CN102097457B - 有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。该显示装置包括形成在基底上的第一、第二和第三子像素。第一子像素包括第一像素电极、形成在其上的第一透射导电层、形成在第一透射导电层上的第二透射导电层、形成在第二透射导电层上的第一有机发光层和形成在第一有机发光层上的对电极。第二子像素包括第二像素电极、形成在其上的第一透射导电层、覆盖第一透射导电层的边缘的第一保护件、电连接到第一透射导电层的第二有机发光层和形成在第二有机发光层上的对电极。第三子像素包括第三像素电极、覆盖第三像素电极的外边缘的第二保护件、形成在第二保护件上的第三保护件、电连接到第三像素电极的第三有机发光层和形成在第三有机发光层上的对电极。

Description

有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法
本申请要求于2009年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0122532号韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的一方面涉及一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法，更具体地说，涉及一种易于提高画面质量的有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
传统的显示装置正在被便携式薄膜型平板显示(FPD)装置取代。在FPD装置中，有机和无机发光显示装置是具有宽视角、高质量对比度和快的响应时间的自发光显示装置。因此，有机和无机显示装置作为下一代显示装置备受关注。另外，与无机发光显示装置相比，包括由有机材料形成的发光层的有机发光显示装置具有高质量的亮度、驱动电压和响应时间及多色特性。
有机发光显示装置包括阴极、阳极及连接到阴极和阳极的有机发光层。当向阴极和阳极施加电压时，有机发光层发射可见光线。
有机发光显示装置包括分别发射不同颜色的可见光线(即，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可见光线)的有机发光层。从有机发光层发射的R、G和B可见光线的光特性(例如，亮度、色坐标等)是不均匀的。因此，制造的有机发光显示装置的画面质量的提高受到限制。
发明内容
本发明的一方面提供了一种易于提高画面质量的有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述第一子像素包括像素电极、形成在该像素电极上的第一透射导电层、形成在所述第一透射导电层上的第二透射导电层、形成在所述第二透射导电层上的第一有机发光层和形成在所述第一有机发光层上的对电极；所述第二子像素包括另一像素电极、形成在该另一像素电极上的所述第一透射导电层、覆盖所述第一透射导电层的边缘的第一保护件、电连接到所述第一透射导电层的第二有机发光层和形成在所述第二有机发光层上的所述对电极；所述第三子像素包括又一像素电极、覆盖该又一像素电极的外边缘的第二保护件、形成在所述第二保护件上的第三保护件、电连接到该又一像素电极的第三有机发光层和形成在所述第三有机发光层上的所述对电极。
根据本发明的另一方面，所述像素电极可以包括氧化铟锡(ITO)。
所述像素电极可以以ITO、银(Ag)和ITO的堆叠结构形成。
所述第一有机发光层可以发射红色(R)可见光线，所述第二有机发光层可以发射绿色(G)可见光线，所述第三有机发光层可以发射蓝色(B)可见光线。
所述第一透射导电层和所述第二透射导电层可以包括ITO。
所述第一透射导电层可以延伸以覆盖所述第一子像素和所述第二子像素的像素电极的外边缘和侧面。
所述第二透射导电层可以延伸以覆盖所述第一透射导电层的与所述第一子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
所述第一保护件可以与所述第二透射导电层由相同的材料形成。
所述第二保护件可以与所述第一透射导电层由相同的材料形成。
所述第三保护件可以与所述第二透射导电层由相同的材料形成。
所述第一保护件可以覆盖所述第一透射导电层的与所述第二子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
所述第三保护件可以覆盖所述第二保护件的与所述第三子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述方法包括：形成像素电极；在所述第一子像素中形成第一有机发光层，在所述第二子像素中形成第二有机发光层，在所述第三子像素中形成第三有机发光层，其中，所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层电连接到所述像素电极；在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上形成对电极，其中，所述第一子像素包括形成在其像素电极和所述第一有机发光层之间的第一透射导电层以及形成在所述第一透射导电层和所述第一有机发光层之间的第二透射导电层；所述第二子像素包括形成在其像素电极和所述第二有机发光层之间的第一透射导电层以及被形成为覆盖所述第一透射导电层的边缘的第一保护件；所述第三子像素包括形成在其像素电极和所述第三有机发光层之间的第二保护件以覆盖其像素电极的外边缘以及形成在所述第二保护件上的第三保护件。
根据本发明的另一方面，所述像素电极可包括ITO。
所述像素电极可以以ITO、Ag和ITO的堆叠结构形成。
所述第一有机发光层可以发射R可见光线，所述第二有机发光层可以发射G可见光线，所述第三有机发光层可以发射B可见光线。
所述第一透射导电层和所述第二透射导电层可以包括ITO。
所述第一透射导电层可以延伸以覆盖所述第一子像素和所述第二子像素的像素电极的外边缘和侧面。
所述第二透射导电层延伸以覆盖所述第一透射导电层的与所述第一子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
所述第一保护件可以与所述第二透射导电层由相同的材料形成。
所述第二保护件可以与所述第一透射导电层由相同的材料形成。
所述第三保护件可以与所述第二透射导电层由相同的材料形成。
所述第一保护件可以覆盖所述第一透射导电层的与所述第二子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
所述第三保护件可以覆盖所述第二保护件的与所述第三子像素的像素电极的外边缘对应的区域。
可以在形成在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的像素电极上顺序地形成第一透射导电材料和第二透射导电材料，使用半色调掩模执行包括一次曝光工艺的光刻，从而形成所述第一透射导电层和所述第二透射导电层以及所述第一保护件、所述第二保护件和所述第三保护件，其中，所述第一透射导电材料形成所述第一透射导电层和所述第二保护件，所述第二透射导电材料形成所述第二透射导电层以及所述第一保护件和所述第三保护件。
本发明的附加方面和/或优点将部分地在下面的说明书中进行说明，并部分地通过描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而被知晓。
附图说明
通过结合附图对实施例进行的以下描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得明显和更易于理解，在附图中：
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图2A至图2F是顺序地示出根据本发明实施例的制造有机发光显示装置的方法的示意性剖视图；
图3A至图3D是顺序地示出根据本发明另一实施例的制造有机发光显示装置的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的当前实施例，在附图中示出本发明的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参考附图描述实施例，以解释本发明。此外，应当理解，如果这里表述为一个膜或层“形成在”或“设置在”第二层或膜上，则第一层或膜可以直接地形成或设置在第二层或膜上，或者可以在第一层或膜和第二层或膜之间存在中间层或膜。此外，如这里所使用的，术语“形成在”是与“位于”或“设置在”的意思相同的意思使用的，并且并不是旨在限制相关的任何特定制造工艺。
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置100的示意性剖视图。参照图1，有机发光显示装置100包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3是不同颜色的子像素。为了示例目的，将第一子像素SP1称作红色(R)子像素，将第二子像素SP2称作绿色(G)子像素，将第三子像素SP3称作蓝色(B)子像素。
为了方便起见，在图1中示出了一个第一子像素SP1、一个第二子像素SP2和一个第三子像素SP3。然而，有机发光显示装置100可以包括多个第一子像素SP1、多个第二子像素SP2和多个第三子像素SP3。
第一子像素SP1包括像素电极110、第一透射导电层121、第二透射导电层122、第一有机发光层140a和对电极150。第二子像素SP2包括另外的像素电极110、第一透射导电层121、第一保护件131、第二有机发光层140b和对电极150。第三子像素SP3包括另外的像素电极110、第二保护件132、第三保护件133、第三有机发光层140c和对电极150。
现在将更详细地描述有机发光显示装置100的元件的结构。
基底101由包括作为主要组分的SiO2的透明玻璃材料形成。基底101不限于此，并可以由透明塑料材料形成。透明塑料材料可以是从由作为绝缘材料的聚醚砜树脂(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)组成的组中选择的有机材料。
基底101可以改为由金属形成。如果基底101由金属形成，则基底101可以包括从由碳(C)、铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)、不胀钢合金、铬镍铁合金和科伐合金组成的组中选择的一种或多个元素，但不限于此。基底101可以由金属箔形成。
缓冲层(未示出)形成在基底101上，从而在基底101上形成平滑表面，并防止杂质透入到基底101的上部中。缓冲层可以由SiO2、SiNx等形成。
像素电极110形成在基底101上。在形成像素电极110之前，薄膜晶体管(TFT)(未示出)可以形成在基底101上。有机发光显示装置100可以作为有源矩阵(AM)型有机发光显示装置或无源矩阵(PM)型有机发光显示装置。
像素电极110可以包括氧化铟锡(ITO)。像素电极110可以形成为ITO、银(Ag)和ITO(ITO/Ag/ITO)的堆叠结构。由于像素电极110中的银的存在，从有机发光层140a、140b和140c发射到像素电极110的可见光线可以被反射朝向对电极。
第一透射导电层121和第二透射导电层122顺序地形成在第一子像素SP1中的像素电极110上。
第一透射导电层121还形成在第二子像素SP2的像素电极110上，第一保护件131被形成为覆盖第一透射导电层121的边缘。更详细地说，第一保护件131覆盖第一透射导电层121的与第二子像素SP2的像素电极110的外边缘对应的区域。
第二保护件132被形成为覆盖第三子像素SP3的像素电极110的外边缘，第三保护件133形成在第二保护件132上。更详细地说，第三保护件133覆盖第二保护件132的与第三子像素SP3的像素电极110的外边缘对应的区域。
第一透射导电层121和第二透射导电层122可以包括ITO。第一透射导电层121和第二透射导电层122的厚度可以根据对其进行的工艺而变化。
第一透射导电层121延伸以覆盖第一子像素SP1的像素电极110的外边缘和第二子像素SP2的像素电极110的外边缘。第一透射导电层121还延伸以覆盖第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110的侧面。因此，在随后处理中防止第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110的外边缘和侧面被损坏。
第一保护件131由与形成第二透射导电层122的材料相同的材料形成。更详细地说，第一保护件131可以包括ITO。第二保护件132由与形成第一透射导电层121的材料相同的材料形成。更详细地说，第二保护件132可以包括ITO。第三保护件133由与形成第二透射导电层122的材料相同的材料形成。更详细地说，第三保护件133可以包括ITO。
第一保护件131保护第二子像素SP2的像素电极110的外边缘。换言之，第一保护件131形成在第一透射导电层121上，从而有效地防止第二子像素SP2的像素电极110被损坏。第一保护件131保护第一透射导电层121的外边缘，从而防止第一透射导电层121被损坏。
第二保护件132被形成为覆盖第三子像素SP3的像素电极110的外边缘。换言之，第二保护件132覆盖第三子像素SP3的像素电极110的边缘的上表面和侧面。因此，在随后处理中，保护件132防止第三子像素SP3的像素电极110的外边缘和侧面被损坏。第三保护件133堆叠在第二保护件132上，从而提高保护第三子像素SP3的像素电极110的效果。
因此，提高了像素电极110的耐久性。
像素限定层(PDL)135形成在像素电极110、第一透射导电层121和第二透射导电层122以及第一保护件131、第二保护件132和第三保护件133上。
PDL 135暴露第一子像素SP1的第二透射导电层122、第二子像素SP2的第一透射导电层121和第三子像素SP3的像素电极110的预定区域。因此，第一保护件131、第二保护件132和第三保护件133覆盖有PDL 135，因此没有被暴露。
PDL 135由有机或无机材料形成。
然后形成有机发光层。更详细地说，第一有机发光层140a形成在第一子像素SP1中，以发射R可见光线。第二有机发光层140b形成在第二子像素SP2中，以发射G可见光线。第三有机发光层140形成在第三子像素SP3中c，以发射B可见光线。
第一有机发光层140a可以包括诸如四苯基并四苯、红荧烯、Ir(piq)3、Ir(btp)2(acac)、Eu(dbm)3(phen)、Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)、DCM1、DCM2、Eu(TTA)3、丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)的R发光材料或者诸如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物发光材料。
第二有机发光层140b可以包括诸如香豆素6、C545T、DMQA、Ir(ppy)3或诸如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物有机发光材料。
第三有机发光层140c可以包括诸如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳胺化合物、二(苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、BCzVBi、苝、TPBe、BCzVB、DPAVBi、DPAVB、BDAVBi、FIrPic的B发光材料或诸如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物发光材料。
虽然在图1中未示出，但在将有机发光层形成在子像素中之前，可以形成空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)。
对电极150形成在有机发光层上。对电极150覆盖所有的子像素。
沉积具有低逸出功的金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，或者沉积Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的化合物，在金属上沉积诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明导电材料，以形成对电极150。
像素电极110可以是阳极，对电极150可以是阴极，但这种布置不限于此。因此，像素电极110和对电极150的极性可以颠倒。
虽然在图1中未示出，在所有子像素中对于全部/每个子像素来说，可以在有机发光层和对电极150之间形成电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。
密封构件(未示出)设置在对电极150上，以面对基底101的表面。密封构件保护有机发光层和其上的元件免受外部湿气或氧影响，并且密封构件由透明材料形成。因此，密封构件由玻璃、塑料或多个有机和无机材料的堆叠结构形成。
有机发光显示装置100在各个子像素中具有不同的形成在像素电极110上的第一透射导电层121和第二透射导电层122。换言之，第一子像素SP1的像素电极110具有在其上堆叠的第一透射导电层121和第二透射导电层122，并可以产生R可见光线。第二子像素SP2的像素电极110具有第一透射导电层121和堆叠在第一透射导电层121上的第一保护件131，并可以产生G可见光线。第三子像素SP3的像素电极110形成在第三子像素SP3中，并可以产生B可见光线。
因此，从有机发光层发射到像素电极110的可见光线的光程长度由像素电极110反射，并前进至对电极150，并且对于每个子像素以不同方式确定。因此，实现了微腔效果。
这里，调节第一透射导电层121和第二透射导电层122的厚度，以调节每个子像素中的光程长度。因此，提高了由子像素产生的可见光线的色纯度和光学效率。因此，提高了有机发光显示装置100的画面质量。
第一透射导电层121延伸以覆盖第一子像素SP1的像素电极110的外边缘和侧面。第二透射导电层122形成在第一透射导电层121的与第一子像素SP1的像素电极110的外边缘对应的区域上，并防止第一子像素SP1的像素电极110被损坏。
第一透射导电层121还延伸以覆盖第二子像素SP2的像素电极110的外边缘。第一保护件131形成在第一透射导电层121的与第二子像素SP2的像素电极110的外边缘对应的区域上，并防止第二子像素SP2的像素电极110被损坏。
第二保护件132形成在与第三子像素SP3的像素电极110的外边缘对应的区域上。第三保护件133形成在第二保护件132上，并防止第三子像素SP3的像素电极110被损坏。
因此，提高了像素电极110的耐久性，防止有机发光显示装置100的画面质量降低。
图2A至图2F是顺序地示出根据本发明实施例的制造有机发光显示装置的方法的示意性剖视图。换言之，图2A至图2F是示出制造图1的有机发光显示装置100的方法的剖视图。
参照图2A，在基底101上形成像素电极110。像素电极110包括ITO，并具有ITO、Ag和ITO的堆叠结构。这里，银是向像素电极110反射从有机发光层发射的可见光线的反射层，从而产生微腔效果，所述有机发光层将在随后工艺中形成。
像素电极110包括与基底101相邻的ITO，从而提高像素电极110与基底101或绝缘层之间的附着强度。
参照图2B，第一透射导电材料121a整体地形成在像素电极110上，从而随后形成第一透射导电层和第二保护件。第一透射导电材料121a包括ITO。
参照图2C，对第一透射导电材料121a执行诸如光刻的图案化工艺，从而形成第一透射导电层121和第二保护件132。
更详细地说，在图2C的左侧示出的像素电极110和图2C的中间示出的像素电极110上形成第一透射导电层121。第一透射导电层121延伸以覆盖在图2C的左侧和中间示出的像素电极110的外边缘和侧面。在图2C的右侧示出的像素电极110上形成第二保护件132。第二保护件132暴露在图2C的右侧示出的像素电极110的预定区域，并被形成为与在图2C的右侧示出的像素电极110的边缘对应。换言之，第二保护件132覆盖在图2C的右侧示出的像素电极110的外边缘和侧面。
参照图2D，整体地形成第二透射导电材料122a，以形成第二透射导电层122、第一保护件131和第三保护件133。第二透射导电材料122a包括ITO。
参照图2E，对第二透射导电材料122a执行诸如光刻的图案化工艺，以形成第二透射导电层122、第一保护件131和第三保护件133。
在形成在图2E的左侧示出的像素电极110上的第一透射导电层121上形成第二透射导电层122。第二透射导电层122延伸以覆盖第一透射导电层121的整个上表面和第一透射导电层121的与在图2E的左侧示出的像素电极110的外边缘对应的区域。
在第一透射导电层121的与在图2E的中间示出的像素电极110对应的区域上形成第一保护件131。第一保护件131暴露第一透射导电层121的预定区域，并覆盖第一透射导电层121的与在图2E的中间示出的像素电极110的外边缘对应的区域。
在形成在图2E的右侧示出的像素电极110上的第二保护件132上形成第三保护件133。第三保护件133暴露在图2E的右侧示出的像素电极110的预定区域。换言之，第三保护件133覆盖第二保护件132的与在图2E的右侧示出的像素电极110的外边缘对应的区域上。
如图2D所示，形成第二透射导电层122a，然后执行可以为光刻的图案化工艺，以形成图2E的所得结构。这里，通常使用湿蚀刻工艺。在没有第一透射导电层121和第二保护件132的情况下，在湿蚀刻工艺中使用的湿蚀刻溶液会损坏像素电极110。
形成在像素电极110上的第一透射导电层121和第二保护件132防止像素电极110的侧面和外边缘被湿蚀刻溶液损坏。换言之，在图2E的左侧和中间示出的像素电极110上形成的第一透射导电层121和在图2E的右侧示出的像素电极110上形成的第二保护件132在用于将第二透射导电材料122a图案化的湿蚀刻工艺期间保护像素电极110。因此，提高了像素电极110的耐久性。
参照图2F，形成PDL 135、第一有机发光层140a、第二有机发光层140b和第三有机发光层140c以及对电极150，从而完全地制造出有机发光显示装置100。
在第一透射导电层121和第二透射导电层122以及第一保护件131、第二保护件132和第三保护件133上形成PDL 135。
在PDL 135中形成开口，以暴露在图2F的左侧示出的像素电极110上形成的第二透射导电层122、在图2F的中间示出的像素电极110上形成的第一透射导电层121和在图2F的右侧示出的像素电极110。在形成在图2F的左侧示出的像素电极110上形成的第二透射导电层122的暴露区域、在形成在图2F的中间的像素电极110上形成的第一透射导电层121的暴露区域和在图2F的右侧示出的像素电极110的暴露区域上形成第一有机发光层140a、第二有机发光层140b和第三有机发光层140c。最后，在有机层140a、140b和140c以及PDL 135上形成对电极150。
更详细地说，在形成在图2F的左侧示出的像素电极110上形成的第二透射导电层122上形成第一有机发光层140a，以发射R可见光线。在形成在图2F的中央示出的像素电极110上形成的第一透射导电层121上形成第二有机发光层140b，以发射G可见光线。在图2F的右侧示出的像素电极110上形成第三有机发光层140c，以发射B可见光线。在所有子像素上通常形成对电极150或者对于所有子像素通常形成对电极150，从而制造出包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的有机发光显示装置100。
虽然在图2A至图2F中未示出，但是在所有子像素上形成有机发光层或者对于所有子像素形成有机发光层之前，可以形成HIL或HTL。
沉积具有低逸出功的金属例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或者Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的化合物，并在金属上沉积诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明导电材料，从而形成对电极150。
虽然在图2A至图2F中未示出，但是可以在有机发光层和对电极150之间形成ETL或EIL。
密封构件(未示出)被形成为面对基底101的表面。密封构件保护有机发光层免受外部湿气或氧的影响，并且密封构件由透明材料形成。为此，密封构件由玻璃、塑料或多种有机和无机材料的堆叠结构形成。
通过根据本发明实施例的方法制造的有机发光显示装置100在第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110上形成不同的第一透射导电层121和第二透射导电层122，从而产生微腔效果。
在第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110上形成第一透射导电层121和第二透射导电层122，以覆盖第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110的外边缘。具体地说，第一透射导电层121保护第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110的侧面。第二保护件132覆盖第二子像素SP2的像素电极110的外边缘。第一保护件131和第三保护件133覆盖第二子像素SP2和第三子像素SP3的像素电极110的外边缘。因此，防止像素电极110被损坏，具体地说，有效地保护像素电极110的侧面和上表面。
因此，根据像素电极110及第一透射导电层121和第二透射导电层122的设计，容易地形成像素电极110及第一透射导电层121和第二透射导电层122，从而在没有减小微腔效果的情况下提高了有机发光显示装置100的画面质量。
图3A至图3D是顺序地示出根据本发明另一实施例的制造有机发光显示装置100的方法的示意性剖视图。
参照图3A，在基底101上形成像素电极110。像素电极110包括ITO，并且是ITO、Ag和ITO的堆叠结构。
参照图3B，在像素电极110上形成第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a。
第一透射导电材料121a形成在基底101和像素电极110上，以形成第一透射导电层和第二保护件，第二透射导电材料122a形成在第一透射导电材料121上，以形成第二透射导电层、第一保护件和第三保护件。
在所有的像素电极110上或上方或者对于所有的像素电极110形成第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a，而没有执行另外的图案化工艺。第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a包括ITO。
参照图3C，对第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a执行诸如光刻的图案化工艺，以形成第一透射导电层121和第二透射导电层122以及第一保护件131、第二保护件132和第三保护件133。
更详细地说，在图3C的左侧的像素电极110上形成第一透射导电层121和第二透射导电层122。第一透射导电层121延伸以覆盖图3C的左侧的像素电极110的外边缘和侧面。在第一透射导电层121上形成第二透射导电层122。第二透射导电层122延伸以覆盖第一透射导电层121的全部上表面和第一透射导电层121的与图3C的左侧的像素电极110的外边缘对应的区域。
在图3C的中间的像素电极110上形成第一透射导电层121和第一保护件131。第一透射导电层121延伸以覆盖图3C的中间的像素电极110的外边缘和侧面。在第一透射导电层121上形成第一保护件131。第一保护件131暴露第一透射导电层121的预定区域，并覆盖第一透射导电层121的与图3C的中间的像素电极110的外边缘对应的区域。
在图3C的右侧的像素电极110上形成第二保护件132和第三保护件133。第二保护件132暴露在图3C的右侧示出的像素电极110的预定区域，并被形成为与在图3C的右侧示出的像素电极110的边缘对应。换言之，第二保护件132覆盖在图3C的右侧示出的像素电极110的外边缘和侧面。在第二保护件132上形成第三保护件133。第三保护件133暴露在图3C的右侧示出的像素电极110的预定区域。换言之，第三保护件133覆盖第二保护件132的与在图3C的右侧示出的像素电极110的外边缘对应的区域。
如参照图3B所述，在像素电极110上形成第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a，然后执行光刻，包括使用半色调掩模的一次曝光，从而形成图3C的所得结构。更详细地说，使用半色调掩模对将要保留第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a的区域施加相对少量的曝光能量。对仅将要保留第一透射导电材料121a的区域施加大量的曝光能量。对将要去除第一透射导电材料121a和第二透射导电材料122a的区域施加较大量的曝光能量。
然而，本发明不限于此，施加曝光能量的量的顺序可以根据使用的光致抗蚀剂的类型而改变。
在湿蚀刻工艺中防止像素电极110被损坏，从而提高了像素电极110的耐久性。
参照图3D，形成PDL 135、第一发光层140a、第二发光层140b和第三发光层140c以及对电极150，从而制造出有机发光显示装置100。
在第一透射导电层121和第二透射导电层122以及第一保护件131、第二保护件132和第三保护件133上形成PDL 135。
在PDL 135中形成开口，以暴露在图3D的左侧的像素电极110上形成的第二透射导电层122、在图3D的中间的像素电极110上形成的第一透射导电层121和图3D的右侧的像素电极110。在第一透射导电层121和第二透射导电层122以及像素电极110上形成有机发光层和对电极150。
在形成于在图3D的左侧示出的像素电极110上的第二透射导电层122上形成第一有机发光层140a，以发射R可见光线。在形成于在图3D的中间示出的像素电极110上的第一透射导电层121上形成第二有机发光层140b，以发射G可见光线。在图3D的右侧示出的像素电极110上形成第三有机发光层140c，以发射B可见光线。在所有的子像素上形成对电极150，从而制造出包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的有机发光显示装置100。
虽然在图3A至图3D中未示出，但是在形成有机发光层之前，可以在所有的子像素上形成HIL或HTL。
沉积具有低逸出功的金属例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或者Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的化合物，并在金属上沉积诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明导电材料，从而形成对电极150。
虽然在图3A至图3D中未示出，但是在所有的子像素上可以在有机发光层和对电极150之间形成ETL或EIL。
密封构件(未示出)被形成为面对基底101的表面。密封构件保护有机发光层免受外部湿气或氧的影响，并由透明材料形成。为此，密封构件由玻璃、塑料或多种有机和无机材料的堆叠结构形成。
在子像素中的像素电极110上以不同方式形成第一透射导电层121和第二透射导电层122，以产生微腔效果。
第一透射导电层121和第二透射导电层122形成在像素电极110上，以覆盖像素电极110的外边缘。具体地说，第一透射导电层121覆盖第一子像素SP1和第二子像素SP2的像素电极110的侧面，以防止像素电极110被损坏。
第二保护件132被形成为覆盖第三子像素SP3的像素电极110的外边缘。第一保护件131和第三保护件133被形成为覆盖第二子像素SP2和第三子像素SP3的像素电极110的外边缘。因此，防止像素电极110被损坏。具体地说，保护像素电极110的侧面和上表面。
因此，容易地形成像素电极110及第一透射导电层121和第二透射导电层122，从而在没有减小微腔效果的情况下提高了有机发光显示装置100的画面质量。
另外，使用半色调掩模的工艺是可用于制造有机发光显示装置100的有效工艺。另外，将曝光工艺的次数减少到仅仅一次，由此减少了湿蚀刻工艺的次数，从而防止了像素电极110被损坏。
如上所述，根据本发明实施例的有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法提高了画面质量。
虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但本领域技术人员应当明白的是，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在该实施例中做出改变，本发明的范围在权利要求书及其等同物中进行限定。

Claims (29)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括： 
形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素， 
其中，所述第一子像素包括第一像素电极、形成在所述第一像素电极上的第一透射导电层、形成在所述第一透射导电层上的第二透射导电层、形成在所述第二透射导电层上的第一有机发光层和形成在所述第一有机发光层上的对电极； 
所述第二子像素包括第二像素电极、形成在所述第二像素电极上的所述第一透射导电层、覆盖所述第一透射导电层的边缘的第一保护件、电连接到所述第一透射导电层的第二有机发光层和形成在所述第二有机发光层上的所述对电极； 
所述第三子像素包括第三像素电极、覆盖所述第三像素电极的外边缘和侧面的第二保护件、形成在所述第二保护件上的第三保护件、电连接到所述第三像素电极的第三有机发光层和形成在所述第三有机发光层上的所述对电极。 
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极包括ITO。 
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极以ITO、Ag和ITO的堆叠结构形成。 
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有机发光层发射红色可见光线，所述第二有机发光层发射绿色可见光线，所述第三有机发光层发射蓝色可见光线。 
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一透射导电层和所述第二透射导电层包括ITO。 
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一透射导电层延伸以覆盖所述第一子像素和所述第二子像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的外边缘和侧面。 
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二透射导电层延伸以覆盖所述第一透射导电层的与所述第一子像素的所述第一像素电极的外边缘对应的区域。 
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护件与所述第二透射导电层由相同的材料形成。 
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二保护件与所述第一透射导电层由相同的材料形成。 
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第三保护件与所述第二透射导电层由相同的材料形成。 
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护件覆盖所述第一透射导电层的与所述第二子像素的所述第二像素电极的外边缘对应的区域。 
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第三保护件覆盖所述第二保护件的与所述第三子像素的所述第三像素电极的外边缘对应的区域。 
13.一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述方法包括： 
在所述基底上形成第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极； 
在所述第一子像素中形成第一有机发光层，在所述第二子像素中形成第二有机发光层，在所述第三子像素中形成第三有机发光层，其中，所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层电连接到所述像素电极； 
在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上形成对电极， 
其中，所述第一子像素包括在所述第一像素电极和所述第一有机发光层之间形成的第一透射导电层以及在所述第一透射导电层和所述第一有机发光层之间形成的第二透射导电层；所述第二子像素包括在所述第二像素电极和所述第二有机发光层之间形成的所述第一透射导电层以及被形成为覆盖所述第一透射导电层的边缘的第一保护件；所述第三子像素包括在所述第三像素电极和所述第三有机发光层之间形成的以覆盖所述第三像素电极的外边缘和侧面的第二保护件以及在所述第二保护件上形成的第三保护件。 
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极包括ITO。 
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极以ITO、Ag和ITO的堆叠结构形成。 
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一有机发光层发射红色可见光线，所述第二有机发光层发射绿色可见光线，所述第三有机发光层发射蓝色可见光线。 
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一透射导电层和所述第二透射导电层包括ITO。 
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一透射导电层延伸以覆盖所述第一子像素和所述第二子像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的外边缘和侧面。 
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二透射导电层延伸以覆盖所述第一透射导电层的与所述第一子像素的所述第一像素电极的外边缘对应的区域。 
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一保护件与所述第二透射导电层由相同的材料形成。 
21.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二保护件与所述第一透射导电层由相同的材料形成。 
22.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三保护件与所述第二透射导电层由相同的材料形成。 
23.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一保护件覆盖所述第一透射导电层的与所述第二子像素的所述第二像素电极的外边缘对应的区域。 
24.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三保护件覆盖所述第二保护件的与所述第三子像素的所述第三像素电极的外边缘对应的区域。 
25.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上顺序地形成第一透射导电材料和第二透射导电材料，使用半色调掩模执行包括一次曝光工艺的光刻，从而形成所述第一透射导电层和所述第二透射导电层以及所述第一保护件、所述第二保护件和所述第三保护件，其中，形成所述第一透射导电材料，以形成所述第一透射导电层和所述第二保护件，形成所述第二透射导电材料，以形成所述第二透射导电层以及所述第一保护件和所述第三保护件。 
26.一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述方法包括： 
在基底上形成第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极； 
在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上形成第一透射导电层和第二透射导电层； 
将所述第一透射导电层和所述第二透射导电层图案化，以形成第一透射导电层和第二透射导电层以及第一保护件、第二保护件和第三保护件； 
在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上形成有机发光层，其中，所述有机发光层电连接到所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极； 
在所述有机发光层上形成对电极， 
其中，所述第一子像素包括在所述第一像素电极和所述有机发光层之间形成的所述第一透射导电层以及在所述第一透射导电层和所述有机发光层之间形成的所述第二透射导电层； 
所述第二子像素包括在所述第二像素电极和所述有机发光层之间形成的所述第一透射导电层以及被形成为覆盖所述第一透射导电层的外边缘的所述第一保护件； 
所述第三子像素包括在所述第三像素电极和所述有机发光层之间形成的以覆盖所述第三像素电极的外边缘和侧面的所述第二保护件以及在所述第二保护件上形成的所述第三保护件。 
27.根据权利要求26所述的方法，其中，形成在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上的所述有机发光层分别发射红色可见光线、绿色可见光线和蓝色可见光线。 
28.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极包括ITO。 
29.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极以ITO、Ag和ITO的堆叠结构形成。 
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