. Vorteilhafterweise werden Dioden oder aktive Widerstände, beispielswei­ se entsprechend verbunden Transistoren als Widerstände R1 bis R6 für die Span­ nungsteiler R1, R2, R3 beziehungsweise R4, R5, R6 eingesetzt. Auch die Schalter SW1 und SW2 sind als Schalttransistoren SW1 und SW2 on Chip integrierbar, so daß alle in Fig. 2 dargestellten Elemente zusammen mit der Hallplatte HP auf einem Halbleiterchip integriert werden.Ohmic resistors can only be integrated with active components with greater effort and greater spread of the parameters on-chip. The resistors R1 to R6 are therefore only shown in the figures for the sake of simplicity as ohmic resistors. Advantageously, diodes or active resistors, for example appropriately connected transistors, are used as resistors R1 to R6 for the voltage dividers R1, R2, R3 or R4, R5, R6. The switches SW1 and SW2 can also be integrated as switching transistors SW1 and SW2 on chip, so that all the elements shown in FIG. 2 are integrated together with the Hall plate HP on a semiconductor chip.

In Fig. 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung schematisch dargestellt. Zur Vereinfachung der Darstellung ist lediglich eine Parallelschaltung von dem Widerstand R3 zum Widerstand R2 durch den Schalttransistor T1 beispielhaft schaltbar. Analog sind auch alle anderen Reihen- oder Parallelschaltungen zur Reduktion der Empfindlichkeit möglich. Der Schalttransistor T1 wird durch einen Speicher FF, einem Flip-Flop FF ge­ steuert. Das Flip-Flop FF besitzt eine Vorzugslage, so daß nach dem Einschalten der Versorgungsspannung Ub das Flip-Flop FF in der Vorzugslage den Schalttransistor T1 nicht steuert und der Schalttransistor T1 damit sperrt. Weiter Ein- und Ausgänge des Flip-Flops FF sind nicht dargestellt, um den Funktionszusammenhang hervorzuheben. Mit dem invertierenden Ein- und Ausgang sind jedoch weitere Funktionen steuerbar, bzw. auswertbar.A preferred embodiment of the invention is shown schematically in FIG . To simplify the illustration, only a parallel connection from the resistor R3 to the resistor R2 can be switched by the switching transistor T1 as an example. Analogously, all other series or parallel connections for reducing the sensitivity are also possible. The switching transistor T1 is controlled by a memory FF, a flip-flop FF. The flip-flop FF has a preferred position, so that after the supply voltage U b is switched on, the flip-flop FF in the preferred position does not control the switching transistor T1 and thus blocks the switching transistor T1. Further inputs and outputs of the flip-flop FF are not shown in order to emphasize the functional context. However, additional functions can be controlled or evaluated with the inverting input and output.

Um das Flip-Flop FF zu setzen und damit den Schalttransistor T1 für eine geringere Empfindlichkeit des intelligenten Hallsensors iHS2 in den leitenden Zustand zu steuern, wird vom Mikrocontroller MCU ein Signal zum Setzen an das Flip-Flop FF übertragen. To set the flip-flop FF and thus the switching transistor T1 for a lower one To control the sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS2 in the conductive state the microcontroller MCU transmits a signal for setting to the flip-flop FF.  

Hierzu ist ein schaltbarer Ein- und Ausgang I/O über eine Datenverbindung Data2 mit dem Ausgang des intelligen Hall-Sensors iHS2 verbunden. Der Mikrocontroller MCU schließt zur Übertragung die Datenverbindung Data2 über den Ein- und Ausgang I/O nach Masse GND kurz. Gleichzeit oder nachfolgend wird vom Mikrocontroller MCU der Elektromotor für einige Umdrehungen über die Leistungstreiber bestromt, so daß sicher­ gestellt ist, das zumindest zeitweise das Ausgangssignal und das Eingangssignal des Ausgangstreibers BUF nicht übereinstimmen. Der Ausgangstreiber BUF ist in diesem Fall nicht invertierend und weist für einen entsprechenden Kurzschlußstrom in Fig. 3 nicht dargestellte Stromquellen für den Ausgangsstrom auf.For this purpose, a switchable input and output I / O is connected to the output of the intelligent Hall sensor iHS2 via a Data2 data connection. The microcontroller MCU short-circuits the data connection Data2 via the input and output I / O to ground GND. Simultaneously or subsequently, the microcontroller MCU energizes the electric motor for a few revolutions via the power drivers, so that it is ensured that at least at times the output signal and the input signal of the output driver BUF do not match. In this case, the output driver BUF is not inverting and, for a corresponding short-circuit current, has current sources for the output current, which are not shown in FIG. 3.

