CN1160430C - 平整表面的组合物及方法 - Google Patents

平整表面的组合物及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1160430C
CN1160430C CNB008157227A CN00815722A CN1160430C CN 1160430 C CN1160430 C CN 1160430C CN B008157227 A CNB008157227 A CN B008157227A CN 00815722 A CN00815722 A CN 00815722A CN 1160430 C CN1160430 C CN 1160430C
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
millimicrons
fuming
particle
silicon oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB008157227A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1399668A (zh
Inventor
方明明
L
布赖恩·L·米勒
��A���¿�ɭ
詹姆斯·A·德克森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/440,401 external-priority patent/US6293848B1/en
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of CN1399668A publication Critical patent/CN1399668A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1160430C publication Critical patent/CN1160430C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Abstract

本发明是提供一种以组合物将表面平整或抛光的组合物或方法。该组合物包括液态载体，化学加速剂，及包括约5～90wt%的发烟金属氧化物及约10～95wt%磨蚀颗粒的固体，其中约90%或更多的磨蚀颗粒(以数目为基准)的粒径不大于100毫微米。本发明的组合物是用于在高抛光效率、均匀性、及去除速率下将表面平整或抛光，且使缺陷为最小，如下层构造及型态的损耗。

Description

平整表面的组合物及方法
发明的技术领域
本发明是关于将表面(如半导体或内存或光盘的金属层的表面)平整或抛光用的组合物及方法。
发明背景
基材表面平整或抛光用的组合物为技术中公知。抛光浆料一般含水溶液中的磨蚀材料，且是通过由使表面与浸饱浆料组合物的抛光垫接触涂布在表面上。一般磨蚀材料包含二氧化硅、氧化铯、氧化铝、氧化锆、及氧化锡。例如美国专利第5,527,423号叙述通过由使表面与包括含高纯度硅金属氧化物颗粒的水性介质的抛光浆料接触，化学-机械抛光金属层的方法。
传统抛光组合物在半导体硅片的抛光上并无法完全满意。特别是，抛光浆料的抛光速率低于所需，且用在化学机械抛光半导体表面时会使表面的品质不良。由于半导体硅片的效能是与表面平整度有关，使用具有高抛光效率、均匀性及去除速率，且留下具有最小表面缺陷的高品质抛光的抛光组合物相当的重要。
在制造半导体硅片的有效抛光组合物上的困难是由于半导体硅片的复杂度所产生。半导体硅片一般是由其上形成许多晶体管的基材组成。整体的电路是通过由基材及基材上的层中的图案区，化学及物理性的连接于基材的中。为了制成可用的半导体硅片且使产率、效能及硅片的可靠度为最大，且希望能抛光硅片的选择表面而不会对底下的构造或型态产生负面的影响。事实上，若制造的步骤并未在适当平整的硅片表面上进行，则半导体的制造可能会产生许多问题。
对于传统抛光剂的抛光效率及均匀性曾尝试许多的改善，同时亦曾尝试使抛光表面的缺陷、及对下层构造或型态的损害最小。例如，美国专利第5,340,370号叙述包括核耗材、氧化剂、及水的抛光组合物，其据说可产生改善的去除速率以及抛光效率。同样的，美国专利第5,622,525号叙述包括平均粒径20～50毫微米的胶体氧化硅、化学活化剂、及脱矿水的抛光组合物。
然而，基材抛光及平整过程中，呈现所需平整效率、均匀性、及去除速率，同时使缺陷度如表面不完美、及抛光与平整过程中对下层构造及型态的损害为最小所用的组合物及方法仍有需求。本发明企图提供此种组合物及方法。本发明的此等及其它优点由本发明本文的叙述将会变得显而易见。
发明概述
本发明是针对表面平整或抛光的组合物。本发明的抛光组合物包括(a)液态载体，(b)化学加速剂，及(c)包括约5～90wt％的发烟金属氧化物及约10～95wt％的磨蚀颗粒的固体，其中约90％或更多的磨蚀颗粒(以数目为基准)的粒径不大于100毫微米。本发明亦提供包括使表面与本发明的组合物接触，使表面平整或抛光的方法。
优选实施方案的叙述
本发明提供一种组合物，包括(a)液态载体，(b)化学加速剂，及(c)包括约5～90wt％的发烟金属氧化物及约10～95wt％的磨蚀颗粒的固体，其中约90％或更多的磨蚀颗粒(以数目为基准)的粒径不大于100毫微米。该组合物是用于表面的平整或抛光。本发明可提供表面高的抛光效率、均匀度及去除速率，且可使缺陷度如下层构造及型态的场损失为最小。
全部的固体可以以任一适当的浓度存在于本发明的组合物中。所需固体的浓度约0.1wt％或更高(例如约0.1～40wt％)。优选，总固体浓度为组合物的约0.1～30wt％(例如约1～30wt％)。
本发明组合物的固体包括约5～90wt％的发烟金属氧化物及约10～95wt％的磨蚀颗粒(亦即全部固体中至少约10wt％为磨蚀颗粒)。组合物的固体优选包括约10～85wt％(例如约15～75wt％)的发烟金属氧化物及约15～90wt％(例如约25～85wt％)的磨蚀颗粒(亦即全部固体的至少约15wt％(例如至少约25wt％)为磨蚀颗粒)。优选，固体包括约15～60wt％(例如约20～50wt％)的发烟金属氧化物及约40～85wt％(例如约50～80wt％)的磨蚀颗粒(例如全部固体的至少约40wt％(例如至少约50wt％)为磨蚀颗粒)。
本发明组合物的发烟金属氧化物可为任一种适用的发烟(热解)金属氧化物。适用的发烟金属氧化物包含例如发烟氧化铝、发烟氧化硅、发烟氧化钛、发烟氧化铈、发烟氧化锆、发烟氧化锗、及发烟氧化镁及其共同形成的产物、共同发烟的产物及其混合物。本发明组合物的发烟金属氧化物优选为发烟氧化硅。
本发明组合物中可含任一种适用的磨蚀颗粒。所需的磨蚀颗粒为金属氧化物。适用的金属氧化物包含氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化铈、氧化锆及氧化镁。组合物中亦适用者为依据美国专利第5,230,833号中制备的磨蚀颗粒，及各种市售的产物，如Akzo-Nobel Bindzil 50/80产品及Nalco 1050，2327及2329产品，以及购自DuPont，Bayer，Applied Research，NissanChemical，及Clariant的类似产品。本发明组合物的磨蚀产品优选为缩合聚合的金属氧化物，例如缩合聚合的氧化硅。缩合聚合的氧化硅一般是通过由使Si(OH)4缩合，形成胶体颗粒制备。
本发明组合物的磨蚀颗粒为约90％或更多的磨蚀颗粒(数量)的粒径不超过100毫微米者。优选，磨蚀颗粒的粒径不超过100毫微米者优选至少约95％、98％或实质上全部(或实际上为全部)的磨蚀颗粒(数量)。磨蚀颗粒的粒径(亦即至少约90％、95％、98％、且实质上所有的磨蚀颗粒(数量)均不超过磨蚀颗粒的特定尺寸)，更好为其它的粒径，如95毫微米、90毫微米、85毫微米、80毫微米、75毫微米、70毫微米及65毫微米。
同样的、本发明组合物的磨蚀颗粒可为至少约90％、95％、98％或实质上全部(或实际上全部)的磨蚀颗粒粒径不低于5毫微米者。磨蚀颗粒的粒径(亦即至少约90％、95％、98％、且实质上所有的磨蚀颗粒(数量)均不低于磨蚀颗粒的特定尺寸)，更好亦可为其它的粒径，如7毫微米、10毫微米、15毫微米、25毫微米及30毫微米。
本发明组合物的磨蚀颗粒的粒径分布基本上为双模态，其中约30～70％(例如约50％)的磨蚀颗粒(数量)粒径约30～50毫微米，及约30～70％(例如约50％)的磨蚀颗粒(数量)粒径约70～90毫微米。优选，磨蚀颗粒的粒径分布基本上为双型态，其中约30～70％(例如约50％)的磨蚀颗粒(数量)粒径约35～45毫微米，及约30～70％(例如约50％)的磨蚀颗粒(数量)粒径约75～85毫微米。
此处以粒径叙述磨蚀颗粒性质所用百分比的值为不同于重量百分比的数量百分比，除非另有说明。磨蚀颗粒的粒径是指颗粒的直径。此处所列的粒径值特别是通过由磨蚀颗粒统计上明显的样本数，优选至少200个颗粒的穿透电子显微镜(TEM)，以目视检查为准的值。
磨蚀粒子的粒径分布可以几何数目标准偏差，相当于σ-g(σg)表示其特征。此σ。值可通过(a)84％磨蚀粒子(以数目为基准)不超过的直径值除以(b)16％磨蚀粒子(以数目为基准)不超过的直径值(即σg＝d84/d16)获得。单分散磨蚀粒子的σg值是约1。当此磨蚀粒子变成多分散时(即包含尺寸差异变大的粒子)，磨蚀粒子的σg值增加至1以上。此磨蚀粒子的σg值一般约为2.5或更低(如约2.3或更低)。此磨蚀粒子的σg值最好为至少约1.1(如约1.1-2.3(如1.1-1.3))，优选是σg值为至少约1.3(如约1.5-2.3或甚至约1.8-2.3)。
本发明组合物也可以堆积密度为特征。此堆积密度为1减掉所有混合在一起的组合物成份的沉降体积除以各个组合物成份的个别沉降体积总合。因此，堆积密度(PD)为1-(V总和/(Vfmo+Vap))，其中Vfmo是发烟金属氧化物的体积(磨蚀粒子不存在)，Vap是磨蚀粒子的体积(发烟金属氧化物不存在)及V总和是发烟金属氧化物与磨蚀粒子混合在一起的体积。这些单独发烟金属氧化物的体积、单独磨蚀粒子的体积及这两种物质在混合状态下的混合体积是在任一适当重力下通过持续离心样品一段可测得体积的时间而测得，其中该段时间是等于物质中最小粒子的1.2×斯托克(stoke)沉降时间。
希望此组合物的堆积密度值至少为约0.1，优选是堆积密度值至少为约0.15。更特别地，此组合物的堆积密度值至少为约0.2。特佳地，本发明的组合物是具有至少约0.3(例如约0.3-0.6)甚至至少约0.4(例如约0.4-0.6或约0.5-0.6)的堆集密度值。本发明组合物的堆积密度值一般为约0.7或更低(如约0.65或更低，或甚至约0.6或更低)。
本发明组合物中可含任一适当的化学加速剂。化学加速剂可用于改善基材的平整或抛光，例如通过由提升基材移除的速率得到证实。
适当的化学加速剂可包括：例如氧化剂、鳌合或配合剂、催化剂及类似物。适合的氧化剂可包括，例如经氧化的卤化物(如氯酸盐、溴酸盐、碘酸盐、过氯酸盐、过溴酸盐、过碘酸盐、其混合物及类似物)。适合的氧化剂也包括，例如过硼酸、过硼酸盐、过碳酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、过氧化物、过氧酸(如过醋酸、过苯甲酸、间-氯过苯甲酸、其盐类、其混合物及类似物)、过锰酸盐、铬酸盐、铈化合物、铁氰化物(如铁氰化钾)、氧化的金属盐(例如，钠盐、铁盐、钾盐、铝盐等)、氧化的金属配合物、非金属氧化的酸、铵盐、鏻盐、三氧化物(例如三氧化钒)、其混合物等。
适用的螯合剂或配合剂可包含例如羰基化合物(例如，乙酰基丙酮酸盐等)、简单的羧酸盐(例如乙酸盐、芳基羧酸酯等)、含一或多个羟基的羧酸酯(例如羟乙酸盐、乳酸盐、葡糖酸酯、五倍子酸及其盐等)、二-、三-及多羧酸酯(例如草酸酯、邻苯二甲酸酯、柠檬酸酯、丁二酸酯、酒石酸酯、苹果酸酯、乙二胺四乙酸盐(例如，二钠EDTA)、其混合物等)、含一或多个磺酸及/或膦酸基的羧酸酯、等。适用的螯合剂或配合剂亦可包含例如二-或三-或多元醇(例如，乙二醇、焦儿茶酚、连苯三酚、单宁酸等)、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物等)、等。适用的化学加速剂亦可包含例如含硫的化合物、例如硫醇、硫酯、硫醚及硫酸盐，及含氮的化合物，例如胺、亚胺、酰胺、及亚酰胺。适用的含氮化合物包含例如伯胺、仲胺、叔胺、季胺、乙醚胺、羟基化的胺、胺基醇、胺基醚醇、氨基酸(例如，甘氨酸、丙氨酸、亚胺基二乙酸、缬氨酸、白氨酸、异白氨酸、丝氨酸及/或苏氨酸)、寡聚合的胺、寡聚合的亚胺、寡聚合的酰胺、寡聚合的亚酰胺、聚合的胺、聚合的亚胺、聚合的酰胺、聚合的亚酰胺及其混合物。
再者，适用的化学加速剂可包含例如磷酸盐离子(如化学构造PO4的定义，此处的构造包括双键(P＝O))、膦酸盐离子(如化学构造RO-PO3或R2O2-PO2的定义，其中的构造包括双键(P＝O))，且其中的R为有机部分，有机部分是选自包含烷基部分、芳基部分、环状部分、芳香是部分、及含杂原子的有机部分(例如含N的有机部分))，或其组合物。磷酸盐离子可衍生自任一适当的磷酸盐离子源。适当的磷酸盐离子源包含例如磷酸及水溶性磷酸盐，例如正磷酸盐、聚磷酸盐及其混合物。磷酸盐离子源亦可选自包含焦磷酸盐、三聚磷酸盐及其混合物。优选，磷酸盐离子源是选自磷酸钠、磷酸钾、磷酸锂、磷酸铯、磷酸镁、磷酸铵、磷酸等，及其混合物。膦酸盐离子可衍生自任一适当的膦酸盐离子源。适当的膦酸盐离子源包含例如含胺的膦酸盐、含亚胺的膦酸盐、含亚酰胺的膦酸盐、含酰胺的膦酸盐、不含氮的膦酸盐化合物(例如不含胺基的膦酸盐化合物)，及其混合物。优选膦酸盐离子源是选自乙酰磷酸、2-胺基乙基二氢磷酸盐、胺基三-(亚甲基磷酸)、次氨基三(亚甲基)三膦酸、1-羟基亚乙基-1-二膦酸，及二亚乙基三胺五-(亚甲基膦酸)、及其混合物。
需了解许多上述的化合物均可以以盐(例如金属盐、铵盐、等)、酸或部分盐的形式存在。例如柠檬酸盐包含柠檬酸以及其单-、双-、及三-盐；邻苯二甲酸盐包含邻苯二甲酸以及其单盐(例如邻苯二甲酸氢钾)及其双盐；过氯酸包含对应的酸(亦即过氯酸)以及其盐。
再者，可使用超过一种功能的特定化合物。例如，某些化合物可具有氧化剂与螯合剂二功能(例如，过硫酸铵、硝酸羟基胺等)。另外，本发明的组合物可包括二种或多种化学加速剂，例如三种或多种化学加速剂，甚至是四种或多种化学加速剂。依此观点，诸化学加速剂的功能为可带来提升或协同作用者。例如，本发明的组合物可包括氧化剂及配合剂。因此，本发明的组合物优选包括氧化剂及氨基酸，例如甘氨酸、丙氨酸、亚胺基二乙酸、缬氨酸、白氨酸、异白氨酸、丝氨酸及/或苏氨酸。同样的，该组合物可包括氧化剂及含磷酸盐的化合物，或可包括氧化剂及羧酸酯化合物。因此，本发明的组合物优选包括过氧化氢及甘氨酸。
本发明的组合物中可含任何适当量的化学加速剂。抛光组合物中所需的化学加速剂的量约为0.01～20wt％(亦即约0.01～15wt％)。优选，本发明组合物中化学加速剂的含量约为0.1～10wt％。更好，本发明组合物中化学加速剂的含量约为0.1～5wt％(亦即约0.1～2wt％)。
本发明的组合物尚可包括一种或多种其它成分，如界面活性剂、聚合物稳定剂或其它表面活化分散剂、pH调整剂、调节剂或缓冲剂等。适用的界面活性剂可包含例如阳离子性界面活性剂、阴离子性界面活性剂、非离子性界面活性剂、两性界面活性剂、氟化的界面活性剂、及其混合物等。适用的聚合物稳定剂或其它表面活化分散剂可包含例如磷酸、有机酸、氧化锡、有机膦酸盐、其混合物等。适用的pH调整剂、调节剂或缓冲剂可包含例如氢氧化钠、碳酸钠、硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、柠檬酸、磷酸钾、其混合物等。
本发明组合物中可使用任一适用的载体(例如溶剂)。载体是用于协助发烟金属氧化物及磨蚀颗粒施加在适用基材的表面上。优选的载体为水。
本发明组合物的pH是维持在最终用途适用的范围中。组合物所需的pH值约为2～12。优选的pH值会依特殊的化学加速剂而定。例如，当化学加速剂为过硫酸铵及NH|^3时，则pH优选为9～11。当化学加速剂为硝酸铁(III)时，则pH优选为2.5或更低，更好约为2。当化学加速剂为硝酸羟基胺时，则pH优选约为2～5。
本发明亦提供表面平整或抛光的方法。该方法包括使表面与此处所述的组合物接触。表面可以以任一适用的技术，以组合物处理。例如，可经由使用抛光垫将组合物涂布在表面上。
本发明的方法可在相对高速下使基材平整或抛光，例如在相对高速下自积层的基材移除二氧化硅层。再者，本发明的组合物完全适用于许多硬质工件(如内存或硬盘、金属(例如贵金属)、ILD层、半导体、微电子机械是统、铁电、磁头、聚合物膜、及低与高介电常数的膜)的平整或抛光。本组合物亦可用于集成电路与半导体的制造。本发明的组合物在基材平整或抛光过程中，呈现所需的平整效率、均匀度、去除速率及低的缺陷度。
                         实施例
下列实施例进一步说明本发明，但当然应非企图以任一方式限制其范围。
内存或硬盘(参照下列实施例的一(亦即实施例5))为购自SeagateTechnology的内存或硬盘。内存或硬盘为铝基材涂布(电镀)镍-磷的碟。内存或硬盘在用于下列实施例中的前均先经过预抛光处理，且各内存或硬盘的表面粗糙度为30～50埃。
内存或硬盘均使用Streuers(West Lake，Ohio)制造的桌上型抛光机抛光。桌上型抛光机使用Rotopol 31基座及Rotoforce 3 downforce单元。下列实施例中所用的抛光垫为由Rodel制造的30.48公分(12英时)直径的PolytexHi垫。内存或硬盘每面均使用平面速度150rpm、抛光载体速度150rpm、浆料流速100毫升/分钟抛光10分钟，但实施例6中的内存或硬盘均抛光5分钟。所有实施例中所用的抛光力均为50N。
各下列实施例中的镍-磷去除速率均通过由在抛光前将清洁、干燥的内存或硬盘称重接着抛光计算。使用8.05克/立方公分的镍-磷密度，将重量的减少换算成内存或硬盘厚度的减少。
实施例1
本实施例说明本发明组合物中发烟金属氧化物对磨蚀颗粒的组合及比例，以及在表面平整或抛光过程中，使表面去除速率最大化中存在化学加速剂的重要性。
镍-磷电镀的内存或硬盘是使用十种总固成分浓度包括不同相对浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、25wt.％、50wt.％、75wt.％、及100wt.％)，缩合聚合的氧化硅(亦即，100wt.％、75wt.％、50wt.％、25wt.％及0wt.％)(测量平均粒径约为20毫微米，σg＝2.26)，及硝酸羟基胺(HAN)(亦即0wt.％HAN或0.25wt.％HAN)的不同组合物分别抛光。所有组合物的pH值均约为3.5。发烟氧化硅是以Cab-0-SperseR SC-E发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为Bindzil R 50/80(Akzo-Nobel)，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，所得数据列于下表1中。
                          表1
  组合物 相对重量％发烟氧化硅 相对重量％缩聚氧化硅 去除率(每分钟微英寸)[埃/分]
    无HAN     0.25Wt.％HAN
    1A     0     100     2.10[534]     2.70[686]
    1B     25     75     2.28[579]     3.40[864]
    1C     50     50     2.28[579]     3.89[988]
    1D     75     25     2.10[534]     5.70[1448]
    1E     100     0     1.41[358]     1.70[216]
由表1中所列的数据可明显的看出含HAN的组合物所呈现的去除速率明显优于不含HAN的组合物的去除速率。再者，具有HAN且含约25～75％发烟氧化硅及25～75％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物1B、1C及1D)的去除速率优于具有HAN且含100％发烟氧化硅或100％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物1A及1E)的去除速率。此等结果证明化学加速剂与具有此处所述粒径特性的发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的混合物的组合、及发烟金属氧化物对磨蚀颗粒比例对本发明组合物达到的去除率的重要性。
实施例2
本实施例说明本发明组合物中，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及比例，以及表面平整或抛光过程中，化学加速剂的存在对表面去除速率极大化的重要性。
镍-磷电镀的内存或硬盘是使用十种总固成分浓度包括不同相对浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、25wt.％、50wt.％、75wt.％、及100wt.％)，缩合聚合的氧化硅(亦即，100wt.％、75wt.％、50wt.％、25wt.％及0wt.％)(测量平均粒径约为20毫微米，σg＝2.26)，及过硫酸铵(APS)及NH3(亦即0.25wt.％APS及0.25wt.％NH3或0wt％APS与0wt％NH3)的不同组合物分别抛光。发烟氧化硅是以Cab-O-SperseR SC-E发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为Bindzil R 50/80(Akzo-Nobel)，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，所得数据列于下表2中。
                                 表2
  组合物 相对重量％发烟氧化硅 相对重量％缩聚氧化硅 去除率(每分钟微英寸)[埃/分]
    无APS无HAN     0.25Wt.％APS0.25Wt.％NH3
    2A     0     100     2.10[534]     2.80[711]
    2B     25     75     2.28[579]     6.40[1626]
    2C     50     50     2.28[579]     4.60[1169]
    2D     75     25     2.10[534]     3.20[813]
    2E     100     0     1.41[358]     0.85[216]
由表2中所列的数据可明显的看出，除含100wt％发烟氧化硅的组合物外，含APS及NH3的组合物所呈现的去除速率明显的优于不含APS及NH3的组合物的去除速率。特别的是，具有ASP及NH3且含约25～75％发烟氧化硅及25～75％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物2B、2C及2D)的去除速率优于具有ASP及NH3且含100％发烟氧化硅或100％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物2A及2E)的去除速率。此等结果证明以本发明的组合物达成去除速率下，结合化学加速剂与具有此处所述粒径特性的发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的混合物，以及发烟金属氧化物对磨蚀颗粒比例的重要性。
实施例3
本实施例说明本发明组合物中，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及比例，以及表面平整或抛光过程中，化学加速剂的存在对表面去除速率极大化的重要性。
镍-磷电镀的内存或硬盘是使用十种总固成分浓度包括不同相对浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、25wt.％、50wt.％、75wt.％、及100wt.％)，缩合聚合的氧化硅(亦即，100wt.％、75wt.％、50wt.％、25wt.％及0wt.％)(测量平均粒径约为20毫微米，σg＝2.26)，及Fe(NO3)3(亦即0wt.％Fe(NO3)3或0.25wt.％Fe(NO3)3)的不同组合物分别抛光。所有组合物的pH值均约为2。发烟氧化硅是以Cab-O-SperseR SC-E发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为Bindzil R 50/80(Akzo-Nobel)，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，所得数据列于下表3中。
                                       表3
  组合物 相对重量％发烟氧化硅 相对重量％缩聚氧化硅           去除率[埃/分]
    无Fe(NO3)3     0.25Wt.％Fe(NO3)3
    3A     0     100     534     1653
    3B     25     75     534     1907
    3C     50     50     579     2161
    3D     75     25     579     2314
    3E     100     0     358     1424
由表3中所列的数据可明显的看出，含Fe(NO3)3的组合物所呈现的去除速率明显的优于不含Fe(NO3)3的组合物的去除速率。特别是，具有Fe(NO3)3且含约25～75％发烟氧化硅及25～75％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物3B、3C及3D)的去除速率优于具有Fe(NO3)3且含100％发烟氧化硅或100％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物3A及3E)的去除速率。此等结果证明以本发明的组合物达成去除速率下，结合化学加速剂与具有此处所述粒径特性的发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的混合物，以及发烟金属氧化物对磨蚀颗粒比例的重要性。
实施例4
本实施例说明表面平整或抛光过程中，本发明组合物中的磨蚀粒径的分布对表面去除速率极大化的重要性。
镍-磷硅片是以十九种均具有25wt％硝酸羟基胺(HAN)且总固成分浓度为4wt.％的不同组合物分别抛光，其中的固体包含不同浓度的发烟氧化硅(分别为组合物的1.6wt.％、2.4wt.％、及3.2wt.％，或总固成分的40wt.％、60wt.％、及80wt.％)、及不同浓度的缩合聚合的氧化硅(分别为组合物的2.4wt.％、1.6wt.％、及0.8wt.％，及总固成分的60wt.％、40wt.％、及20wt.％)，且缩合聚合的氧化硅具有不同相对浓度的公称20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合氧化硅颗粒(亦即，组合物的0wt.％、0.4wt.％、0.8wt.％、1.2wt.％、1.6wt.％及2.4wt.％)。所有组合物的pH值均约为3.5。发烟氧化硅是以Cab-O-SperseR SC-E发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合的氧化硅分别为1050、PR-4219及2329产品(Nalco)。公称20毫微米的缩合聚合氧化硅颗粒的平均粒径约为25毫微米，且σg值为1.20。公称40毫微米的缩合聚合氧化硅颗粒的平均粒径约为46毫微米，且σg值为1.22。公称80毫微米的缩合聚合氧化硅颗粒的平均粒径约为78毫微米，且σg值为1.16。缩合聚合的氧化硅为市售的材料，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，所得数据列于下表4中。
                                       表4
组合物     重量％发烟氧化硅     重量％公称20nm氧化硅     重量％公称40nm氧化硅     重量％公称80nm氧化硅  去除率[埃/分]
  4A1     3.2     0.8     0     0   1471
  4A2     3.2     0     0.8     0   1326
  4A3     3.2     0     0     0.8   1634
  4B1     2.4     1.6     0     0   1021
  4B2     2.4     0     1.6     0   1474
  4B3     2.4     0     0     1.6   1639
  4C1     1.6     2.4     0     0   826
  4C2     1.6     0     2.4     0   788
4C3 1.6 0 0 2.4 1123
  4D1     3.2     0.4     0.4     0   1748
  4D2     3.2     0.4     0     0.4   1855
  4D3     3.2     0     0.4     0.4   1685
  4E1     2.4     0.8     0.8     0   1324
  4E2     2.4     0.8     0     0.8   1283
  4E3     2.4     0     0.8     0.8   1484
  4F1     1.6     1.2     1.2     0   1207
  4F2     1.6     1.2     0     1.2   1242
  4F3     1.6     0     1.2     1.2   1143
  4G1     3.2     0.267     0.267     0.267   2002
由表4中所列的数据可明显的看出，包括硝酸羟基胺及含发烟氧化硅及缩合聚合氧化硅混合物固体的组合物所呈现的去除速率明显的随着缩合聚合氧化硅的粒径而变。此等结果证明本发明组合物中磨蚀颗粒粒径的分布会影响组合物的去除速率。
