CN102873632A - 用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备。一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备包括检测器和确定器。检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置。检测器进一步被配置成输出指示载体的位置的信号。确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备,并且涉及一种抛光机。
背景技术
抛光机用来抛光元件(例如晶片)以便提供元件的平坦表面。为此目的,通过使用抛光垫磨蚀元件的表面并且使其平整。在抛光元件的工艺中,在元件由抛光机的载体压向抛光垫时,元件与抛光垫平行地相对移动和/或旋转。该抛光工艺或者更详细地说若干抛光工艺造成抛光垫的磨蚀,该抛光垫代表抛光机的一个磨损零件。因此,当已经抛光了特定数量的元件时或者当达到抛光垫的最小残余厚度时,替换该抛光垫。由于小的垫厚度(例如1200μm),准确地确定和监控抛光垫的厚度是一项困难的任务。
发明内容
一个实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备。该设备包括检测器,该检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置并且输出指示该载体的位置的信号。所述设备进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
另一实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备。该设备包括检测器,该检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在抛光方向上的位置,其中该检测器被配置成输出指示载体的位置的信号。所述设备进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号并且基于使用已知厚度的抛光垫、预定的压力和元件的预定厚度而事先获得的校准数据确定抛光垫的厚度度量,其中该确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
另一个实施例提供了一种用于抛光元件的抛光机。该抛光机包括抛光垫固定于其上的压板以及要抛光的元件的载体。载体被配置成:在挤压方向上移动,在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫,并且使得元件与抛光垫平行地相对移动和/或旋转。抛光机包括检测器,该检测器被配置成在载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测载体的位置并且输出指示载体的位置的信号。抛光机进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
另一实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法。该方法包括:在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;输出指示该载体的位置的信号。抛光垫的厚度度量基于指示载体的位置的信号而确定。
附图说明
随后,将参照附图讨论依照本发明的实施例,在附图中:
图1示出了应用到依照实施例的抛光机的检测器和确定器的示意性框图;
图2a示出了由载体施加的压力以及由此引起的抛光垫的压缩的示意图以便图解说明压力对抛光垫的厚度度量确定的影响;
图2b示出了具有五个载体的抛光机的示意图以便图解说明使用的载体的数量对抛光垫的厚度度量确定的影响;
图2c示出了示意性多维表格以便图解说明厚度度量与指示载体位置的信号的关系取决于若干影响因素;
图3示出了在抛光工艺期间在时间上随着时间连续地绘制的指示载体位置的多个信号的示图;
图4示出了随着时间绘制的七个抛光垫的确定的厚度度量的示意图;
图5a示出了具有应用到抛光机的光学检测器和确定器的实施例的示意图;以及
图5b示出了由依照图5a的实施例的光学检测器检测的指示载体位置的信号的示意图。
具体实施方式
图1示出了用于确定抛光机14的抛光垫12的厚度t度量的设备10的实施例。设备10包括检测器16和确定器18。检测器16被配置成检测抛光机14的载体22在挤压方向24上的位置20并且输出指示载体22的位置20的信号26。在该实施例中,设备10应用到包括抛光垫12固定于其上的压板28的抛光机14。抛光机14进一步包括要抛光的元件30的载体22,该元件由载体22在挤压方向24上以限定的压力p1(例如1600N)压向抛光垫12。保持元件30的载体22在垂直于压板28的挤压方向24上可相对于压板28移动,并且因而在挤压方向24上可以具有不同的位置20。
在下文中,将描述用于基于载体22的位置20确定厚度t的度量的设备10的功能。抛光垫12的厚度t是其在挤压方向24上的展度。
载体22在挤压方向24上的位置20取决于在载体22以限定的压力p1挤压元件30时抛光垫12的厚度t。检测器16检测该位置20并且向确定器18输出指示该位置20的信号26,例如电压。确定器18在元件30的厚度已知或恒定的假设下基于信号26确定厚度t的度量。该度量可以是厚度t的绝对值或相对值。有益的是,可以在元件30的抛光工艺期间检测和/或监控抛光垫12的厚度t的度量以及因而抛光垫12的磨蚀。因此,抛光垫12可以最大限度地被使用,或者换言之,被使用直到最小预定义残余厚度t。此外,设备10可以应用于不同种类的现有抛光机。
实施例基于以下认识:有可能通过检测把要抛光的元件压向抛光垫的载体的位置而间接地确定抛光垫的厚度t度量。可以使用诸如基于激光的光学传感器或者电容式换能器之类的适当检测器以容易的方式检测载体的位置。相应地,甚至在抛光工艺期间可以以可靠的方式确定抛光垫的厚度t而不必直接测量抛光垫的厚度t。
在实施例中,控制在确定抛光垫的厚度t度量时的条件以便与在获得校准数据时的条件相应,使得抛光垫的厚度t度量可以通过使用检测器的输出信号访问校准数据而直接从检测器的输出信号中导出。
在其他实施例中,针对不同的条件即影响因素而获得校准数据,所述不同的条件诸如不同的压力、压向抛光垫的元件的不同数量和/或要抛光的元件的不同厚度。在这样的实施例中,可以基于校准数据创建查找表并且基于在确定抛光垫的厚度t时存在的实际条件中的一个或多个访问查找表。可以提供用于检测实际条件的适当传感器。在其他实施例中,可以由操作者将实际条件输入到装置。在确定抛光垫的厚度t度量中,访问查找表以便考虑实际条件可以被认为考虑一个或多个校正因素。
关于图2a至图2c,将描述对确定抛光垫的厚度t度量的影响因素。这些影响因素可以是用以将元件压向抛光垫的压力p、要抛光的元件的实际厚度、使用的载体的特性(例如载体的厚度)以及由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量。
图2a示例性地示出了取决于由抛光机的载体用以将元件压向抛光垫的压力p的抛光垫的压缩。该示图示出了相对于压力p绘制的抛光垫压缩的测量点的曲线图32。实验获得的曲线图32表现出以99.3%的确定系数基本上线性取决于这两个测量参数,如线性曲线图34所示。以下说明在线性取决于确定抛光垫的厚度t所基于的载体位置和压力p的假设下进行。压力p造成的抛光垫的压缩由抛光垫的弹性变形所产生,并且对厚度t没有影响,但是对其确定有影响。
对压力p的依赖性影响厚度t的度量的确定。因而,依照实施例,限定的压力p1被控制为与在获得校准数据时用以将元件压向抛光垫的预定压力p2相应。因而,当在压力p方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时,即当限定的压力p1等于预定压力p2时,检测器检测载体的位置。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度中使用反映限定的压力p1与预定压力p2之间的差值的校正因素。
要抛光的或者正被抛光的元件的实际厚度是直接影响厚度t度量的确定的另一因素。依照实施例,元件的实际厚度与在获得校准数据时使用的元件的预定厚度相应。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度t时使用反映在确定抛光垫的厚度t时的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的校正因素。
图2b示意性地示出了具有用于抛光五个元件的五个载体的抛光机40。抛光机40基本上与关于图1所示的抛光机14相应,但是形成对照的是,抛光机40具有五个可移动的载体42a、42b、42c、42d和42e。每个载体42a、42b、42c、42d和42e包括被配置成在挤压方向24上以限定的压力p1将元件46a、46b、46c、46d和46e压向抛光垫12的各自下压力缸44a、44b、44c、44d和44e。检测器16与载体42b关联以便如上面所描述的那样检测载体42b的位置20。
检测器16检测的载体42b的位置20取决于并行使用的载体42a、42b、42c、42d和42e的数量和/或位置,或者换言之,取决于并行压向抛光垫12的元件的数量和/或位置。其背景在于,抛光垫12上的负载分布根据各自载体配置,即根据实际在使用中的载体的数量或者根据实际在使用中的载体的位置而变化。例如,如果使用彼此具有小距离的载体(例如载体42b和42c)或者彼此具有更大距离的载体(例如载体42b和42d),则负载分布不同。在实施例中,当在使用的载体42a、42b、42c、42d和42e的数量和/或位置以及要抛光的元件46a、46b、46c、46d和46e的数量和/或位置方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时,检测器16检测载体42b的位置20。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度t时使用反映在实际在使用中的载体(或元件)的数量和/或位置与在获得校准数据期间使用的载体(或元件)的数量和/或位置之间的差值的校正因素。
