CN102873632A - 用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备 - Google Patents

用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102873632A
CN102873632A CN2012102423340A CN201210242334A CN102873632A CN 102873632 A CN102873632 A CN 102873632A CN 2012102423340 A CN2012102423340 A CN 2012102423340A CN 201210242334 A CN201210242334 A CN 201210242334A CN 102873632 A CN102873632 A CN 102873632A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier
polishing pad
thickness
pressure
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012102423340A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102873632B (zh
Inventor
S.希尔德布兰特
C.塔尔多夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN102873632A publication Critical patent/CN102873632A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102873632B publication Critical patent/CN102873632B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Abstract

本发明涉及用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备。一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备包括检测器和确定器。检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置。检测器进一步被配置成输出指示载体的位置的信号。确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。

Description

用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备
技术领域
本发明的实施例涉及一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备,并且涉及一种抛光机。
背景技术
抛光机用来抛光元件(例如晶片)以便提供元件的平坦表面。为此目的,通过使用抛光垫磨蚀元件的表面并且使其平整。在抛光元件的工艺中,在元件由抛光机的载体压向抛光垫时,元件与抛光垫平行地相对移动和/或旋转。该抛光工艺或者更详细地说若干抛光工艺造成抛光垫的磨蚀,该抛光垫代表抛光机的一个磨损零件。因此,当已经抛光了特定数量的元件时或者当达到抛光垫的最小残余厚度时,替换该抛光垫。由于小的垫厚度(例如1200μm),准确地确定和监控抛光垫的厚度是一项困难的任务。
发明内容
一个实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备。该设备包括检测器,该检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置并且输出指示该载体的位置的信号。所述设备进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
另一实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备。该设备包括检测器,该检测器被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在抛光方向上的位置,其中该检测器被配置成输出指示载体的位置的信号。所述设备进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号并且基于使用已知厚度的抛光垫、预定的压力和元件的预定厚度而事先获得的校准数据确定抛光垫的厚度度量,其中该确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
另一个实施例提供了一种用于抛光元件的抛光机。该抛光机包括抛光垫固定于其上的压板以及要抛光的元件的载体。载体被配置成:在挤压方向上移动,在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫,并且使得元件与抛光垫平行地相对移动和/或旋转。抛光机包括检测器,该检测器被配置成在载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测载体的位置并且输出指示载体的位置的信号。抛光机进一步包括确定器,该确定器被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
另一实施例提供了一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法。该方法包括:在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;输出指示该载体的位置的信号。抛光垫的厚度度量基于指示载体的位置的信号而确定。
附图说明
随后,将参照附图讨论依照本发明的实施例,在附图中:
图1示出了应用到依照实施例的抛光机的检测器和确定器的示意性框图;
图2a示出了由载体施加的压力以及由此引起的抛光垫的压缩的示意图以便图解说明压力对抛光垫的厚度度量确定的影响;
图2b示出了具有五个载体的抛光机的示意图以便图解说明使用的载体的数量对抛光垫的厚度度量确定的影响;
图2c示出了示意性多维表格以便图解说明厚度度量与指示载体位置的信号的关系取决于若干影响因素;
图3示出了在抛光工艺期间在时间上随着时间连续地绘制的指示载体位置的多个信号的示图;
图4示出了随着时间绘制的七个抛光垫的确定的厚度度量的示意图;
图5a示出了具有应用到抛光机的光学检测器和确定器的实施例的示意图;以及
图5b示出了由依照图5a的实施例的光学检测器检测的指示载体位置的信号的示意图。
具体实施方式
图1示出了用于确定抛光机14的抛光垫12的厚度t度量的设备10的实施例。设备10包括检测器16和确定器18。检测器16被配置成检测抛光机14的载体22在挤压方向24上的位置20并且输出指示载体22的位置20的信号26。在该实施例中,设备10应用到包括抛光垫12固定于其上的压板28的抛光机14。抛光机14进一步包括要抛光的元件30的载体22,该元件由载体22在挤压方向24上以限定的压力p1(例如1600N)压向抛光垫12。保持元件30的载体22在垂直于压板28的挤压方向24上可相对于压板28移动,并且因而在挤压方向24上可以具有不同的位置20。
在下文中,将描述用于基于载体22的位置20确定厚度t的度量的设备10的功能。抛光垫12的厚度t是其在挤压方向24上的展度。
载体22在挤压方向24上的位置20取决于在载体22以限定的压力p1挤压元件30时抛光垫12的厚度t。检测器16检测该位置20并且向确定器18输出指示该位置20的信号26,例如电压。确定器18在元件30的厚度已知或恒定的假设下基于信号26确定厚度t的度量。该度量可以是厚度t的绝对值或相对值。有益的是,可以在元件30的抛光工艺期间检测和/或监控抛光垫12的厚度t的度量以及因而抛光垫12的磨蚀。因此,抛光垫12可以最大限度地被使用,或者换言之,被使用直到最小预定义残余厚度t。此外,设备10可以应用于不同种类的现有抛光机。
实施例基于以下认识:有可能通过检测把要抛光的元件压向抛光垫的载体的位置而间接地确定抛光垫的厚度t度量。可以使用诸如基于激光的光学传感器或者电容式换能器之类的适当检测器以容易的方式检测载体的位置。相应地,甚至在抛光工艺期间可以以可靠的方式确定抛光垫的厚度t而不必直接测量抛光垫的厚度t。
在实施例中,控制在确定抛光垫的厚度t度量时的条件以便与在获得校准数据时的条件相应,使得抛光垫的厚度t度量可以通过使用检测器的输出信号访问校准数据而直接从检测器的输出信号中导出。
在其他实施例中,针对不同的条件即影响因素而获得校准数据,所述不同的条件诸如不同的压力、压向抛光垫的元件的不同数量和/或要抛光的元件的不同厚度。在这样的实施例中,可以基于校准数据创建查找表并且基于在确定抛光垫的厚度t时存在的实际条件中的一个或多个访问查找表。可以提供用于检测实际条件的适当传感器。在其他实施例中,可以由操作者将实际条件输入到装置。在确定抛光垫的厚度t度量中,访问查找表以便考虑实际条件可以被认为考虑一个或多个校正因素。
关于图2a至图2c,将描述对确定抛光垫的厚度t度量的影响因素。这些影响因素可以是用以将元件压向抛光垫的压力p、要抛光的元件的实际厚度、使用的载体的特性(例如载体的厚度)以及由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量。
图2a示例性地示出了取决于由抛光机的载体用以将元件压向抛光垫的压力p的抛光垫的压缩。该示图示出了相对于压力p绘制的抛光垫压缩的测量点的曲线图32。实验获得的曲线图32表现出以99.3%的确定系数基本上线性取决于这两个测量参数,如线性曲线图34所示。以下说明在线性取决于确定抛光垫的厚度t所基于的载体位置和压力p的假设下进行。压力p造成的抛光垫的压缩由抛光垫的弹性变形所产生,并且对厚度t没有影响,但是对其确定有影响。
对压力p的依赖性影响厚度t的度量的确定。因而,依照实施例,限定的压力p1被控制为与在获得校准数据时用以将元件压向抛光垫的预定压力p2相应。因而,当在压力p方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时,即当限定的压力p1等于预定压力p2时,检测器检测载体的位置。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度中使用反映限定的压力p1与预定压力p2之间的差值的校正因素。
要抛光的或者正被抛光的元件的实际厚度是直接影响厚度t度量的确定的另一因素。依照实施例,元件的实际厚度与在获得校准数据时使用的元件的预定厚度相应。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度t时使用反映在确定抛光垫的厚度t时的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的校正因素。
图2b示意性地示出了具有用于抛光五个元件的五个载体的抛光机40。抛光机40基本上与关于图1所示的抛光机14相应,但是形成对照的是,抛光机40具有五个可移动的载体42a、42b、42c、42d和42e。每个载体42a、42b、42c、42d和42e包括被配置成在挤压方向24上以限定的压力p1将元件46a、46b、46c、46d和46e压向抛光垫12的各自下压力缸44a、44b、44c、44d和44e。检测器16与载体42b关联以便如上面所描述的那样检测载体42b的位置20。
检测器16检测的载体42b的位置20取决于并行使用的载体42a、42b、42c、42d和42e的数量和/或位置,或者换言之,取决于并行压向抛光垫12的元件的数量和/或位置。其背景在于,抛光垫12上的负载分布根据各自载体配置,即根据实际在使用中的载体的数量或者根据实际在使用中的载体的位置而变化。例如,如果使用彼此具有小距离的载体(例如载体42b和42c)或者彼此具有更大距离的载体(例如载体42b和42d),则负载分布不同。在实施例中,当在使用的载体42a、42b、42c、42d和42e的数量和/或位置以及要抛光的元件46a、46b、46c、46d和46e的数量和/或位置方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时,检测器16检测载体42b的位置20。在其他实施例中,确定器可以在确定抛光垫的厚度t时使用反映在实际在使用中的载体(或元件)的数量和/或位置与在获得校准数据期间使用的载体(或元件)的数量和/或位置之间的差值的校正因素。
此外,由于例如载体的厚度或者其几何公差,载体本身对抛光垫的厚度t度量的确定有影响。因而,可以在载体的每次变化之后获得校准数据以便确保在确定厚度t和获得校准数据期间载体方面的可比较条件。
图2c示出了取决于指示载体的位置的信号并且取决于上面讨论的影响因素的厚度t的多维表格,所述影响因素诸如限定的压力p1和并行压到抛光垫的元件(参见46a、46b、46c、46d和46e)的数量。在表格的区域47中,将指示位置的信号(参见列48a)分配给厚度t的对应值(参见列49a)。在每行中,对于使用一个载体的情况而言,信号(例如信号48a_3)符合厚度t的对应绝对值(例如49a_3)。在第二维度中,根据使用的载体的数量,将信号(参见列48a)关联到厚度t的对应值(参见列49a、49b、49c、49d和49e)。在第三维度中,在确定厚度t的度量期间将对应信号(参看列48a、48b、48c、48d和48e)分配给用以将元件压向抛光垫的限定的压力p1。限定的压力p1由取决于预定压力p2的值描述。所述多维表格可以具有诸如用于校正元件的实际厚度的影响的另外的维度,所述实际厚度可能不同于预定义厚度。
获得将厚度t的值分配给检测器的输出信号、对应压力p、使用的载体的数量和/或元件的厚度的表格的值可以是使用已知厚度t的抛光垫来获得校准数据的一部分。在该实施例中,检测器的输出信号、厚度t的值以及压力p如上面所描述的那样具有线性依赖性。检测器的输出信号、厚度t的值、载体的数量和/或压力p之间的依赖性可以是线性的或者非线性的。
所描述的使用校准表格的分配通过应用一个或多个校正因素而与厚度t的确定相应,其中第一校正因素取决于限定的压力p1与预定压力p2之间的差值,第二校正因素取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值,并且第三校正因素取决于由各个载体(参见42a、42b、42c、42d和42d)并行地压到抛光垫的元件的数量。依照一个实施例,确定器被配置成通过使用这样的多维查找表而确定厚度t的度量。有益的是,抛光垫的厚度t可以在不同的条件(例如不同的限定的压力p1)下进行确定。
在其他实施例中,设备被控制成使得所述条件与获得校准数据的所有条件相应,从而使得可以诸如通过使用具有仅仅单列的分配表格直接从检测器的输出信号中确定厚度t。在其他实施例中,根据哪些条件不与校准的条件相应而使用一个或多个校正因素。
图3示出了随着抛光工艺的时间而绘制的指示载体的位置的信号的示图。在这里,曲线图50示出了在抛光工艺的三个阶段期间时间上连续地检测的多个信号。第一阶段52是从抛光工艺的开始到抛光机为稳态时的时间点。第二阶段54代表抛光处理的主要间隔,其中抛光机为稳态。第三阶段56代表就在完成抛光工艺并且提升载体之前的间隔。
曲线图50在第一阶段52和第三阶段56中表现出由于降低和提升载体而引起的高而失真的值。在第二阶段54中,信号表现出具有小振荡的恒定弯曲形状。信号的振荡可能由抛光工艺期间抛光机的振荡造成。由于第二间隔54中的恒定值,依照该实施例,检测器在该间隔54内的抛光工艺的预定时间处检测载体的位置。为了消除信号的振荡,依照实施例,确定器在另一间隔58期间时间上连续地基于多个信号的平均来确定厚度t的度量,该另一间隔58是间隔54的真子集并且可以具有30秒的持续时间。
间隔58期间或者单一抛光工艺期间正被抛光的元件的磨蚀是可比较小的,使得该磨蚀不显著地影响厚度t度量的确定。此外,检测器可以在抛光工艺的预定时间处检测所述位置,使得第一和第二抛光工艺期间厚度t的第一和第二度量的确定是可比较的。
图4示出了由上面描述的设备和方法确定的厚度t的不同测量结果的示图。该示图在近似七周的时间上绘制并且示出了七个不同抛光垫61a、61b、61c、61d、61e、61f和61g的测量点。每个抛光垫具有近似1200μm的初始厚度t,并且被使用直到抛光垫的允许残余厚度t,例如800μm或者甚至更长。
允许残余抛光垫厚度t的值代表阈值60。为了最大限度地使用抛光垫(直到最小预定义残余厚度t),确定器可以被配置成在抛光垫的确定的厚度t下降至低于阈值60的情况下输出警报信号。可以在个别的基础上针对每个种类的抛光垫确定阈值60。抛光垫的初始厚度t可能经受近似80μm的有限范围内的变化。因此,可以在改变抛光垫之后将确定器校准到抛光垫的已知初始厚度t,以便相对于抛光垫的初始厚度t设置阈值60。这使得能够基于抛光垫的磨蚀设置警报信号。
在下文中,将关于图5a和图5b讨论具有光学检测器的优选实施例。
图5a示出了与图1a的实施例可比较的实施例,其中检测器由光学检测器62形成。检测器62包括与载体22关联的反射器64,使得载体22的位置20与反射器64的位置65耦合。检测器62进一步包括固定信号源66(例如激光器)和固定传感器68(例如CCD芯片)。反射器64可以相对于信号源66移位30mm(由箭头d所示)并且可以具有由两个位置65b和65c所示的+/-5mm的运动范围。在该实施例中,信号源66被布置成使得电磁波70沿着挤压方向24发射到反射器64。传感器68相对于信号源66成角度,使得它被配置成接收由反射器64漫反射的电磁波71a、71b或71c。信号源66可以进一步包括经由其发射电磁波70的透镜72。传感器68可以进一步包括经由其接收电磁波71a、71b或71c的透镜74。
在下文中,将讨论该实施例的检测器62的功能。
信号源66发射电磁波70,该电磁波由反射器64反射到传感器68。传感器68在入射角α下接收电磁波71a、71b或71c,该入射角取决于反射器64的位置65。例如,如果反射器64处于位置65a,那么它反射电磁波70,使得传感器68在第一入射角α下接收电磁波71a。类似地,如果反射器64分别处于位置65b和65c,则在第二或第三入射角α下接收电磁波71b或71c。传感器68被配置成获得入射角α。在该实施例中,获得的入射角α与由检测器62或者更详细地说由传感器68输出到确定器18的电信号26相应。如关于图1所描述的,确定器基于指示入射角α以及因而分别指示反射器64的位置65和载体22的位置20的信号26确定抛光垫12的厚度t。
下面将描述入射角α的检测。图5b示意性地示出了随着传感器68的位置参数x(宽度)绘制的强度谱。接收的电磁波71b的示例性曲线图78在位置79b处表现出最大强度。
漫反射的电磁波71a、71b或71c由透镜74投射到传感器68,使得最大强度的位置x取决于入射角α。示例地示出了(对应电磁波71a、71b和71c的)对应第一、第二和第三入射角α的三个不同位置x 79a、79b和79c。有益的是,由于曲线图78的明显的最大强度,可以准确地获得入射角α以及因而抛光垫12的厚度t。
基于入射角确定抛光垫的厚度t的一种可替换方案是通过使用不同的光学传感器确定厚度t。用于这种光学传感器的一个实施例将是获得由固定信号源66发射、由反射器64直接反射到固定传感器的电磁波70的行进时间。固定传感器被配置成获得行进时间,该行进时间取决于反射器的位置或者更详细地说取决于信号源66与反射器64之间的距离d和传感器与反射器64之间的距离以及光的速度。因此,确定器18基于发射电磁波70的时间点与接收反射的电磁波71a、71b或71c的时间点之间的时间差而确定载体22的位置。
可替换实施例的检测器可以使用电传感器,诸如霍尔效应传感器、电位计或者电容式换能器。
实施例涉及抛光机14,该抛光机包括抛光垫12固定于其上的压板28以及要抛光的元件30的可移动载体22。抛光机14进一步包括被配置成在载体22将元件30压向抛光垫12时检测载体22的位置20的检测器16、以及被配置成确定抛光垫12(参见图1)的厚度t度量的确定器18。载体22被配置成相对于压板28平行地旋转和/或移动以便抛光元件30。可选地,压板28可以旋转。抛光机14可以被配置成将多个元件压向抛光垫12,或者可以包括多个载体,每个载体被配置成如关于图2b所描述的那样将元件压向抛光垫12。此外,抛光机可以包括用于将所述一个或多个载体压向抛光垫12的一个或多个下压力缸(参见44a、44b、44c、44d和44e)。在这种情况下,抛光机14的检测器16可以被配置成检测下压力缸的位置以便确定抛光垫12的厚度t。
