CN1979275B

CN1979275B - 液晶显示器件

Info

Publication number: CN1979275B
Application number: CN2006101642449A
Authority: CN
Inventors: 木村肇; 鱼地秀贵
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-12-05
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2013-03-27
Anticipated expiration: 2026-12-05
Also published as: TW202004305A; JP2014232334A; KR102256370B1; TWI701488B; US10539847B2; EP2270583A2; TWI402583B; KR20140012928A; TW201616204A; US20200150474A1; JP5629747B2; TWI661254B; JP6612914B2; EP3229066A1; JP2021092818A; JP6591717B2; US9904127B2; JP2019168726A; US8164729B2; JP2013047857A

Abstract

本发明的一个目的是在以FFS型为代表的水平电场液晶显示器件中将足够的电场施加到液晶材料中。在水平电场液晶显示器中，使用多对电极而不是一对电极将电场施加给正好在公共电极和像素电极之上的液晶材料中。一对电极包括梳状公共电极和梳状像素电极。另一对电极包括梳状像素电极和在像素部分中提供的公共电极。

Description

液晶显示器件

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件。具体地说，本发明涉及一种具有宽视角的液晶显示器件。

背景技术

显示器件包括自发光的显示器件和光接收显示器件。液晶显示器件是最典型的光接收显示器件。液晶显示器件中的液晶的驱动方法包括对衬底垂直地施加电压的垂直电场型和与衬底大致平行地施加电压的水平电场型。垂直电场型和水平电场型中每种类型都具有优点和缺点。例如，与以TN型为代表的垂直电场型相比，水平电场型具有比如宽视角、高对比度、高等级显示等的特征，并且水平电场型被用于监视器或电视。这些类型的液晶显示器件同时存在于液晶领域，并且已经进行了产品研发。此外，还研发了用于水平电场型的液晶材料和用于垂直电场型的液晶材料的每种材料，根据所施加的电压的方向每种材料具有不同的材料特性。

此外，水平电场型液晶显示器件包括IPS(面内切换)型和FFS(散射场切换)型。在IPS型中，具有梳状或切口的像素电极和具有梳状或切口的公共电极交替地设置，并且在像素电极和公共电极之间产生与衬底大致平行的电场，由此驱动液晶显示器件(参见专利文献1)。另一方面，在FFS型中，具有梳状或切口的像素电极被置于具有形成在整个像素部分中的平面状的公共电极上。在像素电极和公共电极之间产生了与衬底大致平行的电场，由此驱动液晶显示器件。

已经表明FFS液晶显示器件具有高透射率、宽视角、低功耗，并且无串扰(参见非专利文献1)。

〔专利文献1〕日本出版的专利申请第H9-105918号

〔非专利文献1〕具有超级图像质量和快速响应时间的超-FFSTFT-LCD(Ultra-FFS-LCD with Super Image Quality and FastResponse Time)，2001 The Society For Information Displaypp.484-487。

在以常规水平电场型液晶显示器件为代表的水平电场型液晶显示器件中，施加给液晶材料的电场不够。这是因为电场不会很好地施加给正好在公共电极和像素电极之上的液晶材料。

此外，使用水平电场型比如IPS型或FFS型的宽视角技术大多数用于电视；因此，这种技术仅仅针对透射型。然而，在要求减小功耗或者在野外使用时需要反射型或半透射型。然而是通过使用以TN型为代表的垂直电场型来实现反射或半透射型的。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种水平电场型液晶显示器件的结构，在这种结构中可对液晶材料施加足够的电场。

此外，本发明的一个目的是提供一种具有宽视角和更小的色移的液晶显示器件，这种液晶显示器件能够显示在室内和室外都可以被有利地识别的图像。

考虑到前述的问题，在本发明中，通过使用多对电极而不是一对电极将电场施加给液晶材料。一对电极包括梳状公共电极和梳状像素电极。另一对电极包括梳状像素电极和在像素部分中形成的公共电极。在像素部分中提供的公共电极可以被提供在除了薄膜晶体管之外的区域中。此外，在像素部分中提供的公共电极可以是梳状。在这种液晶显示器件中，施加给液晶材料的电场可以通过使用所述一对电极以及另一对电极控制。

本发明的液晶显示器件包括通过光透射实施显示的第一区和通过光反射实施显示的第二区。此外，液晶层包括液晶分子，在液晶层之下提供的液晶元件中的两个电极之间产生电位差时，所述液晶分子在平行于电极表面(即平行于衬底)的平面中旋转。

注意，在本发明中，术语“平行于电极表面旋转”意味着包括不可由人眼识别的偏差在内的平行旋转。换句话说，术语“平行于电极表面旋转”意味着主要包括平行于电极表面的矢量分量但也包括垂直于电极表面的几个矢量分量的旋转。

在液晶层801之下提供的电极803和804之间产生电位差时，液晶层801中包含的液晶分子802通过水平电场的作用旋转。随着液晶分子802旋转，附图77A中所示的状态改变为附图77B中所示的状态，或者在附图77B中所示的状态改变为附图77A中所示的状态。附图77A和77B是剖视图。从上面看上述旋转由附图77C中的箭头所示。

以类似的方式，在液晶层9801之下提供的电极9804和9805之间和电极9803和9805之间产生电位差时，液晶层9801中包含的液晶分子9802通过水平电场的作用旋转，随着液晶分子9802旋转，附图112A中所示的状态改变为附图112B中所示的状态，或者在附图112B中所示的状态改变为附图112A中所示的状态。附图112A和112B所示为剖视图。从上面看上述旋转由附图112C中的箭头所示。

注意，电极803和804的位置关系等不限于附图77A至77C中所示的位置关系。

以类似的方式，电极9803，9804和9805的位置关系等不限于附图112A至112C中所示的位置关系。

在上文所述的第一区中，在液晶层之下提供的一对电极包括提供在不同层中的电极。在第一区中，液晶元件中的两个电极被提供在液晶层之下，这些电极被提供在不同的层中。这些电极中的一个电极用作反射体或者提供反射体以便与电极重叠，由此反射光。在第二区中，液晶元件中的两个电极被形成在液晶层之下。这两个电极都是透明的并且被提供在一层之上或者在不同的层之上，并在它们之间插入绝缘层。

下文说明本发明的具体结构。

本发明的一种模式是液晶显示器件，包括第一公共电极、在第一公共电极之上提供的绝缘层、在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极和在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

本发明的另一模式是一种液晶显示器件，包括绝缘衬底、在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管、在与所述薄膜晶体管的半导体层相同的层中提供的第一公共电极、被提供成覆盖第一公共电极的绝缘层、在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极以及在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中像素电极通过薄膜晶体管控制，第一公共电极和第二公共电极电连接，所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

本发明的另一模式是一种液晶显示器件，包括绝缘衬底、在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管、在与薄膜晶体管的源极和漏极电极相同的层中提供的第一公共电极、连接到第一公共电极的导电层、在第一公共电极和所述导电层之上提供的绝缘层、在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极以及在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

本发明的另一模式是一种液晶显示器件，包括绝缘衬底、在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管、在与所述薄膜晶体管的半导体层相同的层中提供的第一公共电极、连接到第一公共电极的导电层、在第一公共电极和所述导电层之上提供的绝缘层、在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极以及在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

在本发明的一种结构中，薄膜晶体管可以包括晶体半导体层。

在本发明的一种结构中，可以进一步包括在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层、在第一公共电极之上提供的并与其之间具有钝化层的滤色片以及在薄膜晶体管之上提供的并与其之间具有钝化层的黑色矩阵。

在本发明的一种结构中，可以进一步包括在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层、在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的并与其之间具有钝化层的滤色片、被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底和在所述薄膜晶体管之上提供的黑色矩阵。

在本发明的一种结构中，进一步可以包括在薄膜晶体管之上提供的钝化层、在所述钝化层之上提供的滤色片、在所述滤色片之上提供的第一公共电极和在钝化层之上的薄膜晶体管之上提供的黑色矩阵。

本发明的另一模式是一种液晶显示器件，包括绝缘衬底、在所述绝缘衬底之上形成的栅极电极、在与栅极电极相同的层中形成的第一公共电极、被提供成覆盖所述栅极电极和第一公共电极的绝缘层、在栅极电极之上提供的并与其之间具有绝缘层的半导体层、在半导体层中提供的源极和漏极电极、提供在与源极和漏极电极相同的层中并与第一公共电极接触的导电层、连接到源极和漏极电极中的一个电极的像素电极、连接到第一公共电极并与其之间具有导电层的第二公共电极以及在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

本发明的一种模式是一种液晶显示器件，包括绝缘衬底、在所述绝缘衬底之上形成的栅极电极、在与所述栅极电极相同的层中形成的导电层、与所述导电层接触地提供的第一公共电极、被提供成覆盖所述栅极电极和第一公共电极的绝缘层、在栅极电极之上提供的并与其之间具有所述绝缘层的半导体层、在半导体层之上提供的源极和漏极电极、连接到源极和漏极电极中的一个电极的像素电极、连接到第一公共电极并与其之间具有导电层的第二公共电极以及在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场和所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制。

在本发明的一种结构中，半导体层可以具有非晶半导体层。

在本发明的一种结构中，可以进一步包括提供在第一公共电极之上的钝化层、在第一公共电极之上提供的并与其之间具有钝化层的滤色片和在源极和漏极电极之上提供的黑色矩阵。

在本发明的一种结构中，可以进一步包括在第一公共电极和栅极电极之上提供的钝化层；在源极和漏极电极和第一公共电极之上提供的并与其之间具有钝化层的滤色片、被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底和在所述反衬底之上提供的黑色矩阵。

在本发明的一种结构中，像素电极可以是梳状。

在本发明的一种结构中，第一公共电极可以是梳状。

在本发明的一种结构中，第二公共电极可以是梳状。

在本发明的一种结构中，像素电极可以由透明材料形成。

在本发明的一种结构中，第一公共电极可以由透明材料形成。

在本发明的一种结构中，第二公共电极可以由透明材料形成。

根据本发明，可以使用两对或更多对电极将电场充分地施加给液晶材料。然后，所述液晶材料的倾斜可以由两对电极产生的电场控制，由此可以实施灰度级显示。

此外，根据本发明，可以提供具有较宽视角和更小色移(由观看显示屏的角度引起)的并且在太阳下和在黑暗的室内(或晚上在室外)有利地识别的图像。

附图说明

附图1所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图2所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图3所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图4所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图5所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图6A至6C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图7A至7C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图8A至8C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图9A至9C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图10A至10C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图11A至11C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图12A至12C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图13所示为本发明的液晶显示器件的顶视图；

附图14所示为本发明的液晶显示器件的顶视图；

附图15所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图16所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图17所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图18所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图19所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图20所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图21所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图22所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图23所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图24所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图25所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图26所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图27所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图28所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图29所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图30所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图31所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图32所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图33所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图34所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图35所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图36所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图37所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图38所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图39所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图40所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图41所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图42所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图43所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图44所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图45所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图46所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图47所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图48所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图49所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图50所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图51所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图52所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图53所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图54所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图55所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图56所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图57所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图58所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图59所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图60所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图61所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图62所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图63所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图64所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图65所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图66所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图67所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图68所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图69所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图70所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图71所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图72所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图73所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图74所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图75所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图76所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图77A至77C所示为本发明的液晶显示器件的视图；

附图78所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图79所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图80所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图81所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图82所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图83所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图84所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图85所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图86所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图87所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图88所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图89所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图90所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图91所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图92所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图93所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图94所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图95所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图96所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图97所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图98所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图99所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图100所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图101所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图102所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图103所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图104所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图105所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图106所示为本发明的液晶显示器件的视图；

附图107A至107D所示为本发明的液晶显示器件的视图；

附图108所示为本发明的液晶显示器件的视图；

附图109A至109B所示为本发明的液晶显示器件的剖视图；

附图110A至110B所示为本发明的液晶显示器件的视图；

附图111A至111H所示为本发明应用于其中的电子电器的实例的视图；

附图112A至112C所示为本发明的液晶显示器件的剖视图。

具体实施方式

下面参考附图描述本发明的实施例模式。本发明可以以许多不同的模式实施，本领域普通技术人员容易理解在不脱离本发明的目的和范围的前提下可以以不同的方式修改在此所公开的模式和细节。因此，本发明不应当被解释为限于下文给出的实施例模式的描述。注意，在参考附图描述实施例模式时在不同的附图中相似的部分以相似的参考标号表示，由此省去了对它们的重复解释。

在本发明中，并不限于可适用的晶体管类型。因此可以应用使用以非晶硅或多晶硅为代表的非单晶半导体膜的薄膜晶体管(TFT)、MOS晶体管、结型晶体管、双极型晶体管(它们都是使用半导体衬底或者SOI衬底形成的)、使用有机半导体或碳纳米管形成的晶体管等。此外，对其上提供有晶体管的衬底的类型没有限制，晶体管可以被形成在单晶衬底、SOI衬底、玻璃衬底等之上。

在本发明中，“连接”与“电连接”是同义语。因此，在本发明所公开的结构中，在具有预定的连接关系的元件之间可以插入实现电连接的另一元件(比如不同的元件、开关、晶体管、电容器、电阻或二极管)。

在本发明中所示的开关可以是任何开关，比如电开关或机械开关。它可以是能够控制电流的任何东西。它可以是晶体管、二极管、或其组合的逻辑电路。因此，在使用晶体管作为开关的情况下，对其极性(导电性)没有特别的限制，因为它仅仅作为开关操作。然而，在优选截止电流较小时，理想的是使用具有较小的截止电流的极性的晶体管。具有LDD区的晶体管、具有multiage结构的晶体管等被作为具有较小截止电流的晶体管给出。此外，理想的是，在用作开关的晶体管的源极端子的电位更接近低电位侧电源(Vss，Vgnd，0V等)时，使用N-沟道晶体管，而在源极端子的电位更接近高电位侧电源(Vdd等)时，理想地使用P-沟道晶体管。随着栅源电压的绝对值增加，这有助于晶体管容易用作开关。注意，通过同时使用N-沟道和P-沟道晶体管也可以应用CMOS开关。