此外,由于例如载体的厚度或者其几何公差,载体本身对抛光垫的厚度t度量的确定有影响。因而,可以在载体的每次变化之后获得校准数据以便确保在确定厚度t和获得校准数据期间载体方面的可比较条件。
图2c示出了取决于指示载体的位置的信号并且取决于上面讨论的影响因素的厚度t的多维表格,所述影响因素诸如限定的压力p1和并行压到抛光垫的元件(参见46a、46b、46c、46d和46e)的数量。在表格的区域47中,将指示位置的信号(参见列48a)分配给厚度t的对应值(参见列49a)。在每行中,对于使用一个载体的情况而言,信号(例如信号48a_3)符合厚度t的对应绝对值(例如49a_3)。在第二维度中,根据使用的载体的数量,将信号(参见列48a)关联到厚度t的对应值(参见列49a、49b、49c、49d和49e)。在第三维度中,在确定厚度t的度量期间将对应信号(参看列48a、48b、48c、48d和48e)分配给用以将元件压向抛光垫的限定的压力p1。限定的压力p1由取决于预定压力p2的值描述。所述多维表格可以具有诸如用于校正元件的实际厚度的影响的另外的维度,所述实际厚度可能不同于预定义厚度。
获得将厚度t的值分配给检测器的输出信号、对应压力p、使用的载体的数量和/或元件的厚度的表格的值可以是使用已知厚度t的抛光垫来获得校准数据的一部分。在该实施例中,检测器的输出信号、厚度t的值以及压力p如上面所描述的那样具有线性依赖性。检测器的输出信号、厚度t的值、载体的数量和/或压力p之间的依赖性可以是线性的或者非线性的。
所描述的使用校准表格的分配通过应用一个或多个校正因素而与厚度t的确定相应,其中第一校正因素取决于限定的压力p1与预定压力p2之间的差值,第二校正因素取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值,并且第三校正因素取决于由各个载体(参见42a、42b、42c、42d和42d)并行地压到抛光垫的元件的数量。依照一个实施例,确定器被配置成通过使用这样的多维查找表而确定厚度t的度量。有益的是,抛光垫的厚度t可以在不同的条件(例如不同的限定的压力p1)下进行确定。
在其他实施例中,设备被控制成使得所述条件与获得校准数据的所有条件相应,从而使得可以诸如通过使用具有仅仅单列的分配表格直接从检测器的输出信号中确定厚度t。在其他实施例中,根据哪些条件不与校准的条件相应而使用一个或多个校正因素。
图3示出了随着抛光工艺的时间而绘制的指示载体的位置的信号的示图。在这里,曲线图50示出了在抛光工艺的三个阶段期间时间上连续地检测的多个信号。第一阶段52是从抛光工艺的开始到抛光机为稳态时的时间点。第二阶段54代表抛光处理的主要间隔,其中抛光机为稳态。第三阶段56代表就在完成抛光工艺并且提升载体之前的间隔。
曲线图50在第一阶段52和第三阶段56中表现出由于降低和提升载体而引起的高而失真的值。在第二阶段54中,信号表现出具有小振荡的恒定弯曲形状。信号的振荡可能由抛光工艺期间抛光机的振荡造成。由于第二间隔54中的恒定值,依照该实施例,检测器在该间隔54内的抛光工艺的预定时间处检测载体的位置。为了消除信号的振荡,依照实施例,确定器在另一间隔58期间时间上连续地基于多个信号的平均来确定厚度t的度量,该另一间隔58是间隔54的真子集并且可以具有30秒的持续时间。
间隔58期间或者单一抛光工艺期间正被抛光的元件的磨蚀是可比较小的,使得该磨蚀不显著地影响厚度t度量的确定。此外,检测器可以在抛光工艺的预定时间处检测所述位置,使得第一和第二抛光工艺期间厚度t的第一和第二度量的确定是可比较的。
图4示出了由上面描述的设备和方法确定的厚度t的不同测量结果的示图。该示图在近似七周的时间上绘制并且示出了七个不同抛光垫61a、61b、61c、61d、61e、61f和61g的测量点。每个抛光垫具有近似1200μm的初始厚度t,并且被使用直到抛光垫的允许残余厚度t,例如800μm或者甚至更长。
允许残余抛光垫厚度t的值代表阈值60。为了最大限度地使用抛光垫(直到最小预定义残余厚度t),确定器可以被配置成在抛光垫的确定的厚度t下降至低于阈值60的情况下输出警报信号。可以在个别的基础上针对每个种类的抛光垫确定阈值60。抛光垫的初始厚度t可能经受近似80μm的有限范围内的变化。因此,可以在改变抛光垫之后将确定器校准到抛光垫的已知初始厚度t,以便相对于抛光垫的初始厚度t设置阈值60。这使得能够基于抛光垫的磨蚀设置警报信号。
在下文中,将关于图5a和图5b讨论具有光学检测器的优选实施例。
图5a示出了与图1a的实施例可比较的实施例,其中检测器由光学检测器62形成。检测器62包括与载体22关联的反射器64,使得载体22的位置20与反射器64的位置65耦合。检测器62进一步包括固定信号源66(例如激光器)和固定传感器68(例如CCD芯片)。反射器64可以相对于信号源66移位30mm(由箭头d所示)并且可以具有由两个位置65b和65c所示的+/-5mm的运动范围。在该实施例中,信号源66被布置成使得电磁波70沿着挤压方向24发射到反射器64。传感器68相对于信号源66成角度,使得它被配置成接收由反射器64漫反射的电磁波71a、71b或71c。信号源66可以进一步包括经由其发射电磁波70的透镜72。传感器68可以进一步包括经由其接收电磁波71a、71b或71c的透镜74。
在下文中,将讨论该实施例的检测器62的功能。
信号源66发射电磁波70,该电磁波由反射器64反射到传感器68。传感器68在入射角α下接收电磁波71a、71b或71c,该入射角取决于反射器64的位置65。例如,如果反射器64处于位置65a,那么它反射电磁波70,使得传感器68在第一入射角α下接收电磁波71a。类似地,如果反射器64分别处于位置65b和65c,则在第二或第三入射角α下接收电磁波71b或71c。传感器68被配置成获得入射角α。在该实施例中,获得的入射角α与由检测器62或者更详细地说由传感器68输出到确定器18的电信号26相应。如关于图1所描述的,确定器基于指示入射角α以及因而分别指示反射器64的位置65和载体22的位置20的信号26确定抛光垫12的厚度t。
下面将描述入射角α的检测。图5b示意性地示出了随着传感器68的位置参数x(宽度)绘制的强度谱。接收的电磁波71b的示例性曲线图78在位置79b处表现出最大强度。
漫反射的电磁波71a、71b或71c由透镜74投射到传感器68,使得最大强度的位置x取决于入射角α。示例地示出了(对应电磁波71a、71b和71c的)对应第一、第二和第三入射角α的三个不同位置x 79a、79b和79c。有益的是,由于曲线图78的明显的最大强度,可以准确地获得入射角α以及因而抛光垫12的厚度t。
基于入射角确定抛光垫的厚度t的一种可替换方案是通过使用不同的光学传感器确定厚度t。用于这种光学传感器的一个实施例将是获得由固定信号源66发射、由反射器64直接反射到固定传感器的电磁波70的行进时间。固定传感器被配置成获得行进时间,该行进时间取决于反射器的位置或者更详细地说取决于信号源66与反射器64之间的距离d和传感器与反射器64之间的距离以及光的速度。因此,确定器18基于发射电磁波70的时间点与接收反射的电磁波71a、71b或71c的时间点之间的时间差而确定载体22的位置。
可替换实施例的检测器可以使用电传感器,诸如霍尔效应传感器、电位计或者电容式换能器。
实施例涉及抛光机14,该抛光机包括抛光垫12固定于其上的压板28以及要抛光的元件30的可移动载体22。抛光机14进一步包括被配置成在载体22将元件30压向抛光垫12时检测载体22的位置20的检测器16、以及被配置成确定抛光垫12(参见图1)的厚度t度量的确定器18。载体22被配置成相对于压板28平行地旋转和/或移动以便抛光元件30。可选地,压板28可以旋转。抛光机14可以被配置成将多个元件压向抛光垫12,或者可以包括多个载体,每个载体被配置成如关于图2b所描述的那样将元件压向抛光垫12。此外,抛光机可以包括用于将所述一个或多个载体压向抛光垫12的一个或多个下压力缸(参见44a、44b、44c、44d和44e)。在这种情况下,抛光机14的检测器16可以被配置成检测下压力缸的位置以便确定抛光垫12的厚度t。
抛光机14可以由被配置成提供值的控制器控制,这些值诸如限定的压力p1、元件的厚度以及压到抛光垫的元件的数量。为了确定限定的压力p1,抛光机14可以包括压力传感器并且向确定器输出获得的限定的压力p1。控制器提供和/或压力传感器输出的值可以由确定器18用于确定厚度t,诸如用于访问校准表格。
在可替换的实施例中,可以将至少两个抛光垫固定在压板28上,使得设备(例如设备10)确定的厚度t的度量与至少两个抛光垫的厚度度量相应。
在可替换的实施例中,可以基于指示多个载体的位置的多个信号执行厚度t度量的确定。这些信号由多个检测器输出,每个检测器被配置成检测对应载体的位置。
尽管在设备的上下文中描述了一些方面,但是清楚的是,这些方面也代表用于确定抛光垫的厚度t度量的相应方法的描述,其中框或装置与方法步骤或者方法步骤的特征相应。类似地,在方法步骤的上下文中描述的方面也代表相应设备的相应框或项目或者特征的描述。一些或者所有方法步骤可以通过(或者使用)硬件设备(比如例如微处理器、可编程计算机或电子电路)执行。在一些实施例中,最重要的方法步骤中的某个或更多方法步骤可以由这种设备执行。
因此,本发明方法的另一实施例是数据载体(或者数字存储介质或计算机可读介质),其包括记录于其上的用于执行本文描述的方法之一的计算机程序。数据载体、数字存储介质或者记录介质典型地为有形和/或非暂时性的。非暂时性计算机可读介质包含指令,这些指令在由用于确定抛光垫的厚度度量的设备的处理器执行时使设备执行上面描述的方法。
