CN1145840C - 液晶表示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在形成TFT的绝缘性基板上层叠保护膜和树脂层，在树脂层上形成接触孔后，进行蚀刻处理除去接触孔下方的保护膜，在接触孔领域使象素显示电极与漏电极接触，形成液晶显示装置。在接触孔领域的漏电极形成面临下层的切口部。当形成应该形成TFT的TFT部岛状半导体层时，也在接触孔领域形成孔部岛状半导体层。这样，即可提供一种在象素显示电极上产生阶梯切削时也可避免在象素显示电极上产生断线的液晶显示装置的制造方法。

Description

液晶表示装置及其制造方法
本发明涉及使用形成薄膜晶体管(以下称为TFT(Thin Film Transistor))的有源矩阵基板驱动液晶的液晶显示装置及其制造方法。
以前将TFT作为开关元件使用的液晶显示装置，如图14所示，在玻璃基板101上设置由同一工序形成的栅电极102、与该栅电极连接的栅极布线(图中未示出)、以及源极信号输入端子103。
除了在源极信号输入端子103上形成的端子部接触孔104以外，在整个玻璃基板101上形成了栅极绝缘膜105。在栅电极102上，通过栅极绝缘膜105，配置非晶质硅半导体层(以下称为a-Si层)106、非晶质半导体层(以下称为n+a-Si层)107。n+a-Si层107是添加了杂质的非晶质硅半导体层，是用于对a-Si层)106和后述的源电极及漏电极进行欧姆连接的而设置的电阻接触层。
在上述a-Si层106和n+a-Si层107上设置源电极108和漏电极109，并且，与源电极108一体的源极布线110也由同一工序形成。
由上述配置的栅电极102、a-Si层106、n+a-Si层107、源电极108、以及漏电极109构成TFT111。
除去端子部接触孔104部分和设置在漏电极109上的显示部接触孔112部分以外，还设置了用于保护源极布线110和TFT111一部分的保护膜113和树脂层114。
由于连接电极115粘附在源极信号输入端子103部分，通过端子部接触孔104，源极布线110和源极信号输入端子103连接。同样，通过显示部接触孔112，显示电极层116和漏电极109连接。
上述以前的液晶显示装置，由以下所示①～⑧工序制造。
①首先，在洗净的玻璃基板101上用喷镀法等形成由钛(Ti)、铝(Al)、或者铬(Cr)等组成的金属薄膜。在该金属薄膜上涂敷光刻度，经过曝光、显影制成掩膜，再使用进行蚀刻的光刻技术，同时形成栅有102、与该栅电极102连接的栅极布线、以及源极信号输入端子103。
②用P-CVD法，使用SiH4/NH3/N2气体，形成作为栅极绝缘膜105的SiNx膜。
③在栅极绝缘膜105上，用P-CVD法，使用SiH4/H2，形成a-Si膜。同样用P-CVD法使用PH3混合的SiH4/H2。形成n+a-Si膜。此后，用光刻技术等方法，使a-Si层106和n+a-Si层107形成图案。
④形成Al/Ti等的我层构造金属薄膜，用光刻法等方法使该金属薄膜形成图案，从而形成源电极108、漏电有109、以及源极布线110。
⑤用P-CVD法，使用SiH4/NH3/N2气体，形成作为栅极绝缘膜113的SiNx膜。
⑥在保护膜113上，使用光刻法等，使具有第2保护膜作用的树脂层114形成图案，再进行加热处理等使树脂硬化。在该阶段，在树脂层114上形成端子部接触孔104和显示部接触孔112。
⑦在端子部接触孔104，将源极布线110树脂层114作为掩模，同时蚀刻除去栅极绝缘膜105和保护膜113。另外，在⑥工序时形成的显示部接触孔112，由于漏电极109成为蚀刻限制器，则其下的栅极绝缘膜105残留下来了。
⑧形成连接电极115和显示电极116。
另外，如图15(a)和图15(b)所示，在其他液晶显示装置中，在玻璃等绝缘性基板201上设置栅极信号输入端子202a和栅电极202b被一体形成的栅极布线202、辅助电容布线204、与该辅助电容布线204连接的辅助电容电极204b和辅助电容信号输入端子204a。
在它们的上层，通过栅极绝缘膜207形成了由非晶质硅半导体层组成的a-Si层208a、在该a-Si层208a和源电极209b及漏电极210之间添加了用于实现欧姆连接的磷(P)等杂质的非晶质硅半导体层的n+a-Si层208b。
在上述半导体的a-Si层208a和n+a-Si208b上覆盖了未图示的Al/Ti等的多层构造膜后，形成源电极209b、漏电极210、及其总线布线的源极布线209。由上述源极布线209、与该源极布线209一体的源电极209b和源极信号输入端子209c、漏电极210形成TFT211。
由于将保护源极布线209和TFT211的SiN等的绝缘性膜组成的保护膜层212，以及由具有绝缘性的感光性丙烯系列树脂等组成的树脂绝缘膜213顺序层叠，形成由2层构造组成的保护层。
在曝兆工序中使用所定的掩模，使由上述感光性丙烯系列树脂等组成的树脂绝缘膜213感光，经过显影工序，在树脂绝缘膜213上形成接触孔215，与此同时，除去源极信号输入端子209c、栅极信号输入端子202a、辅助电容信号输入端子204a上的树脂绝缘膜213。
将上述已形成图案的树脂绝缘膜213用于蚀刻处理时的掩膜，同时除去上述接触孔215基底部的保护膜层212和上述源极信号输入端子209c、栅极信号输入端子202a、辅助电容信号输入端子204a上的保护膜层212。
同样，将已形成图案的树脂绝缘膜213用于蚀刻处理时的掩模，除去栅极信号输入端子202a、辅助电容信号输入端子204a上的栅极绝缘膜207。
形成用于向设置在树脂绝缘膜213的接触孔215内以及在整个树脂绝缘膜213表面形成的液晶上外加电压的象素显示电极214，对接触孔215基底部的漏电极210进行电连接。
但是，在上述已有的液晶表示装置的制造方法中，存在如下问题。
如图14所示构成的液晶表示装置，在其制造方法的上述⑦工序中，当同时对栅极绝缘膜105和保护膜113进行蚀刻时，由于起掩模作用的源极布线110未完全被蚀刻，则配置在源极布线110下面的栅极绝缘膜105，有选择地迅速被蚀刻。因此，变成栅极绝缘膜105进入到源极布线110下面的状态(倒园锥形状)，在⑧工序形成连接电极115时，则将产生图6所示的连接电极115的阶梯切削部117。由于该阶梯切削部117，将引发源极信号输入端子103和源极布线110的连接不良的问题。
另外，在图15(a)和图(15b)所示的液晶表示装置的制造方法中，作为掩模的树脂绝缘膜213和保护膜层212的蚀刻速度是树脂绝缘膜213的蚀刻速度＜保护膜层212的蚀刻速度的关系，而且，在漏电极210的蚀刻速度是保护膜层121的1/10以下的情况下，在对栅极信号输入端子202a和辅助电容信号输入端子204a部分的栅极绝缘膜207进行蚀刻期间，接触孔215内部的蚀刻，停止向下方向进行，而进行横方向的蚀刻，上述保护膜层212被蚀刻到达树脂绝缘膜213的背面，产生倒圆锥形状217。
其结果是在这种状态下，在其后形成的象素显示电极214被阶梯切削，将产生不能进行象素显示电极214的电连接的问题。
本发明的目的是提供一种液晶表示装置及其制造方法，在与接触孔内的连接部分连接的电极上产生阶梯切削时，也可以避免电极断线。
为了达到上述目的，本发明的液晶显示装置包含在基板上设置的输入外部信号的端子部、在上述端子部上设置的绝缘层、与设置在每个象素的薄膜开关元件的电极连接的膜状布线、与设置在接触孔的上述端子部和上述布线的端部分别连接的连接导电膜，在上述布线和上述绝缘层之间设置半导体层，上述绝缘层、上述半导体层、以及上述布线的上述端部，按深度顺序在上述接触孔上突出。
在绝缘层形成接触孔时，例如将上述布线作为掩模使用，考虑了蚀刻除去接触孔形成位置的绝缘层的情况。一般来说，布线都由不能被在绝缘层蚀刻时使用的气体等蚀刻的材料形成。这时，如果不设置上述半导体层，则由于在接触孔形成工序时的蚀刻，位于布线下部的绝缘层将迅速有选择地被蚀刻。因此，绝缘层的图案端部形成倒圆锥形状。
为此，在本发明的构成中，在上述绝缘层和上述布线的端部之间形成上述半导体层。例如，上述半导体层由比上述绝缘层蚀刻速度慢的材料组成，在将上述布线作为掩模的蚀刻处理工序中，仅上述绝缘层不被蚀刻，上述半导体层也被慢速蚀刻。因此，上述绝缘层不会迅速地有选择蚀刻。所以，可使绝缘层的图案端部形成顺圆锥形状。
这样，在用连接导电膜通过上述接触孔连接上述端子部和上述布线的端部时，该连接导电膜在绝缘层的图案端部没有阶梯切削，连接的可靠性提高了。
为了达到上述目的，本发明的液晶显示装置的制造方法包含：在绝缘性基板上形成由金属膜构成的端子部和栅电极的第1工序；形成覆盖上述端子部和栅电极的绝缘层的第2工序；在上述端子部的连接端部上和上述栅电极上形成半导体膜和电阻接触膜，使上述端子部上由该半导体和电阻接触膜构成的膜形成图案，而且使上述栅电极上的薄膜晶体管的半导体工作层形成图案的第3工序；形成布线以使该布线的连接端部配置在上述膜上的第4工序；将上述布线作为掩模，蚀刻除去上述绝缘层，形成接触孔的第5工序、通过上述接触孔由连接导电膜连接上述布线和上述端子部的第6工序。
上述方法中，在形成薄膜晶体管的半导体工作层的工序时，可在端子部的连接部上使栅极绝缘膜介于中间地形成膜。也就是说，由于可与薄膜晶体管的半导体工序层同一工序形成膜，则不必增加膜形成的工序数。
这样，不增加工序数，即可容易地用连接导电膜准确连接上述端子部和上述布线的连接端部，提高连接的可靠性。
另外，当在绝缘层形成接触孔时，在将布线作为掩模使用，蚀刻除去接触孔形成位置的绝缘层的情况下，一般来说，布线都由不能被绝缘层蚀刻时使用的气体等蚀刻的材料形成。这时，如果不设置上述膜，则由于接触孔形成工序时的蚀刻，位于布线下部的绝缘层将迅速地有选择地被蚀刻。因此，绝缘层的图案端部为倒圆锥形状。