如上文所述，本发明的晶体管可以是任何类型的晶体管，并且可以形成在任何类型的衬底上。因此，驱动像素的所有电路都可以形成在玻璃衬底、塑料衬底、单晶衬底、SOI衬底或任何其它的衬底上。可替换地，用来驱动像素的某些电路可以形成在一个衬底上，同时其它的电路可以形成另一衬底上。即，并不是要求所有的电路都形成在相同的衬底上。例如，像素部分和栅极线驱动器电路可以在玻璃衬底上形成有TFT，同时信号线驱动器电路(或其一部分)都可有形成在单晶衬底上，然后，其IC芯片通过COG(玻璃上芯片)连接到玻璃衬底。或者，使用TAB(带式自动焊接)或印刷电路板可以将其IC芯片连接到玻璃衬底。

注意，对在像素中设置的元件没有特别的限制。作为像素中设置的显示元件，可以使用任何显示元件，比如EL(电致发光)元件(也称为OLED(有机发光二极管)、有机EL元件、无机EL等)、在场发射显示器(FED)中使用的元件、SED(表面导电的电子发射器显示器)(它是一种类型的场发射显示器(FED))、液晶显示器(LCD)、光栅阀(GLV)、等离子体显示器(PDP)、电子纸显示器、数字微镜器件(DMD)或压电陶瓷显示器。

注意，半导体器件是指具有半导体元件比如晶体管、二极管的器件。显示器件是指具有显示元件比如液晶元件或EL元件的器件。发光器件是指具有光发射元件比如在EL元件或FED中使用的元件的器件。

〔实施例模式1]

参考附图78描述本发明的液晶显示器件的实例。在液晶显示器件中，以矩阵的方式提供多个像素。一个像素的剖视图的实例在附图78中示出。

如附图78所示，像素包括通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001和通过使光穿过其中实施显示的部分(透射部分)1002。在每个区域中，提供了用作像素电极的电极和用作公共电极的电极。

用作像素电极的电极具有梳状或切口。另一方面，用作公共电极的电极包括具有平滑状的部分和具有梳状或切口的部分。然而，并不限于这种组合。

在将电压输送给用作像素电极的电极和用作公共电极的电极时，产生了电场。电场具有平行于衬底的多个分量。液晶分子根据电场在平行于衬底的平面中旋转。因此，可以控制光的透射和反射，由此显示灰度级。

在提供了多个用作公共电极的电极时，理想的是在绝缘层中形成开口(接触孔)或者重叠电极以便使电极彼此电连接。

在用作像素电极的电极和用作公共电极的电极之间提供有绝缘层时，重叠的部分被用作电容器。该电容器可以用作保持图像信号的保持电容器。

在通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001中，提供了反射电极。通过反射电极反射光实施显示。反射电极也可以用作公共电极。在这种情况下，反射电极可以连接到要被输送电压的公共电极。不用说，反射电极和公共电极都可以分开提供。在反射电极和公共电极分开的情况下，可以不给反射电极提供电压或者可以给反射电极提供另一电压。

在通过使光穿过其中实施显示的部分(透射部分)1002中，可以提供透明电极。通过使光穿过其中或者通过在透明电极中的孔隙实施显示。透明电极也可以用作公共电极。在这种情况下，透明电极可以连接到要被输送电压的公共电极。不用说，透明电极和公共电极可以分别提供。在透明电极和公共电极分开提供的情况下，可以不给透明电极提供电压或者可以给透明电极提供另一电压。此外，透明电极也可以用作像素电极。

描述附图78中的结构。在反射部分1001中，液晶元件中的电极9103和液晶元件中的电极9305重叠，并在它们之间插入绝缘层9204和9304。在透射部分1002中，液晶元件中的电极9103和液晶元件中的电极9104重叠，并在它们之间插入绝缘层9304。

在反射部分1001和透射部分1002中，液晶元件中的电极9103和液晶元件中的电极9105交替地设置。

液晶元件中的电极9103和9105被形成为梳状，液晶元件中的电极9305和9104是平滑状。然而，并不限于这些。液晶元件中的电极9305和9104每个可以具有切口状孔隙、孔，或者可以是梳状。

液晶元件中的电极9103用作像素电极，液晶元件中的电极9305、9104和9105用作公共电极。然而，并不限于这些，液晶元件中的电极9103可以用作公共电极，液晶元件中的电极9305、9104和9105可以用作像素电极。

理想的是，每个公共电极可以通过在绝缘层中形成接触孔或者与电极彼此重叠电连接。

液晶元件中的电极9305由反射光的导电材料形成。因此，液晶元件中的电极9305用作反射电极。此外，液晶元件中的电极9104由允许光通过其中的透明材料形成。因此，在液晶元件中的电极9104用作透明电极。

在液晶元件中的电极9103和9105理想地由导电且透明的材料形成。这是因为，在它们使光通过时它们对显示图像的部分具有影响。注意，在液晶元件中的电极9103和9105可以由反射光的材料形成。在这种情况下，甚至透射部分1002可以用作反射部分，这是因为透射部分1002反射了光。

注意，理想地，液晶元件中的电极9103和9105同时形成。这是因为，在液晶元件中的电极9103和9105同时形成时，可以简化处理过程，可以减少掩模(中间掩模)的数量，由此可以降低成本。然而，并不限于这些，液晶元件中的电极9103和9105可以分开形成。在这种情况下，液晶元件中的电极9103和9105中的一个可以是透明的，而另一个反射光。

在用作像素电极的电极(在液晶元件中的电极9103)和用作公共电极的电极(在液晶元件中的电极9305、9104和9105)之间提供绝缘层时，重叠的部分可以用作电容器。该电容器用作保持图像信号的保持电容器。

如附图78和79所示，在液晶显示器中的电极9103和9305之间产生了电位差时，在液晶元件中的电极9103和9105之间，在液晶层9303中的液晶分子(9303a和9303b)在平行于液晶元件中的电极9103、9305和9104的表面的方向上(即，在平行于衬底的平面中)旋转。因此，可以控制通过液晶层9303的光量。即，可以控制光的偏振状态，并且可以控制通过偏振片的光量，该偏振片提供在衬底的外侧上。附图79对应于附图77A和112A。附图79中所示的液晶分子(9303a和9303b)以类似的方式旋转到附图77A、77B、112A和112B中所示的液晶分子。光从外部进入液晶显示器件并通过液晶层9303，通过液晶元件中的电极9103和绝缘层9204和9304，反射离开液晶元件中的电极9305，通过液晶元件中的绝缘层9204和9304和电极9103，并从液晶显示器件射出，光以这个顺序行进。

注意，附图79中的电极9004对应于在附图78中的液晶元件中的电极9305和9104。附图79中的绝缘层9005对应于在附图78中的绝缘层9204和9304。

如附图79所示，由于用作公共电极的电极在用作像素电极的电极的倾斜方向上(包括上倾斜方向和下倾斜方向)或者交叉方向上被提供在用作像素电极的电极之下，因此在区域9002和9003中产生了平行于衬底的更多的电场分量。结果，进一步提高了视角特征。

注意，由于绝缘层9204和9304几乎不具有折射率各向异性，因此在光通过其中时，偏振状态不改变。

注意，在通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001和通过使光穿过其中实施显示的部分(透射部分)1002中，在光路中提供滤色片，由此使光具有所需的颜色。从每个像素中发出的光混合以显示图像。

滤色片可以提供在反衬底上，该反衬底被提供在液晶层9303之上或者液晶元件中的电极9103之上。可替换地，滤色片可以提供在绝缘层9304之上或者作为其一部分。

注意，黑色矩阵(black matrix)也可以与滤色片一起提供。

注意，在通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001中，光通过液晶层9303两次。即，外部光从反衬底侧进入液晶层9303，反射离开液晶元件中的电极9305，再次进入液晶层9303，然后穿过反衬底侧射出。这样，光通过液晶层9303两次。

另一方面，在通过使光穿过其中实施显示的部分(透射部分)1002中，光通过液晶元件中的电极9104，进入液晶层9303，然后穿过反衬底射出。即，光通过液晶层9303一次。

液晶层9303具有折射率各向异性，因此光的偏振状态根据液晶层9303中的光行进的距离改变，这将导致不精确的图像显示。因此，光的偏振状态需要调整。在通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001中的液晶层9303的厚度(所谓的单元间隙)变薄，因此即使在光通过其中两次时，仍然可以防止光在液晶层9303中行进的距离太长。

注意，绝缘层9204和9304几乎不具有折射率各向异性，因此通过其中的光的偏振状态不改变。因此，绝缘层9204和9304的存在和厚度不具有太大的影响。

为使液晶层9303的厚度(所谓的单元间隙)变薄，可以提供调节其厚度的膜。在附图78中，绝缘层9204对应于这种膜。即，在通过反射光实施显示的部分(反射部分)1001中，绝缘层9204是用于调节液晶层的厚度而提供的层。提供绝缘层9204可以使反射部分1001中的液晶层比透射部分1002中的液晶层更薄。

注意，理想是的，在反射部分1001中的液晶层9303的厚度是透射部分1002中的液晶层9303的厚度的一半。在此，“一半”可能包括人眼不可识别的偏差。

注意，光线不总是从垂直方向(即与衬底正交的方向)发射。光线通常倾斜发射。因此，考虑到所有的情况，光线在反射部分1001和透射部分1002中行进的距离需要大致相同。因此，理想的是，反射部分1001中的液晶层9303的厚度大致是透射部分1002中的液晶层9303的厚度的三分之一至三分之二。

因此，如果调节液晶层9303的厚度的膜被置于其中提供了液晶元件中的电极9103的衬底侧，则该膜形成更加容易。即，在其中提供了液晶元件中的电极9103的衬底侧上，形成了各种引线、电极和膜。调节液晶层9303的厚度的膜可以通过使用这种引线、电极和膜形成；因此形成膜的困难很小。此外，具有另一功能的膜可以在相同的步骤中形成，因此可以简化处理过程并且可以降低成本。

由于观看其显示屏的角度的缘故，具有前述结构的本发明的液晶显示器件具有宽视角和更小的色移。此外，本发明的液晶显示器件可以提供在太阳下的室外和黑暗的室内(或夜晚在室外)都能够有利地识别的图像。

虽然液晶元件中的电极9305和9104在附图78中设置在相同的平面中，但是并不限于此。它们可以形成在不同的平面中。

注意，在附图78中，液晶元件中的电极9305和9104彼此分开地设置。然而，并不限于此。液晶元件中的电极9305和9104可以彼此接触地设置，或者它们可以由一个电极形成。可替换地，液晶元件中的电极9305和9104可以彼此电连接。此外，液晶元件中的电极9105和9104可以彼此电连接。

在附图78中，绝缘层9204作为调节液晶层9303的厚度的膜提供。然而，并不限于此，调节液晶层9303的厚度的膜可以提供在反衬底侧上。

虽然提供该膜以使液晶层9303变薄，但是在预定的部分中可以清除该膜以使液晶层9303变厚。

反射电极可以具有平坦的表面，但理想的是具有不平坦的表面。通过这种不平坦的表面，可以使光扩散并反射。结果，可以散射光并改善亮度。

注意，如附图80所示，在透射部分1002中不必提供液晶元件中的电极9104。

在这种情况下，如附图81所示，在液晶元件中的电极9105和9103之间施加电压以控制液晶分子(9303a和9303b)。

如上文所述，由于液晶元件中的电极9104没有提供在透射部分1002中，因此可以简化处理过程，可以减少掩模(中间掩模)的数量，并可以降低成本。

〔实施例模式2〕

描述具有与实施例模式1的结构不同的结构的本发明的液晶显示器件的实例。具有与实施例模式1相同的功能的部分由相同的参考标号表示。

附图82显示了这样的一种与附图78中所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中液晶元件中的电极9305和9104层叠起来。在液晶元件中的电极9305和9104被要求具有相同的电位时，它们被层叠以彼此电连接。

虽然液晶元件中的电极9104被置于液晶元件中的电极9305之下，但是并不限于此。液晶元件中的电极9104也可以置于液晶元件中的电极9305之上。

虽然液晶元件中的电极9104被置于液晶元件中电极9305之下的整个区域中，但是并不限于此。液晶元件中的电极9104可以置于液晶元件中的电极9305的一部分之上和之下。

在液晶元件中的电极9104被置于液晶元件中的电极9305之下的整个区域中的情况下，液晶元件中的两电极9305和9104都可以使用一个掩模形成。一般地，液晶元件中的电极9305和9104每个可以使用不同的掩模形成。然而，在这种情况下，使用掩模比如半石(halfstone)和玄武石，并且通过按区域改变抗蚀剂的厚度，可以使用一个掩模形成液晶元件中的电极9305和9104。结果，可以简化处理过程，可以减少步骤数量，可以减少掩模(中间掩模)的数量，因此可以降低成本。

在附图83中，示出了这样的液晶显示器件，其中液晶元件中的电极9305和9104通过彼此部分地重叠实现电连接。在这种结构中液晶元件中的电极9305和9104可以电连接。

虽然液晶元件中的电极9104被置于要与其彼此接触的液晶元件中的电极9305之上，但并不限于此。液晶元件中的电极9305可以置于要与其彼此接触的液晶元件中的电极9104之上。

这样，通过在液晶元件中的电极9305之上的较宽的区域中不设置液晶元件中的电极9104，可以减小其中的光损失。

在附图84中，液晶元件中的电极9305和9104被提供在不同的层中，并在它们之间设置绝缘层9306。如附图85所示，液晶元件中的电极9305和9104可以提供在不同的层中。

在液晶元件中的电极9305和9104形成在不同的层中时，在反射部分1001中的液晶元件中的电极9305和9104之间的距离与在透射部分1002中的距离大致相同。因此，在反射部分1001中的电极之间的间隙和在透射部分1002中的电极之间的间隙大致相同。由于电场的强度和应用根据电极之间的间隙改变，因此在电极之间的间隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同时，大致相同水平的电场被施加到其中。因此，可以精确地控制液晶分子。此外，由于液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋转，因此不管是通过用作透射型还是反射型的液晶显示器件显示或观看图像，都可以看到大致相同的灰度级的图像。

