CN102954837B - 检测器设备 - Google Patents

检测器设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102954837B
CN102954837B CN201210292665.5A CN201210292665A CN102954837B CN 102954837 B CN102954837 B CN 102954837B CN 201210292665 A CN201210292665 A CN 201210292665A CN 102954837 B CN102954837 B CN 102954837B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cooling
detector
another
optical sensor
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210292665.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102954837A (zh
Inventor
弗兰克·施赖伯
贝恩德·维茨戈夫斯基
霍尔格·比尔克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leica Microsystems CMS GmbH
Original Assignee
Leica Microsystems CMS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102012101675A external-priority patent/DE102012101675A1/de
Application filed by Leica Microsystems CMS GmbH filed Critical Leica Microsystems CMS GmbH
Publication of CN102954837A publication Critical patent/CN102954837A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102954837B publication Critical patent/CN102954837B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/024Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/16Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas having photo- emissive cathode, e.g. alkaline photoelectric cell
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/02Tubes in which one or a few electrodes are secondary-electron emitting electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/28Vessels, e.g. wall of the tube; Windows; Screens; Suppressing undesired discharges or currents

Abstract

本发明涉及一种检测器设备,检测器设备被配备以接收光和产生电信号,检测器设备具有包括光入射侧的光传感器,且具有冷却部件。根据本发明,可以提供:冷却部件在光传感器的光入射侧与光传感器直接接触和/或与承载光传感器的衬底直接接触。

Description

检测器设备
技术领域
本发明涉及一种检测器设备,检测器设备被配备以接收光和产生电信号,检测器设备具有包括光入射侧的光传感器,且具有冷却部件。
背景技术
以上描述的类型的检测器设备经常具有引起噪声的随温度变化的暗电流。通过冷却可以降低暗电流。
DE 10 2009 036 066 A1公开了一种光电检测器,光电检测器包括导热地连接至检测器的冷却设备,特别是帕尔贴元件。为了避免冷凝物出现在光电检测器的表面上,传感器被设置用于确定关于环境相对湿度和环境露点温度的瞬时值。传感器连接至根据该值控制冷却设备的控制单元。该光电检测器具有以下优点:冷却没有被完全免除。然而,该光电检测器具有以下缺点:实际冷却输出限于较小幅度,即没有冷凝物出现的幅度。其最终结果是只能不充分地消除检测器噪声。
相同的文件提及另一种检测器设备,其中检测器和冷却设备(典型地帕尔贴元件),被封装入填充有干燥气体或者被抽空的气密的壳体。用该设备,冷却设备的余热可以被传送到导热地连接至冷却设备的冷却元件,和/或可以用于加热其他部件,例如壳体的入口窗。然而,该检测器设备被认为是不利的,因为气密封装是复杂的。
实际上,在实践中已经发现该检测器设备具有甚至更多的缺点。特别地,冷却经常不是非常有效的。另外,当检测器必须处于与壳体不同的电势水平时,冷却被证明是特别困难的。在这种情况下,帕尔贴元件不能简单地布置在壳体与检测器之间。当光电子的加速预期发生在检测器内时,这种电势差通常是必要的。
例如,从US 5,508,740、US 5,596,228或US 4,833,889已知检测器设备,其中主动冷却设备分别设置在朝向远离光传感器的光入射侧的侧面上。这些检测器设备具有以下缺点:大部分冷却输出未使用和损失。
发明内容
本发明的目的是描述一种进行可能更有效的冷却的检测器设备,特别是当使用处于与壳体不同的电势水平的检测器时。
该目的通过检测器设备实现,检测器设备的特征在于:所述冷却部件在所述光传感器的光入射侧与所述光传感器直接接触和/或与承载所述光传感器的衬底直接接触。
特别地对于光传感器和/或包括光传感器的检测器在危险的电压下被操作的实施例,但是也为了保护光传感器和/或下游电子部件(electronics),有利地,可以提供:检测器设备包括壳体,和/或光传感器和冷却部件布置在壳体内。
在很特别有利的实施例中,设置另一冷却部件,特别地在壳体内设置另一冷却部件。特别地,有利地,可以设置与所述冷却部件导热接触的另一冷却部件。
有利地,特别有效的冷却可以通过以下事实而实现:通过冷却部件和/或另一冷却部件的光路被限定用于待检测的光。特别地,可以提供:冷却部件和/或另一冷却部件,例如以环状形式,包围待检测的光可到达的传感器表面。
