CN102667692B - 具有欧姆接缝的跨电容传感器装置 - Google Patents

具有欧姆接缝的跨电容传感器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102667692B
CN102667692B CN201080059384.4A CN201080059384A CN102667692B CN 102667692 B CN102667692 B CN 102667692B CN 201080059384 A CN201080059384 A CN 201080059384A CN 102667692 B CN102667692 B CN 102667692B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
receptor
seam
transmitter
transmitter electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080059384.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102667692A (zh
Inventor
A·施瓦茨
K·哈格里夫斯
J·K·雷诺
R·R·谢蒂维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Synaptics Inc
Original Assignee
Synaptics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Synaptics Inc filed Critical Synaptics Inc
Publication of CN102667692A publication Critical patent/CN102667692A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102667692B publication Critical patent/CN102667692B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605—Measuring capacitance
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate

Abstract

跨电容感测装置具有将多个发射器电极分段以及还将多个接收器电极分段的欧姆接缝。处理系统在通信上与发射器电极和接收器电极耦合，并且配置成：采用设置在欧姆接缝的第一侧的第一发射器电极来传送第一发射器信号；采用设置在欧姆接缝的第二侧的第二发射器电极来传送第二发射器信号；采用设置在欧姆接缝的第一侧的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应；以及采用设置在欧姆接缝的第二侧的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应。

Description

具有欧姆接缝的跨电容传感器装置
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年12月18日提交的标题为“METHOD AND APPARATUS FORCAPACITIVE SENSING ON LARGE TOUCH SCREENS”并且转让给本非临时申请的受让人的共同待决美国临时专利申请61/288124的优先权和利益，通过引用将其完整地结合到本文中。
背景技术
包括近程传感器装置(通常又称作触摸板或触摸传感器装置)的输入装置广泛用于各种电子系统中。近程传感器装置通常包括常常通过表面来区分的感测区，其中近程传感器装置确定一个或多个输入物体的存在、位置和/或运动。近程传感器装置可用于提供用于电子系统的接口。例如，近程传感器装置常常用作较大计算系统的输入装置(例如笔记本或台式计算机中集成的或者作为其外设的不透明触摸板)。近程传感器装置还常常用于较小计算系统(例如蜂窝电话中集成的触摸屏)中。
发明内容
跨电容感测装置具有欧姆接缝、多个发射器电极、多个接收器电极和处理系统。多个发射器电极由欧姆接缝来分段。多个接收器电极也由欧姆接缝来分段。处理系统在通信上与多个发射器电极和多个接收器电极耦合。处理系统配置成：采用多个发射器电极的第一发射器电极来传送第一发射器信号，其中第一发射器电极设置在欧姆接缝的第一侧；采用多个发射器电极的第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中第二发射器电极设置在欧姆接缝的第二侧；采用多个接收器电极的第一接收器电极来接收与第一发射器信号对应的第一响应，其中第一接收器电极设置在欧姆接缝的第一侧；以及采用多个接收器电极的第二接收器电极来接收与第二发射器信号对应的第二响应，其中第二接收器电极设置在欧姆接缝的第二侧。
附图说明
附图概述中所参照的附图不应当被理解为按比例绘制，除非具体说明。结合在实施例描述中并且形成其组成部分的附图示出本发明的各个实施例，并且与实施例描述一起用于说明以下讨论的原理，其中相似标号表示相似元件，以及：
图1是按照本发明的实施例的示例输入装置的框图；
图2示出按照实施例、可用于实现感测区的示例电容传感器模式的一部分；
图3示出按照实施例、已经由欧姆接缝分为两段的示例传感器模式；
图4示出按照实施例、已经由两个非相交欧姆接缝分为三段的示例传感器模式；
图5示出按照实施例、已经由两个相交欧姆接缝分为四段的示例传感器模式；
图6示出按照实施例、具有其形状为简单矩形的传感器电极的示例四段传感器模式的布局；
图7示出按照实施例、具有其形状不只是简单矩形的传感器电极的示例四段传感器电极传感器模式的布局；
图8和图9示出按照各个实施例、具有分割像素(spit pixel)的传感器模式的两个示例；
图10-12示出按照各个实施例的示例多段传感器模式连同具有编码模式的示例感测方案；
图13和图14示出按照一些实施例、如何可由一些输入装置来使用多个集成电路；
图15示出按照各个实施例、可与输入装置一起使用的示例处理系统；以及
图16A和图16B示出按照各个实施例、采用包括由欧姆接缝所分段的多个发射器电极以及由欧姆接缝所分段的多个接收器电极的电容感测装置进行电容感测的示例方法的流程图。
具体实施方式
只以示例方式而不是限制来提供以下的实施例详细描述。此外，并不是预计由前面的技术领域、背景、概述或以下详细描述中提供的任何明确表达或暗示的理论进行限制。
本发明的各个实施例提供促进改进的可用性的输入装置和方法。
现在来看附图，图1是按照本发明的实施例的示范输入装置100的框图。输入装置100可配置成向电子系统(未示出)提供输入。如本文档所使用的术语“电子系统”(或“电子装置”)广义地表示能够电子地处理信息的任何系统。电子系统的一些非限制性示例包括所有尺寸和形状的个人计算机，例如台式计算机、膝上型计算机、笔记本计算机、平板、万维网浏览器、电子书阅读器和个人数字助理(PDA)。附加示例电子系统包括合成输入装置，例如包括输入装置100和分离的操纵杆或按键开关的物理键盘。进一步的示例电子系统包括诸如数据输入装置(包括遥控和鼠标)和数据输出装置(包括显示屏幕和打印机)之类的外围设备。其它示例包括远程终端、信息亭和视频游戏机(例如视频游戏控制台、便携游戏装置等)。其它示例包括通信装置(包括诸如智能电话之类的蜂窝电话)和媒体装置(包括记录器、编辑器和播放器、例如电视机、机顶盒、音乐播放器、数码相框和数码相机)。另外，电子系统可能是到输入装置的主机或从机。
输入装置100能够实现为电子系统的物理部分，或者能够与电子系统在物理上分离。适当地，输入装置100可使用下列的任一个或多个与电子系统的部分进行通信：总线、网络和其它有线或无线互连。示例包括但不限于：内集成电路(I2C)、串行外设接口(SPI)、个人系统2(PS/2)、通用串行总线(USB)、蓝牙、射频(RF)和红外数据协会(IrDA)。
图1中，输入装置100示为近程传感器装置(又常常称作“触摸板”或“触摸传感器装置”)，配置成感测由感测区120中的一个或多个输入物体140所提供的输入。示例输入物体包括手指和指示笔，如图1所示。
感测区120包含输入装置100之上、周围、之中和/或附近的任何空间，其中输入装置100能够检测用户输入(例如由一个或多个输入物体140所提供的用户输入)。具体感测区的尺寸、形状和位置可以逐个实施例极大地改变。在一些实施例中，感测区120沿一个或多个方向从输入装置100的表面延伸到空间中，直到信噪比阻止充分准确的物体检测。在各个实施例中，这个感测区120沿特定方向所延伸的距离可以是大约小于一毫米、数毫米、数厘米或者更大，并且可随所使用的感测技术的类型和预期的精度而极大改变。因此，一些实施例感测包括没有与输入装置100的任何表面相接触、与输入装置100的输入表面(例如触摸表面)相接触、与和某个量的所施加力或压力有联系的输入装置100的输入表面相接触和/或它们的组合的输入。在各个实施例中，输入表面可由传感器电极所在的壳体的表面、由施加在传感器电极或者任何壳体之上的面板等等来提供。在一些实施例中，感测区20在投射到输入装置100的输入表面时具有矩形形状。
输入装置100可利用传感器组件和感测技术的任何组合来检测感测区120中的用户输入。输入装置100包括用于检测用户输入的一个或多个感测元件。作为若干非限制性示例，输入装置100可使用声、超声、电容、倒介电(elastive)、电阻、电感和/或光学技术。
一些实现配置成提供跨越一维、二维、三维或更高维的空间的图像。一些实现配置成提供沿特定轴或平面的输入的投影。
在输入装置100的一些电容实现中，施加电压或电流以创建电场。附近的输入物体引起电场的变化，并且产生可作为电压、电流等的变化来检测的电容耦合的可检测变化。
一些电容实现利用电容感测元件的阵列或者其它规则或不规则模式来创建电场。在一些电容实现中，分离的感测元件可欧姆性地短接在一起，以便形成较大传感器电极。一些电容实现利用可以是电阻均匀的电阻片。
一些电容实现利用基于传感器电极之间的电容耦合的变化的“互电容”(或者“跨电容”)感测方法。在各个实施例中，传感器电极附近的输入物体改变传感器电极之间的电场，因而改变所测量电容耦合。在一个实现中，跨电容感测方法通过检测一个或多个发射器传感器电极(又称作“发射器电极”或“发射器”)与一个或多个接收器传感器电极(又称作“接收器电极”或“接收器”)之间的电容耦合进行操作。可相对于参考电压(例如系统地)来调制发射器传感器电极以传送发射器信号，并且接收传感器电极可相对于参考电压基本上保持为恒定以促进结果信号的接收。结果信号可包括一个或多个响应，各响应对应于发射器信号之一。传感器电极可以是专用发射器电极或接收器电极，或者可配置成既传送又接收。
图1中，处理系统(或“处理器”)110示为输入装置100的一部分。处理系统110配置成操作输入装置100的硬件，以便检测感测区120中的输入。处理系统110包括一个或多个集成电路(IC)和/或其它电路组件的部分或全部；在一些实施例中，处理系统110还包括电子可读指令，例如固件代码、软件代码等。在一些实施例中，组成处理系统110的组件共同位于例如输入装置100的一个或多个感测元件的附近。在其它实施例中，处理系统110的组件在物理上是分离的，其中一个或多个组件靠近输入装置100的一个或多个感测元件，而一个或多个组件在其它位置。例如，输入装置100可以是耦合到台式计算机的外设，并且处理系统110可包括配置成运行于台式计算机的中央处理单元上的软件以及与中央处理单元分离的一个或多个IC(也许具有关联固件)。作为另一个示例，输入装置100可在物理上集成到电话中，并且处理系统110可包括作为电话的主处理器的一部分的电路和固件。在一些实施例中，处理系统110专用于实现输入装置100。在其它实施例中，处理系统110还执行其它功能，例如操作显示屏幕、驱动触觉致动器等。
处理系统110可实现为处理该处理系统110的不同功能的一组模块。各模块可包括作为处理系统110的一部分的电路、固件、软件或者它们的组合。在各个实施例中，可使用模块的不同组合。示例模块包括：硬件操作模块，用于操作诸如传感器电极和显示屏幕之类的硬件；数据处理模块，用于处理诸如传感器信号和位置信息之类的数据；以及报告模块，用于报告信息。进一步的示例模块包括：传感器操作模块，配置成操作一个或多个感测元件以检测输入；识别模块，配置成识别诸如模式变化手势之类的手势；以及模式变更模块，用于变更操作模式。
在一些实施例中，处理系统110直接通过引起一个或多个动作来响应感测区120中的用户输入(或者没有用户输入)。示例动作包括变更操作模式以及诸如光标移动、选择、菜单导航和其它功能之类的GUI动作。在一些实施例中，处理系统110向电子系统的某个部分(例如向电子系统中与处理系统110分离的中央处理系统，若这种分离的中央处理系统存在的话)提供与输入(或者没有输入)有关的信息。在一些实施例中，电子系统的某个部分处理从处理系统110所接收的信息，以便对用户输入起作用，例如促进全范围的动作，包括模式变更动作和GUI动作。
例如，在一些实施例中，处理系统110操作输入装置100的一个或多个感测元件，以便产生指示感测区120中的输入(或者没有输入)的电信号。处理系统110可在产生提供给电子系统的信息时对电信号执行任何适当量的处理。例如，处理系统110可数字化从传感器电极所得到的模拟电信号。作为另一个示例，处理系统110可执行滤波或者其它信号调节。作为又一个示例，处理系统110可减去或者以其它方式计算基准，使得信息反映电信号与基准之间的差。作为又一些示例，处理系统110可确定位置信息，将输入识别为命令，识别笔迹等。
本文所使用的“位置信息”广义地包含绝对位置、相对位置、速度、加速度和其它类型的空间信息。示范“零维”位置信息包括近/远或接触/无接触信息。示范“一维”位置信息包括沿轴的位置。示范“二维”位置信息包括平面中的运动。示范“三维”位置信息包括空间中的瞬时或平均平均速度。进一步的示例包括空间信息的其它表示。还可确定和/或存储与一种或多种类型的位置信息有关的历史数据，包括例如随时间来跟踪位置、运动或瞬时速度的历史数据。
在一些实施例中，输入装置100采用由处理系统110或者由某种其它处理系统操作的附加输入组件来实现。这些附加输入组件可提供用于感测区120中的输入的冗余功能性或者某种其它功能性。图1示出感测区120附近的能够用于促进使用输入装置100来选择项目的按钮130。其它类型的附加输入组件包括滑块、球、轮、开关等。相反，在一些实施例中，输入装置100可以在没有其它输入组件的情况下实现。
在一些实施例中，输入装置100包括触摸屏界面，并且感测区129重叠显示屏幕的有效区的至少一部分。例如，输入装置100可包括覆盖显示屏幕的基本上透明的传感器电极，并且提供用于关联的电子系统的触摸屏界面。显示屏幕可以是能够向用户显示可视界面的任何类型的动态显示器，并且可包括任何类型的发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体、电致发光(EL)或者其它显示技术。输入装置100和显示屏幕可共享物理元件。例如，一些实施例可将相同电组件的一部分用于显示和感测。作为另一个示例，显示屏幕可部分或全部由处理系统110来操作。
应当理解，虽然在全功能设备的上下文中描述本发明的许多实施例，但是本发明的机制能够作为各种形式的程序产品(例如软件)来分配。例如，本发明的机制可作为电子处理器可读的信息承载介质(例如，处理系统110可读的非暂时计算机可读和/或可记录/可写信息承载介质)上的软件程序来实现和分配。另外，本发明的实施例同样适用，而与用于执行分配的介质的具体类型无关。非暂时的电子可读介质的示例包括各种盘、存储棒、存储卡、存储模块等。电子可读介质可基于闪速、光、磁、全息或者任何其它存储技术。
术语词汇表
提供以下术语词汇表以定义本文中使用的术语。除了这个术语词汇表之外，下面还提供和描述许多附图，以便进一步示出和了解本文所使用的这些及其它术语。
“欧姆接缝”是提供分离的传感器电极之间的欧姆性断开连接(直流开路)的中断，并且常常基本上垂直于分离的传感器电极的对齐轴。(“基本上垂直”在这里用于包括恰好垂直)。例如，“发射器接缝”是分离发射器电极组的欧姆接缝，并且发射器接缝常常基本上垂直于分离发射器电极与其对齐的轴。类似地，“接收器接缝”是分离接收器电极组的欧姆接缝，并且接收器接缝常常基本上垂直于分离的接收器电极沿着其对齐的轴。欧姆接缝通常按照如下方式来对传感器模式分段：各段中的发射器电极和接收器电极的至少一部分完全在其相应的段中。如下面进一步论述，欧姆接缝可以或者可以不重叠传感器电极。
欧姆接缝可重叠并且沿没有由那个欧姆接缝分离的传感器电极延伸。例如，发射器接缝可沿跨发射器接缝是电连续的多段接收器电极延伸，使得这个多段接收器电极属于多个段。类似情况对于接收器接缝和发射器电极是成立的。这种布置通常创建分割像素(下面进行论述)。
“间距”描述特定类型的传感器电极(例如发射器电极或接收器电极)之间的间隔。间距能够作为从相同类型的相邻传感器电极的中心到中心的距离来测量。
“相对传感器电极”是设置在欧姆接缝的不同侧的相同类型的基本上共线传感器电极。“相对发射器电极”是跨发射器接缝彼此相对的发射器电极，以及“相对接收器电极”是跨接收器接缝彼此相对的接收器电极。相对传感器电极可具有另一种类型的传感器电极，或者具有没有形成设置在其之间的传感器电极的导电材料(例如导电屏蔽、路由线等)。例如，相对发射器电极可在它们之间具有保持在系统地的一个或多个接收器电极和/或导电带。相对传感器电极可略微偏移而不是精确共线的，只要它们至少部分是共线的。
“相邻传感器电极”是基本上平行的、非共线传感器电极，其没有设置在它们之间的那种类型的其它基本上平行的传感器电极(例如另一发射器电极或另一接收器电极)。相邻传感器电极可具有另一种类型的传感器电极或者没有形成设置在它们之间的传感器电极的导电材料(例如导电屏蔽、路由线等)。相邻传感器电极可处于传感器模式的相同段中，或者由接缝分离并且处于不同段中。相对传感器电极不会被认为是相邻传感器电极，即使它们彼此偏移以使得它们是非共线的。
“像素”用于描述由传感器模式和感测方案所定义的传感器像素。跨电容传感器电极布局定义发射器与接收器电极之间的局部化的电容耦合的空间，其中那种电容耦合的强度在测量上随输入物体的接近而改变。局部化的电容耦合的那些空间是跨电容传感器的像素，并且电容耦合的强度的变化可被测量，作为电容的变化。像素常常与发射器与接收器电极之间的相交关联。“相交”在本文中用于包括没有真正接触的重叠。在一个像素处发射器电极能够与多于一个的接收器电极电容地耦合，并且在一个像素处接收器电极能够与多于一个的发射器电极电容地耦合。
“未划分像素”是这样的像素：其中局部化的电容耦合由单个发射器电极与单个接收器电极的电容耦合来支配。
“分割像素”是这样的像素：其中局部化的电容耦合由至少三个传感器电极(例如，两个相对发射器电极和一个接收器电极，两个相对接收器电极和一个发射器电极，或者某种其它数量和布置的发射器和接收器电极)的电容耦合来支配。分割像素可存在于某些欧姆接缝。
“部分像素”是分割像素的与形成分割像素的传感器电极的子集关联的一部分。这个子集以实体方式相互电容地耦合。
“帧”是整个感测区中的所检测输入(或者没有输入)的快照。通过跨电容传感器，帧可由像素的电容的变化的测量结果来组成。这些测量结果可以是电容的直接测量结果，或者可以是替代物(例如电压、电流、电荷等)的测量结果。
“帧周期”是用来扫描跨电容感测输入装置的整个感测区的时间。帧周期可分为单独的时间间隔。“帧速率”(又称作“帧频率”)是帧周期的倒数。帧周期和帧速率取决于诸如存在多少发射器电极以及它需要多长时间来扫描每个发射器之类的因素。许多应用要求在某些最小速率之上的帧速率。
具有欧姆接缝的示例传感器模式
本文所述的传感器模式由传感器电极之间的欧姆接缝来分段。这些欧姆接缝提供与没有欧姆接缝的传感器模式相比能够实现改进性能的更小段。也就是说，传感器模式分为与没有划分模式时相比要短的具有传感器电极的多段。当与未分段传感器模式相比时，这种分段方法可实现更好的性能，例如更快的帧速率、对噪声的降低的敏感度等。另外，这些更小段的扫描能够按照使得避免或降低与一个或多个欧姆接缝关联的成像伪影的方式来同步和安排顺序。要理解，本文所述的传感器模式的任一种可用于实现任何适当输入装置的任何适当感测区，包括输入装置100的感测区120。
图2示出按照实施例、可用于实现感测区(例如感测区120)的示例电容传感器模式200的一部分。电容传感器模式200用于引入一般可适用于本文所述的所有实施例的一些方面。具体来说，电容传感器模式200用于跨电容输入装置，并且可用于检测多个发射器电极250与多个接收器电极260之间的互电容耦合的变化。多个发射器电极250在相交栅270(图2中标记了三个相交处270-1、270-2和270-3)处与多个接收器电极260重叠。
在传感器模式200中，多个发射器和接收器电极250、260分别水平和垂直地对齐。其它实施例可按照某种其它方式将它们对齐。例如，各个实施例可具有从传感器模式200的方向旋转的全部传感器电极对齐方向。作为另一个示例，各个实施例在其传感器电极之间可具有与传感器模式200的角度不同的角度；也就是说，发射器电极或接收器电极260对可以不是平行的，和/或多个发射器电极250可以不是与多个接收器电极260正交对齐的。作为进一步的示例，各个实施例可具有从传感器模式200的方向旋转的全部对齐方向以及它们的传感器电极之间的不同角度。
这些多个发射器和接收器电极250、260在图2中示为细线，并且它们实际上可具有任何适当的物理形状。例如，各种传感器电极可由完全线性部分、完全非线性部分或者线性和非线性部分的组合来组成。作为另一个示例，各种传感器电极可具有设置为齿状或环状的多个平行段、串联链接的多个多边形等。本申请中的各个附图示出为简单矩形、链接矩形和开缝的矩形的传感器电极。为了方便起见而使用这些形状，以及一般来说，简单的矩形用于为论述提供更简单的附图。
多个发射器和接收器电极250、260可由材料的任何适当层叠来形成。在一些实施例中，多个发射器和接收器电极250、260设置在完全不同的导电材料层上。例如，多个发射器电极250可完全形成在第一导电材料层中，多个接收器电极260可完全形成在第二导电材料层中，并且介电材料可分离这第一和第二层。作为另一个示例，多个发射器电极250(或者多个接收器电极260)可由多个导电材料层来形成。
在一些实施例中，多个发射器和接收器电极250、260的确共用一个或多个导电材料层。例如，多个发射器电极250可完全形成在第一导电材料层中，并且多个接收器电极260可部分形成在第一导电材料层中以及部分地形成在第二导电材料层中。第一层可包含多个接收器电极260的不同传感器元件，并且第二层可包含将选择的传感器元件连接到全部接收器电极的导电跳线，或者反之亦然。介电材料可分离跳线以免在跳线与多个发射器电极250相交的位置处与其短接。作为另一个示例，多个发射器电极250可部分地形成在第一导电材料层中并且部分地形成在第二导电材料层中，以及多个接收器电极260可完全形成在第二导电材料层中。在各个其它示例中，多个发射器电极250(或者多个接收器电极260)可由更多导电材料层来形成。
传感器模式可设计成使得多个接收器电极260比多个发射器电极250更接近输入物体可能存在的位置。例如，多个接收器电极260可以更接近关联输入表面。
传感器模式200可在物理上采用任何适当材料来实现。例如，传感器电极可由设置在一层或多层FR4类型玻璃纤维加固环氧树脂层压的PCB中的铜来形成。作为其它示例，传感器电极可由其它导电材料来形成，例如导电墨水(例如碳墨水、银墨水)、ITO(氧化铟锡)、导电纳米粒子、金属网格等。另外，传感器电极可设置在适当的一个或多个绝缘材料上，例如玻璃、聚酰亚胺、聚酯(例如PET或聚对苯二甲酸乙二醇酯)等等。
图2中未示出，发射器电极250和接收器电极260与诸如处理系统110之类的处理系统的感测电路(分别为发射器电路和接收器电路)耦合。在一些实施例中，发射器电极的一个或多个可在多个位置耦合到发射器电路。例如，TX1可在其第一端以及还在其第二端与感测电路耦合；这些耦合可允许比仅从一端对TX1进行充电时要更迅速地将电荷放置于TX1。
图2中，发射器与接收器电极之间的局部化的电容耦合的空间位于其相交处周围。因此，像素的中心位于发射器电极与接收器电极的相交处。
下面将进一步论述，连同备选方案一起，具有分段传感器模式的各个实施例可并行地(并发地，使得多段将在同一时间传送所述实践的至少一些)在多段中进行传送并且扫描多段。这能够减少其中发射器电极按帧进行传送的时间间隔的数量，并且增加帧速率。一些实施例使用降低抖动(例如在对于一个或多个输入物体所检测的位置)、来自沉降(settling)的有害影响、来自相邻或相对发射器电极的串扰等的感测方案。例如，在一些实施例中，相对发射器电极可特意地在基本重叠时间间隔、在部分重叠时间间隔或者在非重叠时间间隔来激活。作为另一个示例，一些实施例通过协调发射器信号、传输时间和/或结果信号的获取，来协调两段或更多段的扫描。
在一些实施例中，处理系统(例如处理系统110)的部件收集指示与来自各段的发射器信号对应的响应的单独的值，并且然后集中地处理它们，集中地作为单个更大图像。例如，一些实施例包括采用多个IC的处理系统，这些IC可单独扫描段，并且提供其结果供中央控制器集中处理。根据实现，中央控制器可以能够处理结果，好像是从单个大段来得到的那样。
此外，一些实施例在物理上配置成降低可在欧姆接缝附近发生的测量伪影。例如，一些实施例包括接缝，这些接缝设计成使得因输入物体而引起的电容的变化对于欧姆接缝附近的像素以及对于远离任何欧姆接缝的像素(例如在各段的内部)是大致相同的。作为另一个示例，一些实施例在整个传感器模式-在欧姆接缝附近、远离欧姆接缝或者在欧姆接缝处-使用规则间距和对称维。作为又一个示例，一些实施例使用在发射器接缝处在发射器电极之间具有小间隙和/或在接收器接缝处在接收器电极之间具有小间隙的传感器模式。
图3-5示出按照各个实施例、可如何通过欧姆接缝来将传感器模式分为更小段的若干示例。图3示出已经由欧姆接缝305分为两段301、302(示为平分)的传感器模式300。图4示出已经由欧姆接缝405和415分为三段401、402、403(示为三等分)的传感器模式400。图5示出已经由垂直相交欧姆接缝505和515分为四段501、502、503、504(示为四等分)的传感器模式500。其它实施例可具有含有欧姆接缝和段的其它数量和布置的传感器模式。例如，实施例可具有由一个发射器接缝和两个接收器接缝所划分的六个段。
图3-5仅提供三个示例。应当理解，任何数量的段是可准许的，并且段可具有不同形状和/或大小。在一些实施例中，欧姆接缝可以或者可以不对应于传感器电极中的一些传感器电极中的物理中断。例如，发射器电极可位于接收器接缝的两侧，并且接收器电极可位于发射器接缝的两侧。这种布置一般沿欧姆接缝来创建由部分像素所组成的分割像素。结合图8和图9的描述来进一步描述分割像素。
图6示出具有其形状为简单矩形的传感器电极的示例四段传感器模式600的布局。发射器电极(TX)可完全在第一层中形成，接收器电极(RX)可完全在第二层中形成，并且这些层通过介电材料分离。发射器接缝605将段1和3的传感器电极与段2和4的传感器电极分离，并且提供在那些段的发射器电极(TX)之间的欧姆中断。接收器接缝615将段1和2的传感器电极与段3和4的传感器电极分离，并且提供在那些段的接收器电极(RX)之间的欧姆中断。发射器和接收器接缝605、615共同在物理上将四段(1、2、3、4)的每个段中的发射器电极和接收器电极与其它段中的发射器和接收器电极分离。发射器接缝605将相邻接收器电极RX3，1和RX4，1(并且还有RX1，1和RX2，1)分段，并且分离相对发射器电极。接收器接缝615将相邻发射器电极TX3，1和TX1，1(以及TX4，1和TX2，1)分段，并且分离相对接收器电极。单独的发射器电极标记为TXi，j，并且单独的接收器电极标记为RXi，j，其中i表示传感器段，以及j对段中的传感器电极进行编号。段和传感器电极编号是任意的。这些TX、RX、i和j符号和编号方案按照相似方式用于本文所述的其它传感器模式中。
圆圈620表示以在TX4，4和RX4，4的相交处为中心的像素。(对于其它传感器电极形状或布局，像素可能不是以在发射器和接收器电极的相交处为中心)。本文中用于表示像素的圆圈、椭圆、其它指示符意味着定位那些像素，而不是意味着示出那个像素的空间。例如，圆圈620意味着定位图6中的像素，而不是意味着要与那个像素的空间有相同范围。圆圈621和622不是表示像素，因为它们在这个示例中不是以在发射器与接收器电极之间的电容耦合的局部化空间的中心为中心。圆圈630表示与对传感器模式600的手指触摸(常常实现为对设置在传感器模式600之上的关联输入表面的触摸)关联的示例区域。能够看到，对传感器模式600的手指触摸通常将影响若干像素的电容响应。
PTX表示发射器电极间距。WTX表示发射器电极的有效宽度。PRX表示接收器电极间距。WRX表示接收器电极的有效宽度。这四个符号在其它附图中用于类似测量。传感器模式600，类似于附图中所示的其它示例，具有规则发射器间距和规则接收器间距。但是，其它实施例可具有可变间距。类似地，传感器模式600具有相同有效宽度的发射器电极和相同的有效宽度的接收器电极。但是，其它实施例可具有不同宽度的发射器电极。
图6示出跨单个接收器接缝而不是跨多个接收器接缝彼此相对的相对接收器电极(例如，跨接收器接缝615彼此相对的RX1，1和RX3，1)。类似地，图6示出跨单个发射器接缝而不是跨多个发射器接缝彼此相对的相对发射器电极(例如，跨发射器接缝605彼此相对的TX1，1和TX2，1)。虽然不作要求，但是相对传感器电极常常如同它们在图6中那样相互精确地共线。
图6还示出相邻传感器电极。例如，RX3，3和RX3，4是相邻接收器电极，并且RX3，1和RX4，1也是相邻接收器电极。作为另一个示例，TX3，3和TX3，4是相邻发射器电极，并且TX1，1和TX3，1也是相邻发射器电极。
图6示出物理上端接于任一种类型的接缝的发射器和接收器电极，但是这不作要求。例如，发射器电极能够在物理上跨接收器接缝是毗连的。作为另一个示例，接收器电极能够在物理上跨发射器接缝是毗连的。这类毗连布局可产生分割像素，下面进一步论述。
图6示出具有发射器和接收器接缝两者的实施例。但是，实施例无需具有发射器和接收器接缝两者。也就是说，一些实施例仅具有一个或多个发射器接缝，一些实施例仅具有一个或多个接收器接缝，以及一些实施例具有一个或多个发射器接缝以及一个或多个接收器接缝两者。
图7示出按照实施例、具有其形状不是简单矩形的传感器电极的示例四段传感器电极传感器模式700的布局。在传感器模式700中，整个发射器电极(TX)设置在第一导电材料层中。还设置在第一材料层中的还有接收器电极(RX)的传感器元件。这些传感器元件通过设置在第二导电材料层中的导电跳线730(图7中标记了一个跳线730)来连接。这些跳线通过介电材料(未示出)与发射器电极分离。
欧姆接缝705是发射器接缝，以及欧姆接缝715是接收器接缝。发射器接缝705将段1和3的传感器电极与段2和4的传感器电极分离，并且提供在那些段的接收器电极之间的欧姆中断。接收器接缝715将段3和4的传感器电极与段1和2的传感器电极分离，并且提供在那些段的接收器电极之间的欧姆中断。接收器接缝715在TX1，1与TX3，1之间以及在TX2，1与TX4，1之间延伸。发射器接缝705在RX1，1与RX2，1之间以及在RX3，1与RX4，1之间延伸。注意，传感器模式700没有分割像素。
如图7所示以及又如以上对于图2所述，对于本文所述的实施例，考虑许多其它类型的传感器模式和传感器电极形状。在传感器模式700中，发射器和接收器电极设计成在相交处更薄，并且与它们在那些相交处不是更薄时相比具有减小的重叠。
传感器模式700中的像素由圆圈720来定位，并且以TX4，2和RX4，2的相交处为中心。圆圈721和722初看起来好像是定位在其它像素的中心，但它们不是。也就是说，虽然多个传感器电极在圆圈721和722处彼此靠近，但是这些圆圈721和722没有定位在发射器与接收器电极之间的局部化的电容耦合的空间的中心。相反，圆圈721位于实际像素的中心之间：第一邻近像素位于TX4，1和RX4，2的相交处，以及第二邻近像素位于TX2，1和RX2，2的相交处。类似地，圆圈722位于实际像素的中心之间：第一邻近像素位于TX1，2和RX1，1的相交处，以及第二邻近像素位于TX2，2和RX2，1的相交处。
图8-9示出按照一些实施例、具有分割像素的示例传感器模式800、900。具体来说，在各传感器模式800、900中，存在与传感器电极重叠的至少一个欧姆接缝；因此，相应的多个发射器电极和接收器电极形成与这至少一个欧姆接缝重合的多个分割像素。图8和图9均示出各由三个传感器电极所形成的分割像素(对于传感器模式800为一个发射器电极和两个接收器电极，以及对于传感器模式900为两个发射器电极和一个接收器电极)。但是，其它传感器模式可具有采用其它数量和比率的发射器或接收器电极所形成的分割像素。类似地，图8和图9均示出各由两个部分像素所形成的分割像素。其它传感器模式可具有由其它数量的部分像素所形成的分割像素。
分割像素处的总响应可确定为部分像素处的响应的组合。例如，在一个实施例中，总响应计算为构成它的部分像素的响应的简单和。作为另一个示例，在一个实施例中，分割像素处的总响应计算为部分像素响应的缩放和/或加权和。也就是说，缩放和/或加权应用于与至少另一个像素的加权(如果没有改变则被认为是一个)不同的至少一个部分像素。这种缩放或加权可基于与所述至少一个部分像素关联的信号放大量、基于形成部分像素的传感器电极的配置等。
与部分像素关联的缩放或加权可在设计时，在制造时或者在制造之后(例如在操作期间)来确定。例如，传感器电极和输入物体的电容相交处可在设计期间来建模。作为另一个示例，传感器装置的分割像素的响应可在制造期间来测量。作为另一个示例，分割像素的响应可在现场、在操作期间来测量。指配给部分像素的适当加权可存储在存储器或者关联处理系统的某个其它部件中(参见例如图15所示的处理系统1510的存储器1525)。
图8示出按照实施例、由接收器接缝815分为两段(段1、段2)的传感器模式800的示例。接收器接缝815与在接收器接缝815处没有欧姆断开连接的发射器电极TX1/2，0重叠并且沿其延伸。也就是说，接收器接缝815没有欧姆性地划分TX1/2，0。符号TX1/2，0表示它跨接收器接缝815是毗连的，并且部分在段1中以及部分在段2中。传感器模式800示出包括诸如未划分像素820之类的未划分像素以及诸如分割像素826之类的分割像素的传感器模式。未划分像素820位于TX2，2和RX2，5的相交处。模式800的分割像素各由被三个传感器电极-一个发射器电极(TX1/2，0)和两个接收器电极-所支配的局部化的电容耦合的空间组成。例如，分割像素826由两个部分像素-一个位于TX1/2，0和RX1，5的相交处以及一个位于TX1/2，0和RX2，5的相交处-来形成。
图9示出按照实施例、由发射器接缝905分为两段(段1、段2)的传感器模式900的示例。在图9中，接收器电极的每个(例如RX1，1)由多个平行段来组成。具体来说，接收器电极各由在两端彼此连接的两个平行段来组成，并且具有开缝的矩形的一般形状。发射器接缝905与在欧姆接缝处没有欧姆断开连接的接收器电极RX1/2，0重叠并且沿其延伸。也就是说，发射器接缝905没有欧姆性地划分RX1/2，0。符号RX1/2，0表示接收器电极RX1/2，0部分在段1中以及部分在段2中。
传感器模式900包括未划分像素(例如圆圈920表示未划分像素)和分割像素(例如圆圈926表示分割像素)。分割像素由诸如位于TX1，5和RX1/2，0的相交处的圆圈924以及位于TX2，5和RX1/2，0的相交处的圆圈925所表示的部分像素之类的部分像素来形成。在传感器模式900中，分割像素的每个由被三个传感器电极-一个接收器电极(RX1/2，0)和两个发射器电极-所支配的局部化的电容耦合的空间组成。例如，分割像素926由位于RX1/2，0和TX1，1的相交处以及位于RX1/2，0和TX2，1的相交处的两个部分像素来组成。
如上述传感器模式所示，各个实施例具有各种传感器模式布局和传感器模式形状。还应当重申，各个实施例可与本文所示的实施例不同。例如，在一些实施例中，发射器接缝(或接收器接缝)没有垂直于它们划分的发射器电极(或接收器电极)的对齐方向。作为另一个示例，一些实施例具有垂直贯穿传感器模式延伸的笔直的发射器电极以及水平贯穿传感器模式延伸的笔直的接收器电极，其中发射器和接收器电极设置成基本上相互垂直。类似地，一些实施例具有水平延伸的笔直的发射器电极以及垂直延伸的笔直的接收器电极，其中发射器和传感器电极设置成基本上相互正交。作为进一步的示例，传感器电极可具有任何适当形状，并且单个传感器模式可采用发射器电极(或接收器电极)或者不同的形状和大小。这些传感器电极可以是部分非线性的(分段线性)或者完全非线性的(从不线性)，可以不平行于相同类型的其它传感器电极或不垂直于不同类型的传感器电极，或者在其它方面与图中所示的不同。
其它许多变化是可能的并且被考虑。例如，欧姆接缝可以不跨整个传感器模式延伸。作为具体示例，具有接收器接缝的传感器模式可具有跨传感器模式延伸到一半以便在那个接收器接缝处彼此相对的接收器电极；这种传感器模式还可具有跨整个传感器模式延伸而没有与接收器接缝相交的其它接收器电极。相反的情况对于具有部分跨那些传感器模式延伸的发射器接缝的传感器模式也成立。
作为另一个示例，传感器模式可具有不对称段。段可在传感器电极的数量、传感器电极的尺寸、传感器电极的间距等方面有所不同。作为具体示例，具有奇数个发射器电极和接收器接缝的传感器模式可将接收器接缝定位在发射器电极之间(这不会在接收器接缝处产生分割像素)，而不是在发射器电极之上(这可能在接收器接缝处产生分割像素)。
感测方案