虽然液晶元件中的电极9104被置于液晶元件中的电极9305之下的整个区域中，但是并不限于此。液晶元件中的电极9104需要至少被提供在透射部分1002中。

注意，在绝缘层9306中可以形成接触孔以连接液晶元件中的电极9104和9305。

附图85所示为与附图84不同的这样的液晶显示器件的实例：其中液晶元件中的电极9305被提供在比液晶元件中的电极9104更低的层(更加远离液晶层9303的层)中。

虽然液晶元件中的电极9104也形成在反射部分1001中，但并不限于此。液晶元件中的电极9104需要至少被提供在透射部分1002中。

注意在液晶元件中的电极9104也形成在反射部分1001中的情况下，液晶层9303根据在液晶元件中的电极9104和9103之间的电压被控制。在这种情况下，液晶元件中的电极9305仅仅用作反射电极，液晶元件中的电极9104用作反射部分1001中的公共电极。

因此，在这种情况下，被输送给液晶元件中的电极9305的电压是任意的。与液晶元件中的电极9104或液晶元件中的电极9103相同的电压可以被输送给液晶元件中的电极9305。在这种情况下，电容器形成在液晶元件中的电极9305和9104之间，它可以用作保持图像信号的保持电容器。

注意，接触孔可以形成在绝缘层9306中以使液晶元件中的电极9305和9104彼此连接。

在附图86中，反射部分1001中的液晶元件的电极9305和透射部分1002中的液晶元件的电极9103和9105形成在绝缘层9304之上。此外，绝缘层9204形成在液晶元件中的电极9305之上，反射部分中的液晶元件的电极9103和9105形成在其上。液晶元件中的电极9104形成在绝缘层9304之下。

虽然液晶元件中的电极9104也形成在反射部分1001中，但是并不限于此。液晶元件中的电极9104需要至少被提供在透射部分1002中。

注意，接触孔可以形成在绝缘层9304中以使液晶元件中的电极9104和9305彼此连接。

注意，如附图93所示，液晶元件中的电极9104不必提供在透射部分1002中。

在这种情况下，如附图81所示，电压施加在液晶元件中的电极9105和9103之间以控制液晶分子(9303a和9303b)。

如上文所述，由于液晶元件中的电极9104没有提供在透射部分1002中，因此可以简化处理过程，可以减少掩模(中间掩模)数量，并且可以降低成本。

注意，在附图78至86和93中，虽然没有示出电极的表面的不平整性，但是在液晶元件中的电极9103、9305、9104和9105的表面不限于平整的。它们的表面可以是不平坦的。

注意，在附图78至86和93中，虽然没有示出绝缘层9204、9304和9306的表面的不平整性，但是绝缘层9204、9304和9306的表面不限于平整的。它们的表面可以是不平坦的。

注意，通过使反射电极的表面非常不平坦，可以扩散光。结果，可以改善显示器件的亮度。因此，在附图78至86和93中所示的反射电极和透明电极(液晶元件中的电极9305和9104)可以是不平坦的表面。

注意，不平坦的表面优选具有使光尽可能容易扩散的形状。

在透射部分1002中，理想的是，透明电极不具有不平坦性以便不影响电场的施加。注意，即使它们是不平坦的，如果不影响显示则仍然不存在问题。

附图87所示为其中附图78中的反射电极的表面是不平坦的情况。附图88和89每个所示为其中附图82中的反射电极的表面是不平坦的情况。附图90所示为其中附图83中的反射电极的表面是不平坦的情况。附图91所示为其中附图84中的反射电极的表面是不平坦的情况。附图92所示为其中附图85中的反射电极的表面是不平坦的情况。

其中反射电极的表面并非不平坦的附图78至86和93的描述可以应用于附图86至92。

附图87所示为不同于附图78中的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中凸形散射体9307被提供液晶元件中的电极9305之下。通过提供凸形散射体，液晶元件中的电极9305具有不平坦的表面，光被散射，可以防止由于光的反射引起的眩眼度和对比度劣化；由此改善了亮度。

注意，散射体9307的形状理想地具有使光尽可能容易扩散的形状。然而，由于电极和引线可以形成在其上，因此平滑的形状比较理想以防止电极和引线断裂。

附图89所示为不同于附图88所示的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中液晶元件中的电极9305和9104层叠起来。

由于液晶元件中的电极9104和9305在较大的区域上层叠在一起，因此可以减小接触电阻。

附图90所示为不同于附图89中所示的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中散射体9203被提供在液晶元件中的电极9305和9104之间。

由于在形成了液晶元件中的电极9104之后形成散射体9203，因此在反射部分1001中可以使液晶元件中的电极9104平整。

附图90所示为不同于附图83中所示的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中凸形散射体9203可以提供在液晶元件中的电极9305之下。

附图91所示为不同于附图84中所示的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中绝缘层9306的表面部分地不平坦。液晶元件中的电极9305的表面变得不平坦，反映了绝缘层9306的这种形状。

附图92所示为不同于附图85中所示的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中通过在液晶元件中的电极9305之下提供具有部分不平坦的表面的绝缘层9308，液晶元件中的电极9305的表面变得不平坦。

虽然在附图78至93中，用于调节液晶层9303的厚度的膜形成在液晶元件中的电极9103之下，但不限于此。如附图94所示，用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9204可以被置于液晶元件中的电极9103和9105之上。

在这种情况下，如附图95所示，液晶元件中的电极9104不必提供在透射部分1002中。

如上文所述，由于液晶元件中的电极9104未被提供在透射部分1002中，因此可以简化处理过程，可以减少掩模(中间掩模)的数量，以及可以降低成本。

附图94对应于附图78。在附图82至92中，如附图94的情况一样，用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9204可以被置于液晶元件中的电极9103之上。

虽然在附图78至94的多幅附图中，用于调节液晶层9303的厚度的膜被提供在形成了液晶元件中的电极9103的衬底侧，但并不限于此。用于调节液晶层9303的厚度的膜可以被置于反衬底侧之上。

通过将用于调节液晶层9303的厚度的膜置于反衬底侧上，液晶元件中的电极9103可以被设置在反射部分1001中的同一平面中和在透射部分1002中的同一平面中。因此，在反射部分1001和透射部分1002中的电极之间的距离可能大致相同。由于电场的强度和应用根据在电极之间的距离改变，因此电极之间的间隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同时，大致相同水平的电场被施加到其中。因此，可以精确得控制液晶分子。此外，由于液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋转，因此不管是通过用作透射型还是反射型的液晶显示器件显示或观看图像，都可以看到大致相同的灰度级的图像。

在提供了用于调节液晶层9303的厚度的膜时，存在的可能是液晶分子的对准状态变得无序，可能造成缺陷比如旋错。然而，在反衬底9202之上放置用于调节液晶层9303的厚度的膜可以将反衬底9202和在液晶元件中的电极9103分开，因此施加给液晶层的电场不会被减弱，液晶分子的对准状态几乎不会变成无序，可以防止图像变得几乎不可识别。

注意，形成反衬底的步骤的数量较少，因为其中仅仅提供了滤色片、黑色矩阵等。因此，即使给反衬底9202提供用于调节液晶层9303的厚度的膜，仍然不容易降低产量。即使产生了缺陷，由于步骤数量较少并且成本较低，因此可以抑制制造成本的浪费。

注意，在其中给反衬底9202提供了用于调节液晶层9303的厚度的膜的情况下，用作散射材料的颗粒可以被包含在用于调节液晶层9303的厚度的膜中以使光扩散并改善亮度。颗粒可以由具有与形成调节间隙的膜的基底材料(比如丙烯酸树脂)不同的折射率的透明树脂材料形成。在包含了颗粒时，光可以散射，所显示的图像的亮度和对比度可得到改善。

附图96所示为其中向附图78中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。附图97所示为其中向附图82中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。附图98所示为其中向附图83中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。附图99所示为其中向附图84中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。附图100所示为其中向附图85中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。附图101所示为其中向附图80中的反衬底提供用于调节液晶层的厚度的膜的情况。

因此，附图78至86的描述可以适用于附图96至101。

附图96所示为与附图78中所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被提供在绝缘层9304之上。

附图97所示为与附图82中所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被形成在绝缘层9304之上。

附图98所示为与附图83中所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被形成在绝缘层9304之上。

附图99所示为与附图84中所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被提供在绝缘层9304之上。

附图100所示为与附图87所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被提供在绝缘层9304之上。

附图101所示为与附图80所示的液晶显示器件不同的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被提供在绝缘层9304之上。

注意，在附图96至101中，虽然没有示出电极的表面的不平坦性，但是液晶元件中的电极9103、9305、9104和9105的表面不限于平整的。它们的表面可以是不平坦的。

注意，在附图96至101中，虽然没有示出绝缘层9204、9304和9306的表面的不平坦性，但是绝缘层9204、9304和9306的表面不限于平整的。它们的表面可以是不平坦的。

注意，通过使反射电极的表面非常不平坦，可以扩散光。结果，可以改善显示器件的亮度。因此，附图96至101中所示的反射电极和透明电极(液晶元件中的电极9305和液晶元件中的电极9104)可以具有不平坦的表面。

注意，不平坦的表面优选具有使光尽可能容易扩散的形状。

在透射部分1002中，理想的是，透明电极不具有不平坦性以便不影响给液晶层施加电场。注意，即使它们是不平坦的，如果不影响显示仍然不存在问题。

注意，如附图78至86的情况一样，其中反射电极可以具有如附图87至92中所示那样的不平坦的表面，附图96至101中的反射电极可以是不平坦的表面。附图102所示其中附图96中的反射电极具有不平坦性的情况。类似地，在附图97至101中的反射电极具有不平坦性。

其中反射电极的表面并非不平坦的附图96的描述可以应用于附图102。

附图102所示为不同于附图96中的液晶显示器件的液晶显示器件的实例：其中用于调节液晶层9303的厚度的绝缘层9201被提供在液晶层9303的除了提供液晶元件中的电极9103的一侧之外的另一侧上，液晶元件中的电极9103被形成在绝缘层9304之上。

在附图78至102中，有用于调节液晶层9303的厚度的膜被置于其中提供了液晶元件中的电极9103的衬底一侧或反衬底一侧上的情况，但是并不限于此。用于调节液晶层9303的厚度的膜本身不必形成，如附图103所示。附图103对应于附图78和96。除了在附图78和96中所示的情况之外，在附图79至95和97至102中所示的情况中不必形成用于调节液晶层9303本身的厚度的膜。

在未提供用于调节液晶层9303本身的厚度的膜时，光在反射部分中的液晶层中行进的距离不同于在透射部分中行进的距离。因此，理想的是，例如在光路中提供延迟膜(比如四分之一波片)或者具有折射率各向异性的材料(比如液晶材料)以便改变光的偏振状态。例如，如果在反衬底的未提供绝缘层的一侧上的偏振片和反衬底之间提供延迟膜，则光透射状态在反射部分和透射部分中可以相同。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9103可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的电极9103可以形成在不同的平面上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9105可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的电极9105可以形成在不同的平面上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9103可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的电极9103可以形成在不同的平面上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9105可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的电极9105可以形成在不同的平面上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，反射部分1001中的液晶元件中的电极9305和9104可以形成为平滑状，但并不限于此。液晶元件中的电极9305和9104可以形成为具有梳状、切口或孔隙。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，透射部分1002中的液晶元件中的电极9104可以形成为平滑状，但并不限于此。液晶元件中的电极9104可以形成为具有梳状、切口或孔隙。

虽然在附图79至104以及前文的描述中，液晶元件中的电极9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件之电极9103之下，但并不限于此。如果液晶中的电极9305和9104具有梳状、切口或孔隙，它们可以被形成在与液晶元件中的电极9103相同的水平面上或者液晶元件中的电极9103之上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件中的电极9105之下，但并不限于此。如果液晶元件中的电极9305和9104具有梳状、切口或孔隙，它们可以被形成在与液晶元件中的电极9105相同的水平面上或者液晶元件中的电极9105之上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的电极9103之下，但并不限于此。如果液晶元件中的电极9305和9104具有梳状、切口或孔隙，它们可以被形成在与液晶元件中的电极9103相同的水平面上或者液晶元件中的电极9103之上。

虽然在附图78至103以及前文的描述中，液晶元件中的电极9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的电极9105之下，但并不限于此。如果液晶元件中的电极9305和9104具有梳状、切口或孔隙，它们可以被形成在与液晶元件中的电极9105相同的水平面上或者液晶元件中的电极9105之上。

注意，在前述的结构比如在附图78至103所示的结构及其组合中，滤色片可以被提供在反衬底之上或者可以被提供在其上提供了液晶元件中的电极9103的衬底之上，该反衬底被提供在液晶层9303之上。

例如，滤色片可以被提供在绝缘层9304、9204、9306和9308中或作为其一部分。

注意，黑色矩阵可以以类似的方式提供给滤色片。不用说，可以提供滤色片和黑色矩阵两者。

因此，如果绝缘层用作滤色片或者黑色矩阵，则可以减小材料成本。

在滤色片或黑色矩阵被置于其上提供了液晶元件中的电极9103的衬底之上时，提高了反衬底的设置裕度。

注意，在液晶元件中的电极的各种位置、种类和形状以及绝缘层的各种位置和形状都可以使用。即，在一幅附图中的液晶元件中的电极的位置和在另一幅附图中的绝缘层的位置可以组合以形成许多变型。例如，在附图88中所示的实例可以通过将附图79中的液晶元件中的电极9305的形状改变为具有不平坦的形状而形成。另一实例，在附图79中的液晶元件中的电极9104的形状和位置可以改变，以形成在附图87中所示的实例。在前文的附图中，每个附图中的每个部分可以与另一附图中的对应部分组合；因此可以形成许许多多的变型。

