CN1695217A - 可靠的相对接触体结构及其制备技术 - Google Patents

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Abstract

具有多个接触表面的开关结构，所述接触表面可以互相接触。接触表面中的一个或多个可以用弹性材料，比如金刚石来涂覆。

Description

可靠的相对接触体结构及其制备技术
技术领域
本发明的主题总地涉及开关领域。
背景技术
射频开关(radio frequency switch)在它的寿命中可以进行数目众多的开关周期(switchcycle)。某些射频开关可以部分地通过在两个金属接触体之间的接触来操作。随着时间的流逝，接触体(contact)的表面会磨损。磨损可能使得开关易于出现静摩擦(stiction)，由此开关的接触体在接触时相互粘附。静摩擦会降低可以进行开关操作的速率。
附图说明
图1根据本发明的实施方案描绘了开关的横截面视图。
图2根据本发明的实施方案描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图1的开关。
图3到图11根据本发明的实施方案描绘了图1的开关在各个制备阶段中的横截面视图。
图12根据本发明的实施方案描绘了开关的横截面视图。
图13根据本发明的实施方案描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图12的开关。
图14到图22根据本发明的实施方案描绘了图12的开关在各个制备阶段中的横截面视图。
图23根据本发明的实施方案描绘了开关的横截面。
图24根据本发明的实施方案描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图23的开关。
图25到图33根据本发明的实施方案描绘了图23的开关在制备中各个阶段的横截面视图。
图34根据本发明的实施方案描绘了开关的横截面。
图35根据本发明的实施方案描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图34的开关。
图36到图44根据本发明的实施方案描绘了图34的开关在各个制备阶段中的横截面视图。
注意，在不同的图形中使用了同样的标号来指示相同或类似的元件。
具体实施方式
图1
图1根据本发明的实施方案描绘了开关100的横截面视图。开关100可以包括基底(base)110、臂170A、接触体175、第二接触体120C和致动装置(actuation)120B。基底110可以支撑第二接触体120C和臂170A。当在致动装置120B和臂170A之间施加电压时，臂170A可以降低接触体175与第二接触体120C接触。根据本发明的实施方案，第二接触体120C可以具有耐久保护涂层140C，该耐久保护涂层140C可以保护第二接触体120C免受磨损。
根据本发明的实施方案，图2描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图1所示的开关100。操作210包括在硅表面110上提供金属层120。图3描绘了可由操作210得到的示例性结构的横截面视图。硅表面110的一种适当的实施方式是硅晶片。层120适当的材料包括金和/或铝。提供金属层120适当的技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层120适当的厚度大约是1/2到1微米。
操作220包括在金属层120上提供附着层130。图4描绘了可由操作220得到的示例性结构的横截面视图。层130的适当材料包括钛、钼和/或钨。提供金属层130的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层130适当的厚度大约是0.1微米。
操作230包括在层130上提供保护层140。图5描绘了可由操作230得到的示例性结构的横截面视图。保护层140的适当材料包括但不限于：金刚石、铑、钌和/或类金刚石碳膜。提供保护层140的适当技术包括等离子增强化学气相沉积(CVD)。层140适当的厚度大约是100到500埃。
操作240包括去除层120到层140的部分来形成堆叠(stack)145A、145B和145C。每个堆叠145A、145B和145C都包括层120到层140的部分。图6描绘了可由操作240得到的示例性结构的横截面视图。堆叠145A和145B之间(沿X轴)适当的距离大约是5到50微米。堆叠145B的层120B可以被称为致动装置120B。堆叠145B和145C之间(沿X轴)适当的距离大约是1到10微米。在操作240中，去除部分层120到层140的适当技术包括：(1)在层140暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过反应离子刻蚀或氧等离子体来刻蚀层140，以去除部分层140；(4)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除层120和130；以及(5)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作250包括在图6横截面视图中所描绘的结构上提供牺牲层150。图7描绘了可由操作250得到的示例性结构的横截面视图。层150的适当材料包括SiO2、聚合物、玻璃基材料和/或金属(例如，铜)。提供层150的适当技术包括(1)溅射、化学气相沉积(CVD)、旋涂或物理气相沉积，此后(2)例如使用化学机械抛光(CMP)来对层130的表面进行抛光。层150的适当厚度大约是在堆叠145A、145B和145C以上1微米。
