CN1551711A - 用于印刷电路板的铜箔 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种表面处理的铜箔，其中在用于印刷电路板的铜箔中，位于未与树脂粘合的一面上的表面层是依据一种简单的方法用少量的覆盖材料制备的，并且在此表面层之上通过二氧化碳激光器容易实施铜直接钻孔工艺。在本发明的通过激光而用于直接钻孔工艺的铜箔中，在该铜箔的至少一面上提供50至1000mg/m2的由铁和锡组成的覆盖层，或由铁、锡和至少一种选自镍、钴、锌、铬和磷中的元素制备的合金所制成的覆盖层。

Description

用于印刷电路板的铜箔
技术领域
本发明涉及一种用于铜箔的表面处理，更具体而言，本发明涉及一种用于印刷电路板的铜箔，其中该铜箔具有一种特性，以此特性为基础可以直接实施激光钻孔工艺。
背景技术
铜箔广泛用于印刷电路板应用领域。在此方面，虽然在技术上依据铜的电镀开发了对半添加或添加电路形成方法的研究，但现在主流仍然是扣除法，其中使用铜箔且通过蚀刻来除去多余的部分以形成电路。因此，铜箔是一种必不可少的导体材料。有这样一种情形，其中在半添加或添加法中利用铜箔的无光面复制品，和一种情形，其中使用超薄的铜箔，在其上形成电路，而且此超薄的铜箔经受快速蚀刻。因而，铜箔应用广泛。
印刷电路板是依据多种组合(buildup)工艺而制造的，并且最近有日益增加的挠性印刷电路板。此情形下，在印刷电路板领域中，高密度、高可靠性、更小的尺寸和更节约的重量的趋势变得突出。就此而论，也要求作为构成印刷电路板材料的铜箔有严格的质量。
在印刷电路板通常的制造中，首先，将铜箔的无光面叠加在合成树脂浸渍的材料上，以层压它们，然后借助于压力来热接触-粘合它们，以得到敷铜箔叠层板。这种敷铜箔叠层板是由玻璃钢板材料生产，其通常是通过于170至190℃的温度下压紧该材料一至二小时而实施的。
对于用于印刷电路板的铜箔，主要使用在一面上为粗糙的表面(无光面)和在另一面上为光滑的表面(光亮面)的电解铜箔。通常根据下面的方法来制备这种电解铜箔：通过电沉积装置从铜的电解质溶液中电解沉积铜，以制造被称为未处理铜箔的粗铜箔，然后，借助于处理机器来处理粗铜箔的表面。通常，酸洗和粗糙化粗箔的无光面，以便制备其中确保与树脂的粘合力的表面。此外，实施用于改进和稳定其耐热、耐化学品等的耐久性或蚀刻性能等各种处理，以保持其在粘合性方面的这些性能。对铜箔的光亮面也进行用于提供耐热、耐腐蚀等性能的各种处理，以得到成品。对于这些处理，开发和提出了各种技术，以使这种铜箔展示具有高性能的表面。
一方面，就印刷电路板而言，实现精细的图案和高密度的要求日益增加，以至于难以通过使用小直径的钻头来钻一个精细而高度精确的孔，如透孔、转接孔等孔。因此，引入借助于激光器，如二氧化碳激光器、准分子激光器和YAG激光器的加工。
因为适宜于大规模生产的二氧化碳激光器遇到了这样的问题，即在铜箔的光亮面上难以钻孔，因此要求改进这种光亮面的性能。
通常，使用一种所谓的保形掩蔽钻孔法，其中通过蚀刻预先除去对应于孔的预定位置的铜箔，并且在该位置上照射激光，以形成孔。然而，保形掩蔽钻孔法具有很多的制造工序，以至于就大规模生产而言，它既复杂又不利。
因为如上所述，在二氧化碳激光器中，难以用低能量在铜箔表面直接钻孔，所以尝试了多种方法，如用于铜箔表面的黑色氧化物处理，通过化学处理使表面粗糙的方法和一种其中用金属如Ni和Co来覆盖表面以提高激光吸收性的方法，并且直接加工所得到的产品被用来在钻孔的情形下使用。
更具体而言，在例如日本专利3258308中公开了一种方法，其用0.1至100mg/dm2(10至10000mg/m2)的In、Sn、Co、Zn和Ni的合金来覆盖铜箔，其中Zn为0.5至100mg/dm2(50至10000mg/m2)。在例如日本公开专利出版物2001-44597中同样提出了在铜箔表面使用金属氧化物处理或化学处理，或在铜箔表面提供含有金属化合物粉末、碳粉等的层。
此外，在例如日本公开专利出版物2001-308544中提出了在铜箔表面上提供厚度为0.08至2μm的镍层、0.05至3μm的钴层或0.03至2μm厚的锌层，其中在假定锌的比重为7.1时，0.03μm相当于210mg/m2，并且2μm相当于14200mg/m2。