Der Kurzschluß den Datenverbindung Data2 wird für einen High-Pegel am Eingang des Ausgangtreibers BUF vom Exklusiv-Oder Gatter EXOR ermittelt und das Flip-Flop FF wird gesetzt. Damit ist der intelligente Hallsensor iHS2 in den Prüfmodus umgeschalten. Der Mikrocontroller MCU hebt daraufhin den Kurzschluß der Datenverbindung Data2 nach Masse GND auf und wertet die über die Datenverbindung Data2 vom intelligenten Hall-Sensor iHS2 zum Mikrocontroller MCU bei drehendem Elektromotor übertragenen Bewegungssignale aus. Über- beziehungsweise unterschreitet die Hallspannung UH nicht die Prüfschwellwerte SPH, SPL so werden über die Datenverbindung Data2 keine Aus­ gangssignale des Komparators OP1 übertragen. Die Vorrichtung wird vom Mikrocontrol­ ler MCU als defekt erkannt und beispielsweise an ein Servicegerät übertragen. Um durch den Mikrocontroller MCU zu überprüfen, ob der intelligente Hall-Sensor iHS2 in den Prüfmodus geschalten hat, kann, in Fig. 3 nicht dargestellt, der Kurzschlußstrom von dem Mikrocontroller MCU detektiert werden.The short circuit of the data connection Data2 is determined for a high level at the input of the output driver BUF by the exclusive or gate EXOR and the flip-flop FF is set. The intelligent Hall sensor iHS2 has now switched to test mode. The microcontroller MCU then removes the short circuit of the data connection Data2 to ground GND and evaluates the movement signals transmitted via the data connection Data2 from the intelligent Hall sensor iHS2 to the microcontroller MCU when the electric motor is rotating. The Hall voltage U H does not exceed or fall below the test threshold values S PH , S PL, so no output signals from the comparator OP1 are transmitted via the data connection Data2. The device is recognized as defective by the microcontroller MCU and, for example, transmitted to a service device. In order to check by the microcontroller MCU whether the intelligent Hall sensor iHS2 has switched to the test mode, the short-circuit current can not be shown in FIG. 3 by the microcontroller MCU.

Werden dagegen vom intelligenten Hall-Sensor iHS2 Bewegungssignale über die Daten­ verbindung Data2 an den Mikrocontroller MCU übertragen, erkennt der Mikrocontroller die Funktionsfähigkeit der Vorrichtung. Nach einer Betriebspannungsunterbrechung be­ findet sich das Flip-Flop FF wieder in der Vorzugslage und der intelligente Hall-Sensor iHS2 im Betriebsmodus. Die Prüfung kann durch den Mikrocontroller MCU jederzeit wie­ derholt und hierzu beispielsweise durch einen Servicefachmann aktiviert werden.In contrast, the intelligent Hall sensor iHS2 sends motion signals via the data The microcontroller recognizes the data2 connection transferred to the MCU microcontroller the functionality of the device. After an operating voltage interruption be the FF flip-flop is again in the preferred position and the intelligent Hall sensor iHS2 in operating mode. The test can be done at any time by the MCU microcontroller repeated and activated for this, for example, by a service specialist.

In Fig. 4 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung der Erfindung dar­ gestellt. In dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der intelligente Hallsensor iHS3 vor einer Inbetriebnahme bereits im Prüfmodus. Eine Überprüfung des Prüfungs­ modus durch den Mikrocontroller MCU kann (nicht notwendigerweise) zusätzlich erfol­ gen. Zur Initialisierung des Prüfmodus ist keine zusätzliche Signalisierung seitens des Mikrocontrollers MCU notwendig. Vielmehr wird der für den Prüfmodus signifikante Bipolartransistor T2 über den Widerstand R7 und die Sicherung SI1 bestromt. Die Siche­ rung SI1 ist beispielsweise eine dünne Aluminiumbahn oder alternativ eine Diode. Der Spannungsstabilisator ST dient dazu, die variable oder mit Störungen belastete Versor­ gungsspannung Uvar des intelligenten Hallsensors iHS3 auf die Spannung Ustab, bei­ spielsweise 5 V, zu stabilisieren.In Fig. 4 is a schematic circuit diagram of another embodiment of the invention is provided. In the exemplary embodiment shown in FIG. 4, the intelligent Hall sensor iHS3 is already in test mode before being put into operation. A check of the test mode by the microcontroller MCU can (not necessarily) additionally take place. No additional signaling on the part of the microcontroller MCU is necessary to initialize the test mode. Rather, the bipolar transistor T2, which is significant for the test mode, is energized via the resistor R7 and the fuse SI1. The fuse SI1 is, for example, a thin aluminum sheet or alternatively a diode. The voltage stabilizer ST is used to stabilize the variable or interference-laden supply voltage U var of the intelligent Hall sensor iHS3 to the voltage U stab , for example 5 V.