操作260包括从图7所描绘的结构去除部分层150和堆叠145A的部分层130A和140A。图8描绘了可由操作260得到的示例性结构的横截面视图。从图7所示结构的一侧155，沿X轴去除适当距离的部分层150和堆叠145A的部分层130A和140A，该适当距离是10到30微米。实施操作260的适当技术包括：(1)在层150暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过提供HF溶液，来去除层150；(4)通过反应离子刻蚀或氧等离子体刻蚀层140A，以去除部分层140A；(5)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除层130A；以及(6)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。在此之后，再成形的层150称为层150A。
操作270包括从层150A去除凹陷(dimple)区域160。图9描绘了可由操作270得到的示例性结构的横截面视图。凹陷区域160可以是圆顶形状的。实施操作270的适当技术包括：(1)在层150A暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过反应离子刻蚀来将层150A刻蚀到大约1/2微米的深度，以去除150A的凹陷区域；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作280包括在凹陷区域160中以及在图9所示的结构上提供金属导电层170。图10描绘了可由操作280得到的示例性结构的横截面视图。金属导电层170的适当材料包括金和/或铝。层170的材料可以但不一定与金属层120的材料相同。提供层170的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层170适当的厚度大约是2到4微米。凹陷接触体175由此可以由填充凹陷区域160的部分金属导电层170形成。
操作290包括从图10所描绘结构的一侧172(沿X轴)去除多达约2到8微米距离的部分层170。图11描绘了可由操作290得到的示例性结构的横截面视图。去除部分层170的适当技术包括：(1)在层170暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除层130A；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。在此之后，再成形的层170称为层170A或臂170A。
操作295包括去除剩余的牺牲层150A。图1描绘了可由操作295得到的示例性结构的横截面视图。去除剩余牺牲层150A的技术包括将图11所示的结构浸入到HF溶液中。
图12
图12根据本发明的实施方案描绘了开关300的横截面图。开关300可以包括基底310、臂370A、致动装置320B、第一接触体365和第二接触体320C。当在致动装置320B和臂370A之间施加电场时，那么接触体365可以降低以接触第二接触体320C。根据本发明的实施方案，第一接触体365可以具有耐久涂层，该耐久涂层可以保护第一接触体365免受磨损。
根据本发明的实施方案，图13描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图12所示的开关300。操作410包括在硅表面310上提供金属层320。图14描绘了可由操作410得到的示例性结构的横截面视图。硅表面310的一种适当的实施方式是硅晶片。层320的适当材料包括金和/或铝。提供金属层320的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层320适当的厚度大约是1/2到1微米。
操作420包括去除部分层320来形成层320A、320B和320C。图15描绘了可由操作420得到的示例性结构的横截面视图。层320A和320B之间(沿X轴)适当的距离大约是5到50微米。层320B和320C之间(沿X轴)适当的距离大约是1到10微米。去除部分层320的适当技术包括：(1)在层320暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)施加氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。这里，层320B也可以另外被称为致动装置320B，而层320C也可以另外被称为第二接触体320C。
操作430包括在图15横截面视图中所示的结构上提供牺牲层330。图16描绘了可由操作430得到的示例性结构的横截面视图。层330的适当材料包括SiO2、聚合物、玻璃基材料和/或金属(例如，铜)。提供层330的适当技术包括(1)溅射、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积，此后(2)例如使用化学机械抛光(CMP)来对层330的表面进行抛光。层330适当的厚度大约是在层320A、320B和320C(沿Y轴)以上1微米。
