CN1183484C

CN1183484C - 用于数据载体的通信触点的输出级

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Publication number: CN1183484C
Application number: CNB018014720A
Authority: CN
Inventors: P��ָ�˹��; P·图伊林格; P·科姆潘; K·于利; S·波施
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2000-04-04
Filing date: 2001-03-26
Publication date: 2005-01-05
Anticipated expiration: 2021-03-26
Also published as: EP1272973A1; WO2001075786A1; US20020014536A1; ATE557361T1; US6581844B2; CN1381021A; JP2003529986A; EP1272973B1

Abstract

数据载体(2；25；28)的一种输出级(22；26；29)，该输出级与通信触点(9)连接，所述数据载体适合通过天线级(13)提供非接触通信，以及通过通信触点(9)提供接触结合通信，输出级(22；26；29)包括：第一晶体管(T1；T4)，它具有第一控制端子(G1；G4)的、第一输入端子(S1；D4)以及第一输出端子(D1；S4)；第二晶体管(T2)，它具有第二控制端子(G2)、第二输入端子(D2)以及第二输出端子(S2)；控制级(23；31)，用于将第一控制信息(SI1)提供给第一控制端子(G1)，以便驱动第一晶体管(T1；T4)处于其导通状态，以及用于将第二控制信息(SI2)提供给第二控制端子(G2)，以便驱动第二晶体管(T2)处于其导通状态，在该级中，在非接触通信期间由数据载体(2；25；28)的电源装置(15)从自天线信号(HF)得到的内部电源电压(VINT)可以提供给第一输入端子(S1)，而参考电位(GND)可以提供给第二输出端子(S2)，并且第二输入端子(D2)与数据载体(2；25；28)的通信触点(9)连接。输出级(22；26；29)现在包括抑制装置(R；D；30，31，T4)，该抑制装置适合防止具有分析电流强度的分析电流通过第一晶体管(T1；T4)从通信触点(9)馈入数据数据载体(2；25；28)，具有分析电流强度的分析电流(IA)适合于分析数据载体(2；25；28)的功耗，并适合于对数据载体(2；25；28)中处理的通信数据(VKD)进行剽窃。

Description

用于数据载体的通信触点的输出级

技术领域

本发明涉及数据载体的输出级，所述输出级连接到通信触点，所述数据载体适合通过所述通信触点来提供接触结合通信，所述输出级包括电气部件，所述电气部件可以进入一种运行状态，在这种状态中，所述电气部件的寄生二极管使分析电流可以馈入数据载体。

本发明还涉及一种数据载体，用于通过天线级进行无接触通信，以及用于通过通信触点进行接触结合通信，所述数据载体包括：处理装置，用于对传送的通信数据进行处理；存储器，用于对处理的通信数据进行存储；和电源装置，天线信号可以由所述天线级施加给所述电源装置，并且所述电源装置可以提供相对于参考电位的内部电源电压。

背景技术

以上所述的这种通过通信接触的接触结合通信的数据载体不同于文献WO96/38814中介绍的，并且这样的数据载体采取智能卡的转发器形式。已知的数据载体适合通过智能卡的接触片(contact pad)传送来自读取/写入站的通信数据或向读取/写入站传送通信数据。智能卡的接触片有六个接触面，其中，两个电源接触面用来以外部电源电压为数据载体供电，一个复位接触面用来接收复位信息，一个时钟接触面用来接收时钟信号。其它两个接触面是通信接触面，它们均与数据载体的通信触点连接，并且通信数据通过这两个接触面传送给读取/写入站。这样，通过数据载体的第一通信触点来接收通信数据，并通过第二通信触点来提供通信数据。

已知的数据载体包括电源装置，外部电源电压可以由读取/写入站施加给电源装置，并且内部电源可以通过电源装置来提供数据载体的电有源模块的电源。这种电源装置也不同于通过天线级进行无接触通信的数据载体，在这种情况中，HF信号可以通过天线级施加到电源装置，并且内部电源电压可以提供数据载体的电有源模块的电源。这些电源装置具有以下特性：通过分析施加给电源装置的功率(HF信号，外部电源电压)，无法确定数据载体的瞬间功耗。

