CN1434351A - 一种光刻仪及其器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻仪，包括含有等离子源的第一空间，第一空间还含有对光刻仪投影光束波长具有高吸收性的源气体，通过含有对光刻仪投影光束波长具有低吸收性的缓冲气体的第二空间限制源气体进入光刻系统的其余部分。缓冲气体的压力低于或等于源气体的压力。

Description

一种光刻仪及其器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种投影式光刻仪，包括：辐射系统，用来提供投影光束；支承结构，用来支承图案形成装置，该图案形成装置用来使投影光束形成所需要的图案；基片台，用来固定基片；和投影系统，用来将形成图案的光束投影到基片的目标部分。

背景技术

在此使用的术语“图案形成装置”应被广义地理解为可用来使入射光束的断面形成图案的装置，该图案对应于在基片目标部分中产生的图案；在本文中也可以使用“光阀”这一术语。一般来说，所述图案将对应于在目标部分中所制造器件，如集成电路或其它器件(参见下文)，的一个特定功能层。这种图案形成装置的示例包括：

掩模，掩模的概念在光刻法中为大家所熟知，掩模包括掩模类型比如有双体、交变相移和衰减相移，以及各种混合式的掩模类型。将这样的掩模放置在光束中会使照射到掩模上的光束根据掩模图案产生选择性透射(在透射式掩模的情况下)或选择性反射(在反射式掩模的情况下)。对于掩模来说，支承结构通常是掩模台，可确保掩模固定在入射光束所要求的位置上，而且还可以按要求相对光束移动。

可编程反射镜阵列，这种装置的一个示例是带有粘弹性控制层和反射面的可编址矩阵表面。这种装置的基本原理是(举例来说)反射面的编址区域反射入射光线成为衍射光，而未编址区域反射入射光线成为非衍射光。利用适当的滤光器可以将非衍射光从反射光束中滤出去而只剩下衍射光；通过这种方式，可以根据可编址矩阵表面的编址图案使光束形成图案。可编程反射镜阵列的另一种可供选择的实施例采用细小反射镜矩阵，通过施加适当的局部电场或通过使用压电致动装置可以使每个反射镜单独绕轴线倾斜。同样，反射镜形成可编址矩阵，使编址反射镜沿不同于未编址反射镜的方向反射入射光束；通过这种方式，可以根据可编址矩阵反射镜的编址图案使反射光束形成图案。可以用适当的电子装置来进行所需要的矩阵编址。在上述两种情况中，图案形成装置可以包括一个或多个可编程反射镜阵列。从比如美国专利US 5,296,891和US 5,523,193以及PCT申请WO 98/38597和WO 98/33096中可以得到更多有关反射镜阵列的信息。其中的信息本发明引用参考。如上所述，对于可编程反射镜阵列来说，所述支承结构可以用框架或平台来实现，这种支承结构根据需要可以是固定的或活动的。

可编程液晶显示(LCD)阵列，这种结构的一个示例在美国专利US 5,229,872中给出，在此引用参考其内容。同上，这种情况下的支承结构可以用一个框架或平台来实现，这种支承结构根据需要比如可以是固定的或活动的。

为了简单起见，本文的其余部分可能在某处具体涉及到包括掩模和掩模台的示例；但是，在这些示例中所讨论的一般原理可用于如前述图案形成装置的更广泛范围。

投影式光刻仪可以用来制造集成电路(ICs)。在这种情况下图案形成装置可产生对应于单层集成电路的电路图形，且该图形可以在覆盖光敏感材料层(抗蚀膜)的基片(硅晶片)的目标部分(可包含一个或多个片)上成像。一般来说，单个晶片将包含相邻目标部分的整个电路，这些目标部分依次由投影系统一次一个地照射。在现行的通过掩模台上掩模来形成图案的仪器中，可以分为两种不同的类型的设备。其中一种投影式光刻仪，通过将整个掩模图案一次曝光到目标部分的方式照射各目标部分，这种仪器通常称作晶片步进投影曝光机。在另一种可供选择的通常称作步进扫描机的设备中，每个目标部分是通过在投影光束下沿给定基准方向(扫描方向)逐步扫描掩模图案来照射的，同时沿与此方向相同或相反的方向同步扫描基片台；一般来说，由于投影系统会具有放大系数M(通常＜1)，所以扫描基片台的速度V应等于系数M乘以扫描掩模台的速度。有关光刻装置的更多信息可以从美国专利US 6,046,792中得到，本文引用参考其内容。