操作440包括在牺牲层330中形成锚定(anchor)区域。图17描绘了可由操作440得到的示例性结构的横截面视图。从图16横截面视图中所示结构的一侧355，沿X轴去除适当距离的部分层330，该适当距离是10到30微米。实施操作440的适当技术包括：(1)在层330暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过提供HF溶液，来去除层330；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。在此之后，再成形的层330可称为层330A。
操作450包括从层330A去除凹陷区域340。图18描绘了可由操作450得到的示例性结构的横截面视图。凹陷区域340可以是圆顶形状的。实施操作450的适当技术包括：(1)在层330A暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过反应离子刻蚀将层330A刻蚀到大约1/2微米的深度，以去除330A的凹陷区域；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作460包括在图18所示的结构上提供保护层350。图19描绘了可由操作460得到的示例性结构的横截面视图。保护层350适当的材料包括但不限于：金刚石、铑、钌和/或类金刚石碳膜。提供保护层350的适当技术包括等离子增强化学气相沉积(CVD)。层350适当的厚度大约是100到500埃。
操作470包括在图19所示的结构上提供附着层360。图20描绘了可由操作470得到的示例性结构的横截面视图。层360适当的材料包括钛、钼和/或钨。提供金属层360的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层360适当的厚度大约是0.1微米。
操作480包括在图20的横截面视图所示的结构上提供第二金属导电层370。图21描绘了可由操作480得到的示例性结构的横截面视图。第二金属导电层370的适当材料包括金和/或铝。提供层370的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层370适当的厚度大约是2到4微米。这里，再成形的层370被称为臂370A。这里，由第二金属导电层370填充的凹陷区域340部分也可以另外被称为第一接触体365。
操作490包括从一侧375(沿X轴)去除多至约2到8微米距离的部分层350-370。图22描绘了可由操作490得到的示例性结构的横截面视图。实施操作490的适当技术包括：(1)在层370暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除部分层360和370；(4)使用反应离子刻蚀或氧等离子体去除部分层350；以及(5)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作495包括去除剩余的牺牲层330A。图12描绘了可由操作495得到的示例性结构(开关300)的横截面视图。去除剩余牺牲层330A的适当技术包括将图22所示的结构浸入到HF溶液中。
图23
图23根据本发明的实施方案描绘了开关500的横截面图。开关500可以包括基底505、致动装置525A、臂555、接触体535B到535E。接触体535B到535E可以被附着到基底505。当在致动装置525A和臂555之间施加电场时，臂555可以向接触体535B至535E的方向降低，并且能够在接触体535B至535E之间建立导电连接。根据本发明的实施方案，接触体535B至535E可以具有耐久涂层，该耐久涂层可保护接触体535B至535E免受磨损。
根据本发明的实施方案，图24描述了一种可能的方法，该方法可以用来构建图23所示的开关500。操作610包括在硅层510上形成SiO2层520A。硅层510的一种适当的实施方式是硅晶片。SiO2层520A适当的厚度大约是0.2到1微米。操作615包括在SiO2层520A上形成金属层525。金属层525的适当厚度大约是0.2到1微米。金属层525的适当材料包括金和/或铝。提供金属层525的适当技术包括：(1)溅射沉积或物理气相沉积；以及(2)刻蚀去除部分金属层525来形成致动装置525A。图25描绘了可由操作610和操作615得到的结构的横截面视图。
操作620包括在图25横截面视图所示的结构上形成第二SiO2层520B。第二SiO2层520B的适当厚度是在致动装置525A以上大约2到4微米。图26描绘了可由操作620得到的结构的横截面视图。这里，基底505可以指层510、520A和520B以及致动装置525A的组合。
操作625包括在图25横截面视图所示的结构上提供第二金属层535。图27描绘了可由操作625得到的结构的横截面视图。第二金属层535的适当材料包括金和/或铝。提供第二金属层535的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层535适当的厚度大约是1/2到1微米。
操作630包括在第二金属层535上提供附着层540。图28描绘了可由操作630得到的结构的横截面视图。层540的适当材料包括钛、钼和/或钨。提供金属层540的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层540的适当厚度大约是0.1微米。
操作635包括在层540上提供保护层543。图29描绘了可由操作635得到的结构的横截面视图。保护层543的适当材料包括但不限于：金刚石、铑、钌和/或类金刚石碳膜。提供保护层543的适当技术包括等离子增强化学气相沉积(CVD)。层543的适当厚度大约是100到500埃。