实施例5
本实施例说明本发明组合物中，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及比例，以及表面平整或抛光过程中，化学加速剂的存在对金属表面去除速率极大化的重要性。
以五种不同的组合物分别抛光钨层，所有组合物均具有4wt.％过氧化氢、0.005wt.％Fe(来自硝酸铁)、0.05wt.％甘氨酸、0.03wt.％丙二酸，且总固成分浓度为2wt.％，其中的固体包含不同浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、60wt.％、75wt.％、90wt.％及100wt.％)，及不同相对浓度的缩合聚合氧化硅(亦即100wt.％、40wt.％、25wt.％、10wt.％、及0wt.％)(测量的平均粒径约为40毫微米，σg＝1.22)。所有组合物的pH值均约为2.3。发烟氧化硅是以Cab-O-SilLM-150发烟氧化硅(Cabot公司)的水性分散液形式添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为PR-4291(Nalco)，其中公称40毫微米的缩合聚合氧化硅颗粒的平均粒径约为46毫微米，且σg值为1.22。使用抛光组合物后，测定各组合物的去除速率，结果列于表5中。
                         表5
  组合物   相对重量％发烟氧化硅   相对重量％缩聚氧化硅   去除速率[埃/分]
    5A     0     100     2062
    5B     60     40     2001
    5C     75     25     2046
    5D     90     10     2715
    5E     100     0     2234
由表5中所列的数据可明显的看出，具有含约90wt.％发烟氧化硅及10wt.％缩合聚合氧化硅的固体的组合物(组合物5D)所呈现的去除速率明显的优于具有含100wt.％发烟氧化硅或100wt.％缩合聚合氧化硅的组合物(组合物5A及5E)的去除速率。此等结果证明以本发明的组合物达成去除速率下，组合具有此处所述粒径特性的发烟金属氧化物与磨蚀颗粒，以及发烟金属氧化物对磨蚀颗粒比例的重要性。
实施例6
本实施例说明本发明组合物中，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及比例，以及表面平整或抛光过程中，组合化学加速剂对表面去除速率极大化的重要性。
镍-磷电镀的内存或硬盘是使用五种总固成分浓度为4wt.％的包括不同浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、1wt.％、2wt.％、3wt.％、及4wt.％)，及缩合聚合的氧化硅(亦即，4wt.％、3wt.％、2wt.％、1wt.％及0wt.％)(测量的平均粒径约为20毫微米，σg＝2.26)，1.5wt.％的第一种化学加速剂(亦即H2O2)及1wt.％的第二种化学加速剂(亦即甘氨酸)的不同组合物分别抛光。所有组合物的pH值均约为2.5。发烟氧化硅是以Cab-O-SperseR SC-1发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为BindzilR 50/80(Akzo-Nobel)，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，以及各组合物的相对移除，所得数据列于下表6中。
                                  表6
  组合物     重量％发烟氧化硅   重量％缩聚氧化硅   重量％H2O2 重量％甘氨酸  去除率[埃/分]
    6A     0     4     1.5     1     1676
    6B     1     3     1.5     1     2134
    6C     2     2     1.5     1     2388
    6D     3     1     1.5     1     2464
    6E     4     0     1.5     1     432
由表6中所列的数据可明显的看出，含H2O2、甘氨酸、及包括发烟氧化硅及缩合聚合氧化硅的混合物固体的组合物(组合物6B、6C及6D)所呈现的去除速率明显的优于含H2O2、甘氨酸及4wt.％发烟氧化硅或4wt.％缩合聚合氧化硅的组合物(组合物6A及6E)的去除速率。此等结果证明以本发明的组合物达成去除速率下，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及特定的比例，以及含二种或多种化学加速剂的重要性。
实施例7
本实施例说明本发明组合物中，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及比例，以及表面平整或抛光过程中，组合化学加速剂对表面去除速率极大化的重要性。
镍-磷电镀的内存或硬盘是使用五种总固成分浓度为4wt％的包括不同浓度的发烟氧化硅(亦即0wt.％、1wt.％、2wt.％、3wt.％、及4wt.％)，及缩合聚合的氧化硅(亦即，4wt.％、3wt.％、2wt.％、1wt.％及0wt.％)(测量的平均粒径约为20毫微米，σg＝2.26)，1.5wt％的第一种化学加速剂(亦即H2O2)及1wt.％的第二种化学加速剂(亦即三聚磷酸钠(STP))的不同组合物分别抛光。所有组合物的pH值均约为2.5。发烟氧化硅是以Cab-O-SperseR SC-1发烟氧化硅水性分散液的形式(Cabot公司)添加于组合物中。缩合聚合的氧化硅为BindzilR50/80(Akzo-Nobel)，其中其颗粒的90％或更多(数量)的粒径不超过100毫微米，且其颗粒的约90％或更多(数量)的粒径不低于约5毫微米。使用抛光组合物的后，测定各组合物的去除速率，以及各组合物的相对移除，所得数据列于下表7中。
                                表7
  组合物     重量％发烟氧化硅     重量％缩聚氧化硅   重量％H2O2    重量％STP   去除率[埃/分]
    7A     0     4     1.5     0.5     1702
    7B     1     3     1.5     0.5     1753
    7C     2     2     1.5     0.5     1930
    7D     3     1     1.5     0.5     2311
    7E     4     0     1.5     0.5     356
由表7中所列的数据可明显的看出，含H2O2、STP、及包括发烟氧化硅及缩合聚合氧化硅的混合物固体的组合物(组合物7B、7C及7D)所呈现的去除速率明显的优于含H2O2、STP及4wt.％发烟氧化硅或4wt.％缩合聚合氧化硅的组合物(组合物7A及7E)的去除速率。此等结果证明以本发明的组合物达成去除速率下，发烟金属氧化物与磨蚀颗粒的组合及特定比例，以及含二种或多种化学加速剂的重要性。
此处所列的所有参考，包含专利，专利申请案，及公告均在此处提出供参考。
当以强调优选具体实施例的方式描述本发明时，本领域普通技术人了解可使用优选具体实施例的变化体而且本发明可以不同于在此特地描述的方式实行本发明。因此本发明包含所有下列申请专利范围所定义的本发明精神及范围内所涵盖的变化。

Claims (26)

1.一种表面平整或抛光用的组合物，包括(a)液态载体，(b)化学加速剂，及(c)包括5-90wt％的发烟金属氧化物及10-95wt％的磨蚀颗粒的固体，其中90％或更多的磨蚀颗粒(以数目为基准)的粒径不大于100毫微米。
2.如权利要求1的组合物，其中固体的堆积密度至少为0.1。
3.如权利要求2的组合物，其中固体的堆积密度至少为0.3。
4.如权利要求1-3中任一项的组合物，其中的固体包括10-85wt％的发烟金属氧化物及15-90wt％的磨蚀颗粒。
5.如权利要求4的组合物，其中的固体包括15-75wt％的发烟金属氧化物及25-85wt％的磨蚀颗粒。
6.如权利要求1-5中任一项的组合物，其中的发烟金属氧化物为发烟氧化硅。
7.如权利要求1-6中任一项的组合物，其中的磨蚀颗粒为缩合聚合的氧化硅颗粒。
8.如权利要求1-7中任一项的组合物，其中95％或更多的磨蚀颗粒(数量)的粒径不大于100毫微米。
9.如权利要求8的组合物，其中98％或更多磨蚀颗粒(数量)的粒径不大于100毫微米。
10.如权利要求9的组合物，其中实质上所有磨蚀颗粒(数量)的粒径均不大于100毫微米。
11.如权利要求1-10中任一项的组合物，其中90％或更多磨蚀颗粒(数量)的粒径不小于5毫微米。
12.如权利要求11的组合物，其中95％或更多磨蚀颗粒(数量)的粒径不小于5毫微米。
13.如权利要求12的组合物，其中98％或更多磨蚀颗粒(数量)的粒径不小于5毫微米。
14.如权利要求13的组合物，其中实质上所有磨蚀颗粒(数量)的粒径均不小于5毫微米。
15.如权利要求1-14中任一项的组合物，其中磨蚀颗粒的磨蚀颗粒粒径分布的特性为数量几何标准偏差(σg)至少1.3。
16.如权利要求1-15中任一项的组合物，其中固体的含量为浓度占组合物的0.1至40wt％。
17.如权利要求1-16中任一项的组合物，其中的载体为水。
18.如权利要求1-17中任一项的组合物，其中的化学加速剂为硫酸盐、过硫酸盐或硝酸盐。
19.如权利要求18的组合物，其中的化学加速剂是选自过硫酸铵、硝酸铁(III)、及硝酸羟基胺。
20如权利要求1-19中任一项的组合物，其中的组合物包括二种或多种化学加速剂。
21.如权利要求20的组合物，其中的组合物包括氧化剂及配合剂。
22.如权利要求21的组合物，其中的配合剂是选自含胺的化合物、磷酸盐离子源、膦酸盐离子源、羧酸盐及其组合物。
23.如权利要求22的组合物，其中的组合物包括过氧化氢或甘氨酸。
24一种表面平整或抛光的方法，包括使表面与如权利要求1-23中任一项的组合物接触。
25.如权利要求24的方法，其中表面为内存或硬盘的表面。
26.如权利要求25的方法，其中内存或硬盘的表面为镍-磷表面。
CNB008157227A 1999-11-15 2000-11-15 平整表面的组合物及方法 Expired - Fee Related CN1160430C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/440,401 US6293848B1 (en) 1999-11-15 1999-11-15 Composition and method for planarizing surfaces
US09/440,401 1999-11-15
US09/625,142 2000-07-25
US09/625,142 US6527817B1 (en) 1999-11-15 2000-07-25 Composition and method for planarizing surfaces

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1399668A CN1399668A (zh) 2003-02-26
CN1160430C true CN1160430C (zh) 2004-08-04

Family

ID=27032408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008157227A Expired - Fee Related CN1160430C (zh) 1999-11-15 2000-11-15 平整表面的组合物及方法

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6527817B1 (zh)
EP (1) EP1250390B1 (zh)
JP (1) JP4943613B2 (zh)
KR (1) KR100732078B1 (zh)
CN (1) CN1160430C (zh)
AT (1) ATE258577T1 (zh)
AU (1) AU1660001A (zh)
DE (1) DE60008025T2 (zh)
HK (1) HK1050377A1 (zh)
TW (1) TW524836B (zh)
WO (1) WO2001036554A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826072B1 (ko) * 2000-05-12 2008-04-29 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 연마용 조성물
US6468137B1 (en) 2000-09-07 2002-10-22 Cabot Microelectronics Corporation Method for polishing a memory or rigid disk with an oxidized halide-containing polishing system
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
WO2003020839A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Showa Denko K.K. Polishing composition
US6755721B2 (en) 2002-02-22 2004-06-29 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys
US20040144038A1 (en) * 2002-12-09 2004-07-29 Junaid Ahmed Siddiqui Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization
US7422730B2 (en) 2003-04-02 2008-09-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Nanoporous ultrafine α-alumina powders and sol-gel process of preparing same
US7306748B2 (en) 2003-04-25 2007-12-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods for machining ceramics
US8025808B2 (en) 2003-04-25 2011-09-27 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods for machine ceramics
PL1660606T3 (pl) * 2003-07-11 2014-02-28 Grace W R & Co Cząstki materiału ściernego do chemicznego mechanicznego polerowania
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
JP4249008B2 (ja) * 2003-12-25 2009-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4267546B2 (ja) 2004-04-06 2009-05-27 花王株式会社 基板の製造方法
JP4027929B2 (ja) * 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US7708904B2 (en) 2005-09-09 2010-05-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conductive hydrocarbon fluid
US8353740B2 (en) 2005-09-09 2013-01-15 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conductive hydrocarbon fluid
KR20070041330A (ko) * 2005-10-14 2007-04-18 가오가부시끼가이샤 반도체 기판용 연마액 조성물
EP2121244B1 (en) 2006-12-20 2013-07-10 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods for machining inorganic, non-metallic workpieces
KR101418626B1 (ko) * 2007-02-27 2014-07-14 히타치가세이가부시끼가이샤 금속용 연마액 및 연마방법
CN101815771A (zh) * 2007-10-05 2010-08-25 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 改进的碳化硅颗粒及其制造方法和使用方法
CA2700413A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing of sapphire with composite slurries
US8523968B2 (en) * 2008-12-23 2013-09-03 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive article with improved packing density and mechanical properties and method of making
US20120264303A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry, system and method
JP5945123B2 (ja) * 2012-02-01 2016-07-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2013247341A (ja) 2012-05-29 2013-12-09 Fujimi Inc 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及びデバイス製造方法
MA35300B1 (fr) * 2013-01-18 2014-08-01 Univ Hassan 1Er Settat Optimisation des phosphates pour les traitements de surface et les opérations de polissage
CN105378901B (zh) * 2013-07-05 2020-09-15 富士胶片电子材料有限公司 蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液
US20150114928A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Jia-Ni Chu Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing
US9551075B2 (en) * 2014-08-04 2017-01-24 Sinmat, Inc. Chemical mechanical polishing of alumina
TWI629325B (zh) * 2014-10-21 2018-07-11 卡博特微電子公司 鈷凹陷控制劑
US10253216B2 (en) * 2016-07-01 2019-04-09 Versum Materials Us, Llc Additives for barrier chemical mechanical planarization
US11286403B2 (en) 2018-07-20 2022-03-29 Dongjin Semichem Co., Ltd Chemical mechanical polishing composition, chemical mechanical polishing slurry and method for polishing substrate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057939A (en) 1975-12-05 1977-11-15 International Business Machines Corporation Silicon wafer polishing
US4169337A (en) 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
US4304575A (en) 1980-03-20 1981-12-08 Nalco Chemical Company Preparation of large particle silica sols
US4462188A (en) 1982-06-21 1984-07-31 Nalco Chemical Company Silica sol compositions for polishing silicon wafers
US4954142A (en) 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
JP2877440B2 (ja) * 1989-06-09 1999-03-31 ナルコ ケミカル カンパニー コロイド状シリカ研磨性スラリー
US4959113C1 (en) 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
US5137544A (en) 1990-04-10 1992-08-11 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5228886A (en) 1990-10-09 1993-07-20 Buehler, Ltd. Mechanochemical polishing abrasive
US5264010A (en) 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5575837A (en) * 1993-04-28 1996-11-19 Fujimi Incorporated Polishing composition
BE1007281A3 (nl) 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze.
US5340370A (en) 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
US5605490A (en) 1994-09-26 1997-02-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of polishing langasite
US5693239A (en) 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
JP3359479B2 (ja) 1995-11-07 2002-12-24 三井金属鉱業株式会社 研磨材、その製造方法及び研磨方法
DE69611653T2 (de) 1995-11-10 2001-05-03 Tokuyama Corp Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH09190626A (ja) 1995-11-10 1997-07-22 Kao Corp 研磨材組成物、磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体
JP3514908B2 (ja) 1995-11-13 2004-04-05 株式会社東芝 研磨剤
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
JP4052607B2 (ja) * 1998-04-20 2008-02-27 株式会社東芝 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法
US6159076A (en) * 1998-05-28 2000-12-12 Komag, Inc. Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface
US6132298A (en) 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
JP2000160139A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6293848B1 (en) * 1999-11-15 2001-09-25 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for planarizing surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
DE60008025T2 (de) 2004-06-09
HK1050377A1 (en) 2003-06-20
US6716755B2 (en) 2004-04-06
US6527817B1 (en) 2003-03-04
WO2001036554A1 (en) 2001-05-25
CN1399668A (zh) 2003-02-26
JP2003514949A (ja) 2003-04-22
EP1250390B1 (en) 2004-01-28
KR20020056913A (ko) 2002-07-10
AU1660001A (en) 2001-05-30
KR100732078B1 (ko) 2007-06-27
JP4943613B2 (ja) 2012-05-30
DE60008025D1 (de) 2004-03-04
EP1250390A1 (en) 2002-10-23
TW524836B (en) 2003-03-21
ATE258577T1 (de) 2004-02-15
US20030124852A1 (en) 2003-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1160430C (zh) 平整表面的组合物及方法
CN1162490C (zh) 平整表面的组合物及方法
CN1157450C (zh) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
CN1171963C (zh) 用于化学机械抛光的组合物
US7037351B2 (en) Non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
US6508952B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
JP5957292B2 (ja) 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
KR101371939B1 (ko) 질화규소의 연마를 위한 조성물 및 방법
CN1343750A (zh) 抛光剂组合物
CN1306560A (zh) 含固体催化剂的cmp淤浆
JP5333744B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法
JP2010041027A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
EP1069168B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
GB2410030A (en) Polishing composition and polishing method
JP4743941B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体
CN1757699A (zh) 减少微擦痕且利于金属氧化物的去除的金属cmp浆料组合物
CN100475927C (zh) 半导体芯片化学机械研磨剂及其配制方法
JP2010258416A (ja) 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
JP2010028079A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
CN1263923A (zh) 抛光组合物
JP5333742B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028078A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5413569B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010041024A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2003218069A (ja) 半導体デバイス製造に用いる、シリコンを選択的に研磨することができる研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1050377

Country of ref document: HK

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040804

Termination date: 20111115