CN1826679A - 用于大面积衬底等离子体反应器的rf电流回路 - Google Patents
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Abstract
提供了一种用于提供室壁和衬底支撑之间的RF电流返回电流路径的装置，包括具有第一端和第二端的低电阻柔性幕，第一端适于电连接到室壁，第二端适于连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括位于第一端和第二端之间的轴向距离上的幕材料中的至少一个折叠和切割在邻近第二端的幕中的至少一个穿孔。
Description
技术领域
本发明一般地涉及用在大面积衬底处理中的处理设备，更具体而言，本发明涉及用于这种设备的RF电流回路。
背景技术
液晶显示器或平板显示器通常用于有源矩阵显示，如计算机和电视监视器、个人数字助理(PDA)、手机等。通常，平板显示器包括两个玻璃板，两个玻璃板间夹有液晶材料层。至少一个玻璃板包括耦合到电源的沉积在其上的至少一层导电膜。从电源提供到导电材料膜的功率改变了液晶材料的方向，从而产生了图案，如可以在显示器上看见的文本或图形。一种常用来生产平板显示器的制作处理是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
等离子体增强化学气相沉积被通常用来在玻璃衬底上沉积薄膜，玻璃衬底例如是那些用来制作平板显示器的玻璃衬底。等离子体增强化学气相沉积通常是通过将母体气体引入到包含衬底的真空室中来实现的。母体气体一般直接透过位于室顶部附近的分布板。通过从耦合到室的一个或多个RF源向室施加RF功率，室中的母体气体被赋能(例如激励)成为等离子体。激励后的气体发生反应以在衬底表面上形成材料层，衬底位于温度受控的衬底支撑上。衬底支撑一般接地到室主体。在低温多晶硅层被沉积到衬底上的应用中，衬底支撑可以被加热到超过400摄氏度。在反应期间产生的挥发性副产物经由排气系统被从室中泵浦出去。
在该处理期间，衬底支撑相对于等离子体被负偏置以进一步增强沉积。这是通过向衬底支撑组件内的电极提供偏置电压来实现的。利用施加到衬底支撑的负偏置电压，等离子体中正离子化的材料被以高度垂直方式吸引并沉积到衬底上，这改进了被称为“分步覆盖”的沉积特性。
理论上，随着离子化材料沉积在衬底上，衬底支撑上的偏置电压应保持稳定。稳定的偏置电压导致离子化的沉积材料被沿衬底的宽度方向均匀吸引和沉积。在没有由从衬底支撑流到地的电流引起的可观的电压降时，实现了电压的稳定性。如果电压降明显，则电位差可能使等离子体在位于基本不同的电压的两个点之间碰撞，例如在衬底支撑(在高电位)和附近的接地特征结构(如室壁)之间碰撞，从而破坏了处理环境并可能污染衬底。某些系统采用低电阻带来将衬底支撑耦合到室主体，以利于衬底支撑的接地。
图10是示例性的传统处理室30的简化透视剖面图，处理室30具有用于将衬底支撑40电耦合到室30的壁32或底部34的多个带20。在图10中示出了八个带20中的四个，两个带20耦合到衬底支撑40的每一边。
衬底支撑40一般包括多个抬升栓52，某些抬升栓52沿衬底支撑40的边缘放置以在传输期间抬升衬底的边缘。抬升板50放置在衬底支撑40下方，并且可以被垂直致动，以使抬升栓52延伸透过衬底支撑40，从而在衬底传输期间使衬底与衬底支撑分隔开。
每个带20包括由弯曲26分离的第一和第二曲折22、24。带20通常沿衬底支撑40的周边对齐，并且间隔分布以为抬升栓52在衬底支撑40下方延伸提供空间。为了提供被用来垂直致动抬升栓52的位于衬底支撑40下方的抬升板50的间隙，每个带20的弯曲22的方向垂直于衬底支撑40的相邻边(即，带耦合到的支撑边)，以阻止带20的弯曲26比曲折22、24相对于衬底支撑40更靠内。由于带20不能延伸到抬升板50和抬升栓52占据的区域中，所以带20的数目和尺寸被限制为这样的数目，该数目的带20可以沿衬底支撑40的边缘线性对齐并且嵌套，同时仍然能使沿衬底支撑40的边缘分布的抬升栓52保持清楚。
尽管该配置被证明对于较小规模应用是有效的且可靠的，但是对于较大面积玻璃衬底处理应用就不是那么有效，这种较大面积玻璃衬底处理应用需要更高的电流流动以适当的接地。随着平板制作所采用的下一代大面积衬底接近1100mm×1300mm，并且在不远的将来还可以想象到更大尺寸的衬底，用来处理这些大面积衬底的衬底支撑的尺寸也随之增加，并且可以受益于增加的接地电容，而这在当前是无法从传统设计中获得的。在这种大尺度处理应用中，诸如上述的导电带无法以足够的密度耦合在处理室和衬底支撑之间，以适当地限制处理室和衬底支撑之间的电压降。另外，由于带沿衬底支撑的周边间隔分布以留下抬升栓的间隙，所以如果间隙足够宽的话，则衬底支撑在带之间的那些部分相对于直接耦合到带的那些部分可能偏置在较高电位，这会对沉积均匀性产生不好的影响。
因此，需要一种适合于用在大面积衬底处理应用中的可靠的低阻抗RF电流回路。
发明内容
本发明的实施例一般地提供了一种用于大面积衬底处理的RF电流返回路径。在一个实施例中，一种用于提供处理室和衬底支撑之间的RF电流返回路径的装置包括具有第一端和第二端的低电阻柔性幕，第一端适于电连接到处理室，第二端适于连接到衬底支撑，其中所述幕还包括位于第一端和第二端之间的幕材料中的至少一个折叠和透过邻近第二端的幕形成的至少一个穿孔。
附图说明
通过参考附图中说明的实施例，可以更详细的获得并理解本发明的实施例，并且理解以上总结的本发明的具体描述。然而，应当注意，附图仅仅图示了本发明的一般实施例，因此不应当认为是限制本发明的范围，因为本发明还可以有其他等同的实施例。
图1是具有本发明的地幕的处理系统的一个实施例的截面图；
图2是根据本发明的RF地幕的一个实施例的侧视截面图；
图3是图2的地幕的上端的部分放大的侧视截面图；
图4是用在图3的连接组件中的夹紧环的一个实施例的顶视截面图；
图5是根据本发明的RF地幕和连接组件的一个实施例的等角视图；
图6是RF地幕的一个实施例的等角视图；
图7是根据本发明的RF地幕的第二实施例的截面图；
图8是可以有利地受益于本发明的处理系统的第二实施例的截而图；
图9是可以有利地受益于本发明的处理系统的第三实施例的截而图；
图10是具有RF电流返回路径的现有技术处理系统的部分截面图。
为了易于理解，在可能的地方使用了相同的标号以指定对附图来说共用的相同元件。
具体实施方式
本发明一般地提供了一种用于支撑大面积衬底的系统的RF电流返回路径。以下参考例如可以从AKT商业获得的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统示例性地描述了本发明，AKT是California，Santa Clara的应用材料公司的分公司。然而，应当理解，本发明在其他系统配置中也有应用，如物理气相沉积系统、刻蚀系统和希望提供衬底支撑和容纳衬底支撑的室之间的低阻抗RF电流回路的其他处理系统。
图1是具有地幕184的一个实施例的等离子体增强化学气相沉积系统100的一个实施例的截面图，地幕184提供衬底支撑组件138和地之间的低阻抗路径。系统100通常包括耦合到气体源104和功率源122的接地室102。室102有限定了处理容积112的侧壁106、底部108和盖组件110。处理容积112一般通过侧壁106上的端口(未示出)访问，侧壁106上的端口使大面积玻璃衬底140(下文中称为“衬底140”)移进和移出室102的操作变得容易。侧壁106和底部108一般以单一铝块或与处理兼容的其他材料块制作。盖组件110包含将处理容积112耦合到排气端口的泵浦气孔114，排气端口耦合到各种泵浦组件(未示出)。
盖组件110由侧壁106支撑，并且可以被移去以对室102进行操作。盖组件110通常由铝构成。分布板118耦合到盖组件110的内侧120。分布板118一般由铝制作。分布板118的中心部分包括多孔区域，提供自气体源104的处理气体和其他气体经由该多孔区域被传送到处理容积112。分布板118的多孔区域被配置来提供气体的均匀分布，其中气体经过分布板118进入室102。功率源122耦合到分布板118以提供电偏置，电偏置对处理气体赋能，并且在处理期间维持气体分布板118下方的内部容积112中的等离子体。
加热的衬底支撑组件138被放置在室102的中心部位。支撑组件138在处理期间支撑衬底140。衬底支撑组件138通常包括导电主体124，导电主体124在形状上通常是多边形的，并且在支撑衬底140的主体124的至少一部分上覆盖有电绝缘涂层(未示出)。涂层也可以覆盖主体124的其他部分。