为了扫描段并且得到输入信息的帧，激活发射器电极以便按照适当感测方案进行传送。按照各个实施例，各种感测方案可用于扫描分段式传感器模式。为了便于说明，这里所述的示例感测方案将常常参阅图6和传感器模式600。但是，这里所述的感测方案可类推为并且应用于具有任何数量的段的任何适当传感器模式。以下论述还参阅先前引入的TXi，j符号，并且为了便于说明而引入附加的数学符号。
当激活并且驱动发射器电极以便传送发射器信号时，采用发射器信号(又称作“感测信号”)来对其进行调制。当没有驱动发射器电极以传送发射器信号时，没有采用发射器信号来对其进行调制；发射器电极可保持在高阻抗(电浮动)或者恒定电压(例如参考电压、系统地或者某种其它电压)。
段的传输序列可通过数学方式来描述。在发射器电极进行传送没有发生变化的时间间隔t期间(以及其中，t∈[n，n+1)，并且n为整数)，函数Mi()的可适用输出可用于描述哪些发射器电极(若有的话)在那个时间间隔期间在关联i段中正进行传送。例如，对于值n，Mi(n)＝j的输出表示发射器TX(i，j)(段i的发射器j)在那个时间n期间正进行传送。对于各种输入和Mi()，输出在对应时间间隔期间可以是标量、向量(表示多个发射器电极在段i中并发地进行传送)或者零值(表示没有发射器电极在段i中进行传送)。为了简洁起见，在这里假定段中的传感器电极的j编号是单调的(对于跨接缝是毗连的传感器电极可能为例外)。这样，Mi()提供表达将当时的时间间隔n映射到哪些发射器电极在那个时间间隔n期间在i段中正进行传送的传输模式的便捷方式。
一些实施例将它们的帧周期分为在时间上相等的均匀时间间隔，一些实施例将它们的帧周期分为非均匀时间间隔，以及一些实施例允许时间间隔是均匀或非均匀的。例如，一些实施例要求对那些正进行传送的发射器电极的潜在变化在时间上是等间隔的，而一些实施例没有施加与时间上相等或不相等间隔有关的任何这类要求。时间间隔的长度影响发射器电极传送多长时间。
实施例可使用每一帧在段中重复进行的传输模式。这可通过每一帧对一个或多个段重复相同Mi()函数来描述。实施例可使用在多个帧在段中重复的传输模式。这可通过对该段重复不同Mi()函数的序列来描述。实施例可使用没有在任何多个帧期间重复的非周期传输模式。这可采用不同Mi()函数的非重复序列来描述。
一些实施例使用这样的感测方案：其中各段具有通过相同Mi()函数所描述的传输模式。也就是说，对于所有i，Mi()＝相同M0()。如果传输模式以同样的时间基础是相同、在时间上是相同但经过偏移、镜像对称、具有其它对称性等等，则它们是相关的。一些实施例使用其中各段具有通过不同Mi()函数所描述的传输模式的感测方案。也就是说，没有两段具有相关传输模式。一些实施例使用这样的感测方案：其中段的一部分具有通过相同Mi()函数所描述的传输模式，以及段的一部分具有通过不同Mi()函数所描述的传输模式。也就是说，段的一部分具有相关传输模式，以及段的一部分没有相关传输模式。
一些实施例采用不同段的发射器电极并发地传送。也就是说，这些实施例通过同时采用这些段中的不同发射器电极进行传送，来并行地扫描不同段。在各个实施例中，这对应于并发地采用设置在欧姆接缝的第一侧的第一发射器电极来传送第一发射器信号以及采用设置在欧姆接缝的第二侧的第二发射器电极来传送第二发射器。第一发射器信号和第二发射器信号可以是相同或不同的信号。在这个欧姆接缝是发射器接缝的情况下，第一发射器电极和第二发射器电极可以是相对发射器电极(或者是非相对发射器电极)。在这个欧姆接缝是接收器接缝的情况下，第一发射器电极和第二发射器电极可以不是非相邻传感器电极(或者是相邻发射器电极)。
发射器电极在它们同时在接收器电极中引起结果信号时“并发地传送”。因此，并发传送的发射器电极可在相同时间周期期间或者在相互重叠的不同时间周期期间进行传送。例如，第一发射器电极可在第一时间周期期间传送第一发射器信号，以及第二发射器电极可在第二时间周期期间传送第二发射器信号。如果第一和第二时间周期至少部分相互重叠，以及如果这些第一和第二发射器信号对关联接收器电极具有的影响同时发生，则第一和第二发射器电极并发地传送这些第一和第二发射器信号。
作为采用并发传输的感测方案的具体示例，一些实施例采用多个发射器电极并发地进行传送，其中各发射器电极设置在不同段中。作为采用并发传输的感测方案的另一个具体示例，一些实施例采用由接收器接缝彼此分离的发射器电极并发地进行传送。作为具有并发传输的感测方案的又一个具体示例，一些实施例采用相对发射器电极并发地进行传送。在存在多个发射器接缝而使得一个发射器电极与多个其它发射器电极相对的情况下，这些发射器电极的部分或全部可并发地进行传送。
在多个段中并发地进行传送(又称作“并行扫描”)允许整个传感器模式与没有在多段中并发地进行传送(没有并行扫描，例如采用“串行扫描”)相比要更迅速地被扫描。
如上所述，一些实施例采用段的多个发射器电极并发地进行传送，使得那个段中的至少一个接收器接收混合响应。也就是说，至少一个接收器电极接收组合与那个段中的多个发射器电极并发地传送的多个发射器信号对应的响应而产生的信号。采用段的多个发射器电极并发地进行传送可提供改进的噪声电阻并且使用更大功率。这可通过对于一个或多个输入n输出向量(表示许多发射器电极)的Mi()函数来描述。
作为具体示例，在一些实施例中，段中的第一发射器电极与那个段中的第二发射器电极并发地进行传送。第一发射器电极传送第一发射器信号，以及第二传感器电极传送第二发射器信号。如果第一发射器信号和第二电产生数学独立的响应，则并发传输产生可用于确定与这些响应关联的独立结果(例如，与第一响应关联的第一结果，以及与第二响应关联的第二结果，其中第一和第二响应分别对应于第一和第二发射器信号)的结果信号。
一些实施例使用这样的感测方案：其中，在特定时间，多段具有发射器电极正进行传送，以及那些段的至少一个具有多个发射器电极正进行传送。
一些实施例使用包括以空间上相对于欧姆接缝移动的序列进行传送的感测方案。在具有接收器接缝的第一示例实施例中，传输序列更靠近接收器接缝开始，并且远离所述接收器接缝移动。在具有接收器接缝的第二示例实施例中，该序列远离接收器接缝开始，并且朝接收器接缝移动。这些序列对应于下列传输关系。首先，设置在接收器接缝的第一侧的第一发射器电极传送第一发射器信号，以及设置在接收器接缝的第二侧的第二发射器电极传送第二发射器信号。其次，第三发射器电极在第一发射器电极传送第一发射器信号之后传送第三发射器信号，以及第四发射器电极在第二发射器电极传送第二发射器信号之后传送第四发射器信号。在第一示例实施例中，第三发射器电极设置在接收器接缝的第一侧，并且比第一发射器电极更远离接收器接缝，以及第四发射器电极设置在接收器接缝的第二侧，并且比第二发射器电极更远离接收器接缝。在第二示例实施例中，第三发射器电极设置在接收器接缝的第一侧，并且比第一发射器电极更靠近接收器接缝，以及第四发射器电极设置在接收器接缝的第二侧，并且比第二发射器电极更靠近接收器接缝。在两种情况下，第一发射器信号可以或者可以不与第二发射器信号并发地被传送，以及第三发射器信号可以或者可以不与第四发射器信号并发地被传送。
下面是采用从更接近接缝开始并且远离欧姆接缝移动的空间序列的感测方案的一个具体示例。在示例实施例中，感测方案可采用对于所有段都相同的Mi()来描述，其中Mi(n)＝(n modulo N)+1，N是i段中的发射器电极的总数，以及n是从0至N-1(包括两端)的整数，包括在内。对于传感器模式600，N＝4，以及n从0至3变化。通过传感器模式600，这种感测方案意味着：1)相对发射器电极并发地并且在相同时间周期期间进行传送；以及2)传输序列开始于接收器接缝615，在传感器模式600的中间，并且远离接收器接缝615、向外朝着在传感器模式600的边缘的发射器电极移动。也就是说，通过描述实施例中的传感器模式600的所有段的这个Mi(n)＝(n modulo N)+1，以下对这个实施例的传输序列成立：TX1，1、TX2，1、TX3，1和TX4，1在初始时间间隔(间隔1)期间进行传送，TX1，2、TX2，2、TX3，2和TX4，2在下一个时间间隔(间隔2)期间进行传送，TX1，3、TX2，3、TX3，3和TX4，3在下一个时间间隔(间隔3)期间进行传送，以及TX1，4、TX2，4、TX3，4和TX4，4在下一个时间间隔(间隔4)期间进行传送。在其中相同Mi()在下一个帧周期中重复的一些实施例中，在最后一个时间间隔之后，传输序列重复进行，并且在接收器接缝615从传感器模式600的中间再次开始。
下面是参照传感器模式600的采用对于至少一段从更接近接缝开始并且远离欧姆接缝移动以及对于至少另一段从更远离欧姆接缝开始并且移动到更接近欧姆接缝的空间序列的感测方案的一个具体示例。这个示例使用段来仿真一组相似定向的不同传感器装置。这些段具有相对于全局参考而不是诸如欧姆接缝之类的局部参考是相同的发射器序列。在这个示例中，下列发射器电极在所指定时间间隔期间进行传送，而其它发射器电极不进行传送。在第一时间间隔期间，TX1，4、TX2，4、TX3，1和TX4，1进行传送。在第二时间间隔期间，TX1，3、TX2，3、TX3，2和TX4，2进行传送。在第三时间间隔期间，TX1，2、TX2，2、TX3，3和TX4，3进行传送。在第四时间间隔期间，TX1，1、TX2，1、TX3，4和TX4，4进行传送。这四个时间间隔完成帧周期，并且该序列可重复、反向或者按照某种其它方式来改变。在一些实施例中，没有与段1和3和/或以与段1和3相同的序列并行地扫描段2和4。
一些实施例使用在帧周期的部分期间在一个或多个段中没有进行传送(并且因而没有扫描)的感测方案。例如，一些实施例可在帧周期的第一部分期间在段中进行传送，而在帧周期的第二部分期间在那个段中不进行传送。作为具体示例，能够与传感器模式600一起使用的感测方案如下所述。在帧周期的第一部分期间，实施例在段1和3中按照相似或不同方式进行传送，而在段2和4中不进行传送。然后，在紧接帧周期的第一部分的帧周期的第二部分期间，实施例在段2和4中按照相似或不同方式进行传送(它可与段1或3的传输模式相似或不同)。然后，实施例对于另外的帧来重复这个序列。也就是说，它利用段1和3(而不是段2和4)进行重传，并且然后按照相似方式利用段2和4(而不是段1和3)进行重传，依此类推。
下面是这种感测方案的另一个具体示例。参照传感器模式600，在帧周期的第一部分期间，段1和2进行传送，而段3和4不进行传送。具体来说，下列发射器电极在那个帧周期的依次时间间隔期间进行传送，而其它发射器电极不进行传送。TX1，4和TX2，4在第一时间间隔(时间间隔1)期间进行传送。TX1，3和TX2，3在下一个时间间隔(时间间隔2)期间进行传送。TX1，2和TX2，2在下一个时间间隔(时间间隔3)期间进行传送。TX1，1和TX2，1在下一个时间间隔(时间间隔4)期间进行传送。TX3，1和TX4，1在下一个时间间隔(时间间隔5)期间进行传送。TX3，2和TX4，2在下一个时间间隔(时间间隔6)期间进行传送。TX3，3和TX4，3在下一个时间间隔(时间间隔7)期间进行传送。TX3，4和TX4，4在下一个时间间隔(时间间隔8)期间进行传送。这个序列能够对于其它的时间间隔重复、反向或者按照某种其它方式来改变，这取决于感测方案。例如，在一些实施例中，在帧周期已经结束之后，该序列以TX1，4和TX2，4再次开始传送。
从上述传输序列能够看到，一些实施例没有采用在接收器接缝的不同侧上的相邻发射器电极并发地进行传送。例如，在各个实施例中，跨接收器接缝的相邻发射器电极没有并发地进行传送。相对发射器电极可以或者可以不并发地传送。在这种传输序列的一个示例中并且参照传感器模式600，TX1，1和TX2，1均在第一时间间隔期间进行传送(而TX3，1和TX4，1没有进行传送)，以及TX3，1和TX4，1在下一个时间间隔期间进行传送(而TX1，1和TX2，1没有进行传送)。
下面是继续参照图6所述的具体示例，下列发射器电极在帧周期的依次时间间隔期间进行传送，而其它发射器电极没有进行传送。在第一时间间隔期间，TX1，4、TX2，4、TX3，4和TX4，4进行传送。在作为下一个时间间隔的第二时间间隔期间，TX1，3、TX2，3、TX3，3和TX4，3进行传送。在作为下一个时间间隔的第三时间间隔期间，TX1，2、TX2，2、TX3，2和TX4，2进行传送。在作为下一个时间间隔的第四时间间隔期间，TX3，1和TX4，1进行传送。在作为下一个时间间隔的第五时间间隔期间，TX1，1和TX2，1进行传送。因此，用于具有四个发射器电极的段的这个帧周期各自包括五个时间周期。此后，该序列重新开始并且重复。要理解，这个扫描序列从远离接收器接缝615(例如在传感器模式的边缘)开始，并且朝接收器接缝615移动。其它感测方案可包括开始于接收器接缝615并且远离接收器接缝615(例如朝着传感器模式的边缘)移动的扫描序列。例如，可使用上述传输序列的逆。也就是说，并且参照图6，第一时间间隔可涉及采用TX1，1和TX2，1的传输，第二时间间隔可涉及采用TX3，1和和X4，1的传输，第三时间间隔可涉及采用TX1，2、TX2，2、TX3，2和TX4，2的传输，依此类推。
从上述传输序列还能够看到，一些实施例仅在帧周期的部分期间采用发射器电极并发地进行传送。例如，一些实施例具有由接收器接缝所分离的段。当非常接近接收器接缝(例如正好在接收器接缝旁)的发射器电极在一个段中进行传送时，在接收器接缝的另一侧的段中发射器电极将不会进行传送。作为举例，并且参照图6，在TX1，1在段1中进行传送的时间间隔期间，段3(它从段1跨接收器接缝615)中没有发射器电极进行传送。这可携带到也由发射器接缝所分离的发射器电极。进一步参照图6，在一个实施例中，当段3或段4中没有发射器电极进行传送的时间间隔期间，TX1，1在段1中进行传送。
一些实施例利用在帧周期的一个或多个非传送时间间隔(又称作“静寂时间间隔”)期间暂停传输的感测方案。例如，一些感测方案利用帧中和/或帧之间的静寂时间间隔，在此期间没有发射器电极进行传送(所有发射器电极TX均没有传送)。包括具有暂停传输的时间周期可由于任何数量的原因，例如用于干扰检测或者降低串扰。
在干扰检测方面，一些实施例在静寂时间间隔期间在一个或多个接收器上进行接收。由于发射器电极在静寂时间间隔期间没有传送，则由接收器电极所接收的信号对应于干扰(例如来自环境)。
在降低串扰方面，在一些实施例中，存在采用特定发射器进行传送所花费的时间量之间的折衷，以便实现改进的信噪比(SNR)对更高帧速率。这可归因于各种因素。示例因素包括在传输或接收中可发生的任何种类的滤波的瞬态响应。在一些实施例中，帧速率按照如下方式来设置：使得时间间隔可能足够短而使得不允许如任何滤波效应的效应完全稳定(例如达到噪声等级、规范要求所设置的某个等级等)。因此，从先前时间间隔(例如时间间隔k)剩下的残余能够影响对后来的时间间隔(例如时间间隔k+1)所进行的测量。在许多实施例中，这在从一帧的结束转变到下一帧的开始时变得甚至更为显著。这种残余信息能够具有引起错误感测的影响。例如，位于接收器接缝的输入物体可与在时间间隔k期间进行传送的在接收器接缝的第一侧上的第一发射器电极以及与在时间间隔k+1期间进行传送的在接收器接缝的第二侧上的第二发射器电极进行交互。这个输入物体可被检测为位于传感器的边缘，相对于段的内部具有跨接缝的不均匀影响，并且引起位置确定的错误等。利用在帧周期的开始和/或结束的一个或多个静寂时间间隔能够降低许多这类问题的有害影响。
要理解，采用不同传输模式的许多感测方案是可能的并且被考虑，包括利用每个帧周期的一个或多个静寂时间间隔的感测方案。例如，本文所述的感测方案的任一种可具有对其添加的一个或多个静寂时间间隔；这些添加的一个或多个静寂时间间隔可以是第一时间间隔、最后一个时间间隔、中间时间间隔或者它们的组合。作为具体示例，一个静寂时间间隔可以添加在帧周期结束时、附加帧扫描发生之前。
在一个示例实施例中，采用静寂时间间隔的传输模式开始于位于接收器接缝的一个或多个发射器电极进行传送，并且继续进行在空间上远离接收器接缝(例如向外朝着传感器模式的边缘)移动的发射器模式。例如，继续参照图6，在一个实施例中，下列发射器电极在帧周期的时间间隔期间进行传送，而其它发射器电极没有传送。在第一时间间隔期间，没有发射器电极进行传送。在紧接第一时间间隔之后的第二时间间隔期间，TX1，1进行传送。在紧接第二时间间隔之后的第三时间间隔期间，TX3，1进行传送。在紧接第三时间间隔的第四时间间隔期间，TX1，2和TX3，2进行传送。在紧接第四时间间隔的第五时间间隔期间，TX1，3和TX3，3进行传送。在紧接第五时间间隔的第六时间间隔期间，TX1，4和TX3，4进行传送。这引起六个时间间隔来扫描各具有四个发射器电极的两段。可与段1和3的扫描并行地扫描段2和/或段4。此后，该序列可重新开始。或者，如果没有与段1和3并行地扫描段2和4，则它们可随后被扫描。
一些实施例通过同步相对发射器电极来降低或防止在接收器接缝附近的伪影。一些实施例严格地同步相对发射器电极。也就是说，一些实施例采用相对发射器电极来传送大致相同相位、幅度、波形形状和/或频率(或者具有逐帧大致恒定的相位、幅度、波形形状和/或频率关系)的发射器信号，并且还大致同时地开始和结束传输。这种方式可帮助降低接收器接缝附近的信号降级。作为一个具体示例，并且参照图6，在一个实施例中，在发射器接缝605相遇的发射器电极被同步，以便以相同相位并且在相同时间间隔期间进行传送(例如TX1，4和TX2，4)。
在许多实施例中，涉及具有分割像素的传感器模式的感测方案与先前所述的感测方案相似。例如，传输模式可表示按照空间上朝向或远离欧姆接缝移动的方式进行传送。作为其它示例，传输模式可涉及在相对发射器电极上并发地进行传送或者包括静寂时间间隔。作为进一步的示例，彼此相邻并且在接缝的相对侧的发射器电极可在不同时间进行传送。但是，在分割像素涉及重叠并且沿发射器电极延伸的接收器接缝的情况下，没有发射器电极组彼此相邻并且处于这个接缝的相对侧。
编码传输
在感测方案涉及采用多个发射器电极并发地进行传输的情况下，这些多个发射器电极的部分或全部可传送被唯一编码的发射器信号。例如，发射器信号可符合各种不同的调制码，包括诸如沃尔什代码、哈达马德代码和伪随机序列的代码。代码也可具有任何适当长度。发射器信号可按照任何适当方式来表示代码，例如通过频率、幅度、相位等的不同。例如，一些实施例不同地调制并发传输的频率，并且适当地解调所接收的结果信号，以便得到独立结果。每个独立结果与对应于并发传输之一的响应关联。图10-12示出按照各个实施例的特定多段传感器模式的示例连同具有编码模式的特定示例感测方案。其它实现可具有不同的传感器模式和/或其它编码模式。
在图10-12中，采用编码模式的感测方案示为表。列表示不同依次时间间隔(例如t1、t2等)。行包含它们相对应的对齐的发射器电极的编码状态。表中的“+”符号表示由对应发射器电极在那个时间间隔期间所传送的发射器信号具有编码特性的第一值。相反，表中的“-”符号表示由对应发射器电极在那个时间间隔期间所传送的发射器信号具有编码特性的第二值。空框表示没有传送发射器信号。
例如，一些实施例在进行传送时采用周期波形来调制发射器电极。示例周期波形包括方波、锯齿波、三角波、正弦波、它们的组合、更复杂波形等。在相位作为这类实施例的编码特性的情况下，“+”表示发射器采用在第一相位的可适用波形进行传送，而“-”表示发射器采用在第二相位的可适用波形进行传送。在一个实施例中，第一和第二相位分开180度。在其它实施例中，利用其它相位差。
图10示出由接收器接缝1015来分为两段(段1、段2)的传感器模式1000。示出多个发射器电极和接收器电极。感测方案1075示出可与传感器模式1000一起使用的一个示例编码模式。具体来说，感测方案1075涉及按照长度4的哈达马德代码的并发传输，其中段2的全部四个发射器电极在依次时间间隔t1至t4期间并发地传送。感测方案1075还涉及按照长度4的相同哈达马德代码的并发传输，其中在依次时间间隔t5至t8期间采用段1的全部四个发射器电极。
图10中，感测方案1075的顶行指示具有编码特性的第一值的发射器信号在时间间隔t1期间在TX2，4上传送，具有编码特性的第二值的发射器信号在时间间隔t2-t4期间在TX2，4上传送，以及TX2，4在时间间隔t5-t8期间没有传送。例如，TX2，4可在时间间隔t1期间采用第一相位的波形进行传送，并且在时间间隔t2-t4期间采用第二相位的波形进行传送，而在时间间隔t5-t8期间没有传送。其它行感测方案1075可按照相似方式来理解。也就是说，TX2，3在时间间隔t1、t3和t4期间采用具有编码特性的第二值的发射器信号进行传送，在时间间隔t2期间采用具有编码特性的第一值的发射器信号进行传送，而在时间间隔t5-t8期间没有传送。另外，TX2，2在时间间隔t1、t2和t4期间采用具有编码特性的第二值的发射器信号进行传送，在时间间隔t3期间采用具有编码特性的第一值的发射器信号进行传送，而在时间间隔t5-t8期间没有传送。另外，TX2，1在时间间隔t1-t3期间采用具有编码特性的第二值的发射器信号进行传送，在时间间隔t4期间采用具有编码特性的第一值的发射器信号进行传送，而在时间间隔t5-t8期间没有传送。类似地，感测方案1075指示用于TX1，1、TX1，2、TX1，3和TX1，4的编码。
感测方案1075示出一个实施例，其中不存在采用传感器模式1000的段1和段2中的发射器电极的并发传输。但是，具有编码模式的感测方案的其它实施例可具有采用不同段的发射器电极的并发传输。例如，实施例可具有相同的传感器模式1000，使用与感测方案1075相同的长度4代码，但是对于四个时间间隔采用全部八个发射器电极并发地传送(而不是对于四个时间间隔采用段1的四个发射器电极并发地传送并且对于四个其它时间间隔采用段2的四个发射器电极并发地传送)。
图11示出采用具有比图10的感测方案1075少的时间间隔的不同感测方案1175的传感器模式1000。图11中，感测方案1175的顶行指示TX2，4在时间间隔t1期间传送具有编码特性的第一值的发射器信号，TX2，4在时间间隔t2期间传送具有编码特性的第二值的发射器信号，以及TX2，4在时间间隔t3-t4期间没有传送。例如，在时间间隔t1期间，TX2，4可采用第一相位的波形进行传送，并且在时间间隔t2期间，TX2，4可采用第二相位的波形进行传送。感测方案1175的其它行可按照相似方式来理解。感测方案1175示出具有采用传感器模式1000的段1和2中的发射器电极的并发传输的一个实施例。
图12示出由接收器接缝1215来分为两段(段1、段2)的传感器模式1200连同感测方案1275。图12中，感测方案1275的顶行指示TX2，6在时间间隔t1-t4期间传送具有第一值的发射器信号，而在时间间隔t5-t6没有传送。例如，T2，6可在时间间隔t1-t4期间采用第一相位的波形来传送发射器信号，而在时间间隔t5-t6期间没有传送。感测方案1275的其它行可按照相似方式来理解。感测方案1275示出传感器模式1200的段1和2中的发射器电极的并发驱动。感测方案1275还使用不同的代码长度(代码长度四和二)和代码类型。由括号1276所标识的四个行表示4×4沃尔什类型的哈达马德编码。由括号1277所标识的两个行表示正交2×2编码，如括号1278所标识的两行那样。由括号1279所标识的四行表示4×4非沃尔什类型的哈达马德编码。因此，感测方案1275还强调不同代码类型和代码长度可在感测方案中使用。
一个或多个集成电路与传感器模式的一起使用
按照一些实施例，一个或多个集成电路(IC)可与诸如输入装置100之类的输入装置的分段传感器模式一起使用。一个或多个IC各自可包括专用集成电路(ASIC)，或者是通用集成电路。
在具有单IC的实施例中，这个单IC可配置成操作传感器电极，以便获取在关联感测区中的输入(或者没有输入)的图像。单IC还可配置成对图像执行进一步处理，将图像提供给另一个处理器(例如电子系统的CUP)，等等。
在具有多个IC的实施例中，各个IC可配置成执行相似或不同的功能。例如，一些实施例包括配置成通信上耦合到不同组的传感器电极的多个传感器电极IC(SEIC)。这些SEIC可在通信上耦合到(并且也许配置成操作)仅发射器电极、仅接收器电极或者发射器和接收器电极的组合。类似地，这些SEIC可在通信上耦合到仅仅一段的传感器电极、耦合到跨欧姆接缝是毗连的传感器电极或者耦合到多段的不同传感器电极。一些多IC实施例可包括通信上耦合到SEIC并且执行除了传感器电极的直接操作之外的其它功能的附加IC。
图13-14示出具有多个集成电路的一些实施例。图13示出输入装置100B的一部分。输入装置100B使用四段式传感器模式1300。在一个实施例中，传感器模式1300与图6的传感器模式600相似或相同。输入装置100B包括多个传感器电极集成电路(SEIC1-4)，每个传感器电极集成电路在通信上耦合到段的所有发射器和接收器电极。箭头1311、1321、1331和1341分别指示从SEIC 1、2、3和4到段1、2、3和4的发射器电极的路由线路。类似地，箭头1312、1322、1332和1342分别指示从段1、2、3和4的接收器电极到SEIC 1、2、3和4的路由线路。输入装置100B还包括中央控制器1310，中央控制器1310可包括一个或多个IC。中央控制器1310用于协调SEIC 1-4，分析从SEIC 1-4所接收的关于感测区中的输入的信息，并且适当地与其它组件进行通信。例如，中央控制器1310可协调用于输入装置100B的感测方案。作为另一个示例，中央控制器1310可从SEIC 1-4接收与不同发射器信号对应的响应，适当地对其进行缩放，并且将它们编译为单个图像。中央控制器1370可对图像执行进一步处理，和/或将图像提供给另一个处理器，例如电子系统的CPU(未示出)。
图14中，示出输入装置100C。输入装置100C包括通信上与六个SEIC(SEIC 1-6)(而不是图13的输入装置100B所示的四个SEIC)耦合的4段式传感器模式1400。在一个实施例中，传感器模式1400与图6的传感器模式600相似或相同。SEIC 5和6在段之间共用(例如段1和2共用SEIC 5，以及段3和4共用IC 6)。在输入装置100C中，SEIC 1-4的每个在通信上耦合到段的全部发射器电极以及部分接收器电极。相反，SEIC 5-6是通信上仅耦合到接收器电极的接收器集成电路。具体来说，SEIC 5通信上耦合到段1和2的部分接收器电极，以及SEIC6通信上耦合到段3和4的部分接收器电极。箭头1411、1421、1431和1441分别指示从IC 1、2、3和4到段1、2、3和4的发射器电极的路由线路。同时，箭头1412、1422、1432、1442、1452和1462指示从传感器电极到SEIC的路由线路：从段1到SEIC 1、段2到SEIC 2、段3到SEIC 3、段4到SEIC 4、段1和2到SEIC 5以及段3和4到SEIC 6。输入装置100C还包括中央控制器1410，中央控制器1410可包括一个或多个IC。中央控制器1410用于协调SEIC 1-6，分析从SEIC 1-6所接收的关于感测区中的输入的信息，并且适当地与其它组件进行通信。
具有多个IC的一些实施例在那多个IC之间分区用于将所接收的结果信号转换为输入信息的处理。例如，图13的输入装置100B可在输入装置100B的SEIC 1-4和中央控制器1310之间划分信号转输入的信息处理。这些IC可按照任何方式来划分下列职责(若可适用于系统)：存储基线读取、加权或缩放、信号调节、选择感测频率、协调传输模式、信号处理、确定位置信息、应用发射特性、识别手势、控制睡眠和唤醒输入装置100B以及与输入装置100B外部的组件、如主机PC进行通信。
具有多个IC的一些实施例同步这些IC。这能够例如通过降低由欧姆接缝或多个IC所引入的潜在伪影来改进性能。例如，一些实施例包括共同时钟，使得同步耦合到共同时钟的所有IC。共同时钟能够例如用于确保IC所使用的发射器信号全部处于相同频率，或者接收器电极全部在适当周期期间进行操作。这种同步能够降低产生于破坏性干扰的拍频；这些拍频能够引起错误输入。在各个实施例中，共同时钟能够通过使一个IC将其时钟信号逐出并且使其它IC接收该时钟信号来得到。例如，针对图13，控制器1310或者SEIC 1-4的任一个可提供这个时钟信号。此外，控制器1310可提供同步信号，以便发起新帧的扫描，并且进一步同步IC。
示例处理系统
图15示出按照各个实施例、可与输入装置一起使用的处理系统1510的示例。处理系统1510可以是输入装置100的处理系统110的实现。可类似地实现其它处理系统。在一个实施例中，处理系统1510配置成在通信上与多个发射器电极和多个接收器电极(例如各个附图中所示的发射器电极和接收器电极)耦合。处理系统1510包括发射器电路1505和接收器电路1515。在各个实施例中，发射器电路1505位于一个或多个IC中。也就是说，在一些实施例中，发射器电路1505完全位于单个IC中；以及在一些实施例中，发射器电路1505位于多个IC中。类似地，在各个实施例中，接收器电路1515可包括一个或多个IC的部分。实现发射器电路1505的IC也可以或者可以不实现接收器电路1515。也就是说，相关IC可包括仅接收器电路、仅发射器电路、或者部分接收器电路和部分发射器电路。一些实施例还包括下列一个或多个：存储器1525、分析电路1535和编码组件1545。这些电路组件的任一个或全部可采用处理系统1510的一个或多个IC的部分或全部来实现。
发射器电路1505进行操作以采用一个或多个发射器电极按照本文已经描述的方式或者其等效物的任一种来传送或不传送发射器信号。例如，在给定时间间隔中，发射器电路1505可使多个发射器电极的一个或多个发射器电极进行传送。在存在多个并发传输的情况下，发射器电路1505可配置成引起没有编码或者经过编码的传输。
接收器电路1515进行操作以便经由接收器电极按照本文描述的方式或者其等效物的任一种来接收具有与所传送的发射器信号对应的响应的结果信号。例如，接收器电极可串行(每次一个)或并行(多个接收器电极并发地接收)地接收。
在发射器电路1505位于多个IC中的情况下，同一IC可进行操作并且通过相同或不同段中的发射器电极来引起传输。另外，发射器电路1505的不同IC可进行操作并且通过相同或不同段中的发射器电极来引起传输。
类似地，在接收器电路1515位于多个IC中的情况下，同一IC可进行操作并且从相同或不同段中的接收器电极来接收结果信号。另外，接收器电路1515的不同IC可从相同或不同段中的接收器电极来接收结果信号。
结果信号包括与发射器信号对应的响应。与发射器信号对应的响应反映发射器信号通过它们的电容耦合对接收器电极的影响。这些结果信号还包括因干扰(例如环境噪声)等引起的影响。由接收器电极所接收的结果信号可包括例如当接近接收器电极的多个发射器电极并发传送时来自多个发射器信号的响应。
在包括实现接收器电路1515的多个IC的一个实施例中，从结果信号所得出的响应被缩放或者以其它方式被调整，使得由IC所提供的响应是可比较的。例如，由不同IC所提供的值可与对应于那些IC的不同基线值进行比较。作为另一个示例，第一IC可提供与对应于第一发射器信号的第一响应成比例的第一值，以及第二IC可提供与对应于第一发射器信号或第二发射器信号的第二响应成比例的第二值。第一和第二值可因第一与第二IC之间的(例如增益的)差异而有所不同，而不是因为实际电响应不同。处理系统1510可使用在诸如存储器1525之类的存储器中存储的校准信息来调整第一和第二值的至少一个，使得它们是可比较的。
处理系统1510可使用校准信息来调整第一值，以便产生第一调整值，使得第一调整值与第一响应的第一比例大致等于第二值与第二响应的第二比例。这将一个值调整成匹配另一个值。作为另一个示例，处理系统1510可使用校准信息来调整第一值和第二值两者，以便分别产生第一和第二调整值，使得第一调整值与第一响应的第一比例大致等于第二调整值与第二响应的第二比例。这将多个值调整成共同标度。调整值促进标准化跨不同IC的响应，并且能够帮助补偿不同电路之间(例如放大的)差。这些调整可以是线性或非线性的。
用于产生调整值的校准信息可通过采用IC执行校准功能来得到。例如，在制造期间，对已知输入的输出值可在适当等级得到(例如每IC、每接收器电极、每像素)，并且用于产生这种校准信息。这种校准信息可存储在存储器1525中。在具有多个IC的一些实施例中，各IC具有用于存储用于接收器电极的校准信息的存储器1525的一部分以及与那个IC关联的电路；并且各SEIC调整它提供的值。在具有包括中央控制器(例如图13-14的中央控制器1310和1410)的多个IC的一些实施例中，中央控制器存储校准值，并且校准从SEIC所接收的值。在具有包括SEIC和中央控制器的多个IC的一些实施例中，一个或多个SEIC和中央控制器都存储校准信息并且调整值。例如，各SEIC存储用于在那个SEIC的接收器电路之间进行校准的校正函数或表，并且中央控制器可存储用于在SEIC之间进行校准的校正函数或表。
处理系统1510还可包括分析电路1535。这个分析电路配置成基于本身由第一接收器电路从第一接收器电极接收的第一响应来接收信息。这个分析电路还配置成基于本身由第二接收器电路从第二接收器电极接收的第二响应来接收信息。第一和第二接收器电路是接收器电路1515的一部分，并且可以是同一IC的一部分或者不同IC的部分。分析电路1535可配置成执行上述的调整。
在一些实施例中，分析电路1535还配置成估计与不同像素关联的电容耦合量。在具有多个分割像素的实施例中，分析电路1535使用基于适当部分像素的响应的信息来估计与分割像素关联的电容耦合量。分析电路1535可按照任何适当方式来进行这个估计，包括通过组合部分像素测量。在一些情况下，部分像素测量经过适当缩放或调整(例如使用来自存储器1525的校准信息)。如果分离的IC包含与分割像素的部分像素关联的接收器电路，则这种缩放或调整是更可能的。
作为具体示例，分析电路1535首先从构成分割像素的所有部分像素来接收信息。然后，分析电路1535将加权应用于分割像素的至少一个部分像素。这调整部分像素的一个或多个影响，使得它们是可比较的。除了基础之外，加权能够基于提供至少一个部分像素的局部化的电容耦合的传感器电极的大小、形状或布置。然后，分析电路1535可合计部分像素的加权/未加权测量结果，以便产生分割像素的电容耦合的估计。
分析电路1535还可执行其它功能。例如，分析电路1535可编译来自从分段式传感器模式的多段所接收的不同像素响应的帧图像。
处理系统1510还可包括编码组件1545。当包含在处理系统1510中时，编码组件1545进行操作以对采用传感器模式的多个发射器电极的至少两个发射器电极被并发地传送的发射器信号唯一地编码。以上描述了可通过编码组件1545来实现的编码的若干示例。这种编码能够帮助区分因发射器信号的并发传输而引起的混合在相同的结果信号中的所接收响应。
电容感测的示例方法
图16A和图16B示出按照各个实施例、采用电容感测装置的电容感测的示例方法的流程图1600。电容感测装置包括由欧姆接缝所分段的多个发射器电极以及由欧姆接缝所分段的多个接收器电极。为了说明的目的，将参照图6的传感器模式600；但是，要理解，流程图1600的方法中所述的过程可使用其它传感器模式来实现，包括本文所述的其它传感器模式及其等效物。例如，流程图1600还适用于具有更多或更少发射器或接收器接缝、具有更多或更小段、具有分割像素等的传感器模式。另外，为了说明的目的，将参照图1和处理系统110和图15的处理系统1510；但是，要理解，在其它实现中，另一个组件(例如主计算)可实现流程图1600所示的部分或全部过程。在一些实施例中，并非实现流程图1600中所述的全部过程。在一些实施例中，还可实现除了所述之外的其它过程。在一些实施例中，流程图1600中所述的过程可按照与所示和/或所述的不同顺序来实现。
在流程图1600的1610，在一个实施例中，第一发射器信号采用多个发射器电极的第一发射器电极来传送。第一发射器电极设置在欧姆接缝的第一侧。参照图6，在操作具有传感器模式600的实施例的一种方法中，这包括采用段1-4之一中的传感器电极(例如TX1，1)来传送第一发射器信号。
在流程图1620的1610，在一个实施例中，第二发射器信号采用多个发射器电极的第二发射器电极来传送。第二发射器电极由于第一发射器电极设置在欧姆接缝的第二侧。又参照图6，在操作具有传感器模式600的实施例的一种方法中，这包括采用可由欧姆接缝605或欧姆接缝615所分离的段1-4的另一个中的发射器电极进行传送。
在一个实施例中，1610和1620的欧姆接缝是发射器接缝，以及第二发射器电极设置成与第一发射器电极相对(例如TX2，1跨发射器接缝605与TX1，1相对)。在一个这种实施例中，采用第二发射器电极来传送第二发射器信号可以包括：在第二时间周期期间采用第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二时间周期与第一时间周期至少部分重叠，其中在所述第一时间周期期间采用第一发射器电极来传送第一发射器信号。在各个实施例中，这种重叠可以是部分或完全的。
在一个实施例中，1610和1620的欧姆接缝是接收器接缝，并且第二接收器电极由于第一接收器电极按照非相邻方式来设置(例如TX3，2设置在接收器接缝615中与TX1，1不同的一侧，并且与TX1，1不相邻)。在一个这种实施例中，采用第二发射器电极来传送第二发射器信号可以包括：在第二时间周期期间采用第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二时间周期与第一时间周期至少部分重叠，其中在所述第一时间周期期间采用第一发射器电极来传送第一发射器信号。在各个实施例中，这种重叠可以是部分或完全的。
在一个实施例中，1610和1620的欧姆接缝是接收器接缝，并且第二接收器电极按照与第一接收器电极的相邻方式来设置(例如TX3，1设置在接收器接缝615中与TX1，1不同的一侧，并且还与TX1，1相邻)。在一个这种实施例中，采用第二发射器电极来传送第二发射器信号可以包括：在第二时间周期期间采用第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二时间周期与第一时间周期至少部分不重叠，其中在所述第一时间周期期间采用第一发射器电极来传送第一发射器信号。这种非重叠可以是部分的，或者是完全重叠。
