CN1495532A - 光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 - Google Patents

光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种光刻投射装置。在该光刻投射装置中使用了切线入射收集器。该切线入射收集器由多个反射镜组成。为减少收集器上的总热量,反射镜被涂覆。位于收集器外部的反射镜的外侧具有红外辐射层。内反射镜的外侧用EUV反射层涂覆。

Description

光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置(a lithographic projection apparatus),包括:
具有辐射源以形成辐射投射束的照明系统;
构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构;
构造成保持基底的基底台;和
构造并设置成将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”(Patterning means)应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件,其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致;本文中也使用术语“光阀”。一般地,所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应,如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括:
■掩模(a mask)。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型,以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下,支撑结构一般是一个掩模台,它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置,并且如果需要该台会相对光束移动;
■程控反射镜阵列(a programmable mirror array)。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光,而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器,从反射的光束中过滤所述非衍射光,只保留衍射光;按照这种方式,光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列,通过使用适当的局部电场,或者通过使用压电致动器装置,使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者,反射镜是矩阵可寻址的,由此已定址的反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到无地址的反射镜上;按照这种方式,根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中,构图部件可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得,这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中,所述支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的;和
■程控LCD阵列(a programmable LCD array),例如由美国专利US5,229,872给出的这种结构,它在这里引入作为参照。如上所述,在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见,本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例;可是,在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下,构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案,该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的,单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格,该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中,有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是,通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部;这种装置通常称作晶片分档器或者分布重复装置。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部;因为一般来说,投影系统有一个放大系数M(通常<1),因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得,该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中,(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前,可以对基底可进行各种处理,如涂底漆,涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后,可以对基底进行其它的处理,如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础,对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理,如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层,那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终,在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开,单个器件可以安装在载体上,与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微 型集成电路片制造:半导体加工实践入门(Microchip Fabrication:A Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版,McGraw Hill PublishingCo.,1997,ISBN 0-07-067250-4)中获得,这里作为参考引入。
为了简单起见,投影系统在下文称为“镜头”;可是,该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统,包括例如折射光学装置,反射光学装置,和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件,该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束,这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外,光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中,可以并行使用这些附加台,或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤,而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置,这里作为参考引入。
在光刻投射装置中,可以在基底上成像的特征的大小受投射辐射的波长限制。为生产具有更高器件密度的集成电路,以及由此获得更高的运行速度,需要能够对更小的特征成像。同时,多数现有的光刻投射装置使用由水银灯或受激准分子激光器产生的紫外光,已经提出使用范围在5~20nm,特别是13nm的更短的波长辐射。这样的辐射称为远紫外(EUV)或软x射线,可能使用的源包括,例如激光发生器等离子源、放射等离子源或由电子存储环发出的同步加速器辐射。使用放射等离子源的装置在下述文中描述:W.Partlo,I.Fomenkov,R.Oliver,D.Birx的“在Li蒸汽中使用密集等离子体聚焦的EUV(13.5nm)源的发展”(“Development of an EUV(13.5nm)Light Source Employing a Dense PlasmaFocus in Lithium Vapor”,Proc.SPIE3997,pp.136-156(2000));M.W.McGeoch的“Z收缩远紫外源的功率测量”(“Power Scaling of a Z-pinch Extreme UltravioletSource”,Proc.SPIE3997,pp.861-866(2000));W.T.Silfvast,M.Klosner,G.Shimkaveg,H.Bender,G.Kubiak,N.Fomaciari的“用于EUV光刻的13.5nm和11.4nm的大功率等离子放射源”(“High-Power Plasma Discharge Source at 13.5 and 11.4nm forEUV Lithography”,Proc.SPIE3676,pp.272-275(1999));以及K.Bergmann et al.的“基于气体放射等离子的高重复性的远紫外辐射源”(“Highly Repetitive,ExtremeUltraviolet Radiation Source Based on a Gas-Discharge Plasma”,Applied Optics,Vol.38,pp.5413-5417(1999))。
EUV辐射源需要用一个更高的局部气压或蒸汽压以发射EUV辐射,例如上面提到的放射等离子辐射源。在放射等离子源中,例如在两电极之间产生放电,并由此产生的局部电离的等离子可能随后导致崩溃以产生在EUV范围发射辐射的非常热的等离子。因为Xe等离子在远紫外(EUV)约13.5nm范围内进行辐射,所以非常热的等离子体往往在Xe中产生。对于有效的EUV产品,在电极到辐射源附近需要0.1mbar的标准气压。具有这么高的Xe气压的缺陷是Xe气体会吸收EUV辐射。例如,0.1mbar的Xe传送1m,仅存0.3%波长为13.5nm的EUV辐射。因此需要将更高的Xe气压限制在围绕源的有限区域内。为此目的,源被容纳在其特有的真空室中,该真空室通过室壁与容纳聚光反射镜和照明光学器件的次真空室分离。
光刻投射装置的EUV源和箔收集器(foil trap)中发散的热辐射,导致对其接触的物体加热。在光刻投射装置中,这些物体通常是组成光刻投射装置的光学元件。位于邻近源的光学元件的例子可以由一组作为源发射光的收集器的反射镜形成。由于热辐射加热收集器导致收集器局部膨胀,引起反射镜的几何象差,并且最终导致其损毁。
发明内容
因此,本发明的一个目的是提供一种带有反射元件、特别是收集器的光刻投射装置,其热辐射负荷减少。
本发明的另一个目的是提供一种带有反射元件、特别是收集器的光刻投射装置,该反射元件被有效地冷却。
本发明的又一个目的是提供一种具有相对长寿命的收集器。
依照本发明在开始段中描述的光刻装置,可以实现上述及其他发明目的,其中,反射镜组件置于邻近源或所述源的像处,反射镜组件包括至少一个内反射镜和一个外反射镜,反射镜沿放置源或源的像的光轴方向延伸,内反射镜比外反射镜更靠近光轴,每个反射镜都具有一个内反射表面和一个外背衬层,内反射镜的背衬层用反射层涂覆,该反射层对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长,其反射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
因此,反射组件将反射大量入射到反射镜背部的红外线辐射,这将减少反射镜组件的热负荷。
在本发明的另一个实施例中,反射镜组件于邻近源或所述源的像处,反射镜组件包括至少一个内反射镜和一个外反射镜,反射镜沿放置源或源的像的光轴方向延伸,内反射镜比外反射镜更靠近光轴,每个反射镜都具有一个内反射表面和一个外背衬层,外反射镜的背衬层用辐射层涂覆,该辐射层对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长,其典型发射率为0.8。通过为外反射镜的背衬层提供相对强的红外辐射发射特性,具有增加反射镜组件发射辐射量从而改善辐射冷却的优点。