〔实施例模式3〕

在实施例模式1和2中，描述这样的情况：其中提供反射部分和透射部分，即其中提供半导体液晶显示器件的情况，但不限于此。

液晶元件中的电极9305和9104中的一个电极被取消而另一电极被提供在整个表面之上时，可以形成反射或透射液晶显示器件。

液晶元件中的电极9305被取消而液晶元件中的电极9104被提供在整个表面之上时，形成了透射液晶元件。在室内使用这种透射液晶显示器件时，因为其孔隙比率较高，因此可以实施明亮且漂亮的显示。

液晶元件中的电极9104被取消而液晶元件中的电极9305被提供在整个表面之上时，形成了反射液晶显示器件。在室外使用这种反射液晶显示器件时，因为其反射率较高，因此可以实施清晰的显示；因此，可以实现具有较低的功耗的显示器件。在室内使用反射液晶显示器件时，可以通过在显示部分上提供正面光实施显示。

在液晶显示器件被用作反射液晶显示器件或者透射液晶显示器件时，在一个像素中光行进的距离不变。因此，不要求用于调节液晶层(单元间隙)的厚度的绝缘层9204。

附图104所示为其中在附图78中所示的液晶显示器件是透射型的实例。附图105显示了其中在附图87中所示的液晶显示器件是反射型的实例。

如附图104和105所示，接触孔可以形成在绝缘层9304中以便连接液晶元件中的电极9305、9104和9105。由于这些电极用作公共电极，因此理想地，它们电连接。

注意，以类似于附图104和105的方式，关于附图77至103的附图和描述可以适用于透射或反射型液晶显示器件。

注意，实施例模式1和2中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式4〕

描述本发明的有源矩阵液晶显示器件的实例。

在本实施例模式中，描述这样的一种实例：其中在实施例模式1至3中描述的结构或者通过附图中示出的各部分的组合实现的结构可以形成有晶体管。

注意，在本发明中，不总是要求晶体管；因此本发明可以适用于没有晶体管的显示器件，即所谓的无源矩阵显示器件。

在本实施例模式中，描述其中液晶显示器件是透射型的并使用顶栅型晶体管控制的情况。

然而，并不限于此，也可以使用底栅型晶体管。

附图1所示为包括具有绝缘表面的衬底100(下文称为绝缘衬底)的液晶显示器件，在该绝缘表面上形成了薄膜晶体管102和连接到薄膜晶体管的第一电极103、第二电极104和第三电极105。第一电极103用作像素电极。第二电极104用作公共电极。第三电极105用作公共电极。

注意，栅极电极是栅极线的一部分。用作开关薄膜晶体管102之电极的栅极线的一部分是栅极电极。

公共引线是电连接到在液晶元件中提供的电极的引线，它被布置成使液晶显示器件中提供的多个像素中的液晶元件中的电极具有相同的电位。在液晶元件中电连接到公共引线的电极一般被称为公共电极。另一方面，在液晶元件中其电位根据来自源极线的电位按照需要改变的电极一般被称为像素电极。

薄膜晶体管102优选形成在绝缘衬底100之上，并与该绝缘衬底之间具有层101。通过提供基层101，可以防止从绝缘衬底100到薄膜晶体管102(特别是到半导体层)的杂质元素的进入。二氧化硅、氮化硅或其叠加的层都可用于基层101。优选氮化硅，因为它可以有效地防止杂质的进入。另一方面，优选氧化硅，因为即使它与半导体层直接接触，它也不会捕获电荷或者造成电特性的滞后。

虽然薄膜晶体管102是顶栅型，但是并不限于此。薄膜晶体管102可以是底栅型。

薄膜晶体管102包括处理成预定形状的半导体层111、覆盖半导体层或提供在半导体层之上的栅极绝缘层112、提供在半导体层之上并与半导体层之间具有栅极绝缘层的栅极电极113和源极和漏极电极116。

所形成的覆盖半导体层的栅极绝缘层可以防止杂质附着或者进入到半导体层，即使在处理过程中该半导体层暴露在大气环境中时。此外，提供在半导体层之上的栅极绝缘层可以使用栅极电极作为掩模进行处理，因此可以减少掩模的数量。因此，栅极绝缘层112的形状可以根据处理过程等决定，它可以是栅极绝缘层112仅仅形成在栅极电极之下或者可以形成在整个表面之上。可替换地，栅极绝缘层112可以被提供成在栅极电极之下或附近较厚，而在其它区域中较薄。

在半导体层中，提供了杂质区114。薄膜晶体管根据杂质区的导电性变为N-型或P-型。通过使用栅极电极113作为掩模，杂质区可以通过以自对准的方式添加杂质元素形成。注意，可以准备并使用另一掩模。

在杂质区中，其浓度可以改变。例如，可以提供低浓度杂质区和高浓度杂质区。低浓度杂质区可以通过使栅极电极113具有渐缩的形状并使用栅极电极以自对准的方式添加杂质元素形成。可替换地，低浓度杂质区可以通过改变栅极绝缘层112的厚度或者使栅极电极具有渐缩的形状形成。此外，杂质区的浓度可以通过在栅极电极113的侧表面中形成侧壁结构而改变。其中提供低浓度杂质区和高浓度杂质区的结构被称为LDD(轻掺杂漏极)结构。其中低浓度杂质区和栅极电极重叠的结构被称为GOLD(栅极-漏极重叠的LDD)结构。在这种包括低浓度杂质区的薄膜晶体管中，可以防止随着栅极长度缩短产生的短沟道效应。此外，可以减小截止电流，并可以抑制在漏极区中的电场的浓度；由此改善了晶体管的可靠性。

提供绝缘层106以覆盖半导体层111和栅极电极113。绝缘层106可以具有单层结构或者叠层结构。无机材料或有机材料可以用于绝缘层106。作为无机材料，氧化硅或者氮化硅都可以使用。作为有机材料，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺氨、抗蚀剂、苯环丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷。硅氧烷包括由硅(Si)和氧(O)的键形成的骨架结构。至少包含氢的有机基团(比如羟基或芳烃)被用作取代基。可替换地，氟基团可以被用作取代基。此外，可替换地，至少包含氢的有机基团和氟基团可以被用作取代基。注意，聚硅氮烷可以使用具有硅(Si)和氮(N)的键的聚合物材料作为起始材料形成。优选使用有机材料用于绝缘层106，因为其表面的平整性可以被改善。在无机材料被用于绝缘层106时，其表面符合半导体层或栅极电极的形状。在这种情况下，绝缘层106可以通过被加厚而变平整。

开口形成在绝缘层106中以暴露杂质区。导电层形成在该开口中以形成源极和漏极电极116。用于源极和漏极电极的导电层可以由从下列材料中选择的元素形成：钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、钕(Nd)等；包含这些元素作为主要成分的合金材料；或者导电材料比如金属氮化物比如氮化钛、氮化钽或氮化钼。导电层可以具有这些材料的叠层结构或者单层结构。叠层结构可以减小其电阻。另一电极117等可以使用与源极和漏极电极相同的导电层形成。

绝缘层107被形成为覆盖源极和漏极电极116。绝缘层107可以以与绝缘层106类似的方式形成。即，如果绝缘层107使用有机材料形成，则可以改善其平整性。由于第一电极103和第三电极105形成在绝缘层107上，因此理想的是，绝缘层107的平整性较高。提供第一电极103和第三电极105以将电压应用到液晶材料，它们需要是平整的；因此理想的是绝缘层107的平整性较高。

第一电极103和第三电极105被处理成梳状或被处理成具有切口。第一电极103和第三电极105交替地设置。换句话说，第一电极103和第三电极105可以被处理成能够交替地设置。在第一电极103和第三电极105之间的间隙是2至8微米，优选3至4微米。给由此设置的第一电极103和第三电极105施加电压在其间产生了电场。因此，可以控制液晶材料的取向。由此产生的电场具有与衬底平行的许多分量。因此，液晶分子在与衬底大致平行的平面中旋转。因此，可以控制光的透射。

在绝缘层107上形成的第一电极103和第三电极105由如下材料形成；导电材料比如从钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)等中选择的元素；包含以上元素作为主要成分的合金材料。在第一电极103和第三电极105需要透明时，可以使用透明导电材料比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。

然后，描述第二电极104。第二电极104被提供在基层101或者栅极绝缘层112之上。第二电极104形成在一个像素区之上。具体地说，第二电极104形成在除了薄膜晶体管形成区之外的一个像素区之上。换句话说，与梳状第三电极105不同的，第二电极104被提供在一个像素区之上，换句话说，在梳状第三电极105和第一电极103之下的区域。即，第二电极104被提供为平滑状。第二电极104形成在一个像素区之上，对其形状没有限制。例如，第二电极104可以形成在一个像素区的整个表面之上，或者在一个像素区上形成为梳状或者可以包括切口或孔。

第二电极104由如下的导电材料形成：例如钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。第二电极104可以形成在与半导体层111相同的层中；因此，半导体层可以用于第二电极104。然而，注意由于第二电极104需要是导电的，因此可以使用晶体半导体层、以杂质元素掺杂的半导体层或者以杂质元素掺杂的晶体半导体层。

在这种情况下，理想地，在薄膜晶体管102中的半导体层和由半导体层形成的第二电极104都同时形成。结果，可以简化处理过程并降低成本。

第二电极104电连接到第三电极105，并在它们之间有电极117。

在形成透射型液晶显示器件时，第二电极104和第三电极105由透明导电材料形成，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。与另一导电材料比如Al相比，这些透明材料具有较高的电阻。因此，由具有较低的电阻的导电材料(比如钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)或银(Ag))形成的电极117或者与栅极电极113同时形成的引线都可用于连接第二电极104和第三电极105，由此电极117和引线都可用作第二电极104和第三电极105的辅助引线或者辅助电极。结果，均匀的电压可被施加给第二电极104和第三电极105，这意味着在第二电极104和第三电极105中可以防止由电极的电阻引起的电压降。

这时，理想的是使用与栅极电极113同时形成的导电层作为辅助引线。在这种情况下，理想地，辅助引线被设置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。

在电压被施加给第二电极104和梳状的第一电极103时，在它们之间也产生了电场。即，在第二电极104和第一电极103之间和在梳状的第三电极105和第一电极103之间都产生了电场。液晶材料的倾斜和旋转角度根据在两对电极之间的电场控制，由此可以实现灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。具体地说，通过提供第二电极104，可以充分地控制正好在梳状第三电极105或梳状第一电极103之上的液晶材料的倾斜，但是还不可能充分地控制其倾斜。这是因为：除了在梳状第三电极105和梳状第一电极103之间产生的电场的方向之外，在第二电极104和第一电极103之间产生了电场。因此，通过提供多对电极以在其间产生多个方向的电场，可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，被提供成面对绝缘衬底100的衬底可以具有与晶体管重叠的光屏蔽层。光屏蔽层例如由导电材料比如钨、铬或钼；硅化物比如硅化钨或包含黑色颜料或碳黑的树脂材料形成。此外，提供滤色片以便与梳状第一电极103和梳状第三电极105重叠。在滤色片上进一步提供对准膜。

液晶层被提供在绝缘衬底100和反衬底之间。在每个绝缘衬底100和反衬底之上提供偏振片。每个偏振片被提供在绝缘衬底100和反衬底的另一侧之上，该另一侧是与提供了液晶层的一侧不同的一侧。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中所描述的实例。因此，在实施例模式1至3中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式5〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式中所描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中公共电极被提供在与薄膜晶体管中的源极和漏极电极相同的层中。

注意，可以利用底栅型晶体管。

如附图2所示，公共电极122可以提供在绝缘层106之上以与引线121接触。公共电极122可以与前述实施例模式4中的第二电极104类似地形成。

如附图1一样，梳状第三电极105和梳状第一电极103被提供在绝缘层107之上，第三电极105通过在绝缘层107中提供的开口连接到公共电极122。

公共电极122与引线121接触，第三电极105也电连接到引线121。因此，在公共电极122和第三电极105由与Al等相比具有较高的电阻的导电材料(氧化铟锡(ITO)、氧化锌铟(IZO)、包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si))形成时，由Al等形成的引线121或与栅极电极113同时形成的引线可以用作公共电极122和第三电极105的辅助引线。结果，如上文所述，可以防止由公共电极122和第三电极105的引线电阻引起的电压降。

因为其它结构类似于附图1的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在电压被施加给这种公共电极1 22和梳状的第一电极103时，在它们之间也产生了电场。即，在公共电极122和第一电极103之间和在梳状的第三电极105和第一电极103之间都产生了电场。液晶材料的倾斜根据在两对电极之间的电场控制，由此可以实现灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。具体地说，通过提供公共电极122，可以充分地控制正好在梳状第三电极105或梳状第一电极103之上的液晶材料的倾斜，尽管还不可能充分地控制其倾斜。

因此，通过提供多对电极以在其间产生多个方向的电场，可以充分地控制液晶材料的倾斜。此外，在本实施例模式中，由于公共电极1 22被形成在绝缘层106之上，因此在公共电极122和第一电极103之间的距离变得更短，由此可以降低要施加的电压。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3所描述的实例，这种实例是实施例模式4中的实例的改进。因此，在实施例模式1至4中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式6〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式所描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中公共电极被提供在基层101之上。

如附图3所示，基层101被提供在绝缘衬底100之上，并且公共电极132形成在其上。公共电极132可以与前述的实施例模式中的第二电极104类似地形成。绝缘层106被提供在公共电极132之上，并且公共电极132通过在绝缘层106中提供的开口连接到第三电极105。因此，在公共电极132和第三电极105由与Al等相比具有较高的电阻的导电材料(氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si))形成时，由Al等形成的引线131可以用作辅助引线或引线。结果，如上文所述，可以防止由公共电极132和第三电极105的引线电阻引起的电压降。引线131可以通过与栅极电极113相同的导电层形成。在这种情况下，理想地，辅助引线被设置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。