取决于特定的实现要求,本发明的实施例可以以硬件或者以软件实现。实现方式可以使用其上存储了电子可读控制信号的数字存储介质执行,所述数字存储介质例如蓝光光盘、CD、EPROM或者闪存,所述电子可读控制信号与可编程计算机系统协作(或者能够与可编程计算机系统协作)使得执行对应方法。因此,数字存储介质可以是计算机可读的。
其他实施例包括存储在机器可读载体上的用于执行本文描述的方法之一的计算机程序。换言之,本发明方法的实施例因此为具有程序代码的计算机程序,所述程序代码用于当计算机程序运行在计算机上时执行本文描述的方法之一。
另一实施例包括被配置成或者适于执行本文描述的方法之一的处理构件,例如计算机或可编程逻辑装置。在一些实施例中,可编程逻辑装置可以用来执行本文描述的方法的一些或所有功能。在一些实施例中,现场可编程门阵列可以与微处理器协作以便执行本文描述的方法之一。通常,这些方法优选地由任何硬件设备执行。
上面描述的实施例仅仅说明本发明的原理。理解的是,本文描述的布置和细节的修改和变型对于本领域技术人员将是清楚明白的。因此,意在仅由待决专利权利要求书的范围限制,而不是由通过本文的实施例的描述和解释呈现的特定细节限制。
Claims (26)
1.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备,该设备包括:
检测器,被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置并且输出指示该载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
2.权利要求1的设备,其中确定器被配置成通过将指示载体的位置的信号与使用已知厚度的抛光垫、预定压力以及元件的预定厚度而事先获得的校准数据进行比较来确定抛光垫的厚度度量。
3.权利要求2的设备,其中检测器被配置成在限定的压力、使用的载体和要抛光的元件中的至少一个方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时检测载体的位置。
4.权利要求2的设备,其中确定器被配置成考虑取决于限定的压力与预定压力之间的差值的第一校正因素、取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的第二校正因素以及取决于由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置的第三校正因素中的至少一个而确定厚度度量。
5.权利要求1的设备,其中检测器被配置成在开始抛光元件的工艺之后的预定时间处检测载体的位置。
6.权利要求1的设备,其中检测器被配置成时间上连续地输出指示载体的位置的多个信号,并且其中确定器被配置成基于所述多个信号的平均来确定厚度度量。
7.权利要求1的设备,其中确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
8.权利要求1的设备,其中检测器包括:
固定信号源,被配置成发射电磁波;
反射器,与载体关联,使得载体的位置与反射器的位置耦合;以及
固定传感器,被配置成获得由反射器反射的电磁波的入射角;
其中获得的入射角取决于反射器的位置。
9.权利要求8的设备,其中信号源为激光器。
10.权利要求8的设备,其中反射器漫反射电磁波;并且
其中传感器包括透镜和电子光传感器并且其中传感器被配置成通过获得反射的电磁波的最大强度而获得反射的电磁波的入射角,该最大强度由透镜投射到电子光传感器。
11.权利要求1的设备,其中检测器包括:
固定信号源,被配置成发射电磁波;
反射器,与载体关联,使得载体的位置与反射器的位置耦合;以及
固定传感器,被配置成获得由反射器反射的电磁波的行进时间;
其中获得的行进时间取决于反射器的位置。
12.权利要求1的设备,其中检测器包括电位置传感器。
13.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备,该设备包括:
检测器,被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置,其中该检测器被配置成输出指示载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号并且基于使用已知厚度的抛光垫、预定的压力和元件的预定厚度而事先获得的校准数据确定抛光垫的厚度度量,其中该确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
14.权利要求13的设备,其中确定器被配置成在限定的压力等于预定压力和/或元件的限定的厚度等于元件的预定厚度时确定抛光垫的厚度度量。
15.一种用于抛光元件的抛光机,该抛光机包括:
压板,抛光垫要固定在该压板上;
要抛光的元件的载体,其中载体被配置成在挤压方向上移动,以便在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫,其中所述抛光机被配置成造成元件和抛光垫之间的与抛光垫平行的相对移动或旋转;
检测器,被配置成在载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测载体的位置并且输出指示载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
16.权利要求15的抛光机,其中抛光机的载体被配置成将多个元件压向抛光垫;或者
其中抛光机包括多个载体,每个载体被配置成把要抛光的元件压向抛光垫。
17.权利要求15的抛光机,进一步包括被配置成确定限定的压力的压力传感器。
18.权利要求15的抛光机,进一步包括控制器,该控制器被配置成控制抛光机并且提供限定的压力值、要抛光的元件的厚度以及由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置中的至少一个;并且
其中确定器被配置成考虑所述至少一个值而确定抛光垫的厚度度量。
19.权利要求15的抛光机,其中检测器为电位置传感器或光学位置传感器。
20.权利要求15的抛光机,进一步包括用于将所述一个或多个载体压向抛光垫的一个或多个下压力缸,其中检测器被配置成检测下压力缸的位置。
21.权利要求15的抛光机,进一步包括固定在压板上的抛光垫。
22.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法,该方法包括:
在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;
输出指示该载体的位置的信号;以及
基于指示载体的位置的信号而确定抛光垫的厚度度量。
23.权利要求22的方法,进一步包括事先使用已知厚度的抛光垫和元件的一定厚度获得校准数据;并且
其中在限定的压力、使用的载体和要抛光的元件中的至少一个方面的条件与在获得校准数据期间的相应条件相应时执行检测载体的位置。
24.权利要求22的方法,进一步包括:
使用已知厚度的抛光垫、预定压力和元件的预定厚度,事先获得校准数据;以及
基于取决于限定的压力与预定压力之间的差值的第一校正因素、取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的第二校正因素以及取决于由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置的第三校正因素中的至少一个,校正指示位置的信号。
25.权利要求22的方法,其中在开始抛光元件的工艺之后的预定时间处执行检测载体的位置。
26.一种非暂时性计算机可读介质,包括指令,这些指令在由用于确定抛光垫的厚度度量的设备的处理器执行时使该设备执行如下方法,该方法包括:
在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;
输出指示该载体的位置的信号;以及
基于指示载体的位置的信号而确定抛光垫的厚度度量。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107202542A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-26 | 常州工学院 | 一种太阳能电池片的测厚装置及测厚方法 |
CN110177649A (zh) * | 2016-09-16 | 2019-08-27 | 应用材料公司 | 基于沟槽深度的电磁感应监测进行的过抛光 |
CN112677016A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-20 | 上海高仙自动化科技发展有限公司 | 检测方法、检测装置、智能机器人及可读存储介质 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10088304B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-10-02 | Ocean Industries, LLC | Composite carrier and automated thickness measurement and calibration system and method |
US11794305B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09290363A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
EP0884136A1 (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing method and polishing apparatus using the same |
JPH1158225A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-02 | Nec Corp | 半導体ウェハ研磨終点検出装置 |
US6169931B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-01-02 | Southwest Research Institute | Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life |
EP1270148A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
US20030060127A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Kaushal Tony S. | Sensor for in-situ pad wear during CMP |
US20070161333A1 (en) * | 2002-08-28 | 2007-07-12 | Micron Technology, Inc. | In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging |
CN101320708A (zh) * | 2007-06-06 | 2008-12-10 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路装置的制造方法 |
US20100035518A1 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Chang Shou-Sung | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
Family Cites Families (161)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6048588A (en) * | 1988-07-08 | 2000-04-11 | Cauldron Limited Partnership | Method for enhancing chemisorption of material |
JP3036348B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-04-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
JPH07285069A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 |
TW353203B (en) * | 1995-04-10 | 1999-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus for holding substrate to be polished |
TW284907B (en) * | 1995-06-07 | 1996-09-01 | Cauldron Lp | Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation |
US5665199A (en) * | 1995-06-23 | 1997-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methodology for developing product-specific interlayer dielectric polish processes |
US5609718A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5875559A (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring the profile of a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US5643048A (en) * | 1996-02-13 | 1997-07-01 | Micron Technology, Inc. | Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6075606A (en) * | 1996-02-16 | 2000-06-13 | Doan; Trung T. | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates |
US5643050A (en) * | 1996-05-23 | 1997-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor |
US20010012108A1 (en) * | 1996-07-26 | 2001-08-09 | Paul Holzapfel | Methods and apparatus for the in-process measurement of thin film layers |
US5948203A (en) * | 1996-07-29 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring |
JPH1086056A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Speedfam Co Ltd | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
US5868896A (en) * | 1996-11-06 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers |
US5941758A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
JPH10166262A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-23 | Nikon Corp | 研磨装置 |
US5838448A (en) * | 1997-03-11 | 1998-11-17 | Nikon Corporation | CMP variable angle in situ sensor |
JPH10329015A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
US6062958A (en) * | 1997-04-04 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization |
US6722962B1 (en) * | 1997-04-22 | 2004-04-20 | Sony Corporation | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
US5975994A (en) * | 1997-06-11 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates |
US6142855A (en) * | 1997-10-31 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus and polishing method |
US6045434A (en) * | 1997-11-10 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus of monitoring polishing pad wear during processing |
JP3076291B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
US6168683B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-01-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers |
JP3618541B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2005-02-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨布、研磨布処理方法及び研磨方法 |
US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
US6190243B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US6106661A (en) * | 1998-05-08 | 2000-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad having a wear level indicator and system using the same |
US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
US6106379A (en) * | 1998-05-12 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension |
US6102779A (en) * | 1998-06-17 | 2000-08-15 | Speedfam-Ipec, Inc. | Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing |
US5993293A (en) * | 1998-06-17 | 1999-11-30 | Speedram Corporation | Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing |
US6976904B2 (en) * | 1998-07-09 | 2005-12-20 | Li Family Holdings, Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry |
US6197604B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for providing cooperative run-to-run control for multi-product and multi-process semiconductor fabrication |
US6186865B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool |
US6325706B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-12-04 | Lam Research Corporation | Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection |
US6902659B2 (en) * | 1998-12-01 | 2005-06-07 | Asm Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
US6322422B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-11-27 | Nec Corporation | Apparatus for accurately measuring local thickness of insulating layer on semiconductor wafer during polishing and polishing system using the same |
US6690473B1 (en) * | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
US6194231B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-02-27 | National Tsing Hua University | Method for monitoring polishing pad used in chemical-mechanical planarization process |
US6117780A (en) * | 1999-04-22 | 2000-09-12 | Mosel Vitelic Inc. | Chemical mechanical polishing method with in-line thickness detection |
US6459945B1 (en) * | 1999-05-13 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for facilitating determining suitable material layer thickness in a semiconductor device fabrication process |
US6290584B1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-09-18 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements |
US7008301B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing uniformity via pad conditioning |
US6439963B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for mitigating wafer surface disformation during chemical mechanical polishing (CMP) |
US6437868B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning |
US6666754B1 (en) * | 2000-01-18 | 2003-12-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining CMP pad conditioner effectiveness |
US6354910B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-03-12 | Agere Systems Guardian Corp. | Apparatus and method for in-situ measurement of polishing pad thickness loss |
US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
US6358116B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-03-19 | Intel Corporation | Thrown wafer failsafe system for chemical/mechanical planarization |
US6625513B1 (en) * | 2000-08-15 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Run-to-run control over semiconductor processing tool based upon mirror image target |
US6652357B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
US6640155B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
US7481695B2 (en) * | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
US6812045B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
US6919957B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
US7130029B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen |
US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
US7349090B2 (en) * | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US7106425B1 (en) * | 2000-09-20 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen |
US6782337B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
US6694284B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
US6806951B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen |
WO2002036306A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Gerber Coburn Optical, Inc. | Compensation device for a lens grinding apparatus |
US6620027B2 (en) * | 2001-01-09 | 2003-09-16 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for hard pad polishing |
KR100432781B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2004-05-24 | 삼성전자주식회사 | 연마패드의 측정장치 및 방법 |
US6719608B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-04-13 | Oluma, Inc. | Fabrication of devices with fibers engaged to grooves on substrates |
US6966816B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
EP1412130B1 (en) * | 2001-05-29 | 2013-01-09 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
US6857941B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-phase polishing pad |
JP4131632B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-08-13 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
US20040253809A1 (en) * | 2001-08-18 | 2004-12-16 | Yao Xiang Yu | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
US6914000B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method, polishing system and process-managing system |
US6586337B2 (en) * | 2001-11-09 | 2003-07-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing |
TW574085B (en) * | 2001-12-27 | 2004-02-01 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Device and method for measuring and monitoring polishing pad |
US6935922B2 (en) * | 2002-02-04 | 2005-08-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for generating a two-dimensional map of a characteristic at relative or absolute locations of measurement spots on a specimen during polishing |
US6821895B2 (en) * | 2003-02-20 | 2004-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dynamically adjustable slurry feed arm for wafer edge profile improvement in CMP |
US6872132B2 (en) * | 2003-03-03 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces |
US7106454B2 (en) * | 2003-03-06 | 2006-09-12 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
US7324214B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
US7172970B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-02-06 | United Microelectronics Corp. | Polish method for semiconductor device planarization |
US6884147B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-04-26 | Yield Dynamics, Inc. | Method for chemical-mechanical polish control in semiconductor manufacturing |
JP2006522493A (ja) * | 2003-04-01 | 2006-09-28 | フィルメトリックス・インコーポレイテッド | Cmpのための基板全体用スペクトル画像形成システム |
US8025759B2 (en) * | 2003-07-02 | 2011-09-27 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP4698144B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2011-06-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7097537B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Determination of position of sensor measurements during polishing |
US6991516B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing |
US7153185B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-12-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate edge detection |
JP4451111B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
US7235154B2 (en) * | 2004-01-08 | 2007-06-26 | Strasbaugh | Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing |
DE102005000645B4 (de) * | 2004-01-12 | 2010-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten |
KR101197826B1 (ko) * | 2004-01-28 | 2012-11-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 연마 패드 표면 형상 측정 장치, 연마 패드 표면 형상 측정장치의 사용 방법, 연마 패드의 원추 꼭지각의 측정 방법,연마 패드의 홈 깊이 측정 방법, cmp 연마 장치 및반도체 디바이스의 제조 방법 |
US20060166608A1 (en) * | 2004-04-01 | 2006-07-27 | Chalmers Scott A | Spectral imaging of substrates |
US7040958B2 (en) * | 2004-05-21 | 2006-05-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer |
JP4641395B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2011-03-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の研削方法、及び研削装置 |
US20060062897A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc | Patterned wafer thickness detection system |
CN101934491B (zh) * | 2004-11-01 | 2012-07-25 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备 |
KR101172324B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2012-08-14 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법 |
TWI275451B (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-11 | Asia Ic Mic Process Inc | Measurement of thickness profile and elastic modulus profile of polishing pad |
WO2006077994A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Ebara Corporation | Substrate polishing method and apparatus |
US7163435B2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-01-16 | Tech Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Real time monitoring of CMP pad conditioning process |
US7261625B2 (en) * | 2005-02-07 | 2007-08-28 | Inoac Corporation | Polishing pad |
TWI386989B (zh) * | 2005-02-25 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨裝置及研磨方法 |
JPWO2006106790A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2008-09-11 | 株式会社ニコン | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス |
KR100949560B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2010-03-25 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
CN101238552B (zh) * | 2005-08-05 | 2012-05-23 | 裴城焄 | 化学机械抛光设备 |
JP4808453B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP4884725B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-02-29 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP4864402B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7189140B1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods using eddy current for calibrating a CMP tool |
US20070235133A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Strasbaugh | Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing |
US20090298388A1 (en) * | 2006-05-03 | 2009-12-03 | Yuzhou Li | Method and apparatus for chemical mechanical polishing of large size wafer with capability of polishing individual die |
US20070269908A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Hsin-Kun Chu | Method for in-line controlling hybrid chemical mechanical polishing process |
US7840305B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles, CMP monitoring system and method |
US8246417B2 (en) * | 2006-09-12 | 2012-08-21 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
US8065031B2 (en) * | 2006-09-14 | 2011-11-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd | Polishing end point detection method utilizing torque change and device thereof |
US7444198B2 (en) * | 2006-12-15 | 2008-10-28 | Applied Materials, Inc. | Determining physical property of substrate |
JP2008173741A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Elpida Memory Inc | 研磨装置 |
TWI321503B (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-11 | Univ Nat Taiwan Science Tech | The analytical method of the effective polishing frequency and number of times towards the polishing pads having different grooves and profiles |
KR20090002506A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-09 | 제일모직주식회사 | 상변화 메모리 소자 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 |
US20090001339A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tae Young Lee | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same |
US8501625B2 (en) * | 2007-07-10 | 2013-08-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid for metal film and polishing method |
JP2009026850A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Elpida Memory Inc | Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 |
JP2009033038A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Elpida Memory Inc | Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 |
US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US8221196B2 (en) * | 2007-08-15 | 2012-07-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
US8434909B2 (en) * | 2007-10-09 | 2013-05-07 | Flex Lighting Ii, Llc | Light emitting display with light mixing within a film |
JP5042778B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-10-03 | 信越半導体株式会社 | ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置 |
US8870625B2 (en) * | 2007-11-28 | 2014-10-28 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method |
WO2009079334A2 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Zygo Corporation | Analyzing surface structure using scanning interferometry |
JP5481472B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2014-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmpパッド厚みおよびプロファイル監視システム |
US20090311945A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Roland Strasser | Planarization System |
US20100015895A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Hendron Jeffrey J | Chemical mechanical polishing pad having electrospun polishing layer |
US8834230B2 (en) * | 2008-07-31 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and double-side polishing apparatus |
US7899571B2 (en) * | 2008-11-05 | 2011-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Predictive method to improve within wafer CMP uniformity through optimized pad conditioning |
US8004688B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-08-23 | Zygo Corporation | Scan error correction in low coherence scanning interferometry |
JP2010219406A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 化学的機械研磨方法 |
JP5573061B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-08-20 | 株式会社Sumco | 両面研磨装置の研磨布の研削方法及び研削装置 |
US20110073465A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | General Electric Company | Systems and apparatus relating to electrochemical machining |
US20110073464A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | General Electric Company | Systems and apparatus relating to electrochemical machining |
WO2011046017A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社クラレ | 研磨パッド |
US20140152801A1 (en) * | 2009-10-28 | 2014-06-05 | Alentic Microscience Inc. | Detecting and Using Light Representative of a Sample |
US8602842B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-12-10 | Wayne O. Duescher | Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system |
US8740668B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-06-03 | Wayne O. Duescher | Three-point spindle-supported floating abrasive platen |
US8647172B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping |
JP2013525955A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | フレックス ライティング 2,エルエルシー | フィルムベースのライトガイドを備える照明デバイス |
US9028123B2 (en) * | 2010-04-16 | 2015-05-12 | Flex Lighting Ii, Llc | Display illumination device with a film-based lightguide having stacked incident surfaces |
JP2013525126A (ja) * | 2010-04-20 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善された研磨パッドプロファイルのための閉ループ制御 |
US20120009847A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop control of cmp slurry flow |
US8694144B2 (en) * | 2010-08-30 | 2014-04-08 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing |
US8672730B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-18 | Exelis, Inc. | Method and apparatus for polishing and grinding a radius surface on the axial end of a cylinder |
CN102528643A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨设备及其研磨单元 |
JP2012157936A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 研磨パッド及び半導体装置の製造方法 |
US20120270477A1 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-25 | Nangoy Roy C | Measurement of pad thickness and control of conditioning |
JP5896625B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2016-03-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置に使用される研磨パッドの研磨面を監視する方法および装置 |
JP6030041B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2016-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
-
2011
- 2011-07-15 US US13/184,338 patent/US20130017762A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-07-13 DE DE102012212333A patent/DE102012212333A1/de not_active Ceased
- 2012-07-13 CN CN201210242334.0A patent/CN102873632B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09290363A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
EP0884136A1 (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing method and polishing apparatus using the same |
JPH1158225A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-02 | Nec Corp | 半導体ウェハ研磨終点検出装置 |
US6169931B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-01-02 | Southwest Research Institute | Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life |
EP1270148A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
US20030060127A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Kaushal Tony S. | Sensor for in-situ pad wear during CMP |
US20070161333A1 (en) * | 2002-08-28 | 2007-07-12 | Micron Technology, Inc. | In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging |
CN101320708A (zh) * | 2007-06-06 | 2008-12-10 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路装置的制造方法 |
US20100035518A1 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Chang Shou-Sung | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110177649A (zh) * | 2016-09-16 | 2019-08-27 | 应用材料公司 | 基于沟槽深度的电磁感应监测进行的过抛光 |
CN107202542A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-26 | 常州工学院 | 一种太阳能电池片的测厚装置及测厚方法 |
CN112677016A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-20 | 上海高仙自动化科技发展有限公司 | 检测方法、检测装置、智能机器人及可读存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102012212333A1 (de) | 2013-01-17 |
US20130017762A1 (en) | 2013-01-17 |
CN102873632B (zh) | 2016-09-07 |
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