在本发明的又一个实施例中,反射镜组件于邻近源或所述源的像处,反射镜组件包括至少一个内反射镜和一个外反射镜,反射镜沿放置源或源的像的光轴方向延伸,内反射镜比外反射镜更靠近光轴,每个反射镜都具有一个内反射表面和一个外背衬层,外反射镜的背衬层用辐射层涂覆,该辐射层对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长,其典型发射率为0.8,并且,内反射镜的背衬层用反射层涂覆,该反射层对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长,其典型反射率为0.9或更大。反射镜组件在内反射镜的背衬层具有反射涂覆层并且在外反射镜的背衬层具有辐射涂覆层,这样具有既减少热辐射的吸收,又增加热辐射的发射的优点。
反射层可以用贵金属如金或钌制成。辐射层可以用碳制成,以获得理想的热负荷减少特性。
每个反射镜可以包括至少两个相邻的反射表面,远离源的反射表面与光轴的角度比离源更近的反射表面与光轴的角度更小。这样,切线入射收集器构造成产生沿光轴传播的UV辐射束。优选地,至少两个反射镜基本上同轴地放置并且基本上围绕光轴旋转对称地延伸。这种(Wolter-)类型的切线入射收集器,如德国专利申请号DE10138284.7中所描述,该文献在这里作为参考引入。这种收集器可以用作光刻投射装置中的(E)UV辐射聚焦器件。
在本申请中,本发明的装置具体用于制造IC,但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如,它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解,在这种可替换的用途范围中,在说明书中任何术语“划线板”、“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”、“基底”和“靶部”代替。
在本文件中,使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射,包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射,例如具有5-20nm的波长范围),和粒子束,如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过举例的方式,参照附图描述本发明的实施方案,在图中相应的附图标记表示相应的部件,其中:
图1示意性地表示本发明实施方案的光刻投射装置;
图2表示依照本发明的光刻投射装置的EUV照明系统和投射光学器件的侧视图;
图3表示本发明的辐射源和切线入射收集器的细节;
图4表示依照本发明的收集器外形的轴向横截面视图;
图5表示安装了辐射散热片的收集器实施例的透视图;
图6表示具有两个不同压力室的光刻投射装置实施例的示意图;
图7为箔收集器结构的详细视图。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的光刻投影装置1。该装置包括:
辐射系统Ex、IL,用于提供辐射投射光束PB(例如波长为11~14nm的EUV辐射),在该具体的例子中该辐射系统还包括辐射源LA;
第一目标台(掩模台)MT,设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器,并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接;
第二目标台(基底保持器)WT,设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器,并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接;和
投射系统(“镜头”)PL,用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如上所述,该装置是透射型的(即具有透射掩模)。但是该装置通常也可以例如是反射型的(具有反射掩模)。或者该装置可以采用其他类型的构图部件,例如上述程控反射镜阵列类型。
辐射源LA(例如激光发生等离子或放射等离子EUV辐射源)产生辐射束。该光束直接或经过如扩束器的横向调节装置后,再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置(AM),用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外,它一般包括各种其它部件,如积分器(IN)和聚光器(CO)。按照这种方式,照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意,图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当源是汞灯时经常是这种情况),但也可以远离光刻投射装置,其产生的辐射光束被(例如通过适当的定向反射镜的帮助)引导至该装置中;当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的程控构图部件MA相交。经过掩模MA之后的光束PB通过镜头PL,该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下,基底台WT可以精确地移动,例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的,例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间,可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地,用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位),可以实现目标台MT、WT的移动。可是,在晶片分档器中(与分步扫描装置相对),掩模台MT可仅与短冲程执行装置连接,或者固定。掩模MA和基底W可以用掩模对准标志M1、M2和基底对准标志P1、P2对准。
所示的装置可以按照两种不同模式使用:
1.在步进模式中,掩模台MT基本保持不动,整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动,以使不同的靶部C能够由光束PB照射;和