在使用投影式光刻仪的制造过程中，图案(比如在一个掩模中)在一个基片上成像，该基片至少局部由光敏感材料层(抗蚀膜)覆盖。在成像步骤之前，可以对基片进行各种处理，如涂底漆、涂抗蚀膜和软烘焙。在曝光之后，可以对基片进行其它处理，如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙以及对成像要素进行测量/检查。这一系列步骤是形成单层器件如集成电路图案的基础。接下来可以对图案层进行各种加工如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些工序都是为了完成单层器件。如果需要有若干层，那么对于每个新层整个过程或其变化都必须重复进行。最终，在基片(晶片)上会形成一系列器件。接着利用切割或锯切这样的技术将这些器件相互分开，于是这些单独的器件可以被安装在载体上、连接到插脚上等等。有关这种工艺的详细资料可以从1997第三版“微芯片制造：半导体加工实用指南”一书中得到，作者为Petervan Zant，McGraw Hill出版公司，书号为ISBN 0-07-067250-4。在此引用参考其内容。

为了简单起见，投影系统在下面可以被称作“透镜”；但是，这一术语应当被广义地理解为包含各种类型的投影系统，比如包括折射光学、反射光学、和反折射光学系统。辐射系统也可以包括根据这些设计类型中任一种进行操作以引导、修正或控制投影光束的部件，下面这些部件也可以共同或单独地称作“透镜”。此外，光刻仪可以是带有两个或更多个基片台(和/或两个或更多个掩模台)。在这种“多级”设备中，增加的平台可以并行使用，或者当一个或多个其它的平台进行曝光时，可以在一个或多个平台上进行准备步骤。两级光刻仪在美国专利US 5,969,441和国际专利申请WO98/40791中作了介绍，在此引用参考其内容。

在光刻仪中，可以成像到基片上的特征尺寸受投影光波长的限制。为了制造具有高密度器件的集成电路，从而得到更高的运行速度，要求能够对更小的细节进行成像。虽然大多数现行的投影式光刻仪都采用由汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但是建议使用大约为13纳米的更短波长的辐射光。这种辐射光被称为远紫外光(EUV)或软X射线，其可能的光源包括，激光等离子源、放电等离子源、或电子存储环的同步辐射。

在一种典型的放电等离子源中，等离子体是通过放电作用形成的。接着可以使等离子体压缩而变成高度电离并达到非常高的温度，从而发射出远紫外辐射光。用来产生远紫外辐射光的材料通常是氙或锂蒸气，虽然其它的气体如氪、锡蒸气或水蒸气也可以使用。然而，这些气体可能在远紫外辐射光范围内具有相对较高的吸收性，或者会损坏投影光束下游的光学器件，因此必须将其出现在光刻仪的其余部分的可能减到最少。放电等离子源在美国专利US 5,023,897和US 5,504,795中作了介绍，在此引用参考其内容。

在激光等离子源中，可以将一股(簇)比如氙气从喷嘴喷射出去。在距喷嘴一定距离处，用适当波长的激光脉冲照射这股气体以产生等离子体，等离子体接着发射出远紫外辐射光。其它材料如水滴、冰粒、锂蒸气或锡蒸气等也可以从喷嘴喷射出去并用于产生远紫外辐射光。在另一种可供选择的激光等离子源中，照射一种延伸的固体(或液体)材料产生具有远紫外辐射光的等离子体。激光等离子源在美国专利US 5,459,771、US 4,872,189和US 5,577,092中作了介绍，在此引用参考其内容。