操作640包括去除部分层535、540和543来形成堆叠545A-545F。图30描绘了可由操作640得到的结构的横截面视图。每个堆叠545A-545F都包括部分层535、540和543。堆叠545A和545B之间(沿X轴)的适当距离大约是20到80微米。堆叠545B和545C之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。堆叠545C和545D之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。堆叠545D和545E之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。堆叠545E和545F之间(沿X轴)适当的距离大约是20到80微米。去除部分层535、540和543的适当技术包括：(1)在层543暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过反应离子刻蚀或氧等离子体来刻蚀层543，以去除部分层543；(4)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除层535和540；以及(5)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作645包括例如在图30横截面视图中所示的结构上提供牺牲层550。图31描绘了可由操作645得到的结构的横截面视图。层550的适当材料包括SiO2、聚合物、玻璃基材料和/或金属(例如，铜)。提供层550的适当技术包括(1)溅射、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积，此后(2)例如使用化学机械抛光(CMP)来对牺牲层550的表面进行抛光。层550的适当厚度是在堆叠545A-545F以上(沿Y轴)大约1微米。
操作650包括从图31横截面视图中所示的结构去除部分层550以及层545A和545F的部分层540和543。图32描绘了可由操作650得到的结构的横截面视图。从图31所示结构的一侧551，沿X轴去除适当距离的部分层550以及层545A的部分层540和543，该适当距离是10到30微米。从图31所示结构的一侧553，沿X轴去除适当距离的部分层550以及层545F的部分层540和543，这一适当距离是10到30微米。实施操作650的适当技术包括：(1)在层550暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过提供HF溶液，来去除层550；(4)通过反应离子刻蚀或氧等离子体刻蚀层540A，以去除层543；(5)提供氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合来去除层540；以及(6)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作655包括例如在图32横截面视图所示的结构上提供第三金属导电层555。图33描绘了可由操作655得到的结构的横截面视图。第三金属导电层555的适当材料包括金和/或铝。提供第三金属导电层555的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层555的适当厚度大约是1到5微米。这里，层555可以被称为臂555。
操作660包括去除剩余的牺牲层550。图23描绘了可由操作660得到的结构的横截面视图。去除剩余牺牲层550的适当技术包括将图33所示的结构浸入到HF溶液中。
图34
图34根据本发明的实施方案描绘了开关700的横截面图。开关700可以包括基底705、致动装置725A、臂770、接触体735B至735E。接触体735B至735E可以被附着到基底705上。当在致动装置725A和臂770之间施加电场时，那么臂770可以向接触体735B到735E的方向降低，并且能够在接触体735B至735E之间建立导电连接。根据本发明的实施方案，臂770可与接触体735B至735E接触的表面可以具有耐久涂层，该耐久涂层可保护臂770免受磨损。
根据本发明的实施方案，图35描述了一种可能的方法，该方法可以用米构建图34所示的开关700。操作810包括在硅层710上提供SiO2层720A。硅层710的一种适当的实施方式是硅晶片。SiO2层720A的适当厚度大约是0.2到1微米。
操作815包括在SiO2层720A上形成金属层725A。金属层725适当的材料包括金和/或铝。提供金属层725的适当技术包括：(1)金属层的溅射沉积或物理气相沉积；以及(2)刻蚀去除部分金属层725来形成金属层725A。金属层725适当的厚度大约是0.2到1微米。图36描绘了可由操作810和操作815得到的结构的横截面视图。这里，基底705可以指层710、720A和720B以及致动装置725A的组合。这里，致动装置725A可以指金属层725A。
操作820包括在图36横截面视图所示的结构上形成SiO2层720B。SiO2层720B适当的厚度是在致动装置725A以上2到4微米。图37描绘了可由操作820得到的结构的横截面视图。
操作825包括在图37横截面视图所示的结构上提供金属层735。图38描绘了可由操作825得到的结构的横截面视图。层735的适当材料包括金和/或铝。提供金属层735的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层735的适当厚度大约是1/2到1微米。