极为重要的是，数据载体的这些模块仅通过电源装置以内部电源电压(功率)供电。另一方面，通过将附加外部电源电压(分析电压)施加给通信触点的其中一个触点，可以施加具有电源电流强度的分析电流并用此电流对数据载体的所有模块供电。此外，应该避免的是，仅仅部分地采用只具有电源电流强度的分析电流来对这些模块供电，因为在这种情况下，黑客可以通过分析数据载体中作为时间函数的功耗变化来检测由数据载体所处理的保密数据，其中，功耗取决于数据载体的运行模式。

已知的数据载体包括处理装置(微处理器)，用于处理所接收或所储存的通信数据。已知的数据载体还包括输出级，该输出级连接到处理装置和第二通信触点连接，以便向读取/写入站提供由处理装置处理的通信数据。

这种输出级通常包括控制级、第一晶体管(P沟道场效应晶体管)以及第二晶体管(N沟道场效应晶体管)。这两种晶体管均包含与通信触点连接的漏极端子(第一输出端，第二输入端)。第一晶体管包含与内部电源电压连接的源极端子(第一输入端)，第二晶体管包含与电源装置的参考电位连接的源极端子(第二输出端)。

控制级与两个晶体管的栅级端子(控制端)连接，并按照要提供的通信数据交替使这些晶体管导通。结果，通信触点与内部电源电压或者与参考电位连接，以便向读取/写入站提供高电平或低电平，作为通信数据。

第一晶体管(P沟道场效应晶体管)包含寄生二极管，该寄生二极管按照从漏极端子至连接到源极端子的体端子(bulk terminal)的方向进行正向连接，在某些情况下，会使具有至少分析电流强度的分析电流可以馈入，并使黑客可以进行上述对保密数据的剽窃，这已被明是已知数据载体输出级的一个缺陷。此外，在某些情况下，在提供高电平的通信数据期间，即当第一晶体管处于导通状态时，可以馈入分析电流并且保密数据可以被黑客检测。

施加给通信触点的外部电源电压(分析电压)会引起不希望的内部电源电压的增加，结果可能损坏数据载体的各个模块，这已证明是已知数据载体控制级的另一个缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供数据载体的输出级，在这个输出级中，禁止至少具有分析电流强度的分析电流的馈入，以便保证储存在数据载体中并通过数据载体处理的保密数据的完整性，并防止数据载体的模块被过度的内部电源电压所损坏。该目的是通过以下一种输出级实现的，该输出级的特征在于：包含抑制装置，所述抑制装置适合防止所述内部电源电压被确定，因为具有分析电流强度的分析电流通过所述电气部件的所述寄生二极管从所述通信触点馈入所述数据载体，所述分析电流具有所述分析电流强度，它通常适合于分析所述数据载体的功耗以及适合于剽窃所述数据载体中处理的通信数据，在所述的输出级中，所述电气部件由晶体管构成，所述晶体管包含第一控制端子、第一输入端子以及第一输出端子，所述输出级还包括以下部件：第二晶体管，它包含第二控制端子、第二输入端子及第二输出端子；控制级，用于将第一控制信息提供给所述第一控制端子，以便驱动所述第一晶体管处于其导通状态，并用于将第二控制信息提供给所述第二控制端子，以便驱动所述第二晶体管处于其导通状态，其中，由所述数据载体的电源装置(15)产生的内部电源电压可以提供给所述第一输入端子，而参考电位可以提供给所述第二输出端子，并且所述第二输入端子连接到所述数据载体的所述通信触点。

上述目的还通过以下一种数据载体来实现，该数据载体的特征在于：包括如上所述的输出级，借助于所述输出级，所述通信数据可以通过所述输出级从所述处理装置提供给所述通信触点，在所述输出级中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是所谓的N沟道场效应晶体管。

这样，即使当外部电源电压(分析电压)被施加给数据载体的通信触点时，也没有任何具有分析电流强度或者甚至具有电源电流强度的分析电流能够通过通信触点进入数据载体。其优点在于：一方面，黑客无法通过通信触点注入分析电流来检测存储在数据载体中或在数据载体中处理的保密数据，另一方面，数据载体的模块不会被由分析电流所增加的内部电源电压所损坏。

提供一个输出级，它包含按照本发明的抑制装置，在实践中证明这是极为有利的。

按照本发明，有利的是：抑制装置可以作为线性电阻器而以十分便宜的方式来实现。

按照本发明，有利的是：由于限制了施加给通信触点的外部电源电压(分析电压)，通过电阻器和第一晶体管的寄生二极管所施加的分析电流的电流强度保持在低于分析电流强度的状态。

按照本发明，有利的是：完全禁止了通过将外部电源电压(分析电压)施加给通信触点来馈入分析电流。

按照本发明，有利的是：肖特基二极管具有极小的正向电压降(阈值电压约为0.3V)。提供肖特基二极管的优点在于：防止分析电流，而仅小程度降低表示通信数据的高电平的电压值。

按照本发明，有利的是：当没有任何通信数据从输出级提供到通信触点时，第一晶体管截止，并且内部电源电压不作为高电平施加给通信触点。因此内部电源电压微小的变化无法被黑客进行分析以检测保密通信数据。

按照本发明，有利的是：输出级中的N沟道场效应晶体管没有包含按照从漏极端子至源极端子(体端子)的方向进行正向连接的寄生二极管，这样的寄生二极管通常允许分析电流的注入。

按照本发明，有利的是：抑制装置由第一晶体管和控制级本身来构成，在超过内部电源电压的分析电压施加给通信触点时，第一晶体管被关闭并禁止分析电流的施加。

按照本发明，有利的是：能够很便宜地生产含有输出级的数据载体。

附图说明

下面将参照附图更详细说明本发明，其中，说明了通过示例给出的三个实施例，但本发明并不限于此。

图1是数据载体的方框图，该数据载体包括具有线性电阻器的输出级，作为用于禁止具有分析电流强度的分析电流的抑制装置。

图2是数据载体的方框图，该数据载体包括具有二极管的输出级，作为用于禁止分析电流的抑制装置。

图3是数据载体的方框图，其中输出级的晶体管构成抑制装置。

具体实施方式

图1示出智能卡1，它包括数据载体2和接触片3。在接触结合(contact-bound)模式中，智能卡1可以用作银行卡，它可以被插入自动柜员机，以便以通信数据的形式从银行卡用户的帐户提取金额以及将该金额存入数据载体2中。自动柜员机则构成用于与数据载体2进行接触结合通信的读取/写入站。

智能卡1的接触片3包含用于接触结合通信的八个接触面。外部电源电压VE可以施加给第一电源接触面4，参考电位GND可以由读取/写入站施加给第二电源接触面5。数据载体2可以由外部电源电压VE供电。接触片3还包括：复位接触面6，用于接收复位信息；时钟接触面7，用于接收外部时钟信号。

接触片3还包括通信接触面8，通信接触面8连接到数据载体2的通信触点9。数据载体2适合通过通信触点9和通信接触面8提供与读取/写入站的接触结合通信，其中，数据载体2向读取/写入站提供第一通信数据KD1，并从读取/写入站接收第二通信数据KD2。

要指出的是，为了附图的简洁起见，所给出的数据载体2仅包含通信触点9。很明显，按照本发明的数据载体可以包含数个这种通信触点9，以便与读取/写入站进行通信，或者还与可包含在智能卡1中的数据处理装置进行通信。例如，这种数据处理装置可以是显示芯片，用于驱动智能卡的显示。为了数据载体2说明的简便，对于在复位接触面6和时钟接触面7接收的信号的众所周知的处理，也不更详细地进行说明。

在非接触模式中，智能卡1适合提供与发送/接收站10的非接触通信。发送/接收站10包括处理装置11和天线级12。天线级12可以提供HF信号HF，其中可以包含第一通信数据KD1或第二通信数据KD2。对于非接触通信，智能卡1包括天线级13，为了处理要发送的第一通信数据KD1和处理接收的第二通信数据KD2，数据载体2包括处理装置14，该处理装置14的操作是众所周知的。

在其非接触模式中，智能卡1可以用作电子票。在本例中，发送/接收站10集成在地铁票机中，当某个人持智能卡1靠近所述票机时，发送/接收站10就会从储存于数据载体2的金额中扣除车费。

数据载体2包含电源装置15，该电源装置15连接到第一电源接触面4和第二电源接触面5连接，并且在接触结合模式中，外部电源电压VE和参考电位GND可以由读取/写入站施加给电源装置15。图1中，内部电源电压VINT的参考电位GND表示为接地符号，并连接到数据载体2的电有源装置。

在非接触模式中，由天线级13接收的HF信号HF可被施加到电源装置15。在接触结合模式和非接触模式中，电源装置15适合产生内部电源电压VINT，并将内部电源电压VINT施加给数据载体2的所有电有源装置(功耗元件)。由于提供了缓冲电容，电源装置15具有以下特点：不能通过分析施加给电源装置15的功率(HF信号HF，外部电源电压VE)来确定数据载体2的瞬间功耗。

数据载体2还包括电压限制装置16，该电压限制装置16适合将内部电源电压VINT限制到最大的内部电源电压VINT。这就防止了数据载体2的部件由于过度的电源电压VE或具有很大幅值的HF信号HF造成的损坏。不过，要指出的是，在相当高的外部电源电压VE的情况下或在具有很大幅值的HF信号HF的情况下，电压限制装置16可以不再消耗所施加的能量，在这种情况下，所施加的能量可能会造成数据载体2的部件损坏。

数据载体2还包括处理装置17，用于处理接触结合模式中从读取/写入站接收的通信数据KD2，以及用于提供要施加给读取/写入站的第一通信数据KD1。在本例中，处理装置17由微处理器80C51和储存处理程序的ROM存储器来构成。

数据载体2还包括存储器18，存储器18适合储存通信数据VKD，其中，通信数据VKD在非接触模式中由处理装置14进行处理，在接触结合模式中由处理装置17进行处理。此外，通信数据VKD可以表示例如柜员机或其它保密信息的授权码，它可以在生产数据载体2时便储存在存储器18中。

在这方面，要指出的是，还存在一种风险：黑客(非授权人)可能开发一种分析方法，通过这种方法，能够检测储存在数据载体中、并由数据载体的处理装置进行处理的保密通信数据VKD。采用这种分析方法，分析电压UA可以施加给数据载体的通信触点，以直接用分析电压来给数据载体的电有源装置供电，而不是通过内部电源装置来供电。通过分析数据载体的功耗，例如在读出储存于存储器中的保密通信数据VKD的读取周期期间，可以确定保密通信数据VKD，这是给极不希望的。

数据载体2还包含输入级19，输入级19连接到通信触点9及处理装置17。输入级19包括第一反相器20和第二反相器21。反相器20具有很高的输入电阻，这就是为什么读取/写入站的输出级不应具有较高输出功率的原因。第二反相器21布置在第一反相器20之后，以便将第一反相器20反相的第二通信数据 KD2作为非反相的第二通信数据KD2提供给处理装置17。

现在，数据载体2包括输出级22，该输出级22对电信号进行放大，其中，在接触结合模式中，该电信号传送要通过处理装置17提供给读取/写入站的第二通信数据KD2。输出级22包含第一晶体管T1、第二晶体管T2以及控制级23。晶体管T1和T2是所谓的场效应晶体管，其中，第一晶体管T1由所谓的P沟道场效应晶体管构成，而第二晶体管T2由所谓的N沟道场效应晶体管构成。

