CN100519829C - 电路制作用的孔眼掩模 - Google Patents

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Abstract

说明了使用孔眼掩模的孔眼掩模沉积技术。还说明了形成孔眼掩模的技术以及使用孔眼掩模的其它技术。所述各种技术尤其可以用来形成电子显示器和低成本集成电路如射频识别(RFID)电路的电路元件。所述技术有利于制造结合了有机半导体的集成电路，通常这种集成电路并不适于进行湿法加工。

Description

电路制作用的孔眼掩模
技术领域
本发明涉及的是电路与电路元件的制作，更具体地是涉及使用孔眼掩模的沉积技术。
背景
电路是指电阻器、二极管、电容器与晶体管经由电连接连成一起的组合。薄膜集成电路包括多层，诸如金属层、介电层，以及一般由诸如硅一类半导体材料形成的活性层。一般来说，薄膜电路元件与薄膜集成电路通过沉积各种材料层，然后以增加或删减工艺使用包括化学腐蚀方法的光蚀刻在各层形成图案，以形成各种电路元件。此外，孔眼掩模用来沉积具有图案的层，而无需蚀刻步骤。
概述
通常，本发明涉及使用柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模进行的沉积技术，来形成集成电路或集成电路元件。该技术涉及经由一组聚合物孔眼掩模按顺序沉积材料，该掩模具有能形成电路各层或各层的部分的图案。在一些实施方式中，能仅仅采用孔眼掩模沉积技术制造电路，无需采用形成集成电路图案时常采用的蚀刻或光刻步骤。该技术特别适合于制造诸如液晶显示器一类的电子显示器的线路元件，以及低成本集成电路，如射频识别(RFID)电路。此外，该技术有利于制造含有有机半导体的集成电路，而这种集成电路通常不适合于进行光刻或其它湿法工艺。
在各种实施方式中，本发明涉及不同的可重新定位的孔眼掩模，如柔韧的孔眼掩模，自撑孔眼掩模以及聚合物孔眼掩模；它们均具有图案，用来形成集成电路中的层或层的部分。可重新定位的聚合物孔眼掩模的厚度约为5-50微米，或约为15-35微米。所述孔眼掩模中各种沉积孔眼的宽度小于约为100微米，小于约50微米，小于约20微米，小于约10微米，乃至小于5微米。这种大小的孔眼尤其适合于形成集成电路用的小电路元件。而且，沉积孔眼之间一个或多个间隔小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米或小于约10微米，它们也可以用来形成小的电路元件。此外，还说明了包括宽度大于约1厘米、25厘米、100厘米乃至500厘米图案的孔眼掩模。如下文详细所述，可以使用宽度如上所述的图案在更大的表面上形成各种电路。在一些实施方式中，本发明涉及通过可重新定位的聚合物孔眼掩模在沉积基材上沉积材料的方法。
在其它实施方式中，本发明涉及各种用来形成或使用上述掩模的技术。例如说明了使用各种激光烧蚀技术来形成具有上述沉积孔眼图案的聚合物孔眼掩模。此外，说明了拉伸技术和其它技术，用来排列柔韧的聚合物孔眼掩模。而且，还说明了控制孔眼掩模中下垂的方法，这些方法尤其可用来使用包括在大宽度上延伸的图案的掩模。
本发明各种实施方式可以提供许多优点。例如，本发明可以用沉积法制造较小的电路元件。本发明可以制造宽度小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米，小于约10微米，乃至小于5微米的电路元件。而且，本发明还可以制造相对较大的电路图案，在一些情况下它具有上述宽度相对较小的电路元件，而覆盖大的面积(如，10平方厘米、50平方厘米、1平方米乃至更大的面积)。此外，本发明可以降低和电路制造有关的成本，在有机半导体情况下甚至可以提高器件的性能。使用激光烧蚀工艺可以制造聚合物孔眼掩模，这比其它技术更快且廉。而且，使用便宜的聚合物材料可以使聚合掩模成为一次性的，虽然也叙述了可再次使用的聚合物掩膜。
此外，聚合物材料很适合于用磁性材料浸渍。如下所述，在这种情况下可以使用磁性材料来降低掩模中的下垂现象。而且如下所述，聚合物材料通常是可拉伸的，对所述掩模拉伸，可以减少其下垂或者对其进行排列。
本发明这些内容与其它一些实施方式的细节显示在附图中，并在后面叙述。本发明的其它一些特征，目标与优点可以从说明书与附图中，以及权利要求中得以理解。
附图简要说明
图1a是本发明某一实施方式的孔眼掩模的顶视图。
图1b是图1a孔眼掩模一部分的放大图。
图2和3是本发明某一实施方式的孔眼掩模的顶视图。
图4是本发明一组掩模例子的顶视图。
图5使用本发明孔眼掩模的沉积工作站的框图。
图6是本发明实施方式的孔眼掩模的截面侧视图。
图7和8是使用本发明孔眼掩模的沉积站的又两种方框图。
图9a是本发明用来拉伸孔眼掩模的示例性拉伸工作站的透视图。
图9b是拉伸机理的放大图。
图10是可用来烧蚀本发明孔眼掩模的激光烧蚀系统的框图。
图11是在其第一面上有层材料的聚合物薄膜的截面侧视图。
图12和13是本发明可以制造的薄膜晶体管实例的横截面图。
图14是本发明一个被拉伸的孔眼掩模实施方式的顶视图。
详细说明
图1a是本发明孔眼掩模的顶视图。在示例性实施方式中，孔眼掩模10A可以由聚合物材料如聚酰亚胺或聚酯形成。但是，在一些实施方式中，当孔眼掩模10A是柔韧的时，可以使用其它柔韧的非聚合物材料。孔眼掩模10A使用聚合物材料比使用其它材料更有利，例如，容易制造孔眼掩模，降低孔眼掩模10A的成本以及其它优点。相比薄金属孔眼掩模，聚合物孔眼掩模不容易因意外产生的折痕或者永久的弯曲而损坏。而且，有些聚合物掩模可以用酸清洗。
如图1a与1b所示，孔眼掩模10a上有图案12A，它形成了许多沉积孔眼14(仅标记了沉积孔眼14A-14E)。为了便于说明，简化了图1b中沉积孔眼14A-14E的排列与形状，且根据用户的用途与想象的电路布局，可以有许多改变。图案12A确定了至少部分电路层，通常可以采取多种不同形式。换言之，这些沉积孔眼14可以形成任何图案，视采用孔眼掩模10在沉积工艺中所需制造的电路元件或电路层而定。例如，尽管图案12a显示为包括一些类似的子图案(被标记为子图案16A-16C)，但本发明不仅限于此。