为此，在上述方法中，在上述绝缘层和上述布线的连接端部之间，例如可将由蚀刻速度比上述绝缘层慢的材料形成的膜，从布线的连接端部引出到接触孔内侧。因此，在将布线作为掩模的蚀刻处理工序中，仅上述绝缘层不被蚀刻，上述膜也被慢速蚀刻。这样，上述绝缘层不会迅速地有选择地被蚀刻。所以，可使绝缘层的图案端部形成顺圆锥形状。
这样，在用连接导电膜通过上述接触孔连接上述端子部和上述布线的连接端部时，该连接导电膜在绝缘层的图案端部没有阶梯切削，连接的可靠性提高了。
其结果是可提供一种液晶显示装置的制造方法，在象素显示电极上产生阶梯切削时，也可以避免在象素显示电极上产生断线。
本发明的液晶显示装置的制造方法，在形成应该形成薄膜晶体管的第一半导体层时，形成在接触孔领域的第二半导体层，从而形成具有该第一半导体层和含有用于象素的转换的面临源电极和接触孔领域下层的贯通孔或切口部的漏电极的薄膜晶体管，在其上层叠保护膜层和树脂绝缘膜，在该树腊绝缘膜上形成接触孔以后，蚀刻处理除去该接触孔下方的上述保护膜层，在该接触孔领域可以与上述漏电极接触地形成用于向液晶外加电夺的象素显示电极。
上述发明中，在制造液晶显示装置时，首先，形成具有用于象素的转换的源电极和漏电极的薄膜晶体管。接着，在其上层叠保护膜层和树脂绝缘膜，在该树脂绝缘膜上形成接触孔。此后，蚀刻处理除去该接触孔下方的上述保护膜层，在该接触孔领域与上述漏电极接触地形成用于向液晶外加电压的象素表示电极。
以前，在对接触孔下方的保护膜层进行蚀刻处理时，在其下侧的漏电极处停止蚀刻，蚀刻方向横向移动，保护膜层的蚀刻将越过接触孔领域。
其结果是在该接触孔从上开始堆积象素显示电极时，在接触孔的基底部，由于堆积导电材料分散在保护膜层领域，则在象素显示电极产生阶梯切削，存在不能进行象素显示电极的电连接的问题。
然而，在本发明中，在接触孔领域的漏电极，形成面临下层的贯通孔或切口部。此后，在形成应该形成薄膜晶体管的第一半导体层时，也在接触孔领域形成第二半导体层。该第二半导体层是作为替代物形成的。
也就是说，由于在形成应该形成薄膜晶体管的第一半导体层时，也在接触孔领域形成第二半导体层，则当对保护膜层进行蚀刻处理时，在接触孔基底部，从上面开始顺序层叠保护膜层、形成了贯通孔或切口部的漏电极、第二半导体层。
在对保护膜层进行蚀刻处理时，首先，保护膜层被蚀刻，接着，由于蚀刻方向朝着容易蚀刻的第二半导体层，则可避免向保护膜层横方向的蚀刻，形成顺圆锥形状。
因此，在蚀刻处理以后，堆积象素显示电极的导电材料时，导电材料不发生阶梯切削。
其结果是可以提供一种液晶显示装置的制造方法，在象素显示电极产生阶梯切削时，也可以避免在象素显示电极发生断线。
本发明的液晶显示装置的制造方法由以下工序组成：在绝缘性基板上形成栅极线、与该栅级线连接的栅电极、辅助电容线、与该辅助电容线连接的辅助电容电极的工序；在上述栅极线、栅电极、辅助电容线以及辅助电容电极上形成栅极绝缘膜的工序；在上述栅电极的上方，通过栅极绝缘膜，形成将a-Si层和n+a-Si层予以层叠的第一半导体层，与此同时，在辅助电容电极的上方，通过栅极绝缘膜，形成将将a-Si层和n+a-Si层予以层叠的第二半导体层的工序；对于上述栅电极上方的第一半导体层，形成各一端分别被层叠的源电极和漏电极以及与该源电极连接的源极线，同时，对于上述辅助电容电极上方的第二半导体层，形成另一端层叠的该漏电极，而且此时在该另一端形成贯通孔或切口部的工序；将具有上述贯通孔或切口部的漏电极作为掩模，进行蚀刻处理除去上述辅助电容电极上方的第二半导体层的n+a-Si层的工序；与在上述辅助电容电极上方的第二半导体层的n+a-Si层的蚀刻处理的同时，将在上述栅电极上方的第一半导体层上各一端分别层叠的源电极和漏电极作为掩模，进行蚀刻处理分离该第一半导体层的n+a-Si层的工序、在整个上述基板上形成保护膜层的工序；在上述保护膜层上形成树脂绝缘膜的工序；在上述树脂绝缘膜上形成在上述辅助电容电极上方的漏电极的贯通孔或切口部的图案横穿的接触孔，与此同时，除去源极信号输入端子、栅极输入信号端子和辅助电容输入端子上的树脂绝缘膜的工序；将上述已形成图案的树脂绝缘膜和上述接触孔内的漏电极的贯通孔或切口部的图案作为蚀刻掩模，同时蚀刻除去上述源极信号输入端子、栅极输入信号端子和辅助电容输入端子上的保护膜层以及接触孔基底部的保护膜层的工序；对上述栅极信号输入端子和辅助电容信号输入端子上的栅极绝缘膜进行蚀刻，除去上述栅极信号输入端子上的栅极绝缘膜，与此同时，对在由上述漏电极的贯通孔或切口部和接触孔包围的领域露出的上述第二半导体层的a-Si层同时进行蚀刻的工序。
在树脂绝缘膜的接触孔的内侧，在漏电极上形成横穿该接触孔的贯通孔或切口部，在漏电极和其下层的栅极绝缘膜之间形成第二半导体层，该第二半导体层，由于保护膜层和漏电极的蚀刻选择性具有中间的性质，则蚀刻在下方的第二半导体层进行，而不向横方向扩展。
因此，经过蚀刻处理，在接触孔基底部，得到了顺圆锥形状，在接触孔内和树脂绝缘膜表面形成象素显示电极时，可以防止象素显示电极在接触孔内的阶梯切削。
本发明的进一步的目的、特征、优点可从以下的记载中充分了解。并且，本发明的好处也可在参照附图的下述说明中更加明白。
图1(a)是表示本发明一个实施例的液晶显示装置的TFT阵列基板构成的平面图。
图1(b)是图1(a)的X-X′线断面图。
图2(a)～图2(d)是表示图1的液晶显示装置的TFT阵列基板的工序图。
图3是表示图1(a)的液晶显示装置的岛状半导体层的形状是环形时的TFT阵列基板构成的平面图。
图4是表示图1(a)的液晶表示装置的岛状半导体层的形状是U字形时的TFT阵列基板构成的平面图。
图5(a)是表示向图1(a)的液晶显示装置的岛状半导体层的端子部接触孔内的延续部分的面积大时的说明图。
图5(b)是表示向图1(a)的液晶显示装置的岛状半导体层的端子部接触孔内的延续部分的面积小时的说明图。
图6(a)是表示本发明的其他实施例的液晶显示装置的构成的平面图。
图6(b)是图6(a)的Y-Y′线断面图。
图7(a)是图6(a)的D-D′线附近的平面图。
图7(b)是图6(a)的D-D′线断面图。
图8(a)表示在图6(a)的液晶显示装置的绝缘性基板上形成栅电极的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图8(b)表示在图6(a)的液晶显示装置的绝缘性基板上形成栅电极的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图8(c)示在图6(a)的液晶显示装置的绝缘性基板上形成栅电极的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图8(d)表示在图6(a)的液晶显示装置的绝缘性基板上形成栅电极的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图9(a)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT部岛状半导体层和孔部岛状半导体层的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图9(b)示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT部岛状半导体层和孔部岛状半导体层的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图9(c)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT部岛状半导体层和孔部岛状半导体层的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图9(d)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT部岛状半导体层和孔部岛状半导体层的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图10(a)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图10(b)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图10(c)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图10(d)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的TFT的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图11(a)示到形成图6(a)的液晶显示装置的树脂层的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图11(b)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的树脂层的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图11(c)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的树脂层的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图11(d)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的树脂层的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图12(a)表示到蚀刻处理形成图6(a)的液晶显示装置的接触孔的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图12(b)表示到蚀刻处理形成图6(a)的液晶显示装置的接触孔的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图12(c)表示到蚀刻处理形成图6(a)的液晶显示装置的接触孔的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图12(d)表示到蚀刻处理形成图6(a)的液晶显示装置的接触孔的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图13(a)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的象素显示电极的制造工序，是图6(a)的A-A′线断面图。
图13(b)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的象素显示电极的制造工序，是图6(a)的B-B′线断面图。
图13(c)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的象素显示电极的制造工序，是图6(a)的C-C′线断面图。
图13(d)表示到形成图6(a)的液晶显示装置的象素显示电极的制造工序，是图6(a)的D-D′线断面图。
图14是表示已有一个液晶显示装置构成的断面图。
图15(a)是表示已有的一个液晶显示装置构成的平面图。
图15(b)是图15(a)的Z-Z′线断面图。
实施例1
下面，根据图1至图5说明本发明的一个实施例。
图1(a)是表示本实施例的液晶显示装置的薄膜晶体管(以下称为「TFT：ThinFilm Transistor」)阵列基板(基板)的构成的平面图，图1(b)是图1(a)的X-X′线断面图。
如图1(a)、图1(b)所示，上述液晶显示装置具有TFT阵列基板，该基板由在由玻璃等构成的绝缘性基板1上形成的栅极布线2；与该栅极布线2正交的源极布线(布线)3；与栅极布线2连接，将来自外部的信号供给栅级布线2的栅极信号输入端子2a；将来自外部驱动电路的信号供给源极布线3的源极信号输入端子部5；由矩阵状设置在各象素的作为开关元件的TFT6以及分别与该TFT6连接的ITO(Indium Tin Oxide)组成的象素显示电极7(图中用二点划线表示)等构成。
在栅极布线2上，与该栅极布线2为同一直线上设置的栅电极2b设置在每个象素上，分别与TFT6连接。而且，栅极布线2分别与栅极信号输入端子2a连接，将来自栅极侧驱动电路(图中未示出)的信号供给栅极布线2。栅极布线2和栅电极2b由Ti、Al、Cr等导电体组成的单层或多层金属薄膜形成。
在源极布线3上，在每个象素从该源极布线3分支设置源电极3b，分别与TFT6连接。而且，源极布线3与源极信号输入端子部5连接，将来自源极侧驱动电路(图中未示出)的信号供给源极布线3。源极布线3和源电极3b由Ti、Al、Cr等导电体组成的单层或多层金属薄膜形成。
下面说明源极信号输入端子部5的具体构成。首先，与棚极布线2和栅电极2b为同一材料构成的源极信号输入端子(端子部)10被配置在绝缘性基板1上。在该源级信号输入端子10和源极布线3相互重叠部分(连接部分)的该源极信号输入端子10和源极布线3之间，设置岛状半导体层(膜、半导体层)11。该岛状半导体层11由下层11a和上层11b构成。下层11a由与构成TFT6的后述的a-Si层相同材料构成，上层11b由与构成TFT6的后述n+a-Si层相同材料构成。源极信号输入端子部5由后述的保护膜覆盖，在该保护膜上，为了用与象素显示电极7相同材料构成的连接电极(连接导电膜)13(图中用二点划线表示)连接连接部分的源极布线3和源极信号输入端子10，设置端子部接触孔(接触孔)12。
象素显示电极7通过设置在与TFT6连接的漏电极4上的保护膜19的显示部接触孔15，与漏电极4连接。
在图1(a)中，为了易表清楚地表示本实施例的液晶表示装置的构成，省略了保护膜19。
下面，根据图1(b)，对TFT6和源极信号输入端子部5的更详细的构成，予以说明。
首先，说明TFT6。在绝缘性基板1上设置的栅电极2b上面，通过SiNx构成的栅极绝缘膜(绝缘层)16，配置非晶质硅半导体层(以下称为a-Si层)8以及非晶质半导体层(以下称为n+a-Si层)9。n+a-Si层9是添加了杂质的非晶质硅半导体层，在本实施例中是掺杂了杂质磷(p)，是为了与a-Si层8和源电极3b以及漏电极4进行欧姆连接而设置的有电阻接触层。
在上述n+a-Si层9上，分别设置源电极3b和漏电极4。该漏电极4与源电极3b同样都由Ti、Al、Cr等的金属薄膜构成。
在源电极3b和漏电极4上设置了由SiNx构成的保护膜14。
另一方面，在源极信号输入端子部5，在配置于绝缘性基板1上的源极信号输入端子10的连接端部10a上设置了栅极绝缘膜16，在该栅极绝缘膜16上，配置了由与a-Si层8相同材料构成的岛状半导体层11的下层11a以及由与n+a-Si层9相同材料构成的岛状半导体层11的上层11b。如上所述，该岛状半导体层11被配置在与源极信号输入端子10连接时使用的源极布线3的连接端部的下部。
源极信号输入端子部5上覆盖保护膜14。图1(b)是端子部接触孔12部分的断面图，源极布线3上无保护膜14，通过该端子部接触孔12配置着与源极信号输入端子10连接的连接电极13。由该连接电极13连接源极信号输入端子10和源极布线3。
源极布线3从端子部接触孔12的外周开始在该端子部接触孔12内延续0.5～10μm，而希望上述岛状半导体层11的尺寸是从该源极布线3开始在端子部接触孔12内再延续0.5～10μm。
下面，根据图2(a)至图2(d)，对本实施例的液晶显示装置的制造方法予以说明。
①首先，在洗净的绝缘性基板1上，用溅射法形成由Ti、Al、Cr等导电体构成的金属薄膜(单层膜或多层膜)。接着，在该金属薄膜上涂敷感光胶，经过曝光、显影，制成掩模，用光刻技术进行蚀刻，同时形成栅电极2b、与该栅电极2b连接的栅极布线2、与该栅极布线2连接的栅极信号输入端子2a、以及在以后工序中与源极布线3连接的源极信号输入端子10。
在形成栅极布线2等的金属薄膜最上层，例如当后述的栅极绝缘膜16的端子部接触孔12和显示部接触孔15形成时，从对表面的蚀刻损伤强度来看，希望采用对例如TiN、Ti、Cr等的CF4/O2混合气体耐蚀刻性优良的金属。
②用P-CVD法，使用SiH4/NH3/N2气体，形成作为栅极绝缘膜16的SiNx。
③在栅极绝缘膜16上，用P-CVD支，使用SiH4/H2，形成a-Si膜(半导体膜)。同样，用P-CVD以，例如使用PH3混合0.5％的SiH4/H2，形成作为有电阻接触膜的n+a-Si膜。此后，用光刻法等，在显示区域内按所定形状(岛状或带状)使a-Si层8和n+a-Si层9形成图案。
在工序①中形成岛状的源极信号输入端子10的连接端部10a上部，在端子部接触孔12内侧比源极布线3延续0.5～10μm的岛状半导体层11，按上述a-Si膜和n+a-Si膜形成图案。在该阶段，栅极绝缘膜16全面形成，并残存在源极信号输入端子10上(参照图1(a))。
④用溅射法等形成由Ti、Al、Cr等导体构成的金属薄膜(单层膜或多层膜)，用光刻法等使该金属薄膜形成图案，从而形成源电极3b、漏电极4、以及源极布线3。
⑤用P-CVD法，使用SiH4/NH3/N2气体，形成作为保护膜14的SiNx(参照图2(b))。
⑥在保护膜14上，用光刻法等方法，使起第2保护膜作用的树脂层17形成图案，进行加热处理等使树脂硬化。在该阶段，在树脂层17形成端子部接触孔12和显示部接触孔15(参照图2(c))。
⑦例如用RIE方式的干蚀刻法，使用CF4/O2混合气体，将源极布线3和树脂层17作为掩模，同时蚀刻除去栅极绝缘膜16和保护膜14。这时，如图2(d)所示，在⑥工序时形成于树脂层17的显示部接触孔15，由于漏电极4为蚀刻限制器，则其下面的栅极绝缘膜16残废存下来。另一方面，同样在⑥工序时形成于树脂层17的端子部接触孔12，未配置从该端子部接触孔2向内部延续0.5～10μm的源极布线3(起掩模作用)部分的栅极绝缘膜16，由蚀刻除去。
⑧用溅射法等方法形成ITO膜，用光刻法等方法使该ITO膜形成图案，从而形成象素显示电极7和连接电极13。
本实施例的液晶显示装置，如上所述，在源极信号输入端子部5，由于在栅极绝缘膜16上设置了比该栅极绝缘模16更难于蚀刻(蚀刻速度比为栅极绝缘膜16的1/2～1/20的岛状半导体层11，以便从源极布线3端部向端子部接触孔12内延续0.5～10μm，则可使源极布线3下的栅极绝缘膜16形成顺圆锥形状。这样，连接电极13不会成为阶梯切削状态，则可以牢靠地连接源极布线3和输入端子10。
当由ITO形成连接有13时，由于ITO电阻较大，若岛状半导体11的延续部分的尺寸大于上述尺寸，则在用连接电极13使源极布线3和源极信号输入端10导通时，附加了多余的电阻。也就是说，输入信号在从源极信号输入端子10经连接电极13向源极布线3的通路上传送，连接电极13的传送距离为从源极布线3端部开始延续部分的岛状半导体层11的尺寸，该延续部分的距离过长时，即附加该电阻。
另一方面，相反当岛状半导体层11的延续部分的尺寸小于上述尺寸时，由于源极布线3为掩模，则岛状半导体层11未被蚀刻，而在其下部配置的栅极绝缘膜16迅速有选择地蚀刻，形成倒圆锥形状。因此，连接电极13为阶梯切削状态，发生导通不良。
根据以上理由，希望岛状半导体层11的尺寸从源极布线3端部再向端子部接触孔2内延续0.5～10μm。
以上说明了岛状半导体层为简单形状(图1(a)所示的形状)的情况。然而，岛状半导体层的形状不限于图1(a)所示的情况，如图3所示，覆盖(围绕)端子部接触孔12的整个外周的形状(环状)更为理想。这时，环形岛状半导体层(膜、半导体层)21上的源极布线22也形成为与该环形岛状半导体层21同样的形状。
外部的输入信号由源极信号输入端子10、连接电极13、源极布线22的通路传送。在上述环形岛状半导体层21，由于输入信号经连接电极13传送的连接宽度(相当于环形岛状半导体层21的内周23的长度)较宽，则可使连接电阻下降。也就是说，由于使岛状半导体层21为环形状，则降低了连接电阻，可以实现源极布线22和源极信号输入端子10的良好导通。使岛状半导体层21的形状为上述环形的情况，也与图1(a)所示岛状半导体层11的形状的情况一样，具有可防止连接电极13为阶梯切削状态的效果。另外，岛状半导体层21仅仅是改变了岛状半导体层11的形状，而所使用的材料等仍与岛状半导体层11相同。
另外，输入信号经连接电极13传送时使电阻降低的岛状半导体层，不限于上术的环形，如图4所示，也可以是沿端子部接触孔12外周的U字型岛状半导体层(膜、半导体层)。这种U字型形状的岛状半导体层24也可实现与环型形状同样的作用效果。在U字型情况下，源极布线25可形成与岛状半导体层24同样的形状(U字型形状)。此外，采用输入信号经连接电极13传送的连接宽度较宽的方型形状的岛状半导体层，也可以得到同样的作用效果。
在岛状半导体层21配置在上述端子部接触孔12整个外周的环型形状的情况下，假定是相同面积的端子部接触孔12时，若向岛状半导体层21的端子部接触孔12内的延续部分过长，则将产生由于岛状半导体层21的光刻缺陷导致端子部接触孔12内部的大部分被该岛状半导体层21覆盖的问题。
从更详细的说明可见，在TFT控制面板常常受到尺寸的限制，多数情况下要求以尽可能小的面积形成图案。这时，不能使端子部接触孔12形成过大的面积。在认定相同面积的端子部接触孔12的情况下，若岛状半导体层21的延续部分是适当长度，则如图5(b)所示，可形成足够的岛状半导体层21的开口部，但是当岛状半导体层21的延续部分过长时，则如图5(a)示，不可能确保足够的岛状半导体层21的开口部，容易产生光刻图案的缺陷。
根据以上理由，当岛状半导体层21的延续部分较长时，则在端子部接触孔12形成时的蚀刻中，由于栅极绝缘膜16残存在端子部接触孔12内部，源极布线22和源极信号输入端子10的导通不能实现。
如上所述，使岛状半导体层21的形状为环形的目的是使输入信号经连接电极13传送时的连接宽度较宽。因此，环型形状的岛状半导体层21的内周23的长度越长，也就是向岛状半导体层21的端子部接触孔12内部的延续部分越短，可得到较高的效果。
因而，在岛状半导体层21为环型形状的情况下，希望该岛状半导体层21的尺寸是从源极布线3端部再向端子部接触孔12内延续0.5～10μm。
本实施例中，作为岛状半导体层11、21、24，采用了与TFT6的半导体工作层(a-Si层8和n+a-Si层9)在同一工序同时制成的膜，若蚀刻速度比是棚极绝缘膜16的1/2～1/20，也可以由其他材料构成的膜形成。
本实施例中，在⑦工序蚀刻除去栅极绝缘膜16和保护膜4时，将树脂层17作为掩模，然而，不使用该树脂层17，即使在后面的工序中使用剥离除去的感光胶，也能得到同样的效果。
本实施例中，在源极信号输入端子部5，采用了设置岛状半导体层11的构成，然而，例如在辅助电容布线的输入端子部也可以采用同样的构成，同样能够得到提高连接可靠性的效果。
本实施例中，在对源极布线3、22、25和源极信号输入端子10，采用了未完全蚀刻的材料，如果是蚀刻速度比栅极绝缘膜16和保护膜14的蚀刻速度的1/5还慢的材料，也可以使用。
实施例2
以下根据图6(a)、图6(b)至图13(a)～图13(d)说明本发明的另一个实施例。为了说明方便，与上述实施例1附图上所示构件具有同一功能的构件，附加同一符号，并省略其说明。
本实施例的液晶显示装置，如图6(a)和图6(b)所示，形成具有用于象素转换的源电极3b和漏电极4的TFT6，在其上面层叠保护膜(保护膜层)14和树脂层(树脂绝缘膜)17，在该树脂层17上形成接触孔30以后，进行蚀刻处理除去该接触孔30下方的保护膜14，在该接触孔30的领域，使其与上述漏电极4接触形成向液晶外加电压的象素显示电极7。
本实施例的液晶显示装置，特别是为了防止象素显示电极7制造时发生断线，如图7(a)和图7(b)所示，在上述接触孔30的领域的漏电极4，形成面临下层的切口部31，在形成应该形成上述TFT6的TFT部岛状半导体层32时，在接触30的领域也形成作为替代物的孔部岛状半导体层33。
下面对上述液晶显示装置的制造方法予以说明。
首先，如图8(a)图8(d)所示，在洗净的玻璃等绝缘性基板1上，用溅射法等形成Ti、Al、Cr等的金属薄膜，在光刻工序中，经抗蚀剂涂敷工序、曝光工序、显影工序，制成抗蚀剂图案后，进行干燥或液体腐蚀，形成图案。
接着，形成栅电极2b、作为连接该栅极2b的栅极线的栅极布线2(参照图6(a)、与该栅极布线2连接的栅极信号输入端子2a、辅助电容电极34b、作为连接该辅助电容电极34b的辅助电容线的辅助电容布线34(参照图6(a))、作为连接该辅助电容布线34的辅助电容输入端子的辅助电容信号输入端子34a(参照图6(a))。
如图9(a)～图9(d)所示，用P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2气体，在整个绝缘性基板1上形成由SiNx构成的栅极绝缘膜16。
如图9(a)、图9(b)、图6(a)图6(b)所示，在棚极绝缘膜16的端子部区域形成栅极绝缘膜端子部16b。因此，栅极绝缘膜16作为栅极绝缘膜端子部16b残存在驱动电路输入端子部区域的栅极信号输入端子2a、上述辅助电容信号输入端子34a、以及源极信号输入端子3c上。
如图9(c)所示，与上述同样，用P-CVD法，形成作为本征非晶硅的a-Si层的a-Si膜32a，以及形成作为掺杂了有电阻接触层的磷(p)的n+a-Si层的n+a-Si膜32b。
这时，作为原料气体，a-Si膜32a使用SiH4或H2。另一方面，n+a-Si膜32b使用PH3气体混合了0.5％的SiH4、H2气体。
在将如上所述用光刻法等形成的a-Si膜32a和n+a-Si膜32b，作为与栅电极2b重叠的由a-Si膜32a和n+a-Si膜32b构成的第一岛状半导体层(第一半导体层)的TFT部岛状半导体层32上形成图案，同时，如图9(d)所示，在辅助电容电极34b上，通过栅极绝缘膜16，形成作为由重叠其一部分的非晶硅构成的第二岛状半导体层(第二半导体层)的孔部岛状半导体层33。
如图10(a)～图10(d)所示，用溅射法等在整个基板上形成Ti、Al、Cr等的金属薄膜，通过光刻法，在上述TFT部岛状半导体层32上形成其一端重叠的漏电极4、源电极3b、与该源电极3b连接的源极布线3、与该源极布线3连接的源极信号输入端子3c。由源极布线3、与该源极布线3一体的源电极3b和源极信号输入端子3c以及漏电极4形成TFT6。
这时，如图7(a)和图7(b)所示，漏电极4其另一端与上述辅助电容电极34b上的孔部岛状半导体层33重叠，而且在漏电极4与孔部岛状半导体层33重叠的部分设置切口部31，由于漏电极4在与孔部岛状半导体层33一部分重叠的状态下形成切口部31的形状，则孔部岛状半导体层33的一部分按露出的形状形成图案。本实施例中，在漏电极4形成了切口部31，但不一定仅限于此，例如也可形成面临下层的贯通孔。
如图10(a)～图10(d)所示，在进行蚀刻处理除去从具有辅助电容电极34b上的切口部31或贯通孔状图案的漏电极4露出的孔部岛状半导体层33的n+a-Si膜的32b部分的同时，如图10(d)所示，将与辅助电容电极34b上方的孔部岛状半导体层33之一端重叠形成的漏电极4作为掩模，进和蚀刻处理分离孔部岛状半导体层33的n+a-Si膜的32b。
如图11(a)～图11(d)所示，用P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2气体，在图10(a)～图10(d)所示状态的整个基板上，形成由SiNx构成的第1保护膜的保护膜14。
在上述保护膜14上，由具有绝缘性的感光性丙烯基系列树脂构成的树脂层17，用旋转涂层法等全部涂敷以后，用曝光装置使按照掩模的所定图案的领域感光，在显影工序中除去该感光领域的树脂层17。
这样，在树脂层17上，形成了已除去栅极信号输入端子2a、辅助电容信号输入端子34a、源极信号输入端子3c以及漏电极4上的图案部分的接触孔30，如图11(d)所示，进行加热处理等处理，使该树脂层17硬化。
如图7(a)所示，在漏电极4上，如前所述，设置了切口部31，该漏电极4按横穿接触孔30的位置关系配置。
由接触孔30内的侧面和漏电极4切口部31的边缘包围的领域，形成孔部岛状半导体层33露出的构造。
希望在接触孔30的面积中所占的露出的孔部岛状半导体层33的面积为1/3～2/3，当过大时，由于漏电极4兼用辅助容量电容器，则由于孔部岛状半导体层33的蚀刻后覆盖膜厚的偏差，将损害已完成的液晶显示装置的显示等级。
另外，当过小时，则不可能得到原来的效果，在由后述的象素显示电极7使其导通时，如图15(b)所示，将导致接触孔215的倒圆锥形状217，产生导通不良的问题。
在上述构成中，例如可用RIE方式的干蚀刻法，使用CF4、O2混合气体，如图12(a)～图12(d)所示，连续对源极布线3的源极信号输入端子3c领域的膜14和栅极绝缘膜端子部16b进行蚀刻。与此同时，上述接触孔30内也进行干蚀刻。
上述接触孔30被设置在通过栅极绝缘膜16和孔部岛状半导体层33而在辅助电容电极34b上方形成的漏电极4上。漏电极4具有切口部31，从接触孔30内的基底部的漏电极4切口部31露出其一部分的孔部岛状半导体层33成为蚀刻限制器，其下面的栅极绝缘膜16残留下来，而作为外部输入端子的源极信号输入3c上的保护膜14被蚀刻除去。
如图12(a)所示，上述栅极信号输入端子2a上的栅极绝缘膜端子部16b和保护膜14也同时被蚀刻除去。
如上所述，在本实施例使用的TFT阵列基板上，如图12(a)、图12(b)图12(d)所示，树脂层17和与上述源极布线3连接的源极信号输入端子3c和漏电极4，作为蚀刻除去保护膜14和上述栅极绝缘膜端子部16b的掩模是其一个大的特征。这样，掩模数量可以减少。
也就是说，在以树脂层17作为掩模同时对保护膜14和栅极绝缘膜端子部16b进行蚀刻形成时，由于使用了相同的掩模图案制作布线图案，则就不需要对保护14进行蚀刻的掩模图案和对栅极绝缘膜端子部16b进行蚀刻的掩模图案了。也就是说，以前由于接触孔30的象素显示电极7被阶梯切削未能实用化，而在本实施例中，由于以树脂层17作为掩模，使保护膜14和栅极绝缘膜端子部16b的连续蚀刻成为可能，则可达到削减2个掩模的目的。
以前，如图15(a)所示，在接触孔215内，由于形成漏电极210的源极布线209的材料在对栅极绝缘膜207的端部领域进行蚀刻时未全部被蚀刻，则其上的保护膜层212被急速侧面蚀刻，形成倒圆锥形状217。
然而，如本实施例所示，由于从设置在漏电极4的切口部31露出孔部岛状半导体层33时，则在对各输入端子部上层的栅极绝缘膜16进行蚀刻期间，在接触孔30内，孔部岛状半导体层33也被蚀刻，如图12(d)所示，由于向树脂层17的进入被抑制在最小，则保护膜14在树脂层17之下可以蚀刻成顺圆锥形状。
最后，如图13(a)～图13(d)所示，用溅射法等方法形成作为象素显示电极7的例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等构成的透明导电膜，再用光刻法等方法使其形成图案，从而形成与漏电极4连接的象素显示电极7。然而，形成象素显示电极7时的透明导电膜，不仅限于ITO，例如使用Al、Ag等非光穿透性的导电性膜，也可以作为反射型显示电极。
另外，图中未示出，在如上所述形成的有源矩阵基板上形成定向膜，形成对向电极，与在该对向电极上形成定向膜的彩色滤色器基板之间插装液晶材料。
按照以上制造方法，如图6(b)所示，漏电极4和象素显示电极7，由于在接触孔30内的连接部分不产生倒圆锥形，因此可进行无阶梯切削的连接。
由于以横穿接触孔30的形式设置切口部31，则即使在漏电极4上的接触孔30的外周部保护膜14进入树脂层17的内侧，从切口部31露出的孔部岛状半导体层33上的接触孔30的边缘，若在孔部岛状半导体层33与栅极绝缘膜端子部16b相比较，蚀刻速度是较慢(1/3～1/5)蚀刻速度的条件，将形成顺圆锥形状，可实现导通，提高了可靠性。
而且，在孔部岛状半导体层33与栅极绝缘膜端子部16b相比较，蚀刻速度较慢的蚀刻条件下，也可实现对其下面的栅极绝缘膜126的保护。
这样，在本实施例的液晶显示装置的制造方法中，当制造液晶显示装置时，首先，形成具有用于象素转换的源电极3b和漏电极4的TFT6。
接着，在其上层叠保护膜14和树脂层17，在该树脂层17上形成接触孔30。此后，进行蚀刻处理除去该接触孔下方的保护膜14，在该接触孔30的领域，使其与漏电极4接触形成向液晶外加电压的象素显示电极7。
以前，在对接触孔30下方的保护膜14进行蚀刻处理时，用其下侧的漏电极4停止蚀刻的进行，由于蚀刻方向向横方向移动，保护膜14将越过接触孔30的领域被蚀刻。
其结果是在该接触孔30从上面开始堆积象素显示电极7时，在接触孔30的基底部，用于形成象素显示电极7的堆积导电材料在保护膜14的领域未越过梯级，则在象素显示电极7上将产生阶梯切削，因此存在不能在象末显示电极7进行电连接的问题。
然而，本实施例中，在接触孔30领域的漏电极4上形成了面临下层的切口部31或贯通孔。此后，在形成应该形成TFT6的TFT部岛状半导体层8时，在接触孔30的领域也形成孔部岛状半导体层33。该孔部岛状半导体层33是作为替代物形成的。
也就是说，在形成应该形成TFT6的TFT部岛状半导体层8时，由于在接触孔30的领域也形成孔部岛状半导体层33，则在对保护膜14进行蚀刻处理时，在接触孔30的基底部从上侧开始按顺序层叠保护膜14、已形成切口部31的漏电极4、孔部岛状半导体层33。
这样，在对保护膜14进行蚀刻处理时，首先，保护膜14被蚀刻，接着，蚀刻方向向着易于蚀刻的孔部岛状半导体层33，避免了向保护膜14的横方向的蚀刻，形成顺圆锥形。
因此，在进行蚀刻处理以后，堆积象素显示电极7的导电材料时，导电材料不会被阶梯切削。
其结果是可以提供一种即使在象素显示电极7产生阶梯切削时，也可避免在象素显示电极7产生断线的液晶表示装置的制造方法。
本实施例的液晶显示装置制造方法中，制造液晶显示装置的工序由以下各工序组成：形成栅极布线2、与该栅极布线2连接的栅电极2b、辅助电容布线34、与该辅助电容布线34连接的辅助电容电极34b的工序；在各上述栅极布线2、栅电极2b、辅助电容布线34以及辅助电容电极34b上面形成栅极绝缘膜16的工序；在上述栅电极2b的上方，通过栅极绝缘膜16，形成将a-Si膜32a和n+a-Si膜32b层叠的TFT部岛状半导体层8，与此同时，在辅助电容电极34b的上方，通过栅极绝缘膜16，形成将a-Si膜32a和n+a-Si膜32b层叠的孔部岛状半导体层33的工序；对上述栅电极2b上方的TFT部岛状半导体层8，形成各一端分别层叠的源电极3b和漏电极4以及作为连接源电极3b的源极线的源极布线9，同时，对上述辅助电容电极34b上方的孔部岛状半导体层33，其一端层叠地形成该漏电极4，而且，此时其另一端上形成切口部31或贯通孔的工序；将具有上述切口部31或贯通的漏电极4作为掩模，进行蚀刻处理除去辅助电容电极34b上方的孔部岛状半导体层33的n+a-Si膜32b的工序；在辅助电容电极34b上方的孔部岛状半导体层33的n+a-Si膜32b的蚀刻处理的同时，在栅电极2b上方的TFT部岛状半导体层8上，将各一端分别层叠的源电极3b和漏电极4作为掩模，进行蚀刻处理分离该TFT部岛状半导体层8的n+a-Si膜32b的工序；在上述整个基板上形成保护膜14的工序；在上述保护膜14上形成树脂层17的工序；在上述树脂层17，形成在上述辅助电容电极34b上方的漏电极4的切口部31或贯通孔的图案横穿的接触孔30，与此同时，除去源极信号输入端子9c、栅极信号输入端子2a和辅助电容信号输入端34a上的树脂层17的工序；将上述已形成图案的树脂层17和接触孔30内的漏有4的切口部31或贯通孔的图案作为蚀刻掩模，同时蚀刻除去上述源极信号输入端子9c、栅极信号输入端子2a和辅助电容信号输入端子34a上的保护膜14，以及接触孔30基底部的保护膜14的工序；对上述棚极信号输入端子2a和辅助电容信号输入端子34a上的栅极绝缘膜16进行蚀刻，除去上述栅极信号输入端子2a上的栅极绝缘膜16，与此同时，对由上述漏电极4的切口部31或贯通孔和接触孔30包围的领域露出的孔部岛状半导体层33的a-Si膜32a进行蚀刻的工序。
在树脂层17的接触孔30内侧，在横穿该接触孔30的漏电极4上形成切口部31或贯通孔，在漏电极4和其下层的栅级绝缘膜16之间形成孔部岛状半导体层33，该孔部岛状半导体层33，由于保护膜14和漏电极4的蚀刻选择性具有中间的性质，则蚀刻在下方的孔部岛状半导体层33进行，不在横方向进行。
因此，经过蚀刻处理，在接触孔30的基底部得到了顺圆锥形状，则在接触孔30内和树脂层17的表面形成象素显示电极7时，可以防止象素显示电极7在接触孔30内被阶梯切削。
其结果是可以提供一种在象素显示电极7上产生阶梯切削时，也可避免在象素显示电极7产生断线的液晶表示装置的制造方法。
以前，由于接触孔30的象素显示电极7进行阶梯切削而不能实用化，然而，在本实施例中，将树脂层17作为掩模，保护膜14和栅极绝缘膜端子部16b的连续蚀刻成为可能，可以达到削减2个掩模的目的。
在本实施例的液晶显示装置的制造方法中，在接触孔30内部的漏电极4上形成的切口部31或贯通孔，至少其一部分延伸到接触孔30领域的侧面。
因此，在漏电极4和孔部岛状半导体层33之间即使发生了倒圆锥形的蚀刻，在树脂层17和孔部岛状半导体层33之间，若与树脂层17相比，孔部岛状半导体层33的蚀刻速度较慢的关系成立，则也将形成顺圆锥形，确保了漏电极4和象素显示电极7之间电的连接，同样，也可防止阶梯切削。
在本实施例的液晶显示装置的制造方法中，在由漏电极4的切口部31或贯通孔的边缘和接触孔30的边缘包围的领域露出的孔部岛状半导体层33的a-Si膜32a、栅极信号输入端子2a和源极信号输入端子9c侧领域的栅极绝缘膜16，各自的蚀刻速度比与各自的膜厚比大致相同。也就是说，(孔部岛状半导体层33的a-Si膜32a的蚀刻速度/栅极绝缘膜16的蚀刻速度)(孔部岛状半导体层33的a-Si膜32a/栅极绝缘膜164的膜厚)。
其结果是孔部岛状半导体层33下面的栅极绝缘膜16为蚀刻不足，则当栅极绝缘膜16蚀刻时，在象素显示电极7和辅助电容有34b之间，可防止由于漏泄产生的光点。
如上所述，本发明的液晶显示装置具有：在绝缘性基板上由金属膜构成的端子部；配置在该端子部上而且设置了接触孔的绝缘层；由在该绝缘层上部配置了连接端部的金属膜构成的布线。在具有通过上述接触孔用连接导电膜连接上述端子部和上述布线的连接端部的基板的液晶显示装置中，还包含：在上述绝缘层和上述布线的连接端部之间，设置由比该绝缘层蚀刻速度慢的材料构成的、从上述布线的连接端部引出到上述接触孔内侧的形状的膜。
在绝缘层形成接触孔时，例如可考虑用上述布线作为掩模，蚀刻除去接触孔形成位置的绝缘层。一般来说，布线都不会被绝缘层蚀刻时使用的气体等蚀刻的材料形成。这时，若不设置上述膜，则由于接触孔形成工序时的蚀刻，位于布线下部的绝缘层将迅速有选择地被蚀刻。因此，绝缘层的图案端部将为倒圆锥形状。
为此，在本发明的构成中，在上述绝缘层和上述布线的连接端部之间，由比该绝缘层蚀刻速度慢的材料构成的膜，是从上述布线的连接端部引出到上述接触孔内侧而设置的。这样，在将布线作为掩模的蚀刻处理工序中，上述绝缘层不被蚀刻，速度慢的上述膜也被蚀刻。因此，上述绝缘膜不会迅速地被选择蚀刻。可使绝缘层的图案端部形成顺圆锥形状。
因此，当通过上述接触孔用连接导电膜连接上述端子部和上述布线的连接端部时，该连接导电膜在绝缘层的图案端部没有阶梯切削，提高了连接可靠性。
另外，上述液晶显示装置中，希望上述膜由其蚀刻速度比上述绝缘层蚀刻速度的1/20快而比其1/2慢的材料构成。
在上述构成中，由于使用比上述绝缘层蚀刻速度的1/20快而比其1/2慢的材料形成膜，可以更可靠地使绝缘层的图案端部形成顺圆锥形状。
这样，当通过上述接触孔用连接导电膜连接上述端子部和上述布线的连接端部时，可以可靠地防止该连接导电膜在绝缘层的图案端部的阶梯切削，进一步提高连接的可靠性。
上述液晶显示装置中，希望上述布线的连接端部引出到上述接触孔内侧。
在上述构成中，当通过上述接触孔用连接导电膜连接上述端子部和上述布线的连接端部时，由于布线的连接端部引出到上述接触孔内侧，则可以牢靠地进行上述布线的连接端部和连接导电膜的连接。
这样，即可确实达到通过连接导电膜的上述端子部和上述布线的连接端部的良好导通。
另外，上述液晶显示装置中，希望上述绝缘层的接触孔在上述布线形成后再形成。
在上述构成中，在通过蚀刻使绝缘层的接触孔形成图案时，由于可用布线作为掩模，则不必要再另外设置形成感光胶的工序和剥离除去感光胶的工序。
这样，即可减少工序数目。
上述液晶显示装置中，希望上述端子部和布线由其蚀刻速度比上述绝缘层蚀刻速度的1/5慢的材料构成。
在上述构成中，由于上述端子部和布线在蚀刻除去上述绝缘层时几乎未被蚀刻，则可不对端子部和布线产生影响地形成绝缘层的接触孔。
这样，可用连接导电膜牢靠地连接端子部和布线。
上述液晶显示装置中，希望上述膜覆盖上述接触孔的外周部分，形成沿着该接触孔外周形状的形状。
在上述构成中，膜沿着接触孔外周形状形成并覆盖外周部分，例如膜是覆盖接触孔外周部分的环型形状时，输入信号从上述端子部传送到连接导电膜时的连接宽度为环型形状的膜的内周长度。因此，使膜为这种形状时，可以使输入信号传送到连接导电膜的连接宽度宽阔，从而减小连接电阻。这样，即可使端子部和布线的导通良好。
作为沿着接触孔的外周形状并覆盖外周部分的膜的形状，除了上述环型形状以外，例如也可以是U字型形状。这时也可以得到同样的作用效果。
本发明的液晶显示装置的制造方法，包含以下各工序：在绝缘性基板上形成由金属膜构成的端子部和栅电极的第1工序；形成覆盖上述端子部和栅电极的绝缘层的第2工序；在上述端子部的连接端部上和上述栅电极上形成半导体膜和电阻接触膜，通过该半导体膜和电阻接触膜，在上述端子部上使膜形成图案，而且在上述栅电极上使薄膜晶体管的半导体工作层形成图案的第3工序；形成布线，使该布线的连接端部配置在上述膜上的第4工序；将上述布线作为掩模，蚀刻除去上述绝缘层并形成接触孔的第5工序；通过上述接触孔由连接导电膜连接上述布线和上述端子部的第6工序。
上述方法中，当形成薄膜晶体管的半导体工作层时，在端子部的连接端部上，可通过栅极绝缘膜形成膜。也就是说，由于可在与薄膜晶体管的半导体工作层的同一工序中形成膜，则不必要增加用于膜形成的工序数目。膜的作用效果如上所述。
这样，不增加工序数目，即可容易地用连接导电膜牢靠连接上述端子部和上述布线的连接端部，可以提高连接的可靠性。
上述液晶显示装置的制造方法，在上述第4工序和上述第5工序之间，具有形成覆盖上述绝缘层和布线的保护膜的工序，在上述第5工序中，在绝缘层的接触孔形成的同时，希望在上述保护膜形成接触孔。
上述方法中，在布线上形成的保护膜上形成用于连接上述布线和上述端子部的接触孔的情况下，可以与上述绝缘层的接触孔同时形成。这样，可以减少工序数目。
在本发明的详细说明项中的具体实施例已经彻底地明确说明了本发明的技术内容，但不能仅局限于这些具体例子进行狭义的解释，在本发明的精神和以下记载的权利要求范围内，可以进行各种变更。

Claims (15)

1.一种液晶显示装置，备有基板，该基板有在绝缘性基板上有由金属膜组成的端子部、配置在该端子部上并设置了接触孔的绝缘层、在该绝缘层上部配置了连接端部的由金属膜组成的布线，并通过上述接触孔由连接导电膜连接上述端子部和上述布线的连接端部，
其特征是：在上述绝缘层和上述布线的连接端部之间，设置了由比该绝缘层的蚀刻速度慢的材料构成的并从上述布线的连接端部引出到上述接触孔内侧的形状的膜。
2.权利要求1记载的液晶显示装置，其特征是：上述膜由其蚀刻速度比上述绝缘层的蚀刻速度的1/20快、比1/2慢的材料构成。
3.权利要求1或2记载的液晶显示装置，其特征是：上述布线的连接端部在上述接触孔内侧引出。
4.权利要求1或2记载的液晶显示装置，其特征是：上述绝缘层的接触孔在上述布线形成后形成。
5.权利要求1或2记载的液晶显示装置，其特征是：上述端子部和布线由其蚀刻速度比上述绝缘层的蚀刻速度的1/5慢的材料构成。
6.权利要求1或2记载的液晶显示装置，其特征是：上述膜覆盖上述接触孔的外周部分，并形成为沿着该接触孔外周形状的形状。
7.一种液晶显示装置，其特征是：
包含：在基板上设置的从外部输入信号的端子部；在上述端子部上设置的绝缘层；连接设置在每个象素的薄膜开关元件的电极的膜状布线；在接触孔设置的分别连接上述端子部和上述布线的端部的连接导电膜，
在上述布线和上述绝缘层之间设置半导体层，
上述绝缘层、上述半导体层、以及上述布线的上述端部，按深度顺序在上述接触孔内引出。
8.一种液晶显示装置的制造方法，其特征是包含：
在绝缘性基板上形成由金属膜构成的端子部和栅电极的第1工序；
形成覆盖上述端子部和栅电极的绝缘层的第2工序；
在上述端子部的连接端部上和上述栅电极上形成半导体膜和电阻接触膜，通过该半导体膜和电阻接触膜，在上述端子部上使膜形成图案，并且在上述栅电极上使薄膜晶体管的半导体工作层形成图案的第3工序；
形成布线，使该布线的连接端部配置在上述膜上的第4工序；
将上述布线作为掩模，蚀刻除去上述绝缘层并形成接触孔的第5工序；
通过上述接触孔由连接导电膜连接上述布线和上述端子部的第6工序。
9.权利要求8记载的液晶显示装置的制造方法，其特征是：在上述第4工序和上述第5工序之间，还有形成覆盖上述绝缘层和布线的保护膜的工序；
在上述第5工序中，在绝缘层的接触孔形成的同时，在上述保护膜形成接触孔。
10.一种液晶显示装置的制造方法，即：形成具有用于象素的转换的源电极和漏电极的薄膜晶体管，在其上面层叠保护膜层和树脂绝缘膜，在该树脂绝缘膜上形成接触孔后，进行蚀刻处理除去该接触孔下方的上述保护膜层，在该接触孔领域，与上述漏电极接触形成向液晶外加电压的象素显示电极，其特征是包括以下工序：
在上述接触孔领域的漏电极形成面临下层的贯通孔或切口部的工序，
在形成应该形成上述薄膜晶体管的第一半导体层时，也在接触孔领域形成第二半导体层的工序。
11.一种液晶显示装置的制造方法，其特征是由以下工序构成：
在绝缘性基板上形成棚极线、连接该栅极线的栅电极、辅助电容线、连接该辅助电容线的辅助电容电极的工序；
在上述栅极线、栅电极、辅助电容线以及辅助电容电极上形成栅极绝缘膜的工序；
在上述栅电极的上方通过栅极绝缘膜形成层叠了ia-Si层和n+a-Si层的第一半导体层，与此同时，在辅助电容电极的上方通过栅极绝缘膜形成层叠了ia-Si层和n+a-Si层的第二半导体层的工序；
对上述栅电极上方的第一半导体层，形成各一端分别层叠的源电极和漏电极以及连接该源电极的源极线，同时，对上述辅助电容电极上方的第二半导体层，形成其另一端层叠的该漏电极，而且此时在其另一端形成贯通孔或切口部的工序；
将具有上述贯通孔或切口部的漏电极作为掩膜，进行蚀刻处理除去上述辅助电容电极上方的第二半导体层的n+a-Si层的工序；
在上述辅助电容电极上方的第二半导体层的n+a-Si层蚀刻处理的同时，将在上述栅电极上方的第一半导体层上各一端分别层叠的源电极和漏电极作为掩模，进行蚀刻处理分离该第一半导体层的n+a-Si层的工序；
在整个上述基板上形成保护膜层的工序；
在上述保护膜层上形成树脂绝缘膜的工序；
在上述树脂绝缘膜，形成在上述辅助电容电极上方的漏电极的贯通孔或切口部的图案横穿的接触孔，与此同时，除去源极信号输入端子、棚极输入信号端子和辅助电容输入端子上的树脂绝缘膜的工序；
将上述已形成图案的树脂绝缘膜和在上述接触孔内的漏电极的贯通孔或切口部的图案作为蚀刻掩模，同时蚀刻除去上述源极信号输入端子、栅极输入信号端子和辅助电容输入端子上的保护膜层以及接触孔基底部的保护膜层的工序；
对上述栅极信号输入端子和辅助电容信号输入端子上的栅极绝缘膜进行蚀刻，除去上述栅极信号输入端子上的棚极绝缘膜，与此同时，对由上述漏电极的贯通孔或切口部和接触孔包围的领域露出的上述第二半导体层的ia-Si层同时进行蚀刻的工序。
12.权利要求11记载的液晶显示装置的制造方法，其特征是：在接触孔内部的漏电极上形成的贯通孔或切口部，至少一部分从接触孔领域延续到侧面。
13.权利要求11或12记载的液晶显示装置的制造方法，其特征是：在由漏电极的贯通孔或切口部的边缘和接触孔的边缘包围的领域露出的第二半导体层的的ia-Si层与栅极信号输入端子和源极信号输入端子领域的栅极绝缘膜，各蚀刻速度的比与各膜厚的比大致相同。
14.权利要求1记载的液晶显示装置，其特征是：
上述布线在上述接触孔内延伸0.5～10μm，
上述膜在上述接触孔内从上述布线更作0.5～10μm的延伸。
15.权利要求14记载的液晶显示装置，其特征在于：还具有
在与上述接触孔不同的另外的接触孔中，设有与在上述另外的接触孔设置的电极膜连接、配置在上述绝缘性基板上的上述绝缘层上的电极层，和
在设置上述另外的接触孔的领域中，在上述电极层和上述绝缘层之间的替代半导体层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866085B (zh) * 2005-12-26 2012-07-25 夏普株式会社 有源矩阵基板及其缺陷修正方法、显示装置、电视接收机

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646692B2 (en) 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
US6734924B2 (en) * 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
AU2003221122A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and liquid crystal display
KR100803475B1 (ko) * 2002-03-26 2008-02-14 티에프피디 코포레이션 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100480333B1 (ko) 2002-04-08 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4076164B2 (ja) * 2002-04-16 2008-04-16 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板の製造方法
JP2004111885A (ja) * 2002-07-23 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
KR100890024B1 (ko) 2002-09-18 2009-03-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100945579B1 (ko) * 2003-03-17 2010-03-08 삼성전자주식회사 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치
JP4221704B2 (ja) * 2003-03-17 2009-02-12 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005108912A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Quanta Display Japan Inc 液晶表示装置とその製造方法
JP2005197618A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Nec Corp 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法ならびに表示デバイス、電子機器
US7071045B2 (en) * 2004-05-06 2006-07-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Process of manufacturing thin film transistor
KR101043991B1 (ko) * 2004-07-28 2011-06-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20060064264A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20060070349A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101107270B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107269B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101131608B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-30 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
WO2007015458A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器
US20070052912A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5234301B2 (ja) * 2005-10-03 2013-07-10 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、液晶表示装置およびそれらの製造方法
US8089574B2 (en) * 2005-12-15 2012-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display, and television receiver
WO2007108268A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
US8300186B2 (en) * 2006-05-01 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising a reflection region having tilted first and second recesses and method for manufacturing the same
TWI299213B (en) * 2006-05-05 2008-07-21 Prime View Int Co Ltd Muti-channel thin film transistor
US20090195741A1 (en) * 2006-06-30 2009-08-06 Yoshihito Hara Liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display
EP2063313A4 (en) 2006-09-12 2011-08-17 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL HAVING A MICROLENS MATRIX, METHOD FOR MANUFACTURING THE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
US7995167B2 (en) * 2006-10-18 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
CN101558350B (zh) * 2006-12-14 2011-08-03 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
JP4943454B2 (ja) * 2007-01-24 2012-05-30 シャープ株式会社 液晶表示装置
EP2124094A4 (en) * 2007-01-31 2011-09-07 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JP5184517B2 (ja) 2007-04-13 2013-04-17 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN101688993B (zh) * 2007-06-26 2011-09-21 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US8101442B2 (en) * 2008-03-05 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing EL display device
TWI353641B (en) * 2008-04-11 2011-12-01 Au Optronics Corp Active device array substrate and its producing me
EP2461309A1 (en) * 2009-07-28 2012-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring board, method for manufacturing same, display panel, and display device
KR101065407B1 (ko) * 2009-08-25 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI542931B (zh) * 2010-08-11 2016-07-21 友達光電股份有限公司 畫素結構之修補方法、修補後之畫素結構以及畫素陣列
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
CN103201831B (zh) * 2010-11-05 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP6026433B2 (ja) * 2012-01-11 2016-11-16 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置の製造方法
CN103367374B (zh) * 2012-04-02 2017-06-09 索尼公司 固体摄像装置及其制造方法、半导体器件的制造装置和方法、电子设备
US8842252B2 (en) * 2012-07-02 2014-09-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, LCD device, and method for manufacturing array substrate
TW201612606A (en) * 2014-09-29 2016-04-01 Au Optronics Corp Fabricating methods of pixel structure and liquid crystal display panel
CN104867939A (zh) * 2015-04-13 2015-08-26 合肥京东方光电科技有限公司 像素单元及其制备方法、阵列基板和显示装置
JP6901831B2 (ja) 2015-05-26 2021-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリシステム、及び情報処理システム
TWI562340B (en) * 2015-09-15 2016-12-11 Au Optronics Corp Pixel structure and display panel
WO2017068478A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device including the semiconductor device
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
CN105845623B (zh) * 2016-04-19 2019-02-22 昆山龙腾光电有限公司 Tft阵列基板上多次开接触孔的制作方法
JP2018054719A (ja) 2016-09-27 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置および表示装置
US10725354B2 (en) * 2017-02-28 2020-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring substrate and display device
CN107264155A (zh) * 2017-07-04 2017-10-20 张伟萍 一种便捷的水杯装置
CN108227263B (zh) * 2018-01-02 2021-02-09 上海天马微电子有限公司 显示模组、显示模组的制作方法和显示装置
US11751422B2 (en) * 2018-03-28 2023-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
TWI701584B (zh) * 2019-04-25 2020-08-11 緯創資通股份有限公司 觸控面板
CN111092106B (zh) * 2019-11-28 2022-07-08 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111613575A (zh) * 2020-05-07 2020-09-01 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63314848A (ja) 1987-06-17 1988-12-22 Canon Inc コンタクトホ−ル及びその製造方法
JP2946755B2 (ja) 1990-12-19 1999-09-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板
JPH04257229A (ja) 1991-02-12 1992-09-11 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶ディスプレイの製造方法
JPH06102528A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
JP3239504B2 (ja) 1993-01-13 2001-12-17 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
JPH06337436A (ja) 1993-05-27 1994-12-06 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
JPH07234419A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ基板
JP3261699B2 (ja) * 1995-10-03 2002-03-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
KR100223153B1 (ko) 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
JP3449392B2 (ja) 1996-08-27 2003-09-22 日本電信電話株式会社 識別関数学習方法
JP3433632B2 (ja) * 1996-12-10 2003-08-04 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH10209458A (ja) 1997-01-22 1998-08-07 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置とこれに用いられる薄膜トランジスタ及びその製造方法
TW400556B (en) 1997-02-26 2000-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
KR100244447B1 (ko) * 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
JP3742492B2 (ja) 1997-07-25 2006-02-01 株式会社リコー 光記録媒体及び該光記録媒体を用いた光記録再生方法
JPH11109406A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置とその製造方法
KR100490057B1 (ko) * 1997-11-28 2005-08-31 삼성전자주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP4044999B2 (ja) 1998-01-09 2008-02-06 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 平面表示装置用アレイ基板、及びその製造方法
JP3634138B2 (ja) * 1998-02-23 2005-03-30 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4070896B2 (ja) * 1998-10-07 2008-04-02 三菱電機株式会社 電気光学素子および該電気光学素子の製造方法
KR19990014531A (ko) * 1998-11-20 1999-02-25 강원경 엠블렘 제조 방법
KR100848099B1 (ko) * 2002-05-27 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866085B (zh) * 2005-12-26 2012-07-25 夏普株式会社 有源矩阵基板及其缺陷修正方法、显示装置、电视接收机

Also Published As

Publication number Publication date
US20010004273A1 (en) 2001-06-21
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