例如,可以提供:冷却部件和/或另一冷却部件包括通道,特别是通孔,通过该通道待检测的光传播到传感器。特别地,这里可以提供:孔被圆锥形地配备和/或被配备具有倾斜壁,以便使即使倾斜地入射到光传感器的表面的光也能够无障碍地通过冷却部件和/或另一冷却部件传播到光传感器。
然而,也可以提供:冷却部件和/或另一冷却部件以两部件或多部件的方式被构造,该部件相对于彼此布置,使得留有间隙,用于待检测的光的光路通过该间隙延伸。
有利地,所述另一冷却部件也可以被配备作为导热的电绝缘中间元件。特别地,如以下将进一步详细描述的,所述另一冷却部件可以被配备作为被动冷却部件,特别是作为被布置在检测器与主动冷却部件(例如帕尔贴元件)之间的散热环。
在特定的实施例中,冷却部件被配备作为导热的电绝缘中间元件。这样的实施例具有以下特别的优点:热量可以被传导离开光传感器,甚至当光传感器处于例如相对于周围的壳体的不同的电压水平,特别是处于超过1000V、特别是超过2000V、特别是超过4000V、特别是大约8000V的电压水平时。特别地,这种导热的电绝缘中间元件可以被配备例如作为被动冷却部件,热传导通过所述被动冷却部件发生。
在有利的实施例中,另一冷却部件还可以被布置,使得所述另一冷却部件与检测器的光传感器(例如光阴极)直接接触。可选地或另外地,也可以提供:另一冷却部件与承载光传感器(例如光阴极)的衬底直接接触。
特别有效的冷却通过冷却部件和/或另一冷却部件与检测器的光传感器和/或与承载光传感器的衬底的直接接触而实现。特别地,这样的实施例具有以下优点:仅仅冷却实际上表现出随温度变化的噪声行为的部件。
另外,有利地,对于这样的实施例,需要大体较低的冷却输出;当冷却部件和/或另一冷却部件被配备作为主动冷却部件(例如作为帕尔贴元件)时这是特别有利的。对于冷却部件和/或另一冷却部件被配备作为主动冷却部件的情况,有利的结果是也发生必须向外传输的较少的余热。
在特定的实施例中,提供:所述光传感器和所述壳体通过所述冷却部件和/或所述另一冷却部件导热地连接,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件与所述光传感器的接触面积小于所述冷却部件和/或所述另一冷却部件与所述壳体的接触面积。这样的实施例具有以下很特别的优点:一方面,保证了离开光传感器的特别良好的热传输,而另一方面,对光传感器的用于待检测的光的感光表面的自由访问被最轻度地限制。
如已经提及的,有利地,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件可以被配备作为主动冷却部件,特别是作为帕尔贴元件或作为热泵或作为热管。在很特别有利的实施例中,冷却部件被配备作为环状的帕尔贴元件。这样的实施例提供以下优点:用于待检测的光的光路可以延伸通过环的中心,这样在通过环状的帕尔贴元件时,光路大体与环状的帕尔贴元件的旋转对称轴同轴地被布置。
在很特别有利的实施例中,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件被布置使得所述冷却部件和/或所述另一冷却部件的余热加热至少所述壳体的入口窗和/或所述壳体的入口光学部件。这样的实施例具有以下很特别的优点:冷凝物不停留在入口窗的表面上或者入口光学部件(例如透镜或多个透镜的布置)的表面上。特别地当利用余热将入口窗或入口光学部件的表面的温度保持在高于露点时,该优点被确保。
以特别有利的方式,可以提供:所述冷却部件和/或所述另一冷却部件被配备作为被动冷却部件,热流动通过所述被动冷却部件发生。如果被动冷却部件和/或另一被动冷却部件表现出良好的导热率,这是特别有利的,以便保证快速的热传输。有利地,就此而言,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件表现出大于1W/mK、特别是大于10W/mK、特别是大于100W/mK、特别是大于500W/mK的导热率。
在很特别有利的实施例中,被动冷却部件和/或另一被动冷却部件被成形和形成大小尺寸,使得它可以精确配合的方式且在最大可能的面积上与检测器设备的待冷却的部件、特别是与光传感器和/或与承载光传感器的衬底一致。由此,可实现特别良好的冷却。同样也类似地适用于冷却部件被配备作为主动冷却部件和/或另一冷却部件被配备作为另一主动冷却部件的情况。然而,冷却部件或另一冷却部件的配置始终有效,使得检测器的功能和/或检测器的部件的功能不会例如由于光路的遮蔽而被不利地损坏。
在特别地当检测器和/或检测器的部件处于与壳体不同的电势水平时可用的很特别有利的实施例中,以主要电绝缘的方式配备冷却部件和/或另一冷却部件。特别地,可以提供:所述冷却部件和/或所述另一冷却部件具有小于10-7S/m、特别是小于10-8S/m的导电率。
这样的实施例具有以下很特别的优点:检测器可以经由冷却部件和/或另一冷却部件与壳体机械接触,而检测器仍然至少在它可以在必要的电势水平下被操作的程度上是电绝缘的。例如,可以提供:检测器包括用于加速由光阴极产生的电子的加速设备,其中被加速的电子可以指向例如雪崩二极管。可选地,也可以提供:检测器包括次级电子倍增器。就此而言,可能发生的是几千伏的电压差必须施加在检测器或检测器的部件与壳体之间。
特别地,为了允许这样的电压差被禁受住,在检测器的特定的实施例中,提供:所述冷却部件和/或所述另一冷却部件至少部分地由电绝缘和导热材料制成,特别地由氮化硼、氮化铝、氧化铝、金刚石、合成金刚石、或者所述材料的组合制成。这些物质一方面以高导热率而显著,另一方面以非常低的导电率而显著。另外,这些材料提供以下优点:例如通过研磨、车削、或碾磨可以容易地和精确地加工它们。
如已经说明的,有利地,可以提供:所述冷却部件和/或所述另一冷却部件是电绝缘体和导热体。特别地为了实现这种提供,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件至少部分地由复合材料制成。例如,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件可以分别包括芯,所述芯由导热材料、例如金属(诸如,例如,铝或铜)制成,所述芯至少部分地被电绝缘体包围。特别地,可以提供:周围的电绝缘体在热传导方向比所述芯薄。特别地,芯可以具有几毫米或者甚至几厘米的厚度。
特别地,由于例如金属芯的容易的可加工性,甚至以不寻常的形状可以没有较大复杂性地将冷却部件和/或另一冷却部件制造作为复合部件。