操作830包括去除部分层735来形成层735A-735F。图39描绘了可由操作830得到的结构的横截面视图。层735A和735B之间(沿X轴)适当的距离大约是20到80微米。层735B和735C之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。层735C和735D之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。层735D和735E之间(沿X轴)适当的距离大约是2到10微米。层735E和735F之间(沿X轴)适当的距离大约是20到80微米。去除部分层735的适当技术包括：(1)在层735暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)使用氟化烃(例如，CF4或C2F6)或硝酸和硫酸的组合；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。
操作835包括例如在图39横截面视图中所示的结构上提供牺牲层740。图40描绘了可由操作835得到的示例性结构的横截面视图。层740的适当材料包括SiO2、聚合物、玻璃基材料和/或金属(例如，铜)。提供层740的适当技术包括(1)溅射、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积，此后(2)例如使用化学机械抛光(CMP)来对牺牲层740的表面进行抛光。层740的适当厚度是在层735A-735F以上(沿Y轴)大约0.5到2微米。
操作840包括从图40横截面视所示的结构去除部分层740。图41描绘了可由操作840得到的结构的横截面视图。从图40所示结构的一侧741，沿X轴去除适当距离的部分层740，该适当距离是10到30微米。从图40所示结构的一侧742，沿X轴去除适当距离的部分层740，这一适当距离是10到30微米。实施操作840的适当技术包括：(1)在层740暴露的表面上不要被去除的部分上施加掩模；(2)通过光刻方法来使掩模聚合(由此形成聚合抗蚀层)；(3)通过提供HF溶液，来去除层740；以及(4)使用抗蚀层剥除溶剂去除聚合抗蚀层。这里，再成形的层740被称为层740A。
操作845包括在图41横截面视图所示的结构上提供保护层750。图42描绘了可由操作845得到的结构的横截面视图。保护层750的适当材料包括但不限于：金刚石、铑、钌和/或类金刚石碳膜。提供保护层750的适当技术包括等离子增强化学气相沉积(CVD)。层750的适当厚度大约是100到500埃。
操作850包括在图42横截面所示的结构上提供附着层760。图43描绘了可由操作850得到的结构的横截面视图。层760的适当材料包括钛、钼和/或钨。提供金属层760的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层760的适当厚度大约是0.1微米。
操作855包括例如在图43横截面视图所示的结构上提供第三金属导电层770。图44描绘了可由操作855得到的结构的横截面视图。金属导电层770的适当材料包括金和/或铝。提供金属导电层770的适当技术包括溅射沉积或物理气相沉积。层770的适当厚度大约是1到5微米。
操作860包括去除剩余的牺牲层740A。图34描绘了可由操作860得到的结构的横截面视图。去除剩余牺牲层740A的适当技术包括将图44所示的结构浸入到HF溶液中。
修改
附图和前面进行的描述为本发明给出了多个实施例。但是，本发明的范围并非由这些具体的实施例所限定。各种变化，无论是在说明书中明确给出的还是非明确给出的，比如结构、尺寸、使用的材料之间的差异，都是可能的。方法的各个操作可以组合并同时进行。本发明的范围至少与所附的权利要求书所给出的一样宽。

Claims (65)

1.一种装置，包括：
基底结构；
在所述基底结构上形成的接触体区域，所述接触体区域具有保护涂覆；
在所述基底结构上形成的致动装置；
在所述基底结构上形成的臂结构；以及
在所述臂结构上形成凹陷区域，并且所述凹陷区域与所述接触体区域相对。
2.根据权利要求1的装置，其中，所述涂覆包括金刚石。
3.根据权利要求1的装置，其中，所述涂覆包括铑。
4.根据权利要求1的装置，其中，所述涂覆包括钌。
5.根据权利要求1的装置，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
6.根据权利要求1的装置，其中，所述基底结构包括硅结构。
7.根据权利要求1的装置，其中，所述经涂覆的接触体区域包括导电金属，并且还包括在所述导电金属和所述涂覆之间设置的附着层。
8.根据权利要求1的装置，其中，所述臂结构包括导电金属。
9.根据权利要求1的装置，其中，所述凹陷区域包括导电金属。
10.根据权利要求1的装置，其中，所述致动装置包括导电金属。
11.一种方法，包括：
在基底结构上形成导电接触体区域；
在所述基底结构上形成致动装置区域；
在所述接触体区域上形成保护涂覆；
在所述基底结构上形成臂结构；以及
在所述臂结构上形成凹陷区域，所述凹陷区域与所述经涂覆的接触体区域相对。
12.根据权利要求10的方法，其中，所述涂覆包括金刚石。
13.根据权利要求10的方法，其中，所述涂覆包括铑。
14.根据权利要求10的方法，其中，所述涂覆包括钌。
15.根据权利要求10的方法，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
16.根据权利要求10的方法，还包括在所述涂覆和所述接触体区域之间形成附着层。