孔眼掩模10A可用来沉积工艺，如蒸气沉积工艺，其中通过沉积孔眼14将材料沉积到基材上，形成电路的至少一个部分。其优点是孔眼掩模10A能将所需材料沉积，且同时将该材料形成所需的图案。因此，在进行沉积工序前后无需进行另外的成图工序。孔眼掩模10A特别适用于制造电子显示器，低成本集成电路如射频识别(RFID)电路，以及其它实现薄膜晶体管的任何电路。而且，采用有机半导体的电路可从本发明各实施例中受益，下面将更详细叙述。
可以形成一个或多个沉积孔眼14，其宽度小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米，小于约10微米，乃至小于5微米。通过形成宽度在此范围内的沉积孔眼14，可以减小电路元件的尺寸。而且，两个沉积孔眼之间的间隔(例如沉积孔眼14C与14D之间距离)可以小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米，或小于约10微米，以求减小各电路元件的大小。当制造、使用、再次使用或者重新定位孔眼掩模时，图案特征之间的距离，如孔眼之间的距离或者子图案之间的距离可在约1.0％、约0.5％、乃至0.1％以内重复。
如以下详细所述，可以使用激光烧蚀技术来形成沉积孔眼14的图案12A。因此，由聚合物薄膜形成孔眼掩模10a，可以使用相比其它孔眼掩模如硅掩模或金属掩模所需工艺来说，成本较低，制造工艺较为简单和/或较为精确。而且，由于可以使用激光烧蚀技术来形成图案12A，图案12A的宽度比常规技术更大。例如，激光烧蚀技术便于形成图案12A，使图案12A的宽度大于约1厘米，大于约25厘米，大于约100厘米，乃至大于约500厘米。然后，在沉积工艺中可以使用这些大的掩模(它可以是卷材宽度大，且长度长)，形成分布在大表面积上并以大间距分隔的电路元件。
图2和3是孔眼掩模10的顶视图，它包括以相对较大的宽度分隔的沉积孔眼。具体是，图2说明了孔眼掩模10B，它包括许多沉积孔眼的图案12B。图案12B形成至少一个尺寸，大于约1厘米、25厘米、100厘米、乃至大于约500厘米。换句话说，图2中的距离X可以在这些所述范围内。以这种方式，使用沉积工艺可以形成以大于常规距离间隔的电路元件。这种特征在制造大面积平面显示器或探测器中有利。
对于一些电路的层而言，并不需要复杂图案。例如，图3中孔眼掩模10C包括至少两个沉积孔眼36A和36B。这时，所述两个沉积孔眼36A和36B由距离X分隔，距离X大于约1厘米、25厘米、100厘米、乃至大于约500厘米。而且，激光烧蚀技术便于形成孔眼相对较大距离x的掩模，这是因为激光烧蚀系统容易设计，便于在大面积上形成图案。而且，激光烧蚀技术便于形成宽度小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米，小于约10微米，乃至小于5微米的沉积孔眼。这种情况下，沉积工艺并不一定需要将孔眼掩模对准或排列，使其容许量小至孔眼宽度。仅用沉积方法沉积电路层(电路元件由些大距离分隔)的能力很有利于形成两个或多个元件之间存在大间隔的电路。一个例子就是用来控制或形成大型电子显示器像素的电路。
图4是一组掩模40的顶视图，它包括沉积工艺中采用的孔眼掩模10D-10I。掩模组40可以包括任意几个聚合物孔眼掩模，其个数取决于该沉积工艺制造的电路或电路元件。掩模10D-10I形成一个“组”，其意义在于，各个掩模可以对应于集成电路内一个特定层或或一特定组的电路元件。每个孔眼掩模10上所形成的沉积孔眼图案形成至少一个电路的一个层。例如，第一孔眼掩模10D形成有沉积孔眼的第一图案，它形成一个电路的至少第一沉积层部分，而第二孔眼掩模10E有沉积孔眼的第二图案，它形成该电路的至少第二沉积层部分部分。该掩模组40可以用来制造品种繁多的集成电路，如包括n-沟道和p-沟道薄膜晶体管(TFT)的集成电路，如互补TFT元件。此外，也可以采用有机或无机半导体材料来形成本发明的集成电路。对于某些电路，可使用有机与无机半导体。
在有些场合中，第一与第二孔眼掩模10D与10E可以形成一个电路的不同层，在其它一些场合中，第一与第二孔眼掩模10D与10E可以形成同一电路层的不同部分。在有些情况下，可以使用接合技术，此时是第一与第二孔眼掩模10D与10E确定了同一电路层的不同部分。换言之，在不同的部分沉积工序中可以采用两个或多个掩模形成一个单一的电路特征，该电路层可以包括一个或以上中间连接。采用接合技术例如可以用来避免相对较长的沉积孔眼、闭合的曲线或可能会引起孔眼掩模的一部分受到不良支撑或根本没有支撑的图案。在第一步沉积中，一个掩模形成特片的一部分，而在第二步沉积中，另一个掩模形成该特征的其余部分。
掩模组40中各个孔眼掩模10可以是聚合物。在这种情况下，可以使用激光切屑技术来形成宽度小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米，小于约10微米，乃至小于5微米的一个或多个沉积孔眼。此外，各孔眼掩模中至少有两个沉积孔眼由小于约1000微米，小于约50微米，小于约20微米或小于约10微米的间隔分隔。孔眼以及这些尺寸的孔眼之间的间隔可减小电路大小，在一些情况下可提高电路性能。而且，掩模组40中孔眼掩模10D-10I的沉积孔眼的图案尺寸可以在上述范围内，用以制造具有大尺寸的电路。
聚合物孔眼掩模可适合用于要沉积的种种材料。例如，通过聚合物孔眼掩模可以沉积有机或无机材料。在一个例子中，可以沉积无定形硅。沉积无定形硅通常需要高于约200℃的高温。本文所述一些聚合物孔眼掩模的实施方式能耐受这种高温，因此可以通过所述聚合掩模沉积无定形硅，由此形成集成电路或者集成电路元件。