2.在扫描模式中,基本为相同的情况,但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是,掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向,例如y方向”)以速度v移动,以使投射光束PB扫描整个掩模图像;同时,基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V=Mv同时移动,其中M是镜头PL的放大率(通常M=1/4或1/5)。在这种方式中,可以曝光相当大的靶部C,而没有牺牲分辨率。
图2所示投射装置1包括带有辐射单元3、照明光学单元4的照明系统IL和投射光学系统PL。辐射系统2包括源收集器组件或者辐射单元3和照明光学单元4。辐射单元3由放射等离子形成的辐射源LA提供。EUV辐射源6可以使用气体或蒸汽,如Xe气体或Li蒸汽,它们可以产生非常热的等离子以发射EUV电磁频谱范围的辐射。非常热的等离子通过引发局部离子化的电子放射等离子碰撞光轴O而产生。Xe、Li蒸汽或其它任何适合的气体或蒸汽需要0.1mbar的局部压力以有效产生辐射。由辐射源LA发射的辐射通过气体屏障结构或“箔收集器”9自源室7进入收集器室8。气体屏障结构包括通道结构,例如欧洲专利申请EP-A-1233468和EP-A-1057079中所描述的,这些文献在这里作为参照引入。
收集器室8包括依照本发明由切线入射收集器形成的辐射收集器10。通过收集器10的辐射被光栅光谱滤波器11聚焦在收集器室8孔径处的实际源点12上。来自室8的投射束16在照明光学单元4中,通过正入射反射镜13、14反射到位于分划板或掩模台MT上的分划板或掩模上,形成带图案的光束17,该光束在投射光学系统PL中,通过反射元件18、19在晶片台或基底台WT上成像。通常在照明光学单元4和投射系统PL存在比图中所示更多的元件。
如图3所示,切线入射收集器10包括多个嵌套反射镜元件21、22、23。这种类型的切线入射收集器,如德国专利申请DE10138284.7中所示。
如图4所示,红外辐射40入射在沿光轴47对准的收集器50上。收集器50包括多个反射镜42、43、46。这样的收集器的例子在图3中用附图标记10表示。在图4中,内反射镜用附图标记42表示,外反射镜用附图标记46表示。在反射镜42和46之间放置了多个另外的反射镜43,其外形在图4中用虚线表示。所有反射镜42和43都在其背衬层52上涂覆热/红外辐射反射层56,这样,这些反射镜上的红外辐射40被反射,用箭头44表示。外反射镜46在其背衬层上具有辐射涂覆层62。图4中的箭头48表示热/红外辐射。
图4更详细地图解说明了收集器50的内反射镜42的组成。反射镜42包括用给予反射镜24机械强度的材料,例如厚度为0.5~1mm的镍(Ni)制成的背衬层52。反射镜42、43和46包括(E)UV反射侧,在图4中,作为例子表示为由两部分58和59组成。在反射镜42的(E)UV反射侧58添加了给予反射镜所需(E)UV反射特性的材料的涂覆层54,例如厚度在大约50纳米至几微米的金(Au)或钌(Ru)。依照本发明沉积贵金属层54作为(E)UV反射层的生产过程扩展为,采用现有技术如化学汽相或电化学沉积,在60侧的背衬层52上添加另外的涂覆层,例如大约几微米厚的金层,这样可以认为它对于红外辐射是无限厚的,或者添加另一种红外辐射反射材料。涂覆层56基本上反射热/红外辐射,致使背衬层52对热/红外更少的吸收。
图4还详细图解说明了外反射镜46的组成。外反射镜46的背衬层52在其外侧60用例如几微米厚的碳(C)或任何其它本领域技术人员熟知的热/红外辐射材料制成的热/红外辐射层62涂覆,而不是像内层42、43那样用热/红外反射层56涂覆其背衬层52。碳涂覆层将提高最外面的反射镜46的“黑体”发射率,并因此提高整个收集器50的“黑体”发射率。
图4中反射镜42、43和46的反射侧58实际上可以是弯曲的,包括两个相连接的部分,其中一部分形状为双曲线的一部分,另一部分形状为椭圆形。
图5所示为在其外反射镜46上安装了多个辐射散热片72-75的收集器50。这些辐射散热片72-75可以在反射镜46上任意分布。辐射散热片72-75可以进一步提高收集器50的热/红外“黑体”反射特性。
在另一个实施例中,通过使用作为真空分隔一部分的收集器,可以得到沿光轴在EUV源和光学元件之间改进的真空分隔。该真空分隔通过抽空光刻投射装置中收集器和其它组件之间的分隔空间来实现。通过采用如德国专利申请DE10138284.7中所描述的反射镜,可以得到“洋葱外壳”型收集器的相对高的流阻。收集器的外侧可以形成一真空屏障,同时泵可以用在近邻反射镜的下游,以相对低的泵速(pumping rate)如1mbar*l/s抽空通过收集器的残余气体。
该实施例将参照图6进行描述。
EUV照明装置71的一部分示于图6中。附图标记61表示通道阵列或箔收集器。由于通道阵列或箔收集器的流阻有限,当阵列61后的泵速可以达到数1000l/s时,阵列后面的压力至少比EUV源72一侧的压力低100倍。由于距收集器63的距离很近,泵67不可能达到这个泵速。适用于本发明的通道阵列61已经在EP-A-1223468和EP-A-1057079中描述。附图标记63表示多壳切线入射EUV收集器,如DE10138284.7中所描述的类型。这两个组件通过环形壁66、68连接到外壳70以构成真空室65。真空室65用泵67抽空。由于在箔收集器61和切线入射EUV收集器63之间几厘米的小分隔距离93被保持得尽可能小以限制EUV照明装置的大小,而泵67的有效泵速可能仅有数100l/s,因此泵67不能在室65中产生充分真空。所以,在切线入射EUV收集器63后安装了第二泵69。切线入射EUV收集器63具有有限的如200l/s的流阻。泵67和69以泵67为数100l/s及泵69为数1000l/s的泵速一起产生真空室65所需的真空。
图7所示为箔收集器61一部分的详细结构81。该结构81由共同形成开放的薄片结构的窄距狭缝或窄狭长通道83组成。同样,由于其洋葱状的外壳结构,切线入射EUV收集器63也包括打开的薄片结构。
图6特别涉及:
1.一种光刻投射装置(1),包括:
具有辐射源(6)以形成辐射投射束(6)的照明系统(3,4);
构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15);
构造成保持基底的基底台(20);和
构造并设置成将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统(5),
所述投射装置还包括:
置于光轴(47)上的辐射源(72),
位于所述光轴(47)上的收集器元件(63),包括置于外壳中的多个同心反射镜(42,43,46),所述外壳包括外侧壁(70),第一横向壁(66)的一端连接到侧壁(70)并且另一端连接到通道阵列构件(61),所述通道阵列构件(61)置于光轴(47)上,
第二横向壁(68)将收集器元件(63)的周边连接到侧壁(70)上并形成一室(65),
连接到所述第一室(65)的第一泵元件(67),和
位于收集器元件(63)下游的第二元件(69)。
2.根据权利要求1和2的光刻投射装置(1),其特征在于,所述第一泵(67)的泵速为10~5000l/s,优选为20~2000l/s,更优选为50~1000l/s,第二泵(69)的泵速为10~100000l/s,优选为900~9000l/s,更优选为2000~5000l/s。
以上已描述本发明的具体实施例,但应当理解本发明除上述之外,可以采用其他方式进行实施。本说明不作为本发明的限定。

Claims (12)

1.一种光刻投射装置(1),包括:
具有辐射源(6)以形成辐射投射束(6)的照明系统(3,4),
构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15),
构造成保持基底的基底台(20),和
构造并设置成将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统(5),
所述投射装置还包括:
置于邻近源(6)或所述源的像处的反射镜组件(10),所述反射镜组件(10)包括至少一个内反射镜和一个外反射镜(42,43,46),所述反射镜(42,43,46)沿放置源(6)或源的像处的光轴(47)方向延伸,所述内反射镜(42,43)比所述外反射镜(46)更靠近光轴(47),每个反射镜(42,43,46)都具有内反射表面(54)和外背衬层(52),所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)用反射层(56)涂覆,该反射层(56)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其反射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
2.一种光刻投射装置(1),包括:
具有辐射源(6)以形成辐射投射束(6)的照明系统(3,4);
构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15);
构造成保持基底的基底台(20);和
构造并设置成将构图部件的照明部分成像到基底靶部上的投射系统(5);
所述投射装置还包括:
置于邻近源(6)或所述源的像处的反射镜组件(10),所述反射镜组件(10)包括至少一个内反射镜和一个外反射镜(42,43,46),所述反射镜(42,43,46)沿放置源(6)或源的像处的光轴(47)方向延伸,所述内反射镜(42,43)比所述外反射镜(46)更靠近光轴(47),每个反射镜(42,43,46)都具有内反射表面(54)和外背衬层(52),所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)用辐射层(62)涂覆,该辐射层(62)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其发射率为0.6~0.95,优选为0.7~0.9。
3.根据权利要求2的光刻投射装置(1),其中所述辐射层包括碳(C)。
4.根据权利要求2或3的光刻投射装置(1),其中所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)用反射层(56)涂覆,该反射层(56)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其反射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
5.根据权利要求1或4的光刻投射装置(1),其中所述反射层包括贵金属。
6.根据权利要求5的光刻投射装置(1),其中所述贵金属包括金(Au)或钌(Ru)。
7.根据前面任何一项权利要求的光刻投射装置,其中所述至少两个反射镜(42,43,46)基本上同轴地放置并且基本上围绕光轴(47)旋转对称地延伸。
8.根据前面任何一项权利要求的光刻投射装置,其中至少所述反射组件(10)的反射镜(42,43,46)的外反射镜(46)包括辐射散热片。
9.一种反射镜组件(10),包括至少一个内反射镜和一个外反射镜(42,43,46),每个反射镜(42,43,46)都具有内反射表面(54)和外背衬层(52),所述外反射镜(46)的内反射表面(54)与所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)相对,所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)用反射层(56)涂覆,该反射层(56)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其反射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
10.一种反射镜组件(10),包括至少一个内反射镜和一个外反射镜(42,43,46),每个反射镜(42,43,46)都具有内反射表面(54)和外背衬层(52),所述外反射镜(46)的内反射表面(54)与所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)相对,所述内反射镜(42,43)的背衬层(52)用辐射层(62)涂覆,该辐射层(62)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其发射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
11.根据权利要求10的反射镜组件(10),其中所述内反射镜(42)的背衬层(52)用反射层(56)涂覆,该反射层(56)对于0.1~100μm,优选为1~10μm的波长(40),其反射率为0.7~0.99,优选为0.8~0.99。
12.根据权利要求9,10或11的反射镜组件(10),其中至少所述外反射镜(46)包括辐射散热片(72-74)。
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