上述辐射源的一个共同特征是其运行会引起辐射源区中或靠近辐射源区处一些源气体或很多源气体(还包括蒸气)的本底压力。源气体包括可产生等离子体以发射出远紫外辐射光的气体或蒸气，而且还包括在辐射源工作过程中通过比如激光照射固体或液体材料而产生的气体或蒸气。源气体应当被限制在源区中，因为可吸收大量的超紫外辐射光，或者会污染和损坏光刻仪的其余部分。

对于采用的投影辐射光波长大于远紫外辐射光波长的系统，通常用透明窗口将辐射源的气体与系统其余部分隔开。这些窗口阻挡气体从辐射源流出但却允许投影光束通过。然而，至今还没有发现对远紫外辐射光具有足够透明度的材料，因此超紫外辐射投影光束不能使用透明窗口。另一种可将气体限制在远紫外仪器辐射源区的系统是一种氩气逆流系统。在美国专利US 5,023,897中介绍了这种系统的一个实例。在这种类型的仪器中，沿与辐射光束相反方向将氩气抽入辐射源中。这种系统试图将源气体从光刻仪的抽真空部分中赶走。然而，这种系统会在辐射源中产生紊流，使仪器运行产生问题。此外，氩气对辐射源中气体的污染也是一个问题。通常用于等离子源的氙气十分昂贵，因此最好循环再用。然而，很难将氙气从气体混合物中分离出来。因此在这种逆流设备中，氩气对氙气造成的污染大大增加了再循环措施的成本。

发明内容

本发明的目的是要提供一种使用放电或激光等离子源来产生远紫外辐射光的光刻仪，可将气体限制在辐射源中或附近而不能进入仪器其余部分。

本发明的这一目的和其它目的通过一种光刻仪得以实现，这种投影式光刻仪包括：辐射系统，用来提供投影光束；支承结构，用来支承图案形成装置，该图案形成装置用来使投影光束形成所需要的图案；基片台，用来固定基片；和投影系统，用来将形成图案的光束投影到基片的目标部分。其特征在于，还包括

等离子源，用来产生远紫外辐射光，该等离子源是所述辐射系统的一部分；

第一空间，包含所述等离子源和来自所述等离子源的源气体；

第二空间，通过带有射束孔的间壁与所述第一空间隔开，所述第二空间含有不同于所述源气体的缓冲气体；

其中，所述第二空间中的压力小于或近似等于第一空间中的压力，且所述投影光束穿过所述第一和第二空间。

第二空间中缓冲气体的存在阻止了源气体移动到第二空间中。而且，进入第二空间的任何源气体都可以有效地与缓冲气体一起泵出，其中缓冲气体一般来说是持续更新的。因此，本发明的仪器使来自等离子源的气体能够基本上在特定的空间中而不能进入仪器的其余部分。因此可以提高投影光束通过仪器的传递，并可以防止对下游的光学器件造成任何污染或破坏。本发明不需要使用透明窗口或逆流系统，因此可以避免上述现有技术出现的问题。尤其是，可以防止缓冲气体移动到包含辐射源的空间中。因此，辐射源中的气体基本上保持纯净，因而可以比较便宜地更新以重新使用。

根据本发明的另一方面，提供了一种器件制造方法，包括以下步骤：

准备基片，所述基片至少局部由光敏感材料层覆盖；

利用辐射系统提供投影光束；

利用图案形成装置使投影光束的断面形成某一图案；

将形成图案的光束投影到光敏感材料层的目标部分上，

其特征在于，还包括：

利用作为所述辐射系统一部分的等离子源提供所述投影光束，其中，所述投影光束包括远紫外辐射光；

提供包含等离子源的第一空间，所述第一空间还包含来自所述等离子源的源气体；和

将不同于所述源气体的缓冲气体供应到第二空间中，使得所述第二空间中的压力小于或近似等于所述第一空间中的压力；其中，所述第二空间通过带有射束孔的间壁与所述第一空间隔开，且所述投影光束穿过所述第一和第二空间。