一方面,芯用作例如在光传感器与壳体之间或者例如在光传感器与特别地被配备作为帕尔贴元件的冷却部件和/或另一冷却部件之间的隔离物。此外,利用块(block)的良好的导热性。为了产生电绝缘,块被电绝缘体包围。在特定的实施例中,电绝缘体被配备作为绝缘体薄膜,特别是作为塑料薄膜。例如,使用聚酰亚胺树脂薄膜是适当的。因为适当的塑料薄膜(例如聚酰亚胺树脂薄膜)甚至在零点几毫米的厚度也可以表现出非常高的介电强度,电绝缘体薄膜可以做得比芯薄得多。由此实现的结果是,特别地,电绝缘体薄膜几乎没有热绝缘作用。导热芯与较薄的电绝缘箔的特定的组合产生电绝缘和导热的冷却部件和/或另一冷却部件。
周围的电绝缘体也可以由最初的液体材料制成,最初的液体材料是例如通过刷、喷雾、或浸渍和在芯上固化而被涂在芯上的。
特别地对于存在大电势差的实施例,根据也可单独地从冷却部件和/或另一冷却部件的任何特定的布置实施的任何独立的发明思想,有利地,可以提供:为增加在外表面上的泄漏电流耐受性,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件包括通过曲径和/或通过筋和/或通过至少一个凹槽和/或通过至少一个凸起被延长的泄漏路径。
在很特别的实施例中,提供:特别地为增加泄漏电流耐受性,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件包括至少一个圆周凸起和/或至少一个圆周凹槽。这样的实施例具有以下特别的优点:沿着冷却部件或另一冷却部件的表面的泄漏路径被延长,这样至少降低电击穿的风险。
特别地对于存在大电势差的实施例,根据也可单独地从冷却部件和/或另一冷却部件的任何特定的布置实施的任何独立的发明思想,有利地,可以提供:所述冷却部件和/或所述另一冷却部件的间隙填充有电绝缘材料。特别地当使用热电转换器(特别是帕尔贴元件)时,另外有利地,可以提供:填充剂材料被配备为电绝缘和热绝缘的。在特定的实施例中,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件被配备作为热电转换器(特别是作为帕尔贴元件),所述冷却部件和/或所述另一冷却部件的间隙填充有环氧树脂或硅酮。
通过用电绝缘材料填充冷却部件和/或另一冷却部件可以有效地避免不希望的电压击穿。用电绝缘材料填充有效地抑制沿着内部部件(例如帕尔贴元件的通常圆柱状的半导体元件)的表面的火花的飞弧。
有利地,所述冷却部件和/或所述另一冷却部件被大体环状地或圆柱状地配备。如已经提及的,这提供了以下特别的优点:使冷却部件或另一冷却部件与例如光传感器或承载光传感器的衬底以有利于有效冷却的方式接触,且另一方面,提供了以下另一优点:存在孔用于待检测的光的光路。
在特别有效和可靠地工作的实施例中,所述冷却部件和所述另一冷却部件热串联。特别地,特别有利地,可以提供:冷却部件被配备作为被动冷却部件,例如作为氮化硼环,且与光传感器和/或与承载光传感器的衬底直接接触。
另外,有利地,可以提供:所述冷却部件与被配备作为主动冷却部件(例如作为环状的帕尔贴元件)的另一冷却部件热接触。
有利地,环状的冷却部件和环状的另一冷却部件彼此同轴地布置,用于待检测的光的光路沿着冷却部件和另一冷却部件的旋转对称轴线延伸。另外,有利地,可以提供:另一主动冷却部件(例如帕尔贴元件)的热侧与壳体的入口窗或入口光学部件接触。这样的布置以以下事实而显著:检测器的光传感器可以被特别有效地冷却,因为从光传感器或其衬底通过被动冷却部件到主动冷却部件发生直接热传输。另外,有利地,主动冷却部件的余热用于防止冷凝物出现在入口窗或入口光学部件上。如果在这种布置中使用主要电绝缘的材料(例如氮化硼)作为冷却部件,那么很有利地这使在与壳体的电势水平不同的电势水平下操作检测器成为可能。
特别地为了避免冷凝物的出现,有利地,可以提供:所述壳体是气密的;和/或在所述壳体中存在真空。例如,也可以提供:气密的壳体填充有气体,优选地,露点特别低的干燥气体。例如,将干燥剂引入壳体中可能是有利的。这用于除去仍然存在的任何残留水分,或者用于吸收渗入的水分。
在特别有效地冷却的实施例中,所述冷却部件是被动冷却部件,所述被动冷却部件将热量从所述光传感器和/或所述光传感器的衬底传导到不与所述光传感器直接接触也不与所述光传感器的衬底直接接触的另一主动冷却部件,特别是帕尔贴元件。另外,可以提供:所述另一冷却部件发射热量至所述壳体。该布置的特定顺序的结果是主动冷却部件的额外的过程热不需要通过被动冷却部件传导。
很特别优选地,根据本发明的检测器设备可以与显微镜、特别是扫描显微镜或共焦扫描显微镜一起使用,或者用于显微镜、特别是扫描显微镜或共焦扫描显微镜。在共焦扫描显微镜的很特别有利的实施例中,共焦扫描显微镜包括几个根据本发明的检测器设备。例如,可以提供:不同的检测光谱区被分配给和/或可以被分配给各个检测器设备。
本发明的进一步目的、优点、特征、和可能的应用从以下参考附图的示例性实施例的描述而变得明显。所描述和/或图解描述的所有特征,它们自己或以任何有用的组合,构成本发明的主题,不管它们的组合在权利要求中还是在它们的内部引用中。
附图说明
在附图中:
图1示意性地示出根据本发明的检测器设备的示例性实施例,
图2示意性地示出根据本发明的另一检测器设备的示例性实施例,
图3示意性地示出根据本发明的第三检测器设备的示例性实施例,
图4示意性地示出根据本发明的第四检测器设备的示例性实施例,
图5是根据本发明的检测器设备的第五示例性实施例的详细描述,和
图6是根据本发明的检测器设备的第六示例性实施例的详细描述。
部件列表:
1-检测器设备 2-待检测的光 3-电输出端 4-壳体 5-检测器 6-光传感器7-衬底 8-光阴极 9-入口光学部件 10-雪崩二极管 11-冷却部件 12-中间元件13-另一冷却部件 14-帕尔贴元件 15-筋 16-电绝缘材料 17-半导体元件
具体实施方式
图1示出检测器设备1,检测器设备1被配备以接收光2和在电输出端3产生可用的电信号。检测器设备1包括壳体4,检测器5布置在壳体4内。
检测器5包括光传感器6,即布置在衬底7上的光阴极8,光阴极8以透射布置被操作。这是指光阴极8在它的朝向壳体4的入口光学部件9的一侧接收待检测的光2,且在朝向远离壳体4的入口光学部件9的一侧发射光电子。
光阴极8及其衬底7处于-8000V的电势水平,而壳体4处于0V的电势水平。
此外,检测器5包括处于-400V的电势水平的雪崩二极管10。由光阴极8产生的光电子由于在光阴极8与雪崩二极管10之间存在的电势差而被加速,且撞击经由电输出端3输出电信号的雪崩二极管10。
检测器设备1包括在壳体4内被配备作为被动冷却部件的冷却部件11。具体地,冷却部件11被配备作为导热的电绝缘中间元件12。中间元件12具有环状的形状,中间元件的中心轴线与待检测的光2的光路同轴地延伸。
此外,检测器设备1包括在壳体4内被配备作为环状的帕尔贴元件14的另一冷却部件13。环状的帕尔贴元件14与环状的中间元件12同轴地布置。
环状的帕尔贴元件14与中间元件12导热接触。中间元件12与衬底7导热接触。
通过导热的电绝缘中间元件12,冷却输出可以特别有效地被利用,以冷却衬底7和光阴极8。此外,提供:环状的帕尔贴元件14的发热侧朝向壳体4和入口光学部件9。其结果是入口光学部件9被再次加热,这样水不能冷凝。在检测器5、中间元件12和环状的帕尔贴元件14相对于壳体4之间的间隙的剩余部分填充有热绝缘和电绝缘灌封料。在入口光学部件9与光阴极8之间的区域填充有干燥气体。
图2示出了另一检测器设备,其中中间元件12与光传感器6直接导热接触。
图3示意性地示出就基本结构而言大体上与图1和图2所示的检测器设备相对应的根据本发明的第三检测器设备的示例性实施例。然而,被配备作为导热的电绝缘中间元件12的冷却部件11包括用于待检测的光2的圆锥形通道。另外,另一冷却部件13装备有具有被增大的直径(与图1和图2所示的实施例相比)的通道。此外,安装壳体4的被增大的入口窗。本实施例具有特别的优点:数值孔径被大幅增大。其结果是甚至倾斜的入射光也可以无障碍地传播到被配备作为光阴极8的光传感器。
特别地,入口窗被配备为比光传感器(在本示例中光阴极8)大得多。因此,冷却部件11和另一冷却部件13的内部开口的半径从光阴极8向外朝向入口窗增大。其另外的结果是在被配备作为中间元件12的冷却部件11与另一冷却部件13(即帕尔贴元件14)之间的接触面积被大幅增大,特别地这确保了良好的散热。
在图3所描述的实施例中,冷却部件11与光传感器6的衬底7的接触面积也大于冷却部件11与另一冷却部件13的接触面积,尽管冷却部件11与检测器5的另外的部件不直接接触。特别地为了这个目的,冷却部件11的外部轮廓也被圆锥形地配备。
设置包围冷却部件11的环状的热绝缘体,以便导致相对于壳体的另外的热绝缘。
图4示意性地示出就结构而言大体上与图3所示的实施例相对应的根据本发明的第四检测器设备的示例性实施例。为了增加泄漏电流耐受性,中间元件12的用于光2的通道被装备有圆周筋15。这延长了从光传感器6到另一冷却部件13的泄漏路径,由此大幅降低了电击穿的风险。
图5是根据本发明的检测器设备的另一示例性实施例的详细描述。
在本实施例中,另一冷却部件13(即帕尔贴元件14)的间隙填充有电绝缘材料16,例如硅酮。用电绝缘材料16填充间隙允许不希望的电压击穿被有效地避免。用电绝缘材料16填充有效地抑制沿着内部部件(例如帕尔贴元件14的圆柱状的半导体元件)的表面的火花的飞弧。
另外,在用于光2的通道的外侧和区域中的电绝缘材料16被装备有筋15,以便延长泄漏路径。
图6是根据本发明的检测器设备的第六示例性实施例的详细描述。在本实施例中,光传感器6与图1所示的光传感器6不同。
光传感器6具有由衬底7支撑的光阴极8,衬底7对于待检测的光2是半透明的。在待检测的光2到达光阴极8之前,待检测的光2通过衬底7。光阴极8布置在检测器5的壳体内。在检测器5的壳体中存在真空,从而检测器5的壳体的开口被衬底7密封。本实施例具有以下优点:使壳体4也处于真空下不是必要的(但是是可能的)。

Claims (44)

1.一种检测器设备(1),所述检测器设备(1)被配备以接收待检测的光(2)和产生电信号,所述检测器设备(1)具有包括光入射侧的光传感器(6),且具有冷却部件,其中,所述冷却部件在所述光传感器(6)的光入射侧与所述光传感器直接接触和/或与承载所述光传感器(6)的衬底(7)直接接触。
2.根据权利要求1所述的检测器设备(1),其中所述检测器设备包括壳体(4);和/或所述光传感器(6)和所述冷却部件(11)布置在壳体(4)内。
3.根据权利要求1所述的检测器设备(1),其中通过所述冷却部件(11)的光路被限定用于待检测的光(2)。
4.根据权利要求1所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)被配备作为导热的电绝缘中间元件(12)。
5.根据权利要求2所述的检测器设备(1),其中设置另一冷却部件(13);和/或设置与所述冷却部件(11)导热接触的另一冷却部件(13)。
6.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中在所述壳体(4)内设置所述另一冷却部件(13)。
7.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中
a.限定延伸通过所述另一冷却部件(13)的用于待检测的光(2)的光路;和/或
b.所述另一冷却部件(13)被配备作为导热的电绝缘中间元件(12);和/或
c.所述另一冷却部件(13)与检测器(5)的光传感器(6)直接接触,和/或与承载所述光传感器(6)的衬底(7)直接接触。
8.根据权利要求7所述的检测器设备(1),其中所述光传感器(6)为光阴极(8)。
9.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为主动冷却部件。
10.根据权利要求9所述的检测器设备(1),其中,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为帕尔贴元件(14)或作为热泵或作为热管。
11.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被布置使得所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的余热加热至少所述壳体(4)的入口光学部件。
12.根据权利要求11所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被布置使得所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的余热加热至少所述壳体(4)的入口窗。
13.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为被动冷却部件,热流动通过所述被动冷却部件发生。
14.根据权利要求13所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)至少部分地由电绝缘和导热材料制成。
15.根据权利要求14所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)至少部分地由氮化硼、氮化铝、氧化铝、金刚石、合成金刚石、或者所述材料的组合制成。
16.根据权利要求13所述的检测器设备(1),其中
a.所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)是电绝缘体和导热体;和/或
b.所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)至少部分地由复合材料制成。