虽然接近下限的约200mg/m2的量并不是那么严重的问题，1000至10000mg/m2的量为极大的量，以至于待涂布的层变厚，对于层的形成需要较长的时间周期，从而导致了就生产率而言不适宜的情形。此外，当想要清除这种层时，该清除需要相当长的时间。由此，有如此的缺点，使得对于废液处理方法的研究变得必要，并且就环境负载而言，这种层的清除是不适宜的。
此外，为获得铜氧化物薄膜的所谓黑色氧化物处理，其通常用于多层板中内层铜的表面处理，是通过于约90℃的高温下将此板浸渍到含有氧化剂的碱性溶液中而进行的。然而，从经济和浪费时间的观点看，由于要处理待使用的化学药品，该方法复杂且不利。而且，通过使用化学药品来使铜箔的光亮面粗糙(刻蚀)的处理涉及如上所述的相同问题。
发明内容
发明概述
因此，本发明的目的是解决上述的问题，和提供一种表面处理的铜箔，其中在用于印刷电路板的铜箔中，位于未与树脂粘合的一面上的表面层是依据一种简单的方法用少量的覆盖材料所制备的，并且在此表面层之上通过二氧化碳激光器容易实施铜直接钻孔工艺(直接的激光处理)。
为了达到上述目的，本发明的通过激光而用于直接钻孔工艺的铜箔包含铜箔，和50至1000mg/m2的由铁和锡所组成的覆盖层，其中在铜箔的至少一面上提供此覆盖层。而且，本发明的通过激光而用于直接钻孔工艺的铜箔包含铜箔，和50至1000mg/m2的由铁、锡和至少一种选自镍、钴、锌、铬和磷中的元素制备的合金所制成的覆盖层，其中在铜箔的至少一面上提供此覆盖层。
优选实施方案描述
一般而言，通常用于印刷电路板的二氧化碳激光器的波长在9.3至10.6μm红外线区域内。一方面，准分子激光器或UV-YAG激光器的波长在0.2至0.4μm紫外线区域内。
据认为难以通过二氧化碳激光器处理铜箔的原因基本上是由于金属的光谱反射系数的性质。在此方面，基于物品形状的反射系数不同于金属特有的反射系数，其中金属的反射系数得自自由电子的集体运动，所以有不同于与涉及物品形状的反射系数的成分。
即，在红外线区域铜的光谱反射系数高，而在紫外线区域其降低。此现象意味着在二氧化碳激光器的波长中，激光容易被铜反射，而在准分子激光器的短波长中，激光容易穿透铜，并且事实上，试验结果展示了上述的这种趋势。因此，或者通过使用短波长的激光束，或者通过使用光谱反射系数低于铜箔表面的材料来达到对铜箔的穿透。
因为反射系数得自自由电子，所以具有高反射系数的金属通常显示出好的电导率。为改进可激光操作性，优选为在铜箔表面使用具有低电导率的金属作为薄膜。在考虑到排除有毒和昂贵的材料，和通过电镀法的大规模生产在经济上可行这些因素后，Fe和Sn适宜于此目的。
另一方面，Au、Ag、Cu和Al具有极高的电导率，且它们光谱反射系数也高，所以它们不适宜于二氧化碳激光处理。此外，单独的Ni、Co、Zn等是电的良导体，所以可以认为它们不是那么有效，虽然它们比前面的材料Au、Ag、Cu和Al更好。另外，这种在可见区中被识别为黑色、通常被认为对二氧化碳激光处理有利的事实不同于在红外线区域中反射弱的事实。因此，不可依赖于色调来判断激光处理的适合程度。
当然，不必仅以如上所述的金属所特有的光谱反射系数为基础来讨论可激光操作性，但通过将表面条件、氧化条件、表面层的熔点和沸点等因汇总在一起，将可以了解可激光操作性。不过，据认为金属所特有的光谱反射系数是基本的。
本发明人研究了现有技术中的各种上述问题，结果开发了由少量的覆盖物通过一种简单的方法而制备的具有表面层的表面处理的铜箔，在该表面层未与树脂粘合的一面之上通过二氧化碳激光容易实施铜直接钻孔工艺。
本发明的覆盖层为由铁和锡所组成的一种合金层，或由铁、锡和至少一种选自镍、钴、锌、铬和磷中的元素组成另一种合金层。优选覆盖层厚度是50至1000mg/m2。当覆盖层的厚度小于50mg/m2或更小时，可激光操作性差，而当厚度为1000mg/m2或更高时，其是不经济的。此外，在覆盖层中所包含的铁和锡量分别为10mg/m2或更多时是适宜的。当铁和锡量分别为10mg/m2或更少时，所得到铜箔的可操作性变差。
虽然通过仅使用铁或锡达到了比较好的可激光操作性，但铁和锡的合金带来了更加好的可操作性。
一方面，磷具有大幅降低覆盖层电导率的作用，所以事实上所得到的铜箔的激光可操作性得到了改进。
虽然电镀法被认为可应用于上述覆盖层的形成，但溅射法、气相沉积法等方法也可以应用，因而，本发明不限于此。当然，电镀法的应用为最实际，并且从经济的观点看是有利的。要使用的电镀浴不受限制，但优选硫酸浴、柠檬酸浴、焦磷酸浴等。电镀浴包含铁离子和锡离子，或铁离子、锡离子和至少一种选自镍、钴、锌、铬和磷离子中的离子。在阴极电镀中，优选浴温为15至50℃，并且优选电流密度是0.5至10A/dm2。
同时，本发明可以依据众所周知的粗糙化方法来对其中在铜箔上将粘合树脂的一面实施粗糙化处理。更具体而言，例如，在铜箔上沉积树枝状或颗粒状的铜突起，然后在那里实施铜电镀来保持铜的突起，以形成铜覆盖层，由此得到具有粗糙表面的铜箔。
特别地，如下所述进行铜突起的形成。
在下面条件下进行十秒钟的阴极电镀(对铜箔的无光面)：
50克/升的CuSO4·5H2O、100克/升的H2SO4、室温和10A/dm2的电流密度。
然后，在下面的条件下，依据阴极电镀进行八十秒钟的用于覆盖铜突起的铜电镀：
250克/升的CuSO4·5H2O、100克/升的H2SO4、50℃的温度和5A/dm2的电流密度。
这样，完成了对铜箔表面的粗糙化。其后，进行了众所周知的为铜箔表面增加耐热和耐化学性能的处理，其中制备了公开于日本专利出版物2-24037的阻挡层等，并且进行铬酸盐处理和/或有机腐蚀防护处理，以得到铜箔的无光面。
另一方面，如上所述，根据本发明在铜箔的光亮面中，未处理铜箔上形成其上将通过二氧化碳激光器来进行铜直接钻孔工艺的层。在铜箔上形成厚度为约50至1000mg/m2的覆盖层，然后，可以使用铬酸盐处理以作为腐蚀防护处理。通常使用含有重铬酸根离子的水溶液，其中在酸性或者碱性的条件下进行浸渍或阴极电镀处理。该方法中所使用的化学品的实例包含三氧化铬、重铬酸钾、重铬酸钠等。
为提高腐蚀防护力，铜箔的表面都可以进行有机腐蚀防护处理，其中即所使用的有机化学品典型地为苯并三唑；或者硅烷偶联剂处理等处理。上面所指定的处理的组合为也可应用。有机腐蚀防护中所使用的苯并三唑的实例包含甲基苯并三唑(甲苯基三唑)、氨基苯并三唑、羧基苯并三唑、苯并三唑等。根据浸渍、喷雾等方法，以水溶液的形式使用这些化学品任何一种。对于除以上所列举之外的有机化学品，也可以使用的是脂族羧酸、烷基胺、苯甲酸、咪唑、三嗪硫酚。
虽然有各种含有环氧基、氨基、巯基或乙烯基的硅烷偶联剂，但是使用与铜箔的任何一面粘合的树脂相容的硅烷偶联剂是适宜的。根据浸渍、喷雾等方法，以水溶液的形式使用硅烷偶联剂。由此，完成了用于印刷电路板的铜箔。
通常，为了适于用于激光处理的铜箔而将本发明的覆盖层应用到其光亮面的一面。但是，因为覆盖层是以所谓的DSTF箔(鼓侧处理的箔)的形式使用，其中用一种层来覆盖未处理铜箔的无光面，而对在那里粘合树脂的光亮面进行粗糙化处理，所以没有问题。
借助于众所周知的铜颗粒或用化学品溶液来刻蚀铜表面，可以将进一步的粗糙化步骤添加到将进行激光处理侧的表面上，并可以在所得到的粗糙化的表面上形成本发明的覆盖层。本发明不限于电解铜箔，但是，其也适用于轧制的铜箔、溅射或沉积的铜层，并且在任何的铜箔或层中获得了如电解铜箔同样有利的结果。
根据本发明的铜箔，为了改进可激光操作性而制备了敷铜箔叠层板后，不需要黑色氧化物处理和形成薄膜等，但可以立即进行激光处理的步骤。
优选本发明的铜箔的厚度为25μm或更小，更优选为18μm或更小，最优选为5μm或更小的超薄的铜箔和铜层。由于来自本发明的覆盖层的影响，越薄的铜层产生越大的优势。但是，应当注意的是本发明不限于上面所列举的厚度。
以下将描述本发明的实施例。
具体实施方式
实施例1
在pH为4.8、温度为30℃和电流密度为1.5A/dm2下，将其中预先粗糙化未处理铜箔的无光面的厚度为18μm电解铜箔的光亮面于浴(A)中进行阴极电镀十二秒钟，浴(A)含有：
30克/升的FeSO4·7H2O、10克/升的SnSO4和40克/升的柠檬酸三钠二水合物，用水漂洗如此电镀的铜箔，并且在pH为4.0、温度为25℃和电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面在另一个浴(B)中进一步进行阴极电镀两秒钟，浴(B)含有：
5克/升的Na2Cr2O7·2H2O，用水漂洗得到的铜箔，然后干燥。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压，并且在4MPa的压力和170℃的温度的条件下，压紧该层压材料六十分钟，以形成敷铜箔叠层板。检验所得到的敷铜箔叠层板表面的可激光操作性，并且其结果见表1。此外，用酸溶解光亮面上的覆盖层，依据ICP分析方法检验附着元素的量，并且其结果同样见表1。