虽然在本文中对根据本发明的仪器用于制造集成电路进行了具体介绍，但是应当明确地认识到这种仪器还可以具有许多其它用途。比如，可以用于制造集成光学系统，对磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的图案进行导向和检测。本领域的专业人员应当认识到，对于这些其它的用途，在本文中使用的术语“光网”、“晶片”或“片”可分别用更通用的术语“掩模”、“基片”和“目标部分”来代替。

在本文中，术语“辐射光”和“光束”包括了各种类型的电磁辐射，包括紫外光辐射(如波长为365、248、193、157或126纳米)和远紫外(EUV)辐射(如波长在5-20纳米的范围内)，以及粒子束如离子束或电子束。

附图说明

现在将参考示意性附图来介绍只是作为实例的本发明实施例，其中：

图1示出了根据本发明一个实施例的投影式光刻仪；

图2示意性地示出了本发明的一个优选实施例；和

图3示出了适用于本发明的远紫外辐射源。

在这些附图中，对应的参考符号表示相应的部件。

具体实施方式

实施例1

图1示意性地示出了根据本发明一个特定实施例的投影式光刻仪。该仪器包括：

辐射系统Ex、IL，用来提供投影光束PB(如远紫外辐射光)，在此具体实例中还包括辐射源LA；

第一载物台(掩模台)MT，装有固定掩模MA(如光网)的掩模架，并连接到第一定位装置PM上使掩模相对于部件PL精确定位；

第二载物台(基片台)WT，装有固定基片W(如涂有抗蚀膜的硅晶片)的基片座，并连接到第二定位装置PM上使基片相对于部件PL精确定位；

投影系统(“透镜”)PL，用来将掩模MA的照射部分成像到基片W的目标部分C(包含一个或多个片)上。如图所示，该仪器是反射型的(即带有反射式掩模)。但一般来说，它也可以是透射型的(比如带有透射式掩模)。或者，该仪器可以采用另一种图案形成装置如上面所提到的可编程反射镜阵列类型。

辐射源LA(如放电等离子源或激光等离子源)产生辐射光束。该光束直接或在穿过调制装置如光束扩展器Ex后进入照明系统(照明器)IL中。照明器IL可以包括调整装置AM，用来设置光束强度分布的径向区域(通常分别称作σ-外和σ-内)。另外，一般还包括其它各种部件如积分器IN和聚光器CO。通过这种方式，使照射到掩模MA上的光束PB在其断面上具有所要求的均匀度和强度分布。

应当指出就图1而言，辐射源LA可能在投影式光刻仪的外壳内(比如当辐射源LA是汞灯时通常就是这样)，但也可以远离投影式光刻仪，将产生的光束被引导到仪器中(比如通过适当的引导反射镜)；当辐射源LA是准分子激光器时通常就采用后一种方案。本发明及其权利要求包括这两种方案。

光束PB接着与固定在掩模台MT上的掩模MA相交。在由掩模MA选择性地反射之后，光束PB穿过透镜PL，透镜PL将光束PB聚焦到基片W的目标部分C上。借助于第二定位装置(和干涉测量装置IF)可以精确地移动基片台WT，比如可以将不同的目标部分C置于光束PB的路径中。类似地，第一定位装置可以用来使掩模MA相对光束PB的路径精确定位，比如在从掩模库中机器检索掩模MA之后，或是在扫描过程中。一般来说，载物台MT、WT的移动可以通过长行程单元(粗定位)和短行程单元(精定位)来实现，这在图1中并没有明确示出。然而，对于晶片步进投影曝光机(不同于步进-扫描机)来说，掩模台MT可以只与短行程致动器相连，或者可以是固定的。

所示仪器可以在两种不同的模式中使用：

1.在步进模式中，掩模台MT基本上保持不动，且整个掩模图像是一次投影(单次“闪光”)到目标部分C上的。然后基片台WT沿x和/或y方向移动，使得不同的目标部分C可以被光束PB照射；

2.在扫描模式中，基本上采用相同的方案，除了给定的目标部分C不是在单次“闪光”中曝光的。而代之以，掩模台MT以速度v沿一给定方向(所谓的“扫描方向”，如y方向)移动，因此使得投影光束PB在整个掩模图像上扫描；同时，基片台WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向移动，其中M是透镜PL的放大倍数(一般来说，M＝1/4或1/5)。通过这种方式，可以使相对较大的目标部分C曝光而无须牺牲分辨率。

在图2中示意性地示出了本发明的一个实施例。在本实施例中，作为等离子源的用来产生超紫外辐射光(如波长在从5至20纳米的范围内，尤其是从9至16纳米)的辐射源LA装在第一空间或辐射源区11中。辐射源LA最好是一种用来产生远紫外辐射光的放电等离子源或激光等离子源。任何一种这样的等离子源都可用于本发明中，比如在欧洲专利申请EP 01305671.8[P-0191]和EP 00311177.0[P-0162]中所介绍的放电等离子源以及在前面所提到的美国专利中所公开的那些等离子源。

辐射源区通过间壁2与第二空间或缓冲区12隔开，间壁2中带有一小孔，使远紫外辐射光可以通过，并使气体可以逸出。投影光束PB从辐射源LA穿过小孔进入缓冲区。将辐射源区与缓冲区隔开的间壁中的小孔最好是辐射源孔或紧靠辐射源孔。一种可用于本发明的辐射源实例在图3中示出，并将在后面参考实施例2加以介绍。

辐射源区中含有一种源气体，当通过激光辐照或放电作用而变为等离子态时，可高效率地产生远紫外辐射光。这种气体的实例包括氙、氪、锂蒸气、锡蒸气和水蒸气。希望能够防止或限制源气体进入投影光束通过的仪器部分，使得投影光束通过仪器的传输达到最大，或者，可以防止对投影光束下游的光学器件造成污染和破坏。

缓冲区中含有缓冲气体，最好是一种对投影光束波长具有低吸收性即低远紫外光吸收性的气体系统。这种气体的实例包括氩、氦、氮和氢。缓冲气体可以包括这些气体中的一种或这些气体的混合物。

缓冲区中缓冲气体的压力被选定为小于或近似等于辐射源区中源气体的压力。这样可以确保缓冲气体基本上不会流入辐射源区，使源气体保持基本纯净。与此相反，源气体从辐射源区适度流入或扩散到缓冲区中是容许的，因此缓冲区中可以含有缓冲气体和源气体的混合物。当辐射源区中包含放电等离子源时，这一特征尤其重要，因为在辐射源区中存在象氩、氮、氦、氢这样的气体会产生问题。通过调整缓冲区中的压力和温度，可以控制流经辐射源孔的气体。一般来说，缓冲气体的压力与源气体的压力为同一数量级，两种气体系统的适当压力在0.1毫巴左右，比如从0.05到0.15毫巴。

仪器中可以有将缓冲气体供应到缓冲区的供给源3和从缓冲区中除去气体的抽气泵4。抽气泵4最好沿垂直于投影光束方向的方向除去气体。可以通过这种方式来更新缓冲区中的气体。可以通过将源气体从源气体与缓冲气体的混合物中有选择性地除去来实现。比如，可以用在液氮温度冷点下工作的低温抽气泵有选择性地将氙从氙和氦或氩的混合物中除去。这是可以做到的，因为氙在液氮的沸点是固态的，而此时氦和氩却都是气态的。一般来说，区域12中的所有气体都将用泵抽走，然后由供给源3供应新鲜的缓冲气体。不过，也可以将抽气泵4省去。

一般来说，缓冲区12靠近基本上被抽成真空的第三个区域13。通常，区域13中包含仪器照明系统或投影光束通过的其它部分，因此被抽成真空以确保投影光束的最大传输，需要有一个差动泵吸系统来保持区域13中的真空度，同时保持缓冲区中缓冲气体的低压。

气体在这些区域的移动可被称作气流并在图2中示出：气体从缓冲区通过间壁5中的节流孔进入区域13而形成气流Q_f。抽气泵4以速率S_p将气体从缓冲区中除去，结果产生的气体流出量为S_pp，其中p是缓冲区中的压力。新鲜缓冲气体由供给源3供应到缓冲区中而产生进气流Q_e。还有一个气体移动是由于源气体流出辐射源区而产生的，或者是，当辐射源区和缓冲区的压力大致相等时，由于源气体从辐射源区扩散出来而产生的。这被定为气流Q_s。

气流Q_f和S_pp中都包含一小部分源气体θ。气流Q_s被认为只包含源气体。假定缓冲区中的压力恒定，源气体的微粒平衡可以定义为下式：

        Q_s＝θ.S_pp+θ.Q_f               (1)

流经间壁5中节流孔的气流表达式为： $Q_{f_s\mathrm{source}}=\mathrm{\θ}.Q_f=\frac{Q_s}{1+\frac{S_{p}p}{Q_f}}-------\left(2\right)$

从该表达式中可以清楚看到，当增大缓冲气体的更新速率时，气流Q_f中源气体的数量减少。因此，缓冲气体的存在可阻止源气体从辐射源区流出，从而大大减少了进入缓冲室然后进入系统其余部分的源气体的数量。

在本发明的一个实施例中，额外的源气体施加到靠近辐射源孔处以限制缓冲气体流入辐射源中。比如，Bergmann等人介绍的辐射源(见应用光学38，5413(1999))可用来实现这一点。这种辐射源带有圆锥形的小孔，可以用源气体不断地进行填充和更新。因此可以将缓冲气体扩散到辐射源中的流量减少到可以忽略的水平。由此实施例引起的源气体的额外气流最好与辐射源孔处缓冲区气体和源气体的扩散混合属于同一数量级。

实施例2

在图3中示出了本发明的第二个实施例，除了下面所介绍的之外，其他的与第一个实施例是相同的。图3示出了包含圆筒形辐射源区11的Z-收缩等离子放电源。远紫外辐射光在辐射源区产生并通过由凸缘226构成的辐射源孔辐射到缓冲区12中，缓冲区12是辐射源区11外面的空间。

在本实施例中，第一源气体从供应源225注入到辐射源区中并在体积228处预先电离。这种气体是根据其产生高温等离子体的能力来选择的。从电压源224将一电压施加在环形阳极222和环形阴极221之间，于是在高温高压下形成收缩体积229。可以从供应源227将另一种根据其发射远紫外辐射光的效率来选择的源气体注入到收缩体积中。收缩体积中的源气体被压缩和加热而发出远紫外投影光束PB，该投影光束PB从辐射源区通过小孔进入缓冲区12。

缓冲气体供应到缓冲区12以减少源气体通过小孔从辐射源区11的流出，如上面实施例1中所描述的那样。实例

从下面的非常简单的实例可计算出进入光刻仪真空系统的源气体部分，该光刻仪使用本发明的缓冲系统。

所使用的仪器是图2中示出的那种。区域11是放电等离子源，如图3示出的那种，含有氙作为源气体。辐射源带有由一凸缘，如图3中所示的凸缘226或圆锥形20毫米厚凸缘，构成的辐射源孔。缓冲区12含有在0.1毫巴压力和400开氏温度下的氩。辐射源区11中的压力略高。区域13抽成真空。当氩气温度为400K(开氏温度)时，氙原子在氩气中的平均自由程大约为1毫米。辐射源孔的长度和尺寸足够小以确保氙气和氩气的混合物在辐射源孔处可以扩散。