17.一种装置，包括：
基底结构；
在所述基底结构上形成的接触体区域；
在所述基底结构上形成的致动装置；
在所述基底结构上形成的臂结构；
在所述臂结构上形成并与所述接触体区域相对的经涂覆的凹陷区域。
18.根据权利要求10的装置，其中，所述涂覆包括金刚石。
19.根据权利要求10的装置，其中，所述涂覆包括铑。
20.根据权利要求10的装置，其中，所述涂覆包括钌。
21.根据权利要求10的装置，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
22.根据权利要求10的装置，其中，所述基底结构包括硅结构。
23.根据权利要求10的装置，其中，所述经接触体区域包括导电金属。
24.根据权利要求10的装置，其中，所述经涂覆的凹陷区域包括导电金属，并且还包括在所述导电金属和所述涂覆之间设置的附着层。
25.根据权利要求10的装置，其中，所述臂结构包括导电金属。
26.根据权利要求10的装置，其中，所述致动装置包括导电金属。
27.一种方法，包括：
在基底结构上形成接触体区域；
在所述基底结构上形成致动装置区域；
在所述基底结构上形成臂结构；
在所述臂结构上形成导电凹陷区域，所述导电凹陷区域与所述经涂覆的接触体区域相对；以及
在所述接触体区域上形成保护涂覆。
28.根据权利要求27的方法，其中，所述涂覆包括金刚石。
29.根据权利要求27的方法，其中，所述涂覆包括铑。
30.根据权利要求27的方法，其中，所述涂覆包括钌。
31.根据权利要求27的方法，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
32.根据权利要求27的方法，还包括在所述涂覆和所述凹陷区域之间形成附着层。
33.一种装置，包括：
基底结构；
在所述基底结构上形成的至少一个经涂覆的接触体区域；以及
在所述基底结构上形成的臂结构，并且所述臂结构具有与所述至少一个接触体区域相对的表面。
34.根据权利要求33的装置，其中，所述涂覆包括金刚石。
35.根据权利要求33的装置，其中，所述涂覆包括铑。
36.根据权利要求33的装置，其中，所述涂覆包括钌。
37.根据权利要求33的装置，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
38.根据权利要求33的装置，其中，所述基底结构包括具有镶嵌的金属致动装置区域的硅基结构。
39.根据权利要求33的装置，其中，所述至少一个经涂覆的接触体区域包括导电金属，还包括在所述导电金属和所述涂覆之间设置的附着层。
40.根据权利要求33的装置，其中，所述臂结构包括导电金属。
41.一种方法，包括：
在基底结构中形成金属致动装置区域；
在所述基底结构上形成至少一个金属接触体区域；
在所述至少一个金属接触体区域上形成保护涂覆；以及
在所述基底结构上形成臂结构，并且所述臂结构与所述至少一个金属接触体区域相对。
42.根据权利要求41的方法，其中，所述涂覆包括金刚石。
43.根据权利要求41的方法，其中，所述涂覆包括铑。
44.根据权利要求41的方法，其中，所述涂覆包括钌。
45.根据权利要求41的方法，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
46.根据权利要求41的方法，还包括在所述涂覆和所述至少一个金属接触体区域之间形成附着层。
47.一种装置，包括：
基底结构；
在所述基底结构上形成的至少一个接触体区域；以及
在所述基底上形成的臂结构，并且所述臂结构具有与所述至少一个接触体区域相对的涂覆。
48.根据权利要求47的装置，其中，所述涂覆包括金刚石。
49.根据权利要求47的装置，其中，所述涂覆包括铑。
50.根据权利要求47的装置，其中，所述涂覆包括钌。
51.根据权利要求47的装置，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
52.根据权利要求47的装置，其中，所述基底结构包括具有镶嵌的金属致动装置区域的硅基结构。
53.根据权利要求47的装置，其中，所述至少一个接触体区域包括导电金属。
54.根据权利要求47的装置，其中，所述臂结构包括导电金属，并且还包括在所述涂覆和所述导电金属之间设置的附着层。
55.一种方法，包括：
在基底结构中形成金属致动装置区域；
在所述基底结构上形成至少一个金属接触体区域；
在所述基底结构上形成臂结构，并且所述臂结构与所述至少一个金属接触体区域相对；以及
在所述臂结构一侧的至少部分上形成保护涂覆，所述保护涂覆与所述至少一个金属接触体区域相对。
56.根据权利要求55的方法，其中，所述涂覆包括金刚石。
57.根据权利要求55的方法，其中，所述涂覆包括铑。
58.根据权利要求55的方法，其中，所述涂覆包括钌。
59.根据权利要求55的方法，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
60.根据权利要求55的方法，还包括在所述涂覆和所述臂结构之间形成附着层。
61.一种方法，包括：
在第一表面和第二表面之间施加电场来使所述第一表面与所述第二表面接触，其中所述第一表面涂覆有保护涂层。
62.根据权利要求61的装置，其中，所述涂覆包括金刚石。
63.根据权利要求61的装置，其中，所述涂覆包括铑。
64.根据权利要求61的装置，其中，所述涂覆包括钌。
65.根据权利要求61的装置，其中，所述涂覆包括类金刚石碳膜。
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