在表1中，如下来检验可激光操作性：借助于二氧化碳激光器，在脉冲能量分别选择为15、20、25和30mJ这样的条件下，在每种样品上重复五次钻孔试验；发射次数(shot number)为一；脉冲宽度为14.5μsec；频率为100Hz，光点直径为160μm，然后计算钻孔的平均直径。钻孔平均直径越大，显示钻孔性能越好。
实施例2
在pH为4.8、温度为30℃、电流密度为1.5A/dm2下，将其中未处理铜箔的无光面被预先粗糙化的厚度为18μm的电解铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(C)中进行阴极电镀十二秒钟，浴(C)含有：
30克/升的FeSO4·7H2O、10克/升的SnSO4、5克/升的Na2PH2O2·H2O和40克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，于实施例1的浴(B)中，将该铜箔的光亮面在电流密度为0.5A/dm2下进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例3
在pH为4.8、温度为30℃、电流密度为1.5A/dm2下，将其中未处理铜箔的无光面被预先粗糙化的厚度为18μm电解铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(D)中进行阴极电镀十二秒钟，浴(D)含有：
60克/升的FeSO4·7H2O、10克/升的SnSO4、5克/升的NaPH2O2·H2O和70克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例4
在实施例1中，在pH为4.3、温度为25℃、电流密度为2.0A/dm2下，将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(E)中进行阴极电镀十秒钟，浴(E)包含：
50克/升的FeSO4·7H2O、10克/升的SnSO4、10克/升的ZnSO4·7H2O和50克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例5
在实施例1中，在pH为4.0、温度为25℃、在电流密度为2.0A/dm2下，将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(F)中进行阴极电镀十秒钟，浴(F)包含：
40克/升的FeSO4·7H2O、7克/升的SnSO4、20克/升的NiSO4·6H2O、5克/升的NaPH2O2·H2O和50克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例6
在实施例1中，在pH为4.0、温度为30℃、在电流密度为2.0A/dm2下，将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(G)中进行阴极电镀十秒钟，浴(G)包含：
30克/升的FeSO4·7H2O、8克/升的SnSO4、10克/升的CoSO4·6H2O和50克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例7
在实施例1中，在pH为4.8、温度为30℃、电流密度为1.5A/dm2下，铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(H)中进行阴极电镀十秒钟，浴(H)包含：
20克/升的FeSO4·7H2O、20克/升的SnSO4和40克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，然后将该铜箔浸渍到0.5克/升苯并三唑的水溶液中，漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例8
在实施例1中，在pH为4.0、温度为30℃、电流密度为2.0A/dm2下将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(I)中进行阴极电镀十秒钟，浴(I)包含：
30克/升的FeSO4·7H2O、8克/升的SnSO4、20克/升的NiSO4·6H2O和50克/升的柠檬酸三钠二水合物。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
实施例9
在实施例1中，在pH为4.8、温度为30℃、电流密度为1.5A/dm2下，铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(J)中进行阴极电镀十二秒钟，浴(J)包含：
60克/升的Fe2(SO4)3·nH2O(11克/升的Fe)、10克/升的SnSO4和70克/升的柠檬酸三钠二水合物。。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
比较例1
在实施例1中，在pH为13以上、温度为30℃、电流密度为0.4A/dm2下，将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(K)中进行阴极电镀三秒钟，浴(K)包含：
25克/升的ZnSO4·7H2O和60克/升的NaOH。用水漂洗得到的电解铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
比较例2
除了阴极电镀是在比较例1的浴(K)中在电流密度为1.2A/dm2下进行十秒钟之外，在与比较例1相同的条件下处理铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
比较例3
在实施例1中，将在pH为3.5、温度为30℃、电流密度为1.5A/dm2下，铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(L)中进行阴极电镀十秒钟，浴(L)包含：
50克/升的NiSO4·6H2O。用水漂洗得到的铜箔后干燥该铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
比较例4
在实施例1中，在pH为2.0、温度为25℃、电流密度为1.5A/dm2下，铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(M)中进行阴极电镀二十秒钟，浴(M)包含：
30克/升的FeSO4·7H2O。用水漂洗得到的铜箔后，将该铜箔浸渍到0.2克/升的咪唑水溶液中，并处理；然后干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
比较例5
在实施例1中，在pH为0.7、温度为30℃、电流密度为1.0A/dm2下，将铜箔的光亮面于代替实施例1的浴(A)的浴(N)中进行阴极电镀七秒钟，浴(N)包含：
10克/升的SnSO4。用水漂洗得到的铜箔后，在电流密度为0.5A/dm2下，将该铜箔的光亮面于实施例1的浴(B)中进行阴极电镀两秒钟，并且漂洗并干燥所得到的铜箔。
将待与树脂粘合的铜箔的无光面与FR-4级玻璃环氧树脂浸渍的基体材料层压。依照如实施例1相同的方法检验可激光操作性和附着元素的量，并且得到的结果见表1。
表1
所有的实施例和比较例，所有铜箔的厚度分别为如上所述的18μm。
关于可激光操作性，从表1可以知道，本发明铜箔的实施例中每个钻孔的直径大于比较例中钻孔的直径，而且在实施例中可以用低于比较例的能量来钻孔。因此，明显的是在本发明的铜箔中直接钻孔工艺非常有效。
根据本发明，得到了以下益处：
(1)通过二氧化碳激光器，可以在敷铜箔叠层板铜箔表面的上面实施铜直接钻孔工艺；此外，与常规的铜箔相比较，在本发明中达到了更好的可操作性。而且，不需要复杂的操作如黑色氧化物处理，由此可以提供最适宜于制造高密度印刷电路板的铜箔。
(2)因为其足以形成比在常规铜箔的情形下更薄的层，所以可以减少处理的时间周期。于此点上，本发明在制造铜箔中非常有效。而且，因为不使用许多不必要的金属层，所以在用户方面的环境负荷小。
(3)因为容易将本发明的表面处理方法引入实际生产的场合，所以可以实现其大规模生产。

Claims (2)

1.一种通过激光而用于直接钻孔工艺的铜箔，其中在所述铜箔的至少一面之上提供由铁和锡组成的50至1000mg/m2的覆盖层。
2.一种通过激光而用于直接钻孔工艺的铜箔，其中在所述铜箔的至少一面之上提供由合金制成的50至1000mg/m2的覆盖层，并且所述的合金是由铁、锡和至少一种选自镍、钴、锌、铬和磷的元素所制备的。
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