由于扩散流形成的气流可以写为 $Q_{s=}\mathrm{kT}\frac{\mathrm{\π}}{4}{d}^2.D_{12}.\frac{\∂n_{\mathrm{Xe}}}{\∂x}\≈\mathrm{kT}\frac{\mathrm{\π}}{4}{d}^2.D_{12}.\frac{\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{Xe}}}{\mathrm{\Δx}}-----\left(3\right)$

其中k是波耳兹曼常数，T是气体(氙)温度，D₁₂是氙-氩混合物的扩散系数，d是辐射源孔的直径，n_Xe是氙的密度。导数可以约等于氙气密度差Δn_Xe与长度差Δx的比值。氙氩混合物在0.1毫巴压力和400k温度下的扩散系数D₁₂为2×10³平方厘米/秒。对于密度梯度来说，假设氙密度在等于辐射源孔凸缘厚度的长度上减小到大约为零。所得到的通过辐射源孔的扩散“气流量”Q_s为0.02毫巴.升/秒。这一气流量几乎比辐射源直接连接到真空系统时通过小孔的气流量(为0.23毫巴.升/秒)小一个数量级。Q_f假设是等于10毫巴.升/秒，而S_p假设是100升/秒。于是，利用上述表达式(2)可以得到气流量Q_f中氙气部分为0.01毫巴.升/秒。缓冲区中氙的压力为1×10^-4毫巴。对于7厘米的光程来说，远紫外辐射的传输将从0.73提高到0.90。

虽然在上面已经介绍了本发明的具体实施例，但是应当认识到可以用与所述方法不同的方式来实施本发明。上述介绍不是用来限制本发明的。

Claims (7)

1.一种投影式光刻仪，包括：

辐射系统，用来提供投影光束；

支承结构，用来支承图案形成装置，所述图案形成装置可根据要求的图案使所述投影光束形成图案；

基片台，用来固定基片；

投影系统，用来将形成图案的光束投影到所述基片的目标部分，

其特征在于，还包括：

等离子源，用来产生远紫外光，所述等离子源是所述辐射系统的一部分；

第一空间，包含所述等离子源和来自所述等离子源的源气体；

第二空间，通过带有射束孔的间壁与所述第一空间隔开，所述第二空间含有不同于所述源气体的缓冲气体；

其中，所述第二空间中的压力小于或近似等于所述第一空间中的压力，且所述投影光束穿过所述第一和第二空间。

2.根据权利要求1所述的投影式光刻仪，其特征在于，所述源气体包括氙、锂蒸气、锡蒸气、氪或水蒸气。

3.根据上述权利要求中任何一项所述的投影式光刻仪，其特征在于，所述缓冲气体是从氩、氮、氦和氢中选出的一种气体或这些气体的混合物。

4.根据上述权利要求中任何一项所述的投影式光刻仪，还包括将所述缓冲气体供应给所述第二空间的装置。

5.根据上述权利要求中任何一项所述的投影式光刻仪，还包括将气体从所述第二空间除去的装置。

6.根据上述权利要求中任何一项所述的投影式光刻仪，其特征在于，所述支承结构包括固定掩模的掩模台。

7.一种器件制造方法，包括以下步骤：

准备基片，所述基片至少局部由光敏感材料层覆盖；

利用所述辐射系统提供投影光束；

利用图案形成装置使所述投影光束的断面形成某一图案；

将所述形成图案的光束投影到所述光敏感材料层的目标部分，

其特征在于，还包括：

利用作为所述辐射系统一部分的等离子源提供投影光束，其中，所述投影光束包括远紫外光；

提供包含所述等离子源的第一空间，所述第一空间还含有来自所述等离子源的源气体；和

将不同于所述源气体的缓冲气体供应到第二空间，使得所述第二空间的压力小于或近似等于所述第一空间的压力；其中，所述第二空间通过带有射束孔的间壁与所述第一空间隔开，且所述投影光束穿过所述第一和第二空间。

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