支撑主体124可以用金属或其他同等的导电材料制作。绝缘涂层可以是电介质材料，如氧化物、氮化硅、二氧化硅、二氧化铝、五氧化钽、碳化硅或聚合物，以及其他材料，这些材料可以通过各种沉积或涂覆处理施加，这些沉积或涂覆处理包括但不限于火焰喷射、等离子体喷射、高能涂覆、化学气相沉积、喷射、粘附膜、溅射和包封(encapsulating)。
在一个实施例中，衬底支撑组件138包括铝主体124，铝主体124包封了至少一个嵌入的加热元件132和热电耦(未示出)。至少第一强化构件116可以嵌入在主体124中邻近加热元件132的位置处。第二强化构件166可以放置在主体124内与第一强化构件116相对的加热元件132一侧的位置处。强化构件116、166可以由金属、陶瓷或其他硬化材料构成。
加热元件132(例如放置在支撑组件138中的电极)耦合到功率源130，并且可控地加热支撑组件138和位于组件138上的衬底140到预定温度。一般来说，加热元件132在处理期间将衬底140维持在约150到至少约460摄氏度的均一温度。
通常，支撑组件138有下侧126和支撑其上的衬底140的上侧134。下侧126有耦合到其的杆盖144。杆盖144通常是耦合到支撑组件138的铝环，其提供用于杆142的附接的安装表面。
通常，杆142从杆盖144延伸，并且将支撑组件138耦合到抬升系统139，抬升系统139使支撑组件138在提升处理位置(如图所示)和利于衬底传输的较低位置之间移动。风箱146提供室容积112和室102外部的大气之间的真空密封，同时有利于支撑组件138的垂直移动。柄142还提供支撑组件138和系统100的其他组件之间的电导管和热电偶导线。
支撑组件138还支撑外接掩蔽框148。通常，掩蔽框148防止了在衬底140和支撑组件138边缘处的沉积，从而使衬底140不会粘到支撑组件138上。
支撑组件138有多个透过组件布置的孔128，这些孔128接受多个抬升栓150。抬升栓150一般由陶瓷或阳极化铝构成。通常，抬升栓150有第一端160，在抬升栓150处于正常位置(即，相对于支撑组件138缩回)时，第一端160基本上嵌入支撑组件138的上侧134中，或者略微凹进上侧134中。第一端160通常是漏斗形的，以防止抬升栓150漏过孔128。另外，抬升栓150有第二端164，第二端164延伸越过支撑组件138的下侧126。随着支撑组件138降低到传输位置，抬升栓150与室102的底部108形成接触，并且通过支撑组件138移动成从支撑组件138的上侧134凸出，从而使衬底140放置在与支撑组件138有一定间隔关系的位置处。
在一个实施例中，采用了不同长度的抬升栓150a、150b，从而使其与底部108形成接触，并且在不同时刻致动。例如，围绕衬底140的外边间隔的长抬升栓150a以及从衬底140的外边朝中心向内间隔的相对较短的抬升栓150b的组合允许衬底140被从其外边到中心逐渐抬升。在另一个实施例中，采用了均一长度的抬升栓150a、150b，但是室102的底部108包括位于外抬升栓150a下方的凸块或凸起(plateaus)182，从而使外抬升栓150a在内抬升栓150b之前被致动。或者，室底部108可以包括位于内抬升栓150b下方的槽或沟，从而使内抬升栓150b在外抬升栓150a之后被致动。
支撑组件138通常接地，从而使由功率源122提供到分布板118(或位于室102的盖组件110内部或附近的其他电极)的RF功率可以激励处理容积112内支撑组件138和分布板118之间的气体。来自功率源122的RF功率通常被选择为与衬底140的尺寸相当，以驱动化学气相沉积处理。
幕184提供了支撑组件138和室102之间的RF电流回路。幕184通常包括第一端186、第二端188和至少一个弯曲190。第一端186电连接到室壁106、108之一，而第二端188电连接到支撑组件138，一般连接到导电主体124的下侧126。
第一曲折192从弯曲190向第一端186延伸，第二曲折194从弯曲190向第二端188延伸。曲折192、194的形状基本上是四边形的，并且允许支撑组件138相对于室底部108作垂直移动。
幕184可以绕整个支撑组件132或主体124周边的一部分连续延伸。在一个实施例中，单个幕184基本绕主体124的全周边连续延伸(例如，从而使幕184与多边形主体124的每条边都接触)。或者，多个幕184可以彼此相邻地基本绕主体124的全周边延伸，其中至少一个幕耦合到多边形支撑组件132的每条边。在另一个实施例中，多个幕定位成在多边形主体184的每边上一个，每一个具有至少12英寸宽度。
幕184由柔性低阻抗导电金属构成，这种金属对处理和清洗化学剂有抵抗力。在一个实施例中，幕184由铝构成，并且厚度近似为0.008到0.016英寸。或者，幕184可以包括钛、不锈钢或涂覆有导电金属涂层的柔性金属。
与传统接地技术相比，幕184明显缩短了RF电流到地的回路。电流经过等离子体传递到衬底140，其中衬底140与支撑组件138的导电主体124形成电接触。主体124的下侧126与幕184形成电接触，从而使电流从主体124经过幕184到达连接到地的室壁106、108。此外，幕184比现有的导电带设计提供了更大的载流面积，使其在理论上更适于大面积处理应用。幕184的更短距离和更大的载流容量导致在支撑组件138的表面和接地室102之间形成了低得多的电压差，从而基本上减少了衬底支撑组件138下方的等离子体点火的可能性，这种点火可能在室102中溅射不希望产生的污染物。
图2是幕184的截面图。在一个实施例中，幕184包括至少一个弯曲190，弯曲190位于第一端186和第二端188之间，以限定第一和第二曲折192、194，曲折192、194允许支撑组件138的垂直移动。尽管图2中的幕184只包括一个弯曲190，但是在幕184中也可形成多个弯曲190，以形成如图7所示的类似折叠状结构。弯曲190位于多边形衬底支撑组件138的下方，并且其方向基本平行于幕184的第二端188附接到的支撑组件138的那一边。弯曲190预先形成在幕184中，以提高幕184的有效寿命；由支撑组件138的垂直移动传递到幕184的重复应力可能使得弯曲190破裂，从而有必要更换幕184。
幕184还包括形成在第一曲折192中的至少一个抬升栓孔208a和形成在第二曲折194中的至少一个抬升栓孔208b。孔208a、208b可以是缝隙或其他形状的开口。一般来说，孔208a、208b的位置与弯曲190等距离，从而使孔208a、208b对齐以允许抬升栓150的低端164穿过。因此，孔208a、208b的直径比抬升栓150的直径大。随着衬底支撑组件138垂直降低，抬升栓150的底端164与室102的底部108形成接触，这迫使栓150穿过幕184中的孔208a、208b和主体124中的孔128。此外，抬升栓150由室102的底部108致动，而不是由传统系统中所用的抬升板致动，这允许幕184的弯曲190从衬底支撑组件138的周边向内凸出，凸出到支撑组件138下方的空间中(即，这是因为在支撑组件138下方没有抬升板)。因此，基本上整个幕184都可以在支撑组件138的下方，同时仍然能维持与支撑组件138的基本上整个周边的电接触。这样，整个系统可以更紧凑地用更少的总部件制造。
在处理期间，室102中的温度在接近室底部108处可以从100到130摄氏度变化，在与处理期间的衬底140相接触的支撑组件138的表面上可以达到350摄氏度。因此，耦合到支撑组件138的幕184的第二端188比幕184的第一端186在正常情况下有更大的热膨胀度。这种膨胀变化可能使得幕184变形，从而以期望的方式影响了幕184的功能和有效寿命。为了抵消热差，在邻近第二端188的幕184中的位置处形成有至少一个穿孔206，以允许幕184的热膨胀。在一个实施例中，沿幕184的第二端188以大约每2英寸的间距分布有多个穿孔206，这些穿孔206每一个的宽度大约为0.8英寸。
图5和6更详细的图示了幕184和连接组件322的特征。幕184还包括形成在幕184的第一端186处的第一安装法兰202和形成在幕184的第二端188处的第二安装法兰204。与弯曲190一样，安装法兰202、204可选地预先形成在幕184中，并且其方向基本平行于安装法兰204附接到的多边形衬底支撑组件138的那些边。在一个实施例中，确保第一安装法兰202在底部108和夹紧条220之间。夹紧条220和安装法兰202沿这样的方向延伸，该方向基本平行于衬底支撑组件138的下方有夹紧条220和安装法兰202的那一边。第一安装法兰202还包括至少一个扣件孔(图6中的610)，该扣件孔适合于接收透过夹紧条220、幕184和室壁108放置的至少一个扣件(未示出)，以确保幕184处于适当的位置处。
图3更详细的示出了第二安装法兰204。在一个实施例中，第二安装法兰204被连接组件322固定到支撑组件138。连接组件沿基本平行于支撑组件138的连接组件322耦合到的那一边延伸。连接组件322包括耦合到主体124的下侧126的排气环324和耦合在夹紧环324和仿形块328之间的延伸块326。第二安装法兰204基本是U形的，以吻合仿形块328的曲线表面330、围绕延伸块326的曲线外表面332，并且在延伸块326和排气环324的基本扁平的表面334、336之间。第二安装法兰204的“U”形部分基本平行于支撑组件138的安装法兰204耦合到的那一边。排气环324、延伸块326和仿形块328每一个还包括至少一个扣件孔(未示出)，第二安装法兰204包括对齐的至少一组扣件孔(图6中的612)，这组扣件孔适于接收经过第二安装法兰204和连接组件322放置的至少一个扣件(如安装螺杆)。
图4示出了排气环324的一个实施例。排气环324包括形成在排气环324中并适于允许气体流过的多条排气路径400。排气环324中的排气路径400允许气体经过连接组件322到达衬底支撑组件138下方的区域。排气环324的拐角部分402可选地包括斜角通路404(即，以相对于支撑主体124的侧边一定角度切割的通路)，以使经过排气环324的气体通路变得更加均匀。
图8是处理系统800的另一个实施例的截面图，其中气体排气端口894放置在室802的底部808中，而不是邻近盖810放置。系统800的其他部分类似于图1所示的系统100，并且通常包括耦合到室802的气体源804和功率源822。室802有限定处理容积812的侧壁806、底部808和盖组件810。系统800有地幕884，地幕884如上所述配置，并且放置在衬底支撑组件838和接地室802之间。
诸如图4所示的排气环324在理论上尤其适合于用在系统800中。排气环324中的排气路径400可允许气体从衬底支撑组件838上方的区域到达排气端口894，而不用考虑幕884存在与否，幕884基本绕支撑组件838的全周边延伸。
图9是处理系统900的另一个实施例的截面图，处理系统900具有放置在衬底支撑组件938和接地室902之间的地幕984。系统900类似于图1所示的系统100，并且通常包括耦合到室902的气体源904和功率源922。室902具有限定处理容积912的侧壁906、底部908和盖组件910。
被加热的衬底支撑组件938放置在室902内部的中心位置处。衬底支撑组件938可以放置在相对于室底部908具有固定提升的位置处。支撑组件938在处理期间支撑大面积玻璃衬底940。衬底支撑组件938通常类似于图1所示的支撑组件138；但是，在图9所示的实施例中，支撑组件938相对于室902的底部908或侧壁906中的至少一个固定。
分布板918放置在衬底支撑组件938上方，并且耦合到抬升机构990，抬升机构990在处理期间使分布板918相对于支撑组件938垂直移动，以控制衬底支撑组件938和分布板918之间的间距。分布板918耦合到功率源982，功率源982在处理期间给分布板918赋能RF功率。
支撑组件938有透过组件分布的多个孔928，这多个孔928接受多个抬升栓950。抬升栓950可以由抬升板954相对于支撑组件938致动以从支撑表面930凸起，从而将衬底940放置与支撑组件938有一定间隔关系的位置处。抬升板954由杆956耦合到致动器958，杆956延伸透过室902的底部908。致动器958使得抬升板954能够相对于支撑组件938垂直移动，从而接合抬升栓950并迫使抬升栓950透过孔928。抬升板954可以成形，以同时与不同长度的抬升栓950a、950b接合，或者抬升板954可以是扁平的，以在不同阶段接合抬升栓950a、950b。风箱960包围杆956，以防止泄漏到真空条件下的室902中。抬升板954还包括多个排气孔970，以允许气体透过。
由于支撑组件938固定，所以RF地幕984不需要弯曲或适应运动，如同前述图中图示的地幕184那样。因此，幕984可能有利地适于绕固定支撑组件938的全周边连续延伸，其中幕984不需要弯曲或适应衬底支撑运动。幕984可以是圆柱形或线形的，并且不需要有一个或多个弯曲。幕984的其他部分基本类似于幕184，具有电连接到室底部908的第一端986和连接到支撑组件938的第二端988。幕984包括如前所述配置的第一和第二安装法兰903、905，这两个法兰经由诸如上述的夹紧条和连接组件固定到壁908和支撑组件938。用于热膨胀的穿孔切割在幕984的第二端988中。
从而，本发明呈现了大面积衬底处理领域中的重要进步。提供了这样一种装置，该装置明显限制了RF电流回路中的电压降，并且适合于用在大规模处理系统中，如那些用来制作平板和液晶显示器的系统。此外，制造的装置具有改进的功能和耐久性，结合了限制由重复应力和暴露于热量中所引起的破裂和变形这样的整体特征。
尽管前述内容描述了本发明的实施例，但是在不脱离本发明基本范围的前提下可以设计出本发明的其他和另外的实施例，本发明的范围由所附权利要求确定。
Claims (39)
1.一种用于提供室主体和衬底支撑之间的RF电流回路的装置，包括：
具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端适于电连接到所述室主体，所述第二端适于电连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括：
位于所述第一端和所述第二端之间的至少一个弯曲；
从所述至少一个弯曲向所述第一端延伸的第一曲折；
从所述至少一个弯曲向所述第二端延伸的第二曲折；和
透过耦合到所述第二端的所述曲折形成的至少一个穿孔。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述幕还包括：
形成在所述第一曲折中的至少一个孔；和
形成在所述第二曲折中的至少一个孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距离所述至少一个弯曲等距离对齐。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述曲折的形状基本是四边形的。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述幕的所述第一端至少有12英寸宽。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述幕包括铝或铝涂层中的至少一种。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述幕的所述第一端包括沿基本平行于所述幕中的至少一个弯曲的方向延伸的第一安装法兰。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述第一安装法兰适于固定在所述室主体和夹紧条之间。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述第一安装法兰还包括至少一个扣件孔，所述至少一个扣件孔适于接收透过所述夹紧条、幕和室主体放置的至少一个扣件。
9.如权利要求1所述的装置，其中所述幕的第二端包括沿基本平行于所述幕中的至少一个弯曲的方向延伸的第二安装法兰。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述第二安装法兰适于由连接组件固定到所述衬底支撑。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述连接组件包括：
适于耦合到所述衬底支撑的排气环；
延伸块，所述延伸块的第一表面适于耦合到所述排气环；和
适于耦合到所述延伸块的第二表面的仿形块。
12.如权利要求11所述的装置，其中所述第二安装法兰基本是U形的，并且适于穿过所述仿形块和延伸块之间，绕所述延伸块的外表面，并穿过所述延伸块和所述排气环之间。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述第二安装法兰还包括至少一组对齐的扣件孔，所述至少一组对齐的扣件孔适于接收透过所述仿形块、幕、延伸块、排气环和衬底支撑中的至少两个放置的至少一个扣件。
14.如权利要求11所述的装置，其中所述排气环包括多条排气路径。
15.如权利要求14所述的装置，其中所述多条排气路径中的至少一条是位于所述排气环的拐角部分的斜角通路。
16.一种衬底处理室，包括：
室主体；
放置在所述室主体中并且具有基本为多边形的支撑表面的衬底支撑；和
具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端电连接到室壁，所述第二端电连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括：
位于所述第一端和所述第二端之间的至少一个弯曲；
从所述至少一个弯曲向所述第一端延伸的第一曲折；
从所述至少一个弯曲向所述第二端延伸的第二曲折；和
透过耦合到所述第二端的曲折形成的至少一个穿孔。
17.如权利要求16所述的室，其中所述曲折的形状基本是四边形的。
18.如权利要求16所述的室，其中所述曲折适于允许所述衬底支撑相对于所述室壁的垂直运动。
19.如权利要求16所述的室，其中所述幕适于耦合到所述衬底支撑的至少一边。
20.如权利要求19所述的室，其中所述幕绕所述衬底支撑的全周边连续延伸。
21.如权利要求16所述的室，其中所述幕还包括：
形成在所述第一曲折中的至少一个孔；和
形成在所述第二曲折中的至少一个孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距离所述至少一个弯曲等距离对齐。
22.如权利要求21所述的室，其中所述衬底支撑还包括透过所述衬底支撑和孔垂直放置的至少一个抬升栓。
23.如权利要求22所述的室，其中所述至少一个抬升栓通过与所述室的底部接触，被迫使垂直透过所述孔和所述衬底支撑。
24.如权利要求16所述的室，其中所述幕包括多个弯曲。
25.如权利要求16所述的室，其中所述室是化学气相沉积室。
26.一种衬底处理室，包括：
室主体；
放置在所述室主体中的衬底支撑；
耦合到所述室的盖的可垂直移动气体分布板；和
具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端电连接到室壁，所述第二端连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括：
适于将所述第一端固定到所述室主体的第一安装法兰；
适于将所述第二端固定到所述衬底支撑的第二安装法兰；
透过邻近所述第二端的所述幕形成的至少一个穿孔。
27.如权利要求26所述的室，其中所述幕适于耦合到所述衬底支撑的至少一边。
28.如权利要求27所述的室，其中所述幕绕所述衬底支撑的全周边连续延伸。
29.如权利要求26所述的室，其中所述幕的形状基本是四边形的。
30.如权利要求26所述的室，其中所述室是化学气相沉积室。
31.一种衬底处理室，包括：
室主体；
放置在所述室主体中的衬底支撑；和
具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端电连接到室壁，所述第二端连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括：
位于所述第一端和所述第二端之间的所述幕材料中的至少一个弯曲，所述弯曲从所述衬底支撑的周边向内朝所述衬底支撑的中心凸出。
32.如权利要求30所述的室，其中所述幕还包括：
从所述至少一个弯曲向所述第一端延伸的第一曲折；
从所述至少一个弯曲向所述第二端延伸的第二曲折；和
透过耦合到所述第二端的曲折形成的至少一个穿孔。
33.如权利要求32所述的室，其中所述曲折的形状基本是四边形的。
34.如权利要求31所述的室，其中所述幕包括：
形成在所述第一曲折中的至少一个孔；和
形成在所述第二曲折中的至少一个孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距离所述至少一个弯曲等距离对齐。
35.如权利要求31所述的室，其中所述衬底支撑还包括：
透过所述衬底支撑放置的多个孔；
透过所述多个孔放置的多个衬底抬升栓，其中所述多个抬升栓通过与所述室主体接触，被迫使垂直透过所述孔。
35.如权利要求31所述的室，其中所述幕适于耦合到所述衬底支撑的至少一边。
36.如权利要求31所述的室，其中所述幕基本绕所述衬底支撑的全周边连续延伸。
37.如权利要求31所述的室，其中所述幕包括多个弯曲。
38.如权利要求31所述的室，其中所述室是化学气相沉积室。
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