图5是在沉积工艺中可以使用孔眼掩模的本发明沉积站的简化方框图。具体是沉积站50可以构建成进行蒸气沉积工艺，在该工艺中，材料被蒸发，通过孔眼掩模沉积在沉积基材上。被沉积的材料可以是用来形成集成电路内各种元件的半导体材料如有机或无机半导材料、介电材料或导电材料。也可以使用其它材料。可以将柔韧的孔眼掩模10J置于贴近沉积基材52的位置。在一个例子中，孔眼掩模10J足够柔韧，其本身可以卷曲。在另一个例子中，孔眼掩模10J足够柔韧，可以以小于约1厘米的曲率半径卷曲，而不会损伤，也不会形成永久弯曲。根据所要形成的电路，沉积基材52可以是任意种类的材料。例如，沉积基材52可以是柔韧的材料，如柔韧的聚合物。此外，若所需电路是形成电子显示器的晶体管电路，沉积基材52是电子显示器的底板。也可以使用任何沉积基材52，如玻璃基材、硅基材、刚性塑料基材、柔韧的塑料基材、涂布了绝缘层的金属箔等。
沉积站50通常是个空室。当孔眼掩模10J紧贴沉积基材52之后，材料56被沉积单元54蒸发。例如，沉积单元54可以包括一个装有材料的舟，它受热将材料蒸发。被蒸发的材料56通过沉积孔眼沉积在沉积基材52上，在基材52上沉积出电路层的至少一部分。沉积以后，材料56形成由孔眼掩模10J确定的图案。如上所述，柔韧的孔眼掩模10J可以包括沉积孔眼与足够窄的间隔，以便于采用沉积工艺制造小的电路元件。此外如上所述，柔韧的开孔掩模10J中沉积孔眼的图案可以具有大的尺寸。其它合适的沉积技术包括电子束蒸镀，各种形式的溅射以及脉冲激光沉积。
但是，当柔韧的孔眼掩模10J足够大，例如包括大尺寸的图案时，会出现下垂的问题。尤其是当柔韧的孔眼掩模10J紧贴置于沉积基材52上时，柔韧的孔眼掩模10J由于在柔韧的孔眼掩模10J上的重力作用而出现下垂。如图5所示，当孔眼掩模10J放在于沉积基材下面时，这种问题最明显。而且，当柔韧的孔眼掩模10J越来越大时，下垂的问题更显严重。图5显示了在柔韧的孔眼掩模10J因重力作用而产生的下垂问题。
本发明可以使用各种技术中的一种，来解决或控制在沉积工艺过程中孔眼掩模中出现的下垂问题。例如，图6是具有第一面61的柔韧孔眼掩模10K的截面侧视图，它可以可分离地粘着在沉积基材的表面上，在沉积工艺过程中在孔眼掩模和沉积基材之间形成紧密接触。以这种方式控制或避免下垂。具体是，可重新放置的柔韧孔眼掩模10K的第一面61上可以有压敏粘合剂。在这种情况下，第一面61通过压敏粘合剂以可分离的方式粘着到沉积基材上，然后在沉积工艺之后除去。
图7是使用图6所示柔韧孔眼掩模10K的沉积系统70。如图7所示，由于柔韧孔眼掩模10K的第一面61粘着到沉积基材52上，可以克服所述下垂问题。然后通过沉积单元54将材料56蒸发，并按照柔韧孔眼掩模10K所形成图案沉积到沉积基材52上。在有些情况下，柔韧的孔眼掩模10K可以除去，然后重新放置，相对沉积工艺用的沉积基材52正确地重新放置柔韧孔眼掩模10K。
另一个控制下垂的方式就是使用磁力。例如，再次参见图1a，孔眼掩模10A可以包含聚合物和磁性材料。所述磁性材料可以涂布或层压到聚合物上，或者可以浸渍进入聚合物中。例如，磁性颗粒可以分散在用来形成孔眼掩模10A的聚合物材料中。当使用磁力时，可以在沉积工作站内施加磁场，吸引或排斥所述磁性材料，用来控制孔眼掩模10A中的下垂。
例如，如图8所示，沉积工作站80可以包括磁性结构82。孔眼掩模10L可以包含磁性材料。磁性结构82可以吸引孔眼掩模10L，从而降低、消除或者以其它方式控制孔眼掩模10L中的下垂。或者，可以放置磁性结构82，使得通过排斥孔眼掩模10L中的磁性材料来控制下垂。在这种情况下，磁性结构82放置在孔眼掩模10L其与沉积其材52相背的一面上。例如，可以使用永磁体或电磁体阵列来实现磁性结构82。
另一种控制下垂的方式是使用静电。在这种情况下，所述孔眼掩模可以是静电涂布或处理的聚合物。虽然使用静电涂料来控制下垂时不一定需要磁性结构82(图8)，但是在使用静电的有些情况下磁性结构仍是有帮助的。将电荷施加到孔眼掩模、沉积基材或两者之上，以促进下垂减小的方式产生静电吸引。
另一种控制下垂的方式是拉伸所述孔眼掩模。在这种情况下，以足以降低、消除或其他方式控制下垂的方式，用一个拉伸装置来拉伸孔眼掩模。当紧紧地拉伸所述掩模使其绷紧时，降低了下垂现象。在这种情况下，要求所述孔眼掩模具有合适的弹性系数。
此外，也可以使用拉伸聚合物孔眼掩模的概念来正确排列用来沉积工艺的孔眼掩模。图9是用于来对本发明孔眼掩模进行拉伸的示例性拉伸装置。拉伸装置90包括相对较大的沉积孔洞92。孔眼掩模可以覆盖沉积孔洞92，沉积基材紧贴所述孔眼掩模。为了便于拉伸排列，所述孔眼掩模应可以进行弹性拉伸，而不会损坏。因此，沿一个或多个方向的拉伸量可以大于约0.1％，大于约0.5％，乃至大于1％。材料可以蒸发经过沉积孔洞92，并按照孔眼掩模形成的图案沉积到所述沉积基材上。
拉伸装置90可以包括多个拉伸机构95A、95B、95C和95D。如图9b所示，各拉伸机构95可以透过拉伸机构孔99突出。在一个具体例子中，各拉伸机构95包括夹子上部分96和夹子下部分97，它们一起夹在孔眼掩模上。然后，当它们夹住孔眼掩模时，通过使这些拉伸机构95移动离开来拉伸孔眼掩模。这些拉伸机构95可以沿一个或多个轴移动。所示的拉伸机构95是从拉伸装置90顶部突出，但是也可以从拉伸装置底部突出。尤其是当拉伸装置90用来控制孔眼掩模中的下垂时，所述拉伸机构通常从拉伸装置90的底部突出。也可以使用拉伸孔眼掩模的其他一些方法，来控制孔眼掩模中的下垂，或者正确排列沉积工艺用的孔眼掩模。通过拉伸孔眼掩模，可以使热膨胀引起的不对准现象减至最小。
如上所述，可以使用激光烧蚀技术，通过例如烧蚀聚合物薄膜来形成沉积孔眼的图案，在聚合物孔眼掩模中形成沉积孔眼图案。在有些情况下，图案可以形成为分隔约25厘米以上的第一和第二图案元件成。图10是可以用于烧蚀出本发明孔眼掩模的激光烧蚀系统的示意图。激光烧蚀技术有好处，这是因为它可以获得相对较小的沉积孔眼，并且也可以在一个孔眼掩模上形成远大于常规图案的图案。此外，相比常用于形成金属或硅孔眼掩模的常规技术，激光烧蚀技术可以以低得多的成本制造孔眼掩模。
如图10所示，激光烧蚀系统100可以是使用有图案的烧蚀掩模的投影式激光烧蚀系统，虽然可以使用荫罩式烧蚀系统或者相掩模烧蚀系统。也可以使用一单个激光头头来“写”出所需的孔眼图案。投影式成像激光烧蚀是在要烧蚀的物件表面上形成很小的部分或很小结构的技术，所述结构大小的数量级为1微米到几毫米，此时，光通过有图案的烧蚀掩模，将图案形成在被烧蚀的物件上。材料从接受光的区域中的烧蚀基材上除去。虽然使用紫外光(UV)来说明所述系统，但是照射的激光可以是任何种类的光，如红外线或可见光。而且，本发明可以使用不是激光的光源。
激光器101可以是发射约248nm短波长光束的KrF受激准分子激光器。但是可以使用任何种类的受激准分子激光器，如F2、ArF、KrCl或XeCl类受激准分子激光器。受激准分子激光器尤其可用于形成小的沉积孔眼，这是因为受激准分子激光器可以解析出更小的部分，产生的间接损伤比CO2激光器少，CO2激光器发射波长约为10600nm的光束。而且，受激准分子激光器可以用于大多数的聚合物，它们对加工金属所用的激光如掺杂钕的钇铝石榴石(Nd:YAG)激光来说是透明的。受激准分子激光器也是有利的，因为，大多数材料如聚合物对于UV波长具有很高的吸光度，因此，更多的能量集中在较浅的深度内，因此受激准分子激光器能提供更清晰的切割效果。受激准分子激光是脉冲激光，脉冲范围为5-300纳秒。激光器101也可以是三重或四重Nd:YAG激光器，或者是脉冲在毫微微秒范围内的任何激光器。
烧蚀掩模103可以是具有使用标准半导体光刻掩模技术制造的图案102的的掩模。所述烧蚀掩模103中有图案的部分对UV光是不透明的，而烧蚀掩模的支撑基材对UV光是透明的。在一个实施方式中，所述有图案的部分包含铝，而所述烧蚀掩模103的支撑基材是熔凝二氧化硅(SiO2)。熔凝二氧化硅是一种有用的支撑材料，这是因为它是少数几种对中紫外和远紫外波长而言是透明材料中的一种。氟化钙也可以用作支撑基材，代替SiO2。由于铝能反射中紫外光，因此铝可以用作形成图案的材料。有图案的介电堆叠是铝的一种替换物。
成像透镜104可以是单个透镜或者由若干个透镜和其它光学组件组成的完整光学系统。成像透镜104投射烧蚀掩模的图像，更具体的说，将通过所述烧蚀掩模的光的图案投射到要烧蚀的物件表面上。所述要烧蚀的物件是聚合物薄膜106，可以包括在聚合物薄膜背面上形成的材料107。一些合适的聚合物薄膜可以包含聚酰亚胺、聚酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或者它们的混合物。
图11显示了可以形成要烧蚀的物件105的有用结构。具体地说，图11显示了要烧蚀的物件105，它包括一个聚合物薄膜106，它有一种材料107形成在其背面即与系统100(图10)中激光入射面相背的一面上。材料107为烧蚀工艺提供一个腐蚀阻挡层，可以避免在聚合物薄膜106下面夹入空气，并且可以是个稳定载体。例如，材料107可以是金属如铜。
在完成烧蚀之后，材料107从聚合物薄膜106上腐蚀掉，形成聚合物孔眼掩模。或者在有些实施方式中，材料107可以剥离除去。物件105的制法可以是在聚合物薄膜上形成铜层，或者在铜层上形成聚合物薄膜。在有些情况下，物件105可以是以预制的形式直接购得。
再次参见图10，工作台109放置并支撑着要烧蚀的物件105。例如，可以将要烧蚀的物件105通过如真空吸盘108、静电力、机械紧固件或重力等方式固定在工作台109上。工作台109可以沿x、y和z轴移动以及沿例如z轴旋转来定位要烧蚀的物件105。工作台109可以一步步移动物件105，5nm，通常100nm，其可重复准确度约500nm。通过电脑控制工作台109，可使桌子109移动程序化，并可以使桌子的移动与由激光器101的光发射同步。所述工作台还可以手动控制，如使用连接到电脑的操纵杆。
在形成集成电路制造用的孔眼掩模时，较好要控制烧蚀生成的沉积孔眼的壁的角度，使所述沉积孔眼适合于让要沉积的材料通过。在本发明一个实施方式中，控制所述烧蚀，得到合适的壁角度。因此，本发明可以控制烧蚀工艺，以获得可接受的壁角度。直的壁角度(即0°壁角度)是指沉积孔眼的壁垂直于聚合物薄膜表面。在有些情况下，甚至可以获得负的壁角度，此时，当激光烧穿所述聚合物材料时形成的孔眼的直径越来越大。
影响壁角度的因素有很多。因此，可以控制这些因素，以便获得可接受的或者所需的壁角度。例如，可以在基材的激光幅射功率密度的成像系统的数值孔径可以控制，以获得可接受的壁角度。可以控制的其它因素包括激光的脉冲持续时间、被烧蚀的物件或材料的烧蚀阈限。通常，所述孔眼壁角度应接近0，使孔眼之间的间距尽可能接近。但是，若在小源极的沉积工艺(例如，电子束蒸镀)中使用大的孔眼掩模，要求壁角度大于0，以使掩模区域中的视差最小，这时沉积流以基本上非垂直的角度撞击所述沉积基材。
图12与图13是本发明可制造的薄膜晶体管例子的截面图。本发明可以制造薄膜晶体管130和140，而无需采用腐蚀或光刻，取而代之的是仅仅采用这里所述的孔眼掩模沉积技术来制造薄膜晶体管130和140。另外，可以一层或多层底层用腐蚀或光刻法形成图案，而至少两层最顶层是采用这里所述的孔眼掩模沉积技术形成。重要的是，所述沉积技术可获得薄膜晶体管足够小的电路特征部分。此外，如果采用有机半导体，则本发明便于制造薄膜晶体管，其中有机半导体不作为电路的最顶层。而是在此不采用湿法工艺情况下，可以在该有机半导体材料层上面形成电极图案。在有机半导体材料上形成的所述电极图案使所述薄膜晶体管具有很高的器件性能。可以充分利用孔眼掩模10的这种优点，同时能获得令人接受的电路元件尺寸。
薄膜晶体管通常具有各种不同电路，如包括RFID电路、电子储存器与其它低成本电路。此外，薄膜晶体管可以用作液晶显示器像素或其它平板式显示器像素(包括有机发光二极管)的控制元件。薄膜晶体管还有许多其它应用。
如图12所示，薄膜晶体管130形成在沉积基材131上。薄膜晶体管130是所有各层均可采用孔眼掩模沉积形成，其中没有一层是采用腐蚀或光刻形成的一种晶体管。这里所述孔眼掩模沉积技术可以制造薄膜晶体管130，其中电极135和136之间距离小于约1000μm，小于约50μm，小于约20μm，乃至小于10μm，同时还可不使用常规的腐蚀或光刻工艺。
具体是，薄膜晶体管130包括沉积基材131上形成的第一沉积导电层132。在第一导电层132上则形成沉积的介电层133。在沉积的介电层133上又形成构成源电极135和漏电极136的第二沉积导电层44。在第二沉积导电层134上还形成沉积的活性层47，如沉积的半导体层，或沉积的有机半导体层。
采用例如掩模组40的沉积技术是制造薄膜晶体管40的示例方法。在该方法中，薄膜晶体管130的各层可以由形成掩模组40的沉积孔眼掩模10D-10I中一个或多个沉积孔眼来形成。另外如上所述，采用多个孔眼掩模与接合技术可以制造一层或多层薄膜晶体管。
通过形成掩模10中足够小的沉积孔眼，可以制得宽度小于约1000μm，小于约50μm，小于约20μm，小于约10μm，乃至小于5μm的薄膜晶体管130一个或多个特重。而且，通过形成孔眼掩模中足够小的间隔，可以制成小于约1000μm，小于约50μm，小于约20μm，乃至小于10μm的其他特征部分如源电极135与漏电极136之间的距离。在此情况下，单个掩模可用来沉积第二导电层134，所述两个电极135，136由足够小的间隔隔开的沉积孔眼所形成。以这种方式，薄膜晶体管130的尺寸可以减小，能制造出更小，密度更高的电路，同时还能保持薄膜晶体管130的性能。此外，可以使用如图2和图3所示的，具有两个间距很大的沉积孔眼的孔眼掩模，可以制成包括两个或多个晶体管的电路。
图13显示了薄膜晶体管140的另一实施方式。具体的是，薄膜晶体管140包括形成于沉积基材141上的第一沉积导电层142。在第一导电层142上则形成沉积的介电层143。在沉积的介电层143上又形成沉积的活性层144，如沉积的半导体层，或沉积的有机半导体层。在沉积的活性层144上还形成第二沉积导电层145，它构成了源电极146和漏电极147。
还有，通过在掩模10中形成足够小的沉积孔眼14，薄膜晶体管140的一个或多个特征部分所具有的宽度可在本文所述的数量级范围。而且，通过在孔眼掩模中形成足够小的间隔，源电极146和漏电极147之间的距离可在本文所述间隔的数量级范围。在此情况下，可以采用单个掩模沉积第二导电层145，两个电极由间隔非常小的沉积孔眼形成。以这种方式，薄膜晶体管140的尺寸可以减小，同时提高薄膜晶体管140的性能。
例如，由于有机半导体通常不能进行腐蚀或光刻图案形成，而水不会损伤或使有机半导体材料性能变差，因此，使用有机半导体的薄膜晶体管可以呈图12所示的形式。例如，当暴露在加工溶剂中时，在有机半导体层上会出现形态变化。因此，通常使用将有机半导体沉积作为表层的制造技术。
采用孔眼掩模沉积技术形成薄膜式晶体管的至少两个表层，本发明容易制得图13所示的构型，即使活性层144为有机半导体层。图13所示构型可以通过在表面相对平坦的介电层143上沉积有机半导体层上(而不是如图12所示在非连续的第二导电层44上沉积)，这样就改进了有机半导体层的生长。例如，若有机半导体沉积在非平坦表面上，则这种生长受到抑制。因此，为了避免有机半导体的生长受到抑制，图13所示的构型较为合适。在有些实施方式中，可以如前所述沉积所有各层。而且，由于在有机半导体上沉积合适的源电极和漏电极提供了低电阻界面，图13所示构型是有利的。此外，也可以形成相隔较远的两个或多个晶体管的电路，例如，使用图2和3所示的掩模。
本发明另一个优点是，可以使用孔眼掩模来沉积出有图案的活性层，从而提高器件性能，尤其当活性层包含有机半导体时，此时常规的图案形成工艺并不合适。通常，半导体可以是无定形(例如，无定形硅)或多晶的(例如，并五苯)。
用来形成电路或电路元件的一个具体技术包括定位孔眼掩模。例如，可将掩模放置紧贴沉积基材。在有些情况下，可使掩模紧密接触沉积基材，在其他情况下，较好在沉积基材和孔眼掩模之间保持一个小间隔。然后，可以拉伸所述孔眼掩模。拉伸所述孔眼掩模有一个或多个不同的目的。例如，拉伸孔眼掩模可以减少掩模的下垂。此外，拉伸孔眼掩模可以对准沉积工艺用的掩模。在拉伸了孔眼掩模之后，材料可以通过孔眼掩模沉积到沉积基材上，在沉积基材上形成一个材料层。所述层可以是集成电路中的一个层，例如，薄膜晶体管、二极管或者射频识别电路中的一个层。所述二极管可以是发光二极管，包括有机发光二极管。
形成电路或电路元件的另一技术包括将孔眼掩模定位，并控制所述孔眼掩模的下垂。所述孔眼掩模可以贴近沉积基材。而且在有些情况下，所述掩模可紧密接触所述沉积基材，在其它情况下，较好在沉积基材和孔眼掩模之间保持一个小间隔。可以以许多方式进行下垂控制，包括磁力、静电、拉伸技术或者使用例如压敏粘合剂将掩模粘着到沉积基材上。
在形成孔眼掩模的一个技术中，在聚合物薄膜的第一面上形成材料层。或者，在材料上形成该聚合物薄膜。所述材料包括金属，如铜。一旦形成之后，可在聚合物薄膜的与所述材料层相背的一面进行烧蚀，然后除去所述材料层。例如，当所述材料层是金属时，可以通过腐蚀或剥离来除去。以这种方式可以制造聚合物孔眼掩模。
也可以使用可重新定位的聚合物孔眼掩模作为刻蚀工艺中的图案，所述工艺包括蚀刻薄膜晶体管中至少一层的工艺。然后，在另一蚀刻工艺中可以再次使用该相同的可重新定位的聚合物孔眼掩模作为图案。这种技术可以简化大规模重复的蚀刻工艺，并且也可以降低进行多次相同蚀刻工艺所需的成本。
在另一技术中，若孔眼掩模是柔韧的，它就可以在不平坦的沉积基材上制造集成电路。柔韧且可重新定位的孔眼掩模可以放置在不平坦的沉积基材上。然后，可以在此不平坦的沉积基材上形成集成电路中的一层或层的一部分。所述集成电路的层可以是薄膜晶体管的至少一部分。当沉积工艺要求孔眼掩模和沉积基材之间紧密接触时，此处所述的柔韧孔眼掩模尤其有用。在这种情况下，柔韧的聚合物孔眼掩模可以适合不平坦基材的表面，形成紧密的接触。
在形成孔眼掩模的另一技术中，在聚合物薄膜中烧蚀出图案，形成自撑式孔眼掩模。在这种情况下，可以控制烧蚀以形成可接受的孔眼壁的角度。例如，前面已列出了许多会影响壁角度的因素，如激光的功率密度，成像系统的数值孔经、激光的脉冲持续时间以及要烧蚀的物件或材料的烧蚀阈限。可以控制这种因素中的一个或多个，以确保获得可接受的壁角度。
图14是一个本发明拉伸孔眼掩模的顶视图。孔眼掩模150包括上述形成的具有图案151的掩模基材。如图中所示，孔眼掩模150可以包含掩模基材的延伸部分152A-152D，它们可以用来拉伸孔眼掩模150，并提高拉伸图案151的均匀性，而不会变形。各延伸部分152上可以包括一系列减小变形的特征部分，如狭缝(对减小变形的特征部分注了数字154)，它们可以位于图案151的边缘附近。由于所述减小变形的特征部分154在拉伸过程中减小了图案151的变形，所以有利于更加精确地拉伸孔眼掩模150。减小变形的特征部分的各种形式包括掩模基材中的狭缝、掩模基材中的孔穴、掩模基材中的穿孔、掩模基材中厚度减小的区域等。
夹子156A-156D可以安装到孔眼掩模150的延伸部分152上。各夹子156可以连接到一条或多条金属丝、带等上。在图14中，各夹子156包括两条带子，由此在拉伸过程中提供总共八个自由度。所述带子可以附到安装在对准背结构上的测微上。带子中的张力可以进行调整，调节孔眼掩模150的位置，并提供所需的拉伸量。这样，掩模150就可以对准沉积基材160。
实施例1
在此实施例中，使用4次真空沉积步骤以及4个经拉伸的聚合物孔眼掩模来制造有机集成电路。所述工艺不使用光刻，也不使用湿法。
以相同技术制得所有四个聚合物孔眼掩模，所述技术包括激光烧蚀厚度为25微米的聚酰亚胺片，它具有约为18微米厚的铜背衬。在激光烧蚀之后，在酸性腐蚀剂(10HNO3:1HCl)中除去铜背衬，然后淌洗和清洁所述掩模。在各个掩模中，形成了图案的区域约为4.5cm×4.5cm。
在4个层上使用孔眼掩模形成了图案，这4个层包括：(1)栅极金属、(2)绝缘体(电介体)、(3)半导体、(4)源电极/漏电极金属。通过接合门极和源电极/漏电极层中的线迹，在各电路组件之间形成互连。在这一实施例中，所述集成电路的最小线宽为15微米。
如图14所示，将各掩模安装到4个夹子之间。使用8个绑在夹子156末端的带子进行拉伸和对准。将各带子连接到安装在对准结构上的测微计。各夹子使在掩模一面上施加的张力均匀。通过使用至少5个(在这种情况下为8个)自由度，利用所述掩模的弹性，在整个图案形成的区域上获得优良的对准。
为了降低掩模的变形，在有图案区域和夹子之间的每一侧对掩模进行切割，形成成狭缝状的减小变形特征部分154。所述狭缝平行于相邻夹子156所施加的张力方向延伸，在这一实施例中，各自相距约2.5mm，当然本发明并未限制于此。位于图案区域附近的狭缝可以使掩模的图案区域沿垂直于狭缝的方向拉伸，几乎受不到夹子156产生的限制力。换句话说，所述图案区域沿所有方向均匀拉伸。
在这一实施例中，将50mm×75mm×0.7mm浮法玻璃生产的沉积基材在尽可能小向下作用力作用下和第一掩模接触，以使粘着和摩擦最小。沿两个方向拉伸所述第一掩模约0.5％。将掩模、拉伸机构和基材置于一真空系统中，然后通过离子束溅射来沉积第一层(50nm的Pd)。也可以使用电子束蒸镀。
将所述组合件拆开，并用第二掩模取代第一掩模。将所述第二掩模拉伸并对准基材上第一层的特征部分。将所述组合件置于真空系统中，然后通过电子束蒸镀沉积第二层(200nm的Al2O3)。也可以使用溅射。
再次拆开所述组合件，并用第三掩模代替第二掩模。拉伸所述第三掩模，并对准基材上第一层的特征部分。将所述组合件置于真空系统中，然后通过热蒸镀来沉积第三层(50nm的并五苯)。
再次拆开所述组合件，用第四掩模取代第三掩模。拉伸所述第四掩模，并对准基材上第一层的特征部分。将所述组合件置于真空系统中，然后通过热蒸镀来沉积第四层(150nm的Au)。也可以使用电子束蒸镀或溅射。
最后，从真空系统中取出所述组合件，从其中取出基材。这时，测试所得集成电路，结果表明有功能正常。
实施例2
使用拉伸的聚合物掩模也可以制造电子显示器，它由红、绿和蓝有机发光二极管亚像素组成。在所述基材上提供用于有机发光二极管(OLED)亚像素的驱动电路，此驱动电路可以是有源或者无源矩阵电路，两者在本技术领域均已知。驱动电路可包括用于OLED亚像素的电极(例如，氧化铟锡阳极)。基材上也可包括例如高0.1-10微米的光致抗蚀剂制成的隔离子，它们能使孔眼掩模与基材表面有一定距离，以免移动掩模时损伤基材上的材料。
在这一实施例中，所述掩模图案是一系列呈矩形阵列的矩形孔眼，由激光烧蚀形成。所述孔眼例如为100微米见方的正字形，中心到中心的距离为250微米。通过旋涂，在所有电极上也可以先沉积缓冲层(如聚噻吩，例如来自Bayer的Baytron P)。或者，缓冲层可以真空沉积。接着，在缓冲层上真空蒸镀空穴迁移层，如40nm的NPD(N，N′-二(萘-1基)-N，N′-二苯基联苯胺)。
接着，如以上实施例所述，拉伸所述孔眼掩模，并对准用于红色亚像素的电极。然后，通过孔眼掩模沉积红色电致发光层。所述层可以是例如10nm厚的在CBP(4，4′-二(咔唑-9-基)联苯)中10重量％PtOEP(八乙基卟啉钛)的混合物，通过同时从两个源蒸镀PtOEP和CBP形成。
然后，可以仍旧留在真空中，移动所述孔眼掩模，使其和绿色亚像素用的电极对准。然后，通过孔眼掩模真空沉积绿色电致发光层。该层可以是例如10nm厚在CBP中的10重量％Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)的混合物。然后可以仍旧留在真空中，移动所述孔眼掩模，使其和蓝色亚像素用的电极对准。然后，通过孔眼掩模真空沉积蓝色电致发光层。所述层可以是例如10nm厚的CBP。也或可使用蓝色掺杂剂，如二萘嵌苯(在CBP中，10重量％)。
接着，可以仍旧留在真空中，除去掩模。然后真空沉积上电子迁移层。该层例如是50nm厚的Balq((1，1′-二苯基-4-羟连(olato))二(2-甲基-8-喹啉羟连)铝)。最后，当为有源矩阵电路显示器时，在所有亚像素上沉积阴极。所述阴极可以是例如0.5nm厚的LiF，再沉积200nm厚的Al。当为无源矩阵电路显示器时，所述阴极必须形成排列成行的图案，通常是使用另一荫罩来进行。
本发明叙述了一些实施方式。例如，叙述了数个不同结构件与不同孔眼掩模的沉积技术。这些孔眼掩模沉积技术可用来制造各种不同电路，仅采用沉积工艺，而避免采用化学腐蚀工艺或光刻工艺，本技术特别适合用到有机半导体材料的情况。然而，在不偏离本发明精神和范围的条件下，本发明的各种修改和变化是显而易见的。比如，虽然利用热沉积工艺具体地叙述了孔眼掩模的沉积技术，但该技术和孔眼掩模可利用其它沉积工艺，包括溅射、电子束蒸发工艺、其它热蒸发工艺等技术。因此这类其它实施方式都属于下述权利要求的范围之内。

Claims (37)

1.一种形成至少一部分集成电路的方法，所述方法包括：
通过可重新定位的聚合物孔眼掩模将材料沉积到沉积基材上，形成集成电路的一个图案层，其中，所述可重新定位的聚合物孔眼掩膜包括尺寸大于1厘米的图案区域，所述集成电路的图案层包括薄膜晶体管的至少一部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成至少一个沉积孔眼的宽度小于1000微米的可重新定位的聚合物孔眼掩膜。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成至少一个沉积孔眼的宽度小于50微米的可重新定位的聚合物孔眼掩膜。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括通过许多可重新定位的聚合物孔眼掩模，将许多材料层按顺序沉积到沉积基材上，形成集成电路。
5.一种形成至少一部分集成电路的方法，所述方法包括：
将柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模放置接近于沉积基材；
控制所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模中的下垂；并
通过柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模让无机或有机材料沉积，在沉积基材上形成一层，该层形成至少一部分集成电路。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模包括有图案的聚合物薄膜和磁性材料，其中，控制下垂包括施加磁场，吸引或排斥所述磁性材料，从而减小柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模中的下垂。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模包括浸渍有磁性材料的有图案的聚合物薄膜。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模包括涂布或层压有磁性材料的有图案的聚合物薄膜。
9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，控制下垂包括将静电荷施加到柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模上，对所述带电荷的柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模进行静电吸引或排斥，从而减小其下垂。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，控制下垂还包括将静电荷施加到沉积基材上。
11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模的一面上有压敏粘合剂，控制下垂包括使用该压敏粘合剂将柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模粘着到所述沉积基材上。
12.权利要求5所述的方法，其特征在于，控制下垂包括拉伸所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述拉伸步骤包括沿一个或多个方向拉伸柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜，将所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜拉伸大于0.1％。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述拉伸步骤包括沿一个或多个方向拉伸柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜，将所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜拉伸大于0.5％。
15.一种在基材上形成至少一部分电路元件的方法，所述方法包括：
将柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模放置接近于沉积基材，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模的图案宽度为100cm或更大；
控制所述柔韧的孔眼掩模中的下垂；并
通过柔韧的孔眼掩模让无机或有机材料沉积，在沉积基材上形成包括一个或多个电路元件的层。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述一个或多个电路元件是在沉积基材上的电路图案面积为1平方米或以上的电路图案部件。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述一个或多个电路元件具有小于1000微米的电路元件宽度。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述沉积基材上的一个或多个电路元件形成平面显示器、平面探测器或电子显示器。
19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述控制步骤包括沿一个或多个方向拉伸所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，沿一个或多个方向将所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜拉伸0.1％以上。
21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，沿一个或多个方向将所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜拉伸0.5％以上。
22.一种在基材上形成至少一部分电路元件的方法，所述方法包括：
将柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模放置接近于沉积基材，所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模具有外周；
通过沿至少两个方向拉伸柔韧的孔眼掩膜来控制所述柔韧的孔眼掩模中的下垂；并
通过该拉伸的柔韧的孔眼掩模让无机或有机材料沉积，在沉积基材上形成包括一个或多个电路元件的层。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述柔韧的可重新定位的孔眼掩膜包括一个或多个减小变形的特征，均匀拉伸所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜的有图案的区域。
24.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述控制步骤包括沿所述柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩膜的外周固定一个或多个夹具，并将各夹具的相对端连接到张力调整器上，对各夹具的各相对端施加一定量张力。
25.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述一个或多个电路元件是在沉积基材上的电路图案面积为1平方米或以上的电路图案部件，所述一个或多个电路元件具有小于1000微米的电路元件宽度。
26.一种将材料沉积到基材上的方法，所述方法包括：
放置聚合物孔眼掩模使其接近沉积基材；
拉伸所述聚合物孔眼掩模，使所述聚合物孔眼掩膜和沉积基材对准；并
通过拉伸的聚合物孔眼掩模让材料沉积，在沉积基材上形成该材料的层。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，在两个或多个自由度拉伸所述聚合物孔眼掩膜。
28.权利要求26所述的方法，其特征在于，沉积基材上的层是集成电路中的层。
29.权利要求28所述的方法，其特征在于，集成电路中的层是有机发光二极管或射频识别电路中的层。
30.如权利要求1-29任一项所述的方法，其特征在于，所述沉积基材是非平面的，并且所述孔眼掩膜与所述非平面沉积基材的表面共形。
31.一种形成至少一部分集成电路的方法，所述方法包括：
通过烧蚀聚合物薄膜形成图案，由此形成可重新定位的聚合物孔眼掩模；
在沉积工艺中使用所述聚合物孔眼掩模，形成集成电路的一个层。
32.用于权利要求1-31任一项所述方法中的柔韧聚合物孔眼掩模，所述柔韧聚合物孔眼掩模具有能形成集成电路至少一部分的沉积掩模图案，其中，所述图案的尺寸大于1厘米，至少一个沉积孔眼的宽度小于1000微米。
33.一种用于权利要求1-31任一项所述方法的孔眼掩模，所述孔眼掩模包括：
包括沉积孔眼图案的聚合物掩模基材；
所述聚合物掩模基材中减小变形的特征部分，所述减小变形的特征部分靠近图案的边缘。
34.权利要求33所述的孔眼掩模，其特征在于，所述聚合物孔眼掩模包括延伸部分，所述减小变形的特征部分位于延伸部分中。
35.权利要求33所述的孔眼掩模，其特征在于，所述减小变形的特征部分选自聚合物掩模基材中的狭缝、聚合物掩模基材中的孔穴、聚合物掩模基材中的穿孔、聚合物掩模基材中厚度减小的区域等。
36.一种用于权利要求6-8任一项所述方法的柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模，所述聚合物孔眼掩模包含：
包括沉积孔眼图案的聚合物掩模基材；
磁性材料。
37.一种用于进行权利要求6-8任一项所述方法的沉积系统，所述沉积系统包括：
柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模；和
磁性结构装置，它和磁性材料发生磁性相互作用，减少沉积方法中柔韧的可重新定位的聚合物孔眼掩模中的下垂。
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