CN102360142B - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种液晶显示器,其视角很宽并且与观看显示屏的角度有关的色移很小,并且该显示器可以显示出在阳光下的户外和昏暗的室内(或夜间户外)都能很好地识别的图像。该液晶显示器包括通过光的透射进行显示的第一部分以及通过光的反射进行显示的第二部分。此外,液晶层包括液晶分子,当液晶层下方所设置的液晶元件的两个电极之间产生电势差时,液晶分子平行于电极平面而旋转。

Description

液晶显示器
本发明专利申请是国际申请号为PCT/JP2006/324313,国际申请日为2006年11月29日,进入中国国家阶段的申请号为200680045489.8,名称为“液晶显示器”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及液晶显示器。特别是,本发明涉及一种用几乎水平于基板的电场来改变液晶分子的对齐方式从而对其进行驱动的液晶显示器。
背景技术
显示器包括自发光显示器和非发光显示器。液晶显示器是最具代表性的非发光显示器。液晶显示器中的液晶的驱动方法包括垂直电场型和水平电场型,在垂直电场型中电压被垂直地加到基板上,而在水平电场型中所加电压几乎平行于基板。
近年来,液晶显示器吸引了许多人的注意,其中施加电压以在水平方向上(平行于基板的方向)产生一电场,并且液晶分子平行于基板平面而旋转以使来自背光源的光透射或不透射,由此显示一图像(例如,参照专利文献1:公开的日本专利申请第H9-105918号;以及非专利文献1:“Ultra-FFSTFT-LCDwithSuperImageQualityandFastResponseTime”,2001SID,第484-487页)。
垂直电场型和水平电场型都有优点和缺点。例如,与垂直电场型(以TN型为典型)相比,水平电场型具有宽视角、高对比度、高灰度显示等特点,并且被用作监视器或电视机。这些类型的液晶显示器共存于液晶领域,并且已开发出许多产品。另外,用于水平电场型的液晶材料和用于垂直电场型的液晶材料都已被开发出来,并且根据所加电压的方向而具有不同的材料特点。
此外,水平电场液晶显示器包括IPS(面内切换)型和FFS(边缘区域切换)型。在IPS型中,具有梳形或狭缝的像素电极以及具有梳形或狭缝的公共电极是交替排列的,并且在像素电极和公共电极之间产生了几乎平行于基板的电场,由此驱动液晶显示器。另一方面,在FFS类型中,具有梳形或狭缝的像素电极被安排在具有平面形状的公共电极之上,并且全部形成于像素部分中。在像素电极和公共电极之间产生几乎平行于基板的电场,由此驱动液晶显示器。
在此类液晶显示器中,优点在于视角很宽并且与观看显示屏的角度有关的色移很低,该液晶显示器可有效用于电视机的显示部分中。
透射型液晶显示器利用来自背光源的光,其问题在于,尽管在暗室中很容易观看显示图像,但在阳光下不容易观看显示图像。特别是,这个问题极大地影响了通常用在户外的电子设备,比如照相机、移动信息终端、或移动电话。
因此,期望开发一种在室内和室外都能显示很好的图像并具有宽视角的液晶显示器。
发明内容
本发明的目的是提供这样一种液晶显示器,它的视角很宽并且与观看显示屏的视角有关的色移很小,而且在室内和室外都能显示良好观赏识别的图像。
根据本发明的液晶显示器包括通过光的透射而进行显示的第一部分以及通过光的反射而进行显示的第二部分。另外,液晶层包括液晶分子,当液晶元件的两个电极之间产生电势差时液晶分子平行于电极平面即平行于基板而旋转,该液晶元件被设置在液晶层的下方。
注意到,在本发明中,“平行于电极平面的旋转”包括由人眼无法识别的偏差的平行旋转。换句话说,“平行于电极平面的旋转”也包括这样的旋转,这种旋转主要包括平面方向上的矢量分量,但除了平面方向上的矢量分量以外还包括一些法线方向上的矢量分量。
图18A-18C显示出在液晶层中平行于电极平面而旋转的液晶分子。当在液晶层下方所设置的电极803和电极804之间产生了电势差时,液晶层801中所包含的液晶分子802通过水平电场的影响而旋转。当液晶分子802旋转时,图18A所示状态变为图18B所示状态,或者图18B所示状态变为图18A所示状态。图18A和18B是横截面图。图18C中的箭头显示出从上方看到的旋转。
类似的是,图93A-93C显示出在液晶层中平行于电极平面而旋转的液晶分子。当在液晶层下方所设置的电极9803和电极9805之间以及电极9804和电极9805之间产生电势差时,液晶层9801中所包含的液晶分子9802通过水平电场的影响而旋转。当液晶分子9802旋转时,图93A所示的状态变为图93B所示的状态,或者图93B所示的状态变为图93A所示的状态。图93A和93B是横截面图。图93C中的箭头显示出从上方看到的旋转。
注意到,电极803和电极804的位置等不限于图18A-18C所示的那样。
类似的是,电极9803和电极9804的位置等不限于图93A-93C所示的那样。
在通过光的透射进行显示的第一部分中,一对电极被设置在液晶层下方的同一层中。或者,在第一部分中,液晶元件的两个电极被设置在液晶层的下方,并且这些电极分别形成于不同的层中。这些电极中的一个电极充当反射器,或者提供一反射器以与这些电极重叠,由此反射光线。在第二部分中,液晶元件的两个电极被设置在液晶层的下方。这两个电极都是透光的,并且被设置在同一层上,或者被设置在不同的层上且使绝缘层插入其间。
本发明的一个模式是一种液晶显示器,它包括:液晶元件,该液晶元件包括具有透光性的第一电极、具有透光性的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之上的液晶层;第一部分,在该第一部分中第一电极和第二电极被设置在不同的层中且一绝缘层插入其间;以及第二部分,在该第二部分中第一电极和第二电极被设置在绝缘层之上,此处在第一部分中液晶层与反射器重叠。
在本发明的结构中,反射器可以电连接到第二电极。
本发明的另一个模式是一种液晶显示器,它包括:液晶元件,该液晶元件包括第一电极、第二电极以及液晶层,该第一电极具有透光性,该第二电极包括用于反射光线的第一导电层和具有透光性的第二导电层,该液晶层被设置在第一电极和第二电极之上并且包括平行于第一电极平面而旋转的液晶分子;第一部分,在该第一部分中第一电极和第二电极被设置在不同的层中且一绝缘层插入其间;以及第二部分,在该第二部分中第一电极和第二电极被设置在绝缘层之上。
本发明的另一个模式是一种液晶显示器,它包括在第一基板和第二基板之间的液晶元件和反射器,其中液晶元件包括液晶层以及设置在液晶层和第一基板之间的第一电极和第二电极;其中液晶层的一部分与反射器重叠,该反射器被设置在第一电极和第二电极中的至少一个与第一基板之间。
在本发明的结构中,液晶层可以包括液晶分子,该液晶分子在第一电极和第二电极之间产生电势差时会平行于基板平面而旋转。
通过实现本发明,可以获得这样一种图像,它的视角很宽并且与观看显示屏的角度有关的色移很小,该图像还能在室外阳光下以及暗室中(或夜间的室外)被很好地被识别出。
附图说明
在附图中:
图1是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的横截面结构的模式的视图;
图2是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的结构的模式的顶视图;
图3是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的横截面结构的模式的视图;
图4是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的结构的模式的顶视图;
图5是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的横截面结构的模式的视图;
图6是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的结构的模式的顶视图;
图7是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的横截面结构的模式的视图;
图8是解释了根据本发明的液晶显示器中所包括的像素部分的结构的模式的顶视图;
图9是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图10是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图11是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图12是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图13是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图14是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图15是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图16是解释了根据本发明的液晶显示器的像素部分的电路图;
图17A和17B是各自解释了应用根据本发明的液晶显示器的一个模块的视图;
图18A-18C是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图19A-19H是各自揭示了应用本发明的电子设备的一个模式的视图;
图20是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图21是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图22是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图23是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图24是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图25是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图26是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图27是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图28是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图29是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图30是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图31是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图32是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图33是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图34是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图35是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图36是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图37是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图38是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图39是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图40是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图41是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图42是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图43是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图44是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图45是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图46是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图47是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图48是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图49是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图50是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图51是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图52是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图53是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图54是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图55是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
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图57是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图58是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图59是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图60是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图61是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图62是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图63是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图64是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图65是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图66是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图67是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图68是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图69是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图70是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图71是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图72是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图73是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图74是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图75是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图76是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图77是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图78是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图79是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图80是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图81是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图82是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图83是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图84是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图85是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图86是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图87是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图88是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图89是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图90是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图91A-91D是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图92A和92B是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图93A-93C是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图94是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图95是解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
图96A和96B是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;以及
图97A和97B是各自解释了根据本发明的液晶显示器的一个模式的视图;
其中附图标记如下:
10:液晶元件的电极,11:液晶元件的电极,12:液晶元件的电极,
13:绝缘层,14:绝缘层,15:液晶层,16:绝缘层,17:散射体,
18:绝缘层,19:绝缘层,101:基板,102:栅极电极,
103:液晶元件的电极,103a:导电层,103b:导电层,105:绝缘层,
106:半导体层,107:保护膜,108:引线,108a:n型半导体层,
108b:导电层,109:引线,109a:引线,109b:引线,110:绝缘层,
111:液晶元件的电极,111a:液晶元件的电极,112:取向膜,
121:基板,122:遮光层,123:滤色片,124:取向膜,125:液晶层,
126:间隙调节膜127a:偏振片,127b:偏振片,128a:延迟器,
128b:延迟器,129:粒子,131:栅极线,132:公共引线,
133:源极线,151:晶体管,161:透射部分,162:反射部分,
201:基板,202:栅极电极,203:液晶元件的电极,
203a:液晶元件的电极,204:液晶元件的电极,205:绝缘层,
206:半导体层,208:引线,209:引线,210:绝缘层,
211:液晶元件的电极,211a:液晶元件的电极,212:取向膜,
221:基板,222:遮光层,223:滤色片,224:取向膜,225:液晶层,
226:间隙调节膜,227a:偏振片,227b:偏振片,228:散射器,
231:栅极线,232:公共引线,233:源极线,234:引线,251:晶体管,
261:透射部分,262:反射部分,301:基板,302:栅极电极,
303:液晶元件的电极,304:导电层,305:绝缘层,306:半导体层,
308:引线,309:引线,310:绝缘层,311:液晶元件的电极,
312:取向膜,321:基板,322:遮光层,326:绝缘层,327a:偏振片,
327b:偏振片,331:栅极线,332:公共引线,333:源极线,351:晶体管,
361:反射部分,362:透射部分,401:基板,402:栅极电极,
403:液晶元件的电极,404:导电层,405:绝缘层,406:半导体层,
408:引线,409:引线,410:绝缘层,411:液晶元件的电极,
412:取向膜,421:基板,422:遮光层,423:滤色片,424:取向膜,
425:液晶层,426:绝缘层,427a:偏振片,427b:偏振片,
431:栅极线,432:公共引线,433:源极线,451:晶体管,
461:反射部分,462:透射部分,501:基板,503:液晶元件的电极,
504:反射膜,509:引线,510:绝缘层,510a:绝缘层,510b:绝缘层,
511:液晶元件的电极,521:基板,525:液晶层,529:滤色片,
530:遮光层,551:晶体管,561:透射部分,562:反射部分,
601:液晶层,602:液晶分子,603:电极,604:电极,801:基板,
825:薄膜晶体管,827:薄膜晶体管,829:薄膜晶体管,
830:对置基板,831:取向膜,832:对置电极,833:间隔物,
834:密封剂,835a:偏振片,835b:偏振片,836:各向异性导电层,
837:FPC,838a:第一终端电极层,838b:第二终端电极层,
852:外部终端连接区域,853:密封区域,854:扫描线驱动器电路,
856:像素区域,900:基板,920:栅极驱动器,930:像素部分,
940:源极驱动器,950:集成电路,960:柔性印刷电路,
1001:反射部分,1002:透射部分,2001:外壳,2002:支撑基座,
2003:显示部分,2004:扬声器部分,2005:视频输入终端,
2101:主体,2102:显示部分,2103:图像接收部分,
2104:操作按键,2105:外部连接端口,2106:快门,
2201:主体,2202:外壳,2203:显示部分,2204:键盘,
2205:外部连接端口,2206:定点鼠标,2301:主体,
2302:显示部分,2303:开关,2304:操作按键,2305:红外端口,
2401:主体,2402:外壳,2403:显示部分A,
2404:显示部分B,2405:记录介质读取部分,2406:操作按键,
2407:扬声器部分,2501:主体,2502:显示部分,2503:操作按键,
2601:主体,2602:显示部分,2603:外壳,2604:外部连接端口,
2605:远程控制接收部分,2606:图像接收部分,2607:电池,
2608:音频输入部分,2609:操作按键,2610:眼睛片部分,
2701:主体,2702:外壳,2703:显示部分,2704:音频输入部分,
2705:音频输出部分,2706:操作按键,2707:外部连接端口,
2708:天线,4001:栅极电极,4002:非晶半导体层,
4003:栅极绝缘层,4004:第一绝缘层,4005:反射公共电极,
4006:透射公共电极,4007:用于不平整的凸起,4008:像素电极,
4009:第二绝缘层,4010:第二引线,4011:反射电极,
4012:第二引线,4013:多晶半导体层,4014:引线,
4015:透射公共电极,4016:反射公共电极,4017:反射公共电极,
4018:透射公共电极,4019:公共电极,4020:栅极绝缘层,
4021:第三绝缘层,4022:反射公共电极,4023:第二引线,
4024:反射公共电极,4025:第一绝缘层,4026:第二绝缘层,
4027:导电层,4028:绝缘层,7001:栅极线,7002:源极线,
7003a:公共引线,7003b:公共引线,7004:晶体管,9801:液晶层,
9802:液晶分子,9803:电极,9804:电极,9805:电极,
9970:间隔,9971:间隔,9972:间隔
具体实施方式
在下文中,将描述本发明的一个模式。应该注意到,本发明可以按许多不同的模式来实现,本领域的技术人员很容易理解多个模式及其细节可以在不背离本发明的目的和范围的情况下以多种方式进行修改。因此,本发明不应该被解释成限于各实施方式的描述。
在本发明中,可应用的晶体管的类型是不受限的。因此,有可能应用:利用非单晶半导体膜的薄膜晶体管(TFT),典型的非单晶半导体膜是非晶硅和多晶硅;利用半导体基板或SOI基板的晶体管;MOS晶体管;结型晶体管或双极晶体管;利用有机半导体或碳纳米管的晶体管;或其它晶体管。此外,在其上排列晶体管的基板的类型是不受限的,并且晶体管可以被安排在单晶基板、SOI基板、玻璃基板等之上。
在本发明中,“连接”也指“电连接”。相应地,在本发明所揭示的结构中,能进行电连接的其它元件(比如开关、晶体管、电容器、电阻器、二极管和其它元件)可以被安排在预定的相连的元件之间。
注意到,本发明中所示的开关可以是电开关或机械开关。即,任何开关只要它能够控制电流则都是可以使用的,该开关可以是晶体管、二极管、或用于将晶体管和二极管组合起来的逻辑电路。因此,在将晶体管用在开关的情况下,其极性(导电类型)不受特别限制,因为该晶体管仅作为开关来操作。然而,当期望截止状态电流很低时,最好使用其截止状态电流较低的极性的晶体管。例如,带有LDD区域的晶体管、具有多栅极结构的晶体管等都具有很低的截止状态电流。此外,当用作开关的晶体管的源极端的电势接近于低电势一侧电源的电势(Vss、Vgnd、0V等)时,最好使用n沟道晶体管;并且当源极端的电势接近于高电势一侧电源的电势(Vdd等)时,最好使用p沟道晶体管。这帮助开关有效地操作,因为栅极-源极电压的绝对值可以增大。应该注意到,也可以使用利用n沟道晶体管和p沟道晶体管的CMOS型开关。
如上所述,各类晶体管都可以被用作本发明的晶体管,晶体管可以形成于各种基板之上。因此,用于驱动像素的所有电路都可以形成于玻璃基板、塑料基板、单晶基板、SOI基板、或其它基板之上。或者,用于驱动像素的电路的一部分可以形成于某一基板之上,而用于驱动像素的电路的另一部分则可以形成于另一个基板之上。即,不要求用于驱动像素的所有电路都形成于同一基板之上。例如,利用TFT在玻璃基板上形成像素排列和栅极线驱动器电路,在单晶基板上可以形成单线驱动器电路(或其部分),然后,以这种方式形成的IC芯片可以通过COG(玻璃上的芯片)而连接并且排列在玻璃基板上。或者,通过使用TAB(条带自动结合)或印刷基板,便可以将IC芯片连接到玻璃基板。
(实施方式1)
参照图20,将描述根据本发明的液晶显示器的一个模式。液晶显示器具有多个排列成矩阵的像素,图20示出了一个像素的横截面结构的一个模式。
如图20所示,液晶显示器包括通过光的反射进行显示的反射部分1001以及通过光的透射进行显示的透射部分1002。在每一个部分中,提供了用作像素电极的电极以及用作公共电极的电极。
用作像素电极的电极形成梳形或狭缝形。另一方面,用作公共电极的电极形成平面形或者整个形成于像素部分中。然而,本发明并不限于此。
形成梳形或狭缝形并用作像素电极的那些电极之间的间距最好是2到8μm,3到4μm则更佳。
在用作像素电极的电极与用作公共电极的电极之间提供电压,由此产生一电场。该电场包含平行于基板的许多分量。然后,液晶分子根据该电场在平行于基板的平面内旋转。相应地,有可能控制光的透射率和反射率并且显示灰度。
当提供用作公共电极的多个电极时,较佳地,在绝缘层中开出一个接触孔,或者使这些电极彼此重叠以便电连接公共电极。
另外,当用作显示电极的电极以及用作公共电极的电极被安排成在其间插入一绝缘层时,在其间插入绝缘层而排列着电极的那一部分用作电容器。因此,这一部分也用作一存储电容器以便存储图像信号。
通过光的反射进行显示的反射部分1001具有反射电极,借此光被反射以进行显示。反射电极可以用作公共电极,或者,反射电极和公共电极可以被分开提供。因此,反射电极可以被连接到将要为其提供电压的公共电极。然而,当反射电极和公共电极被分开提供时,也有不提供电压的情况,或者提供另一个电压。
通过光的透射进行显示的透射部分1002具有透射电极,借此光被透射以进行显示。透射电极也可以用作公共电极,或者,透射电极和公共电极可以分开提供。因此,透射电极可以被连接到将要为其提供电压的公共电极。然而,当透射电极和公共电极被分开提供时,也有不提供电压的情况,或者提供另一个电压。另外,透射电极也可以用作像素电极。
接下来,将描述图20的结构。在反射部分1001中,液晶元件的电极10和液晶元件的电极11彼此重叠,同时绝缘层13和绝缘层14插入其间。另外,在透射部分1002中,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12彼此重叠,同时绝缘层14插入其间。
液晶元件的电极10形成梳形,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12全部形成于像素部分中。然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极11和液晶元件的电极12可以具有像狭缝或孔那样的间隙,或者可以形成梳形。
液晶元件的电极10用作像素电极,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12用作公共电极。然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极10可以用作公共电极,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12可以用作像素电极。
关于用作公共电极的每一个电极,较佳地,在绝缘层中开出一个接触孔以便电连接这些电极。或者,使这些电极彼此重叠以便电连接这些电极。
利用能反射光的导电材料来形成液晶元件的电极11。因此,该电极用作反射电极。另外,利用能透光的导电材料来形成液晶元件的电极12。因此,该电极用作透射电极。
较佳地,利用能透光的导电材料来形成液晶元件的电极10。这是因为,电极10可以透光,因此,可以对用于显示图像的那一部分有所贡献。注意到,也可以用反射光的材料来形成液晶元件的电极10。在这种情况下,因为电极10反射光,所以透射部分1002也可以用作反射部分。
另外,当用作像素电极的电极(液晶元件的电极10)和用作公共电极的电极(液晶元件的电极11和液晶元件的电极12)被安排成在其间插入一绝缘层时,在其间插入绝缘层而排列着电极的那一部分用作一电容器。因此,这一部分也可以用作存储电容器以便存储图像信号。
图83显示出这样一种状态,其中在图20的液晶元件的各电极之间施加电场。在通过光的反射进行显示的反射部分1001中,当在液晶元件的电极10与液晶元件的电极11之间产生电势差时,液晶层15中所包含的液晶分子(15a和15b)平行于液晶元件的电极10和液晶元件的电极11的平面而旋转(即在平行于基板的平面中旋转),并且有可能控制穿过液晶层15的光的量。更准确地讲,有可能控制光的偏振态,液晶分子(15a和15b)可以控制穿过基板外侧所设置的偏振片的光的量。图83对应于图18A和93A。图83所示液晶分子(15a和15b)以与图18A-18B和93A-93B所示的类似方式进行旋转。已从外部进入液晶显示器的光穿过液晶层15,透射过液晶元件的电极10、绝缘层13和绝缘层14,在液晶元件的电极11处发生反射,穿过绝缘层13、绝缘层14、液晶元件的电极10以及液晶层15,并且从液晶显示器中发射出来。
因为绝缘层13和绝缘层14几乎没有折射率各向异性,所以即使当光穿过绝缘层时偏振态也不改变。
另外,在通过光的透射进行显示的透射部分1002中,当在液晶元件的电极10和液晶元件的电极12之间产生电势差时,液晶层15中所包含的液晶分子(15c、15d和15e)平行于液晶元件的电极10和液晶元件的电极12的平面而旋转(即在平行于基板的平面中旋转),并且有可能控制穿过液晶层15的光的量。更准确地讲,有可能控制光的偏振态,并且液晶分子(15c、15d和15e)可以控制穿过在基板外侧所设置的偏振片的光的量。图83对应于图18A和93A。图83中所示的液晶分子(15c、15d和15e)以与图18A-18B和93A-93B类似的方式进行旋转。已从背光源进入液晶显示器的光穿过液晶层15,并且从液晶显示器中发射出来。
注意到,在通过光的反射进行显示的反射部分1001以及通过光的透射进行显示的透射部分1002中,在光路中设置一滤色片,并且光变为期望颜色的光。通过以这种方式将来自各像素的光组合起来,便可以显示一图像。
滤色片可以被设置在液晶层15之上所排列的对置电极之上、液晶元件的电极10之上、或在绝缘层14之中、或在其中的一部分之中。
注意到,黑色矩阵也可以以与滤色片类似的方式进行设置。
在通过光的反射进行显示的反射部分1001中,光两次穿过液晶层15。换句话说,外部光从对置基板一侧进入液晶层15,在液晶元件的电极11处进行反射,再次进入液晶层15,并且被发射到对置基板之外;由此,光两次穿过液晶层15。
另一方面,在通过光的透射进行显示的透射部分1002中,光通过液晶元件的电极12进入液晶层15,并且从对置基板发射出去。换句话说,光只穿过液晶层15一次。
此处,因为液晶层15具有折射率各向异性,光的偏振态会根据光在液晶层15中穿行的距离而变化。相应地,在一些情况下,图像无法被正确地显示。因此,有必要调节光的偏振态。作为一种用于调节偏振态的方法,在通过光的反射进行显示的反射部分1001中,液晶层15的厚度(所谓的单元间距)可以变得较薄使得当光两次穿过时该距离变得不太长。
因为绝缘层13和绝缘层14几乎没有折射率各向异性,所以即使当光穿过绝缘层时偏振态也不改变。因此,绝缘层13和绝缘层14的存在或厚度对偏振态没有很大的影响。
为了使液晶层15的厚度(所谓的单元间隙)变薄,可以安排一个用于调节厚度的膜。在图20中,绝缘层13对应于该层。换句话说,在通过光的反射进行显示的反射部分1001中,绝缘层13是这样一层,设置它是为了调节液晶层的厚度。通过提供绝缘层13,反射部分1001中的液晶层的厚度可以变得比透射部分1002中的液晶层的厚度要薄。
较佳地,反射部分1001中的液晶层15的厚度是透射部分1002中的液晶层15的厚度的一半。此处,“一半”也包括人眼无法识别的差异量。
注意到,光不仅从垂直于基板的方向即法线方向进入,在许多情况下光还倾斜地进入。因此,在所有被考虑的情况下,在反射部分1001和透射部分1002中光的前进距离几乎是相同的。因此,反射部分1001中的液晶层15的厚度最好大约大于或等于透射部分1002中的液晶层15的厚度的三分之一并且小于或等于其三分之二。
如上所述,当在具有液晶元件的电极10的基板一侧安排一绝缘层13并使该绝缘层13作为一个用于调节液晶层的厚度的膜时,可以很容易地调节液晶层的厚度。换句话说,在带有液晶元件的电极10的基板一侧,形成各种引线、电极和膜。因此,作为形成各种引线、电极和膜的流程的一部分,可以形成一个用于调节液晶层的厚度的膜;由此,当液晶层的厚度被调节时,困难很少。另外,也有可能与具有另一功能的膜同时形成用于调节液晶层的厚度的膜。因此,可以简化过程并减小成本。
在根据本发明具有上述结构的液晶显示器中,视角很宽,颜色通常不随观看显示屏的角度而变化,并且可以提供能在室外阳光下和暗室中(或夜间的室外)很好地识别出的图像。
在图20中,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12形成于同一平面中;然而,本发明并不限于此。这两类电极也可以形成于不同的平面中。
在图20中,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12是分开排列的;然而,本发明并不限于此。这些电极可以被安排成相互接触或用同一电极来构成。或者,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12可以彼此电连接。
在图20中,安排绝缘层13作为一个用于调节液晶层15的厚度的膜;然而,本发明并不限于此。用于调节液晶层15的厚度的膜也可以被安排在对置基板一侧。
注意到,安排绝缘层13作为一个用于调节液晶层15的厚度的膜以便使液晶层15的厚度变薄。然而,另一方面,在预定的区域中可以除去该膜,以便使液晶层15的厚度变厚。
注意到,反射电极的表面可以是平的,但最好是不平的。借助这种不平的表面,光可以发生漫射从而被反射。结果,光可以被散射,亮度可以被提高。
(实施方式2)
参照图21-42,将描述根据本发明的液晶显示器的一个模式,其结构不同于实施方式1。注意到,与实施方式1功能相同的那些部分都用相同的标号来标记。
图21显示出液晶显示器的一个模式,它与图20的液晶显示器的区别在于,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12是堆叠的。当期望液晶元件的电极11和液晶元件的电极12具有相同的电势时,这些电极可以通过这种堆叠方式而电连接。
注意到,液晶元件的电极12被安排在液晶元件的电极11的下方;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极12可以被安排在液晶元件的电极11的上方。
注意到,液晶元件的电极12被全部安排在液晶元件的电极11的下方;然而,本发明并不限于此。
当液晶元件的电极12被全部安排在液晶元件的电极11的下方时,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12可以是用一个掩模形成的。通常,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12是用不同的掩模形成的。但在这种情况下,通过形成一个诸如半色调掩模或灰色调掩模这样的掩模并根据区域来改变抗蚀剂的厚度,便可以形成液晶元件的电极11和液晶元件的电极12。结果,制造过程可以得到简化,步骤数目可以减少,掩模的数量(刻度片的数量)也可以减少。相应地,成本可以减小。
图22显示出液晶显示器的一个模式,其中液晶元件的电极11的一部分和液晶元件的电极12的一部分是堆叠的,以便彼此电连接。通过这种结构,这些电极可以彼此电连接。
注意到,液晶元件的电极12被安排在液晶元件的电极11之上并相互接触;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极11也可以被安排在液晶元件的电极12之上并相互接触。
这样,当液晶元件的电极12没有被安排在液晶元件的电极11之上时,那儿的光损耗可以减小。
在图23中,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12被设置在不同的层中以便插入绝缘层16。这样,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12便可以被设置在不同的层中。
如上所述,当液晶元件的电极11和液晶元件的电极12被设置在不同的层中时,反射部分1001中的液晶元件的电极11和液晶元件的电极10之间的距离可以几乎等于透射部分1002中的液晶元件的电极12和液晶元件的电极10之间的距离。相应地,在反射部分1001和透射部分1002中,这些电极之间的距离可以几乎相等。电场的方向、分布、强度等随各电极之间的距离而变化。因此,当各电极之间的距离几乎相同时,在反射部分1001和透射部分1002中加到液晶层15的电场可以几乎相同;由此,有可能精确地控制液晶分子。另外,因为在反射部分1001和透射部分1002中液晶分子旋转的度数几乎相同,所以在作为透射型进行显示的情况下与在作为反射型进行显示的情况下,图像显示可以具有几乎相同的灰度。
注意到,液晶元件的电极12被全部安排在液晶元件的电极11的下方;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极12可能至少被安排在透射部分1002中。
注意到,在绝缘层16中可以形成接触孔以便连接液晶元件的电极12和液晶元件的电极11。
图24显示出液晶显示器的一个模式,它与图23的液晶显示器的不同之处在于,液晶元件的电极11被设置在液晶元件的电极12的下层之中(在与液晶层15分开设置的层中)。
注意到,液晶元件的电极12也形成于反射部分1001中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极12可能至少被安排在透射部分1002中。
当液晶元件的电极12也形成于反射部分1001中时,液晶层15受到反射部分1001中的液晶元件的电极12和液晶元件的电极11之间的电压的控制。在这种情况下,液晶元件的电极11仅用作反射电极,液晶元件的电极12用作反射部分1001中的公共电极。
因此,在这种情况下,任意的电压被提供给液晶元件的电极11。与提供给液晶元件的电极12相同的电压也是可以提供的,或者与提供给液晶元件的电极10相同的电压也是可以提供的。在这种情况下,在液晶元件的电极12和液晶元件的电极11之间形成电容器,并且该电容器可以用作存储电容器以便存储图像信号。
注意到,在绝缘层16中可以形成接触孔,以便连接液晶元件的电极12和液晶元件的电极11。
在图89中,在绝缘层14上,形成了反射部分1001中的液晶元件的电极11以及透射部分1002中的液晶元件的电极10。然后,绝缘层13形成于液晶元件的电极11上,并且反射部分中的液晶元件的电极10形成于其上。液晶元件的电极12形成于绝缘层14的下方。
注意到,液晶元件的电极12也形成于反射部分1001中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极12可能至少形成于透射部分1002之中。
注意到,接触孔可以形成于绝缘层14中,以便连接液晶元件的电极12和液晶元件的电极11。
在图20-24以及89中,没有将电极的表面显示成不平的。然而,关于液晶元件的电极10、液晶元件的电极11和液晶元件的电极12,该表面不限于是平的,可以是不平的。
另外,在图20-24以及89中,没有将绝缘层13、绝缘层14和绝缘层16的表面显示成不平的。然而,关于绝缘层13、绝缘层14和绝缘层16,其表面不限于是平的,可以是不平的。
注意到,通过在反射电极的表面上形成多个大的不平整片,光可以被散射。结果,显示器的亮度可以被提高。因此,图20-24以及89所示的反射电极和透射电极(液晶元件的电极11和液晶元件的电极12)的表面可以是不平的。
注意到,反射电极的表面上的不平整的形状可以是一种尽可能使光漫射的形状。
在透射部分1002中,透射电极最好不是不平的以便不扰乱电场的方向、分布等。然而,即使当透射电极是不平的时,当显示没有受到不利影响时也没有问题。
图25显示出图20的反射电极的表面是不平的情况,图26和27显示出图21的反射电极的表面是不平的情况,图28显示出图22的反射电极的表面是不平的情况,图29显示出图23的反射电极的表面是不平的情况,图30显示出图24的反射电极的表面是不平的。
相应地,在图20-24以及89中反射电极的表面不是不平的情况的有关描述也可以应用于图25-30的情况。
图25显示出液晶显示器的一个模式,它与图20的液晶显示器的不同之处在于,在液晶元件的电极11的下方设置了具有凸形的散射器17。当提供了具有凸形的散射器17并且液晶元件的电极11的表面是不平的时,光可以被散射,并且因光的反射而导致的对比度减小或者反射都可以被抑制,由此,提高了亮度。
较佳地,散射器17具有一种尽可能使光漫射的形状。然而,因为在一些情况下电极或引线被安排在散射器17上,期望有一种平滑的形状能不使电极或引线断开连接。
图26显示出液晶显示器的一个模式,它与图25的液晶显示器的不同之处在于,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12是堆叠的。
因为液晶元件的电极12和液晶元件的电极11紧密接触的区域是很大的,所以接触阻抗可以减小。
图27显示出液晶显示器的一个模式,它与图26的液晶显示器的不同之处在于,在液晶元件的电极12和液晶元件的电极11之间设置了散射器17。
因为散射器17是在形成液晶元件的电极12之后才形成的,所以在透射部分1002中液晶元件的电极12可以是平的。
图28示出了液晶显示器的一个模式,它与图22的液晶显示器的不同之处在于,具有凸形的散射器17被设置在液晶元件的电极11的下方。
图29显示出液晶显示器的一个模式,它与图23的液晶显示器的不同之处在于,绝缘层16的表面的一部分是不平的。根据绝缘层16的这种形状,使液晶元件的电极11的表面变得不平。
图30显示出液晶显示器的一个模式,它与图24的液晶显示器的不同之处在于,其中部分表面是不平的绝缘层18被设置在液晶元件的电极11的下方,由此,使液晶元件的电极11的表面变得不平。
在图20-30以及89中,在液晶元件的电极10的下方,形成了用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13;然而,本发明并不限于此。如图84所示,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13可以被安排在液晶元件的电极10之上。图84对应于图20。在图21-30以及89中,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13可以被设置在液晶元件的电极10之上,与图84类似。
在图20-30、89和84中,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13被安排在具有液晶元件的电极10的基板一侧;然而,本发明并不限于此。用于调节厚度的绝缘层13也可以被安排在对置基板一侧。
当用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13被安排在对置基板一侧时,在反射部分1001和透射部分1002中,液晶元件的电极10可以被安排在同一平面中。因此,在反射部分1001和透射部分1002中,像素电极和公共电极之间的距离可以几乎相同。电场的方向、分布、强度等随电极之间的距离而变化。因此,当电极之间的距离几乎相同时,在反射部分1001和透射部分1002中,加到液晶层15的电场可以几乎相同;由此,有可能精确地控制液晶分子。另外,因为在反射部分1001和透射部分1002中液晶分子旋转的度数几乎相同,所以在作为反射型进行显示的情况下和作为透射型进行显示的情况下图像显示可以具有几乎相同的灰度等级。
另外,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13可能导致其邻近的液晶分子的对齐模式发生错乱,并且有可能产生像旋转位移这样的缺陷。然而,当用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13被安排在对置基板之上时,用于调节厚度的绝缘层13可以与液晶元件的电极10分开。相应地,施加低电场,由此防止液晶分子的对齐模式发生错乱以及很难看清的屏幕。
此外,在对置电极上,仅形成了滤色片、黑色矩阵等;由此,步骤的个数很少。相应地,即使当用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13形成于对置基板之上时,产量也不容易减小。即使产生缺陷,也不会有太多制造成本被浪费,因为步骤个数很少且成本不贵。
图31显示出图20的对置基板带有用于调节厚度的膜的情况,图32显示出图21的对置基板带有用于调节厚度的膜的情况,图33显示出图22的对置基板带有用于调节厚度的膜的情况,图34显示出图23的对置基板带有用于调节厚度的膜的情况,图35显示出图24的对置基板带有用于调节厚度的膜的情况。
因此,关于图20-24、89和84的描述也可以被应用于图31-35的情况。
图31显示出液晶显示器的一个模式,它与图20的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在反射部分1001中与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
图32显示出液晶显示器的一个模式,它与图21的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在反射部分1001中与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
图33显示出液晶显示器的一个模式,它与图22的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在反射部分1001中与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
图34显示出液晶显示器的一个模式,它与图23的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在反射部分1001中与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
图35显示出液晶显示器的一个模式,它与图25的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在反射部分1001中与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
在图31-35中,没有将电极的表面显示成不平的。然而,关于液晶元件的电极10、液晶元件的电极11以及液晶元件的电极12,该表面不限于是平的,可以是不平的。
另外,在图31-35中,没有将绝缘层14和绝缘层16的表面显示成不平的。然而,关于绝缘层14、绝缘层16等,这些表面不限于是平的,可以是不平的。
注意到,通过在反射电极的表面上形成多个大的不平整的片,光可以被散射。结果,显示器的亮度可以提高。因此,图31-35所示的反射电极和透射电极(液晶元件的电极11和液晶元件的电极12)的表面可以是不平的。
注意到,反射电极的表面上不平的形状可以是一种尽可能使光散射的形状。
在透射部分1002中,透射电极最好不是不平的以便不扰乱电场的方向、分布等。然而,即使当透射电极是不平的,在显示没有受不利影响时也没有问题。
这与通过提供具有不平表面的电极而使图25-30分别对应于图20-24、89和84的情况相同。即,在图31-35中反射电极的表面可以是不平的。图36显示出一个示例,其中图31的反射电极的表面是不平的。相同的内容也应用于图32-35。
注意到,图31中关于反射电极的表面不是不平的描述也可以应用于图36的情况。
图36显示出液晶显示器的一个模式,它与图31的液晶显示器的不同之处在于,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层19被设置在与液晶元件的电极10相反的一侧,液晶层15插入在其间,此外,液晶元件的电极10被设置在绝缘层14之上。
在图20-36、84和89中,用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13被安排在具有液晶元件的电极10的基板一侧或被安排在对置基板一侧;然而,本发明并不限于此。并不要求安排用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13。图85显示出这样的情况。图85对应于图20和31。在图30-36、84和89中,情况与图20和31不同,并不要求安排用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13,这与图85类似。
当没有安排用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13时,在反射部分和透射部分中,光穿过液晶层的行进距离是不同的。因此,最好在光穿过的路径中安排一个用于改变光的偏振态的物体,比如波片(比如,四分之一波片)或一种具有折射率各向异性的材料(比如液晶)。例如,当波片被安排在偏振片和对置基板之间且靠近对置基板一侧时,该波片不与液晶层相接触,在反射部分和透射部分可以产生相同的光的透射状态。
在图20-36、84、85和89中或在至此的描述中,在透射部分1002中,在某些情况下液晶元件的电极10都形成于同一平面中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极10可以形成于不同的平面中。
类似的是,在图20-36、84、85和89中或在直到至此的描述中,在反射部分1001中,在一些情况下液晶元件的电极10都形成于同一平面中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极10可以形成于不同的平面中。
在图20-36、84、85和89中或在直到至此的描述中,在反射部分1001中,在某些情况下液晶元件的电极11和液晶元件的电极12具有平整的形状并且全部形成于像素部分中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极11和液晶元件的电极12也可以具有梳形,这种梳形具有狭缝或间隙。
在图20-36、84、85和89中或在直到至此的描述中,在透射部分1002中,在某些情况下液晶元件的电极12具有平整的形状并且全部形成于像素部分中;然而,本发明并不限于此。液晶元件的电极12也可以具有梳形,这种梳形具有狭缝或间隙。
在图20-36、84、85和89中或在直到至此的描述中,在反射部分1001中,在某些情况下液晶元件的电极11和液晶元件的电极12被安排在液晶元件的电极10的下方;然而,本发明并不限于此。只要液晶元件的电极11和液晶元件的电极12具有梳形且该梳形具有狭缝或间隙,它们就可以形成于与液晶元件的电极10相同的平面中或者形成于液晶元件的电极10的上方。
在透射部分中液晶元件的电极12具有梳形且该梳形具有狭缝或间隙的情况已得到描述。这种情况下,在某些情况中液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以得到简化,步骤的数目可以减少,掩模的数目(刻度片的数目)也可以减少。相应地,成本可以减小。
图37显示出这样的情况,在图31的透射部分1002中,液晶元件的电极12具有含狭缝或间隙的梳形;图38显示出这样的情况,在图89的透射部分1002中,液晶元件的电极12具有含狭缝或间隙的梳形;图87显示出这样的情况,在图20的透射部分1002中,液晶元件的电极12具有含狭缝或间隙的梳形;图88显示出这样的情况,在图84的透射部分1002中,液晶元件的电极12具有含狭缝或间隙的梳形;图90显示出这样的情况,在图85的透射部分1002中,液晶元件的电极12具有含狭缝或间隙的梳形。
与图31、89、20、84和85所分别对应的图37、38、87、88和90类似,在图20-36、84、85和89或在至此的描述中,在透射部分1002中,液晶元件的电极12可以具有含狭缝或间隙的梳形。
图37显示出液晶显示器的一个模式,它与图31的液晶显示器的不同之处在于,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12都形成于绝缘层14之上。
图86显示出这样的状态,在图87的液晶元件的电极之间施加了电场。在通过光的反射进行显示的反射部分1001中,当在液晶元件的电极10和液晶元件的电极11之间产生电势差时,液晶层15中所包含的液晶分子(15a和15b)会平行于液晶元件的电极10和11的平面(即在平行于基板的平面中)而旋转,变得有可能控制穿过液晶层15的光的量。更具体地讲,变得有可能控制光的偏振态,并且液晶分子(15a和15b)可以控制穿过偏振片的光的量,该偏振片被设置在基板的外侧。图86对应于图18A和93A。图86所示液晶分子(15a和15b)已与图18A-18B和93A-93B所示类似的方式进行旋转。从外部进入液晶显示器的光穿过液晶层15,在液晶元件的电极11处发生反射,再次穿过液晶层15,并且从液晶显示器中发射出来。
另外,在通过光的透射进行显示的透射部分1002中,当在液晶元件的电极10和液晶元件的电极12之间产生电势差时,液晶层15中所包含的液晶分子(15c和15d)会平行于液晶元件的电极10和12的平面(即在平行于基板的平面中)而旋转,变得有可能控制穿过液晶层15的光的量。更具体地讲,变得有可能控制光的偏振态,并且液晶分子(15c和15d)可以控制穿过偏振片的光的量,该偏振片被设置在基板的外侧。图86对应于图18A和93A。图86所示液晶分子(15c和15d)已与图18A-18B和93A-93B所示类似的方式进行旋转。从背光源进入液晶显示器的光穿过液晶层15,并且从液晶显示器中发射出来。
在图37中,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于同一平面中。因此,液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以简化,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减小。
图38显示出液晶显示器的一个模式,在它的结构中,绝缘层13被设置在液晶元件的电极11之上,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于同一层中。液晶显示器的一个模式被显示出来,它与图89的液晶显示器的不同之处在于,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12都形成于绝缘层14之上。这样,在反射部分1001中绝缘层13可以形成于液晶元件的一对电极之间,并且在透射部分1002中液晶元件的一对电极可以形成于同一层中。
在图38中,在形成绝缘层13之后,形成液晶元件的电极10和液晶元件的电极12。相应地,液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以简化,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减小。
图87显示出液晶显示器的一个模式,在它的结构中,绝缘层14被设置在液晶元件的电极11之上,并且液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于同一层中。液晶显示器的一个模式被显示出来,它与图20的液晶显示器的不同之处在于,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12都形成于绝缘层14之上。这样,在反射部分1001中绝缘层可以形成于液晶元件的一对电极之间,并且在透射部分1002中液晶元件的一对电极可以形成于同一层中。
在图87中,在形成绝缘层13之后,形成液晶元件的电极10和液晶元件的电极12。相应地,液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以简化,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减小。
图88显示出液晶显示器的一个模式,在它的结构中,绝缘层14被设置在液晶元件的电极11之上,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于同一层中。液晶显示器的一个模式被显示出来,它与图84的液晶显示器的不同之处在于,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12都形成于绝缘层14之上。这样,在反射部分1001中绝缘层14可以形成于液晶元件的一对电极之间,并且在透射部分1002中液晶元件的一对电极可以形成于同一层中。
在图88中,在形成绝缘层14之后,形成液晶元件的电极10和液晶元件的电极12。相应地,液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以简化,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减小。
图90显示出液晶显示器的一个模式,在它的结构中,绝缘层14被设置在液晶元件的电极11之上,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于同一层中。液晶显示器的一个模式被显示出来,它与图85的液晶显示器的不同之处在于,在透射部分1002中液晶元件的电极10和液晶元件的电极12都形成于绝缘层14之上。这样,在反射部分1001中绝缘层14可以形成于液晶元件的一对电极之间,并且在透射部分1002中液晶元件的一对电极可以形成于同一层中。
在图90中,在形成绝缘层14之后,形成液晶元件的电极10和液晶元件的电极12。相应地,液晶元件的电极12可以与液晶元件的电极10同时形成。结果,制造过程可以简化,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减小。
图39显示出液晶显示器的一个模式,它与图31的液晶显示器不同之处在于,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12形成于不同的层中,同时绝缘层14插入其间,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12彼此不重叠。
要注意,液晶元件的电极11和液晶元件的电极12可以同时形成。
要注意,在透射部分1002中,液晶元件的电极10和液晶元件的电极12可以颠倒。换句话说,一个位置处的电极可以移至另一个位置,而该另一个位置的电极可以移至所述的那个位置。
与图20-24所对应的图25-30类似的是,在图37、38、87、88、90和类似的图中反射电极可以是不平的。
图40显示出液晶显示器的一个模式,它与图37的液晶显示器不同之处在于,具有凸形的散射器17被设置在液晶元件的电极11的下方。
图41显示出液晶显示器的一个模式,它与图38的液晶显示器不同之处在于,具有凸形的散射器17被设置在液晶元件的电极11的下方。
图42显示出液晶显示器的一个模式,它与图39的液晶显示器不同之处在于,具有凸形的散射器17被设置在液晶元件的电极11的下方。
在图20-42、83-90所描述的结构中以及在它们的组合中,滤色片可以被设置在液晶层15上所排列的对置基板上,或者可以被设置在具有液晶元件的电极10的基板上。
例如,滤色片可以被设置在绝缘层13、绝缘层14、绝缘层16、绝缘层18、绝缘层19等之上,或者被设置在它们的一部分之中。
注意到,可以与滤色片类似的方式来设置黑色矩阵。滤色片和黑色矩阵也可以都被理所当然地如此设置。
这样,当使绝缘层变为滤色片或黑色矩阵时,材料成本就可以被省下来。
另外,当滤色片、黑色矩阵等被安排在具有液晶元件的电极10的基板之上时,用对置基板进行边缘对齐可以得到改进。
注意到,液晶元件的电极的位置、类型和形状以及绝缘层的位置和形状可以具有各种模式。换句话说,通过将某一图中液晶元件的电极的位置与另一图中的绝缘层的位置组合起来,便可以提供各种模式。例如,图25显示出图20中的液晶元件的电极11,其形状变为不平的形状,图87显示出图20的液晶元件的电极12,其位置和形状发生变化。在上述的图中,通过组合各种组件,可以提供大量的模式。
(实施方式3)
参照图1和2,将描述根据本发明的有源矩阵液晶显示器的一个模式。
注意到,在本发明中,晶体管并不总是必需的。因此,本发明也可以应用于所谓的无源矩阵显示器,无源矩阵显示器不具有晶体管。
本实施方式将描述一个示例,其中实施方式1或实施方式2所描述的结构或图中所示各组件组合而实现的结构都具有晶体管。
如图1所示,液晶元件的晶体管151和电极103形成于基板101之上。
晶体管151包括在栅极电极102和半导体层106之间的绝缘层105,并且是底部栅极晶体管,其中栅极电极102被设置在半导体层106的下方。栅极电极102是通过使用下列材料形成的,例如:金属,比如钼、铝、钨、钛、铜、银、或铬;将金属组合起来的合金,比如含铝和钕的材料;含金属和氮的材料;或者导电材料,比如金属氮化物,例如氮化钛、氮化钽、氮化钼等。注意到,栅极电极102可以是单层或多层。另外,绝缘层105是通过使用像氧化硅或氮化硅这样的绝缘材料来形成的。注意到,绝缘层105可以是单层或多层。此外,半导体层106是通过使用像硅或硅锗这样的半导体来形成的。这些半导体的晶体特性并不特别受限,并且可以是非晶或多晶的。
在半导体层106上,设置保护膜107以便覆盖半导体层106的一部分。此外,在半导体层106上,设置了引线108(108a,108b)和引线109(109a,109b)以便电连接到半导体层106。提供了保护膜107以便防止半导体层106在通过蚀刻形成引线108和109时被蚀刻,并且保护膜107是通过使用像氮化硅这样的绝缘材料而形成的。注意到,保护膜107也被称为沟道保护膜、沟道停止膜等。此外,包括这种保护膜107的晶体管被称为沟道保护晶体管。在引线108中,含赋予n型导电性的杂质的半导体层(下文中被称为n型导电层108a)和导电层108b被堆叠。通过使用像含磷、砷等杂质的硅这样的半导体,形成n型半导体层108a。另外,导电层108b是通过使用下列材料形成的,例如:钼、铝、钨、钛、银、铜、或铬;含铝和铷的合金;或导电材料,比如金属氮化物,例如氮化钛、氮化钽、氮化钼等。注意到,导电层108b可以是单层或多层。
液晶元件的电极103具有这样一种结构,其中导电层103a和导电层103b是堆叠的。为了透射来自背光源的光,导电层103a是用透光且导电的材料构成的,比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、或氧化锌。注意到,这些材料通常都被称为透射电极材料。除了透射电极材料以外,被形成为足够薄且通过包含杂质而具有导电性的硅膜也可以被用作导电层103a。设置导电层103b,是为了反射进入液晶显示器的光。在本实施方式的液晶显示器中,通过使用与栅极电极102相同的材料且与栅极电极102同时形成导电层103b。然而,并不总是要求栅极电极102和导电层103b都使用相同的材料来形成,它们可以在不同的步骤中用不同的材料来形成。
在液晶元件的晶体管151、引线108、引线109和电极103之上形成绝缘层110以便将它们覆盖。在绝缘层110之中设置接触孔。绝缘层110是通过使用像氧化硅、氮化硅、丙烯酸、或聚酰亚胺等绝缘材料构成的。注意到,绝缘层110可以是单层或多层。例如,当通过使用丙烯酸、聚酰亚胺等构成的层被设置在通过使用氧化硅和/或氮化硅而构成的层之上时,绝缘层110的平整性可以改进,并且可以防止液晶分子出现错乱对齐。绝缘层110上所设置的液晶元件的电极111通过绝缘层110中所设置的接触孔而电连接到引线109。此外,在绝缘层110上设置了对齐膜112。
作为绝缘层110,可以使用无机材料或有机材料。作为无机材料,可以使用氧化硅或氮化硅。作为有机材料,可以使用聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、苯并环丁烯、硅氧烷、或聚硅氨烷。硅氧烷包括用硅和氧的键形成的骨架结构。至少含氢的有机基团被用作取代基。或者,氟代基团可以被用作取代基。此外,氟代基团和至少含氢的有机基团可以被用作取代基。注意到,聚硅氧烷是通过将含硅氮键的聚合物材料用作起始材料而形成的。
最好将有机材料用于绝缘层,因为其表面的平整性可以得到提高。当无机材料被用于绝缘层时,其表面会遵循半导体层或栅极电极的表面形状。在这种情况下,通过使其变厚,可以使绝缘层变平整。
如上所述,用于驱动液晶显示器的电路被设置在基板101上。设置成面对着基板101的基板121具有遮光层122,该遮光层122与晶体管151重叠。遮光层122是通过使用下列材料形成的,例如:导电材料,比如钨、铬、或钼;硅化物材料,比如钨硅化物;或含黑色素或碳黑的树脂材料。另外,滤色片123被设置成与液晶元件的电极103和液晶元件的电极111相重叠。在滤色片123之上,进一步设置对齐膜124。在对齐膜124和滤色片123之间,设置了间隙调节膜126。
液晶层125被设置在基板101和基板121之间。液晶层125包括液晶分子,当施加电压使得在液晶元件的电极103和液晶元件的电极111之间产生电势差时,该液晶分子几乎平行于基板平面而旋转。另外,通过间隙调节膜126来调节透射部分161(其中通过来自背光源的光的透射而进行显示)中的液晶层125的厚度d1,使得该厚度d1大约是反射部分162(其中通过像阳光这样的外部光或来自前灯的光的反射而进行显示)中的液晶层125的厚度d2的两倍。如上所述,通过调节液晶层125的厚度,可以显示出高对比度的图像。通过使用透光树脂以便透射可见光,形成了间隙调节膜126。注意到,间隙调节膜126最好包含粒子129,粒子129用作散射材料以便防止因反射而导致的反射或者通过使光漫射而提高亮度(图13)。粒子129是通过使用透光树脂材料而形成的,该透光树脂材料的折射率不同于构成间隙调节膜126的基材(比如丙烯酸树脂)的折射率。当间隙调节膜126包含上述粒子129时,光被散射,显示图像的对比度和亮度可以提高。另外,偏振片127a和127b可以被分别设置在基板101和基板121之上。偏振片127a和127b被分别设置在基板101和基板121的侧面,这些侧面与带有液晶层125的侧面相对立。
图2显示出根据本发明的液晶显示器的顶视图。在图2中,虚线A-A′所表示的部分的横截面结构对应于参照图1所描述的横截面结构。注意到,在图2中,相同的标号被用于与图1相同的那些部分。
如图2清晰所示,栅极电极102是栅极线131的一部分。在栅极线131中,特别地,用作使晶体管151开关的电极的那一部分就是栅极电极102。另外,引线108是源极线133的一部分。从源极线133延伸以便与栅极线相交并电连接到晶体管151的半导体层106的那一部分就是引线109。公共引线132是电连接到液晶元件的电极103的引线,并且该引线使得液晶显示器中的多个像素中的液晶元件的电极103具有相同的电势。电连接到公共引线的液晶元件的电极103一般也被称为公共电极。另一方面,液晶元件的电极111的电势在任意时刻根据来自源极线的电势而变化,通常电极111被称为像素电极。在本实施方式中,导电层103a和导电层103b与栅极线131和公共引线132一起形成。注意到,液晶元件的导电层103a和电极111堆叠的那一部分以及液晶元件的导电层103b和电极111堆叠的那一部分都可以用作电容器。
在液晶显示器中,具有参照图1和2所描述的结构的多个像素排列成矩阵。每一个像素接收来自栅极线131和源极线133的信号。借助于该信号,晶体管被导通,此外,当在液晶元件的电极103和液晶元件的电极111之间产生电势差时(即,当产生水平电场时),液晶层125中所包含的液晶分子几乎平行于基板平面而旋转。液晶分子的旋转使光透射过液晶层125。然后,透射过每一个像素中的液晶层125的光被组合起来,由此显示出图像。
在图1和2中,显示出沟道保护晶体管的示例;然而,本发明并不限于此。没有沟道保护膜107的沟道蚀刻晶体管也是可以使用的。
在图1和2中,显示出底部栅极晶体管的示例;然而,本发明并不限于此。顶部栅极晶体管(包括平面晶体管)也是可以使用的。
注意到,实施方式1和实施方式2的描述可以自由地应用于本实施方式。
(实施方式4)
实施方式3显示出一个模式,其中液晶元件的电极103(所谓的像素电极)和液晶元件的电极111(所谓的公共电极)形成于不同的层中,通过晶体管151将来自源极线133的信号输入到电极103,电极111电连接到公共引线132。另一方面,本实施方式将参照图3和4描述一个模式,它包括液晶元件的一对电极被设置在同一层中的结构以及液晶元件的一对电极被设置在不同的层中的结构。注意到,图3是与图4的横截面结构相对应的横截面图,沿虚线B-B′截取的。
如图4清晰可见,在本实施方式中,公共引线232形成于与栅极线231相同的层中。注意到,公共引线232被设置在每一个像素中,并且该公共引线232都电连接到液晶元件的电极203和液晶元件的电极204。
如图4清晰可见,液晶元件的电极203和液晶元件的电极211是交替排列的。从图3的横截面图可以看到,液晶元件的电极211通过引线209电连接到晶体管251。另一方面,液晶元件的电极203通过引线234电连接到公共引线232。
与实施方式3所描述的晶体管151类似的是,晶体管251是底部栅极晶体管,其中绝缘层205被设置在栅极电极202上,并且半导体层206被进一步设置在绝缘层205上(图3)。晶体管251中所包括的半导体层206、绝缘层205和栅极电极202所用的材料都与实施方式3所描述的半导体层106、绝缘层105和栅极电极102所用的材料类似;因此,有关描述省略。
在本实施方式中,液晶元件的电极204(也用作反射膜)与晶体管251的栅极电极202同时形成。因此,在本实施方式中,液晶元件的电极204和栅极电极202是用同一材料构成的。注意到,并不总是要求液晶元件的电极204与栅极电极202和栅极线231同时形成。例如,液晶元件的电极204与引线208、引线209和源极线233同时形成。液晶元件的晶体管251和电极204是用带有接触孔的绝缘层210覆盖的。在绝缘层210上,形成了液晶元件的电极203和液晶元件的电极211,它们是用透光且导电的材料构成的。特别是,液晶元件的电极211通过接触孔和引线209而电连接到半导体层206。通过与电连接到液晶元件的电极211的那一侧相反的一侧上的引线208,半导体层206电连接到源极线233,栅极电极202插入其间。注意到,如图3所示,可以使用于覆盖晶体管251等的绝缘层210的表面平整化。用于使绝缘层210的表面平整化的方法并不特别受限,通过化学机械抛光方法(CMP)进行抛光,便可以使该表面平整化,或者通过利用液体的流动性的方法(其中通过旋转涂敷法涂敷液体树脂材料等)也可以使该表面平整化。若树脂材料或液晶层中包含会使晶体管性能下降的杂质,则为了防止杂质的扩散,最好在晶体管251和用树脂材料构成的绝缘层之间设置含氮化硅的绝缘层,由此防止杂质扩散到晶体管251中。
如图3和4清晰所示,设置液晶元件的电极204以便与液晶元件的电极211的一部分相重叠。因此,用这两个电极来形成电容器。该电容器对应于存储电容器并且可以存储图像信号。在不提供液晶元件的电极204的透射部分261中,通过来自背光源的光的透射进行显示。另一方面,在提供液晶元件的电极204的反射部分262中,通过液晶元件的电极204处的外部光(比如阳光)的反射,进行显示。
在液晶元件的电极203和211之上,设置对齐膜212。另外,基板221被设置成面对着基板201,液晶层225插入其间,基板201具有晶体管251、液晶元件的电极203、液晶元件的电极211等。与实施方式3所描述的基板121类似的是,基板221可以具有:遮光层222,它与晶体管251重叠;滤色片223,它被设置在透光的区域;间隙调节膜226,它被设置成与反射部分262重叠;以及对齐膜224,它被设置成使液晶分子对齐。在本实施方式中,通过间隙调节膜226来调节透射部分261中的液晶层225的厚度d1,使得该厚度d1几乎是反射部分262中液晶层225的厚度d2的两倍,在反射部分262中通过外部光(比如阳光)的反射进行显示。与实施方式1类似的是,间隙调节膜226可以包含用于使光散射的粒子。另外,偏振片227a和227b被分别设置在基板201和221之上。偏振片227a和227b被分别设置在基板201和221的侧面,这些侧面与具有液晶层225的侧面相对立。
在具有上述结构的液晶显示器中,当用来自栅极线231的信号输入使晶体管251导通时,源极线233的电势被传递到液晶元件的电极211。结果,在透射部分261中液晶元件的电极211和液晶元件的电极203之间产生了电势差,并且液晶层225中所包含的液晶分子几乎平行于基板平面而旋转。另外,在液晶元件的电极211和液晶元件的电极204之间产生了电势差,并且液晶层225中所包含的液晶分子几乎平行于基板平面而旋转。液晶分子的旋转使光透射过液晶层225。然后,在每一个像素中透射过液晶层225的光被组合起来,由此显示出图像。
在这种结构的情况下,在透射部分261中,没必要将公共电极全部形成于像素部分中。透射部分261中的公共电极是液晶元件的电极203,并且可以与液晶元件的电极211同时形成。因此,与公共电极全部形成于像素部分中的情况相比,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减少。
因为本实施方式与实施方式3相比仅仅是在液晶元件的电极这方面稍稍不同,实施方式1到实施方式3的描述可以应用于本实施方式且可以与本实施方式组合起来。
(实施方式5)
实施方式3和4描述了这样的液晶显示器,其中在面对着带有晶体管、引线、液晶元件的电极等的基板的那个基板上设置了间隙调节膜,并同样地,液晶层插入其间。本实施方式将参照图5和6描述这样一种模式,其中在带有晶体管、引线、液晶元件的电极等的基板上设置了间隙调节膜。注意到,图5是与图6的横截面结构相对应的横截面图,是沿虚线C-C’截取的。
另外,图1-4显示出底部栅极晶体管的情况;然而,本实施方式将描述顶部栅极晶体管的情况。
在图5中,晶体管351被设置在基板301上。晶体管351包括半导体层306、栅极电极302和绝缘层305,绝缘层305被设置在半导体层306和栅极电极302之间。在本实施方式中,晶体管351是顶部栅极晶体管,其中栅极电极302被设置在半导体层306之上。本发明所用的晶体管可以是如图1和3所示的顶部栅极晶体管或底部栅极晶体管。注意到,栅极电极302是从栅极线331延伸出来(如图6清晰所示)且电连接到栅极线331的那一部分。
晶体管351是用带有接触孔的绝缘层310覆盖的。在绝缘层310上,设置了引线308、引线309和导电层304。在本实施方式中,引线308、引线309和导电层304形成于同一步骤中。引线308是从源极线333延伸出来(如图6清晰所示)且电连接到源极线333。
作为间隙调节膜,设置了绝缘层326以便覆盖晶体管351并露出导电层304的边缘。在绝缘层326之上,液晶元件的电极311是通过使用透光且导电的材料构成的。如图6清晰所示,液晶元件的311也延伸到绝缘层310上的一部分(图中未示出),此处,没有设置导电层304和绝缘层326。除了液晶元件的电极311以外,液晶元件的电极303也被设置在绝缘层310之上。液晶元件的电极311和液晶元件的电极303是交替排列的。如图6清晰所示,液晶元件的电极303的一部分被堆叠在导电层304之上并且电连接到导电层304。此外,导电层304通过绝缘层310中所设置的接触孔而电连接到公共引线332,公共引线332被设置在与栅极线331同一层中。换句话说,液晶元件的电极303电连接到公共引线332。这样,导电层304用作反射膜以便通过进入液晶显示器的光的反射而进行显示,导电层304还用作引线以便将液晶元件的电极303和公共引线332电连接起来。
在液晶元件的电极303和液晶元件的电极311之上,设置了对齐膜312。此外,基板321被设置成面对着基板301,液晶层325插入其间,基板301具有晶体管351、液晶元件的电极303、液晶元件的电极311等。基板321具有遮光层322,遮光层322与下列重叠:晶体管351;在透光的区域中设置的滤色片323;以及被设置成使液晶分子对齐的对齐膜324。
通过绝缘层326来调节透射部分362(此处,通过来自背光源的光的透射进行显示)中的液晶层325的厚度d1,使得d1大约是反射部分361(此处,通过像阳光这样的外部光的反射进行显示)中的液晶层325的厚度d2的两倍。另外,偏振片327a和327b被分别设置在基板301和321之上。偏振片327a和327b被分别设置在基板301和321的侧面,与具有液晶层325的侧面相对立。
在具有上述结构的液晶显示器中,当用来自栅极线331的信号输入使晶体管351导通时,来自源极线333的信号被传递到液晶元件的电极311。结果,在透射部分362中在液晶元件的电极311和液晶元件的电极303之间产生了电势差,并且液晶层325中所包含的液晶分子平行于基板平面而旋转。另外,在反射部分361中在液晶元件的电极311和导电层304之间产生了电势差,并且液晶层325中所包含的液晶分子平行于基板平面而旋转。液晶分子的旋转使得光透射过液晶层325。然后,在每一个像素中透射过液晶层325的光被组合起来,由此显示出图像。
在这种结构的情况下,在透射部分362中,没有必要将公共电极全部形成于像素部分中。透射部分362中的公共电极是液晶元件的电极303,并且可以与液晶元件的电极311同时形成。因此,步骤数目可以减少,掩模(刻度片)数目可以减少。相应地,成本可以减少。
因为本实施方式与实施方式4的不同仅仅在于晶体管方面,所以实施方式1-4的描述都可以应用于本实施方式并且可以与本实施方式组合起来。
(实施方式6)
如实施方式3所描述的液晶显示器那样,液晶元件的电极(第一电极,来自源极线的电势被传递到该电极)和液晶元件的电极(第二电极,来自公共引线的电势被传递到该电极)可以被分别设置在不同的层中,绝缘层插入其间。或者如实施方式4所描述的液晶显示器那样,第一电极和第二电极可以被设置在同一绝缘层之上。此外,如本实施方式的液晶显示器那样,在通过光的反射进行显示的那一部分中,第一电极和第二电极可以被分别设置在不同的层中,绝缘层插入其间;而在通过光的透射进行显示的那一部分中,第一电极和第二电极可以被设置在同一绝缘层中。
参照图7和8,该实施方式将描述液晶显示器的一个模式,其中间隙调节膜被设置在液晶层一侧,并且在通过光的反射进行显示的那一部分和通过光的透射进行显示的那一部分中,向其传递源极线电势的液晶元件的电极以及向其传递公共引线电势的液晶元件的电极都形成于同一层中。注意到,图7是与图8的横截面结构相对应的横截面图,是沿虚线D-D′截取的。
在图7中,晶体管451被设置在基板401上。晶体管451包括半导体层406、栅极电极402以及绝缘层405,绝缘层405被设置在半导体层406和栅极电极402之间。在本实施方式中,与实施方式5类似的是,晶体管451是顶部栅极晶体管,其中栅极电极402被设置在半导体层406上。如图8清晰所示,栅极电极402是从栅极线431延伸并电连接到栅极线431的一部分。
晶体管451是用带有接触孔的绝缘层410覆盖的。在绝缘层410上,设置了引线408、引线409和导电层404。在本实施方式中,引线408、引线409和导电层404形成于同一步骤中。引线408是从源极线433延伸出来(如图8清晰所示)且电连接到源极线433的那一部分。注意到,导电层404被用作为反射膜,用于反射如阳光那样的外部光线。
作为间隙调节膜,设置了绝缘层426以便覆盖晶体管451和导电层404。在绝缘层426之上,设置了液晶元件的电极411。如图8清晰所示,液晶元件的的电极411也延伸到越过绝缘层410的一部分,此处,没有设置导电层404和绝缘层426。除了液晶元件的电极411以外,液晶元件的电极403也被设置在绝缘层410之上。液晶元件的电极411和液晶元件的电极403是交替排列的。此外,液晶元件的电极403通过绝缘层426中所设置的接触孔而电连接到公共引线432,公共引线432被设置在与源极线同一层中。另外,公共引线432被设置在每一个像素中,并且通过从液晶元件的电极403延伸出的且在源极线433上交叉的引线,像素中所设置的公共引线432彼此电连接。
在液晶元件的电极403和411之上,设置了对齐膜412。此外,基板421被设置成面对着基板401,液晶层425插入其间,基板401具有晶体管451、液晶元件的电极403、液晶元件的电极411等。类似于实施方式3中描述的基板121,基板421具有遮光层422,遮光层422与下列重叠:晶体管451;在透光的区域中设置的滤色片423;以及被设置成使液晶分子对齐的对齐膜424。
通过绝缘层426来调节透射部分462(此处,通过来自背光源的光的透射进行显示)中的液晶层425的厚度d1,使得d1大约是反射部分461(此处,通过像阳光这样的外部光的反射进行显示)中的液晶层425的厚度d2的两倍。另外,偏振片427a和427b被分别设置在基板401和421之上。偏振片427a和427b被分别设置在基板401和421的侧面,与具有液晶层425的侧面相对立。
在具有上述结构的液晶显示器中,当用来自栅极线431的信号输入使晶体管451导通时,来自源极线433的信号被传递到液晶元件的电极411。结果,在透射部分462中在液晶元件的电极411和液晶元件的电极403之间产生了电势差,并且液晶层425中所包含的液晶分子平行于基板平面而旋转。另外,在反射部分461中在液晶元件的电极411和导电层404之间产生了电势差,并且液晶层425中所包含的液晶分子平行于基板平面而旋转。液晶分子的旋转使得光透射过液晶层425。然后,在每一个像素中透射过液晶层425的光被组合起来,由此显示出图像。
(实施方式7)
如根据本发明的液晶显示器那样,当通过光的反射进行显示时,间隙调节膜可以包含用于使光散射的粒子。或者,通过提供一延迟器,其功能在于使穿过的光波长的相位延长四分之一波长,因光的反射而导致的反射可以得到抑制。本实施方式将参照图9描述具有延迟器的液晶显示器的一个模式。
图9显示出液晶显示器的一个模式,其中图1的液晶显示器还具有延迟器128a和128b。延迟器128a被设置在基板101和偏振片127a之间。另外,延迟器128b被设置在绝缘层110和对齐膜112之间,位于用作反射膜的导电层103b之上。
在透射部分161中,光进入基板101一侧,穿过液晶层125,并且被发射到基板121一侧,此处,光穿过延迟器128a和128b从而变成其相位被延迟了半个波长的光。另外,在通过光的反射进行显示的反射部分162中,光从基板121一侧进入,并且在导电层103b处发生反射,此处,光两次穿过延迟器128b(进入时和反射时)。因此,在反射部分162中,发射出其相位相对于入射光已延迟了半个波长的光。
通过上述结构,可以防止因反射而导致的反射以及对比度下降。注意到,延迟器并不限于被设置在如图1所示的液晶显示器中,还可以被设置在根据本发明的其它液晶显示器中。
(实施方式8)
实施方式3-7描述了这样的液晶显示器模式,其中用含粒子的间隙调节膜或延迟器来防止因光的反射而导致的反射。本实施方式将参照图10描述液晶显示器的模式,其中反射膜或用作反射膜的液晶元件的电极的表面是不平的,以便在将液晶显示器用作反射型显示器的情况下防止因光的反射而导致的反射或增大亮度。
图10显示出液晶显示器的模式,其中图3的液晶显示器还具有散射器228。散射器228具有一个带曲面的形状,该曲面朝着中心增大其厚度以便使光散射。这样,通过提供散射器228,可以防止因光的反射而导致的反射,可以显示出具有高对比度的图像,并且可以提高亮度。
(实施方式9)
实施方式3-8描述了这样的液晶显示器,其中滤色片被设置在不带晶体管等的基板上,液晶层插入其中。然而,滤色片或黑色矩阵也可以被设置在用于覆盖晶体管的绝缘层上。本实施方式将参照图11描述液晶显示器的一个模式,其中滤色片被设置在用于覆盖晶体管的绝缘层上。
图11显示出液晶显示器的一个模式,其中滤色片529被设置在液晶元件的电极503和液晶元件的电极511以及用于覆盖晶体管551的绝缘层510之间。在图11中,在绝缘层510中,除了滤色片529以外,还设置了与晶体管551重叠的遮光层530。
注意到,也可以只提供滤色片和遮光层之一。
滤色片529和遮光层530分别在不同的步骤中按某一间隔形成于绝缘层510之上。在没有滤色片529或遮光层530的那一部分中,接触孔被设置在绝缘层510中以到达晶体管。液晶元件的电极511覆盖了滤色片529和遮光层530的边缘,并且通过绝缘层510中所设置的接触孔而电连接到引线509。注意到,在如本实施方式中遮光层530与液晶元件的电极511相接触的情况下,遮光层530最好是用含黑色素的绝缘材料(比如树脂材料)来构成。另外,在用金属材料构成遮光层530的情况下,用于使遮光层530和液晶元件的电极511隔绝的绝缘层最好被设置于其间。
另外,如本实施方式中晶体管551和滤色片529被设置成紧密接触的情况下,利用氮化硅来形成绝缘层510以便防止滤色片中所包含的杂质扩散到晶体管551一侧。或者,例如,如图12所示,绝缘层510最好是包括绝缘层510a和510b的多层,它们中的至少一个是用氮化硅构成的。
如上所述,液晶显示器也可以具有这样的结构,其中滤色片529被设置在反射膜504或用作反射膜的导电层以及液晶层525之间。在通过光的反射进行显示的反射部分562中,从基板521一侧进入的光在反射膜504处发生反射,穿过滤色片529和液晶层525,并且从液晶显示器发射到外部。另外,在通过光的透射进行显示的透射部分561中,从基板501一侧进入的光穿过滤色片529和液晶层525,并且从液晶显示器中发射到外部。
注意到,图11的液晶显示器与图3的液晶显示器的不同之处仅在于带有滤色片和遮光层的那一部分,其它结构都与图3的液晶显示器类似。
因此,在像图1、3、5和7这样的各种情况下,都可以安排滤色片或遮光层(黑色矩阵)。
注意到,滤色片或遮光层(黑色矩阵)可以被设置成各种绝缘层或其一部分。
因此,实施方式1-8的描述可以应用于本实施方式并且可以与本实施方式组合起来。
(实施方式10)
如图2、4、6和8所示的顶视图显示出这样一种模式,其中液晶元件的电极(第一电极,来自源极线的电势被传递到该电极)和液晶元件的电极(第二电极,来自公共引线的电势被传递到该电极)中的至少一个是梳形的。然而,第一电极和第二电极的形状并不限于如图2、4、6和8所示那样。例如,它们可以是z字形或波形的。本实施方式将参照图14、15和91A-91D来显示液晶显示器的一个模式,该液晶显示器所具有的电极形状不同于如图2、4、6和8所示那样。
图14显示出液晶显示器的一个模式,其中液晶元件的电极211a(来自源极线的电势被传递到该电极)以及液晶元件的电极203a(来自公共引线的电势被传递到该电极)都是z字形的。注意到,尽管图14的液晶显示器的液晶元件的电极的形状不同于图4所示的液晶显示器,但是其它结构是类似的。
另外,图15显示出包括液晶元件的电极111a的液晶显示器的一个模式,它是狭缝形的并且具有多个开口,这些开口具有长且窄的形状。尽管本液晶显示器中的液晶元件的电极的形状不同于图2所示液晶显示器,但是其它结构是类似的。因此,从液晶元件的电极111a的开口处露出了导电层103a和导电层103b。
另外,也有可能使用如图91A-91D所示的形状。
在使用这种排列的情况下,在一个像素中,液晶分子的旋转方向可以随区域而变化。即,可以形成多畴(multi-domain)液晶显示器。多畴液晶显示器可以减小在以某一角度观看时无法准确地识别图像的可能性。
注意到,实施方式1-9的描述可以应用于本实施方式且与本实施方式组合起来。
(实施方式11)
除了实施方式1-10所描述的模式以外,本发明可以以各种模式来实现。图43-82将显示根据本发明的液晶显示器的各种模式。
图43-82中的每一个图都是一个用于具体显示实施方式1-10的描述的示例。该实施方式将描述一个示例,其中实施方式1-10所描述的结构或者通过图中所示组件的组合而实现的结构都具有晶体管。
注意到,在图43-82中,向其传递源极线电势的液晶元件的电极被称为像素电极4008,电连接到公共引线的液晶元件的电极被称为公共电极4019。另外,显示了反射公共电极4005(其构成材料与栅极电极4001相同)和引线4014(其构成材料与栅极电极相同)。另外,用于提供不平整性的散射体被称为用于不平整的凸起4007。晶体管的半导体层被称为a-Si(下文中被称为非晶半导体层)4002或p-Si(下文中被称为多晶半导体层)4013。此外,在形成栅极电极的步骤之后的一步骤中所设置的引线被称为第二引线4010。
图43显示出一个结构,其中晶体管和公共电极被设置在同一平面中。该晶体管包括在栅极电极4001和非晶半导体层4002之间的栅极绝缘层4003,并且是底部栅极晶体管,其中栅极电极4001被设置在非晶半导体层4002的下方。第二引线4010和4023形成于非晶半导体层4002之上。另外,用于不平整的凸起4007被设置在与栅极电极4004相同的平面中,并且透射公共电极4006是沿用于不平整的凸起4007形成的。在透射公共电极4006之上,形成了反射公共电极4005。换句话说,透射公共电极4006和反射公共电极4005被堆叠。透射公共电极是用像氧化铟锡(ITO)这样的材料构成的。反射公共电极4005是用与栅极电极4001相同的材料构成的。用氮化膜等在第二引线4010和4023、反射公共电极4005以及透射公共电极4006之上形成第一绝缘层4004并且覆盖它们。在第一绝缘层4004之上,用有机材料等形成第二绝缘层4009。第二绝缘层4009具有一开口,在该开口中在第一绝缘层4004之上,用像ITO这样的材料形成了像素电极4008。在除开口以外的区域中,像素电极4008形成于第二绝缘层4009之上。接触孔形成于第二绝缘层4009和栅极绝缘层4003中,以便露出第二引线4023,并且将像素电极4008和第二引线4023连接起来。反射公共电极4005或透射公共电极4006被安排在像素电极4008的下方,同时第二绝缘层4009、第一绝缘层4004、或栅极绝缘层4003插入其间。
图44显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在透射公共电极4006上,并且反射公共电极4005是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图43,因此有关描述被省去。
如图45所示,第二引线4012形成于栅极绝缘层4003上。在第二引线4012上,设置了用于不平整的凸起4007,反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的,并且形成透射公共电极4006以便与第二引线4012的一部分相重叠。其它结构类似于图43,因此有关描述被省略。
图46显示出一种顶部栅极晶体管,其中栅极电极4001被设置在多晶半导体层4013上。该晶体管包括多晶半导体层4013、栅极电极4001和栅极绝缘层4020,该栅极绝缘层4020被设置在多晶半导体层4013和栅极电极4001之间。用第一绝缘层4025来覆盖该晶体管。在第一绝缘层4025上,设置了用作信号线的第二引线4010、用第二引线构成的反射公共电极4016等。用于覆盖晶体管的第二绝缘层4026具有一开口,并且像素电极4008的一部分形成于第一绝缘层4025上。在第二绝缘层4026上,像素电极4008是用像氧化铟锡(ITO)这样的材料构成的。另外,用与栅极电极4001相同的材料构成的引线以及透射公共电极4015都形成于与栅极电极4001同一层中。注意到,透射公共电极4015是用多晶半导体或ITO构成的。在第一绝缘层4025中形成接触孔以便露出引线4014和透射公共电极4015。在接触孔中用与第二引线相同的材料来构成反射公共电极4016,由此将反射公共电极4016、引线4014和透射公共电极4015连接起来。像素电极4008通过第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中所形成的接触孔,连接到晶体管(多晶半导体层4013)。反射公共电极4016或透射公共电极4015被安排在像素电极4008的下方,同时第二绝缘层4026和/或绝缘层4025插入其间。
图47显示出一个结构,其中在第一绝缘层4025中形成多个接触孔以便在透射公共电极4015一侧露出引线4014和透射公共电极4015。用与第二引线相同的材料构成的反射公共电极4016形成于接触孔中,由此将引线4014和透射公共电极4015连接起来。反射公共电极4016的表面是不平的。注意到,利用第一绝缘层4025和第二绝缘层4026的材料差异,通过选择性蚀刻,可以形成一开口。或者,可以在第一绝缘层4025上形成氮化膜。其它结构类似于图46,由此有关描述被省略。
图48显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007形成于第二引线4012上,并且反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图46,有关描述被省略。
图49显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在第一绝缘层4025上,并且沿着用于不平整的凸起4007用与第二引线相同的材料来构成反射公共电极4016。其它结构类似于图46,有关描述被省略。
图50显示出一个结构,其中设置了第三层。在与多晶半导体层4013相同的平面中,用与栅极电极4001相同的材料来构成引线4014。第一绝缘层4025形成于晶体管和引线4014上,并且形成接触孔以便露出引线4014。第二引线4012连接到接触孔中的引线4014。在第一绝缘层4025上,形成透射公共电极4018以便与第二引线4012的一部分重叠。在晶体管和透射公共电极4018上,形成了第二绝缘层4026。在第二绝缘层4026中,形成接触孔,由此将用与第二引线相同的材料构成的反射公共电极4017与透射公共电极4018连接起来。在反射公共电极4017上,形成第三绝缘层4021。第三绝缘层4021具有一开口,并且像素电极4008的一部分形成于第二绝缘层4026之上。像素电极4008也在第三绝缘层4021之上形成。像素电极4008通过第三绝缘层4021、第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中形成的接触孔,连接到晶体管(多晶半导体层4013)。反射公共电极4017或透射公共电极4018被安排在像素电极4008的下方,第三绝缘层4021和/或第二绝缘层4026插入其间。
图51显示出一种结构,其中多个接触孔形成于第二绝缘层4026中以便在透射公共电极4018那一侧露出第二引线4012和透射公共电极4018。反射公共电极4017形成于接触孔中,由此将第二引线4012和透射公共电极4018连接起来。注意到,反射公共电极4017的表面是不平的。其它结构类似于图50等,由此有关描述被省略。
图52显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在导电层4027之上,并且反射公共电极4017是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。接触孔形成于第二绝缘层4026中以便露出透射公共电极4018,由此将导电层4027和透射公共电极4018连接起来。其它结构类似于图50等,由此有关描述被省略。
图53显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在第二绝缘层4026上,并且反射公共电极4017是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图50等,由此有关描述被省略。
图54显示出一个结构,其中在第一绝缘层4025中设置了一开口。在第一绝缘层4025中形成了接触孔以便露出用与栅极电极相同的材料构成的引线4014,由此将用与第二引线相同的材料构成的反射公共电极4016与引线4014连接起来。在与多晶半导体层4013相同的平面中(在第一绝缘层4025中的开口中)以及在第一绝缘层4025之上,形成反射公共电极4018,以便与反射公共电极4016的一部分重叠。在第一绝缘层4025和透射公共电极4018之上,形成了第二绝缘层4026。在第二绝缘层4026上,形成了像素电极4008。接触孔形成于第二绝缘层4026中以便露出晶体管的第二引线4023,由此将像素电极4008和第二引线4023连接起来。换句话说,像素电极4008通过第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中所形成的接触孔,连接到晶体管(多晶半导体层4013)。反射公共电极4016或透光公共电极4018被安排在像素电极4008的下方,同时第二绝缘层4026插入其间。其它结构类似于图46等,由此有关描述被省略。
图55显示出一个结构,其中多个接触孔形成于第一绝缘层4025中。反射公共电极4016形成于该开口中。注意到,反射公共电极4026的表面是不平的。其它结构类似于图54等,由此有关描述被省略。
图56显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在第二引线4012上,并且反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图54等,由此有关描述被省略。
如图57所示,用于不平整的凸起4007被设置在第一绝缘层4025上,并且第二引线4012是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图54等,由此有关描述被省略。
图58显示出一个结构,其中在第二绝缘层4026中设置了一开口。在与晶体管同一平面中,形成了引线4014。在晶体管和引线4014上,形成了第一绝缘层4025。在透射部分1002中的第一绝缘层4025上,形成了用ITO等构成的公共电极4019和像素电极4008。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列。此外,在透射部分1002中,公共电极4019没有排列在像素电极4008之下。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于第二绝缘层4026上。在反射部分1001中,反射公共电极4016被安排在像素电极4008的下方,同时第二绝缘层4026插入其间。在反射部分1001和透射部分1002中,接触孔形成于第一绝缘层4025中以露出引线4014。在反射部分1001中,反射公共电极4016形成于接触孔中,而在透射部分1002中,公共电极4019形成于接触孔中。像素电极4008通过第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中所形成的接触孔,连接到晶体管(多晶半导体层4013)。
图59显示出一个结构,其中多个接触孔形成于第一绝缘层4025中以便在反射部分1001一侧露出引线4014。反射公共电极4016是用与接触孔中的第二引线相同的材料构成的,由此将反射公共电极4016和引线4014连接起来。反射公共电极4016的表面是不平的。其它结构类似于图58等,由此有关描述被省略。
图60显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在第二引线4012上,并且反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图58等,由此有关描述被省略。
如图61所示,用于不平整的凸起4007被设置在第一绝缘层4025上,沿着用于不平整的凸起4007用第二引线来构成反射公共电极4016。其它结构类似于图58等,由此有关描述被省略。
图62显示出一个结构,其中设置了第三绝缘层4021。在与多晶半导体层4013相同的平面中,引线4014是用与栅极电极相同的材料构成的。在晶体管和引线4014上,形成了第一绝缘层4025,并且形成接触孔以便露出引线4014。第二引线4012形成于接触孔中以便连接到引线4014。在晶体管和第二引线4012上,形成了第二绝缘层4026。在第二绝缘层4026中,在反射部分1001和透射部分1002中形成了接触孔。反射公共电极4017形成于反射部分1001中的接触孔中,而公共电极4019则形成于透射部分1002中的接触孔中。第三绝缘层4021形成于反射公共电极4017上。第三绝缘层4021具有一开口,并且像素电极4008的一部分和公共电极4019的一部分形成于第二绝缘层4026上。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列。此外,在透射部分1002中,公共电极4019没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于第三绝缘层4021上。在反射部分1001中,反射公共电极4017被安排在像素电极4008的下方,第三绝缘层4021插入其间。像素电极4008通过第三绝缘层4021、第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中形成的接触孔,连接到晶体管(多晶半导体层4013)。
图63显示出一个结构,其中多个接触孔形成于第二绝缘层4026中以便露出第二引线4012。反射公共电极4017形成于接触孔中,由此将反射公共电极4017和第二引线4012连接起来。反射公共电极4017的表面是不平的。其它结构类似于图62等,由此有关描述被省略。
图64显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在公共电极4019上,并且反射公共电极4017是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。其它结构类似于图62等,由此有关描述被省略。
如图65所示,用于不平整的凸起4007被设置在第二绝缘层4026上,沿着用于不平整的凸起4007用第二引线来构成反射公共电极4017。其它结构类似于图62等,由此有关描述被省略。
图66显示出一个结构,其中在反射部分1001中,多个接触孔被设置在第二绝缘层4026中,并且形成了用于FFS的反射公共电极4022。注意到,反射公共电极4022的表面是不平的。第三绝缘层4021形成于反射公共电极4022上,接触孔被设置在反射部分1001和透射部分1002中。另外,在透射部分1002中,像素电极4008和公共电极4019形成于第三绝缘层4021上,由此通过接触孔将公共电极4019和反射公共电极4022连接起来。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列。此外,在透射部分1002中,公共电极4019没有被安排在像素电极4008下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于第三绝缘层4021之上。在反射部分1001中,反射公共电极4022被安排在像素电极4008的下方,第三绝缘层4021插入其中。通过第三绝缘层4021、第二绝缘层4026和第一绝缘层4025中形成的接触孔,像素电极4008连接到晶体管(多晶半导体层4013)。其它结构类似于图62等,由此有关描述被省略。
图67显示出一个结构,其中导电层4027形成于反射部分1001中的第二绝缘层4026上。用于不平整的凸起4007被设置在导电层4027上,并且反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。另外,在透射部分1002中,像素电极4008和公共电极4019形成于第三绝缘层4021上,由此通过接触孔将公共电极4019和反射电极4011连接起来。其它结构类似于图62、66等,由此有关描述被省略。
图68显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007被设置在反射部分1001中的第二绝缘层4026上。反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。另外,在透射部分1002中,像素电极4008和公共电极4019形成于第三绝缘层4021上,由此通过接触孔将公共电极4019和反射电极4011连接起来。其它结构类似于图62、66等,由此有关描述被省略。
图69显示出一个结构,其中在透射部分1002中,一开口形成于绝缘层4028和栅极绝缘层4003中。在透射部分1002中,在用与栅极电极和栅极绝缘层4003相同的材料构成的引线4014上,设置了一个开口以便露出用与第二引线相同的材料构成的反射公共电极4016的一部分。形成公共电极4019,使得它与引线4014和反射公共电极4016接触,它们是部分露出的。另外,在与栅极电极4001相同的平面中,形成了像素电极4008和公共电极4019。绝缘层4028形成于第二引线4010和反射公共电极4016上并且覆盖它们。接触孔形成于绝缘层4028中以便露出第二引线4023,由此将绝缘层4028上所形成的像素电极4008与第二引线4023连接起来。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4018是交替排列的。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于绝缘层4028上。在反射部分1001中,反射公共电极4016被安排在像素电极4008的下方,绝缘层4028插入其间。其它结构类似于图43等,由此有关描述被省略。
图70显示出一个结构,其中多个引线4014形成于反射部分1001中。在透射部分1002中,在用与栅极电极和栅极绝缘层4003相同的材料构成的引线4014上,提供一开口以便露出用与第二引线相同的材料构成的反射公共电极4016的一部分。注意到,反射公共电极4016的表面是不平的。形成公共电极4019以便与引线4014和反射公共电极4016接触,它们是部分露出的。另外,在与栅极电极4001相同的平面中,形成了像素电极4008和公共电极4019。其它结构类似于图43、69等,由此有关描述被省略。
图71显示出一个结构,其中在透射部分1002中引线4014形成于与栅极电极4001相同的平面中。在反射部分1001中,在栅极绝缘层4013上用与第二引线相同的材料构成反射公共电极4016,形成栅极绝缘层4013是为了覆盖栅极电极4001和引线4014。在反射公共电极4016上,形成了第一绝缘层4004并且提供了多个接触孔。在第一绝缘层4004上,形成公共电极4019以便通过接触孔将反射公共电极4016和引线4014连接起来。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列在第一绝缘层4004上。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,反射公共电极4016被安排在像素电极4008的下方,同时第二绝缘层4009、第一绝缘层4004等插入其间。其它结构类似于图43、69等,由此有关描述被省略。
图72显示出一个结构,其中多个引线4014形成于与栅极电极4001相同的平面中。在栅极绝缘层4003(形成它是为了覆盖栅极电极4001和引线4014)上,用与反射部分1001中的第二引线相同的材料来构成反射公共电极4016。注意到,反射公共电极4016的表面是不平的。在反射公共电极4016上,形成第一绝缘层4004,并且提供了多个接触孔。在第一绝缘层4004上,形成了公共电极4019以便通过接触孔将反射公共电极4016和引线4014连接起来。其它结构类似于图43、71等,由此有关描述被省略。
图73显示出一个结构,其中引线4014被设置在与栅极电极4001相同的平面中。在栅极绝缘层4003(形成它是为了覆盖栅极电极4001和引线4014)上,用与反射部分1001中的第二引线相同的材料来构成反射公共电极4016。在反射公共电极4016上,形成了绝缘层4028,并提供了多个接触孔。在绝缘层4028上,形成了公共电极4019以便通过接触孔将反射公共电极4016和引线4014连接起来。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列在绝缘层4028上。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于绝缘层4028上。在反射部分1001中,反射公共电极4016被安排在像素电极4008的下方,同时绝缘层4028插入其间。其它结构类似于图43、69等,由此有关描述被省略。
图74显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007形成于第二引线4012上。在在栅极绝缘层4003(形成它是为了覆盖栅极电极4001和引线4014)上,第二引线4012形成于反射部分1001中。用于不平整的凸起4007形成于第二引线4012上,反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007而形成的。另外,在第二引线4012上,形成了第一绝缘层4004,并且提供了多个接触孔。在第一绝缘层4004上,形成了公共电极4019,以便通过接触孔将第二引线4012和引线4014连接起来。其它结构类似于图43、71等,由此有关描述被省略。
图75显示出一个结构,其中多个引线4014形成于反射部分1001中。在栅极绝缘层4003(形成它是为了覆盖栅极电极4001和引线4014)上,用与反射部分1001中的第二引线相同的材料来构成反射公共电极4016。注意到,因为多个引线4014形成于反射公共电极4016的下方,所以反射公共电极4016具有不平的形状。在反射公共电极4016上,形成了绝缘层4028,并且提供了多个接触孔。在绝缘层4028上,形成公共电极4019,以便通过接触孔将反射公共电极4016和引线4014连接起来。其它结构类似于图43、73等,由此有关描述被省略。
图76显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007形成于第二引线4012上,并且反射电极4011是沿着用于不平整的凸起4007形成的。另外,在反射部分1001中,在栅极绝缘层4003(形成该层是为了覆盖栅极电极4001和引线4014)上,反射电极4011是用第二引线构成的。在反射电极4011上,形成绝缘层4028,并且提供多个接触孔。在绝缘层4028上,形成公共电极4019以便通过接触孔将反射电极4011和引线4014连接起来。其它结构类似于图43、73等,由此有关描述被省略。
图77显示出一个结构,其中在透射部分1002中,反射公共电极4024形成于与栅极电极4001相同的平面中。在绝缘层4028和栅极绝缘层4003中形成一开口以便露出反射公共电极4024的一部分。像素电极4008和公共电极4019形成于与栅极电极4001相同的平面中,并且形成公共电极4019的一部分以便与反射公共电极4024的一部分重叠。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于绝缘层4028之上。在反射部分1001中,反射公共电极4024被安排在像素电极4008的下方,同时绝缘层4028和栅极绝缘层4003被插入其间。其它结构类似于图43、69等,由此有关描述被省略。
图78显示出一个结构,其中在与栅极电极4001相同的平面中设置了用于不平整的凸起4007。在用于不平整的凸起4007上,反射公共电极4024是沿着用于不平整的凸起4007形成的。然后,在绝缘层4028中设置一开口,以便露出反射公共电极4024的一部分。像素电极4008和公共电极4019形成于与栅极电极4001同平面中,并且形成公共电极4019的一部分以便与反射公共电极4024的一部分重叠。其它结构类似于图43、77等,由此有关描述被省略。
图79显示出一个结构,其中在透射部分1002中,像素电极4008和公共电极4019形成于栅极绝缘层4003之上。反射公共电极4024形成于与栅极电极4001同一平面中,并且栅极绝缘层4003形成于反射公共电极4024之上。在透射部分1002中,在栅极绝缘层4003中设置接触孔以便露出反射公共电极4024,由此将公共电极4019和反射公共电极4024连接起来。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列在栅极绝缘层4003之上。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于绝缘层4028之上。在反射部分1001中,反射公共电极4024被安排在像素电极4008的下方,同时绝缘层4028和栅极绝缘层4003被插入其间。其它结构类似于图43、77等,由此有关描述被省略。
图80显示出一个结构,其中用于不平整的凸起4007形成于与栅极电极4001相同的平面中。反射公共电极4024是沿着用于不平整的凸起4007形成的。在反射公共电极4024上,形成了栅极绝缘层4003。然后,在透射部分中,在栅极绝缘层4003中设置了接触孔以便露出反射公共电极4024,由此将公共电极4019和反射公共电极4024连接起来。其它结构类似于图79等,由此有关描述被省略。
图81显示出一个结构,其中在透射部分1002中,像素电极4008和公共电极4019形成于绝缘层4028之上。在绝缘层4028和栅极绝缘层4003中设置了接触孔,由此露出与栅极电极形成于同一平面中的反射公共电极4024。在接触孔中,公共电极4019和反射公共电极4024彼此相连。在透射部分1002中,公共电极4019和像素电极4008交替排列在绝缘层4028上。此外,在透射部分1002中,公共电极没有被安排在像素电极4008的下方。另一方面,在反射部分1001中,像素电极4008形成于绝缘层4028上。在反射部分1001中,反射公共电极4024被安排在像素电极4008的下方,同时绝缘层4028和栅极绝缘层4003插入其间。其它结构类似于图43、73等,由此有关描述被省略。
图82显示出一个结构,其中在反射部分1001中,用于不平整的凸起4007被设置在与栅极电极4001相同的平面中,并且反射公共电极4024是沿着用于不平整的凸起4007形成的。在绝缘层4028中设置了接触孔,由此露出了与栅极电极4001形成于同一平面中的反射公共电极4024。在接触孔中,公共电极4019和反射公共电极4024彼此相连。其它结构类似于图43、81等,由此有关描述被省略。
图43-82都具有一个特征,在反射电极下方一接触孔或与接触孔类似的孔被设置在绝缘膜中,由此使反射电极的表面不平。在这种情况下,为使反射电极表面不平整的附加处理过程不再是必需的。
注意到,在图43-82中,在一些情况下,栅极绝缘层4020仅被示出在栅极电极的下方;然而,本发明并不限于此。栅极绝缘层可以被安排在整个表面之上,可以仅被安排在栅极电极的下方,或者可以在栅极电极下方或周围较厚且在其它区域中较薄。
图43-82示出了晶体管是顶部栅极类型的情况,但是顶部栅极晶体管也可以改变为底部栅极晶体管。
注意到,实施方式1-10的描述可以应用于本实施方式且与本实施方式组合起来。
(实施方式12)
参照顶视图2、4、6、8、14和15,描述根据本发明的液晶显示器中所包括的像素结构。如图16的电路所示,一引线被引入像素部分中。可以允许有一种与图2、4、6、8、14和15所示不同的的模式,只要它不背离本发明的目的和范围。参照图16,将描述根据本发明的液晶显示器的像素电路。
在图16中,栅极线7001与源极线7002相交。另外,公共引线7003a和7003b是垂直地和水平地引导的。栅极线7001连接到晶体管7004的栅极电极。另外,源极线7002连接到晶体管7004的源极(或漏极)电极。注意到,当液晶显示器是AC驱动液晶显示器时,晶体管7004的源极电极和漏极电极是根据源极线7002所传递的电势而切换的;因此,在本实施方式中,该电极被称为源极(或漏极)电极。液晶元件CLC被设置在晶体管7004的源极(或漏极)电极与公共引线7003a之间。当晶体管7004被导通时,源极线7002的电势被传递到液晶元件CLC,而当晶体管7004被截止时,源极线7002的电势没有被传递到液晶元件CLC。在即使晶体管7004被截止且源极线7002的电势没有被传递到液晶元件CLC时仍期望光穿过液晶层的情况下,电容器CS最好与液晶元件CLC并行地被提供。当电容器存储电压时,即使当晶体管7004被截止时光也可以穿过液晶层。
图92A显示出本实施方式中所描述的显示器的顶视图。图92B显示出与图92A的线K-L相对应的横截面图。图92A和92B所示显示器包括外部终端连接区域852、密封区域853以及包括信号线驱动电路的扫描线驱动器电路854。
在本实施方式中,图92A和92B所示显示器包括基板801、薄膜晶体管827、薄膜晶体管829、薄膜晶体管825、密封剂834、对置基板830、对齐膜831、对置电极832、间隔物833、偏振片835a、偏振片835b、第一终端电极层838a、第二终端电极层838b、各向异性导电层836以及FPC837。显示器还包括外部终端连接区域852、密封区域853、扫描线驱动器电路854、像素区域856和信号线驱动器电路857。
在基板801上所形成的像素区域856和扫描线驱动器电路854的周围,设置了密封剂834。对置基板830被设置在像素区域856和扫描线驱动器电路854之上。因此,像素区域856和扫描线驱动器电路854以及液晶材料被基板801、密封剂834和对置基板830密封住。
基板801上所形成的像素区域856和扫描线驱动器电路854包括多个薄膜晶体管。在图92B中,像素区域856中所包括的薄膜晶体管825是作为示例示出的。
注意到,实施方式1-11的描述也可以应用于本实施方式并且和本实施方式组合起来。
(实施方式13)
图17A和17B显示出实施方式1-12中所描述的包括根据本发明的液晶显示器的模块的模式。像素部分930、栅极驱动器920和源极驱动器940被设置在基板900上。通过柔性印刷电路960,从集成电路950向栅极驱动器920和源极驱动器940输入一信号。根据所输入的信号,在像素部分930中显示一图像。
注意到,实施方式1-12的描述也可以应用于本实施方式并且和本实施方式组合起来。
(实施方式14)
本实施方式将描述液晶元件的电极10的细节。图94显示出横截面图的一个示例。注意到,除液晶元件的电极10以外,液晶元件的电极还可以具有各种模式,并且没有显示在图94中,而是可以按任何方式来安排。
另外,在具有液晶元件的电极10的基板一侧,形成了绝缘层13,该绝缘层13是一个用于调节液晶层15的厚度的膜;然而,本发明并不限于此。用于调节液晶层15的厚度的绝缘层13也可以被安排在对置基板一侧。此外,作为一个用于调节液晶层15的厚度的膜的绝缘层13形成于液晶元件的电极10的下方;然而,本发明并不限于此。绝缘层13,用作为调节厚度的膜,也可以被安排在液晶元件的电极10之上。
注意到,作为液晶元件的电极10的替代,也可以局部安排液晶元件的电极12。
此处,将描述各电极之间的间隔。如图94所示,将透射部分1002中的液晶元件的各电极10之间的间隔9972与被安排在透射部分1002和反射部分1001的边界处(即绝缘层13的边界处)的液晶元件的各电极10之间的间隔9971进行比较。间隔9971可以几乎等于或长于间隔9972。较佳地,在像素中,间隔9971几乎等于或长于间隔9972的区域比间隔9971短于间隔9972的区域要多。同样也是较佳地,在像素中,间隔9971长于间隔9972的区域比间隔9971短于间隔9972的区域要多2倍或3倍。
在绝缘层13的边界处,液晶分子的对齐方式是错乱的。因此,当使间隔9971很长从而不容易接收电场时,像旋转位移这样的对齐方式缺陷可以减少。
类似的是,较佳地,间隔9971几乎等于或长于反射部分1001中的液晶元件的各电极10之间的间隔9970。
接下来,将透射部分1002中的液晶元件的各电极10之间的间隔9972与反射部分1001中的液晶元件的各电极10之间的间隔9970进行比较。间隔9970可以几乎等于或长于间隔9972。较佳地,在像素中,间隔9970几乎等于或长于间隔9972的区域比间隔9970短于间隔9972的区域要多。更佳地,在像素中,间隔9970长于间隔9972的区域比间隔9970短于间隔9972的区域要多2倍或3倍。
在反射部分1001中,液晶层的厚度即单元间隙是较薄的。因此,加到液晶分子上的电场可以低于透射部分1002中的情况。
接下来,将描述绝缘层13(它是一个用于调节液晶层15的厚度的膜)的边界和液晶元件的电极10的安排情况。在绝缘层13的边界处,液晶分子的对齐方式有可能是错乱的。因此,为了尽可能减少错乱的对齐方式,绝缘层13的边界和液晶元件的电极10最好排列成几乎平行或几乎垂直。
图96A和96B显示出一个情况,其中绝缘层13的边界与液晶元件的电极10排列成几乎平行。图96A显示出横截面图,图96B显示出平面图。这样,通过几乎平行的安排,液晶分子的错乱排列可以减少。
注意到,“几乎平行”还包括其角度使液晶分子的错乱排列不具有很大影响的差异。因此,例如,绝缘层13的边界的切线与液晶元件的电极10之间的角最好介于-10到+10度,介于-5到+5度之间更佳。
即使当如图96A和96B所示那样绝缘层13的边界与液晶元件的电极10排列成几乎平行时,也可以有如图95所示的区域,其中因各电极的连接而使液晶元件的电极10被安排在绝缘层13的边界之上。
然后,图97A和97B显示出绝缘层13的边界与液晶元件的电极10被安排成几乎垂直的情况。图97A显示出横截面图,而图97B显示出平面图。这样,通过几乎垂直的安排,液晶分子的错乱对齐方式可以减少。
注意到,“几乎垂直”还包括其角度使液晶分子的错乱排列不具有很大影响的差异。因此,例如,绝缘层13的边界的切线与液晶元件的电极10之间的角最好介于80到110度,介于85到105度之间更佳。
注意到,实施方式1-13的描述可以应用于本实施方式并且与本实施方式组合起来。
(实施方式15)
参照图19A-19H,将描述一种在显示部分中包括根据本发明的液晶显示器的电子设备。图19A显示出一个电视机,它包括外壳2001、支撑基座2002、显示部分2003、扬声器部分2004、视频输入端2005等。显示部分2003包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19B显示出照相机,该照相机包括主体2101、显示部分2102、图像接收部分2103、操作按键2104、外部连接端口2105、快门2106等。显示部分2102包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19C显示出一个计算机,它包括主体2201、外壳2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、定点鼠标2206等。显示部分2203包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19D显示出一个信息终端,它包括主体2301、显示部分2302、开关2303、操作按键2304、红外端口2305等。显示部分2302包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19E显示出一个DVD再现设备,它包括主体2401、外壳2402、显示部分A2403、显示部分B2404、记录介质读取部分2405、操作按键2406、扬声器部分2407等。显示部分A2403和显示部分B2404包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19F显示出一个电子书,它包括主体2501、显示部分2502、操作按键2503等。显示部分2502包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19G显示出一个图像拾取设备,它包括主体2601、显示部分2602、外壳2603、外部连接端口2604、远程控制接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、音频输入部分2608、操作按键2609等。显示部分2602包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。图19H显示出一个电话,它包括主体2701、外壳2702、显示部分2703、音频输入部分2704、音频输出部分2705、操作按键2706、外部连接部分2707、天线2708等。显示部分2703包括实施方式1-14中所描述的根据本发明的液晶显示器。
如上所述,通过将根据本发明的液晶显示器并入显示部分中,便完成了根据本发明的电子设备。根据本发明的电子设备可以显示出在室内和室外都很好的图像。特别是,常常用在室内和室外的电子设备(比如照相机或图像拾取设备)具有如下优点:在室内和室外视角都很宽且与观看显示屏的角度有关的色移很小。
注意到,实施方式1-14的描述可以应用于本实施方式且与本实施方式组合。
本申请基于2005年12月5日提交到日本专利局的日本专利申请2005-350198,其全部内容引用在此作为参考。

Claims (22)

1.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分和第二部分,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
调节层,在所述第一绝缘层之上,所述调节层为绝缘层;
所述第二电极,在所述调节层之上;以及
所述液晶层,在所述第二电极之上,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极和所述第三电极被分开提供,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间。
2.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分、第二部分、晶体管、在所述晶体管上并连接于该晶体管的源极布线和漏极布线、以及第一绝缘层,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
所述第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
调节层,在所述第一绝缘层之上,所述调节层为绝缘层;
所述第二电极,在所述调节层之上;以及
所述液晶层,在所述第二电极之上,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极的一部分和所述第三电极的一部分是堆叠的且相互接触,
其中所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面上,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间,并覆盖所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极中的每一个。
3.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分和第二部分,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;
调节层,在所述第二电极之上,所述调节层为绝缘层;以及
所述液晶层,在所述调节层之上,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极和所述第三电极被分开提供,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间。
4.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分、第二部分、晶体管、在所述晶体管上并连接于该晶体管的源极布线和漏极布线、以及第一绝缘层,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
所述第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;
调节层,在所述第二电极之上,所述调节层为绝缘层;以及
所述液晶层,在所述调节层之上;
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极的一部分和所述第三电极的一部分是堆叠的且相互接触,
其中所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面上,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间,并覆盖所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极中的每一个。
5.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分和第二部分,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;
所述液晶层,在所述第二电极之上;以及
调节层,在所述液晶层之上,所述调节层为绝缘层,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极和所述第三电极被分开提供,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间。
6.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分、第二部分、晶体管、在所述晶体管上并连接于该晶体管的源极布线和漏极布线、以及第一绝缘层,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
所述第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;
所述液晶层,在所述第二电极之上;以及
调节层,在所述液晶层上,所述调节层为绝缘层,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极的一部分和所述第三电极的一部分是堆叠的且相互接触,
其中所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面上,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间,并覆盖所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极中的每一个。
7.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分和第二部分,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
所述液晶层,在所述第二电极之上,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极和所述第三电极被分开提供,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间。
8.一种液晶显示器,包括基板和对置基板之间的多个像素,每个像素包括第一部分、第二部分、晶体管、在所述晶体管上并连接于该晶体管的源极布线和漏极布线、以及第一绝缘层,
所述第一部分包括:
第一电极,具有透光性,
所述第一绝缘层,在所述第一电极之上;
第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
液晶层,在所述第二电极之上,
所述第二部分包括:
第三电极,能够反射光;
所述第一绝缘层,在所述第三电极之上;
所述第二电极,在所述第一绝缘层之上;以及
所述液晶层,在所述第二电极之上,
其中所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面内,
其中所述第一电极的一部分和所述第三电极的一部分是堆叠的且相互接触,
其中所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极形成在相同平面上,且
其中所述第一绝缘层插入在所述第二电极与所述第一电极以及所述第二电极与所述第三电极之间,并覆盖所述源极布线、所述漏极布线、所述第一电极和所述第三电极中的每一个。
9.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第一电极具有平面形状。
10.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第一电极具有含狭缝或间隙的梳形。
11.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第二电极反射光。
12.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第二电极透射光。
13.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第二电极具有梳形。
14.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第三电极具有平的表面。
15.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第三电极具有不平的表面。
16.如权利要求1到8任一项所述的液晶显示器,其特征在于,
在所述第三电极之下设置散射器;以及
其中所述第三电极具有不平的表面。
17.如权利要求2、4、6和8中任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第一电极和所述第三电极彼此电连接。
18.如权利要求2、4、6、8中任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第一电极的那部分堆叠在所述第三电极的那部分上。
19.如权利要求2、4、6、8中任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述第一电极的那部分堆叠在所述第三电极的那部分之下。
20.如权利要求2、4、6、8中任一项所述的液晶显示器,其特征在于,
所述第一电极的那部分和所述第三电极的那部分分别是所述第一电极和所述第三电极的边缘部;以及
其中所述第一电极的那部分堆叠在所述第三电极的那部分上。
21.如权利要求2、4、6、8中任一项所述的液晶显示器,其特征在于,
所述第一电极和所述第三电极形成在所述晶体管的栅极绝缘层上。
22.如权利要求1到6任一项所述的液晶显示器,其特征在于,所述调节层几乎没有折射率各向异性。
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Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4550551B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
WO2007015458A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器
US20120236242A1 (en) * 2005-09-15 2012-09-20 Ong Hiap L Liquid Crystal Displays Having Pixels with Embedded Fringe Field Amplifiers
US20120236241A1 (en) * 2005-09-15 2012-09-20 Ong Hiap L Liquid Crystal Displays Having Pixels with Embedded Fringe Field Amplifiers
TWI483048B (zh) * 2005-10-18 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
CN102331639A (zh) * 2005-12-05 2012-01-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
EP2270583B1 (en) 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
CN101395525B (zh) 2006-03-23 2010-11-10 夏普株式会社 液晶显示装置
JP5278720B2 (ja) * 2006-03-27 2013-09-04 Nltテクノロジー株式会社 液晶パネル、液晶表示装置及び端末装置
JP4747911B2 (ja) * 2006-03-30 2011-08-17 ソニー株式会社 液晶パネル用アレイ基板および液晶パネルならびにこれらの製造方法
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
TWI752316B (zh) * 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8106865B2 (en) 2006-06-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US7847904B2 (en) 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US8189141B2 (en) 2006-06-02 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2008001595A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides et procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides
JP4285516B2 (ja) * 2006-09-06 2009-06-24 ソニー株式会社 液晶表示装置および電子機器
EP2063313A4 (en) 2006-09-12 2011-08-17 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL HAVING A MICROLENS MATRIX, METHOD FOR MANUFACTURING THE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JP4866703B2 (ja) * 2006-10-20 2012-02-01 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP5216204B2 (ja) 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
US8421967B2 (en) 2006-12-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device
JP4488001B2 (ja) * 2006-12-20 2010-06-23 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US8289461B2 (en) * 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP4858187B2 (ja) * 2007-01-25 2012-01-18 ソニー株式会社 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器
EP2124094A4 (en) * 2007-01-31 2011-09-07 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
KR20080088024A (ko) * 2007-03-28 2008-10-02 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계형 액정표시패널 및 그 제조 방법
US8659726B2 (en) * 2007-04-13 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
WO2009001508A1 (ja) 2007-06-26 2008-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
KR20090003884A (ko) * 2007-07-05 2009-01-12 삼성전자주식회사 편광판 및 이를 갖는 액정 표시 장치
US7738050B2 (en) * 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
JP4799505B2 (ja) * 2007-08-03 2011-10-26 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2009042292A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101448903B1 (ko) * 2007-10-23 2014-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제작방법
JP5380037B2 (ja) 2007-10-23 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5357493B2 (ja) * 2007-10-23 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5427390B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101392741B1 (ko) * 2007-10-29 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 패널
JP5151408B2 (ja) * 2007-11-08 2013-02-27 Nltテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
KR20090054210A (ko) * 2007-11-26 2009-05-29 삼성전자주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US8390772B2 (en) * 2007-11-28 2013-03-05 Sony Corporation Liquid crystal display device
KR101446249B1 (ko) 2007-12-03 2014-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
EP2232561A4 (en) * 2007-12-03 2015-05-06 Semiconductor Energy Lab METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY ARRANGEMENT
US8035107B2 (en) * 2008-02-26 2011-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
CN101939694B (zh) 2008-02-27 2014-01-29 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及其制造方法以及电子装置
US8101442B2 (en) * 2008-03-05 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing EL display device
US7749820B2 (en) * 2008-03-07 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7989275B2 (en) * 2008-03-10 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7883943B2 (en) 2008-03-11 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
JP2009258332A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Seiko Epson Corp 液晶表示装置、電子機器
US7985605B2 (en) 2008-04-17 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR20090127535A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 삼성전자주식회사 표시기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시패널
US7790483B2 (en) * 2008-06-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof
US20100138765A1 (en) * 2008-11-30 2010-06-03 Nokia Corporation Indicator Pop-Up
TWI633371B (zh) 2008-12-03 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI475616B (zh) 2008-12-26 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8207026B2 (en) * 2009-01-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device
JP5553513B2 (ja) * 2009-02-09 2014-07-16 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
US9612489B2 (en) * 2009-02-13 2017-04-04 Apple Inc. Placement and shape of electrodes for use in displays
JP5503995B2 (ja) * 2009-02-13 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7989234B2 (en) 2009-02-16 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
US8202769B2 (en) * 2009-03-11 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5539765B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
EP2234100B1 (en) * 2009-03-26 2016-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101256545B1 (ko) 2009-08-05 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치
US8547513B2 (en) * 2010-08-10 2013-10-01 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
WO2012077602A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 シャープ株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板
KR101726739B1 (ko) * 2010-12-21 2017-04-14 삼성디스플레이 주식회사 터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널
WO2012111581A1 (en) 2011-02-18 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP6076038B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR20140096384A (ko) 2011-11-28 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102636921A (zh) * 2011-12-01 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板及显示设备
CN102651342B (zh) * 2012-03-13 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102937764B (zh) * 2012-10-17 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法
US20150301412A1 (en) * 2012-10-23 2015-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP6096013B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR102141459B1 (ko) 2013-03-22 2020-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN103207474B (zh) * 2013-03-28 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 半透半反式液晶显示面板及应用其的显示器
JP2014215444A (ja) 2013-04-25 2014-11-17 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20140137922A (ko) * 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN103336393B (zh) * 2013-07-02 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、阵列基板及显示装置
JP2015106129A (ja) * 2013-12-02 2015-06-08 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置、及びその製造方法、及びその黒点化修正方法
KR102142481B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
CN104409418B (zh) * 2014-11-13 2018-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
JP6698321B2 (ja) 2014-12-02 2020-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016191892A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN104730761A (zh) * 2015-04-08 2015-06-24 武汉华星光电技术有限公司 透反式液晶显示面板和透反式液晶显示器
KR102619052B1 (ko) 2015-06-15 2023-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN104965358A (zh) * 2015-07-14 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 反射式tft阵列面板及其制备方法和液晶显示器
US10591767B2 (en) 2015-07-29 2020-03-17 Sharp Kabushiki Kaisha Sunlight readable LCD with uniform in-cell retarder
US10782556B2 (en) 2015-07-29 2020-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Sunlight readable LCD with uniform in-cell retarder
JP6560610B2 (ja) * 2015-12-18 2019-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2017170350A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
US20170285386A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Display device
KR102261212B1 (ko) * 2017-06-09 2021-06-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP6587668B2 (ja) * 2017-11-08 2019-10-09 シャープ株式会社 表示装置
CN115616803A (zh) * 2018-03-14 2023-01-17 群创光电股份有限公司 电子装置
TWI665496B (zh) * 2018-07-05 2019-07-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
US20200019025A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Liquid crystal display panel
CN110018596A (zh) * 2019-04-08 2019-07-16 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1627133A (zh) * 2003-12-12 2005-06-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 边缘电场开关型液晶显示装置

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI234674B (en) 1995-10-12 2005-06-21 Hitachi Ltd In-plane electric field LCD panel with structure for preventing electric charging
JP2758864B2 (ja) 1995-10-12 1998-05-28 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6128061A (en) * 1997-12-08 2000-10-03 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6630977B1 (en) 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
JP3481509B2 (ja) 1999-06-16 2003-12-22 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
TW478014B (en) 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP3774352B2 (ja) * 2000-02-23 2006-05-10 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2001255519A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Toray Ind Inc 液晶表示装置
US6620655B2 (en) * 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP5165169B2 (ja) * 2001-03-07 2013-03-21 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP3920630B2 (ja) * 2001-11-16 2007-05-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US20030095222A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-22 Wang I Fang In-plane switching mode liquid crystal display for preventing crosstalk produced between adjacent data line and common electrode
CN1209664C (zh) * 2001-11-29 2005-07-06 京瓷株式会社 液晶显示装置
JP3939140B2 (ja) 2001-12-03 2007-07-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3989761B2 (ja) * 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US6794979B2 (en) * 2002-04-26 2004-09-21 General Electric Company Fuse holder assembly
JP4486319B2 (ja) 2002-05-09 2010-06-23 三星電子株式会社 階調電圧発生装置及び階調電圧発生方法及びこれを利用した反射−透過型液晶表示装置
JP4147816B2 (ja) 2002-05-21 2008-09-10 ウシオ電機株式会社 ショートアーク型超高圧放電ランプ
JP4117148B2 (ja) * 2002-05-24 2008-07-16 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置
US7023500B2 (en) 2002-06-05 2006-04-04 Hitachi, Ltd. Display device with active-matrix transistor having silicon film modified by selective laser irradiation
TW575866B (en) * 2002-06-05 2004-02-11 Hitachi Ltd Display device with active-matrix transistor and method for manufacturing the same
JP4021392B2 (ja) * 2002-10-31 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TW594310B (en) * 2003-05-12 2004-06-21 Hannstar Display Corp Transflective LCD with single cell gap and the fabrication method thereof
TWI227031B (en) * 2003-06-20 2005-01-21 Au Optronics Corp A capacitor structure
JP3971778B2 (ja) 2003-07-14 2007-09-05 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP4270989B2 (ja) * 2003-09-11 2009-06-03 アルプス電気株式会社 半透過反射膜および液晶表示装置
JP4082683B2 (ja) * 2003-09-29 2008-04-30 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
TW594292B (en) * 2003-10-21 2004-06-21 Au Optronics Corp Pixel structure of transflective liquid crystal display panel
TWI228313B (en) 2003-11-21 2005-02-21 Hannstar Display Corp Pixel and repairing method thereof
CN100376932C (zh) 2003-12-12 2008-03-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 液晶显示装置
CN1627146A (zh) 2003-12-13 2005-06-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 边缘电场开关型液晶显示装置
KR101031669B1 (ko) 2003-12-30 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자
KR100603835B1 (ko) * 2004-05-24 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4223992B2 (ja) 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR101093253B1 (ko) * 2004-09-02 2011-12-14 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4550551B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2006126551A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2006184325A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Sony Corp 液晶表示装置
JP2006209087A (ja) 2004-12-27 2006-08-10 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置
TW200624906A (en) 2005-01-06 2006-07-16 Au Optronics Corp LCD device having adjustable viewing angles
TWI261719B (en) * 2005-01-21 2006-09-11 Au Optronics Corp Transflective liquid crystal display device and pixel electrode thereof
JP4138759B2 (ja) 2005-02-03 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP2006243144A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Ricoh Co Ltd データ制御回路、画像処理装置及び表示装置
JP4155276B2 (ja) * 2005-03-28 2008-09-24 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
JP4111203B2 (ja) 2005-03-28 2008-07-02 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
US7423713B2 (en) 2005-03-28 2008-09-09 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal device and electronic equipment
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
JP2007004126A (ja) 2005-05-25 2007-01-11 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR20060124998A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치
JP4623464B2 (ja) 2005-09-26 2011-02-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
EP2028535B1 (en) 2005-10-18 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic apparatus
CN102331639A (zh) * 2005-12-05 2012-01-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
EP2270583B1 (en) 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
TWI752316B (zh) * 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1627133A (zh) * 2003-12-12 2005-06-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 边缘电场开关型液晶显示装置

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