注意，在本实施例模式中可以使用底栅型晶体管。

在电压被施加给这种公共电极132和梳状的第一电极103时，在它们之间也产生了电场。即，在公共电极132和第一电极103之间和在梳状的第三电极105和第一电极1 03之间都产生了电场。液晶材料的倾斜根据在两对电极之间的电场控制，由此可以实现灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。具体地说，通过提供公共电极132，可以充分地控制正好在梳状第三电极105或梳状第一电极103之上的液晶材料的倾斜，尽管一直还不可能充分地控制其倾斜。

因此，通过提供多对电极以在其间产生多个方向的电场，可以充分地控制液晶材料的倾斜。此外，在本实施例模式中，由于公共电极122被形成在基层101之上，因此绝缘层106本身可以用作单层结构。结果，公共电极132和第一电极103之间的距离变得更短，由此可以降低要施加的电压。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3所描述的实例，这种实例是实施例模式4或5中的实例的改进。因此，实施例模式1至5中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式7〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式中所描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中非晶半导体层用作薄膜晶体管中的半导体层。

如附图4所示，包括非晶半导体层的薄膜晶体管160形成在基层101之上。薄膜晶体管160是所谓的底栅型，在这种类型中半导体层被提供在栅极电极之下。

栅极电极113形成在基层101之上，并且栅极绝缘层112被形成为覆盖栅极电极113。非晶半导体层411形成在栅极电极之上，在非晶半导体层411和栅极电极之间有栅极绝缘层112。非晶半导体层411可以由含硅的材料形成。

源极和漏极电极116被形成为覆盖非晶半导体层411的两个边缘。为了减小引线电阻，N-型杂质区优选形成在与源极和漏极电极接触的非晶半导体层中的区域中。N-型杂质区可以通过将杂质添加到非晶半导体层411的表面中而形成。

此后，使用源极和漏极电极将非晶半导体层411处理成预定形状。这时，在薄膜晶体管160中的半导体层中的沟道形成区之上的部分通过蚀刻被清除。具有这种结构的薄膜晶体管被称为沟道蚀刻的薄膜晶体管。

绝缘层106被形成为覆盖以这种方式形成的薄膜晶体管160。用于绝缘层106的有机材料的使用可以改善其表面的平整性。不用说，无机材料也可用于绝缘层106，或者也可以使用包括无机材料和有机材料的叠层结构。在绝缘层106中形成开口以便暴露源极和漏极电极116，由此形成在绝缘层106之上的第一电极103和源极和漏极电极116被电连接。如前述的实施例模式一样，将绝缘层106之上的第一电极103形成为梳状。

然后，描述公共电极401的结构。公共电极401形成在基层101之上。公共电极401可以类似于前述的实施例模式中所示的第二电极104地形成。公共电极401的形状被处理成形成在像素区之上。导电层402被形成在经处理的公共电极401的一部分中。通过处理与薄膜晶体管160中的栅极电极113相同的导电层可以获得导电层402。公共电极401和导电层402可以以栅极绝缘层112覆盖。

开口被提供在绝缘层106和栅极绝缘层112中以暴露导电层402。然后，形成在绝缘层106之上的梳状第三电极105与导电层402电连接。结果，第三电极105和公共电极401连接。在此，导电层402连接到公共电极401和第三电极105；因此，导电层402可以用作辅助引线。然后，如上文所述，可以防止由公共电极401和第三电极105的引线电阻引起的电压降。

在本实施例模式中，由于使用了利用非晶半导体层的底栅型薄膜晶体管，因此与前述的实施例模式中的顶栅型薄膜晶体管相比，可以减小整个厚度。具体地，与包括叠加的绝缘层106和107的结构相比，在本实施例模式中的结构因为仅仅利用了绝缘层106因此其整个厚度较薄。结果，液晶显示器件可以较薄并且重量轻。

虽然在本实施例模式中利用沟道蚀刻型，但是也可以利用沟道保护型。在沟道保护型中，保护层被提供在半导体层之上，并且源极和漏极电极被提供在保护层的两侧上，其中在处理半导体层时不清除半导体层的表面。

注意本实施例模式中也可以利用顶栅型晶体管。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至6中的实例的改进。因此，在实施例模式1至6中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式8〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中用作辅助引线的导电层被提供在公共电极之下。

如附图5所示，导电层502事先形成在基层101之上。此后，公共电极501被形成为与导电层502接触。公共电极501可以类似于前述实施例模式中的第二电极104地形成。通过处理与薄膜晶体管160中的栅极电极113相同的导电层或与源极和漏极电极116相同的导电层可以获得导电层502。公共电极501和导电层502以绝缘层106覆盖。

开口被提供在绝缘层106和栅极绝缘层112中以暴露公共电极501。然后，形成在绝缘层106之上的梳状第三电极105和导电层502电连接。在此，导电层502连接到公共电极401和第三电极105；因此，导电层502可以用作辅助引线。然后，如上文所述，可以防止由公共电极501和第三电极105的引线电阻引起的电压降。

因为其它结构类似于附图4的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在本实施例模式中，由于仅仅利用了绝缘层106的结构，因此与包括层叠的绝缘层106和107的结构相比，该结构的整个厚度较薄。结果，液晶显示器件可以较薄并且重量轻。

虽然在本实施例模式中利用沟道蚀刻型薄膜晶体管，但是如前文实施例模式中所描述一样，也可以利用沟道保护型薄膜晶体管。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中描述的实例，这种实例是实施例模式4至7中的实例的改进。因此，在实施例模式1至7中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式9〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式1中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供了滤色片和黑色矩阵。

如附图6A所示，在实施例模式1(附图1)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层107。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。

滤色片150由具有可以展现预定的色彩的材料形成。红色、绿色和蓝色一般被用作预定的颜色。这些颜色的组合实现全色显示。另一方面，在实施单色显示时，滤色片可以由能够展现红色、绿色和蓝色(可替换地，橙色或黄色)中的一种颜色的材料形成。单色显示器适合于显示简单的字母和数字，并且可用于汽车音响或便携式音响设备的显示屏。

提供黑色矩阵151以防止薄膜晶体管102被光辐照、抑制在薄膜晶体管102中包括的电极的反射、防止光从其中液晶分子不受图像信号控制的部分中泄漏、并且用以分割一个像素。只要黑色矩阵151展现出黑色即可被接受，并且该黑色矩阵可以使用包含了铬的导电层或包含了色素或碳黑的有机材料形成。此外，黑色矩阵151可以由被染色的有机材料比如丙烯酸或聚酰亚胺形成。

注意，理想地，黑色矩阵151由非导电材料形成以便不影响电场的施加。

在提供滤色片150和黑色矩阵151时，理想的是，绝缘层106具有层叠的层结构，并且绝缘层可以由作为其上层形成的无机材料和有机材料形成。滤色片150和黑色矩阵151通常由有机材料形成，这些材料包含了对薄膜晶体管的电特性不利的杂质元素。理想的是，形成绝缘层以防止杂质元素进入到薄膜晶体管中的半导体层111中。

因此，优选氮化硅作为形成绝缘层的无机材料。这种绝缘层也被称为钝化层。钝化层并不限于被提供在具有叠层结构的绝缘层106之上。只要钝化层被提供在半导体层111以及滤色片150和黑色矩阵151之间就可以接受。例如，钝化层可以作为具有叠层结构的绝缘层106的底层提供。

注意，在形成滤色片150和黑色矩阵151之前可以淀积无机材料比如氮化硅。

此后，绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。绝缘层152使该表面平整。具体地，在滤色片150和黑色矩阵151彼此重叠的区域中，因为黑色矩阵151的厚度的缘故，所形成的台阶可以通过绝缘层152平整。

附图6B中所示的结构与附图6A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。滤色片150被保护性地(proactively)提供在透射光的区域中，而黑色矩阵151被保护性地提供在包括薄膜晶体管102的区域中。结果，通过薄膜晶体管102和第二电极104的边界区的边界，滤色片150形成在其中形成有第二电极104的区域中，而黑色矩阵151形成有在其中形成有薄膜晶体管102的区域中。然后，绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。

优选彼此不重叠地提供滤色片150和黑色矩阵151，因为在它们重叠的区域中增加了整个厚度。

因为其它结构类似于附图6A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

附图6C中所示的结构与附图6A和6B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底155上。对于提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管102之上即可。

在这种情况下，在相邻像素中的不同颜色的滤色片可以被设置为彼此重叠。在层叠了滤色片的区域中，用作黑色矩阵，因为它的透射率降低了。

在黑色矩阵151被提供给反衬底155时，滤色片150可以被形成在薄膜晶体管102和第二电极104之上。如上文所述，使用有机材料形成滤色片150；因此滤色片150也用作平整膜。即，可以提供滤色片150替代绝缘层107，滤色片150的表面可以被平整。

注意黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

注意，黑色矩阵可以被提供在绝缘衬底100侧上，而且滤色片可以形成在反衬底侧上。通过将黑色矩阵提供在绝缘衬底100侧上，可以改善在衬底中的设置裕度。

在本实施例模式中，如实施例模式1一样，在将电压施加给第二电极104和梳状第一电极103时，在它们之间产生了电场。因此，可以控制液晶材料的倾斜，由此可以实施灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中描述的实例，这种实例是实施例模式4至8中的实例的改进。因此，实施例模式1至8中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式10〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式1中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供了滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。

如附图7A所示，在实施例模式1(附图1)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。该表面可以通过绝缘层152平整。

在提供滤色片150和黑色矩阵151的情况下，理想地，钝化层被提供在滤色片150和黑色矩阵151和在薄膜晶体管102中的半导体层111之间。在本实施例模式中，钝化层154被形成为覆盖栅极电极113和第二电极104。

在这种提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106的结构中，黑色矩阵151被形成在薄膜晶体管102的附近。因此，优选这种结构，因为有效地屏蔽了发射到薄膜晶体管102的光。

在附图7B中所示的结构与在附图7A中所示的结构不同之处在于提供滤色片150和黑色矩阵151以便彼此不重叠。

因为其它结构类似于附图6B的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图7C中所示的结构与在附图7A和7B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底侧上。

因为其它结构类似于附图7B的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至9中的实例的改进。因此，实施例模式1至9中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式11〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式2中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供了滤色片和黑色矩阵。

如附图8A所示，在实施例模式2(附图2)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层107。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。该表面可以通过绝缘层152平整。

在提供滤色片150和黑色矩阵151的情况下，理想地，钝化层被提供在滤色片150和黑色矩阵151和在薄膜晶体管102中的半导体层111之间。在本实施例模式中，绝缘层106具有叠层结构，其上层是由无机材料形成的钝化层153。钝化层并不限于作为具有叠层结构的绝缘层106的上层提供。只要钝化层被提供在半导体层111和滤色片150和黑色矩阵151之间就可以接受。例如，钝化层可以作为具有叠层结构的绝缘层106的底层提供。

滤色片150、黑色矩阵151、绝缘层152和钝化层153的这些结构类似于在附图6A中所示的结构。因为其它结构类似于附图2的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图8B中所示的结构与在附图8A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。彼此不重叠的滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图6B中所示的结构。

因为其它结构类似于附图8A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图8C中所示的结构与在附图8A和8B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底155侧上。对于其中提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管102之上即可。

在给反衬底155提供黑色矩阵151时，滤色片150可以被形成在薄膜晶体管102和第二电极104之上。如上文所述，滤色片150使用有机材料形成，因此滤色片150也用作平整膜。即，可以提供滤色片150替代绝缘层107，并且滤色片150的表面可以被平整。这种将黑色矩阵151提供在反衬底155侧上的结构类似于在附图6C中所示的结构。

注意，黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

在本实施例模式中，如实施例模式2一样，在将电压施加给公共电极122和梳状第一电极103时，在它们之间产生了电场。因此，可以控制液晶材料的倾斜，由此可以实施灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至10中的实例的改进。因此，实施例模式1至10中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式12〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式2中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供滤色片和黑色矩阵替代绝缘层106。

如附图9A所示，在实施例模式2(附图2)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与在前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。该表面可以通过绝缘层152平整。

这种提供了滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于附图7A中所示的结构。因为其它结构类似于附图2的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图9B中所示的结构与在附图9A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。彼此不重叠的滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7B中所示的结构。

因为其它结构类似于附图9A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图9C中所示的结构与在附图9A和9B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底侧155上。对于其中提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管102之上即可。

在给反衬底155提供黑色矩阵151时，滤色片150可以被形成在薄膜晶体管102和第二电极104之上。如上文所述，滤色片150使用有机材料形成，因此滤色片150也用作平整膜。即，可以提供滤色片150替代绝缘层107，并且滤色片150的表面可以被平整。这种将黑色矩阵151提供在反衬底155侧上的结构类似于在附图7C中所示的结构。

注意，黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至11中的实例的改进。因此，实施例模式1至11中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式13〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式3中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供滤色片和黑色矩阵替代绝缘层106。

如附图10A所示，在实施例模式3(附图3)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。该表面可以通过绝缘层152被平整。

这种提供了滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于附图7A中所示的结构。因为其它结构类似于附图3的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图10B中所示的结构与在附图10A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。彼此不重叠的滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7B中所示的结构。

因为其它结构类似于附图10A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图10C中所示的结构与在附图10A和10B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底侧155上。对于其中提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管102之上即可。

注意，黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

在本实施例模式中，如实施例模式3一样，在将电压施加给公共电极122和梳状第一电极103时，在它们之间产生了电场。因此，可以控制液晶材料的倾斜，由此可以实施灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至12中的实例的改进。因此，实施例模式1至12中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式14〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式4中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供滤色片和黑色矩阵替代绝缘层106。

如附图11A所示，在实施例模式4(附图4)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。该表面可以通过绝缘层152被平整。

在本实施例模式中，薄膜晶体管160优选是沟道保护型，在这种类型中绝缘层403被提供在非晶半导体层411之上。源极和漏极电极116被提供为覆盖用于保护沟道的绝缘层403的两个边缘。绝缘层403防止非晶半导体层411暴露。因此，在提供黑色矩阵151以覆盖薄膜晶体管160时，可以防止杂质元素从黑色矩阵进入到非晶半导体层411中。不用说，薄膜晶体管160可以是如实施例模式4中所示的沟道蚀刻型；在这种情况下，理想地，提供绝缘层403以使非晶半导体层411和黑色矩阵151彼此不接触。