第一晶体管T1包含：源极端子S1，它连接到内部电源电压VINT；栅极端子(G1)，它连接到与控制级23。第二晶体管T2包含：漏极端子D2，它连接到通信触点9；栅极端子G2，它连接到控制级23；以及源极端子S2，它连接到参考电位GND。

控制级23适合将第一控制信息SI1提供给第一晶体管T1的栅极端子(G1)，以便驱动第一晶体管T1处于其导通状态。控制级23还适合将第二控制信息SI2提供给第二晶体管T2的栅极端子G2，以便使其处于导通状态。随后，控制级23将第一控制信息SI1施加到第一晶体管T1，以便提供第一通信数据KD1的高电平(VINT)，并将第二控制信息SI2施加到第二晶体管T2，以便提供第一通信数据KD1的低电平(GND)。

要指出的是，场效应晶体管具有所谓的寄生二极管，诸如第一晶体管T1的P沟道场效应晶体管具有寄生二极管D，该寄生二极管按照从漏极端子D1至连接到源极端子S2的体端子的方向进行正向连接。在漏极端子D1上的电位高于源极端子S1上的电位时，第一晶体管T1的这种寄生二极管D使所谓的寄生电流或分析电流IA通过寄生二极管D被施加。

通过将分析电压UA施加给已知数据载体的通信接触面，用于数据载体的电有源装置的电源的具有电源电流强度的分析电流IA被上述黑客注入，并被用来检测保密通信数据VKD。

在非接触模式中，借助于HF信号HF，数据载体的有源装置由电源装置用内部电源电压VINT进行供电，黑客同样可以将分析电压UA施加给数据载体的通信接触面，并估价分析电流IA，它取决于内部电源电压VINT的微小波动，并且仅具有极小的分析电流强度，以便检测保密通信数据VKD。

此外，在具有较大电流强度时，这个分析电流IA会使电源装置15提供比较高的内部电源电压VINT，从而首先损坏电压限制装置16，随后再损坏处理装置14、处理装置17及控制级23。

现在，输出级22包含抑制装置，该抑制装置适合禁止具有分析电流强度或具有更大电流强度的分析电流IA通过第一晶体管T1从通信触点9馈入数据载体2的其它装置。在图1所示的实施例中，抑制装置由线性电阻器R构成，其中，线性电阻器R连接到第一晶体管T1的漏极端子D1及第二晶体管T2的漏极端子D2。

这样，可以实现：当黑客将分析电压UA通过通信接触面8施加给通信触点9，而参考电位GND施加给第二电源接触面5，并且漏极端子D1上的电位D1因此高于源极端子S1上的电位时，这样施加的分析电流IA在电阻器R上产生电压降，它会将分析电流IA的电流强度降低到充分小于分析电流强度IA的电流强度。

这具有以下优点：避免了通过通信触点9施加的分析电流IA可以用于给处理装置14、处理装置17以及控制级23供电，或者甚至用于分析数据载体2的处理模式。因此，便不可能弄清楚储存在存储器18中的保密通信数据VKD。另一个优点在于：避免了数据载体2的部件被过度的内部电源电压VINT所损坏，具有高电流强度的分析电流IA会造成这种情况。

现在，输出级22还包括电压限制级，该电压限制级由第三晶体管T3构成。第三晶体管T3包含连接到第二晶体管的漏极端子D2的漏极端子D3及连接到参考电位GND的源极端子S3和栅极端子G3。第三晶体管T3适合限制施加给阈值通信触点9的分析电压UA。

这具有以下优点：由电压限制级所限制的分析电压UA只施加具有充分小于分析电流强度IA的极小电流强度的分析电流IA。

控制级23还适合在没有任何第一通信数据KD1通过输出级22施加给通信触点9时驱动第一晶体管T1处于其截止状态(没有第一控制信息SI1)，并驱动第二晶体管T2处于其导通状态(第二控制信息SI2)。

这具有以下优点：在通信期间，当高电平施加给通信接触面8时，黑客仅能确定内部电源电压VINT。这在其它任何情况下是不可能的，这就是为什么黑客实际上无法通过测量通信接触面8上的电压来确定内部电源电压VINT的微小电压波动用于检测保密通信数据VKD。

要指出的是，数据载体2由集成电路构成，因此能够以极低的成本生产。

图2示出智能卡24，它包括具有输出级26的数据载体25。数据载体25对应于图1所示的数据载体2，其中，用于对至少具有分析电流强度的分析电流IA的馈入进行禁止的抑制装置由数据载体25中的二极管DS构成。采用肖特基二极管形式的二极管DS按照从通信触点9至第一晶体管T1漏极端子D1的方向进行反向连接。

提供二极管DS具有以下优点：当黑客通过通信接触面8将分析电压UA施加给通信触点9，并且通信触点9上的电位因此变得高于漏极端子D1上的电位时，分析电流IA的馈入完全被二极管DS所禁止。这就排除了通过施加给通信触点9的分析电压UA所造成的对储存的保密通信数据VKD的剽窃以及对数据载体25的部件的破坏。

图3示出智能卡27，它包括具有输出级29的数据载体28。数据载体28对应于图1所示的数据载体2，其中，数据载体28中用于对至少具有分析电流强度的分析电流IA的馈入进行禁止的抑制装置由形成第一晶体管T1的第四晶体管T4、升压级30及控制级31构成。第一输入端子由漏极端子D4构成，第一输出端由第四晶体管T4的源极端子S4构成。第四晶体管T4与第二晶体管T2相似，是N沟道场效应晶体管，在其源极端子S4和内部电源电压VINT之间，以及在其漏极D4和内部电源电压VINT之间，均没有寄生二极管。

升压级30适合将内部电源电压VINT升高到1.5x倍，并包括数个众所周知的电容器和晶体管。由升压级30所产生的较高的内部电源电压VINT可以提供给控制级31。

控制级31对应于数据载体2的控制级23，其中，控制级31适合提供作为第一控制信息SI1的开关电压值，其值等于施加给晶体管T4的漏极端子D4的内部电源电压VINT加第四晶体管T4的阈值电压。场效应晶体管的阈值电压通常为0.6V，并对应于处于导通状态下的第四晶体管T4的栅极端子G4和源极端子S4之间的电压降。

如果黑客在这时将具有高于内部电源电压VINT的电压值的分析电压UA施加给通信触点9，第四晶体管T4截止，而且当出现第一控制信息SI1时，完全防止分析电流IA的馈入。

提供上述抑制装置的优点在于：当黑客将分析电压UA施加给通信触点9时，由于不存在漏极端子D4或源极端子S4与内部电源电压VINT之间的寄生二极管，并且由于如上所述的第四晶体管T的自动截止，防止了分析电流IA。这就排除了通过通信触点9上的分析电压UA而造成的对储存的保密通信数据VKD的剽窃，以及对数据载体28的部件的破坏。

要指出的是，在数据载体的正常运行期间，当读取/写入站将第二通信数据KD2提供给通信触点时，在通信触点上还出现对应于分析电压的电压。在这种情况下，上述抑制装置也具有其优点，因为在这种情况中，它们提供保护措施，以避免过度的内部电源电压以及避免对保密通信数据的剽窃。

Claims

1.数据载体(2；25；28)的一种输出级(22；26；29)，所述输出级连接到通信触点(9)，所述数据载体适合通过所述通信触点(9)来提供接触结合通信，所述输出级(22；26；29)包括电气部件(T1；T4)，所述电气部件可以进入一种运行状态，在这种状态中，所述电气部件的寄生二极管使分析电流可以馈入数据载体(2；25；28)，

其特征在于：

包含抑制装置(R；D；30，31，T4)，所述抑制装置适合防止所述内部电源电压(VINT)被确定，因为具有分析电流强度的分析电流(IA)通过所述电气部件(T1；T4)的所述寄生二极管从所述通信触点(9)馈入所述数据载体(2；25；28)，所述分析电流(IA)具有所述分析电流强度，它通常适合于分析所述数据载体(2；25；28)的功耗以及适合于剽窃所述数据载体(2；25；28)中处理的通信数据(VKD)，在所述的输出级(22；26；29)中，所述电气部件由晶体管(T1；T4)构成，所述晶体管(T1；T4)包含第一控制端子(G1；G4)、第一输入端子(S1；D4)以及第一输出端子(D1；S4)，所述输出级(22；26；29)还包括以下部件：第二晶体管(T2)，它包含第二控制端子(G2)、第二输入端子(D2)及第二输出端子(S2)；控制级(23；31)，用于将第一控制信息(SI1)提供给所述第一控制端子(G1)，以便驱动所述第一晶体管(T1；T4)处于其导通状态，并用于将第二控制信息(SI2)提供给所述第二控制端子(G2)，以便驱动所述第二晶体管(T2)处于其导通状态，其中，由所述数据载体(2；25；28)的电源装置(15)产生的内部电源电压(VINT)可以提供给所述第一输入端子(S1)，而参考电位(GND)可以提供给所述第二输出端子(S2)，并且所述第二输入端子(D2)连接到所述数据载体(2；25；28)的所述通信触点(9)。

2.如权利要求1所述的输出级(22；26)，其特征在于所述抑制装置(R；D)连接到所述第一输出端子(D1)和所述第二输入端子(D2)。

3.如权利要求2所述的输出级(22)，其特征在于所述抑制装置由至少100Ω的线性电阻器(R)构成。

4.如权利要求3所述的输出级(22)，其特征在于包括电压限制级(T3)，所述电压限制级(T3)连接到所述第二输入端子(D2)并适合限制施加给所述通信触点(9)的分析电压(UA)。

5.如权利要求1所述的输出级(26)，其特征在于所述抑制装置由二极管(DS)构成，所述二极管(DS)按照从所述通信触点(9)至所述第一输出端子(D1)的方向反向连接。

6.如权利要求5所述的输出级(26)，其特征在于所述二极管为肖特基二极管(DS)。

7.如权利要求1所述的输出级(22；26；29)，其特征在于所述抑制装置由所述控制级(23；31)构成，当没有通过所述通信触点(9)进行通信时，所述控制级(23；31)适合驱动所述第一晶体管(T1)处于其截止状态并驱动所述第二晶体管(T2)处于其导通状态。

8.一种数据载体(2；25；28)，用于通过天线级(13)进行无接触通信，以及用于通过通信触点(9)进行接触结合通信，所述数据载体(2；25；28)包括：

处理装置(14，17)，用于对传送的通信数据(KD1，KD2)进行处理，

存储器(18)，用于对处理的通信数据(VKD)进行存储，

电源装置(15)，天线信号(HF)可以由所述天线级(13)施加给所述电源装置(15)，并且所述电源装置(15)可以提供相对于参考电位(GND)的内部电源电压(VINT)，

其特征在于

包括如权利要求1所述的输出级(29)，借助于所述输出级(29)，所述通信数据(KD1)可以通过所述输出级(29)从所述处理装置(14)提供给所述通信触点(9)，在所述输出级(29)中，所述第一晶体管(T4)和所述第二晶体管(T2)是所谓的N沟道场效应晶体管。

9.如权利要求8所述的数据载体(28)，其特征在于所述控制级(31)适合提供作为第一控制信息(SI1)的开关电压值，所述开关电压值等于所述内部电源电压(VINT)大约加上所述第一晶体管(T4)的阈值电压。

10.如权利要求8所述的数据载体(28)，其特征在于所述数据载体(28)采取集成电路的形式。