17.根据权利要求16所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)包括芯,所述芯由导热材料制成,所述芯至少部分地被电绝缘体包围。
18.根据权利要求17所述的检测器设备(1),其中所述电绝缘体在热传导方向比所述芯薄。
19.根据权利要求17或18所述的检测器设备(1),其中所述芯由铝制成。
20.根据权利要求17或18所述的检测器设备(1),其中所述芯至少部分地被电绝缘体薄膜包围。
21.根据权利要求20所述的检测器设备(1),其中所述芯至少部分地被塑料薄膜包围。
22.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)具有大于1W/mK的导热率。
23.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)具有小于10-7S/m的导电率。
24.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中为增加在外表面上的泄漏电流耐受性,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)包括通过曲径被延长的泄漏路径。
25.根据权利要求24所述的检测器设备(1),其中所述曲径包括筋、至少一个凹槽和至少一个凸起中的至少一种。
26.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被大体环状地或圆柱状地配备。
27.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的间隙填充有电绝缘材料。
28.根据权利要求27所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的间隙填充有电绝缘和热绝缘材料。
29.根据权利要求27所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为热电转换器,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的间隙填充有电绝缘材料。
30.根据权利要求29所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为热电转换器,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的间隙填充有电绝缘和热绝缘材料。
31.根据权利要求30所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为热电转换器,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)的间隙填充有环氧树脂或硅酮。
32.根据权利要求29或30所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)被配备作为帕尔贴元件。
33.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)和所述另一冷却部件(13)热串联。
34.根据权利要求2所述的检测器设备(1),其中所述壳体(4)是气密的。
35.根据权利要求2所述的检测器设备(1),其中在所述壳体(4)中存在真空。
36.根据权利要求2所述的检测器设备(1),其中在检测器(5)与所述壳体(4)之间存在电势差。
37.根据权利要求36所述的检测器设备(1),其中在所述检测器(5)与所述壳体(4)之间存在超过1000V的电势差。
38.根据权利要求1所述的检测器设备(1),其中
a.所述光传感器(6)包括至少一个光阴极(8);和/或
b.所述光传感器(6)或包括所述光传感器的检测器(5)包括雪崩二极管;和/或
c.电子加速器和/或电子倍增器位于所述光传感器(6)下游;和/或
d.所述检测器设备包括检测器(5),所述检测器(5)包括所述光传感器(6),所述光传感器(6)在超过1000V的电压下被操作。
39.根据权利要求5所述的检测器设备(1),其中所述光传感器(6)和所述壳体(4)通过所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)导热地连接,所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)与所述光传感器(6)的接触面积小于所述冷却部件(11)和/或所述另一冷却部件(13)与所述壳体(4)的接触面积。
40.根据权利要求2所述的检测器设备(1),其中所述冷却部件(11)是被动冷却部件,所述被动冷却部件将热量从所述光传感器(6)和/或所述光传感器(6)的衬底传导到不与所述光传感器(6)直接接触也不与所述光传感器(6)的衬底直接接触的另一主动冷却部件;且所述另一主动冷却部件发射热量至所述壳体。
41.一种光学设备,具有至少一个根据权利要求1至40中的任一项所述的检测器设备(1)。
42.根据权利要求41所述的光学设备,其中所述光学设备是显微镜。
43.根据权利要求42所述的光学设备,其中所述显微镜是扫描显微镜。
44.根据权利要求43所述的光学设备,其中所述扫描显微镜是共焦扫描显微镜。
CN201210292665.5A 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备 Active CN102954837B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110052738 DE102011052738A1 (de) 2011-08-16 2011-08-16 Detektorvorrichtung
DE102011052738.9 2011-08-16
DE102012101675.5 2012-02-29
DE102012101675A DE102012101675A1 (de) 2011-08-16 2012-02-29 Detektorvorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102954837A CN102954837A (zh) 2013-03-06
CN102954837B true CN102954837B (zh) 2017-04-26

Family

ID=47076062

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280050606.5A Active CN103890900B (zh) 2011-08-16 2012-08-15 检测器装置
CN201210292647.7A Active CN102956721B (zh) 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备
CN201210292673.XA Active CN102954809B (zh) 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备
CN201210292665.5A Active CN102954837B (zh) 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280050606.5A Active CN103890900B (zh) 2011-08-16 2012-08-15 检测器装置
CN201210292647.7A Active CN102956721B (zh) 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备
CN201210292673.XA Active CN102954809B (zh) 2011-08-16 2012-08-16 检测器设备

Country Status (6)

Country Link
US (4) US8791402B2 (zh)
EP (2) EP2560188B1 (zh)
JP (4) JP2013040939A (zh)
CN (4) CN103890900B (zh)
DE (1) DE102011052738A1 (zh)
WO (1) WO2013024123A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9228983B2 (en) * 2013-03-14 2016-01-05 Rosemount Analytical Inc. Process analytic device with improved thermal stability
DE102014115417B4 (de) 2014-10-22 2021-11-11 Leica Microsystems Cms Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Detektors sowie Detektorvorrichtung und optische Vorrichtung
LU92583B1 (de) * 2014-10-22 2016-04-25 Leica Microsystems Detektorvorrichtung
LU92584B1 (de) * 2014-10-22 2016-04-25 Leica Microsystems Verfahren zum betreiben eines detektors
US9892893B2 (en) * 2015-03-23 2018-02-13 Molecular Devices, Llc Cooled photomultiplier tube based light detector with reduced condensation, and related apparatuses and methods
WO2017071748A1 (en) * 2015-10-28 2017-05-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for processing of a material on a substrate, cooling arrangement for a processing apparatus, and method for measuring properties of a material processed on a substrate
AU2017205654B9 (en) 2016-01-07 2021-12-09 The Research Foundation For The State University Of New York Selenium photomultiplier and method for fabrication thereof
RU2661887C2 (ru) * 2016-05-18 2018-07-20 Борис Федорович Санталов Фотоэлектронный умножитель
JP6508140B2 (ja) * 2016-06-30 2019-05-08 東亜ディーケーケー株式会社 光電子増倍管、測定装置、製造用治具
US10520789B2 (en) * 2016-08-25 2019-12-31 Coherent Kaiserslautern GmbH Modular ultraviolet pulsed laser-source
JP7151068B2 (ja) * 2016-12-26 2022-10-12 三菱マテリアル株式会社 ケース付熱電変換モジュール
US10753805B2 (en) * 2017-04-05 2020-08-25 Kaiser Optical Systems Inc. Radiation shield for near-infrared detectors
US10197441B1 (en) * 2018-01-30 2019-02-05 Applied Materials Israel Ltd. Light detector and a method for detecting light
EP3591687B1 (en) * 2018-07-02 2020-12-30 Photonis Scientific, Inc. Channel electron multiplier having two or more resistive coating layers in different zones along its length and method to produce the same
CN109283172B (zh) * 2018-11-23 2021-05-11 大连航创科技有限公司 一种小型化no气体检测装置
DE102019201031A1 (de) * 2019-01-28 2020-07-30 lbeo Automotive Systems GmbH Kühlvorrichtung für einen Objekterkennungssensor