Ist die Prüfung des intelligenten Hallsensors iHS3 beendet und soll der intelligente Hall­ sensor iHS3 in den Betriebsmodus umgeschalten werden, erhöht der Mikrocontroller MCU die Versorgungsspannung Uvar. Die Zenerdiode ZD1 wird hierdurch leitend und steu­ ert den Thyristor TY1 an. Der Thyristor TY1 zündet und die Sicherung SI1 brennt durch. Der Bipolartransistor T2 kann nicht mehr gesteuert werden und der intelligente Hallsen­ sor iHS3 befindet sich dauerhaft im Betriebsmodus. Die Bewegungssignale werden über die Datenverbindung data3 vom intelligenten Hallsensor iHS3 an den Mikrocontroller MCU übertragen, so daß der mit dem Hallsensor iHS3 verbundene Anschluß I des Mi­ krocontrollers MCU in diesem Fall lediglich ein Eingang ist.If the test of the intelligent Hall sensor iHS3 is finished and the intelligent Hall sensor iHS3 is to be switched to the operating mode, the microcontroller MCU increases the supply voltage U var . As a result, the Zener diode ZD1 becomes conductive and controls the thyristor TY1. The thyristor TY1 fires and the fuse SI1 blows. The bipolar transistor T2 can no longer be controlled and the intelligent Hall sensor iHS3 is permanently in operating mode. The motion signals are transmitted via the data connection data3 from the intelligent Hall sensor iHS3 to the microcontroller MCU, so that the connection I of the microcontroller MCU connected to the Hall sensor iHS3 is only an input in this case.

In Fig. 5 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Für den Prüfmodus wird die Versorgungsspannung Uvar des intelligenten Hallsensors iHS4 durch eine entsprechende Steuerung des Mikrocontrollers MCU oder eines anderen Steuerungselementes erhöht. Die mit der Versorgungsleitung verbundene Zenerdiode ZD2 wird durch die Spannungserhöhung leitend und steuert über den Wider­ stand R8 den Bipolartransistor T3. Zur Umschaltung des intelligenten Hallsensors iHS4 in den Betriebsmodus wird die Versorgungspannung Uvar ausreichend abgesenkt, so daß die Zenerdiode ZD2 sperrt.In Fig. 5 is a schematic diagram of another embodiment of the invention is shown. For the test mode, the supply voltage Uvar of the intelligent Hall sensor iHS4 is increased by a corresponding control of the microcontroller MCU or another control element. The Zener diode ZD2 connected to the supply line becomes conductive due to the voltage increase and controls the bipolar transistor T3 via the resistor R8. To switch the intelligent Hall sensor iHS4 to the operating mode, the supply voltage Uvar is reduced sufficiently so that the Zener diode ZD2 blocks.

In Fig. 6 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Im Prüfmodus leitet die Zenerdiode ZD3 in Folge eine Spannungserhöhung der Versorgungspannung Uvar. Der Zenerstrom der Zenerdiode ZD3 steuert eine schalt­ bare Stromquelle IST für den Hallstrom IHall der Hallplatte HP. Gegenüber dem Betriebs­ modus wird im Prüfmodus durch die schaltbare Stromquelle IST der Hallstrom IHall durch Schalten der Stromquelle IST reduziert. Durch die Reduktion des Hallstromes IHall wird die Empfindlichkeit des intelligenten Hallsensors iHS5 verringert. FIG. 6 shows a schematic circuit diagram of a further embodiment of the invention. In test mode, the Zener diode ZD3 conducts a voltage increase in the supply voltage U var . The Zener current of the Zener diode ZD3 controls a switchable current source IST for the Hall current I Hall of the Hall plate HP. Compared to the operating mode, the switchable current source IST reduces the Hall current I Hall in the test mode by switching the current source IST. The sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS5 is reduced by reducing the Hall current I Hall .

In Fig. 7 ist ein schematischer Schaltplan einer Weiterbildung der Erfindung dargestellt. Der Mikrocontroller MCU ist über eine bidirektionale Datenverbindung Data6 mit einer Kontrolleinrichtung CON des intelligenten Hallsensors iHS6 verbunden. Hierzu weisen die Anschlüsse I/O beziehungsweise I/OHall sowohl der Kontrolleinrichtung CON des intelligenten Hallsensors iHS6 als auch des Mikrocontroller MCU eine Ein- und Ausgangs­ funktion zur Kommunikation auf. Nach dem Einschalten der Versorgungsspannung Ub sendet der Mikrocontroller MCU ein Prüfungssignal an die Kontrolleinrichtung CON zur Initialisierung des Prüfmodus. Gleichzeitig oder nachfolgend wird der Elektromotor be­ stromt. Die Hallspannung UH wird durch zwei Komparatoren OP2 und OP3 mit den Refe­ renzspannungen Uref2 und Uref3 als Schwellwerte verglichen.In Fig. 7 is a schematic circuit diagram of a development of the invention is illustrated. The microcontroller MCU is connected via a bidirectional data connection Data6 to a control device CON of the intelligent Hall sensor iHS6. For this purpose, the I / O and I / O Hall connections both of the control device CON of the intelligent Hall sensor iHS6 and of the microcontroller MCU have an input and output function for communication. After switching on the supply voltage U b , the microcontroller MCU sends a test signal to the control device CON for initializing the test mode. Simultaneously or subsequently, the electric motor is energized. The Hall voltage U H is compared by two comparators OP2 and OP3 with the reference voltages U ref2 and U ref3 as threshold values.

Die Referenzspannungen Uref2 und Uref3 entsprechen den oberen und unteren Schwell­ werten SPH, SH, SPL SL des Schwellwertschalters. Die beiden Referenzspannungen Uref2 Und Uref3 werden durch die Einstellung eines Widerstandsnetzwerkes NET, das mehrere durch Schalter einstellbare Spannungsteilern aufweist, variiert. Hierzu ist das Wider­ standsnetzwerk NET, das beispielsweise ohmsche, aktive oder diodische Widerstände aufweist, mit der Kontrolleinrichtung CON über eine oder mehrere Steuerverbindungen Dab verbunden. Vorteilhafterweise werden die Einzel-Widerstände des Widerstandsnetz­ werkes NET mit einem binären Zähler verbunden, der von der Kontrolleinrichtung getak­ tet wird. Durch die Taktung wird der jeweilige Spannungsteiler und damit die jeweilige Referenzspannung Uref2 und Uref3 inkremental verändert bis die digitalen Informationen des Schwellwertschalters auswertbar sind. Der Zählwert des Zählers wird beispielsweise in einem nicht-flüchtigen Speicher, einem EEPROM, gespeichert.The reference voltages U ref2 and U ref3 correspond to the upper and lower threshold values S PH , S H , S PL S L of the threshold switch. The two reference voltages U ref2 and U ref3 are varied by setting a resistor network NET which has a plurality of voltage dividers which can be set by switches. For this purpose, the counter is stable network NET having, for example, resistive, active or diodic resistors connected to the control means CON via one or several control connections from D. The individual resistors of the resistor network NET are advantageously connected to a binary counter, which is clocked by the control device. The respective voltage divider and thus the respective reference voltage U ref2 and U ref3 are incrementally changed by the clocking until the digital information of the threshold switch can be evaluated. The count value of the counter is stored, for example, in a non-volatile memory, an EEPROM.

Im Prüfmodus wird durch die Kontrolleinrichtung das Hysterefenster, das durch die jewei­ lige Referenzspannung Uref2 beziehungsweise Uref3 bestimmt ist, durch Schalten der Spannungsteiler des Widerstandsnetzwerkes NET verkleinert, bis die Kontrolleinrichtung CON die Bewegungssignale der Hallspannung UH am Ausgang des jeweiligen Kompa­ rators OP2 beziehungsweise OP3 erkennt. Dies kann auch nacheinander, für beide Schwellwerte SPH beziehungsweise SPL separat durchgeführt werden.In the test mode, the control device reduces the hysterical window, which is determined by the respective reference voltage U ref2 or U ref3 , by switching the voltage dividers of the resistor network NET until the control device CON detects the movement signals of the Hall voltage U H at the output of the respective comparator OP2 or OP3 recognizes. This can also be carried out in succession, separately for both threshold values S PH and S PL .

Ist die Empfindlichkeit des Prüflings ausreichend, signalisiert die Kontrolleinrichtung CON dem Mikrocontroller MCU über die Datenverbindung Data6 die Funktionsfähigkeit des intelligenten Hallsensors iHS6. Anschließend werden die beiden Referenzspannungen Uref2 und Uref3 für den Betriebsmodus im eingebauten Zustand des intelligenten Hallsen­ sors iHS6 optimiert, indem eine mögliche Drift der Hallspannung UH oder der Referenz­ spannungen Uref2 oder Uref3 und die entsprechend den Anforderungen nötige Störsicher­ heit durch die Größe des Hysteresfensters ermittelt werden. Anschließend werden die Referenzspannungen Uref2 und Uref3 für den Betriebmodus entsprechend optimiert einge­ stellt. In dieser Ausführungsvariante ist zudem denkbar, daß die Funktionsgruppen, also eine Antriebsvorrichtung mit Elektromotor und eingebauten intelligenten Hallsensor iHS6, anhand der Empfindlichkeit in verschiedene Güteklassen eingeteilt wird.If the sensitivity of the device under test is sufficient, the CON control device signals the microcontroller MCU via the Data6 data connection that the intelligent Hall sensor iHS6 is working. The two reference voltages U ref2 and U ref3 are then optimized for the operating mode in the installed state of the intelligent Hall sensor iHS6 by a possible drift of the Hall voltage U H or the reference voltages U ref2 or U ref3 and the interference immunity required by the requirements Size of the hysteresis window can be determined. Then the reference voltages U ref2 and U ref3 are set appropriately optimized for the operating mode. In this embodiment variant, it is also conceivable that the function groups, that is to say a drive device with an electric motor and built-in intelligent hall sensor iHS6, are divided into different quality classes on the basis of the sensitivity.

Das Verfahren zur Prüfung eines Sensors entsprechend der Fig. 3 ist folgend beschrie­ ben.The method for testing a sensor according to FIG. 3 is described below.

In Schritt 1 wird der Prüfmodus dem intelligenten Hallsensor iHS2 von dem Mikrocon­ troller MCU signalisiert, indem der Mikrocontroller MCU seinen Ein-/Ausgang I/O nach Masse GND für 100 ms kurzschließt.In step 1 , the test mode is signaled to the intelligent Hall sensor iHS2 by the microcontroller MCU by the microcontroller MCU shorting its input / output I / O to ground GND for 100 ms.

In Schritt 2 wird gleichzeitig der Elektromotor für 100 ms zur Bestromung angesteuert.In step 2 , the electric motor is simultaneously activated for energizing for 100 ms.

In Schritt 3 wird von dem Exklusiv-Oder-Gatter EXOR die aufgrund des Kurzschlusses zwischen dem Ein- und Ausgang des Ausgangstreiber BUF zumindest temporär anlie­ gende Spannungsunterschied detektiert.In step 3 , the exclusive-OR gate EXOR detects the voltage difference present at least temporarily due to the short circuit between the input and output of the output driver BUF.

In Schritt 4 wird das Flip-Flop FF im Sensor iHS2 gesetzt und der Schalttransistor T1 angesteuert und damit die Empfindlichkeit der Auswerteelektronik reduziert.In step 4 , the flip-flop FF is set in the sensor iHS2 and the switching transistor T1 is activated, thus reducing the sensitivity of the evaluation electronics.

In Schritt S schaltet der Mikrocontroller MCU den Ausgang I/O zum Eingang I/O um und wertet über die Datenverbindung Data2 übertragene Bewegungssignale aus.In step S, the microcontroller MCU switches the output I / O to the input I / O and evaluates motion signals transmitted via the data connection Data2.

In Schritt 6 entscheidet der Mikrocontroller MCU anhand der Auswertung ob der Prüfling funktionsfähig im Sinne der Prüfung ist. Das Flip-Flop FF bleibt nur bis zu einer Betriebs­ spannungsunterbrechung gesetzt und kehrt mit einem Wiedereinschalten der Betriebs­ spannung in die Vorzugslage zurück.In step 6 , the microcontroller MCU uses the evaluation to decide whether the device under test is functional in the sense of the test. The flip-flop FF remains set until an operating voltage interruption and returns to the preferred position when the operating voltage is switched on again.

In Schritt 7 arbeitet der funktionsfähige Prüfling mit normaler Empfindlichkeit. In step 7 , the functional device under test works with normal sensitivity.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

iHS1 bis iHS6 intelligente Hallsensoren
HS Hallsensor
HP Hallplatte
B Magnetfeld
MCU Mikrocontroller
R1 bis R8, Rup iHS1 to iHS6 intelligent Hall sensors
HS Hall sensor
HP Hall plate
B magnetic field
MCU microcontroller
R1 to R8, R up

Widerstände (ohmsche, aktive, diodisch etc.)
SW1, SW2 Schalter (Halbleiterschalter, Transistoren)
BUF Ausgangstreiber
EXOR Exklusiv-Oder Gatter
FF Flip-Flop
T1 Feldeffekttransistor, Schalttransistor
T2, T3 Bipolartransistor, Schalttransistor
ZD1, ZD2, ZD3 Zenerdiode
SI1 Sicherung (dünne Aluminiumbahn, Diode etc.)
TY1 Thyristor
ST Stabilisierung
I/O, I/OHall Resistors (ohmic, active, diodic etc.)
SW1, SW2 switches (semiconductor switches, transistors)
BUF output driver
EXOR Exclusive-Or gate
FF flip-flop
T1 field effect transistor, switching transistor
T2, T3 bipolar transistor, switching transistor
ZD1, ZD2, ZD3 Zener diode
SI1 fuse (thin aluminum sheet, diode etc.)
TY1 thyristor
ST stabilization
I / O, I / O Hall

Ein- und Ausgang
I nur Eingang
GND Masse
Ub Entry and exit
I only input
GND mass
U b

Versorgungsspannung
Uvar supply voltage
U var

variable Versorgungsspannung
Ustab variable supply voltage
U stab

stabilisierte Spannung
IHall stabilized tension
I Hall

Hallstrom
IST steuerbare (schaltbare) Stromquelle
Data1 bis Data6 Datenverbindung (unidirektional/bidirektional)
Dab Hallstrom
IS controllable (switchable) power source
Data1 to Data6 data connection (unidirectional / bidirectional)
D from

Steuerverbindung
Uref1 control connection
U ref1

bis Uref3 to U ref3

Referenzspannungen
OP1, OP2, OP3 Komparatoren (Operationsverstärker)
NET Widerstandsnetzwerk (mit Spannungsteilern)
CON Kontrolleinrichtung
UH1 reference voltages
OP1, OP2, OP3 comparators (operational amplifiers)
NET resistor network (with voltage dividers)
CON control device
U H1

(t), UH2 (t), U H2

(t) zeitliche veränderliche Hallspannungen zweier Prüflinge
SPH (t) time-varying Hall voltages of two test objects
S PH

, SPL , S PL

oberer und unterer Prüfschwellwert
SH upper and lower test threshold
S H

, SL , S L

oberer und unterer (Betriebs-)Schwellwert
t Zeit
upper and lower (operating) threshold
t time

Claims (22)

1. Vorrichtung zum Erfassen mindestens einer Kenngröße einer Bewegung von zuein­ ander beweglichen Teilen, insbesondere für Verstellantriebe in Kraftfahrzeugen, mit
einem Sensor (iHS1 bis iHS6) mit einem Sensorelement (HP) und einer Auswer­ teelektronik und
einem in seiner Lage oder seiner Position zum Sensorelement (HP) relativ be­ weglichen Meßgeber,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Sensor (iHS1 bis iHS6) Mittel zum Schalten einer Empfindlichkeit der Vorrichtung für mindestens einen Prüfmodus aufweist, wobei
eine Sensorhilfsgröße (IHall) des Sensorelementes (HP) und/oder mindestens ein Schwellwert (SH, SL, Uref1 bis Uref3) der Auswerteelektronik so schaltbar ist, daß die durch eine Amplitude einer Meßgröße (UH, UH1(t), UH2(t)) des Sensorelementes (HP) und den Schwellwert (SH, SL, SPH, SPL, Uref1 bis Uref3) charakterisierte Empfindlich­ keit der Vorrichtung im Prüfmodus, abweichend von einem Betriebsmodus, reduziert ist.1. Device for detecting at least one parameter of a movement of moving parts to each other, in particular for adjusting drives in motor vehicles, with
a sensor (iHS1 to iHS6) with a sensor element (HP) and evaluation electronics and
one in its position or its position relative to the sensor element (HP) relatively movable sensor,
characterized in that
the sensor (iHS1 to iHS6) has means for switching a sensitivity of the device for at least one test mode, wherein
an auxiliary sensor variable (I Hall ) of the sensor element (HP) and / or at least one threshold value (S H , S L , U ref1 to U ref3 ) of the evaluation electronics can be switched such that the amplitude of a measured variable (U H , U H1 ( t), UH 2 (t)) of the sensor element (HP) and the threshold value (S H , S L , S PH , S PL , U ref1 to U ref3 ) characterized sensitivity of the device in the test mode, deviating from an operating mode, reduced is. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert (SH, SL, Uref1 bis Uref3) oder die Sensorhilfsgröße (IHall) durch ein ge­ steuertes Schaltelement (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) schaltbar ist.2. Device according to claim 1, characterized in that the threshold value (S H , S L , U ref1 to U ref3 ) or the auxiliary sensor variable (I Hall ) by a ge-controlled switching element (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) ) is switchable. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schwellwert (SH, SL, Uref1 bis Uref3) durch einen mit einem Spannungsteiler (R1, R2, R3, NET) verbundenen Schalttransistor (T1 bis T3) als Schaltelement (T1 bis T3) schaltbar ist, wobei
der Schalttransistor (T1 bis T3) eine Ausgangsspannung (Uref1 bis Uref3) des Span­ nungsteilers (R1, R2, R3, NET) schaltet.3. Device according to claim 2, characterized in that
the threshold value (S H , S L , U ref1 to U ref3 ) can be switched as a switching element (T1 to T3) by a switching transistor (T1 to T3) connected to a voltage divider (R1, R2, R3, NET), wherein
the switching transistor (T1 to T3) switches an output voltage (U ref1 to U ref3 ) of the voltage divider (R1, R2, R3, NET). 4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert (SH, SL) durch eine schaltbare Spannungsquelle als Schaltelement schaltbar ist. 4. The device according to claim 2, characterized in that the threshold value (S H , S L ) is switchable by a switchable voltage source as a switching element. 5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Sensorelement (HP) eine Hallplatte (HP) aufweist, und eine Änderung eines Hallstromes (IHall) als Sensorhilfsgröße (IHall) durch eine mit der Hallplatte (HP) verbundene, schaltbare Stromquelle (IST) als Schaltelement (IST) schaltbar ist.5. The device according to claim 2, characterized in that the sensor element (HP) has a Hall plate (HP), and a change in a Hall current (I Hall ) as an auxiliary sensor variable (I Hall ) by a switchable current source connected to the Hall plate (HP) (IST) is switchable as a switching element (IST). 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) mit einer Steuerungsvorrichtung (FF, EXOR, ZD1 bis ZD3, CON) der Auswerteelektronik verbunden ist, die das Schaltelement (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) steuert.6. Device according to one of claims 2 to 5, characterized in that the switching element (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) with a control device (FF, EXOR, ZD1 to ZD3, CON) is connected to the evaluation electronics, which Switching element (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) controls. 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) zur Steuerung mit einem Speicheraus­ gang eines Speichers (FF) der Steuerungsvorrichtung verbunden ist.7. The device according to claim 6, characterized in that the switching element (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) for control with a memory gang of a memory (FF) of the control device is connected. 8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) zur Steuerung mit einer Zenerdiode (ZD1 bis ZD3) als Steuerungsvorrichtung verbunden ist.8. The device according to claim 6, characterized in that the switching element (SW1, SW2, T1, T2, T3, IST) for control with a Zener diode (ZD1 to ZD3) is connected as a control device. 9. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteelektronik ein oder mehrere durchbrennbare elektrische Elemente als Schaltelemente aufweist, die zum Schalten durch eine Leistungsstufe als Teil der Steuerungsvorrichtung durchbrennbar sind.9. The device according to claim 6, characterized in that the evaluation electronics as one or more burnable electrical elements Has switching elements for switching through a power stage as part of Control device are burnable. 10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9 dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerungsvorrichtung (FF, EXOR, CON) über eine Datenverbindung (Data1 bis Data6) des Sensors (iHS1 bis iHS6) ansteuerbar ist.10. The device according to one of claims 6 to 9 characterized in that the control device (FF, EXOR, CON) via a data connection (Data1 bis Data6) of the sensor (iHS1 to iHS6) can be controlled. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Datenverbindung (Data2) durch eine externe Vorrichtung (MCU) gegen Masse kurzschließbar ist, und
der Kurzschluß durch einen mit der Datenverbindung (Data2) verbundenen Auswer­ teschaltkreis (EXOR) der Steuerungsvorrichtung zum Steuern auswertbar ist.11. The device according to claim 10, characterized in that
the data connection (Data2) can be short-circuited to ground by an external device (MCU), and
the short circuit can be evaluated for control purposes by an evaluation circuit (EXOR) of the control device connected to the data connection (Data2). 12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerungsvorrichtung (ZD1 bis ZD3) über eine Versorgungsleitung des Sensors (iHS3 bis iHS5) ansteuerbar ist.12. The device according to one of claims 6 to 9, characterized in that the control device (ZD1 to ZD3) via a supply line of the sensor (iHS3 to iHS5) can be controlled. 13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
zur Ansteuerung eine Versorgungsspannung (Ub) der Versorgungsleitung durch eine schaltbare Spannungsquelle (Uvar) erhöht ist, und
die Erhöhung durch einen mit der Versorgungsleitung verbundenen Auswerteschalt­ kreis (ZD1 bis ZD3) der Steuerungsvorrichtung zum Steuern auswertbar ist.13. The apparatus according to claim 12, characterized in that
to control a supply voltage (U b ) of the supply line is increased by a switchable voltage source (U var ), and
the increase can be evaluated for control by an evaluation circuit (ZD1 to ZD3) of the control device connected to the supply line. 14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Sensorelement (HP) und die Auswerteelektronik auf einem Chip integriert sind.14. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the sensor element (HP) and the evaluation electronics are integrated on one chip. 15. Verfahren zum Erfassen mindestens einer Kenngröße einer Bewegung von zueinan­ der beweglichen Teilen, insbesondere für Verstellantriebe in Kraftfahrzeugen, durch eine Vorrichtung mit
einem Sensor (iHS1 bis iHS6) mit einem Sensorelement (HP) und einer Auswer­ teelektronik und
einem in seiner Lage oder seiner Position zum Sensorelement (HP) relativ be­ weglichen Meßgeber,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens ein Schwellwert für einen Prüfmodus (SH, SL) auf einen Prüfschwellwert (SPH, SPL) eingestellt wird, und
der Schwellwert (SH, SL) durch ein Durchbrennen von durchbrennbaren elektrischen Elementen der Auswerteelektronik für einen Betriebsmodus auf einen Betriebs­ schwellwert (SH, SL) eingestellt wird, wobei
die durch eine Amplitude einer Meßgröße (UH, UH1(t), UH2(t)) des Sensorelementes (HP) und den Schwellwert (SH, SL) charakterisierte Empfindlichkeit der Vorrichtung im Prüfmodus, abweichend von einem Betriebsmodus, reduziert ist. 15. A method for detecting at least one parameter of a movement of moving parts towards one another, in particular for adjusting drives in motor vehicles, using a device
a sensor (iHS1 to iHS6) with a sensor element (HP) and evaluation electronics and
one in its position or its position relative to the sensor element (HP) relatively movable sensor,
characterized in that
at least one threshold value for a test mode (S H , S L ) is set to a test threshold value (S PH , S PL ), and
the threshold value (S H, S L) by a threshold value by burning combustible by electrical elements of the evaluation electronics for an operating mode to an operation (S H, S L) is set, wherein
the sensitivity of the device in the test mode, which is characterized by an amplitude of a measured variable (U H , U H1 (t), U H2 (t)) of the sensor element (HP) and the threshold value (S H , S L ), is reduced, deviating from an operating mode is. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellung des Prüfschwellwertes (SPH, SPL) im Prüfmodus durch das Durch­ brennen von durchbrennbaren elektrischen Elementen der Auswerteelektronik er­ folgt.16. The method according to claim 15, characterized in that the setting of the test threshold (S PH , S PL ) in the test mode by burning through burnable electrical elements of the evaluation electronics follows. 17. Verfahren zur Ansteuerung einer Vorrichtung zur Bewegungserfassung mit
einem Sensor (iHS1 bis iHS6) mit einem Sensorelement (HP) und einer Auswer­ teelektronik,
einem in seiner Lage oder seiner Position zum Sensorelement (HP) relativ be­ weglichen Meßgeber, und
einer mit dem Sensor (iHS1 bis iHS6) über mindestens eine Verbindung (Data1 bis Data6) verbundenen Kontrollvorrichtung (MCU),
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontrollvorichtung (MCU) den Sensor (iHS1 bis iHS6) über die Verbindung (Da­ ta1 bis Data6) in einen Prüfmodus schaltet, und
im Prüfmodus die Empfindlichkeit der Vorrichtung gegenüber einem Betriebsmodus reduziert wird.17. Method for controlling a device for motion detection with
a sensor (iHS1 to iHS6) with a sensor element (HP) and evaluation electronics,
one in its position or its position relative to the sensor element (HP) be relatively movable sensor, and
a control device (MCU) connected to the sensor (iHS1 to iHS6) via at least one connection (Data1 to Data6),
characterized in that
the control device (MCU) switches the sensor (iHS1 to iHS6) into a test mode via the connection (Da ta1 to Data6), and
in the test mode, the sensitivity of the device to an operating mode is reduced. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindung (Data1 bis Data6) als Datenverbindung (Data1 bis Data6) von der Kontrollvorrichtung (MCU) zum Einschalten des Prüfmodus gegen Masse (GND) kurzgeschlossen wird,
der Kurzschluß von einem Auswerteschaltkreis (EXOR) des Sensors (iHS2) ausge­ wertet und ein Schaltzustand eines Schaltelementes (T1) für den Prüfmodus in ei­ nem Speicher (FF) gespeichert wird.18. The method according to claim 17, characterized in that
the connection (Data1 to Data6) as data connection (Data1 to Data6) is short-circuited by the control device (MCU) to switch on the test mode against ground (GND),
the short circuit is evaluated by an evaluation circuit (EXOR) of the sensor (iHS2) and a switching state of a switching element (T1) for the test mode is stored in a memory (FF). 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß
der Speicher (FF) mit einer Betriebsspannungsunterbrechung zurückgesetzt wird, und
mit dem zurückgesetzten Speicher (FF) der Betriebsmodus gestartet wird.19. The method according to claim 18, characterized in that
the memory (FF) is reset with an operating voltage interruption, and
the operating mode is started with the reset memory (FF). 20. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schalten in den Prüfmodus zwischen der Kontrollvorrichtung (MCU) und dem Sensor (iHS6) ein Protokoll über die Initialisierung des Prüfmodus übertragen wird.20. The method according to claim 17, characterized in that for switching to the test mode between the control device (MCU) and the  Sensor (iHS6) a protocol about the initialization of the test mode is transmitted. 21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert nach dem Prüfmodus für den Betriebsmodus unter Auswertung der Bewegungssignale optimiert wird.21. The method according to any one of claims 17 or 20, characterized in that the threshold value after the test mode for the operating mode by evaluating the Motion signals is optimized. 22. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontrollvorichtung (MCU) den Sensor (iHS3 bis iHS5) über eine Versorgungslei­ tung als Verbindung in den Prüfmodus schaltet, indem
die Versorgungsspannung (Uvar) verändert wird, und
die Veränderung der Versorgungsspannung (Uvar) durch einen Spannungsdetektor (ZD1 bis ZD3) des Sensors (iHS3 bis iHS5) detektiert wird.22. The method according to claim 17, characterized in that
the control device (MCU) switches the sensor (iHS3 to iHS5) to the test mode via a supply line as a connection by
the supply voltage (U var ) is changed, and
the change in the supply voltage (U var ) is detected by a voltage detector (ZD1 to ZD3) of the sensor (iHS3 to iHS5).
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