在提供滤色片150和黑色矩阵151的情况下，理想地，钝化层被提供在滤色片150和黑色矩阵151和在薄膜晶体管160中的半导体层111之间。在本实施例模式中，钝化层154被形成为覆盖栅极电极113、公共电极401和导电层402。

这种提供了滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7A中所示的结构。因为其它结构类似于附图4的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图11B中所示的结构与在附图11A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。彼此不重叠的滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7B中所示的结构。

因为其它结构类似于附图11A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图11C中所示的结构与在附图11A和11B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底侧155上。对于其中提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管160之上即可。

在给反衬底155提供黑色矩阵151时，滤色片150可以被形成在薄膜晶体管160、公共电极401和导电层402之上。

在本实施例模式中，薄膜晶体管160优选是沟道保护型，在这种类型中绝缘层403被提供在非晶半导体层411之上。源极和漏极电极116被提供为覆盖用于保护沟道的绝缘层403的两个边缘。绝缘层403防止非晶半导体层411暴露。因此，在提供滤色片150以覆盖薄膜晶体管160时，可以防止杂质元素从滤色片进入到非晶半导体层411中。不用说，薄膜晶体管160可以是如实施例模式4中所示的沟道蚀刻型；在这种情况下，理想地，提供绝缘层403以使非晶半导体层411和滤色片150彼此不接触。

如上文所述，滤色片150使用有机材料形成，因此滤色片150也用作平整膜。即，可以提供滤色片150替代绝缘层106，并且滤色片150的表面可以被平整。这种将黑色矩阵151提供在反衬底155侧上的结构类似于在附图7C中所示的结构。

注意，黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

在本实施例模式中，如实施例模式3一样，在将电压施加给公共电极401和梳状第一电极103时，在它们之间产生了电场。因此，可以控制液晶材料的倾斜，由此可以实施灰度级显示。结果，在其倾斜还没有被由梳状第三电极105和梳状第一电极103这一对电极所产生电场充分地控制的一部分液晶材料中，通过两对电极所产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至13中的实例的改进。因此，实施例模式1至13中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式15〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式5中描述的液晶显示器件不同的液晶显示器件的结构：其中提供滤色片和黑色矩阵替代绝缘层106。

如附图12A所示，在实施例模式5(附图5)中所示的液晶显示器件的结构中，提供滤色片150和黑色矩阵151替代绝缘层106。滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此部分地重叠。滤色片150和黑色矩阵151与前述的实施例模式中的滤色片和黑色矩阵类似地形成。绝缘层152被形成为覆盖滤色片150和黑色矩阵151。表面可以通过绝缘层152平整。

在提供滤色片150和黑色矩阵151的情况下，理想地，在滤色片150和黑色矩阵151和在薄膜晶体管160中的半导体层111之间提供钝化层。在本实施例模式中，钝化层154被形成为覆盖栅极电极113、公共电极401和导电层402。

这种提供了滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7A中所示的结构。因为其它结构类似于附图5的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图12B中所示的结构与在附图12A中所示的结构不同之处在于滤色片150和黑色矩阵151被提供为彼此不重叠。彼此不重叠的滤色片150和黑色矩阵151的结构类似于在附图7B中所示的结构。

因为其它结构类似于附图12A的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在附图12C中所示的结构与在附图12A和12B中所示的结构不同之处在于黑色矩阵151被提供在反衬底侧155上。对于其中提供有黑色矩阵151的区域没有限制，只要它在薄膜晶体管160之上即可。

在本实施例模式中，薄膜晶体管160优选是沟道保护型，在这种类型中绝缘层403被提供在非晶半导体层411之上。源极和漏极电极116被提供为覆盖用于保护沟道的绝缘层403的两个边缘。绝缘层403防止非晶半导体层411暴露。因此，在提供黑色矩阵151以覆盖薄膜晶体管160时，可以防止杂质元素从滤色片进入到非晶半导体层411中。不用说，薄膜晶体管160可以是如实施例模式4中所示的沟道蚀刻型；在这种情况下，理想地，提供绝缘层403以使非晶半导体层411和滤色片150彼此不接触。

如上文所述，滤色片150由有机材料形成，因此滤色片150也用作平整膜。即，可以提供滤色片150替代绝缘层106，并且滤色片150的表面可以被平整。这种将黑色矩阵151提供在反衬底155侧上的结构类似于在附图7C中所示的结构。

注意，黑色矩阵151可以被提供在绝缘衬底100的后表面侧上。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至14中的实例的改进。因此，在实施例模式1至14中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式16〕

在本实施例模式中，描述一种在液晶显示器件中的像素部分的顶视图。

附图13所示为对应于在实施例模式4(附图4)中所示的剖面结构的顶视图。薄膜晶体管(也称为TFT)160包括非晶半导体层411，并具有其中栅极电极113被提供在下面的底栅型结构。扫描线413被形成在与栅极电极113相同的层中。

非晶半导体层411被形成为覆盖栅极电极113。公共电极401可以使用非晶半导体层411形成。注意，由于公共电极401理想地由具有较高的导电性的材料形成，因此优选将杂质元素添加到半导体层中。公共电极401可以由导电材料形成而不使用非晶半导体层411。

源极和漏极电极116被形成为覆盖非晶半导体层411的两个边缘。信号线416可以被形成在与源极和漏极电极116相同的层中。

第一电极103和第三电极105可以被形成在相同的层中。第一电极103和第三电极105被处理成梳状并交替地设置。第一电极103通过开口连接到源极和漏极电极116之一。第三电极105通过开口连接到公共电极401。

在与第三电极105相同的层(在附图13中以A表示的区域)中，在一个像素中提供的公共电极401电连接到另一个。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至15中的实例的改进。因此，实施例模式1至15中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

本实施例模式的像素部分的结构可以与前述实施例模式自由地组合。

〔实施例模式17〕

在本实施例模式中，描述一种与前述实施例模式中描述的像素部分不同的像素部分的顶视图。

附图14与附图13不同之处在于梳状第一电极103和梳状第三电极105在长边的中点处弯曲。这些电极可以在其它的点而不是中心点处弯曲。此外，它们可以具有多个弯曲。这种弯曲的第一电极103和弯曲的第三电极105是优选的，因为它们可以加宽视角。这是因为，一些液晶分子顺应弯曲的第一电极103和第三电极105的第一方向，而一些液晶分子顺应其第二方向。

可替换地，为了获得相同的效果，可以按照中线将一个像素分为两个区域，在第一区域中，直的第一电极103和直的第三电极105以一定的角度设置，而在第二区域中，直的第一电极103和直的第三电极105被设置成相对于中线对称。

注意，本实施例模式显示了与晶体管一起实现实施例模式1至3中的描述的实例，这种实例是实施例模式4至16中的实例的改进。因此，实施例模式1至16中的描述可以应用到本实施例模式或与本实施例模式组合。

[实施例模式18]

在本实施例模式中，描述一种与附图1中所示的结构不同的液晶显示器件的结构：其中提供反射区A和透射区B。

如附图15所示，反射电极652提供在反射区中。在透射区中提供了连接到反射电极652的透明电极654。透明电极654也用作公共电极。此外，在其上提供反衬底155，并在它们之间插入液晶材料653。

此外，延迟膜650被置于在液晶材料653之上提供的反衬底155的外侧之上。即，延迟膜650被置于反衬底155和偏振片之间。四分之一波片和半波片作为延迟膜给出。通过延迟膜，可以适当地控制穿过反射区和透射区的光量。因此，不管液晶显示器件是透射型还是反射型，都可以显示大致相同的图像。

在本实施例模式中，通过由两对电极产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，实施例模式1至17中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式19〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式中描述的结构不同的结构：其中延迟膜被提供在反衬底里面。

如附图16所示，延迟膜650形成在反衬底155里面，即液晶材料653一侧。通过这种结构，可以适当地控制穿过反射区和透射区的光量。因此，不管液晶显示器件是透射型还是反射型，都可以显示大致相同的图像。

因为其它结构类似于附图15的结构，所以省去了对其它结构的描述。

在本实施例模式中，通过两对电极产生的电场可以充分地控制液晶材料的倾斜。

注意，实施例模式1至18中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式20〕

在本实施例模式中，描述这样的一种结构：其中控制在反射区和透射区中的单元间隙。

如附图17所示，用于调节单元间隙的膜657被提供在反衬底155侧，对准膜形成在膜657之上(在更靠近液晶的一侧上)。这种膜657由有机材料比如丙烯酸形成。单元间隙被设定为使得在反射区中的单元间隙短于在透射区中的单元间隙。通过这种结构，可以适当地控制通过反射区和透射区的光量。因此，不管液晶显示器件是透射型还是反射型，都可以显示大致相同的图像。

注意，实施例模式1至19中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式21〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式中描述的结构不同的结构：其中光散射颗粒被包含在用于调节单元间隙的膜中。

如附图18所示，光散射颗粒658被包含在用于调节单元间隙的膜657中。这种光散射颗粒658由具有与用于调节单元间隙的膜的材料的折射率不同的折射率的材料形成。用于调节单元间隙的膜可以被形成为包含这种光散射颗粒。

应用这种结构，可以扩散光并提高亮度。

注意，实施例模式1至20中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式22〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图1中所示的结构不同的结构：其中提供了反射区。

如附图19所示，在本实施例模式中，示出了反射型液晶显示器件，其中与栅极电极1 13同时形成的电极被用作反射电极652。反射电极652被放置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。此外，由于反射电极652可以与栅极引线同时形成，因此可以减少步骤数量并降低成本。

注意，实施例模式1至21中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式23〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式22中的结构不同的结构：其中提供了反射区和透射区。

如附图20所示，在本实施例模式中，示出了一种半透射型液晶显示器件的结构：其中与栅极电极113同时形成的电极被用作反射电极652。反射电极652可以用作公共引线。反射电极652被放置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。此外，由于反射电极652可以与栅极引线同时形成，因此可以减少步骤数量并降低成本。

注意，实施例模式1至22中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式24〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式23中的结构不同的结构：其中改变了反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图21所示，首先形成透明电极654，并将反射电极652形成在透明电极654的一部分之上。然后，将电极117连接到反射电极652。

通过这种结构，反射电极652可以与栅极电极113同时形成。反射电极652可以被用作公共引线。反射电极652被放置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。此外，由于反射电极652可以与栅极引线同时形成，因此可以减少步骤数量并降低成本。

因为其它结构类似于附图20的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至23中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式25〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式24中的结构不同的结构：其中不提供透明电极。

如附图22所示，反射电极652被形成在反射区中但不形成在透射区中。将电极117连接到反射电极652。

通过这种结构，反射电极652可以与栅极电极1 13同时形成。反射电极652可以被用作公共引线。反射电极652被放置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。此外，由于反射电极652可以与栅极引线同时形成，因此可以减少步骤数量并降低成本。

因为其它结构类似于附图21的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至24中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式26〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式22中的结构不同的结构：其中提供了用作公共引线的导电层659。

如附图23所示，导电层659被形成在反射区中的基层101上。导电层659可以与栅极电极同时形成。形成用作连接到导电层659的反射电极的电极117。

通过这种结构，导电层659可以被用作公共引线。导电层659被放置成与栅极引线大致平行，由此可以实现有效的布局设计。此外，由于导电层659可以与栅极引线同时形成，因此可以减少步骤数量并降低成本。

因为其它结构类似于附图19的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至25中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式27〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式26中的结构不同的结构：其中用作公共引线的导电层659被提供在反射区中并且提供了透射区。

如附图24所示，导电层659被形成在反射区中的基层101之上，并且形成用作连接到导电层659的反射电极的电极117。在透射区中，形成连接到电极117的透明电极654。

因为其它结构类似于附图23的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至26中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式28〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式27中的结构不同的结构：其中改变了反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图25所示，首先形成透明电极654，并将用作反射电极的电极117形成在透明电极654的一部分之上。

因为其它结构类似于附图24的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至27中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式29〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式28中的结构不同的结构：其中用作公共引线的导电层659被形成在反射区中并且不提供透明电极。

如附图26所示，导电层659形成反射区中，同时在透射区中不形成电极。用作反射电极的电极117连接到导电层659。

因为其它结构类似于附图25的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至28中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式30〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式29中的结构不同的结构：其中透明电极被形成在透射区中。

如附图27所示，导电层659形成反射区中，同时连接到导电层659透明电极654形成在透射区中。电极117连接到导电层659。导电层659用作反射电极和公共引线。

注意，实施例模式1至29中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式31〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式30中的结构不同的结构：其中在反射区中的绝缘层中形成了突起和凹陷。

如附图28所示，突起和凹陷形成在反射区中的绝缘层106中。

导电层660沿着在绝缘层106中的突起和凹陷形成。导电层660由高反射材料形成。导电层660可以由与电极117相同的材料形成。通过沿着绝缘层106中的突起和凹陷形成的导电层660可以改善反射性。

突起和凹陷可以与在绝缘层106中形成接触孔同时地形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射区中而不需要附加的步骤。

在透射区中，形成了连接到导电层659的透明电极654。透明电极654也连接到导电层660。导电层659用作反射电极。

因为其它结构类似于附图27的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至30中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式32〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式31中的结构不同的结构：其中改变了反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图29所示，首先形成透明电极654。然后，仅在反射区中形成连接到透明电极654的导电层659。导电层659用作反射电极。此后，突起和凹陷被提供在绝缘层106中。导电层660沿着突起和凹陷形成。导电层660连接到导电层659。

因为其它结构类似于附图28的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至31中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式33〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式32中的结构不同的结构：其中不形成透明电极。

如附图30所示，导电层659形成在反射区中。导电层659用作反射电极。在透射区中不形成透明电极。此后，突起和凹陷被提供在绝缘层106中。导电层660设置成沿着突起和凹陷，并连接到导电层659。这时，导电层660的下表面(即在凹陷中导电层660的底表面)与导电层659完全地接触。

突起和凹陷可以与在绝缘层106中形成接触孔同时形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射区中而不需要附加的步骤。

因为其它结构类似于附图29的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至32中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式34〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式33中的结构不同的结构：其中在凹陷中的导电层660的底表面部分地与导电层659接触。

如附图31所示，导电层660的下表面的一部分(即在凹陷中的导电层660的底表面的一部分)部分地与导电层659接触。导电层660的底表面的其它部分与基层101接触。

突起和凹陷可以与在绝缘层106中形成接触孔同时地形成。因此，可以不需要附加步骤地在反射区中形成突起和凹陷。

因为其它结构类似于附图31的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至33中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式35〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式25中的结构不同的结构：其中在绝缘层107中提供开口。

如附图32所示，在绝缘层107中形成开口。其中形成了开口的区域是透射区。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

此外，在反射区中提供的导电层659用作反射电极，并通过电极117连接到第三电极105。

因为其它结构类似于附图22的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至34中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式36〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式35中的结构不同的结构：其中在透射区中形成透明电极。

如附图33所示，透明电极654被形成在透射区中。透明电极654连接到在反射区中提供的导电层659。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

因为其它结构类似于附图32的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至35中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式37〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式36中的结构不同的结构：其中改变了反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图34所示，透明电极654形成在基层101之上。此后，仅仅在反射区中形成导电层659。导电层659用作反射电极。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

因为其它结构类似于附图33的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至36中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式38〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式37中的结构不同的结构：其中在绝缘层106之上形成反射电极。

如附图35所示，在绝缘层106中形成开口，形成连接到导电层659的电极117。电极117仅仅形成在反射区中以便用作反射电极。此后，绝缘层107被形成为覆盖电极117，并且上述开口形成在透射区中的绝缘层107中。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

因为其它结构类似于附图34的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至37中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式39〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式38中的结构不同的结构：其中突起和凹陷被提供在绝缘层106中。

如附图36所示，导电层659被提供在基层101之上，并且绝缘层106被形成为覆盖导电层659。突起和凹陷被形成在导电层659上方的绝缘层106中。导电层660沿着突起和凹陷形成。导电层660连接到导电层659。导电层660可以由与电极117相同的材料形成。这时，导电层660的下表面(即在凹陷中导电层660的底表面)完全地与导电层659接触。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

因为其它结构类似于附图35的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至38中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式40〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式39中的结构不同的结构：其中导电层660的底表面部分地与导电层659接触。

如附图37所示，突起和凹陷被形成在导电层659上方的绝缘层106中。导电层660沿着突起和凹陷形成。导电层660的下表面的一部分(即在凹陷中导电层660的底表面的一部分)与导电层659接触。透明电极654被提供为与导电层659接触，并且导电层660的底表面的其它部分与透明电极654接触。

通过这种结构，可以使透射区中的单元间隙变厚。

因为其它结构类似于附图36的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至39中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式41〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式30中的结构不同的结构：其中导电层660与形成在一个绝缘层之上的导电层659和透明电极654相接触。

如附图38所示，绝缘层106被形成为覆盖都形成在基层101之上的导电层659和透明电极654。开口形成绝缘层106中以便暴露导电层659和透明电极654。导电层660形成在开口中以便与导电层659和透明电极654接触。

应用这种结构，导电层659可以被用作公共引线。

注意，实施例模式1至40中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式42〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式41中的结构不同的结构：其中开口形成在绝缘层107中。

如附图39所示，开口被提供在透射区中的绝缘层107中。第一电极103和第三电极105部分地形成在绝缘层106之上。

应用这种结构，导电层659可以被用作公共引线。

因为其它结构类似于附图38的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至41中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式43〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式42中的结构不同的结构：其中突起和凹陷都形成在绝缘层106中。

如附图40所示，突起和凹陷都形成在反射区中的绝缘层106中。导电层660沿着突起和凹陷形成。导电层660的一部分连接到第三电极105，导电层660的另一部分连接到导电层659和透明电极654。

应用这种结构，导电层659可以被用作公共引线。

因为其它结构类似于附图39的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至42中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式44〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图2中所示的结构不同的结构：其中提供反射区和透射区并且反射电极652仅仅形成在反射区中。

如附图41所示，反射电极652形成在反射区中的绝缘层106之上。然后，反射电极652和第三电极105连接。

因为其它结构类似于附图2的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至43中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式45〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图44中所示的结构不同的结构：其中反射电极形成在具有突起和凹陷的绝缘层106中。

如附图42所示，突起和凹陷形成在反射区中的绝缘层106中。反射电极652沿着突起和凹陷形成。反射电极652和第三电极105连接。

突起和凹陷与在绝缘层106中形成接触孔同时地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射电极而不需要附加的步骤。

因为其它结构类似于附图41的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至44中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式46〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图44中所示的结构不同的结构：其中开口形成在绝缘层107中。

如附图43所示，开口形成在透射区中的绝缘层107中。反射电极652形成在绝缘层106之上。

注意，实施例模式1至45中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式47〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图2中所示的结构不同的结构：其中仅仅提供了反射区。

如附图44所示，不形成附图2中所示的引线121，并将反射电极652形成在反射区中的绝缘层106之上。

注意，实施例模式1至46中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式48〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式47中的结构不同的结构：其中突起和凹陷提供在绝缘层106中并且沿着突起和凹陷形成反射电极。

如附图45所示，突起和凹陷提供在反射区中的绝缘层106的表面上。反射电极652沿着突起和凹陷形成。在绝缘层106中形成的突起和凹陷的形状不必是开口。此外，突起和凹陷可以与形成用于薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的开口同时地形成。注意，形成突起和凹陷以增强反射率，并且可以利用任何形状而不脱离该范围。

突起和凹陷可以与在绝缘层106中形成接触孔同时地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射电极但不需要附加的步骤。

因为其它结构类似于附图44的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至47中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式49〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式47中的结构不同的结构：其中突起形成在绝缘层106之上。

如附图46所示，导电层602形成在反射区中的绝缘层106之上。导电层602可以形成在与源极和漏极电极116相同的层中。

突起603形成在导电层602之上以形成突起和凹陷。通过对有机层进行构图形成突起603。形成导电层604以覆盖突起603。导电层602和导电层604连接在突起603之间。导电层602用作反射电极。

导电层604通过在绝缘层107中提供的开口连接到第三电极105。

注意，实施例模式1至48中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式50〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式49中的结构不同的结构：其中不形成导电层602。

如附图47所示，突起603形成在绝缘层106之上。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

因为其它结构类似于附图46的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至49中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式51〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式47中的结构不同的结构：其中提供反射区和透射区。

如附图48所示，反射电极652形成在反射区中的绝缘层106之上。连接到反射电极652的透明电极654形成在透射区中。

注意，实施例模式1至50中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式52〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式51中的结构不同的结构：其中改变反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图49所示，透明电极654形成在反射区和透射区中。然后，连接到透明电极654的反射电极652形成在反射区中。

因为其它结构类似于附图48的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至51中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式53〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式51中的结构不同的结构：其中在透射区中的绝缘层106和107中提供开口。

如附图50所示，开口形成在透射区中的绝缘层106中。在反射区中，反射电极652形成在绝缘层106之上。连接到反射电极652的透明电极654形成在绝缘层106中的开口中。

此后，开口也形成在透射区中的绝缘层107中以暴露透明电极654。第三电极105和第一电极103的部分形成在所暴露的透明电极654之上。

注意，实施例模式1至52中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式54〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式51中的结构不同的结构：其中突起和凹陷提供在绝缘层106中。

如附图51所示，突起和凹陷提供在反射区中的绝缘层106中。反射电极652沿着突起和凹陷形成。反射电极652的反射率可以通过所提供的突起和凹陷得到增强。

然后，透明电极654形成在反射区和透射区中。透明电极654连接到反射区中的反射电极652。透明电极654连接到第三电极105。

注意，实施例模式1至53中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式55〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式51中的结构不同的结构：其中突起形成在反射区中。

如附图52所示，突起603形成在反射区中的绝缘层106中。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

透明电极654形成在透射区中。透明电极654连接到形成在反射区中的导电层604。

注意，实施例模式1至54中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式56〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式55中的结构不同的结构：其中改变了反射电极652和透明电极654的制造顺序。

如附图53所示，透明电极654形成在反射区和透射区之上。反射电极652被形成为连接到反射区中的透明电极654。在本实施例模式中，反射电极652被形成为与透明电极654的一部分重叠。

突起603形成在反射区中的反射电极652之上。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604和反射电极652连接在突起603之间。

因为其它结构类似于附图52的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至55中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式57〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式56中的结构不同的结构：其中不提供反射电极652。

如附图54所示，透明电极654形成在反射区和透射区之上。突起603形成在反射区中。突起603的一部分形成在透明电极654之上。

导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

因为其它结构类似于附图53的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至56中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式58〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式51中的结构不同的结构：其中突起603形成在反射区中的绝缘层106之上。

如附图55所示，反射电极652形成在反射区中的绝缘层106之上。突起603形成在反射电极652之上。导电层604被形成为覆盖突起603。

注意，实施例模式1至57中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式59〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式58中的结构不同的结构：其中不提供反射电极652。

如附图56所示，突起603形成在反射区中。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

因为其它结构类似于附图55的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至58中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式60〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式59中的结构不同的结构：其中仅仅提供反射区。

如附图57所示，仅仅提供反射区并将突起603形成在反射区中。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604可以由与源极和漏极电极116相同的层形成。

因为其它结构类似于附图56的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至59中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式61〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式59中的结构不同的结构：其中在反射区中形成了突起和导电层之后在透射区中形成导电层。

如附图58所示，突起603形成在反射区中。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

透明电极654形成在反射区和透射区之上。透明电极654连接到导电层604。

注意，实施例模式1至60中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式62〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式61中的结构不同的结构：其中改变了导电层604和透明电极654的制造顺序。

如附图59所示，突起603形成在反射区中。透明电极654形成在透射区中，部分地覆盖突起603。此后，连接到透明电极654的导电层604形成在反射区中。导电层604用作反射电极。

因为其它结构类似于附图58的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至61中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式63〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式59中的结构不同的结构：其中突起603形成在反射区中并且覆盖突起603的导电层形成在与源极和漏极电极相同的层中。

如附图60所示，突起603形成在反射区中。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604可以由与源极和漏极电极相同的层形成并用作反射电极。

注意，实施例模式1至62中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式64〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与附图3中所示的结构不同的结构：其中提供了反射区。

如附图61所示，不形成如附图3中所示的引线131，并且反射电极652形成在基层101之上。

因为其它结构类似于附图3的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至63中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式65〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式64中的结构不同的结构：其中提供了反射区和透射区。

如附图62所示，反射电极652形成在反射区中。此后，透明电极654形成在反射区和透射区中。

因为其它结构类似于附图61的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至64中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式66〕

在本实施例模式中，描述这样的一种与前述实施例模式65中的结构不同的结构：其中改变了反射电极和透明电极的制造顺序。

如附图63所示，透明电极654形成在反射区和透射区中。然后，反射电极652仅仅形成在反射区中。

因为其它结构类似于附图62的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至65中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式67〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式65中的结构不同的结构：其中仅仅在反射区中选择性地形成反射电极。

如附图64所示，反射电极652仅仅形成在反射区中。

注意，实施例模式1至66中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式68〕

在本实施例模式中，描述这样一种与附图4中所述的结构不同的结构：其中提供反射区。

如附图65所示，不形成如附图4中所示的导电层402并将反射电极652形成在反射区中。此后，以薄膜晶体管160的栅极绝缘层412覆盖反射电极652。开口形成在栅极绝缘层412和绝缘层106中，反射电极652和第三电极105通过开口连接。

应用这种结构，反射电极652可以被用作公共引线。

注意，实施例模式1至67中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式69〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式68中的结构不同的结构：其中提供了反射区和透射区。

如附图66所示，透明电极654形成在反射区和透射区中。然后，连接到透明电极654的反射电极652仅仅形成在反射区中。以栅极绝缘层412覆盖透明电极654和反射电极652。开口提供在栅极绝缘层412和绝缘层106中，并且反射电极652和第三电极105通过开口连接。

应用这种结构，反射电极652可以被用作公共引线。

因为其它结构类似于附图65的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至68中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式70〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式68中的结构不同的结构：其中仅仅在反射区中选择性地形成反射电极。

如附图67所示，反射电极652选择性地仅仅形成在反射区中。反射电极652被栅极绝缘层412覆盖。开口提供在栅极绝缘层412和绝缘层106中，反射电极652和第三电极105通过开口连接。

应用这种结构，反射电极652可以被用作公共引线。

注意，实施例模式1至69中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式71〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式69中的结构不同的结构：其中开口形成在透射区中的绝缘层106中。

如附图68所示，透明电极654形成在透射区和反射区中。然后，反射电极652选择性地仅仅形成在反射区中。透明电极654和反射电极652被栅极绝缘层412覆盖。

开口形成在透射区中的绝缘层106中。在开口中，第一电极103和第三电极105的部分形成在栅极绝缘层412之上。

应用这种结构，反射电极652可以被用作公共引线。

因为其它结构类似于附图66的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至70中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式72〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式69中的结构不同的结构：其中开口形成在透射区中的绝缘层106中；并且不形成透明电极。

如附图69所示，反射电极652仅仅形成在反射区中。反射电极652以栅极绝缘层412覆盖。

开口形成在透射区中的绝缘层106中。在该开口中，第一电极103和第三电极105的部分形成在栅极绝缘层412之上。在本实施例模式中，在透射区中不形成透明电极。

应用这种结构，反射电极652可以被用作公共引线。

注意，实施例模式1至71中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式73〕

在本实施例模式中，描述这样一种与附图5中所示的结构不同的结构：其中提供了反射区。

如附图70所示，不形成如附图5中所示的导电层502，但在反射区中形成反射电极652。反射电极652提供在薄膜晶体管160的栅极绝缘层412之上。开口形成在绝缘层106中，并且反射电极652和第三电极105通过开口连接。

导电层601作为公共引线形成。导电层601通过在栅极绝缘层412和绝缘层106中的开口连接到第三电极105。

因为其它结构类似于附图5的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至72中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式74〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式73中的结构不同的结构：其中突起提供在反射区中。

如附图71所示，导电层661形成在反射区中。导电层661由与源极和漏极电极116相同的层形成。

突起603形成在导电层661之上。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。导电层604和导电层661连接在突起603之间。

开口形成在被提供成覆盖导电层604的绝缘层106中。导电层604和第三电极105通过开口连接。

因为其它结构类似于附图70的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至73中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式75〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式74中的结构不同的结构：其中不形成导电层661。

如附图72所示，突起603形成在反射区中的栅极绝缘层412之上。导电层604被形成为覆盖突起603。开口形成在被提供成覆盖导电层604的绝缘层106中。导电层604和第三电极105通过开口连接。

因为其它结构类似于附图71的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至74中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式76〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式73中的结构不同的结构：其中提供了透射区和反射区，并且仅在反射区中形成有反射电极。

如附图73所示，反射电极652选择性地形成于仅在反射区中的栅极绝缘层412之上。然后，透明电极654形成在反射区和透射区中。

应用这种结构，可以使用与栅极电极113同时形成的导电层601作为公共引线。

注意，实施例模式1至75中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式77〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式76中的结构不同的结构：其中反射电极仅形成在反射区中；并且不形成透明电极。

如附图74所示，反射电极652选择性地形成于仅在反射区中的栅极绝缘层412之上。在透射区中不形成透明电极654。

因为其它结构类似于附图73的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至76中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式78〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式77中的结构不同的结构：其中仅在反射区中形成反射电极并且在反射电极之上形成突起。

如附图75所示，反射电极652选择性地形成于仅在反射区中的栅极绝缘层412之上。突起603形成在反射电极652之上。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604连接到第三电极105。

因为其它结构类似于附图74的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至77中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式79〕

在本实施例模式中，描述这样一种与前述实施例模式78中的结构不同的结构：其中不形成反射电极652。

如附图76所示，突起603形成在反射区中的栅极绝缘层412之上。导电层604被形成为覆盖突起603。导电层604用作反射电极。

因为其它结构类似于附图75的结构，所以省去了对其它结构的描述。

注意，实施例模式1至78中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式80〕

附图13和14中所示的顶视图显示了这样的实例：从源极线输送了电位的液晶元件的电极(第一电极103)和从公共线输送了电位的液晶元件的电极(第三电极105)中的至少一个电极是梳状的。然而，第一电极和第三电极的形状并不限于附图13和14中所示的形状。例如，它们可以是Z字形或波浪形。本实施例模式参考附图106和107显示了包括与附图13和14中所示的电极形状不同的电极形状的液晶显示器件的实例。

附图106所示为这样的液晶显示器件的实例：由源极线输送了电位的液晶元件的电极204和由公共线输送了电位的液晶元件的电极203两者都是Z字形。注意，虽然在附图106中的液晶显示器件中的液晶元件的电极的形状与在附图13和14中所示的液晶显示器件的电极的形状不同，但是其它结构与其类似。

此外，如附图107A所示，第一电极103和第三电极105中的每个可以是梳状。可替换地，如附图107B所示，第一电极103或第三电极105之一可以是梳状或者其齿部的一端可以连接到相邻齿的一端。此外，可替换地，如附图107C所示，第一电极或第三电极之一可以是梳状并且齿部的一端可以连接到相邻齿的一端，而其另一端可以连接到其它相邻齿。进一步可替换地，通过连接第一齿的一端和最后齿的一端，附图107C中所示的形状可以被改变为附图107D中的形状。

应用这种结构设置，在一个像素中可以按区域改变液晶分子的旋转方向等。即，可以制造多域液晶显示器件。多域液晶显示器件可以降低在某一角度观看时不能精确地识别图像的可能性。

注意，实施例模式1至79中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式81〕

参考附图13和14的顶视图描述本发明的液晶显示器件中包括的像素结构。可以修改在像素部分引导引线的方法，只要包括附图108中所示的电路即可，而不会脱离本发明的目的和范围。参考附图108描述本发明的液晶显示器件的像素电路。

在附图108中，栅极线7001和源极线7002交叉。此外，公共引线7003a和公共引线7003b垂直和水平地引入。栅极线7001连接到晶体管7004的栅极电极。此外，源极线7002连接到晶体管7004的源极或漏极电极。注意，在液晶显示器件是AC驱动的液晶显示器件时，晶体管7004的源极电极和漏极电极根据从源极线7002发送的电位切换；因此，在本实施例模式中该电极被称为源极和漏极电极。液晶元件C_LC被提供在晶体管7004的源极和漏极电极和公共引线7003a之间。在晶体管7004处于接通状态时，来自源极线7002的电位发送给液晶元件C_LC，而在晶体管7004是截止状态时，来自源极线7002的电位不被输送给液晶元件C_LC。在光需要通过液晶层的情况下，虽然7004处于截止状态并且来自源极线7002的电位没有被输送给液晶元件C_LC；理想的是，与液晶元件C_LC平行地提供电容器Cs。在电容器保持电压时，即使晶体管7004处于截止状态，光仍然可以通过液晶层。

附图109A所示为在本实施例模式中描述的显示器件的顶视图。附图109B所示为对应于附图109A中的线K-L的剖视图。在附图109A和109B中所示的显示器件包括外部端子连接区852、密封区853和包括信号线驱动器电路的扫描线驱动器电路854。

在本实施例模式中附图109A和109B中所示的显示器件包括衬底851、薄膜晶体管827、薄膜晶体管829、薄膜晶体管825、密封剂34、反衬底830、对准膜831、反电极832、间隔件833、偏振片835a、偏振片835b、第一端子电极层838a、第二端子电极层838b、各向异性导电层836和FPC 837。显示器件包括外部端子连接区852、密封区853、扫描线驱动器电路854、像素区856和信号线驱动器电路857。

提供密封剂834以包围提供在衬底851之上的像素区856和扫描线驱动器电路854。反衬底830提供在像素区856和扫描线驱动器电路854之上。因此，通过衬底851、密封剂834和反衬底830，密封上述像素区856和扫描线驱动器电路854以及液晶材料。

在衬底851之上提供的像素区856和扫描线驱动器电路854包括多个薄膜晶体管。在附图109B中，显示在像素区856中的薄膜晶体管825作为实例。

注意，实施例模式1至80中的描述可以适用于本实施例模式或与本实施例模式组合。

〔实施例模式82〕

附图110A和110B显示了包括实施例模式1至81中描述的本发明的液晶显示器件的分子的实例。像素部分930、栅极驱动器920和源极驱动器940提供在衬底900之上。信号通过柔性印刷电路960从集成电路950输入到栅极驱动器920和源极驱动器940中。由像素部分930根据所输入的信号显示图像。

〔实施例模式83〕

参考附图111A至111H描述在其显示部分中包括了本发明的液晶显示器件的电子电器。

附图111A所示为显示器，其具有壳体2001、支撑基座2002、显示部分2003、扬声器部分2004、视频输入端子2005等。显示部分2003包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111B所示为照相机，其具有主体2101、显示部分2102、图像接收部分2103、操作键2104、外部连接端口2105、快门2106等。显示部分2102包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111C所示为计算机，其具有主体2201、壳体2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、指示鼠标2206等。显示部分2203包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111D所示为移动计算机，其具有主体2301、显示部分2302、开关2303、操作键盘2304、红外端口2305等。显示部分2302包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111E所示为具有记录媒体(具体地，DVD再现器件)的便携式图像再现器件，其具有主体2401、壳体2402、显示部分A 2403、显示部分B 2404、记录媒体(例如DVD)读取部分2405、操作键2406、扬声器部分2407等。显示部分A 2403包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111F所示为电子书，其具有主体2501、显示部分2502、操作键2503等。显示部分2502包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111G所示为摄像机，其具有主体2601、显示部分2602、壳体2603、外部连接端口2604、远程控制接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、声频输入部分2608、操作键2609等。显示部分2602包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

附图111H所示为移动电话，其具有主体2701、壳体2702、显示部分2703、声频输入部分2704、声频输出部分2705、操作键2706、外部连接端口2707、天线2708等。显示部分2703包括在实施例模式1至82中描述的本发明的液晶显示器件。

如上文所述，本发明的电子电器通过将本发明的液晶显示器件组合到显示部分中实现。本发明的这种电子电器可以在室内和室外有利地显示图像。具体地，通常在室外和室内使用的电子器件比如照相机、图像获取器件等具有的优点在于：在室内和室外可以实现由于观看显示屏的角度变化引起的更小的色移和较宽的视角。

本申请基于2005年12月5日在日本专利局申请的日本专利申请第2005-350147号，在此以引用参考的方式将其并入在本申请中。

Claims

1.一种液晶显示器件，包括：

第一公共电极；

在第一公共电极之上提供的绝缘层；

在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

其中所述液晶材料的倾斜通过所述像素电极和第一公共电极之间的电场以及所述像素电极和第二公共电极之间的电场控制，以及

其中在所述液晶显示器件的反射部分或透射部分中，所述像素电极和所述第二公共电极与所述第一公共电极重叠。

2.一种液晶显示器件，包括：

绝缘衬底；

在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管；

在与所述薄膜晶体管的半导体层相同的层中提供的第一公共电极；

被提供成覆盖第一公共电极的绝缘层；

在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

3.一种液晶显示器件，包括：

绝缘衬底；

在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管；

在与所述薄膜晶体管的源极和漏极电极相同的层中提供的第一公共电极；

连接到第一公共电极的导电层；

在第一公共电极和所述导电层之上提供的绝缘层；

在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

其中所述第一公共电极通过所述导电层与所述第二公共电极电连接，

4.一种液晶显示器件，包括：

绝缘衬底；

在所述绝缘衬底之上形成的薄膜晶体管；

在所述绝缘衬底上形成的导电层；

在第一公共电极和所述导电层之上提供的绝缘层；

在所述绝缘层之上提供的像素电极和第二公共电极；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

5.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中薄膜晶体管包括晶体半导体层。

6.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中薄膜晶体管包括晶体半导体层。

7.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中薄膜晶体管包括晶体半导体层。

8.根据权利要求2所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在第一公共电极之上提供的滤色片，所述钝化层在所述滤色片和第一公共电极之间，和

在所述薄膜晶体管之上提供的黑色矩阵，所述钝化层在所述黑色矩阵和所述薄膜晶体管之间。

9.根据权利要求3所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在所述薄膜晶体管之上提供的黑色矩阵，所述钝化层在所述黑色矩阵和薄膜晶体管之间。

10.根据权利要求4所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在第一公共电极之上提供的滤色片，该钝化层在所述滤色片和第一公共电极之间，和

11.根据权利要求2所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的滤色片，所述钝化层在所述滤色片和所述第一公共电极和薄膜晶体管之间，

被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底，和

在所述反衬底之上提供的黑色矩阵。

12.根据权利要求3所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底，和

在所述反衬底之上提供的黑色矩阵。

13.根据权利要求4所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底，和

在所述反衬底之上提供的黑色矩阵。

14.根据权利要求2所述的液晶显示器件，进一步包括：

在所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在所述钝化层之上提供的滤色片，

在所述滤色片之上提供的第一公共电极，和

15.根据权利要求3所述的液晶显示器件，进一步包括：

在所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在所述钝化层之上提供的滤色片，

在所述滤色片之上提供的第一公共电极，和

16.根据权利要求4所述的液晶显示器件，进一步包括：

在所述薄膜晶体管之上提供的钝化层，

在所述钝化层之上提供的滤色片，

在所述滤色片之上提供的第一公共电极，和

17.一种液晶显示器件，包括：

绝缘衬底；

在所述绝缘衬底之上形成的栅极电极；

在与所述栅极电极相同的层中形成的第一公共电极；

被提供成覆盖所述栅极电极和第一公共电极的绝缘层；

在所述栅极电极之上提供的半导体层，所述绝缘层在所述半导体层和栅极电极之间；

在所述半导体层之上提供的源极和漏极电极；

被提供为与第一公共电极接触的导电层；

连接到所述源极和漏极电极中的一个电极的像素电极；

连接到第一公共电极的第二公共电极，所述导电层在第一公共电极和第二公共电极之间；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

18.一种液晶显示器件，包括：

绝缘衬底；

在所述绝缘衬底之上形成的栅极电极；

在与所述栅极电极相同的层中形成的导电层；

与所述导电层接触地提供的第一公共电极；

被提供成覆盖所述栅极电极和第一公共电极的绝缘层；

在所述半导体层之上提供的源极和漏极电极；

连接到所述源极和漏极电极中的一个电极的像素电极；

连接到第一公共电极的第二公共电极；和

在所述像素电极和第二公共电极之上提供的液晶材料，

19.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中半导体层是非晶半导体层。

20.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中半导体层是非晶半导体层。

21.根据权利要求17所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述栅极电极之上提供的钝化层，

在所述源极和漏极电极之上提供的黑色矩阵。

22.根据权利要求18所述的液晶显示器件，进一步包括：

在第一公共电极和所述栅极电极之上提供的钝化层；

在所述源极和漏极电极和第一公共电极之上提供的滤色片，所述钝化层在所述滤色片与所述源极、漏极电极和第一公共电极之间，

被提供成面对所述绝缘衬底的反衬底，和

在所述反衬底之上提供的黑色矩阵。

23.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

24.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

25.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

26.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

27.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

28.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中像素电极是梳状的。

29.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

30.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

31.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

32.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

33.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

34.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中第一公共电极是梳状的。

35.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

36.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

37.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

38.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

39.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

40.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中第二公共电极是梳状的。

41.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

42.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

43.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

44.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

45.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

46.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中像素电极由透明材料形成。

47.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

48.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

49.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

50.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

51.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

52.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中第一公共电极由透明材料形成。

53.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

54.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

55.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

56.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

57.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

58.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中第二公共电极由透明材料形成。

59.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。

60.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。

61.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。

62.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。

63.根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。

64.根据权利要求18所述的液晶显示器件，其中像素电极和第二公共电极在相同的层中形成。