US11268849B2 (en) 2019-04-22 2022-03-08 Applied Materials Israel Ltd. Sensing unit having photon to electron converter and a method
US11536604B1 (en) * 2019-05-30 2022-12-27 El-Mul Technologies Ltd Light sensor assembly in a vacuum environment
WO2021009892A1 (ja) * 2019-07-18 2021-01-21 株式会社日立ハイテク 撮像機構並びに撮像機構を備えた試料分析装置
JP7360975B2 (ja) 2020-03-10 2023-10-13 浜松ホトニクス株式会社 光検出器
JP7369675B2 (ja) 2020-07-17 2023-10-26 浜松ホトニクス株式会社 電子管、電子管モジュール、及び光学装置
NL2026789B1 (nl) * 2020-10-29 2022-06-21 Ultimaker Bv Flow control in an extruder head
JP2023161105A (ja) * 2022-04-25 2023-11-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 冷蔵庫

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3139733A (en) * 1962-01-15 1964-07-07 Transitron Electronic Corp Thermoelectric cooling device for heat conductive light transparent surfaces
CN85101204A (zh) * 1985-04-01 1987-01-24 株式会社岛津制作所 光电检测装置
WO2004013590A1 (ja) * 2002-08-01 2004-02-12 Hamamatsu Photonics K.K. 光検出装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814964A (en) * 1973-01-19 1974-06-04 Ace Sophisticates Inc External photodetector cooling techniques
US4926227A (en) 1986-08-01 1990-05-15 Nanometrics Inc. Sensor devices with internal packaged coolers
US4833889A (en) * 1988-06-17 1989-05-30 Microluminetics Thermoelectric refrigeration apparatus
FR2638023B1 (fr) 1988-10-13 1992-07-31 Telecommunications Sa Dispositif cryostatique pour detecteur de rayonnements
JPH0626926A (ja) * 1992-05-12 1994-02-04 Fujitsu Ltd 赤外線検知器
US5311044A (en) 1992-06-02 1994-05-10 Advanced Photonix, Inc. Avalanche photomultiplier tube
JPH0688747A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Omron Corp 冷却式光検出装置
JP3276418B2 (ja) * 1992-09-24 2002-04-22 浜松ホトニクス株式会社 イメージ管装置
JP3310404B2 (ja) * 1993-07-23 2002-08-05 浜松ホトニクス株式会社 冷却型固体撮像装置
US5596228A (en) * 1994-03-10 1997-01-21 Oec Medical Systems, Inc. Apparatus for cooling charge coupled device imaging systems
US5796109A (en) * 1996-05-03 1998-08-18 Frederick Energy Products Unitized radiation detector assembly
JPH10281864A (ja) * 1997-04-03 1998-10-23 Nikon Corp 熱型赤外線カメラ
JP3398300B2 (ja) * 1997-05-28 2003-04-21 京セラ株式会社 電子装置
US6705388B1 (en) * 1997-11-10 2004-03-16 Parker-Hannifin Corporation Non-electrically conductive thermal dissipator for electronic components
AU1173099A (en) * 1997-11-19 1999-06-07 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector and image pickup device employing it
JP4128654B2 (ja) 1998-05-13 2008-07-30 浜松ホトニクス株式会社 電子管装置
JP2003258323A (ja) * 2002-03-07 2003-09-12 Citizen Watch Co Ltd 熱電素子
US7706584B2 (en) * 2002-10-22 2010-04-27 Baylor College of Medicine and William Marsh Rice University Random access high-speed confocal microscope
JP2004163272A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Hamamatsu Photonics Kk 冷却式光検出装置
US7157706B2 (en) * 2003-05-28 2007-01-02 Opto-Knowledge Systems, Inc. Cryogenically cooled adjustable apertures for infrared cameras
JP2005353846A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP4689234B2 (ja) * 2004-10-29 2011-05-25 浜松ホトニクス株式会社 光電子増倍管及び放射線検出装置
JP4932613B2 (ja) * 2007-06-20 2012-05-16 株式会社堀場製作所 放射温度計
US8153981B2 (en) 2009-02-04 2012-04-10 General Electric Company Radiation detector assembly
DE102009036006B3 (de) 2009-08-04 2010-12-30 Modine Manufacturing Co., Racine Herstellungsverfahren für Rohre, Walzenstraße, Abreißvorrichtung
DE102009036066A1 (de) 2009-08-04 2011-02-10 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Optoelektronischer Detektor und Betriebsverfahren für einen solchen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3139733A (en) * 1962-01-15 1964-07-07 Transitron Electronic Corp Thermoelectric cooling device for heat conductive light transparent surfaces
CN85101204A (zh) * 1985-04-01 1987-01-24 株式会社岛津制作所 光电检测装置
WO2004013590A1 (ja) * 2002-08-01 2004-02-12 Hamamatsu Photonics K.K. 光検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130043377A1 (en) 2013-02-21
EP2560188B1 (de) 2020-04-22
CN103890900A (zh) 2014-06-25
JP2013040939A (ja) 2013-02-28
CN102954809B (zh) 2016-10-19
CN102956721B (zh) 2017-03-01
CN103890900B (zh) 2016-09-14
EP2615621A1 (de) 2013-07-17
US9450118B2 (en) 2016-09-20
US9130079B2 (en) 2015-09-08
DE102011052738A1 (de) 2013-02-21
CN102956721A (zh) 2013-03-06
EP2615621B1 (de) 2020-06-17
US8791402B2 (en) 2014-07-29
JP2014522093A (ja) 2014-08-28
US20140306098A1 (en) 2014-10-16
US20130043376A1 (en) 2013-02-21
US20130043378A1 (en) 2013-02-21
JP2013040938A (ja) 2013-02-28
WO2013024123A1 (de) 2013-02-21
CN102954837A (zh) 2013-03-06
EP2560188A1 (de) 2013-02-20
JP2013040940A (ja) 2013-02-28
JP6159723B2 (ja) 2017-07-05
JP6244085B2 (ja) 2017-12-06
US9117947B2 (en) 2015-08-25
CN102954809A (zh) 2013-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102954837B (zh) 检测器设备
CN106158717B (zh) 机械卡盘及半导体加工设备
US11953380B2 (en) Combined near and mid infrared sensor in a chip scale package
CN103094254A (zh) 发光二极管模块
JP6431574B1 (ja) 電子管
US10290805B2 (en) Emitter and method for manufacturing the same
JP6104682B2 (ja) 照明装置
CN105556286A (zh) 用于监控润滑剂状态的传感器设备以及用于制造传感器设备的方法
US20130234180A1 (en) Light emitting diode packaging structure
US10132941B2 (en) Radiation detector and radiation detection apparatus
US11551903B2 (en) Devices and methods for dissipating heat from an anode of an x-ray tube assembly
US8766396B2 (en) Vibration noise shield in a semiconductor sensor
CN109084901A (zh) 一种红外辐射传感器
US10794765B2 (en) Device for securing an infrared radiation detector from unwanted infrared radiation and heat
CN107727246A (zh) 高真空的红外线传感器及其封装方法
CN108180672B (zh) 一种emccd探测器的真空封装杜瓦
DE202012007786U1 (de) Detektorvorrichtung
EP2560189B1 (de) Detektorvorrichtung
US20170062656A1 (en) Led element with protecting layer
WO2017125973A1 (ja) 赤外線センサ
JP2011023116A (ja) 冷陰極管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant