CN1572719B - Mems器件以及形成mems器件的方法 - Google Patents
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Abstract
一种形成MEMS器件的方法，包括提供包含基底材料(210)以及形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200)，在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层(250)，在介电层上形成保护层(252)，在保护层上确定MEMS器件的电接触区域(202)，在电接触区域内穿过保护层和介电层到底层结构的至少一层导电层形成开口(242)。
Description
技术领域
本发明一般涉及微致动器，尤其涉及微镜器件。
背景技术
微机电系统或MEMS器件包括与微电子电路集成的微机电加工基片。这种器件可形成例如基于例如电磁、电致伸缩、热电、压电或压阻效应工作的微传感器或微致动器。利用微电子技术中的例如光刻、气相沉积以及刻蚀技术，已经在绝缘体或其他衬底上形成了MEMS器件。
MEMS器件的一实例包括微镜器件。微镜器件可以用作光调制器对入射光的幅度和/或相位调制。微镜器件的一个应用是用于显示系统。这样，多个微镜器件排成阵列，使得每个微镜器件提供显示器的一个单元或象素。传统微镜器件包括一个被支撑的可围绕镜面的轴转动的静电致动的镜面。这样可以利用镜面绕轴的转动通过将入射光引导到不同方向从而调制入射光。为操作微镜器件，微镜器件使用驱动电路。
因此，渴望有效地将用于微镜器件的驱动电路与微镜器件集成。
发明内容
本发明的一方面是提供一种用于形成MEMS器件的方法。上述方法包括：提供包含基底材料和形成在基底材料的第一侧的至少一层导电层的底层结构，在底层结构的至少一层导电层上形成介电层，在介电层上形成保护层，在保护层上确定MEMS器件的电接触区域，在电接触区域内形成穿过保护层和介电层直至底层结构中的至少一层导电层的开口。
根据本发明提供一种形成MEMS器件的方法，该方法包括：
提供包括基底材料和形成在基底材料的第一侧上的至少一层导电层的底层结构；
在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层；
在介电层上形成保护层；
在保护层上确定MEMS器件的电接触区域；
在保护层上形成牺牲层；
在牺牲层上形成致动单元，其中致动单元包括反射组件；
在电接触区域内形成穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层的开口；以及
除去致动单元和保护层之间的牺牲层；
其中在形成致动单元后，电接触区域内的开口朝向该底层结构的该至少一层导电层开口。
根据本发明，提供一种MEMS器件，包括：
包含基底材料和形成在基底材料的第一侧上的至少一层导电层的底层结构；
在底层结构的该至少一层导电层上形成的介电层；
在介电层上形成的保护层；
形成在该底层结构上并在保护层上延伸的致动单元，其中致动单元包括反射组件；
电接触区域，包括穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层形成的开口；
形成在底层结构上的至少一个电极；以及
在保护层上形成的与致动单元电连通的导电通路，
其中电接触区域内的开口朝向该底层结构的该至少一层导电层开口。
附图说明
图1示出了微镜器件一部分的一种实施例剖面图。
图2示出了微镜器件一部分的一种实施例透视图。
图3A-3H示出了根据本发明形成微镜器件的一种实施例。
图4A、4C和4E分别示出了根据本发明形成微镜器件时，图3A、3C和3E中电接触区域的一种实施例。
图5示出了包括根据本发明的微镜器件的显示系统的一种实施例的框图。
具体实施方式
在下面优选实施例的详细说明中，附图作为其中一部分以供参考，并且其中示出可以实施本发明的具体实施例。此处，参照所说明的附图的取向，使用方向术语例如“顶”、“底”、“前面”、“背面”、“前端”、“尾端”等。由于本发明的构件可在多种不同方向上放置，方向术语的目的是说明而不是限制。应当理解可以采用其他实施例，并在不脱离本发明的范围内的情况下进行结构或逻辑的改变。因此，下文的详细描述并不带有限制的意思，本发明的范围由所附权利要求书规定。
图1说明了微镜器件10的一种实施例。微镜器件10是依赖电能转化为机械能产生力并引起物体或元件运动或动作的微致动器。在下述的一种实施例中，多个微镜器件10排列形成微镜器件阵列。此微镜器件阵列可用于形成显示器。每个微镜器件10构成一个用于调制入射光的光调制器，并且提供显示器中的一个单元或象素。此外，微镜器件10也可用于其他成像系统如投影仪中，以及可被用于光寻址。
在一种实施例中，微镜器件10包括衬底20，板30以及致动单元40。优选，板30的取向基本平行于衬底20的表面22，并与表面22有一定距离以便在其间形成空腔50。致动单元40置入衬底20的表面22与板30之间。这样致动单元40放置在空腔50内。在一种实施例中，由衬底20的表面22延伸出的支架或支柱24相对于衬底20支撑致动单元40。
在一种实施例中，启动致动单元40以便相对于衬底20和板30在第一位置47和第二位置48之间移动。优选，致动单元40绕旋转轴移动或倾斜一定角度。这样，图中标明致动单元40的第一位置47基本水平且基本平行于衬底20，致动单元40的第二位置48以对于第一位置47转一角度取向。下面将详细描述致动单元40相对于衬底20和板30的运动或活动。
优选，板30是透明板32且致动单元40是反射元件42。在一种实施例中，透明板32是玻璃板。但是，也可使用其它适合的平面半透明或透明平面材料。这种材料的实例包括石英和塑料。
反射元件42包括反射表面44。在一种实施例中，反射元件42由一种具有适当反射率以形成反射表面44的均匀材料形成。这种材料的实例包括多晶硅或金属例如铝。在另一实施例中，反射元件42由诸如多晶硅的基底材料形成，基底材料上沉积反射材料如铝或氮化钛以形成反射表面44。此外，反射元件42可由非导电材料形成或可以由导电材料形成或包含导电材料。
如图1所示的实施例所述，微镜器件10调制由位于透明板32面对衬底20一侧上的光源(未示出)产生的光。光源可以包括如环境和/或人造光。这样，入射到透明板32上的入射光12，穿过透明板32射入空腔50，被反射元件42的反射表面44反射成为出射光14。这样出射光14穿出空腔50并通过透明板32返回。
出射光14的方向由反射元件42的位置决定或控制。例如，反射元件42处于第一位置47时，出射光14指向第一方向14a。然而，反射元件42处于第二位置48时，出射光14指向第二方向14b。这样，微镜器件10调整或改变入射光12产生的出射光14的方向。同样，反射元件42可用于操纵光进入和/或离开光学成像系统。
在一种实施例中，第一位置47是反射元件42的中立位置并代表微镜器件10的“开”状态，其中如下所述光被反射到观看者或显示屏上。这样，第二位置48是反射元件42的一个致动位置代表微镜器件10的“关”状态，其中光不被反射到如观看者或显示屏上。
在一种实施例中，通过向在衬底20上形成的电极60施加电信号使反射元件42在第一位置47与第二位置48之间移动。在一种实施例中，在衬底20的表面22上邻近反射元件42的一端或边缘处形成电极60。向电极60施加电信号在电极60与反射元件42之间产生电场使反射元件42在第一位置47和第二位置48之间移动。优选，当去除电极60上的电信号时，反射元件42持续或保持在第二位置48一段较长时间。其后，反射元件42的恢复力将反射元件42拉向或使其返回第一位置47。
在一种实施例中，导电孔26形成并贯穿于支柱24。导电孔26电耦合于反射元件42，更具体的说是反射元件42的导电材料。这样，通过向电极60和反射元件42施加电信号使反射元件42在第一位置47与第二位置48之间移动。更具体来说，对电极60施加一种极性，对反射元件42的导电材料施加相反极性。这样，对电极60施加一种极性的电压信号而对反射元件42的导电材料施加相反极性的电压信号，在电极60与反射元件42之间产生电场，该电场使反射元件42在第一位置47与第二位置48之间移动。
在另一种实施例中，通过向反射元件42施加电信号使反射元件42在第一位置47与第二位置48之间移动。更具体的说，电压信号通过支柱24经由导电孔26施加到反射元件42的导电材料上。这样，在反射元件42上施加电信号产生电场，该电场使反射元件42在第一位置47与第二位置48之间移动。
微镜器件10的启动的附加实施例在例如美国专利申请序列号为No.10/136719中作了描述，上述申请名为“微镜器件”于2002年4月30日提交并已转让给本发明的受让人，在此引用作为参考。
图2说明了反射元件42的一种实施例。反射元件142具有反射表面144并包含基本为矩形形状的外部180以及基本为矩形形状的内部184。在一种实施例中，在外部180和内部184上均形成反射表面144。外部180有四个排列为形成基本矩形形状的开口182的邻接的侧部。这样，内部184位于开口182内。优选，内部184对称地位于开口182中。
在一种实施例中，一对铰接186延伸在外部180和内部184之间。铰接186从内部184的对边或边缘延伸到外部180的相邻对边或边缘。优选外部180由铰接186沿一对称轴支撑。更具体地说，外部180对于在对边中部延伸的轴得到支撑。这样，铰接186易于使反射元件142在第一位置47与第二位置48之间移动，如上所述(图1)。更具体地说，铰接186易于使外部180相对于内部184在第一位置47与第二位置48之间移动。
在一种实施例中，铰接186包括扭转构件188，其具有取向基本平行于反射表面144的纵轴189。纵轴189与反射元件142的一对称轴共线并重合。这样，扭转构件188关于纵轴189扭转或转动以调节外部180相对于内部184在第一位置47与第二位置48之间的移动。
在一种实施例中，由从衬底20的表面22延伸出的支架或支柱24相对于衬底20支撑反射元件142。更具体地说，支柱24支撑反射元件142的内部184而反射元件142的外部180由从内部184延伸的铰接186支撑。在一种实施例中，支柱24由从内部184延伸至衬底20的导电层的导电孔26形成。
图3A-3H说明了形成微镜器件10的一种实施例。在如图3A所示的一种实施例中，微镜器件10在底层结构200上形成。在一种实施例中，底层结构200包括互补金属氧化物半导体(CMOS)结构。在一种示例性实施例中，CMOS结构包括三级金属(3LM)CMOS电路。这样，底层结构200包含基底材料210以及在基底材料210第一侧212上形成的多个导电层220。更具体地说，底层结构200包括在基底材料210的第一侧212上形成的第一导电层222，第二导电层224以及第三导电层226。在一种实施例中，导电层222、224、226包括例如钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、金(Au)和/或铝(Al)。
在一种实施例中，底层结构200包括氧化层214以及多个栅216之一。氧化层214形成于基底材料210第一侧212上。此外，栅216形成于基底材料210第一侧212上。在一种实施例中，底层结构200的基底材料210由硅形成，氧化层214包括例如场氧化物(FOX)。此外栅216由多晶硅形成。
在一种实施例中，底层结构200包括介电层218。介电层218形成于氧化层214以及基底材料210第一侧212上。这样，底层结构200的导电层222形成于介电层218上。此外，底层结构200的导电层224和226形成于底层结构200的相应介电层234和236上。在一种实施例中，介电层218包括例如硼磷硅酸盐(BPTEOS)，介电层234和236包括例如四乙基原硅酸盐(TEOS)。导电层222、224和226通过例如沉积形成、通过光刻图形化并刻蚀。
在一种实施例中，导电层222通过穿过介电层218形成的导电孔与一个或多个栅216连通。此外，导电层222、224和226通过穿过介电层234和236形成的导电孔相互相通。在一种实施例中，导电层226的导电材料形成底层结构200的电接触区域202以及底层结构200的阵列或致动区域204。电接触区域202确定其中将制作与微镜器件10的CMOS电路连接的区域，致动区域204确定其中如下所述将形成微镜器件10致动单元40的区域，如下所述。可以理解，图3A是底层结构200的示意图，并且导电层220以及形成在导电层220之间的导电孔的构造可能比图示的要复杂得多。
在图3A和4A所示的一种实施例中，图形化导电层226的导电材料以形成微镜器件10的电接触垫240。电接触垫240在例如底层结构200的电接触区域202中形成。这样，电接触垫240提供一个用于与微镜器件10的CMOS电路电连接的点。
如图3B的实施例所示，为在底层结构200上形成微镜器件10，在底层结构200的导电层226上形成介电层250。此外在介电层250上形成保护层252。在一种实施例中，通过在导电层226上沉积介电材料形成介电层250。介电层250的介电材料例如通过化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD(PECVD)沉积。在一种实施例中，介电层250包括例如TEOS，保护层252由一种能够抵抗在形成微镜器件10的后续工艺中使用的腐蚀剂的材料形成，如下所述。
在导电层226上沉积介电层250的介电材料后，使介电材料平整化以建立介电层250的基本平的表面。在一种实施例中，通过化学机械抛光(CMP)工艺使介电材料平整化。优选，在介电层250平整化后形成保护层252。
在一种实施例中，通过在介电层250上沉积介电材料形成保护层252。保护层252的介电材料通过例如CVD或PECVD沉积。在一种实施例中，保护层252包括例如碳化硅(SiC)。在一种实施例中，底层结构200、介电层250和保护层252形成微镜器件10的衬底20。这样，保护层252形成衬底20的表面22(图1)。
接下来，如图3实施例所示，在保护层252上确定底层结构200的阵列或致动区域204以及底层结构200的电接触区域202。在一种实施例中，致动区域204和电接触区域202的形成是通过在保护层252上沉积导电材料254，图形化并刻蚀导电材料254从而在保护层252上确定致动区域204和电接触区域202完成的。在一种实施例中，导电材料254包括一种能够抵抗用于形成微镜器件10的后续工艺中使用的腐蚀剂的材料。在一种实施例中，导电材料254包括例如氮化钛(TiN)。
在一种实施例中，图形化致动区域204的导电材料254以确定保护层252上的导电通路255。在一种实施例中，导电通路255通过贯穿保护层252和介电层250形成的导电孔与底层结构200的导电层226连通。此外，在一种实施例中，图形化导电材料254以确定保护层252上更具体而言衬底20的表面22上的电极60，如前所述。
在如图3C和4C所示的一种实施例中，图形化电接触区域202的导电材料254以在保护层252上画出或规定出底层结构200的电接触区域202的边界。更具体地说，图形化导电材料254以画出其中将形成电接触区域202的开口242(图3F)的区域。开口242形成到底层结构200的导电层226，更具体地说是电接触垫240，如下所述。
如图3D的实施例所示，在保护层252上确定底层结构200的致动区域204和电接触区域202后，形成牺牲层256。牺牲层256通过例如在导电材料254和保护层252上沉积一材料形成。牺牲层256是牺牲性的，其中牺牲层256的材料在形成微镜器件10的后续工艺中基本被除去，如下所述。
在一种实施例中，牺牲层256的材料包括介电材料。牺牲层256的介电材料通过例如CVD和PECVD沉积并包括例如TEOS。牺牲层256的介电材料也可包括含磷的或掺硼的氧化物。
在导电材料254和保护层252上沉积牺牲层256的材料后，平整化该材料以建立牺牲层256基本平的表面。在一种实施例中，材料的平整化使用CMP工艺。平整化牺牲层256后形成致动单元40。
在一种实施例中，致动单元40包括微镜器件10的反射元件42。这样反射元件42的形成是通过在牺牲层256上沉积一种或多种材料的一层或多层，并图形化此材料以确定反射元件42而完成的。材料通过例如CVD或PECVD沉积，利用光刻和腐蚀图形化。在一种实施例中，反射元件42包括硅(Si)，并且反射元件42的反射表面44由银(Au)、铬(Cr)或另一适合的反射材料形成。
在一种实施例中，反射元件42与致动区域204的导电材料254连通，更具体而言，是与导电材料254的导电通路255连通。反射元件42通过贯穿于牺牲层256形成的导电孔258与导电材料254连通。在一种实施例中，导电孔258形成微镜器件10的支柱24和导电孔26，如图1以及前面所述。此外，如前所述，微镜器件10代表MEMS器件的一个例子，反射元件42代表MEMS器件的致动单元。
接下来，如图3E中的实施例所示，在反射元件42和牺牲层256上形成掩模层260。在一种实施例中，通过沉积形成掩模层260并且利用光刻图形化以露出牺牲层256的区域。这样，掩模层260确定其中底层结构200的电接触区域202要被刻蚀以形成通向电接触垫240的开口242的区域(图3F)。
优选，电接触区域202的开口242通过化学腐蚀形成。这样，掩模层260由能够抵抗用于腐蚀开口242的腐蚀剂的材料形成。适用于掩模层260的材料的实例包括二氧化硅、氮化硅或光致抗蚀剂。在一种实施例中，刻蚀工艺是干法刻蚀，例如使用如SF6、CF4或C2F6的基于等离子体的氟化刻蚀。
在图3E和4E所示的一种实施例中，掩模层260包括通过其刻蚀电接触区域202的开口242(图3F)的掩模开口262。优选，掩模开口262小于在底层结构200的电接触区域202中以及保护层252上提供的导电材料254的外边界而大于其内边界。开口242向电接触垫240的腐蚀由导电材料254控制，如下所述。
如图3F的实施例所示，开口242形成为通过牺牲层256、通过由导电材料254规定边界内的保护层252、并通过介电层250形成至底层结构200的导电层226。从而露出微镜器件10的电接触垫240。
如前所述，开口242通过化学腐蚀形成。在腐蚀开口242的过程中，提供在电接触区域202中的导电材料254用作腐蚀停止。更具体来说，导电材料254掩蔽保护层252的一部分，并且选择性地控制或阻挡保护层252和介电层250的腐蚀。这样，电接触区域202的导电材料254将腐蚀限制在与电接触垫240一致的区域内。如前所述，由于掩模开口262小于在电接触区域202中提供的导电材料254的外边界且大于其内边界，导电材料254的一部分254a被露出。这样，导电材料254的该暴露的部分254a确定开口242的周边。
形成开口242后，剥离或除去掩模层260。这样，反射元件42和牺牲层256显出或露出。在一种实施例中，当掩模层260由氧化物形成时，使用例如化学腐蚀除去掩模层260。在另一种实施例中，当掩模层260由光致抗蚀剂形成时，例如使用抗蚀剂剥离器除去掩模层260。
接下来，如图3G实施例所示，暂时填充或堵塞电接触区域202的开口242。在形成微镜器件10的后续工艺过程中，暂时填充开口242以保护通过开口242暴露的电极240。在一种实施例中，使用一种能抵抗在形成微镜器件10的后续工艺过程中使用的腐蚀剂的保护材料264暂时填充开口242，如下所述。在一种实施例中，保护材料264包括例如光致抗蚀剂。
如图3H的实施例所示，牺牲层256基本被除去。从反射元件42与保护层252之间除去牺牲层256的材料。这样，反射元件42被释放，导电材料254包括电极60被露出。
优选，牺牲层256使用化学腐蚀工艺除去更好。这样，分别选择保护层252、导电材料254和保护材料264以便抵抗用于除去牺牲层256的特定腐蚀剂。在一种实施例中，用于除去牺牲层256的腐蚀工艺是湿法腐蚀，例如缓冲氧化物刻蚀(BOE)。
在一种实施例中，导电材料254露出的部分254a确定开口242的周边，实现了额外的余量以阻止腐蚀剂渗入开口242和电接触垫240，如前参见图3F所述。更具体地说，保护材料264和导电材料254的露出部分254a在开口242的周边形成横向界面，其对用于除去牺牲层256的特定腐蚀剂具有抗腐蚀性。该界面的长度可根据腐蚀中界面破坏率调整以提供足够的余量抵抗腐蚀剂渗入开口242。
牺牲层256基本除去后，除去用于填充或阻塞开口242的保护材料264。微镜器件10的电接触垫240露出。在一种实施例中，当保护材料264包括光致抗蚀剂时，例如使用例如抗蚀剂剥离器或溶液如异丙醇或丙酮除去保护材料264。
虽然以上描述涉及微镜器件的形成，但是可以理解上述工艺也可应用于形成其他MEMS器件，包括多层MEMS器件。此外，可以理解图3A-3H是形成根据本发明的微镜器件一种实施例的示意图，微镜器件实际层和孔的构造可能比图示的复杂得多。
在如图5所示的实施例中，微镜器件10组合在显示系统500中。显示系统500包括光源510、光源光学系统512、光处理器或控制器514以及投影光学系统516。光处理器514包括排成阵列的多个微镜器件10，使得每个微镜器件10构成显示器的一个单元或象素。
在一种实施例中，光处理器514接收代表待显示图像的图像数据518。这样，光处理器514控制微镜器件10的活动并根据图像数据518控制对从光源510接收的光的调整。然后被调整后的光投影到观看者或显示屏520上。
虽然此处为了描述优选实施例说明并描述了具体的实施例，但是本领域的普通技术人员可以理解在不脱离本发明范围的情况下，多种经过计算以取得相同目的的多种替代和/或等价实现手段可以代替所示及描述的具体实施例。化学、机械、机电、电学、计算机领域的技术人员可以理解本发明可以在很多不同的实施例中实施。本申请意在覆盖在此所讨论的优选实施例的所有调整或改变。因此，显然本发明仅受权利要求以及其等价物限制。
Claims (20)
1.一种形成MEMS器件的方法，该方法包括：
提供包括基底材料(210)和形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200)；
在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层(250)；
在介电层上形成保护层(252)；
在保护层上确定MEMS器件的电接触区域(202)；
在保护层上形成牺牲层(256)；
在牺牲层上形成致动单元(40)，其中致动单元包括反射组件(42)；
在电接触区域内形成穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层的开口(242)；以及
除去致动单元和保护层之间的牺牲层；
其中在形成致动单元后，电接触区域内的开口朝向该底层结构的该至少一层导电层开口。
2.权利要求1的方法，其中底层结构包括互补金属氧化物半导体结构。
3.权利要求1的方法，其中底层结构的基底材料包括硅，并且底层结构的该至少一层导电层包括铝。
4.权利要求1的方法，其中确定电接触区域包括在保护层上沉积抗腐蚀材料(254)，并用抗腐蚀材料确定电接触区域的边界，以及
其中在电接触区域内形成开口包括在电接触区域的边界内刻蚀穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层。
5.权利要求4的方法，进一步包括：
在保护层上确定MEMS器件的致动区域(204)，包括在保护层上沉积导电材料(254)，并且使导电材料通过保护层和介电层与底层结构中的该至少一层导电层连通。
6.权利要求5的方法，其中牺牲层形成在导电材料上，致动单元形成在牺牲层上致动区域内，且
在牺牲层上形成致动单元(40)包括使致动单元通过牺牲层与致动区域的导电材料连通。
7.权利要求6的方法，进一步包括：
在致动区域内在保护层上形成至少一个电极(60)，
其中致动单元响应于向至少一个电极施加电信号而移动。
8.权利要求6的方法，进一步包括：
在致动单元和牺牲层上形成掩模层(260)，包括在电接触区域内在掩模层中确定掩模开口(262)，以及
其中在电接触区域内形成开口包括通过掩模层中的掩模开口和牺牲层直至电接触区域的边界形成开口。
9.权利要求8的方法，进一步包括：
除去掩模层；以及
使用保护材料(264)暂时填充电接触区域内的开口，
其中除去致动单元和保护层之间的牺牲层包括腐蚀牺牲层。
10.一种MEMS器件，包括：
包含基底材料(210)和形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200)；
在底层结构的该至少一层导电层上形成的介电层(250)；
在介电层上形成的保护层(252)；
形成在该底层结构上并在保护层上延伸的致动单元(40)，其中致动单元包括反射组件(42)；
电接触区域(202)，包括穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层形成的开口(242)；
形成在底层结构上的至少一个电极(60)；以及
在保护层上形成的与致动单元电连通的导电通路(255)，
其中电接触区域内的开口朝向该底层结构的该至少一层导电层开口。
11.权利要求10的器件，其中导电通路通过保护层和介电层与底层结构的该至少一层导电层连通。
12.权利要求10的器件，其中该至少一个电极(60)形成在保护层上，且致动单元适于响应于向该至少一个电极施加电信号而移动。
13.权利要求10的器件，进一步包括：
在电接触区域内在保护层上提供的抗腐蚀材料(254)，抗腐蚀材料确定电接触区域的开口的边界，并且适于在形成开口时掩蔽保护层的一部分。
14.权利要求13的器件，进一步包括：
在保护层上形成的牺牲层(256)，
其中致动单元在牺牲层上形成，牺牲层适于在致动单元形成后被除去。
15.权利要求14的器件，进一步包括：
在致动单元以及牺牲层上形成的掩模层(260)，掩模层包括露出牺牲层一部分的掩模开口(262)，
其中电接触区域的开口适于穿过掩模开口和牺牲层直至提供在保护层上的抗腐蚀材料而形成，以及
其中掩模层适于在形成电接触区域的开口后被除去。
16.权利要求15的器件，其中电接触区域的开口适于使用第一刻蚀工艺形成，牺牲层适于使用第二刻蚀工艺除去。
17.权利要求16的器件，其中第一刻蚀工艺是干法刻蚀，第二刻蚀工艺是湿法腐蚀。
18.权利要求10的器件，其中底层结构包括互补金属氧化物半导体结构。
19.权利要求10的器件，其中底层结构的基底材料包括硅，底层结构的该至少一层导电层包括铝。
20.权利要求10的器件，其中MEMS器件包括微镜器件。
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