抛光机14可以由被配置成提供值的控制器控制,这些值诸如限定的压力p1、元件的厚度以及压到抛光垫的元件的数量。为了确定限定的压力p1,抛光机14可以包括压力传感器并且向确定器输出获得的限定的压力p1。控制器提供和/或压力传感器输出的值可以由确定器18用于确定厚度t,诸如用于访问校准表格。
在可替换的实施例中,可以将至少两个抛光垫固定在压板28上,使得设备(例如设备10)确定的厚度t的度量与至少两个抛光垫的厚度度量相应。
在可替换的实施例中,可以基于指示多个载体的位置的多个信号执行厚度t度量的确定。这些信号由多个检测器输出,每个检测器被配置成检测对应载体的位置。
尽管在设备的上下文中描述了一些方面,但是清楚的是,这些方面也代表用于确定抛光垫的厚度t度量的相应方法的描述,其中框或装置与方法步骤或者方法步骤的特征相应。类似地,在方法步骤的上下文中描述的方面也代表相应设备的相应框或项目或者特征的描述。一些或者所有方法步骤可以通过(或者使用)硬件设备(比如例如微处理器、可编程计算机或电子电路)执行。在一些实施例中,最重要的方法步骤中的某个或更多方法步骤可以由这种设备执行。
因此,本发明方法的另一实施例是数据载体(或者数字存储介质或计算机可读介质),其包括记录于其上的用于执行本文描述的方法之一的计算机程序。数据载体、数字存储介质或者记录介质典型地为有形和/或非暂时性的。非暂时性计算机可读介质包含指令,这些指令在由用于确定抛光垫的厚度度量的设备的处理器执行时使设备执行上面描述的方法。
取决于特定的实现要求,本发明的实施例可以以硬件或者以软件实现。实现方式可以使用其上存储了电子可读控制信号的数字存储介质执行,所述数字存储介质例如蓝光光盘、CD、EPROM或者闪存,所述电子可读控制信号与可编程计算机系统协作(或者能够与可编程计算机系统协作)使得执行对应方法。因此,数字存储介质可以是计算机可读的。
其他实施例包括存储在机器可读载体上的用于执行本文描述的方法之一的计算机程序。换言之,本发明方法的实施例因此为具有程序代码的计算机程序,所述程序代码用于当计算机程序运行在计算机上时执行本文描述的方法之一。
另一实施例包括被配置成或者适于执行本文描述的方法之一的处理构件,例如计算机或可编程逻辑装置。在一些实施例中,可编程逻辑装置可以用来执行本文描述的方法的一些或所有功能。在一些实施例中,现场可编程门阵列可以与微处理器协作以便执行本文描述的方法之一。通常,这些方法优选地由任何硬件设备执行。
上面描述的实施例仅仅说明本发明的原理。理解的是,本文描述的布置和细节的修改和变型对于本领域技术人员将是清楚明白的。因此,意在仅由待决专利权利要求书的范围限制,而不是由通过本文的实施例的描述和解释呈现的特定细节限制。

Claims (26)

1.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备,该设备包括:
检测器,被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置并且输出指示该载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
2.权利要求1的设备,其中确定器被配置成通过将指示载体的位置的信号与使用已知厚度的抛光垫、预定压力以及元件的预定厚度而事先获得的校准数据进行比较来确定抛光垫的厚度度量。
3.权利要求2的设备,其中检测器被配置成在限定的压力、使用的载体和要抛光的元件中的至少一个方面的条件与在获得校准数据期间的条件相应时检测载体的位置。
4.权利要求2的设备,其中确定器被配置成考虑取决于限定的压力与预定压力之间的差值的第一校正因素、取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的第二校正因素以及取决于由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置的第三校正因素中的至少一个而确定厚度度量。
5.权利要求1的设备,其中检测器被配置成在开始抛光元件的工艺之后的预定时间处检测载体的位置。
6.权利要求1的设备,其中检测器被配置成时间上连续地输出指示载体的位置的多个信号,并且其中确定器被配置成基于所述多个信号的平均来确定厚度度量。
7.权利要求1的设备,其中确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
8.权利要求1的设备,其中检测器包括:
固定信号源,被配置成发射电磁波;
反射器,与载体关联,使得载体的位置与反射器的位置耦合;以及
固定传感器,被配置成获得由反射器反射的电磁波的入射角;
其中获得的入射角取决于反射器的位置。
9.权利要求8的设备,其中信号源为激光器。
10.权利要求8的设备,其中反射器漫反射电磁波;并且
其中传感器包括透镜和电子光传感器并且其中传感器被配置成通过获得反射的电磁波的最大强度而获得反射的电磁波的入射角,该最大强度由透镜投射到电子光传感器。
11.权利要求1的设备,其中检测器包括:
固定信号源,被配置成发射电磁波;
反射器,与载体关联,使得载体的位置与反射器的位置耦合;以及
固定传感器,被配置成获得由反射器反射的电磁波的行进时间;
其中获得的行进时间取决于反射器的位置。
12.权利要求1的设备,其中检测器包括电位置传感器。
13.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的设备,该设备包括:
检测器,被配置成在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置,其中该检测器被配置成输出指示载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号并且基于使用已知厚度的抛光垫、预定的压力和元件的预定厚度而事先获得的校准数据确定抛光垫的厚度度量,其中该确定器被配置成在抛光垫的确定的厚度下降至低于阈值的情况下输出警报信号。
14.权利要求13的设备,其中确定器被配置成在限定的压力等于预定压力和/或元件的限定的厚度等于元件的预定厚度时确定抛光垫的厚度度量。
15.一种用于抛光元件的抛光机,该抛光机包括:
压板,抛光垫要固定在该压板上;
要抛光的元件的载体,其中载体被配置成在挤压方向上移动,以便在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫,其中所述抛光机被配置成造成元件和抛光垫之间的与抛光垫平行的相对移动或旋转;
检测器,被配置成在载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测载体的位置并且输出指示载体的位置的信号;以及
确定器,被配置成基于指示载体的位置的信号确定抛光垫的厚度度量。
16.权利要求15的抛光机,其中抛光机的载体被配置成将多个元件压向抛光垫;或者
其中抛光机包括多个载体,每个载体被配置成把要抛光的元件压向抛光垫。
17.权利要求15的抛光机,进一步包括被配置成确定限定的压力的压力传感器。
18.权利要求15的抛光机,进一步包括控制器,该控制器被配置成控制抛光机并且提供限定的压力值、要抛光的元件的厚度以及由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置中的至少一个;并且
其中确定器被配置成考虑所述至少一个值而确定抛光垫的厚度度量。
19.权利要求15的抛光机,其中检测器为电位置传感器或光学位置传感器。
20.权利要求15的抛光机,进一步包括用于将所述一个或多个载体压向抛光垫的一个或多个下压力缸,其中检测器被配置成检测下压力缸的位置。
21.权利要求15的抛光机,进一步包括固定在压板上的抛光垫。
22.一种用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法,该方法包括:
在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;
输出指示该载体的位置的信号;以及
基于指示载体的位置的信号而确定抛光垫的厚度度量。
23.权利要求22的方法,进一步包括事先使用已知厚度的抛光垫和元件的一定厚度获得校准数据;并且
其中在限定的压力、使用的载体和要抛光的元件中的至少一个方面的条件与在获得校准数据期间的相应条件相应时执行检测载体的位置。
24.权利要求22的方法,进一步包括:
使用已知厚度的抛光垫、预定压力和元件的预定厚度,事先获得校准数据;以及
基于取决于限定的压力与预定压力之间的差值的第一校正因素、取决于要抛光的元件的实际厚度与预定厚度之间的差值的第二校正因素以及取决于由各载体并行地压到抛光垫的元件的数量和/或位置的第三校正因素中的至少一个,校正指示位置的信号。
25.权利要求22的方法,其中在开始抛光元件的工艺之后的预定时间处执行检测载体的位置。
26.一种非暂时性计算机可读介质,包括指令,这些指令在由用于确定抛光垫的厚度度量的设备的处理器执行时使该设备执行如下方法,该方法包括:
在要抛光的元件的载体在挤压方向上以限定的压力将元件压向抛光垫时检测该载体在挤压方向上的位置;
输出指示该载体的位置的信号;以及
基于指示载体的位置的信号而确定抛光垫的厚度度量。
CN201210242334.0A 2011-07-15 2012-07-13 用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备 Expired - Fee Related CN102873632B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/184,338 US20130017762A1 (en) 2011-07-15 2011-07-15 Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine
US13/184338 2011-07-15
US13/184,338 2011-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102873632A true CN102873632A (zh) 2013-01-16
CN102873632B CN102873632B (zh) 2016-09-07

Family

ID=47425833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210242334.0A Expired - Fee Related CN102873632B (zh) 2011-07-15 2012-07-13 用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130017762A1 (zh)
CN (1) CN102873632B (zh)
DE (1) DE102012212333A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107202542A (zh) * 2017-08-02 2017-09-26 常州工学院 一种太阳能电池片的测厚装置及测厚方法
CN110177649A (zh) * 2016-09-16 2019-08-27 应用材料公司 基于沟槽深度的电磁感应监测进行的过抛光
CN112677016A (zh) * 2020-12-23 2021-04-20 上海高仙自动化科技发展有限公司 检测方法、检测装置、智能机器人及可读存储介质

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10088304B2 (en) * 2015-02-12 2018-10-02 Ocean Industries, LLC Composite carrier and automated thickness measurement and calibration system and method
US11794305B2 (en) 2020-09-28 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09290363A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨方法および研磨装置
EP0884136A1 (en) * 1997-06-10 1998-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
JPH1158225A (ja) * 1997-08-22 1999-03-02 Nec Corp 半導体ウェハ研磨終点検出装置
US6169931B1 (en) * 1998-07-29 2001-01-02 Southwest Research Institute Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life
EP1270148A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-02 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and method for conditioning a polishing pad
US20030060127A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-27 Kaushal Tony S. Sensor for in-situ pad wear during CMP
US20070161333A1 (en) * 2002-08-28 2007-07-12 Micron Technology, Inc. In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging
CN101320708A (zh) * 2007-06-06 2008-12-10 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路装置的制造方法
US20100035518A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Chang Shou-Sung Closed loop control of pad profile based on metrology feedback

Family Cites Families (161)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6048588A (en) * 1988-07-08 2000-04-11 Cauldron Limited Partnership Method for enhancing chemisorption of material
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
JPH07285069A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置
TW353203B (en) * 1995-04-10 1999-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for holding substrate to be polished
TW284907B (en) * 1995-06-07 1996-09-01 Cauldron Lp Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation
US5665199A (en) * 1995-06-23 1997-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for developing product-specific interlayer dielectric polish processes
US5609718A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5875559A (en) * 1995-10-27 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring the profile of a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US5643048A (en) * 1996-02-13 1997-07-01 Micron Technology, Inc. Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6075606A (en) * 1996-02-16 2000-06-13 Doan; Trung T. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US5643050A (en) * 1996-05-23 1997-07-01 Industrial Technology Research Institute Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor
US20010012108A1 (en) * 1996-07-26 2001-08-09 Paul Holzapfel Methods and apparatus for the in-process measurement of thin film layers
US5948203A (en) * 1996-07-29 1999-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring
JPH1086056A (ja) * 1996-09-11 1998-04-07 Speedfam Co Ltd 研磨パッドの管理方法及び装置
US5868896A (en) * 1996-11-06 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US5941758A (en) * 1996-11-13 1999-08-24 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JPH10166262A (ja) * 1996-12-10 1998-06-23 Nikon Corp 研磨装置
US5838448A (en) * 1997-03-11 1998-11-17 Nikon Corporation CMP variable angle in situ sensor
JPH10329015A (ja) * 1997-03-24 1998-12-15 Canon Inc 研磨装置および研磨方法
US6062958A (en) * 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US6722962B1 (en) * 1997-04-22 2004-04-20 Sony Corporation Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad
TW377467B (en) * 1997-04-22 1999-12-21 Sony Corp Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad
US5975994A (en) * 1997-06-11 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates
US6142855A (en) * 1997-10-31 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus and polishing method
US6045434A (en) * 1997-11-10 2000-04-04 International Business Machines Corporation Method and apparatus of monitoring polishing pad wear during processing
JP3076291B2 (ja) * 1997-12-02 2000-08-14 日本電気株式会社 研磨装置
US6168683B1 (en) * 1998-02-24 2001-01-02 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers
JP3618541B2 (ja) * 1998-03-23 2005-02-09 信越半導体株式会社 研磨布、研磨布処理方法及び研磨方法
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
US6190243B1 (en) * 1998-05-07 2001-02-20 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6106661A (en) * 1998-05-08 2000-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing pad having a wear level indicator and system using the same
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6106379A (en) * 1998-05-12 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension
US6102779A (en) * 1998-06-17 2000-08-15 Speedfam-Ipec, Inc. Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing
US5993293A (en) * 1998-06-17 1999-11-30 Speedram Corporation Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing
US6976904B2 (en) * 1998-07-09 2005-12-20 Li Family Holdings, Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
US6197604B1 (en) * 1998-10-01 2001-03-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method for providing cooperative run-to-run control for multi-product and multi-process semiconductor fabrication
US6186865B1 (en) * 1998-10-29 2001-02-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool
US6325706B1 (en) * 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6902659B2 (en) * 1998-12-01 2005-06-07 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6322422B1 (en) * 1999-01-19 2001-11-27 Nec Corporation Apparatus for accurately measuring local thickness of insulating layer on semiconductor wafer during polishing and polishing system using the same
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology
US6194231B1 (en) * 1999-03-01 2001-02-27 National Tsing Hua University Method for monitoring polishing pad used in chemical-mechanical planarization process
US6117780A (en) * 1999-04-22 2000-09-12 Mosel Vitelic Inc. Chemical mechanical polishing method with in-line thickness detection
US6459945B1 (en) * 1999-05-13 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for facilitating determining suitable material layer thickness in a semiconductor device fabrication process
US6290584B1 (en) * 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
US7008301B1 (en) * 1999-08-26 2006-03-07 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing uniformity via pad conditioning
US6439963B1 (en) * 1999-10-28 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for mitigating wafer surface disformation during chemical mechanical polishing (CMP)
US6437868B1 (en) * 1999-10-28 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning
US6666754B1 (en) * 2000-01-18 2003-12-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining CMP pad conditioner effectiveness
US6354910B1 (en) * 2000-01-31 2002-03-12 Agere Systems Guardian Corp. Apparatus and method for in-situ measurement of polishing pad thickness loss
US6616513B1 (en) * 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6358116B1 (en) * 2000-05-15 2002-03-19 Intel Corporation Thrown wafer failsafe system for chemical/mechanical planarization
US6625513B1 (en) * 2000-08-15 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Run-to-run control over semiconductor processing tool based upon mirror image target
US6652357B1 (en) * 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
US6640155B2 (en) * 2000-08-22 2003-10-28 Lam Research Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head
US7481695B2 (en) * 2000-08-22 2009-01-27 Lam Research Corporation Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head
US6812045B1 (en) * 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6919957B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7130029B2 (en) * 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US7349090B2 (en) * 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7106425B1 (en) * 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6694284B1 (en) * 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
WO2002036306A2 (en) * 2000-10-31 2002-05-10 Gerber Coburn Optical, Inc. Compensation device for a lens grinding apparatus
US6620027B2 (en) * 2001-01-09 2003-09-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for hard pad polishing
KR100432781B1 (ko) * 2001-03-22 2004-05-24 삼성전자주식회사 연마패드의 측정장치 및 방법
US6719608B1 (en) * 2001-04-19 2004-04-13 Oluma, Inc. Fabrication of devices with fibers engaged to grooves on substrates
US6966816B2 (en) * 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
EP1412130B1 (en) * 2001-05-29 2013-01-09 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US6857941B2 (en) * 2001-06-01 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-phase polishing pad
JP4131632B2 (ja) * 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
JP3932836B2 (ja) * 2001-07-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法
US20040253809A1 (en) * 2001-08-18 2004-12-16 Yao Xiang Yu Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing
US6914000B2 (en) * 2001-09-04 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polishing method, polishing system and process-managing system
US6586337B2 (en) * 2001-11-09 2003-07-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing
TW574085B (en) * 2001-12-27 2004-02-01 Vanguard Int Semiconduct Corp Device and method for measuring and monitoring polishing pad
US6935922B2 (en) * 2002-02-04 2005-08-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for generating a two-dimensional map of a characteristic at relative or absolute locations of measurement spots on a specimen during polishing
US6821895B2 (en) * 2003-02-20 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dynamically adjustable slurry feed arm for wafer edge profile improvement in CMP
US6872132B2 (en) * 2003-03-03 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces
US7106454B2 (en) * 2003-03-06 2006-09-12 Zygo Corporation Profiling complex surface structures using scanning interferometry
US7324214B2 (en) * 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
US7172970B2 (en) * 2003-03-11 2007-02-06 United Microelectronics Corp. Polish method for semiconductor device planarization
US6884147B2 (en) * 2003-03-28 2005-04-26 Yield Dynamics, Inc. Method for chemical-mechanical polish control in semiconductor manufacturing
JP2006522493A (ja) * 2003-04-01 2006-09-28 フィルメトリックス・インコーポレイテッド Cmpのための基板全体用スペクトル画像形成システム
US8025759B2 (en) * 2003-07-02 2011-09-27 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP4698144B2 (ja) * 2003-07-31 2011-06-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7097537B1 (en) * 2003-08-18 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Determination of position of sensor measurements during polishing
US6991516B1 (en) * 2003-08-18 2006-01-31 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing
US7153185B1 (en) * 2003-08-18 2006-12-26 Applied Materials, Inc. Substrate edge detection
JP4451111B2 (ja) * 2003-10-20 2010-04-14 株式会社荏原製作所 渦電流センサ
US7235154B2 (en) * 2004-01-08 2007-06-26 Strasbaugh Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing
DE102005000645B4 (de) * 2004-01-12 2010-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten
KR101197826B1 (ko) * 2004-01-28 2012-11-05 가부시키가이샤 니콘 연마 패드 표면 형상 측정 장치, 연마 패드 표면 형상 측정장치의 사용 방법, 연마 패드의 원추 꼭지각의 측정 방법,연마 패드의 홈 깊이 측정 방법, cmp 연마 장치 및반도체 디바이스의 제조 방법
US20060166608A1 (en) * 2004-04-01 2006-07-27 Chalmers Scott A Spectral imaging of substrates
US7040958B2 (en) * 2004-05-21 2006-05-09 Mosel Vitelic, Inc. Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer
JP4641395B2 (ja) * 2004-08-17 2011-03-02 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の研削方法、及び研削装置
US20060062897A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Applied Materials, Inc Patterned wafer thickness detection system
CN101934491B (zh) * 2004-11-01 2012-07-25 株式会社荏原制作所 抛光设备
KR101172324B1 (ko) * 2004-12-10 2012-08-14 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법
TWI275451B (en) * 2005-01-11 2007-03-11 Asia Ic Mic Process Inc Measurement of thickness profile and elastic modulus profile of polishing pad
WO2006077994A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Ebara Corporation Substrate polishing method and apparatus
US7163435B2 (en) * 2005-01-31 2007-01-16 Tech Semiconductor Singapore Pte. Ltd. Real time monitoring of CMP pad conditioning process
US7261625B2 (en) * 2005-02-07 2007-08-28 Inoac Corporation Polishing pad
TWI386989B (zh) * 2005-02-25 2013-02-21 Ebara Corp 研磨裝置及研磨方法
JPWO2006106790A1 (ja) * 2005-04-01 2008-09-11 株式会社ニコン 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
KR100949560B1 (ko) * 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
CN101238552B (zh) * 2005-08-05 2012-05-23 裴城焄 化学机械抛光设备
JP4808453B2 (ja) * 2005-08-26 2011-11-02 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置
JP4884725B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4864402B2 (ja) * 2005-09-29 2012-02-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7189140B1 (en) * 2005-11-08 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Methods using eddy current for calibrating a CMP tool
US20070235133A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Strasbaugh Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing
US20090298388A1 (en) * 2006-05-03 2009-12-03 Yuzhou Li Method and apparatus for chemical mechanical polishing of large size wafer with capability of polishing individual die
US20070269908A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Hsin-Kun Chu Method for in-line controlling hybrid chemical mechanical polishing process
US7840305B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
US8246417B2 (en) * 2006-09-12 2012-08-21 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US8065031B2 (en) * 2006-09-14 2011-11-22 Tokyo Seimitsu Co., Ltd Polishing end point detection method utilizing torque change and device thereof
US7444198B2 (en) * 2006-12-15 2008-10-28 Applied Materials, Inc. Determining physical property of substrate
JP2008173741A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Elpida Memory Inc 研磨装置
TWI321503B (en) * 2007-06-15 2010-03-11 Univ Nat Taiwan Science Tech The analytical method of the effective polishing frequency and number of times towards the polishing pads having different grooves and profiles
KR20090002506A (ko) * 2007-06-29 2009-01-09 제일모직주식회사 상변화 메모리 소자 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법
US20090001339A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Tae Young Lee Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same
US8501625B2 (en) * 2007-07-10 2013-08-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing liquid for metal film and polishing method
JP2009026850A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Elpida Memory Inc Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法
JP2009033038A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Elpida Memory Inc Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法
US8257142B2 (en) * 2008-04-15 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US8221196B2 (en) * 2007-08-15 2012-07-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same
US8434909B2 (en) * 2007-10-09 2013-05-07 Flex Lighting Ii, Llc Light emitting display with light mixing within a film
JP5042778B2 (ja) * 2007-10-31 2012-10-03 信越半導体株式会社 ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置
US8870625B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-28 Ebara Corporation Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
WO2009079334A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Zygo Corporation Analyzing surface structure using scanning interferometry
JP5481472B2 (ja) * 2008-05-08 2014-04-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Cmpパッド厚みおよびプロファイル監視システム
US20090311945A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Roland Strasser Planarization System
US20100015895A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Hendron Jeffrey J Chemical mechanical polishing pad having electrospun polishing layer
US8834230B2 (en) * 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus
US7899571B2 (en) * 2008-11-05 2011-03-01 Texas Instruments Incorporated Predictive method to improve within wafer CMP uniformity through optimized pad conditioning
US8004688B2 (en) * 2008-11-26 2011-08-23 Zygo Corporation Scan error correction in low coherence scanning interferometry
JP2010219406A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 化学的機械研磨方法
JP5573061B2 (ja) * 2009-09-15 2014-08-20 株式会社Sumco 両面研磨装置の研磨布の研削方法及び研削装置
US20110073465A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 General Electric Company Systems and apparatus relating to electrochemical machining
US20110073464A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 General Electric Company Systems and apparatus relating to electrochemical machining
WO2011046017A1 (ja) * 2009-10-14 2011-04-21 株式会社クラレ 研磨パッド
US20140152801A1 (en) * 2009-10-28 2014-06-05 Alentic Microscience Inc. Detecting and Using Light Representative of a Sample
US8602842B2 (en) * 2010-03-12 2013-12-10 Wayne O. Duescher Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system
US8740668B2 (en) * 2010-03-12 2014-06-03 Wayne O. Duescher Three-point spindle-supported floating abrasive platen
US8647172B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-11 Wayne O. Duescher Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping
JP2013525955A (ja) * 2010-04-16 2013-06-20 フレックス ライティング 2,エルエルシー フィルムベースのライトガイドを備える照明デバイス
US9028123B2 (en) * 2010-04-16 2015-05-12 Flex Lighting Ii, Llc Display illumination device with a film-based lightguide having stacked incident surfaces
JP2013525126A (ja) * 2010-04-20 2013-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改善された研磨パッドプロファイルのための閉ループ制御
US20120009847A1 (en) * 2010-07-06 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Closed-loop control of cmp slurry flow
US8694144B2 (en) * 2010-08-30 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing
US8672730B2 (en) * 2010-12-23 2014-03-18 Exelis, Inc. Method and apparatus for polishing and grinding a radius surface on the axial end of a cylinder
CN102528643A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨设备及其研磨单元
JP2012157936A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 研磨パッド及び半導体装置の製造方法
US20120270477A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Nangoy Roy C Measurement of pad thickness and control of conditioning
JP5896625B2 (ja) * 2011-06-02 2016-03-30 株式会社荏原製作所 研磨装置に使用される研磨パッドの研磨面を監視する方法および装置
JP6030041B2 (ja) * 2013-11-01 2016-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09290363A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨方法および研磨装置
EP0884136A1 (en) * 1997-06-10 1998-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
JPH1158225A (ja) * 1997-08-22 1999-03-02 Nec Corp 半導体ウェハ研磨終点検出装置
US6169931B1 (en) * 1998-07-29 2001-01-02 Southwest Research Institute Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life
EP1270148A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-02 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and method for conditioning a polishing pad
US20030060127A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-27 Kaushal Tony S. Sensor for in-situ pad wear during CMP
US20070161333A1 (en) * 2002-08-28 2007-07-12 Micron Technology, Inc. In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging
CN101320708A (zh) * 2007-06-06 2008-12-10 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路装置的制造方法
US20100035518A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Chang Shou-Sung Closed loop control of pad profile based on metrology feedback

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110177649A (zh) * 2016-09-16 2019-08-27 应用材料公司 基于沟槽深度的电磁感应监测进行的过抛光
CN107202542A (zh) * 2017-08-02 2017-09-26 常州工学院 一种太阳能电池片的测厚装置及测厚方法
CN112677016A (zh) * 2020-12-23 2021-04-20 上海高仙自动化科技发展有限公司 检测方法、检测装置、智能机器人及可读存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012212333A1 (de) 2013-01-17
US20130017762A1 (en) 2013-01-17
CN102873632B (zh) 2016-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102873632A (zh) 用于确定抛光机的抛光垫的厚度度量的方法和设备
US11781957B2 (en) Material performance testing including improved load detection
CN100507454C (zh) 刻度尺和读取头设备
US10690485B2 (en) System and method for determining tow parameters
CN102197282B (zh) 绝对编码器设置指示
RU2644086C2 (ru) Способ и устройство для измерения вертикальности на сосуде
CA2481546A1 (en) Methods and apparatus for monitoring and conditioning strip material
RU2014119933A (ru) Система и способ контроля качества изделия
CN104215179B (zh) 使用激光位移传感器动态测量钢坯宽度的方法
JP5995488B2 (ja) 折り曲げ加工機における板厚測定装置
CN109357621A (zh) 基于线阵相机和位感条纹的三维振动位移测量装置与方法
US20210404929A1 (en) Thickness correction for video extensometer systems and methods
JPWO2019124104A1 (ja) 物体形状計測装置、および方法、並びにプログラム
CA2612237C (en) Method and system for measuring the curvature of an optical surface
US10271662B2 (en) Station for detecting, controlling, checking and comparing physical parameters of a mattress, a pillow and the like
CN101464255B (zh) 定量性应力应变偏光测定机
US20140224031A1 (en) Method and arrangement for monitoring gearwheels during operation
CN106767463A (zh) 一种激光测量方法、装置以及系统
US9841267B2 (en) Surface roughness sensor apparatus and processing tool structure using the same
KR102326685B1 (ko) 강판 표면 재질 검사 장치 및 방법
US20240118180A1 (en) Material performance testing including improved load detection
KR102057153B1 (ko) 렌즈의 양면 곡률 형상과 굴절률 분포의 동시 측정방법 및 측정장치
KR102164105B1 (ko) 강판 표면의 고경도 부위 검출 장치 및 방법
JP5733852B2 (ja) 接触面積測定装置および接触面積測定方法
KR101129880B1 (ko) 광학식 평탄도 측정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160907

Termination date: 20190713