在一个实施例中，在流程图1600的1630，与第一发射器信号对应的第一响应采用多个接收器电极的第一接收器电极来接收，其中第一接收器电极设置在欧姆接缝的第一侧。继续参照图6的示例，这能够包括采用与第一发射器电极相同的段中的任何接收器电极来接收。
在一个实施例中，在流程图1600的1640，与第二发射器信号对应的第二响应采用多个接收器电极的第二接收器电极来接收，其中第二接收器电极设置在欧姆接缝的第二侧。继续参照图6的示例，这能够包括采用与第二发射器电极相同的段中的任何接收器电极来接收。
在一个实施例中，在流程图1600的1650，方法还包括：以在空间上相对于欧姆接缝(可能是接收器接缝)移动的序列传送发射器信号。该序列能够是远离欧姆接缝移动的第一序列或者朝着欧姆接缝移动的第二序列。本文中已经描述了各种这类序列。
在流程图1600的1660，第三发射器电极设置在欧姆接缝的第一侧，并且流程图1600的方法还包括与采用第一发射器电极传送第一发射器信号并发地采用第三发射器电极传送第三发射器信号。进行这种传输以使得第一接收器电极接收组合第一响应和对应于第三发射器信号的第三响应的结果信号。第一发射器信号和第三发射器信号可按照本文已经描述的方式或者其等效物的任一种唯一地编码。
在流程图1600的1670，与第一响应和第三响应关联的独立结果使用结果信号来确定。在一些实施例中，诸如处理系统1510的分析电路1535(参见图15)之类的分析电路能够通过利用第一和第二发射器信号的唯一编码来解码，并且因而从组合的结果信号来确定独立结果。
因此，呈现本文中提出的实施例和示例，以便最好地说明本发明及其特定应用，并且由此使本领域的技术人员能够进行和使用本发明。但是，本领域的技术人员会知道，上述说明和示例只是为了说明和举例而被呈现。所提出的描述不是意在无遗漏的或者将本发明局限于所公开的精确形式。
优选地包括本文所述的所有元件、部分和步骤。要理解，这些元件、部分和步骤的任一个可由其它元件、部分和步骤来替代或者完全删除，这将是本领域的技术人员显而易见的。
广义来说，本文公开了具有将多个发射器电极分段以及还将多个接收器电极分段的欧姆接缝的跨电容感测装置。处理系统在通信上与发射器电极和接收器电极耦合，并且配置成：采用设置在欧姆接缝的第一侧的第一发射器电极来传送第一发射器信号；采用设置在欧姆接缝的第二侧的第二发射器电极来传送第二发射器信号；采用设置在欧姆接缝的第一侧的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应；以及采用设置在欧姆接缝的第二侧的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应。
概念
本文至少公开了下列概念。
概念1.一种具有欧姆接缝的跨电容感测装置，所述跨电容感测装置包括：
多个发射器电极，其中，所述多个发射器电极由所述欧姆接缝来分段；
多个接收器电极，其中，所述多个接收器电极由所述欧姆接缝来分段；以及
处理系统，通信上与所述多个发射器电极和所述多个接收器电极耦合，所述处理系统配置成：
采用所述多个发射器电极的第一发射器电极来传送第一发射器信号，其中所述第一发射器电极设置在所述欧姆接缝的第一侧；
采用所述多个发射器电极的第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二发射器电极设置在所述欧姆接缝的第二侧；
采用所述多个接收器电极的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应，其中所述第一接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧；以及
采用所述多个接收器电极的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应，其中所述第二接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第二侧。
概念2.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
第一接收器电路，配置成提供与所述第一响应成比例的第一值；
第二接收器电路，配置成提供与所述第二响应成比例的第二值；以及
存储器，配置成用于存储校准信息，所述校准信息配置成用于调整所述第一值，以便产生第一调整值，其中所述第一调整值与所述第一响应的第一比例大致等于所述第二值或经过调整的第二值与所述第二响应的第二比例。
概念3.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
第一接收器电路，设置在第一集成电路中，所述第一接收器电路配置成用于从所述第一接收器电极接收所述第一响应；
第二接收器电路，设置在第二集成电路中，所述第二接收器电路配置成用于从所述第二接收器电极接收所述第二响应，其中所述第二集成电路在物理上与所述第一集成电路分离；以及
分析电路，配置成接收基于来自所述第一接收器电路的所述第一响应的信息以及基于来自所述第二接收器电路的所述第二响应的信息。
概念4.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
编码组件，配置成用于对采用所述多个发射器电极的至少两个并发地传送的发射器信号唯一地编码。
概念5.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统还配置成：
在非传送周期期间暂停采用所述多个发射器电极的传输。
概念6.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，并且其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，以及其中所述第一发射器电极设置成与所述第二发射器电极相邻。
概念7.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，并且其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，以及其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相邻。
概念8.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，以及其中所述处理系统配置成：
并发地采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号以及采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号。
概念9.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极不相邻，以及其中所述处理系统配置成：
并发地采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号以及采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号。
概念10.如概念1所述的跨电容感测装置，其中，所述多个发射器电极还由第二欧姆接缝来分段，并且其中所述多个接收器电极还由所述第二欧姆接缝来分段。
概念11.如概念10所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是第一接收器接缝，并且其中所述第二欧姆接缝是第二接收器接缝。
概念12.如概念10所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，并且其中所述第二欧姆接缝是接收器接缝。
概念13.一种采用包括由欧姆接缝所分段的多个发射器电极以及由所述欧姆接缝所分段的多个接收器电极的电容感测装置的电容感测的方法，所述方法包括：
采用所述多个发射器电极的第一发射器电极来传送第一发射器信号，其中所述第一发射器电极设置在所述欧姆接缝的第一侧；
采用所述多个发射器电极的第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二发射器电极设置在所述欧姆接缝的第二侧；
采用所述多个接收器电极的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应，其中所述第一接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧；以及
采用所述多个接收器电极的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应，其中所述第二接收器电极在所述欧姆接缝的所述第二侧。
概念14.如概念13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述多个发射器电极的第三发射器电极设置在所述第一侧并且比所述第一发射器电极离所述接收器接缝更远，以及其中所述多个发射器电极的第四发射器电极设置在所述第二侧并且比所述第二发射器电极离所述接收器接缝更远，所述方法还包括：
以空间上相对于所述接收器接缝移动的序列传送发射器信号，其中所述序列从由下列项所组成的组中选取：远离所述接收器接缝移动的第一序列，以及朝着所述接收器接缝移动的第二序列；
其中所述第一序列对应于：
在采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号之后，采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号；以及
在采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号之后，采用所述第四发射器电极来传送第四发射器信号；以及
其中所述第二序列对应于：
在采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号之前，采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号；以及
在采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号之前，采用所述第四发射器电极来传送第四发射器信号。
概念15.如概念13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
概念16.如概念13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极不相邻，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
概念17.如概念13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相邻，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地不与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
概念18.如概念13所述的方法，其中，第三发射器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧，所述方法还包括：
与采用所述第一发射器电极来传送第一发射器信号并发地采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号，使得所述第一接收器电极接收组合所述第一响应以及与所述第三发射器信号对应的第三响应的结果信号；以及
使用所述结果信号来确定与所述第一响应和所述第三响应关联的独立结果。
概念19.一种跨电容传感器电极布置，包括：
多个发射器电极，沿第一方向对齐并且由欧姆接缝来分段；以及
多个接收器电极，沿与所述第一方向不平行的第二方向对齐，并且由所述欧姆接缝来分段，其中所述多个发射器电极和所述多个接收器电极形成与所述欧姆接缝重合的多个分割像素。
概念20.如概念19所述的跨电容传感器电极布置，其中，所述欧姆接缝是重叠所述多个发射器电极的第一发射器电极的接收器接缝，并且其中所述多个分割像素的每个由所述第一发射器电极和所述多个接收器电极的至少两个接收器电极来形成。
概念21.如概念19所述的跨电容传感器电极布置，其中，所述欧姆接缝是重叠所述多个接收器电极的第一接收器电极的发射器接缝，并且其中所述多个分割像素的每个由所述第一接收器电极和所述多个发射器电极的至少两个发射器电极来形成。
概念22.一种处理系统，配置成用于操作电容感测装置，所述处理系统包括：
发射器电路，配置成采用所述电容感测装置的多个发射器电极进行传送，所述多个发射器电极沿第一轴设置并且由欧姆接缝来分段；
接收器电路，配置成采用所述电容感测装置的多个接收器电极进行接收，所述多个接收器电极沿与所述第一轴不平行的第二轴设置并且由所述欧姆接缝来分段，其中所述多个发射器电极和所述多个接收器电极形成与所述欧姆接缝重合的多个分割像素；以及
分析电路，配置成估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量。
概念23.如概念22所述的处理系统，其中，所述分析电路配置成通过下列步骤来估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量：
对于所述多个分割像素的每个分割像素，组合使用所述多个接收器电极所得到的关联部分像素测量结果。
概念24.如概念22所述的处理系统，其中，所述分析电路配置成通过下列步骤来估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量：
基于与所述至少一个部分像素关联的信号放大量来将加权应用于所述多个分割像素的至少一个部分像素。

Claims (24)

1.一种具有欧姆接缝的跨电容感测装置，所述跨电容感测装置包括：
多个发射器电极，其中，所述多个发射器电极由所述欧姆接缝来分段；
多个接收器电极，其中，所述多个接收器电极由所述欧姆接缝来分段；以及
处理系统，通信上与所述多个发射器电极和所述多个接收器电极耦合，所述处理系统配置成：
采用所述多个发射器电极的第一发射器电极来传送第一发射器信号，其中所述第一发射器电极设置在所述欧姆接缝的第一侧；
采用所述多个发射器电极的第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二发射器电极设置在所述欧姆接缝的第二侧；
采用所述多个接收器电极的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应，其中所述第一接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧；以及
采用所述多个接收器电极的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应，其中所述第二接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第二侧；
其中，所述欧姆接缝提供分段的发射器电极和分段的接收器电极之间的欧姆性断开，并且基本上垂直于所述分段的发射器电极和所述分段的接收器电极的至少一个的对齐轴；
其中，所述第一发射器电极和所述第一接收器电极彼此交叉，并且所述第二发射器电极和所述第二接收器电极彼此交叉。
2.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
第一接收器电路，配置成提供与所述第一响应成比例的第一值；
第二接收器电路，配置成提供与所述第二响应成比例的第二值；以及
存储器，配置成用于存储校准信息，所述校准信息配置成用于调整所述第一值，以便产生第一调整值，其中所述第一调整值与所述第一响应的第一比例大致等于所述第二值或经过调整的第二值与所述第二响应的第二比例。
3.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
第一接收器电路，设置在第一集成电路中，所述第一接收器电路配置成用于从所述第一接收器电极接收所述第一响应；
第二接收器电路，设置在第二集成电路中，所述第二接收器电路配置成用于从所述第二接收器电极接收所述第二响应，其中所述第二集成电路在物理上与所述第一集成电路分离；以及
分析电路，配置成接收基于来自所述第一接收器电路的所述第一响应的信息以及基于来自所述第二接收器电路的所述第二响应的信息。
4.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统包括：
编码组件，配置成用于对采用所述多个发射器电极的至少两个并发地传送的发射器信号唯一地编码。
5.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述处理系统还配置成：
在非传送周期期间暂停采用所述多个发射器电极的传输。
6.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，并且其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，以及其中所述第一发射器电极设置成与所述第二发射器电极相邻。
7.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，并且其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，以及其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相邻。
8.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，以及其中所述处理系统配置成：
并发地采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号以及采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号。
9.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极不相邻，以及其中所述处理系统配置成：
并发地采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号以及采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号。
10.如权利要求1所述的跨电容感测装置，其中，所述多个发射器电极还由第二欧姆接缝来分段，并且其中所述多个接收器电极还由所述第二欧姆接缝来分段。
11.如权利要求10所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是第一接收器接缝，并且其中所述第二欧姆接缝是第二接收器接缝。
12.如权利要求10所述的跨电容感测装置，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，并且其中所述第二欧姆接缝是接收器接缝。
13.一种采用包括由欧姆接缝所分段的多个发射器电极以及由所述欧姆接缝所分段的多个接收器电极的电容感测装置的电容感测的方法，所述方法包括：
采用所述多个发射器电极的第一发射器电极来传送第一发射器信号，其中所述第一发射器电极设置在所述欧姆接缝的第一侧；
采用所述多个发射器电极的第二发射器电极来传送第二发射器信号，其中所述第二发射器电极设置在所述欧姆接缝的第二侧；
采用所述多个接收器电极的第一接收器电极来接收与所述第一发射器信号对应的第一响应，其中所述第一接收器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧；以及
采用所述多个接收器电极的第二接收器电极来接收与所述第二发射器信号对应的第二响应，其中所述第二接收器电极在所述欧姆接缝的所述第二侧；
其中，所述欧姆接缝提供分段的发射器电极和分段的接收器电极之间的欧姆性断开，并且基本上垂直于所述分段的发射器电极和所述分段的接收器电极的至少一个的对齐轴；
其中，所述第一发射器电极和所述第一接收器电极彼此交叉，并且所述第二发射器电极和所述第二接收器电极彼此交叉。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述多个发射器电极的第三发射器电极设置在所述第一侧并且比所述第一发射器电极离所述接收器接缝更远，以及其中所述多个发射器电极的第四发射器电极设置在所述第二侧并且比所述第二发射器电极离所述接收器接缝更远，所述方法还包括：
以空间上相对于所述接收器接缝移动的序列传送发射器信号，其中所述序列从由下列项所组成的组中选取：远离所述接收器接缝移动的第一序列，以及朝着所述接收器接缝移动的第二序列；
其中所述第一序列对应于：
在采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号之后，采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号；以及
在采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号之后，采用所述第四发射器电极来传送第四发射器信号；以及
其中所述第二序列对应于：
在采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号之前，采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号；以及
在采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号之前，采用所述第四发射器电极来传送第四发射器信号。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是发射器接缝，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相对，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极不相邻，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述欧姆接缝是接收器接缝，其中所述第二接收器电极设置成与所述第一接收器电极相对，其中所述第二发射器电极设置成与所述第一发射器电极相邻，并且其中采用第二发射器电极来传送所述第二发射器信号包括：
在第二时间周期期间采用所述第二发射器电极来传送所述第二发射器信号，其中所述第二时间周期至少部分地不与第一时间周期重叠，在所述第一时间周期期间采用所述第一发射器电极来传送所述第一发射器信号。
18.如权利要求13所述的方法，其中，第三发射器电极设置在所述欧姆接缝的所述第一侧，所述方法还包括：
与采用所述第一发射器电极来传送第一发射器信号并发地采用所述第三发射器电极来传送第三发射器信号，使得所述第一接收器电极接收组合所述第一响应以及与所述第三发射器信号对应的第三响应的结果信号；以及
使用所述结果信号来确定与所述第一响应和所述第三响应关联的独立结果。
19.一种跨电容传感器，包括：
多个发射器电极，沿第一方向对齐并且由欧姆接缝来分段；以及
多个接收器电极，沿与所述第一方向不平行的第二方向对齐，并且由所述欧姆接缝来分段，其中所述多个发射器电极和所述多个接收器电极形成与所述欧姆接缝重合的多个分割像素；
其中，所述欧姆接缝提供分段的发射器电极和分段的接收器电极之间的欧姆性断开，并且基本上垂直于所述分段的发射器电极和所述分段的接收器电极的至少一个的对齐轴。
20.如权利要求19所述的跨电容传感器，其中，所述欧姆接缝是重叠所述多个发射器电极的第一发射器电极的接收器接缝，并且其中所述多个分割像素的每个由所述第一发射器电极和所述多个接收器电极的至少两个接收器电极来形成。
21.如权利要求19所述的跨电容传感器，其中，所述欧姆接缝是重叠所述多个接收器电极的第一接收器电极的发射器接缝，并且其中所述多个分割像素的每个由所述第一接收器电极和所述多个发射器电极的至少两个发射器电极来形成。
22.一种处理系统，配置成用于操作电容感测装置，所述处理系统包括：
发射器电路，配置成采用所述电容感测装置的多个发射器电极进行传送，所述多个发射器电极沿第一轴设置并且由欧姆接缝来分段；
接收器电路，配置成采用所述电容感测装置的多个接收器电极进行接收，所述多个接收器电极沿与所述第一轴不平行的第二轴设置并且由所述欧姆接缝来分段，其中所述多个发射器电极和所述多个接收器电极形成与所述欧姆接缝重合的多个分割像素；以及
分析电路，配置成估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量；
其中，所述欧姆接缝提供分段的发射器电极和分段的接收器电极之间的欧姆性断开，并且基本上垂直于所述分段的发射器电极和所述分段的接收器电极的至少一个的对齐轴。
23.如权利要求22所述的处理系统，其中，所述分析电路配置成通过下列步骤来估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量：
对于所述多个分割像素的每个分割像素，组合使用所述多个接收器电极所得到的关联部分像素测量结果。
24.如权利要求22所述的处理系统，其中，所述分析电路配置成通过下列步骤来估计与所述多个分割像素的每个分割像素关联的电容耦合量：
基于与至少一个部分像素关联的信号放大量来将加权应用于所述多个分割像素的所述至少一个部分像素。
CN201080059384.4A 2009-12-18 2010-12-16 具有欧姆接缝的跨电容传感器装置 Active CN102667692B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28812409P 2009-12-18 2009-12-18
US61/288124 2009-12-18
PCT/US2010/060896 WO2011075608A2 (en) 2009-12-18 2010-12-16 Transcapacitive sensor devices with ohmic seams

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102667692A CN102667692A (zh) 2012-09-12
CN102667692B true CN102667692B (zh) 2016-09-07

Family

ID=44150131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080059384.4A Active CN102667692B (zh) 2009-12-18 2010-12-16 具有欧姆接缝的跨电容传感器装置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US8638107B2 (zh)
EP (1) EP2513763A4 (zh)
JP (1) JP5738889B2 (zh)
KR (1) KR101749366B1 (zh)
CN (1) CN102667692B (zh)
WO (1) WO2011075608A2 (zh)

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8638107B2 (en) 2009-12-18 2014-01-28 Synaptics Incorporated Transcapacitive sensor devices with ohmic seams
US9891757B2 (en) * 2009-12-21 2018-02-13 Synaptics Incorporated Elastive sensing
US8810543B1 (en) 2010-05-14 2014-08-19 Cypress Semiconductor Corporation All points addressable touch sensing surface
US10268320B2 (en) * 2010-08-06 2019-04-23 Apple Inc. Method for disambiguating multiple touches on a projection-scan touch sensor panel
US8970541B2 (en) * 2010-11-24 2015-03-03 Innolux Corporation Sensing devices
DE102011003734B3 (de) * 2011-02-07 2012-06-14 Ident Technology Ag Elektrodenkonfiguration für eine kapazitive Sensoreinrichtung sowie kapazitive Sensoreinrichtung zur Annäherungsdetektion
US9727176B2 (en) * 2011-06-21 2017-08-08 Synaptics Incorporated Capacitive sensor pattern
US9052782B2 (en) * 2011-07-29 2015-06-09 Synaptics Incorporated Systems and methods for voltage gradient sensor devices
US9612265B1 (en) 2011-09-23 2017-04-04 Cypress Semiconductor Corporation Methods and apparatus to detect a conductive object
DE102011083336A1 (de) * 2011-09-23 2013-03-28 Ident Technology Ag Elektrodenkonfiguration zur Positionserfassung sowie Verfahren zur Positionserfassung
US9733706B2 (en) * 2011-10-26 2017-08-15 Nokia Technologies Oy Apparatus and associated methods for touchscreen displays
US9195350B2 (en) 2011-10-26 2015-11-24 Nokia Technologies Oy Apparatus and associated methods
US9495010B2 (en) 2011-10-26 2016-11-15 Nokia Technologies Oy Apparatus and associated methods
TWI451304B (zh) * 2011-11-04 2014-09-01 Innolux Corp 觸控裝置及其驅動方法
US9720534B2 (en) * 2011-12-22 2017-08-01 Shenzhen Huiding Technology Co., Ltd. Capacitive touch sensor partially integrated with LCD display
KR20140141696A (ko) * 2012-03-30 2014-12-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치스크린, 터치스크린의 구동 방법 및 터치스크린 모듈
KR101374018B1 (ko) * 2012-04-24 2014-03-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 구동 장치 및 방법
KR101401254B1 (ko) * 2012-05-18 2014-05-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 구동 방법
US9151790B1 (en) * 2012-06-21 2015-10-06 Parade Technologies, Ltd. Sensor pattern with inactive electrodes in transmit (TX) layer for mutual capacitance
US8970546B2 (en) * 2012-08-31 2015-03-03 Synaptics Incorporated Method and apparatus for improved input sensing using a display processor reference signal
US9772722B2 (en) 2012-10-22 2017-09-26 Parade Technologies, Ltd. Position sensing methods and devices with dynamic gain for edge positioning
US20140225859A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Broadcom Corporation Mutual capacitive touch sensor pattern
US9019224B2 (en) * 2013-03-15 2015-04-28 Tactual Labs Co. Low-latency touch sensitive device
JP2014186535A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Japan Display Inc タッチセンサ装置、表示装置、及び電子機器
US10955973B2 (en) * 2013-04-16 2021-03-23 Atmel Corporation Differential sensing for touch sensors
CN104281293B (zh) * 2013-07-02 2017-07-18 晶宏半导体股份有限公司 改进的触控屏幕的电极结构
US9696858B2 (en) * 2013-07-08 2017-07-04 Synaptics Incorporated Display device having an integrated sensing device with improved proximity sensing
JP2015043200A (ja) * 2013-07-22 2015-03-05 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出装置、タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器
US8872526B1 (en) 2013-09-10 2014-10-28 Cypress Semiconductor Corporation Interleaving sense elements of a capacitive-sense array
US9495050B1 (en) 2013-09-10 2016-11-15 Monterey Research, Llc Sensor pattern with signal-spreading electrodes
TWI526893B (zh) * 2013-11-05 2016-03-21 群創光電股份有限公司 觸控顯示裝置
KR102114488B1 (ko) * 2013-11-05 2020-05-25 엘지디스플레이 주식회사 터치센싱시스템 및 표시장치
US9164137B2 (en) * 2013-12-05 2015-10-20 Parade Technologies, Ltd. Tunable baseline compensation scheme for touchscreen controllers
KR102112528B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 구동방법
US9690397B2 (en) * 2014-05-20 2017-06-27 Synaptics Incorporated System and method for detecting an active pen with a matrix sensor
US9552117B2 (en) * 2014-06-20 2017-01-24 Qualcomm Incorporated Capacitive touch panel with increased scan frequency using dynamic phase compensation
JP6533536B2 (ja) * 2014-06-26 2019-06-19 マイクロチップ テクノロジー インコーポレイテッドＭｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 容量感知システム内のフィードラインへの標的物体の結合の補償
DE102014218535A1 (de) * 2014-09-16 2016-03-17 Robert Bosch Gmbh Kapazitiver Sensor
JP6451026B2 (ja) * 2014-09-30 2019-01-16 トッパン・フォームズ株式会社 タッチパネル用電極およびタッチパネル
TWI539355B (zh) * 2014-10-28 2016-06-21 群創光電股份有限公司 觸控顯示裝置及其觸控顯示偵測方法
JP6765807B2 (ja) * 2015-01-05 2020-10-07 シナプティクス インコーポレイテッド 容量性感知を行うための基準電圧の変調
US10990148B2 (en) 2015-01-05 2021-04-27 Synaptics Incorporated Central receiver for performing capacitive sensing
US9740326B2 (en) 2015-03-31 2017-08-22 Synaptics Incorporated Sensor array with split-drive differential sensing
US9817506B2 (en) * 2015-03-31 2017-11-14 Synaptics Incorporated Sensor array configurations for differential readout
US9823794B2 (en) 2015-03-31 2017-11-21 Synaptics Incorporated Differential readout for sensor array
US10108292B2 (en) * 2015-04-22 2018-10-23 Microchip Technology Incorporated Capacitive sensor system with multiple transmit electrodes
US10353516B2 (en) 2015-04-24 2019-07-16 Apple Inc. Merged floating pixels in a touch screen
US20160370912A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Microsoft Technology Licensing, Llc Multiple matrix differential touch sense
US20170003776A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Synaptics Incorporated Dynamic estimation of ground condition in a capacitive sensing device
US9791985B2 (en) 2015-07-20 2017-10-17 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Cross hatch ITO sensor pattern for touchscreens
CN105353931B (zh) * 2015-11-24 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 触摸屏及其制作方法、显示器件
US10042467B2 (en) * 2016-01-29 2018-08-07 Synaptics Incorporated Integrated capacitive fingerprint sensor
US10572707B2 (en) 2016-02-09 2020-02-25 Synaptics Incorporated Transparent fingerprint sensor pattern
US10540043B2 (en) * 2016-03-02 2020-01-21 Synaptics Incorporated Hybrid in-cell sensor topology
JP6695711B2 (ja) 2016-03-10 2020-05-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法
US10088942B2 (en) 2016-03-31 2018-10-02 Synaptics Incorporated Per-finger force detection using segmented sensor electrodes
US10809842B2 (en) 2016-05-26 2020-10-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Active touch input device pairing negotiation
EP3465390A4 (en) * 2016-05-27 2019-12-25 Tanvas, Inc. HAPTICAL TOUCH SCREEN AND METHOD FOR OPERATING IT
KR102382042B1 (ko) 2016-06-21 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 터치 센싱 유닛 및 이를 포함하는 전자 장치
US20170371487A1 (en) * 2016-06-28 2017-12-28 Tactual Labs Co. Frame-phase synchronization in frequency division modulated touch systems
US10282189B2 (en) * 2016-06-30 2019-05-07 Synaptics Incorporated Updating program code stored in an external non-volatile memory
FR3054051B1 (fr) * 2016-07-13 2018-07-13 Thales Surface tactile matricielle de grandes dimensions comportant une electronique a double injection des lignes ou des colonnes
CN106227387B (zh) * 2016-07-29 2019-01-25 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置
US10430633B2 (en) * 2017-01-13 2019-10-01 Synaptics Incorporated Pixel architecture and driving scheme for biometric sensing
CN107496053A (zh) * 2017-08-11 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 电子皮肤、制作方法和驱动方法
US10466848B2 (en) * 2017-08-28 2019-11-05 Synaptics Incorporated CDM excitation on full in-cell matrix sensor array with reduced background capacitance
US10530363B2 (en) * 2017-08-31 2020-01-07 Synaptics Incorporated Interference monitoring with transmitter electrodes
KR102378750B1 (ko) * 2017-09-27 2022-03-28 현대자동차주식회사 입력 장치 및 그 제어 방법
KR102528589B1 (ko) * 2018-04-18 2023-05-04 주식회사 엘엑스세미콘 터치센싱장치
US10983553B2 (en) 2018-08-24 2021-04-20 Synaptics Incorporated System and method for synchronizing sensing signals of integrated circuit chips
KR20200034388A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 엘지전자 주식회사 이동 단말기
KR102256700B1 (ko) * 2019-03-26 2021-05-27 주식회사 하이딥 터치센서패널
CN113994302A (zh) * 2019-06-28 2022-01-28 松下知识产权经营株式会社 输入装置
US10908750B1 (en) * 2019-11-26 2021-02-02 Synaptics Incorporated Minimizing latency for resonant input object detection and classification
CN115698650A (zh) 2020-06-02 2023-02-03 微芯片技术股份有限公司 利用差分值指示的电容感测
KR20220004895A (ko) 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
US11656261B2 (en) * 2021-07-27 2023-05-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrostatic detections

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525546B1 (en) * 1998-12-18 2003-02-25 Biao Zhao Capacitive displacement sensor
CN101553711A (zh) * 2006-06-20 2009-10-07 量研科技股份有限公司 电容性位置传感器

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9201949D0 (en) 1992-01-30 1992-03-18 Jenkin Michael Large-scale,touch-sensitive video display
US5534892A (en) 1992-05-20 1996-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display-integrated type tablet device having and idle time in one display image frame to detect coordinates and having different electrode densities
DE69324067T2 (de) 1992-06-08 1999-07-15 Synaptics Inc Objekt-Positionsdetektor
TW274598B (en) 1994-11-15 1996-04-21 Alps Electric Co Ltd Coordinate input device for pen of finger tip
US7653883B2 (en) 2004-07-30 2010-01-26 Apple Inc. Proximity detector in handheld device
US7737953B2 (en) * 2004-08-19 2010-06-15 Synaptics Incorporated Capacitive sensing apparatus having varying depth sensing elements
US20060227115A1 (en) 2005-03-31 2006-10-12 Tyco Electronic Corporation Method and apparatus for touch sensor with interference rejection
US8487910B2 (en) 2005-05-02 2013-07-16 Smart Technologies Ulc Large scale touch system and methods for interacting with same
US7777501B2 (en) * 2005-06-03 2010-08-17 Synaptics Incorporated Methods and systems for sigma delta capacitance measuring using shared component
JP5395429B2 (ja) * 2005-06-03 2014-01-22 シナプティクス インコーポレイテッド シグマデルタ測定法を使用してキャパシタンスを検出するための方法およびシステム
US7902842B2 (en) * 2005-06-03 2011-03-08 Synaptics Incorporated Methods and systems for switched charge transfer capacitance measuring using shared components
US7924029B2 (en) * 2005-12-22 2011-04-12 Synaptics Incorporated Half-bridge for capacitive sensing
US7218124B1 (en) * 2006-01-30 2007-05-15 Synaptics Incorporated Capacitive sensing apparatus designs
KR100746874B1 (ko) 2006-03-16 2007-08-07 삼성전자주식회사 이동 단말기에서 터치패드를 이용한 서비스 제공 장치 및방법
WO2007127758A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Displaytech, Inc Spatial light modulators with changeable phase masks for use in holographic data storage
US8243027B2 (en) * 2006-06-09 2012-08-14 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US8482530B2 (en) 2006-11-13 2013-07-09 Apple Inc. Method of capacitively sensing finger position
TWI336805B (en) * 2006-12-07 2011-02-01 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display device and driving method thereof
US7973771B2 (en) * 2007-04-12 2011-07-05 3M Innovative Properties Company Touch sensor with electrode array
US7848825B2 (en) 2007-01-03 2010-12-07 Apple Inc. Master/slave mode for sensor processing devices
JP5024989B2 (ja) 2007-01-23 2012-09-12 株式会社東芝 ２次元アレイ超音波プローブ及び超音波診断システム
KR100885730B1 (ko) 2007-03-05 2009-02-26 (주)멜파스 단순한 적층 구조를 갖는 접촉위치 감지 패널
TWI444876B (zh) * 2007-04-05 2014-07-11 Qrg Ltd 二維位置感應器
JP4967780B2 (ja) * 2007-04-20 2012-07-04 セイコーエプソン株式会社 座標入力装置及び表示装置
US7446694B1 (en) 2007-05-30 2008-11-04 Motorola, Inc. System for synchronization of multi-sensor data
US7920134B2 (en) 2007-06-13 2011-04-05 Apple Inc. Periodic sensor autocalibration and emulation by varying stimulus level
JP2009009249A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Nissha Printing Co Ltd 静電容量式タッチパネル及びこれを用いた２方式併用タッチパネル
US7583092B2 (en) 2007-07-30 2009-09-01 Synaptics Incorporated Capacitive sensing apparatus that uses a combined guard and sensing electrode
JP2009111497A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Olympus Corp 信号処理装置及び信号処理方法
US7880481B2 (en) * 2007-12-19 2011-02-01 Infineon Technologies Ag Capacitive sensor and measurement system
EP2075678A3 (en) * 2007-12-27 2013-03-13 TPO Displays Corp. Position sensing display
US8265688B2 (en) 2007-12-31 2012-09-11 Motorola Mobility Llc Wireless communication device and split touch sensitive user input surface
ES2880704T3 (es) * 2008-03-31 2021-11-25 Ericsson Telefon Ab L M Métodos y disposiciones en un sistema de telecomunicaciones
KR101080183B1 (ko) * 2008-04-04 2011-11-07 (주)멜파스 가장자리 위치 인식 특성이 개선된 접촉 감지 장치
US8519965B2 (en) 2008-04-23 2013-08-27 Motorola Mobility Llc Multi-touch detection panel with disambiguation of touch coordinates
JP2010058980A (ja) * 2008-08-05 2010-03-18 Canon Inc シート排出装置、及びそれを備えた画像形成装置
KR101080181B1 (ko) 2008-08-14 2011-11-07 (주)멜파스 양방향 인접 전극을 포함하는 접촉 감지 패널, 및 접촉 감지 장치
KR101002308B1 (ko) * 2008-09-12 2010-12-17 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8482545B2 (en) 2008-10-02 2013-07-09 Wacom Co., Ltd. Combination touch and transducer input system and method
CN101393502B (zh) * 2008-10-31 2012-03-07 敦泰科技有限公司 互电容式触摸屏及组合式互电容触摸屏
US8331992B2 (en) 2008-12-19 2012-12-11 Verizon Patent And Licensing Inc. Interactive locked state mobile communication device
KR101534109B1 (ko) 2008-12-23 2015-07-07 삼성전자주식회사 정전용량형 터치 패널 및 이를 포함하는 정전용량형 터치 시스템
US8314779B2 (en) 2009-02-23 2012-11-20 Solomon Systech Limited Method and apparatus for operating a touch panel
US9459734B2 (en) * 2009-04-06 2016-10-04 Synaptics Incorporated Input device with deflectable electrode
US9495042B2 (en) * 2009-04-14 2016-11-15 Atmel Corporation Two-dimensional position sensor
US8358285B2 (en) 2009-05-06 2013-01-22 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for scanning a touchscreen with multi-touch detection using master/slave devices
WO2010132607A2 (en) 2009-05-13 2010-11-18 Synaptics Incorporated Capacitive sensor device
US8279194B2 (en) * 2009-05-22 2012-10-02 Elo Touch Solutions, Inc. Electrode configurations for projected capacitive touch screen
JP5252454B2 (ja) 2009-06-30 2013-07-31 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 接触検出装置、および、タッチセンサ機能を有する表示装置
WO2011001561A1 (ja) * 2009-06-30 2011-01-06 シャープ株式会社 タッチパネル装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法
US8669640B2 (en) * 2009-07-14 2014-03-11 Freescale Semiconductor, Inc. Bipolar transistor
US8237453B2 (en) 2009-07-24 2012-08-07 Synaptics Incorporated Capacitive sensing pattern
US9836167B2 (en) * 2009-08-03 2017-12-05 Atmel Corporation Electrode layout for touch screens
US8415958B2 (en) * 2009-09-11 2013-04-09 Synaptics Incorporated Single layer capacitive image sensing
US8564552B2 (en) * 2009-10-26 2013-10-22 Atmel Corporation Touchscreen electrode arrangement with varied proportionate density
US9372579B2 (en) * 2009-10-27 2016-06-21 Atmel Corporation Touchscreen electrode arrangement
US8970509B2 (en) 2009-12-09 2015-03-03 Lg Display Co., Ltd. Touch panel and liquid crystal display device including the same
KR101309862B1 (ko) 2009-12-10 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 액정 표시 장치
KR101351413B1 (ko) 2009-12-11 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이를 적용한 터치 패널 일체형 액정 표시 장치
US8638107B2 (en) 2009-12-18 2014-01-28 Synaptics Incorporated Transcapacitive sensor devices with ohmic seams
US20110148436A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Synaptics Incorporated System and method for determining a number of objects in a capacitive sensing region using signal grouping
US9805692B2 (en) * 2010-02-26 2017-10-31 Synaptics Incorporated Varying demodulation to avoid interference
US8458788B2 (en) * 2010-05-04 2013-06-04 Synaptics Incorporated System and method for authentication of input devices
US10268320B2 (en) 2010-08-06 2019-04-23 Apple Inc. Method for disambiguating multiple touches on a projection-scan touch sensor panel
US9013441B2 (en) * 2010-08-24 2015-04-21 Cypress Semiconductor Corporation Smart scanning for a capacitive sensing array
US8982060B2 (en) 2010-08-27 2015-03-17 Apple Inc. Touch and hover sensor compensation
KR20120027984A (ko) * 2010-09-14 2012-03-22 삼성전기주식회사 정전용량식 터치스크린
TWI403795B (zh) * 2010-11-11 2013-08-01 Wintek Corp 觸控顯示裝置
CN102467284B (zh) 2010-11-13 2016-05-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 一种多触摸点的真坐标侦测装置及其侦测方法
WO2012090805A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 シャープ株式会社 表示装置
US8686735B2 (en) * 2011-02-16 2014-04-01 Synaptics Incorporated Input device receiver path and transmitter path error diagnosis
TWI447627B (zh) * 2011-03-15 2014-08-01 Mstar Semiconductor Inc 觸控感測器
JP5659073B2 (ja) * 2011-04-22 2015-01-28 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出器付き表示パネル、および電子機器
US20120306802A1 (en) 2011-06-06 2012-12-06 Mccracken David Harold Differential capacitance touch sensor
US8970545B2 (en) * 2011-07-13 2015-03-03 Synaptics Incorporated Trace shielding for input devices
US9088255B2 (en) * 2011-08-15 2015-07-21 Innolux Corporation Sensing devices and display devices using a plurality of differential amplifiers and sensing circuits to minimize the time to detect presence of an object
JP5691988B2 (ja) * 2011-10-07 2015-04-01 トヨタ紡織株式会社 タッチスイッチ及びそれを備える車室用照明装置
JP5628774B2 (ja) * 2011-11-07 2014-11-19 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ付き表示装置、電位制御方法、およびプログラム
US9001080B2 (en) * 2011-11-11 2015-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Touch-panel device
US20130169340A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Yonghong Tao Capacitive touch sensor interface
KR101364075B1 (ko) * 2012-03-14 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR101971147B1 (ko) * 2012-04-09 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
KR101356968B1 (ko) * 2012-06-14 2014-02-03 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR101382108B1 (ko) * 2012-06-15 2014-04-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 구동방법
KR101931737B1 (ko) * 2012-07-17 2018-12-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그의 구동방법
KR101428568B1 (ko) * 2012-08-08 2014-08-12 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린을 포함하는 표시장치 및 그 구동 방법
US9110320B2 (en) * 2012-08-14 2015-08-18 Apple Inc. Display with bent inactive edge regions
TWI490455B (zh) * 2012-10-12 2015-07-01 Morevalued Technology Co Let 具有高感測靈敏度之電容式感測陣列裝置及使用其之電子設備
US9046421B2 (en) * 2012-12-17 2015-06-02 Apple Inc. Light sensors for electronic devices
US20140184552A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 Synaptics Incorporated Near-field and far-field capacitive sensing
KR101295537B1 (ko) * 2012-12-31 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
US9128713B2 (en) * 2013-01-15 2015-09-08 Synaptics Incorporated Method and circuit to optimize N-line LCD power consumption
CN103186304B (zh) * 2013-01-21 2016-01-27 敦泰科技有限公司 实现多点触摸识别的单层自电容触摸屏及其数据处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525546B1 (en) * 1998-12-18 2003-02-25 Biao Zhao Capacitive displacement sensor
CN101553711A (zh) * 2006-06-20 2009-10-07 量研科技股份有限公司 电容性位置传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US9880209B2 (en) 2018-01-30
US20140152324A1 (en) 2014-06-05
US20150324036A1 (en) 2015-11-12
US20140210764A1 (en) 2014-07-31
US9606676B2 (en) 2017-03-28
JP2013515298A (ja) 2013-05-02
EP2513763A2 (en) 2012-10-24
EP2513763A4 (en) 2016-10-05
WO2011075608A3 (en) 2011-10-20
JP5738889B2 (ja) 2015-06-24
US9354264B2 (en) 2016-05-31
KR20120115271A (ko) 2012-10-17
KR101749366B1 (ko) 2017-06-20
US8638107B2 (en) 2014-01-28
US20110148435A1 (en) 2011-06-23
CN102667692A (zh) 2012-09-12
WO2011075608A2 (en) 2011-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102667692B (zh) 具有欧姆接缝的跨电容传感器装置
CN106325589B (zh) 输入装置的传感器焊盘和显示驱动器焊盘的排列
CN105302397B (zh) 驱动传感器电极来进行电容性感测的方法及装置
CN106325590B (zh) 用于基于传感器的输入装置的规则通孔图案
KR102596585B1 (ko) 터치 감지를 위한 입력 디바이스
CN102884496B (zh) 修改解调以避免干扰
CN105556446B (zh) 使用矩阵电极图案的电容性感测
CN105786276B (zh) 圆形轮廓单层图案
JP2013515298A5 (zh)
CN104981754B (zh) 用于降低输入装置中干扰的影响的系统和方法
US9405415B2 (en) Targeted transcapacitance sensing for a matrix sensor
US20150015528A1 (en) Hybrid capacitive image determination and use
CN105487732A (zh) 用于图像触摸感测的矩阵传感器
CN108885514A (zh) 用于触摸和力的感测
US9857925B2 (en) Combining sensor electrodes in a matrix sensor
CN104364749A (zh) 用于使用位置信息和力感测来确定用户输入的系统和方法
US20140267143A1 (en) System and method for a transcapacitive proximity sensing device
CN104185828B (zh) 用于减少发射器功耗的系统及方法
US8743080B2 (en) System and method for signaling in sensor devices
CN105210013B (zh) 经由触摸缓冲器的输入装置噪声消减的系统和方法
CN105468215A (zh) 用于电容感测的电流反馈技术
CN105446563A (zh) 降低等待时间的混合感测
CN107250956B (zh) 用于双节点感测的方法和系统
CN105849682A (zh) 使用混合电容性感测的重影抑制
CN106325593A (zh) 电容性感测装置中的接地条件的动态估计

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant